CN111710711A - 杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板。显示面板的制备方法包括：提供驱动背板，驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区，其中，一蓝色子像素区、一绿色子像素区和一红色子像素区构成一像素单元所占区域，同一行像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列像素单元所占区域中，不同像素单元区域中同颜色子像素区相邻设置；在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极；将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接；形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件。本发明实施例提供的技术方案，提高了巨量转移LED芯片的转移节拍以及良率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板。
背景技术
Micro-LED显示技术具有功耗低、亮度高、色彩饱和度高、反应速度快、寿命较长和效率较高等优点，被认为是最具竞争力的下一代显示技术。
在Micro-LED彩色化方案中，一般选用巨量转移技术来几百万甚至千万颗LED芯片转移至驱动背板上。但是现有的巨量转移过程转移节拍较低，导致良率很低。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提出一种杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板，以提高巨量转移LED芯片的转移节拍以及良率。
本发明实施例提供了一种杂化结构的显示面板的制备方法，包括：
提供驱动背板，所述驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区，其中，一所述蓝色子像素区、一所述绿色子像素区和一所述红色子像素区构成一像素单元所占区域，同一行所述像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列所述像素单元所占区域中，不同像素单元所述区域中同颜色子像素区相邻设置；
在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极，其中所述LED电极位于所述蓝色子像素区，所述第一反射电极位于所述绿色子像素区，所述第二反射电极位于所述红色子像素区；
将蓝光LED芯片转移至所述驱动背板并将所述蓝光LED芯片与所述LED电极对应电连接；
形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件，其中，所述绿光有机发光器件与所述第一反射电极电连接，所述红光有机发光器件与所述第二反射电极电连接。
可选地，同一所述像素单元所占区域中，所述绿色子像素区和所述红色子像素区分布在同一行；所述蓝色子像素区和所述绿色子像素区分布在分布在不同行。
可选地，在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极包括：
在所述驱动背板上溅射一层反射电极层；
采用光刻工艺对所述反射电极层进行图案化，形成所述LED电极、所述第一反射电极和所述第二反射电极。
可选地，所述反射电极层包含银层、铝层或钼层的复合电极层。
可选地，将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接包括：
在驱动背板上形成保护层并去除位于蓝色子像素区的保护层，且保护层完全覆盖第一反射电极和第二反射电极；
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接；
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接之后包括：
去除所述保护层。
可选地，将蓝光LED芯片转移至所述驱动背板并将所述蓝光LED芯片与所述LED电极对应电连接之前包括：
在所述第二反射电极上形成光学调节层。
可选地，形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件包括：
形成像素定义层，所述像素定义层定义出蓝色发光区域、绿色发光区域和红色发光区域，且所述像素定义层露出所述蓝光LED芯片、所述第一反射电极的一部分和所述光学调节层的一部分；
形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件，其中，绿光有机发光器件与暴露出的第一反射电极电连接；所述红光有机发光器件与暴露出的所述光学调节层电连接。
可选地，形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件包括：
形成整层的黄光发光功能层和整层的阴极层，其中，所述黄光发光功能层至少包括发光层，且所述黄光发光功能层和所述阴极层覆盖所述蓝色子像素区、所述绿色子像素区和所述红色子像素区；
所述发光层距离所述第一反射电极的距离H，以及所述光学调节层的厚度Y,满足如下关系：
其中，λg为绿光中心波长，λr为红光中心波长；θg为绿光在所述第一反射电极和所述阴极层表面的反射相移之和，θr为红光在所述第二反射电极和所述阴极层表面的反射相移之和；m为模数；ng为由所述发光层至所述第一反射电极中所有材料在λg下的平均折射率，nr为由所述发光层至所述第二反射电极中所有材料在λr下的平均折射率，nY为所述光学调节层的折射率。
