CN113471313B - 单行载流子探测器及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 43
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
- H01L31/035227—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum wires, or nanorods
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本公开提供一种单行载流子探测器及其制备方法，单行载流子探测器，包括：公共N接触层(3)；纳米线阵列，包括多个纳米线(0)，多个纳米线(0)非接触地并列排布在公共N接触层(3)上，纳米线阵列用于吸收光以产生载流子。本公开的单行载流子探测器相对于传统的薄膜型单行载流子探测器，大大降低了结电容面积，在较短的吸收层厚度下，可以拥有非常高的光学吸收，因而同时拥有高的响应度以及与渡越时间相关的3‑dB带宽，可以满足新一代自由空间光通信系统的要求。
Description
技术领域
本公开涉及通信类高速探测器制备技术领域，尤其涉及一种单行载流子探测器及其制备方法。
背景技术
大功率、高带宽的探测器是通信系统中的核心器件。单行载流子探测器由于其出色的饱和性能以及高速性能而备受关注。对于传统的薄膜型探测器，为实现高功率性能通常要求器件拥有大的吸收区长度以及吸收面积。然而在单行载流子探测器中，大的吸收区长度会显著的增加光生载流子的渡越时间，从而严重降低与渡越时间相关的3-dB带宽；大的吸收面积会增加器件的结电容，导致与电阻电容延迟效应相关的3-dB带宽降低。因此设计人员必须在高功率和高速性能之间做折中。
在传统的自由空间光通信系统中，为了实现高速的性能，探测器的吸收面积通常设计的很小以减小结电容，从而降低RC延迟，然而小的吸收面积无法接受全部的光信号，需要将光耦合进入单模光纤，对准入射至探测器做光电转换；这种方式不仅加剧了光信号的损耗，也不利于对准和集成化。
发明内容
(一)要解决的技术问题
针对于现有的技术问题，本公开提供一种单行载流子探测器及其制备方法，用于至少部分解决以上技术问题。
(二)技术方案
本公开提供一种单行载流子探测器，包括：公共N接触层3；纳米线阵列，包括多个纳米线0，多个纳米线0非接触地并列排布在公共N接触层3上，纳米线阵列用于吸收光以产生载流子。
可选地，纳米线0的直径为250～500nm，纳米线0的高度不高于2μm，纳米线阵列中的纳米线间距为200～500nm。
可选地，纳米线0包括：依次叠加的N型亚收集区5，非掺杂收集区6，N型崖区7，非掺过渡层8，P型吸收层9，P型过渡层10和P型接触层11，其中，N型亚收集区5叠加在公共N接触层3上；N型亚收集区5用于阻挡公共N接触层3中的掺杂物质扩散到非掺杂收集区6中；非掺杂收集区6用于加速载流子的漂移；N型崖区7用于调控非掺杂收集区6产生的电场；非掺过渡层8和P型过渡层10用于能带过渡来减小导带差；P型吸收层9用于吸收光来产生载流子；P型接触层11用于阻挡电子反向扩散和收集光生空穴。
可选地，单行载流子探测器还包括：钝化层12，钝化层12用于降低纳米线0的侧壁暗电流。
可选地，单行载流子探测器还包括：P电极14和N电极15；其中，P电极14和N电极15为透明电极；P电极14和N电极15相对设置在单行载流子探测器的两端，分别与纳米线0和公共N接触层3相接触。
可选地，透明电极包括ITO薄膜。
本公开另一方面提供一种单行载流子探测器制备方法，包括：在公共N接触层3上生长非接触地并列排布的至少两个纳米线0，得到纳米线阵列；在纳米线0的表面生长钝化层12；在钝化后的纳米线阵列上旋涂BCB薄膜13，刻蚀BCB薄膜13至露出纳米线阵列的顶部；刻蚀纳米线阵列顶部的钝化层12；分别在纳米线阵列顶部和公共N接触层3的底部生长P电极14和N电极15。
可选地，单行载流子探测器制备方法还包括：在衬底1上生长刻蚀停止层2，在刻蚀停止层2上生长公共N接触层3；使用选择腐蚀溶液腐蚀衬底1和刻蚀停止层2，暴露出公共N接触层3的底部。
可选地，在公共N接触层3上生长非接触地并列排布的至少两个纳米线0，得到纳米线阵列包括：在公共N接触层3上生长掩膜层4；刻蚀掩膜层4得到纳米孔图案，在纳米孔图案中生长纳米线0。
