CN113437089A - 面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法,在显示面板中，所述薄膜晶体管层设置在所述基板上，所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管层上，所述LED包括相对设置的第一端部和第二端部，所述第一端部设置在所述第一电极上，所述第二端部设置在所述第二电极上；所述第二导电层设置在所述LED上，所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。本申请实施例采用在薄膜晶体管层上设置LED的结构替换了现有技术中Mini‑LED面板和Micro‑LED面板，达到简化工艺的效果；另外上述的结构相较于单纯的电致发光显示面板具有更长的使用寿命。

Description

面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种面板及其制备方法。
背景技术
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，Mini LED(次毫米发光二极管)、Micro LED(微型发光二极管)制作工艺较为复杂，且目前Micro LED巨量转移的成熟度低、可靠性较低、高成本，大尺寸难度极大，对其未来发展潜在负面影响。
而电致发光显示面板中发光层的材料一般为有机材料或量子点材料，上述材料的发光寿命相对较短，特别是发蓝色光的材料，因此需提供一种新型显示技术的显示面板以降低工艺难度和提高显示面板的使用寿命。
发明内容
本申请实施例提供一种面板，可以提高显示面板的使用寿命和简化工艺。
本申请实施例提供一种面板，其包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置在所述基板上，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管；
第一导电层，所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管层上，所述第一导电层包括彼此分离的第一电极和第二电极，所述第一电极电连接于所述薄膜晶体管；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述第一导电层上，所述像素定义层开设有开口；
至少一个LED，所述LED设置在所述开口内，所述LED包括相对设置的第一端部和第二端部，所述第一端部设置在所述第一电极上，所述第二端部设置在所述第二电极上；
第二导电层，所述第二导电层设置在所述LED上，所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述面板还包括绝缘材料，所述开口包括第一开口，所述LED设置在所述第一开口内，所述绝缘材料设置在所述第一开口内，且覆盖所述LED、所述第二导电部的部分以及所述第一导电部。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层还包括第三电极；所述开口还包括第二开口，所述第二开口裸露所述第三电极；
所述面板还包括发光层和第四电极，所述发光层设置在所述第二开口内；所述第四电极覆盖在所述像素定义层、所述发光层和所述绝缘材料上；所述第四电极连接于所述第二导电部。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述LED为发蓝光的LED；所述发光层包括红色发光层和绿色发光层。
可选的，在本申请的一些实施例中，多个所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述薄膜晶体管层还包括公共线，所述第一薄膜晶体管电连接于所述第一电极，所述公共线电连接于所述第二电极，所述第二薄膜晶体管电连接于所述第三电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述面板还包括固定部，所述固定部设置在所述开口内，且固定连接于所述LED、所述第一电极和第二电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述固定部包括固定性质的材料和用于阻挡刻蚀的材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述面板还包括光转换层，所述光转换层设置在所述开口内，且覆盖所述LED。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述LED还包括半导体层和保护层；所述半导体层连接在所述第一端部和所述第二端部之间；所述保护层覆盖所述半导体层，且至多覆盖所述第一端部的部分和至多覆盖所述第二端部的部分。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素定义层分别覆盖所述第一导电部的部分和所述第二导电部的部分。
可选的，在本申请的一些实施例中，至少一个所述LED包括纳米LED。
相应的，本申请实施例还涉及一种面板的制备方法，其包括以下步骤：
在基板上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层上形成图案化的第一导电层，所述第一导电层包括彼此分离的第一电极和第二电极；
