CN105070744A - 像素结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公共一种像素结构及其制造方法，像素结构包含基板及位于基板上的像素单元。各像素单元包含像素电路结构层、像素定义层、像素电极、无机发光二极管次像素及第一有机发光二极管次像素。像素电路结构层形成于基板表面。像素定义层形成于像素电路结构层且具有第一、第二开口。像素电极位于第一、第二开口中且电连接像素电路结构层。无机发光二极管次像素包含粘着层与第一、第二半导体层，第一有机发光二极管次像素包含第一、第二传输层。无机发光二极管次像素与第一有机发光二极管次像素发出的光线颜色不同。本发明的像素结构可改善蓝光有机发光二极管次像素的发光效率较低与微小化后的红光无机发光二极管次像素的发光效率较低的问题。

Description

像素结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及其制造方法。

背景技术

随着科技的进步，显示器也从较为厚重的阴极射线管(CathodeRayTube,CRT)显示器逐渐转变成较为扁平且轻薄的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)或有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示器等。

液晶显示器则是利用背光模块发光，分别通过液晶分子与彩色滤光片产生不同亮度与不同颜色的光线。因此，液晶显示器的每个像素无法自己发光，属于被动式发光的显示器。液晶显示器具有较长的使用寿命，且没有影像烙印的问题。此外，随着薄膜晶体管技术的发展，液晶显示器中的每个像素可被独立的控制，因此可提高液晶显示器的反应时间与对比度。

发光二极管显示器相较于液晶显示器，结构更为简单、且耗电量少、体积小，并且发光二极管显示器可概分为有机发光二极管显示器与无机发光二极管显示器。其中，有机发光二极管可制作在可挠式的基板上，使得有机发光二极管显示器不只轻薄还可弯曲，因此，有机发光二极管显示器的开发与研究俨然已成为目前市场重要的趋势之一。然而有机发光二极管显示器其蓝光效率不佳，以及发光材料稳定性等问题，是造成现今产品量产所面临的一大问题。

无机发光二极管显示器，则是另一种发光二极管显示器的技术。无机发光二极管显示器也可直接将不同颜色的发光二极管设置于显示器的各个像素当中，以构成红、绿、蓝(R、G、B)等次像素，而不需要液晶显示器中的彩色滤光片，也不需要额外设置背光模块作为发光源，但其微小化后会有不同颜色的次像素发光效率不一致的问题。

发明内容

本发明要解决的课题在于有机发光二极管显示器其蓝光效率低落以及无机发光二极管微小化后所面临的不同颜色的次像素发光效率不一致的问题。

本发明的像素结构包含有机发光二极管(organlightemittingdiode,OLED)次像素与无机发光二极管(inorganiclightemittingdiode,inorganicLED)次像素。

根据本发明一实施方式，像素结构包含基板以及多个像素单元。多个像素单元位于基板上，其中各个像素单元包含像素电路结构层、像素定义层、像素电极、无机发光二极管次像素以及第一有机发光二极管次像素。像素电路结构层形成于基板的表面。像素定义层形成于像素电路结构层上，且具有第一开口与第二开口。像素电极位于第一开口与第二开口中，且与像素电路结构层电性连接。无机发光二极管次像素具有一无机发光二极管，该无机发光二极管包含粘着层、第一半导体层以及第二半导体层。粘着层设置于第一开口内的像素电极上。第一半导体层设置于粘着层上。第二半导体层设置于第一半导体层上。第一有机发光二极管次像素具有第一有机发光二极管，该第一有机发光二极管包含第一传输层以及第二传输层。第一传输层设置于该第二开口内的像素电极上，第二传输层设置于第一传输层上，其中无机发光二极管次像素与第一有机发光二极管次像素发出的光线颜色不同。

本发明的另一技术态样提供一种发光二极管显示装置的像素结构的制造方法。

根据本发明一实施方式，像素结构的制造方法包含以下步骤：提供基板；形成像素电路结构层于基板上；形成像素定义层于像素电路结构层上；图案化像素定义层，以形成第一开口与第二开口，并由第一开口与第二开口露出部分像素电路结构层；形成像素电极于第一开口与第二开口；设置至少一无机发光二极管于第一开口中，其中无机发光二极管利用粘着层设置于像素电极上；形成有机发光二极管于第二开口中，其中有机发光二极管在无机发光二极管之后形成。