可选地，在纳米线0的表面生长钝化层12包括：采用原子层沉积法在纳米线0的表面生长30nm厚的二氧化硅薄膜，得到钝化层12；刻蚀BCB薄膜13至露出纳米线阵列的顶部包括：保留纳米线0侧壁上的钝化层12，使用SF6/O2作为刻蚀气体对BCB薄膜13进行ICP刻蚀；刻蚀纳米线阵列顶部的钝化层12包括：保留BCB薄膜13，使用C4F8/O2作为刻蚀气体对钝化层12进行ICP刻蚀。
(三)有益效果
本公开提供一种单行载流子探测器，采用纳米线阵列结构，相对于传统的薄膜型单行载流子探测器，大大降低了结电容面积，拥有更大的RC延迟效应相关的3-dB带宽。同时，填充因子较小，拥有更小的暗电流，降低了器件的噪声。
本公开提供的单行载流子探测器，在较短的吸收层厚度下，可以拥有非常高的光学吸收。因此相比于薄膜型探测器，单行载流子纳米线阵列探测器可以同时拥有高的响应度以及与渡越时间相关的3-dB带宽，可以满足新一代自由空间光通信系统的要求。
附图说明
通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示意性示出了根据本公开实施例的薄膜型和纳米线型单行载流子探测器结构对比图；
图2示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器立体结构图；
图3示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器结构图；
图4示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器的制备方法流程图；
图5示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器的制备过程结构变化图。
【附图标记说明】
0-纳米线
1-衬底
2-刻蚀停止层
3-公共N接触层
4-掩膜层
5-N型亚收集区
6-非掺杂收集区
7-N型崖区
8-非掺过渡层
9-P型吸收层
10-P型过渡层
11-P型接触层
12-钝化层
13-BCB薄膜
14-P电极
15-N电极
16-外延层
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。说明书中示例的各个实施例中的技术特征在无冲突的前提下可以进行自由组合形成新的方案，另外每个权利要求可以单独作为一个实施例或者各个权利要求中的技术特征可以进行组合作为新的实施例，且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中未绘示或描述的元件或实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。
除非存在技术障碍或矛盾，本公开的上述各种实施方式可以自由组合以形成另外的实施例，这些另外的实施例均在本公开的保护范围中。
虽然结合附图对本公开进行了说明，但是附图中公开的实施例旨在对本公开优选实施方式进行示例性说明，而不能理解为对本公开的一种限制。附图中的尺寸比例仅仅是示意性的，并不能理解为对本公开的限制。
虽然本公开总体构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体公开构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。
图1示意性示出了根据本公开实施例的薄膜型和纳米线型单行载流子探测器结构对比图。
图2示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器立体结构图。
根据本公开的实施例，如图1所示，箭头代表入射光。图1a中传统的薄膜型单行载流子探测器例如包括：N型接触层以及叠加在N型接触层上的薄膜型外延层16，吸收面积为整个薄膜，吸收面积大，3-dB带宽低。如图1b和图2所示，本公开实施例的纳米线型单行载流子探测器例如包括：公共N接触层3；纳米线阵列，包括多个(至少两个)纳米线0，多个纳米线0非接触地并列排布在公共N接触层3上，纳米线阵列用于吸收光来产生载流子。载流子例如包括电子和空穴。纳米线0的数量不做限制，以可以实现强的光学吸收为准。通过对纳米线阵列探测器进行光学测试，可以得到器件的光吸收率。纳米线0之间例如填充有BCB薄膜13，减小了单行载流子探测器的填充因子，降低了结电容面积。外延层16例如为InP材料，薄膜型单行载流子探测器在使用过程中，根据菲尼尔公式，由于InP与空气这两种材料折射率的巨大差异，导致光在入射至InP与空气界面时产生大量的反射。