可选地，形成整层的黄光发光功能层和整层的阴极层之后还包括：
在所述阴极层远离所述黄光发光功能层的一侧形成光学耦合层。
本发明实施例还提供了一种显示面板，采用上述技术方案中任意所述的杂化结构的显示面板的制备方法制备，所述显示面板包括：
驱动背板，所述驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区，其中，一所述蓝色子像素区、一所述绿色子像素区和一所述红色子像素区构成一像素单元所占区域，同一行所述像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列所述像素单元所占区域中，不同像素单元所述区域中同颜色子像素区相邻设置；
LED电极、第一反射电极和第二反射电极位于所述驱动背板上，其中所述LED电极位于所述蓝色子像素区，所述第一反射电极位于所述绿色子像素区，所述第二反射电极位于所述红色子像素区；
蓝光LED芯片，蓝光LED芯片与LED电极对应电连接；
绿光有机发光器件和红光有机发光器件，绿光有机发光器件与第一反射电极电连接，红光有机发光器件与第二反射电极电连接。
本发明的技术方案中，同一像素单元所占区域中，绿色子像素区和红色子像素区分布在同一行，蓝色子像素区和绿色子像素区分布在分布在不同行，相邻的不同像素单元区域中同颜色子像素区相邻设置，大大减少了蓝光LED芯片转移的次数，从而提高了显示面板的制备效率、转移节拍以及良率。第一反射电极和第二反射电极用作和驱动背板连接的搭接电极，简化了器件结构和制作工艺，节省了生产成本。此外，本发明实施例采用蓝光LED芯片、绿光有机发光器件和红光有机发光器件分别形成显示面板的蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素，在制备显示面板的过程中，只需巨量转移蓝光LED芯片，相对于现有的制备全部由LED芯片形成的显示面板，本发明通过杂化LED芯片和OLED器件大大降低了LED芯片转移的数量以及次数，从而提高了显示面板的制备效率以及良率；而且，只有蓝色子像素采用LED芯片制备，从而改善了小尺寸的LED芯片造成的效率下降和光谱偏移的问题，降低显示面板白平衡调节的难度，改善了全彩色显示偏差的问题；同时，由于蓝光LED芯片相对于蓝光有机发光器件的使用寿命较长，因此，本发明采用蓝光LED芯片代替蓝光有机发光器件，提高了显示寿命；再者，由于红光LED芯片制备工艺比较繁琐，成本较高，同时倒装结构的红光LED芯片的效率也不高(正装结构的红光LED芯片无法实现芯片小型化)，因此，本发明采用红光有机发光器件形成红色子像素，可以提高显示面板的效率，降低成本。
附图说明
下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本发明的上述及其他特征和优点，附图中：
图1为本发明实施例提供的一种杂化结构的显示面板的制备方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种驱动背板的俯视图；
图3-图10为本发明实施例提供的一种杂化结构的显示面板的制备方法的流程图各步骤对应的剖面图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如上述背景技术中所述，现有的巨量转移LED芯片转移节拍较低，导致良率很低。究其原因，现有的Micro-LED彩色显示面板中，需要使用巨量转移技术来转移的LED芯片分布比较分散，相同LED芯片需要使用的巨量转移次数过多，以至于造成现有的巨量转移过程转移节拍较低，导致良率很低。
针对上述技术问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
图1为本发明实施例提供的一种杂化结构的显示面板的制备方法的流程示意图；图2为本发明实施例提供的一种驱动背板的俯视图；图3-图10为本发明实施例提供的一种杂化结构的显示面板的制备方法的流程图各步骤对应的剖面图。
参见图1，本发明实施例提供的杂化结构的显示面板的制备方法包括如下步骤：
步骤110、提供驱动背板，驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区，其中，一蓝色子像素区、一绿色子像素区和一红色子像素区构成一像素单元所占区域，同一行像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列像素单元所占区域中，不同像素单元区域中同颜色子像素区相邻设置。
参见图2和图3，提供驱动背板1，驱动背板1包括蓝色子像素区2C、绿色子像素区2A和红色子像素区2B，其中，一蓝色子像素区2C、一绿色子像素区2A和一红色子像素区2B构成一像素单元所占区域，同一行像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列像素单元所占区域中，不同像素单元所述区域中同颜色子像素区相邻设置。
具体的，参见图2，同一行像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中绿色子像素区2A相邻设置，红色子像素区2B相邻设置，蓝色子像素区2C相邻设置。同一列像素单元所占区域中，不同像素单元所述区域中绿色子像素区2A相邻设置，红色子像素区2B相邻设置，蓝色子像素区2C相邻设置。
步骤120、在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极，其中LED电极位于蓝色子像素区，第一反射电极位于绿色子像素区，第二反射电极位于红色子像素区。
参见图4，在驱动背板上形成LED电极21、第一反射电极22和第二反射电极23，其中LED电极21位于蓝色子像素区，第一反射电极22位于绿色子像素区2A，第二反射电极23位于红色子像素区2B。