由于不同颜色的有机发光二极管的发光效率不同，以及不同颜色的无机发光二极管的发光效率不同。因此，如果像素结构中，不同颜色的次像素的发光源皆为有机发光二极管或皆为无机发光二极管，容易产生不同颜色的次像素发光效率不一致的问题，并影响发光二极管显示器的色彩表现。有鉴于此，上述实施方式在像素结构中，设置有至少一有机发光二极管以及至少一无机发光二极管。如此一来，在不同颜色的次像素间，可通过发光效率较好的有机发光二极管取代发光效率较差的无机发光二极管，或者是通过发光效率较好的无机发光二极管取代发光效率较差的有机发光二极管，使得不同颜色的次像素的发光效率不至于落差太大，藉以改善像素结构中，不同颜色的次像素发光效率不一致的问题。

附图说明

图1为本发明一实施方式的发光显示装置的俯视图。

图2为沿图1的线段2-2的剖面图。

附图标记说明：

10：发光显示装置

100：像素单元

200：基板

110：像素电路结构层

111：像素区

112：非像素区

114：数据线驱动电路

115：扫描线驱动电路

120：像素定义层

121：顶面

122：内表面

130：像素电极

140：粘着层

150：无机发光二极管

152：无机层

160：第一有机发光二极管

162：第一有机层

170：第二有机发光二极管

172：第二有机层

180：对向电极

231：第一半导体层

232：主动层

233：第二半导体层

S：出光面

H1：无机发光二极管垂直高度

H2：像素定义层垂直高度

T1、T2、T3：像素电路

O1：第一开口

O2：第二开口

O3：第三开口

P1：无机发光二极管次像素

P2：第一有机发光二极管次像素

P3：第二有机发光二极管次像素

具体实施方式

以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。

请参考图1与图2，图1为本发明一实施方式的发光显示装置10的俯视图，图2为沿图1的线段2-2的剖面图。如图所示，发光显示装置10包含基板200。基板200上可包含有像素区111与非像素区112。基板200的像素区111内具有多个像素单元100。并且，像素单元100中可包含有多个次像素。在本发明的实施方式中，像素单元100内同时包含至少一有机发光二极管(organlightemittingdiode,OLED)次像素与至少一无机发光二极管(inorganiclightemittingdiode,inorganicLED)次像素。举例而言，在图1与图2中，像素单元100内包含有一个无机发光二极管次像素P1以及第一有机发光二极管次像素P2、第二有机发光二极管次画素P3，以分别形成像素单元100中不同颜色的次像素，例如红色、绿色与蓝色次像素。

基板200的非像素区112可包含有数据线驱动电路114以及扫描线驱动电路115。以图1为例，数据线驱动电路114连接至无机发光二极管次像素P1以及第一有机发光二极管次像素P2、第二有机发光二极管次像素P3的数据线。扫描线驱动电路115连接至无机发光二极管次像素P1以及第一有机发光二极管次像素P2、第二有机发光二极管次像素P3的扫描线。如此一来，发光显示装置10可驱动像素单元100内不同颜色的次像素发光，通过不同颜色的次像素所发出的光线的组合，可使得发光显示装置10发出全彩的影像。

请一并参考图1与图2。如图所示，像素单元100位于基板200上，且各个像素单元200包含像素电路结构层110、像素定义层120、像素电极130、无机发光二极管次像素P1、第一有机发光二极管次像素P2以及第二有机发光二极管次像素P3，其中无机发光二极管次像素P1包含无机发光二极管150、第一有机发光二极管次像素P2包含第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管次像素P3包含第二有机发光二极管170，并且无机发光二极管次像素P1、第一有机发光二极管次像素P2以及第二有机发光二极管次像素P3发出的光线的颜色各不相同。如此一来，为了因应有机以及无机发光二极管中，不同颜色的色光发光效率不同的现象，本实施方式可在像素单元100中同时设置无机发光二极管次像素P1以及第一有机发光二极管次像素P2、第二有机发光二极管次像素P3，以达到最佳发光效率的组合。