而本公开所设计的纳米线阵列型单行载流子探测器中，由于纳米线之间的填充介质BCB材料相比于InP具有很低的折射率，因此可以减小入射界面处器件与空气之间的折射率差，从而减小入射光的反射。除此之外，在横向上，纳米线0中的P型吸收层的材料例如为InGaAsP，低折射率的BCB与高折射率的InGaAsP可以形成FP共振腔，通过调节纳米线的直径以及纳米线之间的间距，可以使特定波段在横向上满足FP共振条件，从而产生驻波效应，将光局域在吸收区范围内。因此，相比于薄膜型结构，通过对器件的纳米线直径、间距进行设计，纳米线阵列在较薄的吸收层厚度下也能够实现强的光学吸收。
同时，对于单行载流子探测器，高速性能主要受两方面的制约，一方面为光生电子从产生到被N电极收集的渡越延迟。另一方面为器件的结电容(C)与负载电阻(R)产生RC延迟效应。理论上，纳米线阵列的结电容为薄膜型探测器的结电容乘以填充因子，填充因子由纳米线直径以及纳米线间距决定，该值小于1，这意味着纳米线阵列拥有更小的结电容。因此，纳米线阵列结构在提升器件响应度的同时，也可以提升与RC延迟相关的高速性能。
根据本公开的实施例，纳米线0的直径例如可以为250～500nm，纳米线0的高度例如不高于2μm，纳米线阵列中的纳米线间距例如可以为200～500nm。例如使用COMSOL软件对器件进行仿真，可以得到，器件在350nm的吸收层厚度下，对于1064nm的入射光，光学吸收率为85.7％，而具有完全相同的外延层的薄膜型探测器吸收率仅为46％。
图3示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器结构图。
根据本公开的实施例，如图3所示，纳米线0例如包括：依次叠加的N型亚收集区5，非掺杂收集区6，N型崖区7，非掺过渡层8，P型吸收层9，P型过渡层10和P型接触层11，其中，N型亚收集区5叠加在公共N接触层3上。公共N接触层3，N型亚收集区5，非掺杂收集区6，N型崖区7和P型接触层11的材料例如为InP。其中，公共N接触层3例如为N型重掺杂的InP接触层。非掺过渡层8，P型吸收层9，P型过渡层10的材料例如为InGaAsP。
根据本公开的实施例，由于公共N接触层3为重掺杂，非掺杂收集区6为非掺杂，巨大的掺杂差异很容易使公共N接触层3的掺杂物质扩散至非掺杂收集区6，从而影响器件的性能，因而N型亚收集区5具有掺杂过渡作用，用于阻挡公共N接触层3中的掺杂物质扩散到非掺杂收集区6中。非掺杂收集区6用于加速载流子的漂移，非掺杂收集区6由于非掺杂，在该区域会形成一个较强的电场，使光生载流子在该区域进行高速的漂移运动，从而被N电极收集。N型崖区7可以调控器件内部电场，即用于调控非掺杂收集区6产生的电场，可以有效提升器件的高速性能以及响应率。非掺过渡层8起到P型吸收层9和N型崖区7之间的能带过渡作用，减小导带差，促进光生电子从P型吸收层9转移到N型崖区7。P型吸收层9用于吸收光来产生载流子。P型过渡层10也用于能带过渡来减小导带差。P型接触层11起到电子阻挡以及P型接触的作用，使光生电子无法扩散至P电极，而是通过扩散以及漂移运动被N电极收集，同时该层也可以收集光生空穴。
根据本公开的实施例，单行载流子探测器还包括：P电极14和N电极15。其中，P电极14和N电极15例如为透明电极。P电极14和N电极15相对设置在单行载流子探测器的两端，分别与纳米线0和公共N接触层3相接触。纳米线阵列探测器之间可以通过底部公共的N型接触层以及顶部的透明电极实现互连。
图4示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器的制备方法流程图。
图5示意性示出了根据本公开实施例的单行载流子探测器的制备过程结构变化图。图5中的结构为纳米线周期性单元的截面，由于阵列在水平方向上具有各向对称性，因此该单元可以说明整个阵列的制备过程。
根据本公开的实施例，如图4所示，单行载流子探测器的制备方法例如包括：
S401，在公共N接触层3上生长非接触地并列排布的至少两个纳米线0，得到纳米线阵列。
根据本公开的实施例，如图5a-图5c所示，例如在衬底1上生长一层薄的刻蚀停止层2，在刻蚀停止层2上生长公共N接触层3来制备公共N接触层3。其中，衬底1例如为InP衬底，刻蚀停止层2例如为InGaAsP(Q1.1：表示带隙宽度对应吸收波长为1.1μm)刻蚀停止层。从晶格匹配角度，InGaAsP(Q1.1)刻蚀停止层与InP衬底和InP公共N接触层的晶格匹配程度高，生长时不会影响材料的质量。例如在刻蚀停止层2上生长400nm的N型重掺杂的公共InP接触层。然后，例如采用区域选择-金属有机化学气相沉积法(SA-MOCVD)在N型重掺杂的公共InP接触层上生长纳米线阵列，纳米线阵列例如可以垂直生长在N型重掺杂的公共InP接触层上。