需要说明的是，驱动背板1可包括多个像素驱动电路，多个像素驱动电路分别与LED电极21、第一反射电极22和第二反射电极23电连接。LED电极可包括LED正极或LED负极，用于邦定垂直结构的LED芯片，LED电极也可同时包括LED正极和LED负极，用于邦定倒装结构的LED芯片。
步骤130、将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接。
示例性的，参见图8，蓝光LED芯片41可以为倒装结构的LED芯片，多个蓝光LED芯片41可按预设排布方式排布在蓝宝石衬底上，每个蓝光LED芯片41包括位于蓝光LED芯片41远离蓝宝石衬底一侧表面的阳极和阴极，通过范德华力方法对蓝光LED芯片41进行转印，且使蓝光LED芯片41的阳极对准LED电极21的LED正极，蓝光LED芯片41的阴极对准LED电极21的LED负极，随后进行加热焊接固晶，固定蓝光LED芯片41，之后将蓝光LED芯片41上的蓝宝石衬底通过激光进行剥离。
步骤140、形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件，其中，绿光有机发光器件与第一反射电极电连接，红光有机发光器件与第二反射电极电连接。
绿光有机发光器件的发光材料可以为绿光发光材料，以直接发出绿光，红光有机发光器件的发光材料可以为红光发光材料，以直接发出红光。在一优选实施例中，绿光有机发光器件和红光有机发光器件的发光材料均为黄光发光材料或者绿光发光材料和红光发光材料混合的发光材料，利用微腔效应分别发出绿光和红光，可避免使用精细金属掩膜版，降低器件制备成本，容易实现大尺寸；同时也不需要使用彩色滤光膜，避免经过彩色滤光膜后的光损失，提高器件效率。
本发明的技术方案中，同一像素单元所占区域中，绿色子像素区和红色子像素区分布在同一行，蓝色子像素区和绿色子像素区分布在分布在不同行，相邻的不同像素单元区域中同颜色子像素区相邻设置，大大减少了蓝光LED芯片转移的次数，从而提高了显示面板的制备效率、转移节拍以及良率。第一反射电极和第二反射电极用作和驱动背板连接的搭接电极，简化了器件结构和制作工艺，节省了生产成本。此外，本发明实施例采用蓝光LED芯片、绿光有机发光器件和红光有机发光器件分别形成显示面板的蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素，在制备显示面板的过程中，只需巨量转移蓝光LED芯片，相对于现有的制备全部由LED芯片形成的显示面板，本发明通过杂化LED芯片和OLED器件大大降低了LED芯片转移的数量以及次数，从而提高了显示面板的制备效率以及良率；而且，只有蓝色子像素采用LED芯片制备，从而改善了小尺寸的LED芯片造成的效率下降和光谱偏移的问题，降低显示面板白平衡调节的难度，改善了全彩色显示偏差的问题；同时，由于蓝光LED芯片相对于蓝光有机发光器件的使用寿命较长，因此，本发明采用蓝光LED芯片代替蓝光有机发光器件，提高了显示寿命；再者，由于红光LED芯片制备工艺比较繁琐，成本较高，同时倒装结构的红光LED芯片的效率也不高(正装结构的红光LED芯片无法实现芯片小型化)，因此，本发明采用红光有机发光器件形成红色子像素，可以提高显示面板的效率，降低成本。
可选地，参见图2，同一像素单元所占区域中,绿色子像素区2A和红色子像素区2B分布在同一行；蓝色子像素区2C和绿色子像素区2A分布在分布在不同行，在巨量转移蓝光LED芯片的过程中，大大减少了LED芯片转移的次数，从而提高了显示面板的制备效率、转移节拍以及良率。
可选地，在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极包括：在驱动背板上溅射一层反射电极层；采用光刻工艺对反射电极层进行图案化，形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极。
可选地，反射电极层包含银层、铝层或钼层的复合电极层。示例性的，反射电极层的材料可以为Ag、Al、Mo或者包含Ag、Al或Mo的复合电极层，优选Ag或者Al的高反射复合电极层，例如ITO/Ag/ITO或Al/TiNx复合电极层。
可选地，将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接包括：
在驱动背板上形成保护层并去除位于蓝色子像素区的保护层，且保护层完全覆盖第一反射电极和第二反射电极。
参见图6，在驱动背板1上形成保护层3并去除位于蓝色子像素区的保护层3，且保护层3完全覆盖第一反射电极22和第二反射电极23。具体方法如下：在驱动背板1上旋涂光刻胶，覆盖LED电极21、第一反射电极22和第二反射电极23；对位于蓝色子像素区的光刻胶进行曝光显影，去除位于蓝色子像素区的光刻胶。可选地，光刻胶采用瑞红RZJ304光刻胶，光刻胶的厚度为2um，曝光计量为8mJ，采用喷淋式显影60s。
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接。
参见图7，将蓝光LED芯片41转移至驱动背板1并将蓝光LED芯片41与LED电极21对应电连接。
本实施例在将蓝光LED芯片41转移至驱动背板1上的过程中，由于第一反射电极22和第二反射电极23等位于除蓝色子像素区之外的其他区域的结构受到保护层3的保护，不会受到转移蓝光LED芯片41时带来的损伤，因此，可有效保护显示面板的结构，提高显示面板的良率。
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接之后包括：
去除保护层。
参见图8，去除保护层3。基于上述步骤，保护层3为光刻胶保护层，将具有蓝光LED芯片41的显示面板放置脱膜槽脱模，采用50℃去胶液去胶2min，随后清洗，烘干。