在所述第一导电层上放置至少一个LED，并对准所述第一电极和所述LED的第一端部以及对准所述第二电极和所述LED的第二端部，所述第一端部和所述第二端部相对设置；
在所述LED上形成图案化的第二导电层，所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层还包括第三电极，在所述第一导电层上放置至少一个LED的步骤之前，所述制备方法还包括以下步骤：
在所述第一导电层上形成图案化的像素定义层和开口，所述开口包括第一开口和第二开口，所述第一开口裸露所述第一电极和所述第二电极，所述第二开口裸露所述第三电极；
在所述LED上形成图案化的第二导电层的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：
在所述第一开口内填充绝缘材料，使所述绝缘材料覆盖所述LED、所述第二导电部的部分以及所述第一导电部，所述第二导电部的部分裸露；
在所述第二开口内形成发光层；
依次在所述像素定义层、所述发光层和所述绝缘材料上形成第四电极和封装层，所述第四电极连接于所述第二导电部。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述第一导电层上放置至少一个LED的步骤之前，所述制备方法还包括以下步骤：
在所述第一导电层上形成图案化的牺牲层和第一开口，所述第一开口裸露所述第一电极和所述第二电极；
在所述第一导电层上放置至少一个LED，并对准所述第一电极和所述LED的第一端部以及对准所述第二电极和所述LED的第二端部的步骤，包括：
在所述第一开口内放置LED溶液，所述LED溶液覆盖所述第一导电层，所述LED溶液包括所述LED、溶剂、固定性质的材料和用于阻挡刻蚀的材料；
对准所述第一电极和所述LED的第一端部以及对准所述第二电极和所述LED的第二端部；
干燥所述LED溶液，去除所述溶剂，以使所述LED通过所述固定性质的材料固定在所述薄膜晶体管层上。
可选的，在本申请的一些实施例中，在干燥所述LED溶液的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：
去除所述牺牲层；
在所述薄膜晶体管层上形成图案化的光阻层，以所述光阻层为掩模，蚀刻掉所述LED和所述第一导电层上裸露的材料。所述光阻层上开设有第二开口和第三开口，所述第三开口对应于所述第一电极和所述LED的第一端部，所述第三开口对应于所述第二电极和所述LED的第二端部。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述光阻层具有底切结构，在所述LED上形成图案化的第二导电层的步骤包括：
所述光阻层上形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述第一电极和所述LED的第一端部，以及覆盖所述第二电极和所述LED的第二端部；
去除所述光阻层，形成图案化的所述第二导电层，使所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，在去除所述光阻层的步骤之后，所述制备方案还包括以下步骤：
在所述第二导电层上形成像素定义层，所述像素定义层上开设有第四开口，所述第四开口裸露所述LED；
在所述第四开口内形成光转换层，之后在所述光转换层上形成封装层。
本申请实施例采用在薄膜晶体管层上依次设置第一导电层、像素定义层、至少一个LED和第二导电层，第一导电层包括彼此分离的第一电极和第二电极，第一电极电连接于薄膜晶体管；像素定义层开设有开口；LED设置在开口内，LED包括相对设置的第一端部和第二端部，第一端部设置在第一电极上，第二端部设置在第二电极上；第二导电层包括第一导电部和第二导电部，第一导电部电连接于第一端部和第一电极，第二导电部电连接于第二端部和第二电极。本实施例采用不同于Mini-LED面板和Micro-LED面板中LED芯片的LED的结构替换LED芯片，达到简化工艺的效果；另外采用LED发光的结构相较于单纯的电致发光显示面板具有更长的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的面板的第一种结构示意图；
图2为本申请实施例的提供的面板的第一种结构部分的俯视图；
图3是本申请实施例提供的面板的LED的第一结构示意图；
图4是本申请实施例提供的面板的LED的第二结构示意图；
图5是本申请实施例提供的面板的第二种结构示意图；
图6是本申请实施例提供的面板的第二种结构部分的俯视图；
图7是本申请实施例提供的面板的制备方法的第一种方法流程图；
图8是本申请实施例提供的面板的制备方法的第二种方法流程图；
图9是本申请实施例提供的面板的制备方法的第二种方法流程图中步骤B101-步骤B104的示意图；
图10是本申请实施例提供的面板的制备方法的第二种方法流程图中步骤B105-步骤B108的示意图；
图11是本申请实施例提供的面板的制备方法的第三种方法流程图；
图12是本申请实施例提供的面板的制备方法的第三种方法流程图中步骤B201-步骤B205的示意图；