根据本公开的实施例，如图5c-图5f所示，例如通过在公共N接触层3上生长掩膜层4，刻蚀掩膜层4得到纳米孔图案，在纳米孔图案中生长纳米线0来制备纳米线阵列。其中，例如在N型重掺杂的公共InP接触层上生长一层30nm厚的二氧化硅掩膜层，旋涂光刻胶后，使用电子束光刻以及干法刻蚀在二氧化硅掩膜层上制作出纳米线的孔图案，孔直径例如为350nm，孔之间的间距例如为286nm。例如使用MOCVD法生长出纳米线阵列。其中，纳米线0的层结构及厚度依次例如为：100nm厚的n型掺杂InP亚收集层，1270nm厚的非掺杂InP收集区，50nm厚的n型掺杂InP崖层，15nm厚的非掺杂InGaAsP(Q1.1)过渡层，350nm厚的p型掺杂InGaAsP(Q1.3)吸收层，15nm厚的p型掺杂InGaAsP(Q1.3)过渡层，以及200nm厚的p型掺杂InP接触层。即从掩膜层4到P型接触层11的总厚度例如为2μm。
S402，在纳米线0的表面生长钝化层12。
根据本公开的实施例，如图5f-图5g所示，例如使用非原位钝化(Ex situpassivation)，将生长好的纳米线阵列外延片快速转移至原子层沉积(ALD)系统设备中，生长例如30nm厚的二氧化硅薄膜做钝化层，用于降低纳米线0的侧壁暗电流。
根据本公开的实施例，如图5g图5h所示，去除钝化后纳米线阵列外延片的衬底1及刻蚀停止层2。由于在钝化完成后，纳米线表面有一层二氧化硅做保护，使用湿法腐蚀可以避免器件表面被损伤。配置好InP衬底和InGaAsP(Q1.1)刻蚀停止层的腐蚀液。InP衬底的腐蚀液例如由H3PO4和HCL组成，浓度配比例如为3∶1，InGaAsP(Q1.1)刻蚀停止层的腐蚀液例如由H2SO4、H2O2和H2O组成，浓度配比例如为3∶1∶1。首先使用衬底1的腐蚀液将衬底1腐蚀，再使用刻蚀停止层2的腐蚀液将刻蚀停止层2去除，得到图5h中的结构。通过配置不同选择性的刻蚀液，分别将InP衬底和InGaAsP刻蚀停止层刻蚀掉，同时保证了InP公共N接触层几乎不被刻蚀。
S403，在钝化后的纳米线阵列上旋涂BCB薄膜13，刻蚀BCB薄膜13至露出纳米线阵列的顶部。
根据本公开的实施例，如图5h-图5j所示，在图5h中结构的基础上旋涂适当厚度的BCB薄膜13，得到图5i中的结构，然后使用例如SF6/O2作为刻蚀气体对BCB薄膜13进行ICP刻蚀，得到图5j中的结构。在刻蚀掉部分BCB的同时，尽可能地保留纳米线侧壁的二氧化硅钝化层。
S404，刻蚀纳米线阵列顶部的钝化层12。
根据本公开的实施例，如图5j-图5k所示，例如使用C4F8/O2作为刻蚀气体对纳米线表面的二氧化硅钝化层做ICP刻蚀，得到图5k中的对钝化层开孔后的结构。刻蚀钝化层开孔时，尽可能地保留BCB，防止BCB的过刻。
S405，分别在纳米线阵列顶部和公共N接触层3的底部生长P电极14和N电极15。
根据本公开的实施例，如图5k-图51所示，例如使用电弧等离子体放电法(hdap)轰击ITO材料，在图5k的上下表面淀积ITO薄膜制备上下透明电极。至此，单行载流子纳米线阵列探测器的制备全部完成。
综上所述，本公开实施例提出一种单行载流子纳米线阵列探测器及其制备方法。通过在公共N接触层3上生长纳米线阵列，大大降低了结电容面积，拥有更大的RC延迟效应相关的3-dB带宽，制备得到的单行载流子纳米线阵列探测器在较短的吸收层厚度下，可以拥有非常高的光学吸收，从而解决了传统的薄膜型单行载流子探测器在高速探测、高功率以及大面积等方面在设计上的矛盾。在新型的自由空间光通信系统中，去除了光的耦合步骤以及对准步骤，光信号可以直接入射至大面积的探测器实现探测。
方法实施例部分未尽细节之处与装置实施例部分类似，请参见装置实施例部分，产品实施例同理也可参照方法实施例，此处不再赘述。
应该明白，公开的过程中的步骤的特定顺序或层次是示例性方法的实例。基于设计偏好，应该理解，过程中的步骤的特定顺序或层次可以在不脱离本公开的保护范围的情况下得到重新安排。所附的方法权利要求以示例性的顺序给出了各种步骤的要素，并且不是要限于的特定顺序或层次。
还需要说明的是，实施例中提到的方向术语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。可能导致本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。并且图中各部件的形状、尺寸、位置关系不反映真实大小、比例和实际位置关系。
