CN112563351A - 一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法 - Google Patents
一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，包括以下步骤：S1：构建基于光吸收层、收集层、阻挡层单行载流子光电探测器；S2：分别构建光吸收层和收集层之间的异质结、阻挡层和光吸收层之间的异质结，给单行载流子光电探测器施加反向偏置电压；S3：根据反向偏置电压的分压结果，增加阻挡层的掺杂浓度提高单行载流子光电探测器饱和电流输出值。本发明通过对光电探测器阻挡层优化，改变阻挡层材料的掺杂浓度，提高了光电探测器饱和输出电流。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，更具体地，涉及一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法。
背景技术
光电探测器能够将入射光号转变成电信号，是光纤通信系统关键元件之一。未来通信技术朝着高速、大容量方向发展，对光电探测器性能的要求也不断提高，不仅需要探测器具有高速的响应，而且具有足够大的输出光功率。传统的PIN光探测器存在带宽与量子效率之间的相互制约的问题，并且在高光强注入情况下会产生较强的空间电荷效应从而限制饱和光电流的输出，因此难以满足未来通信系统对接收端光探测器的要求。雪崩光电二极管虽然有大的输出增益需要很大的工作电压，当入射光功率大时，增益引起的噪声大，电流失真大。光波导光电探测器，虽然可以解决带宽与量子效率之间的相互制约，但入射光会被前端波导层上的吸收层迅速吸收饱和，光电流的分布不均匀，影响整体的输出功率。
而单行载流子探测器(UTC-PD)只利用速度较快的电子作为有源载流子，避免了漂移速度较慢的空穴载流子带来的负面影响，从而抑制空间电荷效应，可以显著改善探测器的带宽和饱和电流，利于实现器件的大功率输出。因此，当微波光子链路采用UTC-PD作为光电转换器件时(图1)，则可以省去部分放大环节直接输出大功率的射频信号，为此可以大大节省成本和增加应用场景。
UTC-PD的器件包括上接触层、势垒层、过渡层、吸收层、崖层、收集层、下接触层等结构(图2所示)，通常采用金属有机气相沉积方法(MOCVD)进行一次性外延。UTC-PD各层的组分和掺杂对其性能都有着重要的影响，可以通过对单行载流子光电探测器各外延结构(包括吸收层、阻挡层、崖层和收集层等)的设计和优化，从而获得高性能的单行载流子探测器。目前大部分的设计都是针对吸收层、崖层、收集层等(J.W.Shi,J.-W.Shi,Extremelyhigh saturation current bandwidth product performance of a near ballisticuni-traveling carrier photodiodes with a flip-chip bonding structure,IEEE ofJournal of Quantum electronics,2010,46(1):80-86)，很少有针对器件阻挡层的设计和优化。
发明内容
本发明为克服上述现有技术中缺通过对光电探测器阻挡层优化，来提高饱和输出功率的缺陷，提供一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法。
本发明的首要目的是为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，包括以下步骤：
S1：构建基于光吸收层、收集层、阻挡层单行载流子光电探测器；
S2：分别构建光吸收层和收集层之间的异质结、阻挡层和光吸收层之间的异质结，给单行载流子光电探测器施加反向偏置电压；
S3：根据反向偏置电压的分压结果，增加阻挡层的掺杂浓度提高单行载流子光电探测器饱和电流输出值。
进一步地，所述光吸收层为P型重掺杂的InGaAs光吸收层。
进一步地，所述收集层为N型轻掺杂的宽带隙的InP收集层。
进一步地，所述阻挡层为宽带隙的P型InGaAsP重掺杂的阻挡层。
进一步地，所述光吸收层和收集层在空间上是分离结构，所述光吸收层和收集层存在浓度差,电子/空穴会同时向收集层两端扩散，载流子电子受到靠近阳极的P型InGaAsP的阻挡层的阻挡,只向收集层扩散,则形成了单行载流子。
进一步地，通过提高阻挡层的掺杂浓度能够提高单行载流子光电探测器的饱和输出电流。
进一步地，所述阻挡层为禁带宽度是Eg＝1.35eV的InP。
进一步地，所述阻挡层为禁带宽度是Eg＝1.1eV的In0.82Ga0.18As0.4P0.6。
进一步地，InP的掺杂浓度为1.2x1018cm-3—3x1018cm-3。
进一步地，所述反向偏偏置电压范围为0-10V。
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：
本发明通过对光电探测器阻挡层优化，改变阻挡层材料的掺杂浓度，提高了光电探测器饱和输出电流。
附图说明
图1为基于UTC-PD的微波光子链路示意图。
图2为本发明大功率单载流子光电探测器的外延结构示意图。