图13是本申请实施例提供的面板的制备方法的第三种方法流程图中步骤B206-步骤B209的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种面板及其制备方法，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参照图1和图2，本申请实施例提供一种面板100，其包括基板11、薄膜晶体管层12、第一导电层13、像素定义层14、至少一个LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)15和第二导电层16。
薄膜晶体管层12设置在基板11上。薄膜晶体管层12包括多个薄膜晶体管TFT。
第一导电层13设置在薄膜晶体管层12上。第一导电层13包括彼此分离的第一电极131和第二电极132。第一电极131电连接于薄膜晶体管TFT。
像素定义层14设置在第一导电层13上。像素定义层14开设有开口141。
LED15设置在开口141内。LED15包括相对设置的第一端部151和第二端部152，如图3或图4所示。第一端部151设置在第一电极131上，第二端部152设置在第二电极132上。
第二导电层16设置在LED15上。第二导电层16包括第一导电部161和第二导电部162，第一导电部161电连接于第一端部151和第一电极131。第二导电部162电连接于第二端部152和第二电极132。
本申请实施例采用在薄膜晶体管层12上设置LED15的结构替换了现有技术中Mini-LED面板和Micro-LED面板，达到简化工艺的效果；另外上述的结构相较于单纯的电致发光显示面板具有更长的使用寿命。
可选的，基板11可为硬性基板或者柔性衬底。基板11的材质包括玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种
可选的，薄膜晶体管TFT可以是顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。薄膜晶体管TFT可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。
本申请的实施例以薄膜晶体管TFT为N型的顶栅薄膜晶体管为例进行阐述，但不限于此。
可选的，薄膜晶体管层12包括依次设置在基板11上的有源层121、栅极绝缘层122、第一金属层123、层间介电层124、第二金属层125、第一平坦层126和第二平坦层127。
其中，第一金属层123包括栅极。第二金属层125包括源极、漏极和公共线12c。
漏极连接于第一电极131。公共线12c连接于第二电极132。
有源层121、栅极、源极和漏极形成薄膜晶体管TFT。
可选的，第一金属层123和第二金属层125的材料可以使用纯金属或合金，比如金、银、钨、钼、铁、铝、铝-硅、铝-钛等材料。
可选的，栅极绝缘层122的材料可包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。
可选的，第一平坦层126和第二平坦层127的材料可以是有机透明膜层，比如透明光刻胶，环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯等。
可选的，第一导电层13和第二导电层16的材料可以是氧化铟锡、氧化铟锌等氧化物；还可以为各种导电特性的金属、合金以及化合物及其混合物，例如可以使用金、银或铂等等。
可选的，至少一个LED15包括纳米LED。
可选的，LED15的长度为2-5微米，比如可以是2微米、3微米、4微米或5微米；宽度为100-500纳米，比如可以是100纳米、200纳米、300纳米、400纳米或500纳米；LED15呈棒状结构，但不限于此。
可选的，请参照图3，LED15还包括半导体层153。半导体层153连接在第一端部151和第二端部152之间。第一端部151为P型半导体和N型半导体中的一者，第二端部152为P型半导体和N型半导体中的另一者。
可选的，第一导电部161和第二导电部162均未连接半导体层153，避免发生短路。
请参照图4，LED15还可以包括保护层154。保护层154覆盖半导体层153，且至多覆盖第一端部151的部分和至多覆盖第二端部152的部分。也即，LED15至少裸露出第一端部151的部分，以及至少裸露第二端部152的部分。
可选的，在本申请的实施例中，面板100还可以包括绝缘材料17。开口141包括第一开口14a，LED15设置在所述第一开口14a内。绝缘材料17设置在第一开口14a内，且覆盖LED15、第二导电部162的部分以及第一导电部161。
本实施例采用绝缘材料17对LED15进行封装，使得LED15与薄膜晶体管TFT连接的第一端部151被绝缘材料覆盖，另一边的第二端部152至少部分裸露。
在本申请的实施例中，第一导电层13还包括第三电极133。开口141还包括第二开口14b。第二开口14b裸露第三电极133。
面板100还包括发光层18和第四电极19。发光层18设置在第二开口14b内。第四电极19覆盖在像素定义层14、发光层18和绝缘材料17上。第四电极19连接于第二导电部162。
本实施例中，多个所述薄膜晶体管TFT还可以包括第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2，第一薄膜晶体管TFT1电连接于所述第一电极131，所述第二薄膜晶体管TFT2电连接于所述第三电极133。
