CN107819063A - 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 - Google Patents
一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107819063A CN107819063A CN201711191031.XA CN201711191031A CN107819063A CN 107819063 A CN107819063 A CN 107819063A CN 201711191031 A CN201711191031 A CN 201711191031A CN 107819063 A CN107819063 A CN 107819063A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- straight
- down negative
- led
- microspur
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002156 mixing Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 claims description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N bis(4-fluorophenyl)-methyl-(1,2,4-triazol-1-ylmethyl)silane;methyl n-(1h-benzimidazol-2-yl)carbamate Chemical compound C1=CC=C2NC(NC(=O)OC)=NC2=C1.C=1C=C(F)C=CC=1[Si](C=1C=CC(F)=CC=1)(C)CN1C=NC=N1 VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- -1 FPC Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- ZJOLCKGSXLIVAA-UHFFFAOYSA-N ethene;octadecanamide Chemical compound C=C.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O ZJOLCKGSXLIVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种直下式微距LED封装结构以及直下式微距LED混光装置，本发明属于背光源技术领域。本发明的直下式微距LED封装结构包括PCB载板以及固设于所述PCB载板上的若干LED芯片，所述PCB载板上还固设有混光层，所述混光层包覆于若干所述LED芯片设置，且所述混光层内填充有荧光体，所述混光层上端还固设有若干与若干所述LED芯片一一对应的若干反射层，所述反射层正对于相应的所述LED芯片设置。本发明的直下式微距LED混光结构包括上述的直下式微距LED封装结构、下扩散膜、增光膜、上扩散膜以及反射框架。本发明的直下式微距LED封装结构能够显著减小混光距离，减小该封装结构的厚度。本发明的直下式微距LED混光装置厚度更小、出光更加均匀。
Description
技术领域
本发明属于背光源技术领域，尤其是涉及一种直下式微距LED封装结构以及直下式微距LED混光装置。
背景技术
随着技术的不断进步，液晶显示器的背光技术不断得到发展，传统的液晶显示器的背光源采用冷阴极荧光灯(CCFL)，但是由于CCFL背光源存在色彩还原能力较差、发光效率低、放电电压高、低温下放电特性差、加热达到稳定灰度时间长等缺点，当前已经开发处使用LED背光源的背光源技术。
LED背光源主要分为侧光式和直下式两种类型，其中而传统的直下式背光源一般采用多颗直下式LED灯珠搭配独立透镜进行二次配光实现混光，混光距离大，导致整个显示模组厚度大，难以满足市场上的需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种可以有效减小模组厚度的直下式微距LED封装结构。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种可以有效减小厚度的直下式微距LED混光装置。
本发明解决上述技术问题所采用的解决方案是：提供一种直下式微距LED封装结构，包括PCB载板以及固设于所述PCB载板上的若干LED芯片，其特征在于：还包括混光层，所述混光层固设于所述PCB载板上，并包覆若干所述LED芯片设置，所述混光层内填充有荧光体，所述荧光体用于改变所述LED芯片发出光束的波长并对所述LED芯片发出的光束进形混光；若干反射层，若干所述反射层设于所述混光层上端，若干所述反射层分别与若干所述LED芯片一一对应设置，且每个所述反射层设置于相应的所述LED芯片的正上方。
作为上述技术方案的进一步改进，所述荧光体包括透明载体以及设置于所述透明载体内的荧光粉颗粒与扩散粉颗粒，所述LED芯片发出的光线通过所述透明载体射入到所述荧光粉颗粒上，通过所述荧光粉颗粒辐射处白光，所述LED芯片发出的光线射入所述透明载体内，并在所述荧光粉颗粒、扩散粉颗粒表面发生散射，进而实现对所述LED芯片发出的光线的混光。
