CN113451442A - 一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 3
- 229920006111 poly(hexamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 4
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 4
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机，改善刻蚀水印装置，包括设置在刻蚀机台用于承载晶片的滚轮，所述滚轮包括旋转轴以及设置在所述旋转轴表面的螺纹结构。通过将现有的台阶型滚轮设计为具有螺纹结构的滚轮，用于承载晶片时，可以减少水的吸附，改善水印的效果。进而提高产品效率/良率，降低化学品耗量，节约生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及光刻蚀工艺技术领域，特别是涉及一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机。
背景技
目前光伏产业仍然以晶硅太阳能电池为主，为了提高太阳能电池效率及降低运营成本，光伏行业单晶PERC和多晶黑硅新电池技术被大量引入，随着技术的革新，双面PERC电池具有双面发电的优势，市场份额急速增加，已成为市场主流产品。
双面PERC电池对背面外观有所要求，在现有的工艺流程中主要采用链式湿法刻蚀。但是链式湿法刻蚀设备目前存在水印问题，刻蚀水印不仅影响了背面外观，导致产品降级，且水印处反射率较正常区域低，导致背面抛光平整度不一，影响后续钝化效果。
发明内容
本发明的目的是提供了一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机，改善水印的效果。进而提高产品效率/良率，降低化学品耗量，节约生产成本。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种改善刻蚀水印装置，包括设置在刻蚀机台用于承载晶片的滚轮，所述滚轮包括旋转轴以及设置在所述旋转轴表面的螺纹结构。
其中，所述螺纹结构包括逆时针走向的第一螺纹单元和顺时针走向的第二螺纹单元。
其中，所述第一螺纹单元和所述第二螺纹单元的长度相等。
其中，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元的螺距相等。
其中，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元沿着所述滚轮的旋转轴方向的曲线为正弦曲线或圆锥曲线。
其中，所述旋转轴与所述螺纹结构为一体式结构。
其中，还包括设置在所述刻蚀机台的水膜管的节流阀，用于控制所述水膜管的输出量。
其中，所述节流阀为PVDF节流阀、peek节流阀、PTFE节流阀、PA46节流阀、PA6T节流阀或LCP节流阀。
除此之外，本发明实施例还提供了一种刻蚀机，包括如上所述改善刻蚀水印的装置。
本发明实施例所提供的改善刻蚀水印的装置及刻蚀机，与现有技术相比，具有以下优点：
本发明实施例提供的改善刻蚀水印的装置及刻蚀机，通过将现有的台阶型滚轮设计为具有螺纹结构的滚轮，用于承载晶片时，可以减少水的吸附，改善水印的效果。进而提高产品效率/良率，降低化学品耗量，节约生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的改善刻蚀水印装置的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例提供的改善刻蚀水印装置的一种具体实施方式的结构示意图。
在一种具体实施方式中，所述改善刻蚀水印装置，包括设置在刻蚀机台用于承载晶片20的滚轮10，所述滚轮10包括旋转轴11以及设置在所述旋转轴11表面的螺纹结构12。
通过将现有的台阶型滚轮10设计为具有螺纹结构12的滚轮10，用于承载晶片20时，可以减少水的吸附，改善水印的效果。进而提高产品效率/良率，降低化学品耗量，节约生产成本.