可选的，发光层18的材料可以是有机材料，比如可以是Alq3、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、DPVBi、Almq3、3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽(TBADN)。
发光层18的材料也可以是无机材料，比如可以是选自IV族半导体纳米晶、II-V族半导体纳米晶、II-VI族半导体纳米晶、IV-VI族半导体纳米晶、III-V族半导体纳米晶和III-VI族半导体纳米晶等中的一种或多种。作为举例，可以为硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点、砷化铟量子点和氮化镓量子点等中的一种或多种。
可选的，第四电极19可以是氧化铟锡、氧化铟锌等氧化物。
本申请的实施例采用LED混合电致发光的发光结构；相较于Mini-LED面板，本实施例避免了巨量转移的步骤，简化了工艺；相较于纯电致发光面板，本实施例具有更高的使用寿命。
在现有技术中，由于蓝色量子点电致发光的寿命远低于红绿量子点，从而使得电致发光面板随着蓝色量子点发光的衰减而出现色偏，进而导致显示失效。
故，本申请的实施例，可选的，LED15可以为发蓝光的LED；发光层18可以包括红色发光层181和绿色发光层182；由于LED的发光性能好于蓝色量子点，因此采用红色量子点、绿色量子点作为发光层18，采用发蓝光的LED15替换蓝色量子点，则可达到性能、寿命相匹配，从而提高了面板100的整体寿命及品味。
本实施例的面板100还可以包括封装层20，封装层20设置在像素定义层14、发光层18和绝缘材料17上。
请参照图5，本申请实施例提供一种面板200，其包括基板21、薄膜晶体管层22、第一导电层23、像素定义层24、至少一个LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)25和第二导电层26。
薄膜晶体管层22设置在基板21上。薄膜晶体管层22包括多个薄膜晶体管TFT。
第一导电层23设置在薄膜晶体管层22上。第一导电层23包括彼此分离的第一电极231和第二电极232。第一电极231电连接于薄膜晶体管TFT。
像素定义层24设置在第一导电层23上。像素定义层24开设有开口241。
LED25设置在开口241内。LED25包括相对设置的第一端部251和第二端部252，如图6所示。第一端部251设置在第一电极231上，第二端部252设置在第二电极232上。
第二导电层26设置在LED25上。第二导电层26包括第一导电部261和第二导电部262，第一导电部261电连接于第一端部251和第一电极231。第二导电部262电连接于第二端部252和第二电极232。
本申请实施例采用在薄膜晶体管层22上设置LED25的结构替换了现有技术中Mini-LED面板和Micro-LED面板，达到简化工艺的效果；另外上述的结构相较于单纯的电致发光显示面板具有更长的使用寿命。
可选的，基板21可为硬性基板或者柔性衬底。基板21的材质包括玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种
可选的，薄膜晶体管TFT可以是顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。薄膜晶体管TFT可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。
本申请的实施例以薄膜晶体管TFT为N型的顶栅薄膜晶体管为例进行阐述，但不限于此。
可选的，薄膜晶体管层22包括依次设置在基板21上的有源层221、栅极绝缘层222、第一金属层223、层间介电层224、第二金属层225、第一平坦层226和第二平坦层227。
其中，第一金属层223包括栅极。第二金属层225包括源极、漏极和公共线22c。
漏极连接于第一电极231。公共线22c连接于第二电极232。
有源层221、栅极、源极和漏极形成薄膜晶体管TFT。
可选的，第一金属层223和第二金属层225的材料可以使用纯金属或合金，比如金、银、钨、钼、铁、铝、铝-硅、铝-钛等材料。
可选的，栅极绝缘层222的材料可包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。
可选的，第一平坦层226和第二平坦层227的材料可以是有机透明膜层，比如透明光刻胶，环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯等。
可选的，第一导电层23和第二导电层26的材料可以是氧化铟锡、氧化铟锌等氧化物；还可以为各种导电特性的金属、合金以及化合物及其混合物，例如可以使用金、银或铂等等。
在本实施例中，可选的，像素定义层24分别覆盖第一导电部261的部分和第二导电部262的部分。
可选的，至少一个LED25包括纳米LED。
可选的，LED25的长度为2-5微米，比如可以是2微米、3微米、4微米或5微米；宽度为100-500纳米，比如可以是100纳米、200纳米、300纳米、400纳米或500纳米；LED15呈棒状结构，但不限于此。
可选的，请参照图3，LED25还包括半导体层253。半导体层253连接在第一端部251和第二端部252之间。第一端部251为P型半导体和N型半导体中的一者，第二端部252为P型半导体和N型半导体中的另一者。
可选的，第一导电部261和第二导电部262均未连接半导体层253，避免发生短路。