更进一步而言，在像素单元100中，如果只具备有机发光二极管次像素或者只具备无机发光二极管次像素，可能会造成像素单元100中，不同颜色的次像素之间，发光效率不佳的问题。举例而言，在一实施方式中，红光、绿光与蓝光无机发光二极管(inorganicLight-Emitting-Diode,LED)的外部量子效率(ExternalQuantumEfficiency,EQE)，以及红光、绿光与蓝光有机发光二极管的外部量子效率，可如表格一所示。

表格一：LED与OLED的外部量子效率

	红光	绿光	蓝光
				LED	3％	10％	15％
OLED	17％	20～25％	4～5％

上述无机发光二极管可为边长小于或等于10微米(μm)，且出光面的面积小于或等于100平方微米(μm²)的无机发光二极管。由表格一可知，蓝光有机发光二极管的发光效率最低，而蓝光无机发光二极管的发光效率最高。因此，在图2的实施方式中，无机发光二极管150可为蓝光的无机发光二极管，而第一有机发光二极管次像素160、第二有机发光二极管170可分别为红光以及绿光有机发光二极管。如此一来，本实施方式因应不同色光间的效率，选择无机发光二极管与有机发光二极管最佳发光效率的组合，可改善蓝光有机发光二极管次像素的发光效率较低与微小化后的红光无机发光二极管次像素的发光效率较低的问题。

换句话说，在本实施方式的像素单元100中，因为第一与第二有机发光二极管160、170可分别为红光与绿光有机发光二极管，而无机发光二极管150可为蓝光有机发光二极管，所以无机发光二极管次像素P1以及第一有机发光二极管次像素P2、第二有机发光二极管次像素P3的发光效率可较为接近，藉以改善不同颜色的次像素发光效率不一致的问题，并提升像素单元100整体的发光效率。

举例而言，若定义一发光效率差值比率＝[(最大发光效率-最小发光效率)/最小发光效率]×100％，当像素单元100中的红色、绿色以及蓝色次像素皆以无机发光二极管作为发光源，则发光效率最小者(即红光无机发光二极管)与发光效率最大者(即蓝光无机发光二极管)之间的差值比率为[(15-3)/3]×100％＝400％。又如对照实施例，举例而言，像素单元100中的红色、绿色以及蓝色次像素皆以有机发光二极管作为发光源，则发光效率最小者(即蓝光有机发光二极管)与发光效率最大者(即绿光有机发光二极管)之间的差值比率为[(25-5)/5]×100％＝400％。

由表格一中，无机发光二极管次像素P1的发光效率，较佳必须大于等于15，此改善效果最明显。本发明实施例的实施态样为，第一有机发光二极管次像素P2、第二有机发光二极管次像素P3分别以红色、绿色有机发光二极管作为发光源；无机发光二极管次像素P1以蓝色无机发光二极管作为发光源，发光效率差值比率为[(25-15)/15]×100％＝67％。由此可知，本实施方式中，发光效率最小者与发光效率最大者之间的差值比率明显较前述对照实施例小，因此可改善不同颜色的次像素发光效率不一致的问题，以及提升像素结构100中蓝色次像素的稳定度与长效性。又较佳状态发光效率差值比率必须小于或等于67％，改善次像素发光效率不一致的问题可较为显著。

应了解的是，上述实施方式中，因为蓝色的无机发光二极管的发光效率最好，同时蓝色的有机发光二极管的发光效率最差，所以像素单元100中的蓝色次像素以蓝色的无机发光二极管为发光源。但在其他实施方式中，可能因为无机发光二极管150以及第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170选用的材料或制造过程不同，所以蓝色的无机发光二极管的发光效率未必最好，且蓝色的有机发光二极管的发光效率未必最差。因此，本领域技术人员，应可视实际情况，将发光效率较好的有机发光二极管取代发光效率较差的无机发光二极管，或者是将发光效率较好的无机发光二极管取代发光效率较差的有机发光二极管。在本发明的其他实施方式中，无机发光二极管150也有可能是红色、绿色或其他颜色的无机发光二极管。同理，第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170中，也有可能包含蓝色的有机发光二极管。