图3为本发明方法流程图。
图4为阻挡层分别为InP和In0.82Ga0.18As0.4P0.6时阻挡层和崖层的电场强度示意图。
图5为阻挡层为InP，掺杂浓度从1.2x1018cm-3到3x1018cm-3阻挡层和崖层的电场强度示意图。
图6为阻挡层为In0.82Ga0.18As0.4P0.6掺杂浓度为1.2x1018cm-3时光电探测器的3db带宽示意图。
图7为阻挡层采用不同的材料和掺杂浓度时，输出光电流随入射光功率的变化关系图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例1
如图3所示，一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，包括以下步骤：
S1：构建基于光吸收层、收集层、阻挡层单行载流子光电探测器；
S2：分别构建光吸收层和收集层之间的异质结、阻挡层和光吸收层之间的异质结，给单行载流子光电探测器施加反向偏置电压；
S3：根据反向偏置电压的分压结果，增加阻挡层的掺杂浓度提高单行载流子光电探测器饱和电流输出值。
在一个具体的实施例中，当给单行载流子光电探测器施加反向偏置电压时，所加反向偏置电压大部分都分压在了异质结上。
需要说明的是，光电探测器在进入饱和状态之前，输出电流会随着入射光功率的增加而线性增加，但当入射光功率过高，输出电流会趋近于饱和，饱和的主要原因是随着光功率的增加，光电探测器中的载流子会在吸收层堆积进而引发空间电荷屏蔽效应，即产生了与光电探测器自建电场和反向偏置电压相反的电场，慢慢削弱自建电场，直至自建电场崩塌，载流子的漂移速度减小，进一步恶化光电探测器的高饱和输出特性。可以采用以下方法用来改善光电探测器的性能，包括：采用高斯掺杂的光吸收层、在收集层中进行补偿掺杂以及引入重掺杂的崖层。崖层的存在使得光吸收层和收集层形成的异质结界面处的电场强度增加，这有利于电子通过异质结处的势垒，减少电子在该处的积累，进而降低电子在光吸收层的积累，使光电探测器的饱和电流增加。同时，崖层使电场向光吸收层延伸，使电子的运动方式由扩散运动转变为漂移运动和扩散运动结合，这会使得电子的渡越时间减少在光吸收层的积累程度的降低，使光电探测器的带宽和饱和电流增加。
在步骤S3中通过外加反向偏置电压可以补偿空间电荷效应引起的电场崩塌，但是大注入情况下，外加的反向偏置电压大部分都施加在异质结处的高电场，所以通过降低阻挡层和光吸收层异质结处的高电场，使外加偏压更多的施加在崖层处，有利于缓解空间电荷效应，增加饱和输出电流。
反向偏置电压取值范围0-10V,在一个具体的实施例中，可以给光电探测器施加3V的反向偏置电压，那么阻挡层的电场越大，崖层的电场就越小，不利于电子快速通过光吸收层，限制了饱和电流，所以通过减小阻挡层的电场强度，来增强崖层的电场强度，可以增大饱和电流。
在一个具体的实施例中，所述光吸收层为P型重掺杂的InGaAs光吸收层，所述收集层为N型轻掺杂的宽带隙的InP收集层，所述阻挡层为宽带隙的P型InGaAsP重掺杂的阻挡层，其中，所述光吸收层和收集层在空间上是分离结构，所述光吸收层和收集层存在浓度差,电子/空穴会同时向收集层两端扩散，载流子电子受到靠近阳极的P型InGaAsP的阻挡层的阻挡,只向收集层扩散,则形成了单行载流子。通过宽带隙的P型InGaAsP重掺杂的阻挡层和InGaAsP和P型重掺杂的InGaAs光吸收层之间的异质结界面的导电不连续性起到阻挡作用。
需要说明的是，所述轻掺杂浓度范围一般为：1015-1016cm-3，所述重掺杂浓度范围一般为：1017-1019cm-3。
进一步地，通过提高阻挡层的掺杂浓度能够提高单行载流子光电探测器的饱和输出电流。
需要说明的是，提高阻挡层的掺杂浓度能够提高单行载流子光电探测器的饱和输出电流，是因为当阻挡层为宽带隙材料时，宽带隙材料形成的异质结为突变同型异质结，宽带隙材料的势垒宽度会随着势垒宽带隙材料的掺杂浓度的增大而减小。
d2是宽带隙材料的势垒宽度，ND2是宽带隙材料的掺杂浓度。
在一个具体的实施例中，所述阻挡层可以为禁带宽度是Eg＝1.35eV的InP或禁带宽度是Eg＝1.1eV的In0.82Ga0.18As0.4P0.6均可以提高饱和输出电流。
需要说明的是，将禁带宽度更大的InP替换成禁带宽度更小的In0.82Ga0.18As0.4P0.6的原因为：带隙宽的材料禁带宽度大，电阻率大，所以电阻大，分到的反偏电压更大，不利于崖层获得更大的电压。从费米能级的角度来说，异质结中电子会从费米能级高的地方流向费米能级低的地方，所以禁带宽的材料会耗尽，禁带窄的材料会积累电子，两个材料费米能级差越大，耗尽区就越大，同理电阻越大，分到的反偏电压更大，也不利于崖层获得更大的电压。
在一个具体的实施例中，所述InP的掺杂浓度范围为1.2x1018cm-3—3x1018cm-3，其中在掺杂浓度为1.2x1018cm-3，InP作为阻挡层的情况下，光电探测器的饱和输出电流为180mA，如果把掺杂浓度提升到2x1018cm-3，饱和输出电流可增加到209mA，当掺杂浓度提升到3x1018cm-3，饱和输出电流可增加到229mA。当阻挡层替换为In0.82Ga0.18As0.4P0.6时，光电探测器的饱和输出电流增加到279mA。