可选地，将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接之前包括：
在第二反射电极上形成光学调节层。
参见图5，在第二反射电极23上形成光学调节层24。
光学调节层24的材料可以为透明非导电材料(SiO2，SiNx，SU8)和导电材料(ITO，AZO，ZTO，石墨烯)的复合层，例如SiNx/AZO,SiNX/石墨烯，其中，透明导电材料位于透明非导电材料远离驱动背板1的一侧，透明导电材料需和第二反射电极23电连接。
可选地，形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件包括：
形成像素定义层，像素定义层定义出蓝色发光区域、绿色发光区域和红色发光区域，且像素定义层露出蓝光LED芯片、第一反射电极的一部分和光学调节层的一部分。
参见图9，形成像素定义层5，像素定义层5定义出蓝色发光区域、绿色发光区域和红色发光区域，且像素定义层5露出第一反射电极22的一部分和光学调节层24的一部分。
形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件，其中，绿光有机发光器件与暴露出的第一反射电极电连接；红光有机发光器件与暴露出的光学调节层电连接。
参见图10，形成绿光有机发光器件42和红光有机发光器件43，其中，绿光有机发光器件42与暴露出的第一反射电极22电连接；红光有机发光器件43与暴露出的光学调节层24电连接。
本实施例的技术方案，第一反射电极22和第二反射电极23用作和驱动背板1连接的搭接电极，简化了器件结构和制作工艺，节省了生产成本。
可选地，形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件包括：
形成整层的黄光发光功能层和整层的阴极层，其中，黄光发光功能层至少包括发光层，且黄光发光功能层和阴极层覆盖蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区；
发光层距离第一反射电极的距离H，以及光学调节层的厚度Y,满足如下关系：
其中，λg为绿光中心波长，λr为红光中心波长；θg为绿光在第一反射电极和阴极层表面的反射相移之和，θr为红光在第二反射电极和阴极层表面的反射相移之和；m为模数；ng为由发光层至第一反射电极中所有材料在λg下的平均折射率，nr为由发光层至第二反射电极中所有材料在λr下的平均折射率，nY为光学调节层的折射率。
参见图10，形成整层的黄光发光功能层61和整层的阴极层62，其中，黄光发光功能层61至少包括发光层，且黄光发光功能层61和阴极层62覆盖蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区。
具体的，形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件时，将驱动背板1转移至OLED蒸镀腔室，采用第一open mask依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层(黄色发光层或者红色和绿光混合发光层)、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。采用第二open mask蒸镀半透明阴极层，将阴极层与蓝光LED芯片的阴极通过外围的引线连接在一起，作为显示屏的公共电极。
可选地，形成整层的黄光发光功能层和整层的阴极层之后还包括：在阴极层远离黄光发光功能层的一侧形成光学耦合层。
可选地，在光学耦合层远离阴极层的一侧可以制备封装层(可采用玻璃封装或者柔性薄膜封装)。
本发明实施例还提供了一种显示面板，采用本发明实施例提供的杂化结构的显示面板的制备方法制备，可参考图2和图10，显示面板包括：驱动背板1，驱动背板1包括蓝色子像素区2C、绿色子像素区2A和红色子像素区2B，其中，一蓝色子像素区2C、一绿色子像素区2A和一红色子像素区2B构成一像素单元所占区域，同一行像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列像素单元所占区域中，不同像素单元所述区域中同颜色子像素区相邻设置；LED电极21、第一反射电极22和第二反射电极23位于驱动背板1上，其中LED电极21位于蓝色子像素区，第一反射电极22位于绿色子像素区2A，第二反射电极23位于红色子像素区2B；蓝光LED芯片41，蓝光LED芯片41与LED电极21对应电连接；绿光有机发光器件42和红光有机发光器件43，绿光有机发光器件42与第一反射电极22电连接，红光有机发光器件43与第二反射电极23电连接。
本实施例提供的显示面板采用本发明任一实施例提供的杂化结构的显示面板的制备方法制备得到，具有对应的功能和有益效果。未在本实施例详尽描述的内容请参考上述实施例。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供驱动背板，所述驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区，其中，一所述蓝色子像素区、一所述绿色子像素区和一所述红色子像素区构成一像素单元所占区域，同一行所述像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列所述像素单元所占区域中，不同像素单元所述区域中同颜色子像素区相邻设置；
在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极，其中所述LED电极位于所述蓝色子像素区，所述第一反射电极位于所述绿色子像素区，所述第二反射电极位于所述红色子像素区；