应了解的是，上述一或多个实施态样的像素单元100虽然以一个无机发光二极管、两个有机发光二极管为例，但本发明并不以此为限。在其他实施方式中，像素单元100可包含有两个无机发光二极管以及一个有机发光二极管，以形成像素单元100中的红色、绿色以及蓝色次像素。又再一实施方式中，像素单元100可包含有红色、绿色、蓝色以及黄色次像素，且其中至少一个次像素的发光源为无机发光二极管，至少一个次像素的发光源为有机发光二极管，藉以改善不同颜色的次像素发光效率不一致的问题。

接着，请继续参考图1与图2。如图所示，本实施方式的基板200可为主动元件阵列基板。更进一步而言，像素电路结构层110形成于基板200的表面，并包含像素电路T1、T2与T3。各个像素电路T1、T2与T3可包含有至少一晶体管。像素电路T1、T2与T3可通过数据线以及扫描线与发光二极管显示器的数据线驱动电路114以及扫描线驱动电路115电性连接，以独立地控制像素单元100中的各个次像素。

请继续参考图2。像素定义层120形成于像素电路结构层110上并至少部分覆盖各个像素电路T1、T2与T3，且像素定义层120包含有第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3。像素电极130分别位于第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3中，且与像素电路T1、T2与T3电性连接。无机发光二极管次像素P1包含粘着层140，其系设置于第一开口O1中，且位于像素电极130上。第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170分别位于第二开口O2与第三开口O3，且与像素电极130电性连接，无机发光二极管150位于第一开口O1中，且利用粘着层140固定于像素电极130上。粘着层140可具有导电性，使得无机发光二极管150可与像素电极130电性连接。

请继续参考图2，第一有机发光二极管160包含第一有机层162，第一有机层162位于像素电极130上，且第一有机层162与像素电极130电性连接，以形成第一有机发光二极管次像素P2。第二有机发光二极管170包含第二有机层172，第二有机层172位于像素电极层330上，且第二有机层172与像素电极130电性连接，以形成第二有机发光二极管次像素P3。无机发光二极管150包含无机层152，无机层152与粘着层140粘接，并与像素电极130电性连接，以形成无机发光二极管次像素P1。

请继续参考图2，像素单元100可还包含对向电极180。对向电极180位于第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3中，且对向电极180与第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170以及无机发光二极管150电性连接。在本实施方式中，像素电极130可为阳极，对向电极180可为阴极。像素电路T1、T2与T3可分别电性连接至第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3中的像素电极130，并传送数据信号至像素电极130，以分别点亮第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170以及无机发光二极管150，此时对向电极180则可为共通电极。

在其他实施方式中，像素电极130可为阴极，对向电极180可为阳极。此时，像素电路T1、T2与T3可分别电性连接至第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3中的对向电极180，而像素电极130可作为共通电极。

如此一来，本实施方式的无机发光二极管150与第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170可分别发出不同颜色的光，以作为像素单元100中不同颜色次像素。例如无机发光二极管150与第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170发出的光线可为红色、绿色与蓝色的任意组合，以至少形成红色次像素、绿色次像素以及蓝色次像素。因此，本实施方式的像素单元100中，不同颜色的次像素之间，发光效率不一致(即蓝色次像素的发光效率较低)可被改善。

接着，为使更于理解，以下实施方式更进一步公开一种像素结构的制造方法。请参考图2，像素结构的制造方法可包含下述步骤。

步骤S1：提供基板200。如图2所示，基板200可为主动元件阵列基板。

步骤S2：形成像素电路结构层110于基板200上。如图2所示，像素电路结构层110包含多个像素电路T1、T2、T3。各个像素电路T1、T2、T3可包含晶体管晶体管。晶体管可包含主动层、栅极、源极以及漏极等，其中栅极、源极以及漏极的材料可为金属，主动层的材料可为非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体等。

步骤S3：形成像素定义层120于像素电路结构层110上。

步骤S4：图案化像素定义层，以形成第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3，并由第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3露出部分像素电路结构层110。如图2所示，像素定义层120至少部分覆盖像素电路T1、T2、T3，且第一开口O1、第二开口O2及第三开口O3分别与像素电路T1、T2、T3的一极(如源极或漏极)连通。