下面结合具体实验数据进行分析
如图2本发明大功率单载流子光电探测器的外延结构示意图，阻挡层采用的In0.82Ga0.18As0.4P0.6，掺杂浓度为1.2x1018cm-3。光吸收层采用高斯掺杂，峰值浓度Nmax为1.2x1018cm-3，峰值浓度位置Xd位于吸收层顶端，特征长度L为0.24。吸收层厚度为1.1μm，外加的偏置电压为-3V，引入组分带隙渐变来平滑InGaAs和InP之间的能带间隙，引入崖层来增大异质结处的电场缓和空间电荷效应。
图4为光照分别为5x104W/cm-2和7x104W/cm-2时InP和In0.82Ga0.18As0.4P0.6分别作为阻挡层材料时，电场强度对比图，可以看出In0.82Ga0.18As0.4P0.6作为阻挡层时，阻挡层的势垒宽度较窄，电场强度较小，有更多的电压可以加在崖层上，从而促进了电子被收集，增大了饱和电流。当光输入为7x104W/cm-2时这种结果更加明显，可以看出此时当InP作为阻挡层，崖层的电场已经瓦解，表现出饱和效应，但In0.82Ga0.18As0.4P0.6结构的崖层仍有电场，可以得出结论，用In0.82Ga0.18As0.4P0.6分别作为阻挡层材料可以明显改善器件电流饱和特性。
图5为InP阻挡层的浓度分别为1.2x1018cm-3、2x1018cm-3、3x1018cm-3时阻挡层和崖层的电场强度，可以看出，随着掺杂浓度的增加，阻挡层分到的电压减小，崖层的电场强度提高。而崖层电场的提高，有利于缓解空间电荷效应从而获得更大的饱和输出电流。
图6为图3结构的光电探测器的3db响应带宽，可以看出在-3db时，器件的响应带宽接近24GHz，满足设计时大于10GHz的要求。
图7为阻挡层采用不同的材料和掺杂浓度时，输出光电流随入射光功率的变化关系，可以得出增加掺杂浓度和In0.82Ga0.18As0.4P0.6用替代InP作为阻挡层都可以增加器件的饱和输出电流，这与前面电场强度分析的结果相符合，其中当阻挡层材料为In0.82Ga0.18As0.4P0.6，掺杂浓度为1.2x1018cm-3时饱和输出电流最大，可以达到279mA。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：构建基于光吸收层、收集层、阻挡层单行载流子光电探测器；
S2：分别构建光吸收层和收集层之间的异质结、阻挡层和光吸收层之间的异质结，给单行载流子光电探测器施加反向偏置电压；
S3：根据反向偏置电压的分压结果，增加阻挡层的掺杂浓度提高单行载流子光电探测器饱和电流输出值。
2.根据权利要求1所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，所述光吸收层为P型重掺杂的InGaAs光吸收层。
3.根据权利要求1所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，所述收集层为N型轻掺杂的宽带隙的InP收集层。
4.根据权利要求1所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，所述阻挡层为宽带隙的P型InGaAsP重掺杂的阻挡层。
5.根据权利要求4所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，所述光吸收层和收集层在空间上是分离结构，所述光吸收层和收集层存在浓度差,电子/空穴会同时向收集层两端扩散，载流子电子受到靠近阳极的P型InGaAsP的阻挡层的阻挡,只向收集层扩散,则形成了单行载流子。
6.根据权利要求1所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，通过提高阻挡层掺杂浓度能够提高单行载流子光电探测器的饱和输出电流。
7.根据权利要求1所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，所述阻挡层为禁带宽度是Eg＝1.35eV的InP。
8.根据权利要求1所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，所述阻挡层为禁带宽度是Eg＝1.1eV的In0.82Ga0.18As0.4P0.6。
9.根据权利要求7所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，InP的掺杂浓度为1.2x1018cm-3—3x1018cm-3。
10.根据权利要求1所述的一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，其特征在于，所述反向偏置电压范围为0-10V。
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| CN (1) | CN112563351A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113471313A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-10-01 | 中国科学院半导体研究所 | 单行载流子探测器及其制备方法 |