在上述的详细描述中，各种特征一起组合在单个的实施方案中，以简化本公开。不应该将这种公开方法解释为反映了这样的意图，即，所要求保护的主题的实施方案需要比清楚地在每个权利要求中所陈述的特征更多的特征。相反，如所附的权利要求书所反映的那样，本公开处于比所公开的单个实施方案的全部特征少的状态。因此，所附的权利要求书特此清楚地被并入详细描述中，其中每项权利要求独自作为本公开单独的优选实施方案。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。就说明书或权利要求书中使用的术语“包含”，该词的涵盖方式类似于术语“包括”，就如同“包括，”在权利要求中用作衔接词所解释的那样。使用在权利要求书的说明书中的任何一个术语“或者”是要表示“非排它性的或者”。
以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种单行载流子探测器，其特征在于，包括：
公共N接触层(3)；
纳米线阵列，包括多个纳米线(0)，所述多个纳米线(0)非接触地并列排布在所述公共N接触层(3)上，所述纳米线阵列用于吸收光以产生载流子；
BCB薄膜(13)，填充在所述多个纳米线(0)之间；
其中，所述纳米线(0)为包含P型吸收层(9)的多层结构，所述P型吸收层(9)为InGaAsP。
2.根据权利要求1所述的单行载流子探测器，其特征在于，所述纳米线(0)的直径为250～500nm，所述纳米线(0)的高度不高于2μm，所述纳米线阵列中的纳米线间距为200～500nm。
3.根据权利要求1所述的单行载流子探测器，其特征在于，所述纳米线(0)包括：
依次叠加的N型亚收集区(5)，非掺杂收集区(6)，N型崖区(7)，非掺过渡层(8)，P型吸收层(9)，P型过渡层(10)和P型接触层(11)，其中，所述N型亚收集区(5)叠加在所述公共N接触层(3)上；
所述N型亚收集区(5)用于阻挡所述公共N接触层(3)中的掺杂物质扩散到所述非掺杂收集区(6)中；
所述非掺杂收集区(6)用于加速所述载流子的漂移；
所述N型崖区(7)用于调控所述非掺杂收集区(6)产生的电场；
所述非掺过渡层(8)和所述P型过渡层(10)用于能带过渡来减小导带差；
所述P型吸收层(9)用于吸收光来产生所述载流子；
所述P型接触层(11)用于阻挡电子反向扩散和收集光生空穴。
4.根据权利要求1所述的单行载流子探测器，其特征在于，所述单行载流子探测器还包括：
钝化层(12)，所述钝化层(12)用于降低所述纳米线(0)的侧壁暗电流。
5.根据权利要求1所述的单行载流子探测器，其特征在于，所述单行载流子探测器还包括：
P电极(14)和N电极(15)；
其中，所述P电极(14)和所述N电极(15)为透明电极；
所述P电极(14)和所述N电极(15)相对设置在所述单行载流子探测器的两端，分别与所述纳米线(0)和所述公共N接触层(3)相接触。
6.根据权利要求5所述的单行载流子探测器，其特征在于，所述透明电极包括ITO薄膜。
7.一种单行载流子探测器制备方法，其特征在于，包括：
在公共N接触层(3)上生长非接触地并列排布的至少两个纳米线(0)，得到纳米线阵列；
在所述纳米线(0)的表面生长钝化层(12)；
在钝化后的所述纳米线阵列上旋涂BCB薄膜(13)，刻蚀所述BCB薄膜(13)至露出所述纳米线阵列的顶部；
刻蚀所述纳米线阵列顶部的所述钝化层(12)；
分别在所述纳米线阵列顶部和所述公共N接触层(3)的底部生长P电极(14)和N电极(15)；
其中，所述纳米线(0)为包含P型吸收层(9)的多层结构，所述P型吸收层(9)为InGaAsP。
8.根据权利要求7所述的单行载流子探测器制备方法，其特征在于，所述单行载流子探测器制备方法还包括：
在衬底(1)上生长刻蚀停止层(2)，在所述刻蚀停止层(2)上生长所述公共N接触层(3)；
使用选择腐蚀溶液腐蚀所述衬底(1)和所述刻蚀停止层(2)，暴露出所述公共N接触层(3)的底部。
9.根据权利要求7所述的单行载流子探测器制备方法，其特征在于，所述在公共N接触层(3)上生长非接触地并列排布的至少两个纳米线(0)，得到纳米线阵列包括：
在所述公共N接触层(3)上生长掩膜层(4)；
刻蚀所述掩膜层(4)得到纳米孔图案，在所述纳米孔图案中生长所述纳米线(0)。
10.根据权利要求7所述的单行载流子探测器制备方法，其特征在于，所述在所述纳米线(0)的表面生长钝化层(12)包括：
采用原子层沉积法在所述纳米线(0)的表面生长30nm厚的二氧化硅薄膜，得到所述钝化层(12)；
