CN113471241A - 一种微型发光二极管显示面板及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种微型发光二极管显示面板，其包括：多个微型发光二极管，为垂直型发光二极管结构且其下表面通过焊料焊接于底部电极层上；遮光部，紧密贴合地围绕于每个微型发光二极管周围且露出所述多个微型发光二极管的上表面；像素界定层，形成在平坦层之上且分别围绕所述多个微型发光二极管；顶部电极层，设置于多个微型发光二极管和平坦层的上表面、开口的侧面和底面以及遮光部的表面，以使得多个微型发光二极管通过顶部电极层电连接至第二线路图案。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管显示制造领域，具体涉及一种微型发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
微型发光二极管（微型LED）显示面板是现在显示领域研究的热点。其往往是将不同颜色的微型发光二极管倒装于驱动基板上，其中微型发光二极管的电极电连接至驱动基板内的驱动电路，以此实现单独控制驱动。而该结构的难点在于巨量转移和焊接微型发光二极管时，不易对准以此会产生焊接的可靠性不高的问题。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种微型发光二极管显示面板，其包括：
驱动基板，所述驱动基板上包括同层设置的第一线路图案和第二线路图案；
平坦层，覆盖所述第一线路图案和第二线路图案，且包括在其内部与所述第一线路图案电连接的多个导电孔以及露出所述第二线路图案的开口；
底部电极层，形成于所述平坦层上且与所述多个导电孔电连接；
多个微型发光二极管，为垂直型发光二极管结构且其下表面通过焊料焊接于所述底部电极层上；
遮光部，紧密贴合地围绕于每个微型发光二极管周围且露出所述多个微型发光二极管的上表面；
像素界定层，形成在平坦层之上且分别围绕所述多个微型发光二极管；
顶部电极层，设置于所述多个微型发光二极管和平坦层的上表面、开口的侧面和底面以及遮光部的表面，以使得所述多个微型发光二极管通过顶部电极层电连接至所述第二线路图案。
进一步的，俯视观察时，每个微型发光二极管在驱动基板上的投影完全位于所述底部电极层在驱动基板上的投影之内。
进一步的，所述遮光部由树脂材料混合黑色油墨形成，且所述遮光部完全覆盖所述底部电极层。
进一步的，所述像素界定层上包括部分所述顶部电极层，所述像素界定层的顶面高于所述多个微型发光二极管的上表面。
进一步的，俯视观察时，所述顶部电极层覆盖所述驱动基板的整个上表面；所述顶部电极层通过所述像素界定层形成分别电连接所述多个微型发光二极管的多个导电部分。
根据上述显示面板，本发明还提供了一种微型发光二极管显示面板的制作方法，其包括：
（1）提供驱动基板，在所述驱动基板上沉积一金属层并进行图案化，以形成第一线路图案和第二线路图案；
（2）在所述第一线路图案和第二线路图案上沉积平坦层，并在所述平坦层中形成与所述第一线路图案电连接的多个导电孔；
（3）在所述平坦层上形成底部电极层，所述底部电极层电连接所述多个导电孔；
（4）通过焊料层在所述底部电极层上焊接多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管为垂直型发光二极管结构；
（5）围绕在每个微型发光二极管周围形成遮光部，所述遮光部紧密贴合每个微型发光二极管且露出所述多个微型发光二极管的上表面；
（6）在平坦层中刻蚀形成多个开口，所述开口露出所述第二线路图案；
（7）在所述平坦层上形成像素界定层，所述像素界定层分别围绕所述多个微型发光二极管；
（8）沉积一顶部电极层，所述底部电极层设置于所述多个微型发光二极管和平坦层的上表面、开口的侧面和底面以及遮光部的表面，以使得所述多个微型发光二极管通过顶部电极层电连接至所述第二线路图案。
进一步的，俯视观察时，每个微型发光二极管在驱动基板上的投影完全位于所述底部电极层在驱动基板上的投影之内。
进一步的，所述遮光部由树脂材料混合黑色油墨形成，且所述遮光部通过点涂的工艺完全覆盖所述底部电极层。
进一步的，在步骤（8）中，通过正面沉积的方式形成所述顶部电极层，所述顶部电极层还包括位于所述像素界定层之上的部分所述像素界定层的顶面高于所述多个微型发光二极管的上表面。
进一步的，俯视观察时，所述顶部电极层覆盖所述驱动基板的整个上表面；所述顶部电极层通过所述像素界定层形成分别电连接所述多个微型发光二极管的多个导电部分。
本发明利用可以实现较大面积的底部电极层，便于焊接微型发光二极管，且遮光部的形成有利于光的准直性。此外，整面沉积顶部电极层可以极大的精简工艺步骤，且保证顶部电极层电连接的可靠性。
附图说明
图1为本发明的微型发光二极管显示面板的剖面图；
图2-6为本发明微型发光二极管显示面板的制造方法的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明的微型发光二极管显示面板旨在提供一种制造方法简单、且稳定性好的微型LED封装结构。参见图1，本发明的微型发光二极管显示面板首先包括驱动基板，驱动基板包括衬底11、栅介电层12和层间绝缘层13以及设置在衬底11、栅介电层12和层间绝缘层13中的驱动TFT元件14。
衬底11用于阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过衬底扩散，并且在衬底的上表面上提供平坦的表面。衬底11的材质可以是硅、氮化硅等无机材料，也可以是玻璃、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。在本发明中，衬底11可以是透明的或半透明的，也可以是不透明的。