作为上述技术方案的进一步改进，所述LED芯片为蓝光芯片。
作为上述技术方案的进一步改进，若干所述LED芯片呈阵列排布于所述PCB载板上，对应的，若干所述反射层呈阵列排布于所述混光层上端。
作为上述技术方案的进一步改进，所述反射层的材质为TiO2。
作为上述技术方案的进一步改进，还包括透明层，所述透明层固设于所述混光层上端，若干所述反射层固设于所述透明层上。
作为上述技术方案的进一步改进，所述透明层表面设置有纳米压印图形。
本发明还提供一种直下式微距LED混光装置，包括如上所述的直下式微距LED封装结构，还包括由下至上依次设置的下扩散膜、增光膜以及上扩散膜，所述下扩散膜设置于所述直下式微距LED封装结构上端，所述下扩散膜可对所述直下式微距LED封装结构发出的光束进行进一步混光，所述增光膜内设有棱镜结构，可缩小通过所述增光膜内的光束的出光角度，所述上扩散膜将通过的光束再次进行混光，还包括反射框架，所述反射框架与所述PCB载板相配合，进而在所述反射框架与所述PCB载板之间形成一容置空间，若干所述LED芯片、混光层、反射层、下扩散膜、增光膜以及上扩散膜均设置于该容置空间内。
作为上述技术方案的进一步改进，所述PCB载板与所述混光层之间还设置有反射膜。
作为上述技术方案的进一步改进，所述反射框架内、所述上扩散膜的上端还设置有遮光膜。
本发明的有益效果是：
本发明的直下式微距LED封装结构，采用填充有荧光体的混光层对LED芯片发出的光束进行混光，并在混光层上端还设置反射层，反射层将LED芯片上端集中的大部分光束反射至混光层中，增加了混光效率，使用由下至上的LED芯片、混光层、反射层的结构有效的减小了该直下式微距LED封装结构的混光距离，从而显著的减小了该封装结构的厚度。
本发明的直下式微距LED混光装置，其包括上述的直下式微距LED封装结构，能够显著减小其厚度，此外，还包括由下至上依次设置的下扩散膜、增光膜、上扩散膜，进一步的对光束进行多次混光处理，并对光束的出光角度进行处理，使其出光角度更小，整体上，表现为该直下式微距LED混光装置的出光更加的均匀。
附图说明
图1是本发明第一个实施例的直下式微距LED封装结构的内部结构示意图；
图2是本发明第二个实施例的直下式微距LED封装结构的内部结构示意图；
图3是本发明第三个实施例的直下式微距LED封装结构的内部结构示意图；
图4是LED芯片排布结构示意图(PCB载板横向放置)；
图5是反射层以及纳米压印图案的排布结构示意图(PCB载板竖直放置)；
图6是纳米压印图案的结构示意图；
图7是本发明的直下式微距LED混光装置的内部结构示意图；
图8是图7中A处的局部放大结构示意图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本发明中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
参照图1，本发明提供了一种直下式微距LED封装结构，包括PCB载板1、若干LED芯片2、混光层3以及若干反射层4。
若干LED芯片2呈阵列排布于PCB载板1上，混光层3也固设于PCB载板1上，且混光层3包覆于若干LED芯片2设置，在混光层3内填充有荧光体5，荧光体5具有改变LED芯片2发出的光束的波长、对LED芯片2发出的光束进形混光的作用，若干反射层4与若干LED芯片2一一对应，若干反射层4设置于混光层3的上端，每个反射层4设置于相应的LED芯片2的正上方，反射层4可以将LED芯片2正上方集中的光束大部分反射至混光层3内，而允许少量的光束从反射层4透射出去。
本实施例中，荧光体5包括透明载体、荧光粉颗粒以及扩散粉颗粒，其中，荧光粉颗粒与扩散粉颗粒设置于透明载体内，荧光粉颗粒具有改变光束波长的作用，进而改变光束表现出来的颜色，扩散粉颗粒具有反光的作用，透明载体、荧光粉颗粒以及扩散粉颗粒将其内的光束进形反射、折射以及散射，进而将光束进形混光处理，此外，扩散分颗粒还具有抗沉淀的作用。
优选的，LED芯片2为蓝光芯片，通过荧光体5内的荧光粉颗粒将其转变成为常用的白光。
本实施例中，荧光粉颗粒的材料可以选择为硅酸盐、氮氧化物、绿粉、YAG黄粉、氮化物红粉等，扩散粉的材料可以选择为乙撑双硬脂酸酰胺，工作时，蓝光芯片发出的蓝光射到荧光体5内，在荧光粉颗粒和扩散粉颗粒表面发生散射，进而形成混光，此外，蓝光芯片发出的蓝光部分被荧光体5内的荧光粉颗粒吸收，进而激发出黄、绿、黄等波段的光，然后与剩余的蓝光混光形成所需要的白光。
本实施例中，反射层4的材料TiO2，TiO2材料为背光光源中常用的反射材料，由于反射层4设置于相对应的LED芯片2的正上方位置处，其将LED芯片2正上方集中的大部分光束反射至混光层3中重新打散，只允许少量光束从反射层4透射出去。
优选的，如图2所示，本发明的直下式微距LED封装结构还包括透光镜40，透光镜40固设于混光层3的上端，且若干反射层4固设于透光镜40上，从而方便反射层4的安装与拆卸。
如图3，示出了本发明的第三个实施例的直下式微距LED封装结构的示意图，其中，相比于第一个实施例与第二个实施例，本实施例中，荧光体5整体上的距离离PCB载板1的更近，从而有利于混光层3的散热，保证该直下式微距LED封装结构工作更加稳定。