步骤S5：形成像素电极130于第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3。因为第一开口O1、第二开口O2与第三开口O3分别与像素电路T1、T2、T3的源极或漏极连通，所以像素电极130与像素电路T1、T2、T3的源极或漏极可电性连接。

步骤S6：设置无机发光二极管150于第一开口O1中。无机发光二极管150可通过粘着层140设置于像素电极130上。在一实施方式中，粘着层140可设置于第一开口O1中的像素电极130上，接着再利用微机械装置将无机发光二极管150转置至基板200上方，并对准第一开口O1中的粘着层140。在另一实施方式中，粘着层140可设置于无机发光二极管150的无机层152上，使得无机发光二极管150可通过微机械装置直接连接至第一开口O1中的像素电极130上。

如图2所示，无机发光二极管150可具有出光面S。像素定义层120具有背对基板200的顶面121。当无机发光二极管150设置于第一开口O1后，由基板200的第一开口O1中的内表面122至无机发光二极管150的出光面S的无机发光二极管垂直高度H1，小于或等于基板200的第一开口O1中的内表面122至像素定义层200的顶面121的像素定义层垂直高度H2。简言之，无机发光二极管150容纳于第一开口O1中，且没有突出于第一开口O1外。因此，在像素单元100后续的工艺中，可避免无机发光二极管150损坏。

接着，进行步骤S7：形成第一有机发光二极管160于第二开口O2中，以及形成第二有机发光二极管170于第三开口O3中。需说明的是，第一有机发光二极管160以及第二有机发光二极管170在无机发光二极管150之后形成。如此一来，可避免第一有机发光二极管160以及第二有机发光二极管170在无机发光二极管150的设置过程破坏。此外，第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170可分别通过至少一道蒸镀工艺或至少一道喷墨列印工艺形成。值得注意的是，在蒸镀工艺中，可利用一遮罩裸露第二开口O2或第三开口O3，以将第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170分别形成于第二开口O2或第三开口O3。而在蒸镀工艺中，因为步骤S4中的无机发光二极管150没有突出于第一开口O1外，所以蒸镀用的遮罩不会压坏无机发光二极管150。

在一实施方式中，无机发光二极管150的边长可小于或等于10微米(um)，其出光面的面积可小于或等于100平方微米(μm²)。如图2所示，无机发光二极管150可为垂直式(VerticalType)的无机发光二极管150，其中无机层152可还包含第一半导体层231以及第二半导体层233。在一实施方式中，第一半导体层231和第二半导体层233可直接相叠。在另一实施方式中，第一半导体层231以及第二半导体层233可间接相叠。如图2所示，无机层152可还包含主动层232。主动层232可位于第一半导体层231与第二半导体层233之间，使得第一半导体层231以及第二半导体层233间接相叠。上述第一半导体层231、主动层232以及第二半导体层233皆为无机材料所组成。

上述无机发光二极管200可根据不同的半导体材料而产生红、绿和蓝的三原色，以构成基本色彩。而在无机发光二极管200缩小至微米尺寸(≦100μm²)后，半导体材料间晶格不匹配的现象会影响无机发光二极管200的发光效率，导致上述表格一中不同色光的无机发光二极管200发光效率不一致的现象。

如图2所示，上述的第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170分别包含第一有机层162、第二有机层172。第一有机层162以及第二有机层172为有机材料所组成。举例而言，第一有机层162以及第二有机层172可分别包含第一传输层与第二传输层，其中第一传输层可为空穴传输层(HoleTransportLayer,HTL)，而第二传输层可为电子传输层(ElectrodeTransportLayer,ETL)。在一实施方式中，空穴传输层与电子传输层可直接相叠。在另一实施方式中，空穴传输层与电子传输层可间接相叠，例如空穴传输层与电子传输层之间可还包含发光层(EmittingLayer,EML)。

在又一实施方式中，第一有机层162以及第二有机层172可分别还包含空穴注入层(HoleInjectionLayer,HIL)、电子注入层(ElectrodeInjectionLayer,EIL)、空穴阻挡层(HoleBlockingLayer,HBL)以及电子阻挡层(ElectrodeBlockingLayer,EBL)等。本技术领域技术人员，应可依实际需求在第一有机层162以及第二有机层172中选择性地加入空穴注入层、发光层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层中至少一者。上述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层的材料皆为有机材料所组成。