所述缓冲层13可以覆盖柔性衬底10的整个上表面。例如，缓冲层13可以由从诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SioxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)等无机材料中选择的材料。当然，在本发明其他可选实施例中，缓冲层可以由诸如亚克力、聚酰亚胺(PI)或聚酯等有机材料中选择的材料形成。缓冲层13可以包括单层或多个层。缓冲层13可以阻挡衬底基板中的杂质向其他膜层扩散。
栅介电层11包括诸如氧化硅、氮化硅的无机层，并且可以包括单层或多个层，其上下隔开TFT元件的栅极和有源层。
层间绝缘层13可以由氧化硅或氮化硅等的无机层绝缘形成。当然，在本发明其他可选实施例中，层间绝缘层可以由有机绝缘材料形成。
位于层间绝缘层17的源/漏线18通过接触孔电连接(或结合)到源区和漏区，接触孔是通过选择性地去除栅绝缘层15和层间绝缘层17而形成的。
在层间绝缘层17上设置有线路图案，线路图案至少包括第一线路图案15和第二线路图案16。其中，第一线路图案15和第二线路图案16在相同的沉积步骤与刻蚀步骤形成，其材质可以是铜或铝。
在栅介电层11和层间绝缘层17中具有导电通孔，第一线路图案15通过该导电通孔电连接所述TFT元件14的源/漏极，该第一线路图案15与第二线路图案16同层设置。
在所述层间绝缘层13上覆盖有平坦层17，该平坦层17的厚度较大且可以通过CMP工艺实现平坦化。平坦层17覆盖所述第一线路图案15和第二线路图案16，并且，该平坦层17包括亚克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机材料，平坦层17具有平坦化作用。
平坦层17中具有导电通孔18，导电通孔18通过蚀刻形成孔结构并填充金属材料形成。导电通孔18贯穿所述平坦层17，且直接接触并电连接所述第一线路图案15。
在平坦层17上具有底部电极层19，底部电极层19具有相比于现有技术较宽的宽度。底部电极层19可以是金属层，例如可以是具有反光功能的Al、Cu或Pt材料。该底部电极层19可以作为反射层反射微型发光二极管所发射的光，以实现顶发射出光。
底部电极层19上通过焊料层20接合有多个微型发光二极管21，该多个微型发光二极管21为垂直型发光二极管，其正负电极分别位于相对的两个表面上。例如负电极接合于底部电极层19上，而正电极朝上设置。该些微型发光二极管可以是GaN基LED芯片，其至少包括三种不同颜色的LED芯片，例如可以包括多个红光LED、多个绿光LED和多个蓝光LED。
为了保证色彩单一性，在每个微型发光二极管21的周围点涂有树脂材料形成的遮光部22，所述遮光部22的树脂材料混合黑色油墨以实现黑色环绕结构。遮光部22紧贴微型发光二极管21的周围，且其可以覆盖微型发光二极管21的顶部的一部分，但至少应该露出微型发光二极管21的顶电极的一部分。特别的，底部电极层19的边缘全部被遮光部22覆盖，这样顶部电极层25可以保证与底部电极层19的电隔离。
遮光部22的侧壁呈弧面结构，以使得顶部电极层25可以较好的形成于遮光部22上，并实现电连接的可靠性。
此外，在平坦层17上还具有隔断多个微型发光二极管21的像素界定层24，像素界定层24呈网络状结构，以使得每个微型发光二极管21被隔开，这样可以保证子像素的准直性。像素界定层24的截面为长方形，其顶面高于微型发光二极管21的顶面。
在多个微型发光二极管21之间的平坦层17中具有多个开口23，多个开口23的底部露出第二线路图案16。多个开口23的口径大于所述导电通孔18的孔径，这样便于后续形成底部电极层25。
顶部电极层25覆盖平坦层17的整个表面，具体的，覆盖多个微型发光二极管21和平坦层17的上表面、开口23的侧面和底面以及遮光部22的表面。顶部电极层25通过开孔23电连接至第二线路图案16，且像素界定层24上包括部分所述顶部电极层25。像素界定层24隔断所述顶部电极层25以实现分立的多个顶部电极图案。
下面参照图2-6介绍本发明的微型发光二极管显示面板的制造方法，其具体包括：
（1）提供驱动基板，在所述驱动基板上沉积一金属层并进行图案化，以形成第一线路图案和第二线路图案；
（2）在所述第一线路图案和第二线路图案上沉积平坦层，并在所述平坦层中形成与所述第一线路图案电连接的多个导电孔；
（3）在所述平坦层上形成底部电极层，所述底部电极层电连接所述多个导电孔；
（4）通过焊料层在所述底部电极层上焊接多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管为垂直型发光二极管结构；
（5）围绕在每个微型发光二极管周围形成遮光部，所述遮光部紧密贴合每个微型发光二极管且露出所述多个微型发光二极管的上表面；
（6）在平坦层中刻蚀形成多个开口，所述开口露出所述第二线路图案；
（7）在所述平坦层上形成像素界定层，所述像素界定层分别围绕所述多个微型发光二极管；
（8）沉积一顶部电极层，所述底部电极层设置于所述多个微型发光二极管和平坦层的上表面、开口的侧面和底面以及遮光部的表面，以使得所述多个微型发光二极管通过顶部电极层电连接至所述第二线路图案。
首先参见图2，提供驱动基板，参见前述内容，驱动基板至少包括衬底11、依次堆叠于衬底之上的栅介电层12和层间绝缘层13。并且在驱动基板中具有多个TFT元件14，多个TFT元件14通过过孔引出至层间绝缘13上的第一线路图案15。在第一线路图案15的同一层中还具有第二线路图案16，第一线路图案15和第二线路图案16通过沉积的方法并经由图案化一并形成。