请参照图4，LED25还可以包括保护层254。保护层254覆盖半导体层253，且至多覆盖第一端部251的部分和至多覆盖第二端部252的部分。也即，LED25至少裸露出第一端部251的部分，以及至少裸露第二端部252的部分。
本申请的实施例中，面板200还可以包括固定部27，固定部27设置在开口241内，且固定连接于LED25、第一电极231和第二电极232。
固定部27将LED25固定在薄膜晶体管层22上。
可选的，固定部27包括固定性质的材料和用于阻挡刻蚀的材料。其中，固定性质的材料用于固定连接薄膜晶体管层22和LED25，固定性质的材料可以是如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或丙烯酸丁酯(BA)。阻挡刻蚀的材料用于避免被蚀刻，其材料可以是氧化硅纳米颗粒。
可选的，可参照图6，面板200还可以包括光转换层28。光转换层28设置在开口241内，且覆盖LED25。
其中，光转换层28包括红色转换单元、绿色转换单元和蓝色转换单元。LED25可以发射蓝光或紫光。LED25发出的光激发光转换层28的材料，从而发出相应的颜色光。
可选的，光转换层28的材料可以是量子点。红色转换单元的材料为红色量子点，绿色转换单元的单元为绿色量子点，蓝色转换单元的材料为蓝色量子点。
在一些实施例中，光转换层28也可以包括红色转换单元、绿色转换单元和透光材料单元。LED25可以发射蓝光。
本申请的实施例的面板200采用纳米级LED25作为发光单元，红绿像素采用量子点或其他色彩转换材料进行色彩转换，最终形成红绿蓝全彩显示面板，LED25均为蓝光纳米LED，各像素寿命性能一致，提升显示品味和寿命；同时相较于Mini LED面板，本实施例的面板200避免了巨量转移的步骤，简化了工艺步骤。
本申请实施例的面板200还包括封装层29，封装层29覆盖像素定义层24和光转换层28。
请参照图7，相应的，本申请实施例还涉及一种面板的第一种制备方法，其包括以下步骤：
步骤S11：在基板上形成薄膜晶体管层；
步骤S12：在所述薄膜晶体管层上形成图案化的第一导电层，所述第一导电层包括彼此分离的第一电极和第二电极；
步骤S13：在所述第一导电层上放置至少一个LED，并对准所述第一电极和所述LED的第一端部以及对准所述第二电极和所述LED的第二端部，所述第一端部和所述第二端部相对设置；
步骤S14：在所述LED上形成图案化的第二导电层，所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。
本申请实施例的面板的制备方法采用在薄膜晶体管层上设置LED的结构替换了现有技术中Mini-LED面板和Micro-LED面板，避免了巨量转移的步骤，达到简化工艺的效果；另外上述的结构相较于单纯的电致发光显示面板具有更长的使用寿命。
请参照图8-图10，相应的，本申请实施例还涉及一种面板的第二种制备方法，其包括以下步骤：
步骤B101：在所述基板11上形成薄膜晶体管层12；
步骤B102：在所述薄膜晶体管层12上形成图案化的第一导电层13，所述第一导电层13包括相互分离的第一电极131、第二电极132和第三电极133；
步骤B103：在所述第一导电层13上形成图案化的像素定义层14和开口141，所述开口141包括第一开口14a和第二开口14b，所述第一开口14a裸露所述第一电极131和所述第二电极132，所述第二开口14b裸露所述第三电极133；
步骤B104：在所述第一导电层13上放置至少一个LED15，并对准所述第一电极131和所述LED15的第一端部151以及对准所述第二电极132和所述LED15的第二端部152，所述第一端部151和所述第二端部152相对设置；
步骤B105：在所述LED15上形成图案化的第二导电层16，所述第二导电层16包括第一导电部161和第二导电部162，所述第一导电部161电连接于所述第一端部151和所述第一电极131，所述第二导电部162电连接于所述第二端部152和所述第二电极132。
步骤B106：在所述第一开口14a内填充绝缘材料17，使所述绝缘材料17覆盖所述LED15、所述第二导电部162的部分以及所述第一导电部161，所述第二导电部162的部分裸露；
步骤B107：在所述第二开口14b内形成发光层18；
步骤B108：依次在所述像素定义层14、所述发光层18和所述绝缘材料17上形成第四电极19和封装层20，所述第四电极19连接于所述第二导电部162。
下文对本申请的面板的制备方法的第二种流程图进行阐述。其中需要说明的是，本实施例的制备方法用于制备上述实施例的面板100。
请参照图9，步骤B101，在所述基板11上形成薄膜晶体管层12。其中基板11和薄膜晶体管层12的具体结构请参照上述实施例的面板100的相关内容，此处不再赘述。
可选的，薄膜晶体管层12可以是氧化物薄膜晶体管层，低温多晶硅薄膜晶体管层或有机类薄膜晶体管层等。随后转入步骤B102。
步骤B102：在所述薄膜晶体管层12上形成图案化的第一导电层13，所述第一导电层13包括相互分离的第一电极131、第二电极132和第三电极133。
其中图案化的第一导电层13的具体结构请参照上述实施例的面板100的相关内容，此处不再赘述。随后转入步骤B103。
步骤B103：在所述第一导电层13上形成图案化的像素定义层14和开口141。所述开口141包括第一开口14a和第二开口14b，所述第一开口14a裸露所述第一电极131和所述第二电极132，所述第二开口14b裸露所述第三电极133。