上述第一有机层162以及第二有机层172可依其材料的不同而产生红、绿和蓝的三原色，以构成基本色彩。然而，不同的有机材料的发光效率不尽相同。进一步而言，在一实施方式中，绿光有机发光二极管的发光效率大于红光有机发光二极管的发光效率，且红光有机发光二极管的发光效率大于蓝光有机发光二极管的发光效率。并且，在某些实施方式中，由于目前蓝光有机发光二极管的有机材料较不稳定，因此蓝光有机发光二极管的发光效率只有绿光或红光有机发光二极管的四分之一到五分之一之间。

综上所述，由于不同颜色的有机发光二极管以及不同颜色的无机发光二极管因为分别具有不同的外部量子效率。因此，如果发光二极管显示器的像素结构只包含有机发光二极管或者只包含无机发光二极管，则像素结构中的各个次像素的发光效率会不一致，而影响发光二极管显示器的色彩表现。有鉴于此，本实施方式的像素结构包含至少一无机发光二极管以及至少一有机发光二极管。因此，在不同颜色的次像素间，可通过发光效率较好的有机发光二极管取代发光效率较差的无机发光二极管，或者是通过发光效率较好的无机发光二极管取代发光效率较差的有机发光二极管，藉以改善不同颜色的次像素发光效率不一致的问题，以增进发光二极管显示器的色彩表现。

虽然本发明已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的变动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

Claims (8)

1.一种像素结构，其特征在于，包含：

一基板；以及

多个像素单元，位于该基板上，其中各该像素单元包含：

一像素电路结构层，形成于该基板的表面；

一像素定义层，形成于该像素电路结构层上，且像素定义层具有一第一开口与一第二开口；

一像素电极，位于该第一开口与该第二开口中，且与该像素电路结构层电性连接；

一无机发光二极管次像素，具有一无机发光二极管，该无机发光二极管包含：

一粘着层，设置于该第一开口内的该像素电极上；

一第一半导体层，设置于该粘着层上；以及

一第二半导体层，设置于该第一半导体层上；以及

一第一有机发光二极管次像素，具有一第一有机发光二极管，该第一有机发光二极管包含：

一第一传输层，设置于该第二开口内的该像素电极上；以及

一第二传输层，设置于该第一传输层上；

其中，该无机发光二极管次像素与该第一有机发光二极管次像素所发出的光线颜色不同。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，各该像素单元还包含：

一第二有机发光二极管次像素，具有一第二有机发光二极管，其中该无机发光二极管次像素、该第一有机发光二极管次像素以及该第二有机发光二极管次像素，三者所发出的光线颜色均不相同。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该无机发光二极管发出的光线颜色为蓝色。

4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该无机发光二极管、该第一有机发光二极管以及该第二有机发光二极管之间的一发光效率差值比率≦67％，该发光效率差值比率为该无机发光二极管、该第一有机发光二极管以及该第二有机发光二极管之间，[(最大发光效率-最小发光效率)/最小发光效率]×100％。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该无机发光二极管具有一出光面，该像素定义层具有背对该基板的一顶面，且由该基板至该无机发光二极管的该出光面的一无机发光二极管垂直高度，小于或等于由该基板至该像素定义层的该顶面的一像素定义层垂直高度。

6.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

形成一像素电路结构层于该基板上；

形成一像素定义层于该像素电路结构层上；

图案化该像素定义层，以形成一第一开口与一第二开口，并由该第一开口与该第二开口露出部分该像素电路结构层；

形成一像素电极于该第一开口与该第二开口；

设置至少一无机发光二极管于该第一开口中，其中该无机发光二极管利用一粘着层设置于该像素电极上；以及

形成一有机发光二极管于该第二开口中，其中该有机发光二极管在该无机发光二极管之后形成。

7.如权利要求6所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该有机发光二极管的步骤包含至少一道蒸镀工艺或至少一道喷墨列印工艺。

8.如权利要求7所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该无机发光二极管的步骤包含：

利用至少一微机械装置将该无机发光二极管转置至该基板上方。