接着，参见图3，在层间绝缘层13上通过沉积、共溅射等方法形成平坦层17，平坦层17可以整面的形成在层间绝缘层13上，达到一定的厚度之后进行CMP平坦化工艺以得到平坦的结构。
进一步的，在平坦层17中蚀刻出通孔并填充导电材料以形成导电通孔18，该导电通孔18分别与第一线路图案15，以实现多个TFT元件14对后续微型发光二极管21进行驱动控制。然后，在平坦层17中形成图案化的导体层，即底部电极层19，该底部电极层19电连接所述导电通孔18。
参见图4，将多个微型发光二极管21通过焊料层22接合至所述底部电极层19上，该焊料层22可以是锡膏、金锡膏。多个微型发光二极管21的顶电极朝上露出。俯视观察时，每个微型发光二极管21在驱动基板上的投影完全位于所述底部电极层19在驱动基板上的投影之内，
通过点涂工艺或者喷涂工艺在每个微型发光二极管21周围形成遮光层22，遮光层22经由固化完全覆盖所述微型发光二极管21的侧面以及底部电极层21的侧部边缘。特别的，该遮光部22的边缘距离所述底部电极层21的边缘的距离设置为500微米以内，以保证较大面积的底部电极层21。
在所述平坦层17中形成多个暴露第二线路图案16的开口23，该些开口23的具有比所述导电通孔18大的口径。开口23的截面呈倒梯形，以保证后续顶部电极层的电连接可靠性。
进一步的，在平坦层17上形成图案化的像素界定层24，像素界定层24在俯视观察中，呈网格状，以隔开多个微型发光二极管21，具体参见图5。
最后，参见图6，通过沉积方式在驱动基板上直接形成顶部电极层25，该顶部电极层25因为较高的像素界定层24的存在而被分成为分别电连接每个微型发光二极管21的多个部分，每个部分均电连接一个微型发光二极管21，并且延伸至所述开口23中，以实现与第二线路图案16的电连接。以此实现自对准的顶部电极层结构。
本发明利用可以实现较大面积的底部电极层，便于焊接微型发光二极管，且遮光部的形成有利于光的准直性。此外，整面沉积顶部电极层可以极大的精简工艺步骤，且保证顶部电极层电连接的可靠性。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种微型发光二极管显示面板，其包括：
驱动基板，所述驱动基板上包括同层设置的第一线路图案和第二线路图案；
平坦层，覆盖所述第一线路图案和第二线路图案，且包括在其内部与所述第一线路图案电连接的多个导电孔以及露出所述第二线路图案的开口；
底部电极层，形成于所述平坦层上且与所述多个导电孔电连接；
多个微型发光二极管，为垂直型发光二极管结构且其下表面通过焊料焊接于所述底部电极层上；
遮光部，紧密贴合地围绕于每个微型发光二极管周围且露出所述多个微型发光二极管的上表面；
像素界定层，形成在平坦层之上且分别围绕所述多个微型发光二极管；
顶部电极层，设置于所述多个微型发光二极管和平坦层的上表面、开口的侧面和底面以及遮光部的表面，以使得所述多个微型发光二极管通过顶部电极层电连接至所述第二线路图案。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于：俯视观察时，每个微型发光二极管在驱动基板上的投影完全位于所述底部电极层在驱动基板上的投影之内。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于：所述遮光部由树脂材料混合黑色油墨形成，且所述遮光部完全覆盖所述底部电极层。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于：所述像素界定层上包括部分所述顶部电极层，所述像素界定层的顶面高于所述多个微型发光二极管的上表面。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于：俯视观察时，所述顶部电极层覆盖所述驱动基板的整个上表面；所述顶部电极层通过所述像素界定层形成分别电连接所述多个微型发光二极管的多个导电部分。
6.一种微型发光二极管显示面板的制作方法，其包括：
（1）提供驱动基板，在所述驱动基板上沉积一金属层并进行图案化，以形成第一线路图案和第二线路图案；
（2）在所述第一线路图案和第二线路图案上沉积平坦层，并在所述平坦层中形成与所述第一线路图案电连接的多个导电孔；
（3）在所述平坦层上形成底部电极层，所述底部电极层电连接所述多个导电孔；
（4）通过焊料层在所述底部电极层上焊接多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管为垂直型发光二极管结构；
（5）围绕在每个微型发光二极管周围形成遮光部，所述遮光部紧密贴合每个微型发光二极管且露出所述多个微型发光二极管的上表面；
（6）在平坦层中刻蚀形成多个开口，所述开口露出所述第二线路图案；
（7）在所述平坦层上形成像素界定层，所述像素界定层分别围绕所述多个微型发光二极管；
（8）沉积一顶部电极层，所述底部电极层设置于所述多个微型发光二极管和平坦层的上表面、开口的侧面和底面以及遮光部的表面，以使得所述多个微型发光二极管通过顶部电极层电连接至所述第二线路图案。
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：俯视观察时，每个微型发光二极管在驱动基板上的投影完全位于所述底部电极层在驱动基板上的投影之内。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：所述遮光部由树脂材料混合黑色油墨形成，且所述遮光部通过点涂的工艺完全覆盖所述底部电极层。