所述刻蚀所述BCB薄膜(13)至露出所述纳米线阵列的顶部包括：
保留所述纳米线(0)侧壁上的所述钝化层(12)，使用SF6/O2作为刻蚀气体对所述BCB薄膜(13)进行ICP刻蚀；
所述刻蚀所述纳米线阵列顶部的所述钝化层(12)包括：
保留所述BCB薄膜(13)，使用C4F8/O2作为刻蚀气体对所述钝化层(12)进行ICP刻蚀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110754203.XA CN113471313B (zh) | 2021-07-01 | 2021-07-01 | 单行载流子探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110754203.XA CN113471313B (zh) | 2021-07-01 | 2021-07-01 | 单行载流子探测器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113471313A CN113471313A (zh) | 2021-10-01 |
| CN113471313B true CN113471313B (zh) | 2022-09-16 |
Family
ID=77877875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110754203.XA Active CN113471313B (zh) | 2021-07-01 | 2021-07-01 | 单行载流子探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113471313B (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101005803B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2011-01-05 | 한국표준과학연구원 | 양자점나노선 어레이 태양광 소자 및 그 제조 방법 |
| CN101667715B (zh) * | 2008-09-03 | 2010-10-27 | 中国科学院半导体研究所 | 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| CN102254969B (zh) * | 2011-08-17 | 2012-11-14 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法 |
| US11121271B2 (en) * | 2013-05-22 | 2021-09-14 | W&WSens, Devices, Inc. | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
| US10401543B1 (en) * | 2018-09-05 | 2019-09-03 | National Central University | Type-II hybrid absorber photodetector |
| CN111834489B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-04-19 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法 |
| CN112563351A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-26 | 中山大学 | 一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法 |
-
2021
- 2021-07-01 CN CN202110754203.XA patent/CN113471313B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113471313A (zh) | 2021-10-01 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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