可选的，像素定义层14的材料可以是有机光阻材料。随后转入步骤B104。
步骤B104：在所述第一导电层13上放置至少一个LED15，并对准所述第一电极131和所述LED15的第一端部151以及对准所述第二电极132和所述LED15的第二端部152。所述第一端部151和所述第二端部152相对设置。
可选的，LED15可以为纳米LED。
可选的，采用打印或微流体传送的方式把LED15输送到第一开口14a中。随后采用电场力、磁场力、表面张力等配向技术，使得LED15的端部分别与第一电极131和第二电极132一一对应；之后采用干燥的方式去除打印或流体传送带来的溶剂。随后转入步骤B105。
请参照图10，步骤B105：在所述LED15上形成图案化的第二导电层16。所述第二导电层16包括第一导电部161和第二导电部162，所述第一导电部161电连接于所述第一端部151和所述第一电极131，所述第二导电部162电连接于所述第二端部152和所述第二电极132。
可选的，采用喷墨打印或蒸镀的方式在LED15上形成导电材料层，随后可采用光刻或其他的方式形成图案化的第二导电层16，并使得第一端部151和第二端部152一一对应的与第一电极131和第二电极132连接。随后转入步骤B106。
步骤B106：在所述第一开口14a内填充绝缘材料17，使所述绝缘材料17覆盖所述LED15、所述第二导电部162的部分以及所述第一导电部161，所述第二导电部162的部分裸露。
可选的，绝缘材料17具有良好的封装性。随后转入步骤B107。
步骤B107：在所述第二开口14b内形成发光层18。
可选的，发光层18的材料可以是有机材料或无机材料。
可选的，LED15可以为发蓝光的LED；发光层18可以包括红色发光层181和绿色发光层182；由于LED的发光性能好于蓝色量子点，因此采用红色量子点、绿色量子点作为发光层18，采用发蓝光的LED15替换蓝色量子点，则可达到性能、寿命相匹配，从而提高了面板100的整体寿命及品味。
随后转入步骤B108。
步骤B108：依次在所述像素定义层14、所述发光层18和所述绝缘材料17上形成第四电极19和封装层20，所述第四电极19连接于所述第二导电部162。
这样便完成了本申请实施例的面板的制备方法的第二种方法。
请参照图11-图13，本申请实施例的面板的第三种制备方法，其包括以下步骤：
步骤B201：在基板21上形成薄膜晶体管层22；
步骤B202：在所述薄膜晶体管层22上形成图案化的第一导电层23，所述第一导电层23包括彼此分离的第一电极231和第二电极232；
步骤B203：在所述第一导电层23上形成图案化的牺牲层XS和第一开口XS1，所述第一开口XS1裸露所述第一电极231和所述第二电极232。
步骤B204：在所述第一导电层23上放置至少一个LED25，并对准所述第一电极231和所述LED25的第一端部251以及对准所述第二电极232和所述LED25的第二端部252。所述第一端部251和所述第二端部252相对设置。
步骤B205：去除所述牺牲层XS；
步骤B206：在所述薄膜晶体管层22上形成图案化的光阻层GZ，以所述光阻层GZ为掩模，蚀刻掉所述LED25和所述第一导电层23上裸露的材料。所述光阻层GZ上开设有第二开口GZ1和第三开口GZ2，所述第二开口GZ1对应于所述第一电极231和所述LED的第一端部，所述第三开口ZG2对应于所述第二电极232和所述LED25的第二端部252。
步骤B207：在所述LED25上形成图案化的第二导电层26，所述第二导电层26包括第一导电部261和第二导电部262，所述第一导电部261电连接于所述第一端部251和所述第一电极231，所述第二导电部262电连接于所述第二端部252和所述第二电极232。
步骤B208：在所述第二导电层26上形成像素定义层24，所述像素定义层24上开设有第四开口241，所述第四开口241裸露所述LED25；
步骤B209：在所述第四开口241内形成光转换层28，之后在所述光转换层28上形成封装层29。
下文对上述实施例的面板的制备方法进行阐述。需要说明的是，本申请实施例的面板的第三种制备方法用于制备上述实施例的面板200。
请参照图12，步骤B201：在基板21上形成薄膜晶体管层22。
其中基板21和薄膜晶体管层22的具体结构请参照上述实施例的面板200的相关内容，此处不再赘述。
可选的，薄膜晶体管层22可以是氧化物薄膜晶体管层，低温多晶硅薄膜晶体管层或有机类薄膜晶体管层等。随后转入步骤B202。
步骤B202：在所述薄膜晶体管层22上形成图案化的第一导电层23，所述第一导电层23包括彼此分离的第一电极231和第二电极232。
其中图案化的第一导电层23的具体结构请参照上述实施例的面板200的相关内容，此处不再赘述。随后转入步骤B203。
步骤B203：在所述第一导电层23上形成图案化的牺牲层XS和第一开口XS1，所述第一开口XS1裸露所述第一电极231和所述第二电极232。
可选的，牺牲层XS的材料可以是有机光阻材料。随后转入步骤204。
步骤B204：在所述第一导电层23上放置至少一个LED25，并对准所述第一电极231和所述LED25的第一端部251以及对准所述第二电极232和所述LED25的第二端部252。所述第一端部251和所述第二端部252相对设置。