进一步的，请一并参照图2至图6，若干LED芯片2呈矩阵排布于PCB载板1上，对应的，若干反射层4也呈矩阵排布，反射层4的上端和/或透光镜40的上端设置有纳米压印图形400，用于增强反射层4的反光效果。具体的，纳米压印图形400呈规律的循环排布图形，单位图形之间的间距不大于100um，纳米压印图形400主要包括规则的多边形、圆形、椭圆形、同心多环圆形、条棱状、多角锥形或多页扇形，纳米压印图形400还包括上述图形的综合图形，此外，纳米压印图形呈凸起设置于反射层4上或通过在反射层4上去除材料得到。
需要注意的是，透明载体和透明层的材料可以选择为硅胶、硅树脂、环氧树脂、透明陶瓷、玻璃或蓝宝石。
PCB载板的材料选择为BT树脂、金属、FPC、陶瓷或FR4。
本发明的直下式微距LED封装结构，其整体尺寸为1cm2～1m2。在此基础上，该直下式微距LED封装结构的耗散功率密度不大于0.02W/cm2。
本发明还提供了一种直下式LED混光装置，其包括如上所述的直下式微距LED封装结构，还包括由下至上依次设置的下扩散膜6、增光膜7以及上扩散膜8，其中下扩散膜6设置于反射层4的上端，下扩散膜6用于对该直下式微距LED封装结构发出的光线进行进一步的混光处理，增光膜7内设置有棱镜结构70，可以缩小通过的光束的出光角度，进而提高一定可视角度内的背光亮度，上扩散膜8进一步对通过的光束进形混光处理，此外，PCB载板1上还固设有反射框架9，反射框架9与PCB载板1相配合形成一中空的容置空间，进而提供容纳LED芯片2、混光层3、反射层4、下扩散层6、增光层7、上扩散层8以及上述的透光镜40的空间。
优选的，PCB载板1与混光层3之间还设置有一层反射膜10，反射框9内、上扩散膜8的上端还设置有遮光膜11，遮光膜11可以防止光线侧漏。
以上是对本发明的较佳实施例进行了具体说明，但本发明并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种直下式微距LED封装结构，包括PCB载板以及固设于所述PCB载板上的若干LED芯片，其特征在于：还包括混光层，所述混光层固设于所述PCB载板上，并包覆若干所述LED芯片设置，所述混光层内填充有荧光体，所述荧光体用于改变所述LED芯片发出光束的波长并对所述LED芯片发出的光束进形混光；
若干反射层，若干所述反射层设于所述混光层上端，若干所述反射层分别与若干所述LED芯片一一对应设置，且每个所述反射层设置于相应的所述LED芯片的正上方。
2.根据权利要求1所述的直下式微距LED封装结构，其特征在于：所述荧光体包括透明载体以及设置于所述透明载体内的荧光粉颗粒与扩散粉颗粒，所述LED芯片发出的光线通过所述透明载体射入到所述荧光粉颗粒上，通过所述荧光粉颗粒辐射出白光，所述LED芯片发出的光线射入所述透明载体内，并在所述荧光粉颗粒、扩散粉颗粒表面发生散射，进而实现对所述LED芯片发出的光线的混光。
3.根据权利要求1所述的直下式微距LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片为蓝光芯片。
4.根据权利要求1所述的直下式微距LED封装结构，其特征在于：若干所述LED芯片呈阵列排布于所述PCB载板上，对应的，若干所述反射层呈阵列排布于所述混光层上端。
5.根据权利要求1所述的直下式微距LED封装结构，其特征在于：所述反射层的材质为TiO2。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的直下式微距LED封装结构，其特征在于：还包括透明层，所述透明层固设于所述混光层上端，若干所述反射层固设于所述透明层上。
7.根据权利要求6所述的直下式微距LED封装结构，其特征在于：所述透明层表面设置有纳米压印图形。
8.一种直下式微距LED混光装置，其特征在于：包括如权利要求1-7中任一项所述的直下式微距LED封装结构，还包括由下至上依次设置的下扩散膜、增光膜以及上扩散膜，所述下扩散膜设置于所述直下式微距LED封装结构上端，所述下扩散膜可对所述直下式微距LED封装结构发出的光束进行进一步混光，所述增光膜内设有棱镜结构，可缩小通过所述增光膜内的光束的出光角度，所述上扩散膜将通过的光束再次进行混光，还包括反射框架，所述反射框架与所述PCB载板相配合，进而在所述反射框架与所述PCB载板之间形成一容置空间，若干所述LED芯片、混光层、反射层、下扩散膜、增光膜以及上扩散膜均设置于该容置空间内。
9.根据权利要求8所述的直下式微距LED混光装置，其特征在于：所述PCB载板与所述混光层之间还设置有反射膜。
10.根据权利要求9所述的直下式微距LED混光装置，其特征在于：所述反射框架内、所述上扩散膜的上端还设置有遮光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711191031.XA CN107819063A (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711191031.XA CN107819063A (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107819063A true CN107819063A (zh) | 2018-03-20 |
Family