9.根据权利要求6所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：在步骤（8）中，通过正面沉积的方式形成所述顶部电极层，所述顶部电极层还包括位于所述像素界定层之上的部分所述像素界定层的顶面高于所述多个微型发光二极管的上表面。
10.根据权利要求9所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：俯视观察时，所述顶部电极层覆盖所述驱动基板的整个上表面；所述顶部电极层通过所述像素界定层形成分别电连接所述多个微型发光二极管的多个导电部分。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111025747.9A CN113471241B (zh) | 2021-09-02 | 2021-09-02 | 一种微型发光二极管显示面板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202111025747.9A CN113471241B (zh) | 2021-09-02 | 2021-09-02 | 一种微型发光二极管显示面板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113471241A true CN113471241A (zh) | 2021-10-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111025747.9A Active CN113471241B (zh) | 2021-09-02 | 2021-09-02 | 一种微型发光二极管显示面板及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113471241B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115084337A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-09-20 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微型发光二极管芯片的巨量转移方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107331741A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-07 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板 |
| CN107819063A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-03-20 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 |
| CN107993583A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-05-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制作方法 |
-
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- 2021-09-02 CN CN202111025747.9A patent/CN113471241B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107331741A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-07 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板 |
| CN107819063A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-03-20 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 |
| CN107993583A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-05-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115084337A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-09-20 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微型发光二极管芯片的巨量转移方法 |
| CN115084337B (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-04 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微型发光二极管芯片的巨量转移方法 |
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| CN113471241B (zh) | 2021-11-09 |
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