| CN114400273A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-04-26 | 中山大学 | 一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法 |
| CN117913161A (zh) * | 2024-03-20 | 2024-04-19 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 多崖层调控高速单行载流子光电探测器 |
| CN117913161B (zh) * | 2024-03-20 | 2024-05-31 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 多崖层调控高速单行载流子光电探测器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141547A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出器 |
| CN102332456A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-01-25 | 清华大学 | 光探测器集成器件及制备方法 |
| CN105140330A (zh) * | 2015-09-23 | 2015-12-09 | 北京邮电大学 | 一种低功耗、零偏压单行载流子光电探测器 |
| CN106409940A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-02-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 单行载流子光电二极管的收集区结构 |
| CN108091720A (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 单行载流子光电探测器及其制备方法 |
-
2020
- 2020-12-02 CN CN202011391007.2A patent/CN112563351A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141547A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出器 |
| CN102332456A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-01-25 | 清华大学 | 光探测器集成器件及制备方法 |
| CN105140330A (zh) * | 2015-09-23 | 2015-12-09 | 北京邮电大学 | 一种低功耗、零偏压单行载流子光电探测器 |
| CN108091720A (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 单行载流子光电探测器及其制备方法 |
| CN106409940A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-02-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 单行载流子光电二极管的收集区结构 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113471313A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-10-01 | 中国科学院半导体研究所 | 单行载流子探测器及其制备方法 |
| CN114400273A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-04-26 | 中山大学 | 一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法 |
| CN114400273B (zh) * | 2022-01-17 | 2023-10-31 | 中山大学 | 一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法 |
| CN117913161A (zh) * | 2024-03-20 | 2024-04-19 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 多崖层调控高速单行载流子光电探测器 |
| CN117913161B (zh) * | 2024-03-20 | 2024-05-31 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 多崖层调控高速单行载流子光电探测器 |
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