将蓝光LED芯片转移至所述驱动背板并将所述蓝光LED芯片与所述LED电极对应电连接；
形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件，其中，所述绿光有机发光器件与所述第一反射电极电连接，所述红光有机发光器件与所述第二反射电极电连接。
2.根据权利要求1所述的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，
同一所述像素单元所占区域中，所述绿色子像素区和所述红色子像素区分布在同一行；所述蓝色子像素区和所述绿色子像素区分布在分布在不同行。
3.根据权利要求1所述的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极包括：
在所述驱动背板上溅射一层反射电极层；
采用光刻工艺对所述反射电极层进行图案化，形成所述LED电极、所述第一反射电极和所述第二反射电极。
4.根据权利要求3所述的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，所述反射电极层包含银层、铝层或钼层的复合电极层。
5.根据权利要求1的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接包括：
在驱动背板上形成保护层并去除位于蓝色子像素区的保护层，且保护层完全覆盖第一反射电极和第二反射电极；
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接；
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接之后包括：
去除所述保护层。
6.根据权利要求1所述的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，将蓝光LED芯片转移至所述驱动背板并将所述蓝光LED芯片与所述LED电极对应电连接之前包括：
在所述第二反射电极上形成光学调节层。
7.根据权利要求6所述的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件包括：
形成像素定义层，所述像素定义层定义出蓝色发光区域、绿色发光区域和红色发光区域，且所述像素定义层露出所述蓝光LED芯片、所述第一反射电极的一部分和所述光学调节层的一部分；
形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件，其中，绿光有机发光器件与暴露出的第一反射电极电连接；所述红光有机发光器件与暴露出的所述光学调节层电连接。
8.根据权利要求6所述的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件包括：
形成整层的黄光发光功能层和整层的阴极层，其中，所述黄光发光功能层至少包括发光层，且所述黄光发光功能层和所述阴极层覆盖所述蓝色子像素区、所述绿色子像素区和所述红色子像素区；
所述发光层距离所述第一反射电极的距离H，以及所述光学调节层的厚度Y,满足如下关系：
其中，λg为绿光中心波长，λr为红光中心波长；θg为绿光在所述第一反射电极和所述阴极层表面的反射相移之和，θr为红光在所述第二反射电极和所述阴极层表面的反射相移之和；m为模数；ng为由所述发光层至所述第一反射电极中所有材料在λg下的平均折射率，nr为由所述发光层至所述第二反射电极中所有材料在λr下的平均折射率，nY为所述光学调节层的折射率。
9.根据权利要求8所述的杂化结构的显示面板的制备方法，其特征在于，形成整层的黄光发光功能层和整层的阴极层之后还包括：
在所述阴极层远离所述黄光发光功能层的一侧形成光学耦合层。
10.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的杂化结构的显示面板的制备方法制备，所述显示面板包括：
驱动背板，所述驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区，其中，一所述蓝色子像素区、一所述绿色子像素区和一所述红色子像素区构成一像素单元所占区域，同一行所述像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列所述像素单元所占区域中，不同像素单元所述区域中同颜色子像素区相邻设置；
LED电极、第一反射电极和第二反射电极位于所述驱动背板上，其中所述LED电极位于所述蓝色子像素区，所述第一反射电极位于所述绿色子像素区，所述第二反射电极位于所述红色子像素区；
蓝光LED芯片，蓝光LED芯片与LED电极对应电连接；
绿光有机发光器件和红光有机发光器件，绿光有机发光器件与第一反射电极电连接，红光有机发光器件与第二反射电极电连接。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111710711A true CN111710711A (zh) | 2020-09-25 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202010746005.4A Pending CN111710711A (zh) | 2020-07-29 | 2020-07-29 | 杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板 |
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| CN (1) | CN111710711A (zh) |
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