可选的，步骤204包括：
在所述第一开口XS1内放置LED溶液RY，所述LED溶液RY覆盖所述第一导电层23，所述LED溶液RY包括所述LED25、溶剂、固定性质的材料和用于阻挡刻蚀的材料；
对准所述第一电极231和所述LED25的第一端部251以及对准所述第二电极232和所述LED的第二端部252；
干燥所述LED溶液RY，去除所述溶剂，固定性质的材料和用于阻挡刻蚀的材料形成固定部27，以使所述LED25通过所述固定性质的材料固定在所述薄膜晶体管层上。
可选的，采用打印或微流体传送的方式把LED溶液RY输送到第一开口XS1中。随后采用电场力、磁场力、表面张力等配向技术，使得LED25的端部分别与第一电极231和第二电极232一一对应；之后采用干燥的方式去除打印或流体传送带来的溶剂。随后转入步骤205。
步骤B205：去除所述牺牲层XS；随后转入步骤B206。
请参照图13，步骤B206：在所述薄膜晶体管层22上形成图案化的光阻层GZ，以所述光阻层GZ为掩模，蚀刻掉所述LED25和所述第一导电层23上裸露的材料。所述光阻层GZ上开设有第二开口GZ1和第三开口GZ2，所述第二开口GZ1对应于所述第一电极231和所述LED的第一端部，所述第三开口ZG2对应于所述第二电极232和所述LED25的第二端部252。
在蚀刻后，裸露出所述第一电极、所述第二电极、所述LED的第一端部和所述LED的第二端部。随后转入步骤B207。
步骤B207：在所述LED25上形成图案化的第二导电层26，所述第二导电层26包括第一导电部261和第二导电部262，所述第一导电部261电连接于所述第一端部251和所述第一电极231，所述第二导电部262电连接于所述第二端部252和所述第二电极232。
可选的，所述光阻层GZ具有底切结构GZ2。可选的，底切结构GZ2为具有倒角的镂空结构。
步骤B207：包括：
所述光阻层GZ上形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述第一电极231和所述LED25的第一端部251，以及覆盖所述第二电极232和所述LED25的第二端部252；
去除所述光阻层GZ，形成图案化的所述第二导电层26，使所述第一导电部261电连接于所述第一端部251和所述第一电极231，所述第二导电部262电连接于所述第二端部252和所述第二电极232。
由于光阻层GZ具有底切结构GZ2，使得到导电材料层在成膜时与底切结构GZ2处发光断裂，因此可以直接剥离光阻层GZ，进而剥离光阻层GZ上的导电材料层，形成图案化的第二导电层26，节省了光罩。
随后转入步骤B208。
步骤B208：在所述第二导电层26上形成像素定义层24，所述像素定义层24上开设有第四开口241，所述第四开口241裸露所述LED25。像素定义层24分别覆盖第一导电部261的部分和第二导电部262的部分。
其中第四开口241为面板200的开口241。随后转入步骤B209。
步骤B209：在所述第四开口241内形成光转换层28，之后在所述光转换层28上形成封装层29。
其中，光转换层28包括红色转换单元、绿色转换单元和蓝色转换单元。LED25可以发射蓝光或紫光。LED25发出的光激发光转换层28的材料，从而发出相应的颜色光。
可选的，光转换层28的材料可以是量子点。红色转换单元的材料为红色量子点，绿色转换单元的单元为绿色量子点，蓝色转换单元的材料为蓝色量子点。
在一些实施例中，光转换层28也可以包括红色转换单元、绿色转换单元和透光材料单元。LED25可以发射蓝光。
这样便完成了本申请实施例的面板的第三制备方法的步骤。
以上对本申请实施例所提供的一种面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (16)

1.一种面板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置在所述基板上，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管；
第一导电层，所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管层上，所述第一导电层包括彼此分离的第一电极和第二电极，所述第一电极电连接于所述薄膜晶体管；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述第一导电层上，所述像素定义层开设有开口；
至少一个LED，所述LED设置在所述开口内，所述LED包括相对设置的第一端部和第二端部，所述第一端部设置在所述第一电极上，所述第二端部设置在所述第二电极上；
第二导电层，所述第二导电层设置在所述LED上，所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述面板还包括绝缘材料，所述开口包括第一开口，所述LED设置在所述第一开口内，所述绝缘材料设置在所述第一开口内，且覆盖所述LED、所述第二导电部的部分以及所述第一导电部。
3.根据权利要求2所述的面板，其特征在于，所述第一导电层还包括第三电极；所述开口还包括第二开口，所述第二开口裸露所述第三电极；
所述面板还包括发光层和第四电极，所述发光层设置在所述第二开口内；所述第四电极覆盖在所述像素定义层、所述发光层和所述绝缘材料上；所述第四电极连接于所述第二导电部。