ID=61608884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711191031.XA Pending CN107819063A (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107819063A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019205438A1 (zh) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 驱动基板、制备方法及微型led阵列发光背光模组 |
| US10512159B2 (en) | 2018-04-24 | 2019-12-17 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Driving substrate, manufacturing process, and micro-LED array light-emitting backlight module |
| CN112259008A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-01-22 | 深圳市中科创激光技术有限公司 | Led显示屏面罩结构及led显示屏 |
| CN112349822A (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-09 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Led器件和背光模组 |
| CN113471241A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-10-01 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微型发光二极管显示面板及其制造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1477721A (zh) * | 2002-08-20 | 2004-02-25 | 何文志 | 混光层和混光方法 |
| US20040213000A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Toppoly Optoelectronics | Improved Back Light Module |
| US20100244058A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Coretronic Corporation | Light emitting diode package |
| CN203535341U (zh) * | 2013-06-13 | 2014-04-09 | 高新低碳能源科技股份有限公司 | 一种采用陶瓷基板散热结构的led背光模组 |
| CN104006334A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及显示装置 |
| CN106870966A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-06-20 | 青岛海信电器股份有限公司 | 四周发光的贴片式led及背光模组 |
| CN106932951A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led灯源及其制造方法、背光模组 |
-
2017
- 2017-11-24 CN CN201711191031.XA patent/CN107819063A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1477721A (zh) * | 2002-08-20 | 2004-02-25 | 何文志 | 混光层和混光方法 |
| US20040213000A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Toppoly Optoelectronics | Improved Back Light Module |
| US20100244058A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Coretronic Corporation | Light emitting diode package |
| CN203535341U (zh) * | 2013-06-13 | 2014-04-09 | 高新低碳能源科技股份有限公司 | 一种采用陶瓷基板散热结构的led背光模组 |
| CN104006334A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及显示装置 |
| CN106870966A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-06-20 | 青岛海信电器股份有限公司 | 四周发光的贴片式led及背光模组 |
| CN106932951A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led灯源及其制造方法、背光模组 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019205438A1 (zh) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 驱动基板、制备方法及微型led阵列发光背光模组 |