本发明中虽然采用螺纹结构12，但是由于在晶片20的运输中，螺纹结构12对其有横向的作用力，容易使得晶片20与其它发生碰撞，为了解决这一问题，在一个实施例中，所述螺纹结构12包括逆时针走向的第一螺纹单元和顺时针走向的第二螺纹单元。
通过同时设置逆时针走向的第一螺纹单元和顺时针走向的第二螺纹单元，可以避免或减少晶片20发生碰撞的可能性。
为了提高工艺效率，所述第一螺纹单元和所述第二螺纹单元的长度相等。
优选的，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元的螺距相等。
本发明中通过将阶梯形的滚轮10更换为螺纹结构12给滚轮10，能够降低水印效果，为了进一步提高这种效果，一个实施例中，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元沿着所述滚轮10的旋转轴11方向的曲线为正弦曲线或圆锥曲线。
通过将所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元沿着所述滚轮10的旋转轴11方向的曲线为正弦曲线或圆锥曲线，一方面减少了与晶片20接触的面积，另一方面，采用这种光滑曲线，减少对晶片20的损伤，提高了输送的可靠性。
本发明中包括但是不局限于采用正弦曲线或圆锥曲线，还可以采用其它的光滑曲线。
在本发明的一个实施例中，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元相邻设置，二者的除了螺纹相当不同之外，其它都相同，可以提高效果。
本发明对所述滚轮10的结构以及制作工艺不做限定，一般所述旋转轴11与所述螺纹结构12为一体式结构。
但是由于螺纹走向不同，很难依次成型，可以采用套接的管式，将其套接在旋转轴11上，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元横向通过卡接等方式连接即可。
为了进一步提高降低水印的效果，在一个实施例中，所述改善刻蚀水印的装置还包括设置在所述刻蚀机台的水膜管30的节流阀40，用于控制所述水膜管30的输出量。
通过节流阀，可以控制水膜管的水滴50的输出量，可以人为减少其输出量，可以通过实验或者计算等获得最优的输出量，或者随着不同的滚轮10运转速度通过节流阀进行控制输出量，尽可能降低水印效果。
本发明对于节流阀的结构以及材质不做限定，由于其处于刻蚀环境中，因而需要有较好的耐酸碱腐蚀效果，所述节流阀可以为PVDF节流阀、peek节流阀、PTFE节流阀、PA46节流阀、PA6T节流阀或LCP节流阀中的一种，或者其它材质的节流阀。
除此之外，本发明实施例还提供了一种刻蚀机，包括如上所述改善刻蚀水印的装置。
由于所述刻蚀机，包括如上所述改善刻蚀水印的装置，因而具有相同的有益效果，本发明对此不作赘述。
本发明提供的公开了改善刻蚀水印的装置及刻蚀机，通过螺纹滚轮替换台阶滚轮，提高硅片进槽的整体水平度，并均分背面水量；水膜喷淋管处增加限流装置，最终达到改善水印的效果，大大降低了刻蚀水印的比例，减少因背面外观降级的不良片比例，并降同步降低刻蚀酸耗量；整个结构提高了刻蚀的均匀性，从而改善背面钝化效果，提高电池效率进而提高产品效率/良率，降低化学品耗量，节约生产成本。
在一个实验中，改善前刻蚀外观水印占比100％，成品电池外观降级比例76％；改善后外观水印比例10％，成品电池外观降级比例0.3％，通过本装置大大提升了电池良率，且水印改善后，刻蚀槽内化学品耗量也降低了16％。
综上所述，本发明实施例提供的改善刻蚀水印的装置及刻蚀机，通过将现有的台阶型滚轮设计为具有螺纹结构的滚轮，用于承载晶片时，可以减少水的吸附，改善水印的效果。进而提高产品效率/良率，降低化学品耗量，节约生产成本。
以上对本发明所提供的改善刻蚀水印的装置及刻蚀机进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (9)
1.一种改善刻蚀水印装置，其特征在于，包括设置在刻蚀机台用于承载晶片的滚轮，所述滚轮包括旋转轴以及设置在所述旋转轴表面的螺纹结构。
2.如权利要求1所述改善刻蚀水印的装置，其特征在于，所述螺纹结构包括逆时针走向的第一螺纹单元和顺时针走向的第二螺纹单元。
3.如权利要求2所述改善刻蚀水印的装置，其特征在于，所述第一螺纹单元和所述第二螺纹单元的长度相等。
4.如权利要求3所述改善刻蚀水印的装置，其特征在于，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元的螺距相等。
5.如权利要求4所述改善刻蚀水印的装置，其特征在于，所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元沿着所述滚轮的旋转轴方向的曲线为正弦曲线或圆锥曲线。
6.如权利要求5所述改善刻蚀水印的装置，其特征在于，所述旋转轴与所述螺纹结构为一体式结构。
7.如权利要求6所述改善刻蚀水印的装置，其特征在于，还包括设置在所述刻蚀机台的水膜管的节流阀，用于控制所述水膜管的输出量。
8.如权利要求7所述改善刻蚀水印的装置，其特征在于，所述节流阀为PVDF节流阀、peek节流阀、PTFE节流阀、PA46节流阀、PA6T节流阀或LCP节流阀。
9.一种刻蚀机，包括如权利要求1-8任一项所述改善刻蚀水印的装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110729439.8A CN113451442A (zh) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110729439.8A CN113451442A (zh) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113451442A true CN113451442A (zh) | 2021-09-28 |
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ID=77814184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110729439.8A Pending CN113451442A (zh) | 2021-06-29 | 2021-06-29 | 一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN113451442A (zh) |
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