4.根据权利要求3所述的面板，其特征在于，所述LED为发蓝光的LED；所述发光层包括红色发光层和绿色发光层。
5.根据权利要求3所述的面板，其特征在于，多个所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述薄膜晶体管层还包括公共线，所述第一薄膜晶体管电连接于所述第一电极，所述公共线电连接于所述第二电极，所述第二薄膜晶体管电连接于所述第三电极。
6.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述面板还包括固定部，所述固定部设置在所述开口内，且固定连接于所述LED、所述第一电极和第二电极。
7.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述面板还包括光转换层，所述光转换层设置在所述开口内，且覆盖所述LED。
8.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述LED还包括半导体层和保护层；所述半导体层连接在所述第一端部和所述第二端部之间；所述保护层覆盖所述半导体层，且至多覆盖所述第一端部的部分和至多覆盖所述第二端部的部分。
9.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述像素定义层分别覆盖所述第一导电部的部分和所述第二导电部的部分。
10.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，至少一个所述LED包括纳米LED。
11.一种面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层上形成图案化的第一导电层，所述第一导电层包括彼此分离的第一电极和第二电极；
在所述第一导电层上放置至少一个LED，并对准所述第一电极和所述LED的第一端部以及对准所述第二电极和所述LED的第二端部，所述第一端部和所述第二端部相对设置；
在所述LED上形成图案化的第二导电层，所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。
12.根据权利要求11所述的面板的制备方法，其特征在于，所述第一导电层还包括第三电极，在所述第一导电层上放置至少一个LED的步骤之前，所述制备方法还包括以下步骤：
在所述第一导电层上形成图案化的像素定义层和开口，所述开口包括第一开口和第二开口，所述第一开口裸露所述第一电极和所述第二电极，所述第二开口裸露所述第三电极；
在所述LED上形成图案化的第二导电层的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：
在所述第一开口内填充绝缘材料，使所述绝缘材料覆盖所述LED、所述第二导电部的部分以及所述第一导电部，所述第二导电部的部分裸露；
在所述第二开口内形成发光层；
依次在所述像素定义层、所述发光层和所述绝缘材料上形成第四电极和封装层，所述第四电极连接于所述第二导电部。
13.根据权利要求11所述的面板的制备方法，其特征在于，在所述第一导电层上放置至少一个LED的步骤之前，所述制备方法还包括以下步骤：
在所述第一导电层上形成图案化的牺牲层和第一开口，所述第一开口裸露所述第一电极和所述第二电极；
在所述第一导电层上放置至少一个LED，并对准所述第一电极和所述LED的第一端部以及对准所述第二电极和所述LED的第二端部的步骤，包括：
在所述第一开口内放置LED溶液，所述LED溶液覆盖所述第一导电层，所述LED溶液包括所述LED、溶剂、固定性质的材料和用于阻挡刻蚀的材料；
对准所述第一电极和所述LED的第一端部以及对准所述第二电极和所述LED的第二端部；
干燥所述LED溶液，去除所述溶剂，以使所述LED通过所述固定性质的材料固定在所述薄膜晶体管层上。
14.根据权利要求13所述的面板的制备方法，其特征在于，在干燥所述LED溶液的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：
去除所述牺牲层；
在所述薄膜晶体管层上形成图案化的光阻层，以所述光阻层为掩模，蚀刻掉所述LED和所述第一导电层上裸露的材料；所述光阻层上开设有第二开口和第三开口，所述第三开口对应于所述第一电极和所述LED的第一端部，所述第三开口对应于所述第二电极和所述LED的第二端部。
15.根据权利要求14所述的面板的制备方法，其特征在于，所述光阻层具有底切结构，在所述LED上形成图案化的第二导电层的步骤包括：
所述光阻层上形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述第一电极和所述LED的第一端部，以及覆盖所述第二电极和所述LED的第二端部；
去除所述光阻层，形成图案化的所述第二导电层，使所述第一导电部电连接于所述第一端部和所述第一电极，所述第二导电部电连接于所述第二端部和所述第二电极。
16.根据权利要求15所述的面板的制备方法，其特征在于，在去除所述光阻层的步骤之后，所述制备方案还包括以下步骤：
在所述第二导电层上形成像素定义层，所述像素定义层上开设有第四开口，所述第四开口裸露所述LED；
在所述第四开口内形成光转换层，之后在所述光转换层上形成封装层。
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