| US10512159B2 (en) | 2018-04-24 | 2019-12-17 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Driving substrate, manufacturing process, and micro-LED array light-emitting backlight module |
| CN112349822A (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-09 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Led器件和背光模组 |
| CN112349822B (zh) * | 2019-08-09 | 2022-03-18 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Led器件和背光模组 |
| US11380827B2 (en) | 2019-08-09 | 2022-07-05 | Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd | Light emitting diode device and backlight module |
| CN112259008A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-01-22 | 深圳市中科创激光技术有限公司 | Led显示屏面罩结构及led显示屏 |
| CN112259008B (zh) * | 2020-11-10 | 2022-10-18 | 深圳市中科创激光技术有限公司 | Led显示屏面罩结构及led显示屏 |
| CN113471241A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-10-01 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微型发光二极管显示面板及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107819063A (zh) | 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 | |
| CN207123684U (zh) | 柔性面光源及其电子设备 | |
| CN104566015B (zh) | 一种量子点背光模组以及显示装置 | |
| CN104321694B (zh) | 背光单元和显示装置 | |
| CN104040382B (zh) | 光学片以及具有该光学片的显示装置和发光装置 | |
| US20200142258A1 (en) | Liquid crystal display device and backlight module thereof | |
| TWI255566B (en) | Led | |
| CN201526868U (zh) | 直下式背光系统 | |
| CN101639181A (zh) | 直下式背光系统 | |
| CN209843702U (zh) | 面光源模组 | |
| CN201811096U (zh) | 背光模组、发光二极管装置及其透镜 | |
| CN101809474A (zh) | 使用低廓形边发射led的薄背光源 | |
| CN102165344A (zh) | 具有光学耦合到后表面的led的薄边缘背光 | |
| CN103244872A (zh) | 一种无透镜的超薄直下式背光模组 | |
| WO2020025054A1 (zh) | 一种发光装置及其制备方法 | |
| CN203273541U (zh) | 一种无透镜的超薄直下式背光模组 | |
| CN105759500A (zh) | 量子点背光模组及液晶电视 | |
| CN106773289A (zh) | 一种量子点发光器件和背光模组以及液晶显示装置 | |
| WO2022088590A1 (zh) | 一种显示装置 | |
| CN105531607A (zh) | 光漫射透镜以及包括光漫射透镜的发光装置 | |
| CN201673929U (zh) | 一种白光发光二极管 | |
| CN201129667Y (zh) | 一种使用led光源的侧光式背光模组 | |
| CN103032816B (zh) | 匀光透镜、使用该匀光透镜的背光模组和显示装置 | |
| CN207217582U (zh) | 一种直下式微距led封装结构及直下式微距led混光装置 | |
| CN102155695A (zh) | 一种背光源的光源结构及其直下式和侧入式背光源结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180320 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |