CN116487332A - 驱动背板、显示面板及芯片转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种驱动背板、显示面板及芯片转移方法，该芯片转移方法包括如下步骤：在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构，其中，每个反射结构相对于驱动背板的衬底表面凸起地设置，反射结构具有相对于驱动背板的衬底表面倾斜的反射面；将带有反射结构的驱动背板与生长基板对位，使得反射结构与生长基板的像素间距位置相对；使用激光从生长基板背对驱动背板的一侧照射生长基板，使得生长基板上用于形成像素的芯片与生长基板的生长衬底脱离。该转移方法能防止激光剥离去除生长衬底时激光对驱动背板产生损伤，并提高激光剥离去除生长衬底的效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种驱动背板、显示面板及芯片转移方法。
背景技术
在直接采用生长基板与驱动背板对组贴合的芯片转移方法中(称作directbonding)，通常是在电极与驱动背板上的铟或锡绑定结合后，用激光剥离去除生长基板。由于激光剥离是bonding后进行的，在此过程中，激光会不可避免地照射到背板，使得背板上的线路或是有源层如(低温多晶硅LPTS)发生断裂或者晶体结构变化，导致显示异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种驱动背板、显示面板及芯片转移方法，以防止激光剥离去除生长衬底时激光对驱动背板产生损伤，并提高激光剥离去除生长衬底的效率。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
本发明一个方面的技术方案提出了一种芯片转移方法，该芯片转移方法包括如下步骤：
在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构，其中，每个所述反射结构相对于所述驱动背板的衬底表面凸起地设置，所述反射结构具有相对于所述驱动背板的衬底表面倾斜的反射面；
将带有所述反射结构的所述驱动背板与生长基板对位，使得所述反射结构与所述生长基板的像素间距位置相对；
使用激光从所述生长基板背对所述驱动背板的一侧照射所述生长基板，使得所述生长基板上用于形成像素的芯片与所述生长基板的生长衬底脱离。
根据本申请的一些技术方案，在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构的步骤，包括：
利用有机物在所述驱动背板的衬底表面制作出相对于所述驱动背板的衬底表面凸起的吸光衬底；
在所述吸光衬底的表面制作出覆盖所述吸光衬底的第一反光层，所述第一反光层背对所述吸光衬底的一侧的表面相对所述驱动背板的衬底表面倾斜以作为所述反射面。
根据本申请的一些技术方案，所述在所述吸光衬底的表面制作出覆盖所述吸光衬底的第一反光层的步骤之前，还包括：
对所述吸光衬底加工处理，使得所述吸光衬底的两侧均形成相对所述驱动背板的衬底表面倾斜的倾斜平面或倾斜凹面；
其中，所述在所述吸光衬底的表面制作出覆盖所述吸光衬底的第一反光层的步骤中，所述第一反光层至少覆盖所述倾斜平面或倾斜凹面。
根据本申请的一些技术方案，所述芯片包括外延层，所述生长衬底的对位面设置有多个外延层，相邻外延层之间形成所述像素间距，所述外延层远离所述生长衬底的一侧设有电极，其中，所述反射面相对所述驱动背板的衬底表面的倾斜角度为α，且满足以下关系式：
tan2α＝d1/h，
其中，h表示所述外延层靠近所述生长衬底的一侧与所述电极的端部之间的距离，d1表示所述外延层的宽度，d1大于所述像素间距的长度的一半。
根据本申请的一些技术方案，所述将带有所述反射结构的所述驱动背板与生长基板对位的步骤之前，还包括：
在所述生长基板的芯片的电极表面设置第二反光层。
根据本申请的一些技术方案，所述使用激光从所述生长基板背对所述驱动背板的一侧照射所述生长基板的步骤中，所述激光垂直照射所述生长基板。
本发明另一个方面的技术方案提出了一种驱动背板，包括：衬底；多个反射结构，多个所述反射结构在所述衬底的表面间距分布，每个所述反射结构相对于所述衬底的表面凸起地设置，所述反射结构具有相对于所述衬底的表面倾斜的反射面。
根据本申请的一些技术方案，所述反射结构包括：吸光衬底，所述吸光衬底相对于所述衬底的表面凸起；第一反光层，所述第一反光层覆盖在所述吸光衬底的表面，所述第一反光层背对所述吸光衬底的一侧的表面相对所述衬底的表面倾斜以作为所述反射面。
根据本申请的一些技术方案，所述吸光衬底具有底面和两侧面，所述底面结合于所述衬底的表面，两侧面分别相对所述底面倾斜设置，所述第一反光层覆盖于所述两侧面；
所述第一反光层背对所述吸光衬底的一侧的表面为平面或凹面。
本发明再一个方面的技术方案提出了一种显示面板，所述显示面板采用如上所述的芯片转移方法制成；或
所述显示面板包括驱动背板和多个芯片，所述驱动背板为如上所述的驱动背板，多个所述芯片间距分布地设在所述驱动背板的衬底表面，相邻所述芯片之间设有所述反射结构。
本发明的芯片转移方法在驱动背板与生长基板对位前，在驱动背板的衬底表面形成了多个反射结构，反射结构与生长基板上的像素间距位置对应且具有相对于衬底表面倾斜的反射面，在采用激光照射以去除生长基板的生长衬底时，反射面会将与像素间距位置对应的光线反射到生长衬底与芯片的接触位置，如此不仅可避免光线照射到驱动背板，防止激光对驱动背板产生结构损伤，还可以让反射光到达期望被照射的区域，以提高激光利用率和生长衬底的剥离效率，进而可减少生长衬底剥离时所需要激光能量，节约转移成本。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施例，本发明的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。
图1为本申请实施例的芯片转移方法的流程图。
图2为本申请实施例的芯片转移方法的结构示意图。
图3为本申请实施例的生长基板的结构示意图。
图4为本申请实施例的反射结构的制备流程图。
图5为本申请一种实施例的驱动背板与生长基板对接的结构示意图。
图6为本申请一种实施例的光线反射的示意图。
图7为本申请另一种实施例的驱动背板与生长基板对接的结构示意图。
图8为本申请实施例的光线在芯片电极上反射的示意图。
图9为本申请一种实施例的驱动背板的结构示意图。
图10为本申请另一种实施例的驱动背板的结构示意图。
附图标记说明如下：
1、驱动背板；11、衬底；111、基底层；112、线路层；12、绑定区；121、绑定点；2、反射结构；21、吸光衬底；211、底面；212、侧面；22、第一反光层；23、反射面；231、第一反射面；232、第二反射面；3、生长基板；31、生长衬底；32、芯片；321、外延层；322、电极；323、第二反光层；33、像素间距；341、第一芯片；342、第二芯片。
具体实施方式
尽管本发明可以容易地表现为不同形式的实施方式，但在附图中示出并且在本说明书中将详细说明的仅仅是其中一些具体实施方式，同时可以理解的是本说明书应视为是本发明原理的示范性说明，而并非旨在将本发明限制到在此所说明的那样。
由此，本说明书中所指出的一个特征将用于说明本发明的一个实施方式的其中一个特征，而不是暗示本发明的每个实施方式必须具有所说明的特征。此外，应当注意的是本说明书描述了许多特征。尽管某些特征可以组合在一起以示出可能的系统设计，但是这些特征也可用于其他的未明确说明的组合。由此，除非另有说明，所说明的组合并非旨在限制。
在附图所示的实施方式中，方向的指示(诸如上、下、内、外、左、右、前、后等)用于解释本发明的各种组件的结构和运动不是绝对的而是相对的。当这些组件处于附图所示的位置时，这些说明是合适的。如果这些组件的位置的说明发生改变时，则这些方向的指示也相应地改变。
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些示例实施方式使得本发明的描述将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本发明的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
实施例一
目前芯片通常在生长衬底上完成生长，形成具有至少一个像素的生长基板。比如常用的生长衬底有蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、砷化镓衬底、氮化铝衬底和氧化锌衬底等。大部分生长衬底，诸如蓝宝石衬底具有透光性，在将生长好的芯片转移至驱动背板上后，通过激光照射的方式剥离生长衬底。但在此过程中，激光会直接透过生长衬底照射到驱动背板上，驱动背板上铺设有大量线路，这些线路容易因受到激光的照射而损坏，同时，驱动背板上的有源层(如低温多晶硅)受到激光照射会发生断裂或者晶体结构变化，导致显示异常。
为此，本申请提供一种芯片转移方法，该芯片转移方法用于直接将生长制备完成的芯片与驱动背板进行结合(称作direct bonding)，示例性的，芯片的电极通过驱动背板上的铟或锡(In/Sn)点熔融再冷却，而实现将芯片绑定(bonding)在驱动背板上，之后通过激光将生长衬底剥离(LLO)，使得芯片脱离生长衬底而保留在驱动背板上，从而完成转移，该转移方法相较于传统的借助暂态基板进行芯片转移的方法，步骤简单、效率高且成本低。
在一些实施例中，如图3所示，生长基板3包括生长衬底31和间隔分布在生长衬底31上的两个或两个以上像素，相邻像素之间具有间隔区域。示例性地，如图3所示，每个像素包括一个芯片32，实现单色发光。应当理解的是，每个像素也可以包括三个芯片32，分别为红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，三个芯片间距分布，实现全彩发光。当然，每个像素还可以包括四个芯片或更多的芯片，以提升像素的色彩饱和。
其中，芯片32包括但不限于LED(light-emitting diode，发光二极管)芯片，LED芯片具体可包括但不限于Micro-LED芯片，Mini-LED(Mini light-emitting diode，次毫米发光二极管)芯片等。应当说明的是，本实施例的芯片除LED芯片以外，还可以是其他类型的芯片，只要是设于生长衬底31上(包括但不限于直接生长在衬底上，或后续设置于衬底上)，并需要从生长衬底31上剥离的芯片，均可以为本实施例的芯片。
参阅图1所示，该芯片转移方法包括如下步骤：
步骤S101：在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构2，其中，每个反射结构2相对于驱动背板的衬底表面凸起地设置，反射结构2具有相对于驱动背板的衬底表面倾斜的反射面23。
结合图2中的(a)所示，多个凸起设置的反射结构2在驱动背板的衬底表面间距分布，当采用生长基板3与驱动背板直接对位的方式转移芯片32至驱动背板上后，在采用激光照射剥离生长衬底31时，向着生长基板3的像素间距33的位置(即相邻像素之间的间隔区域)照射的光线会经过反射结构2而发生反射，具体是经倾斜的反射面23的反射而改变光的传播路径，使其至少部分光线会自像素间距33向着芯片32与生长衬底31的连接处的方向发生反射。因此，不仅可以降低光线照射到驱动背板，保证驱动背板上的线路和有源层不受损害，还能够使得激光器发出的光线向着芯片32与生长衬底31的连接处聚集，使得与像素间距33位置对应的该部分激光被二次利用，从而可提高激光利用率和生长衬底31剥离效率，进而可以减少激光的能量，节约成本。
详细举例地，结合图2中的(a)所示，驱动背板具有间隔分布的多个绑定区12，每个绑定区12与生长基板3上的像素一一对应，每个绑定区12包括一组绑定点121，每组绑定点121包括由锡或铟制成的两个绑定点121，对应芯片32上的两个电极322，反射结构2位于相邻绑定区12的间隔之处。其中，反射结构2可由对光线具有反射作用的任意一种或多种合适材料通过蒸镀、化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂以及喷墨打印等方法制成，例如金属材料，包括但不限于银、铝等，银、铝等金属材料对光线的反射效率较高，而且熔点高，不易被光照熔融，使用过程中可保持稳定形态，有助于维持驱动背板的结构形态，使显示面板正常工作。
步骤S102：将带有反射结构2的驱动背板与生长基板3对位，使得反射结构2与生长基板3的像素间距33位置相对。
结合图2中的(b)所示，在驱动背板完成反射结构2的制备后，将带有芯片32的生长衬底31倒扣在驱动背板上，通过熔融锡或铟使得每个绑定区12的一个绑定点121与芯片32的正极对位连接，另一个绑定点121与芯片32的负极对位连接，以将生长基板3上的芯片32固定于驱动背板的绑定区12，并使得驱动背板上的反射结构2与生长基板3的像素间距33位置相对。其中，生长基板3上具有纵向和横向排布的多个像素，各相邻像素之间均位置对应地具有一反射结构2。
其中，生长基板3的制备可通过在生长衬底31上制备间隔排布的多个外延层321后，在各外延层321背离生长衬底31的一侧安装电极322，获得具有间隔排布的像素的生长基板3，或者是在生长衬底31上整层制备外延层321后，将该整层外延层321进行分割，然后在分割后的外延层321的背离生长衬底31的一侧安装电极322，获得具有间隔排布的像素的生长基板3。
步骤S103：使用激光从生长基板3背对驱动背板的一侧照射生长基板3，使得生长基板3上用于形成像素的芯片32与生长基板3的生长衬底31脱离。
举例地，如图2中的(c)所示，在生长衬底31背离驱动背板的一侧设置有激光光源，通过激光光源向生长衬底31发射激光，与像素对应的激光在穿过生长衬底31后，在蓝宝石/GaN界面形成局部高温，分解气化GaN材料，使得芯片32脱离与生长衬底31的连接，如此可以将生长衬底31与芯片32分离，而与像素间距33对应的激光在穿过生长衬底31后照射到反射结构2上，在反射面23的反射作用下，这部分激光发生反射而不能到达驱动背板，并且这部分激光的至少部分发生反射而达到生长基板3的像素区，即至少部分反射光照射到芯片32与生长基板3的连接处，如此在防止光线照射到驱动背板的同时引导激光向生长基板3上的像素聚集，提升激光利用率。
之后，如图2中的(d)所示，将生长衬底31剥离，即完成芯片向驱动背板的转移。
参阅图4和图2所示，为了更好的防止光线照射到驱动背板，在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构2的步骤，包括：
步骤S201：利用有机物在驱动背板的衬底表面制作出相对于驱动背板的衬底表面凸起的吸光衬底21。吸光衬底21赋予反射结构2吸光特性，防止照射到反射结构2上的一些光线会穿过反射面23而照射到驱动背板。示例性地，吸光衬底21可由对光线具有吸收作用和遮蔽作用的任意一种或多种合适材料通过通过蒸镀、化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂以及喷墨打印等方法沉积而成。更详细举例地，可由黑色聚酰亚胺(PI)或黑色聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制成，如此，在光线可能会穿过反射面23后，吸光衬底21可防止该穿过反射面23的光线照射驱动背板，并吸收掉该部分光线，进一步提升对驱动背板的保护效果。
步骤S202：在吸光衬底21的表面制作出覆盖吸光衬底21的第一反光层22，第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面相对驱动背板的衬底表面倾斜以作为反射面23。示例性地，第一反光层22为金属反光层，通过在吸光衬底21的表面电镀银或铝等金属形成第一反光层22，第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面相对于驱动背板的衬底表面倾斜设置以作为反射结构2的反射面23。当光线照射到反射结构2后，光线在反射面23上发生发射而改变光线传输路径，此时，若有部分光线没有被反射而穿透了第一反光层22，吸光衬底21吸收该部分光线，有效避免光线到达驱动背板。
为了更便捷地制备第一反光层22，在吸光衬底21的表面制作出覆盖吸光衬底21的第一反光层22的步骤之前，还包括：
对吸光衬底21加工处理，使得吸光衬底21的两侧均形成相对驱动背板的衬底表面倾斜的倾斜平面或倾斜凹面，如此，在吸光衬底21的表面制作出覆盖吸光衬底21的第一反光层22的步骤中，第一反光层22至少覆盖倾斜平面或倾斜凹面。
示例性地，可利用有机物在驱动背板的衬底表面制作出具有预设形状(例如垂直于驱动背板衬底表面的横截面为方形或圆形等)的吸光衬底21前体，然后对该吸光衬底21前体进行切割打磨或蚀刻，使得吸光衬底21的两侧具有如图5所示的倾斜平面或如图7所示的倾斜凹面，然后在倾斜平面或倾斜凹面上采用溅射、蒸镀、化学气相沉积、喷墨打印等方法覆设反光材料，在一些优选的示例中，反光材料沿吸光衬底21的轮廓随形设置，获得反射面23呈倾斜平面或倾斜凹面的反射结构2。
应当理解的是，在另一些示例中，利用能够形成两侧具有倾斜平面或倾斜凹面的膜具直接在驱动背板的衬底表面制作出上述吸光衬底21。
其中，为保证反射效果以及提升对光线的二次利用率，对反射结构2的设置位置、反射结构2的形状、反射面23的角度以及反射面23的表面形态进行了针对性设计，以使得与像素间距33对应的那部分光线尽可能多的反射到芯片32与生长衬底31的接触区域。
示例性地，请参阅图5，反射结构2垂直于驱动背板的衬底表面的横截面为三边形，该三边形的两侧边为反射面23，如此设置，使得反射结构2的各个入光面相对驱动背板的衬底表面均为斜面，保证了反射效果。详细举例地，吸光衬底21垂直于驱动背板的衬底表面的横截面为三边形，包括底面211和两侧面212，其底面211与驱动背板的衬底表面相结合，第一反光层22设置在吸光衬底21的两侧面212上。更详细举例地，吸光衬底21垂直于驱动背板的衬底表面的横截面为等腰三角形，第一反光层22设置在等腰三角形的两腰上。
进一步地，在一些优选的实施例中，请参阅图5，反射结构2的顶点与相邻像素的正中间位置对应，且反射结构2在生长衬底31上的正投影与像素间距33在生长衬底31上的正投影重合，也就是说，两个像素位置对称地分布在反射结构2的顶点两侧，且反射结构2在生长衬底31上的正投影的边缘覆盖相邻像素的边缘，如此可以保证被反射面23反射后的激光边缘在像素边缘。其中，可以是吸光衬底21的底边的长度等于两像素之间的距离，第一反光层22厚度较小而可以忽略其对反射结构2的截面积的影响。也可以是第一反光层22靠近驱动背板的一端的背对吸光衬底21的相对两表面之间的距离等于两像素之间的距离。
详细举例地，如图6所示，在驱动背板与生长基板3对位后，反射结构2位于第一芯片341和第二芯片342之间，包括第一反射面231和第二反射面232，射入到第一反射面231上边缘处的光线反射后所形成的反射光对应地照射到第一芯片341的右边缘与生长衬底31的连接处，射入到第一反射面231下边缘处的光线反射后所形成的反射光对应地照射到第一芯片341的左边缘与生长衬底31的连接处，相对应地，射入到第二反射面232上边缘处的光线反射后所形成的反射光对应地照射到第二芯片342的左边缘与生长衬底31的连接处，射入到第二反射面232下边缘处的光线反射后所形成的反射光对应地照射到第二芯片342的右边缘与生长衬底31的连接处。
应当理解的是，在另一些优选的实施例中，反射结构2的顶点与相邻像素的正中间位置对应，且反射结构2在生长衬底31上的正投影覆盖像素间距33在生长衬底31上的正投影，这样可以保证有足够多的光线会照射在芯片32与生长衬底31的连接处。
在一些实施例中，如图6所示，芯片32包括外延层321，生长衬底31用于对位驱动背板的对位面设置有多个外延层321，相邻外延层321之间形成像素间距33，外延层321远离生长衬底31的一侧设有电极322，其中，反射面23相对驱动背板的衬底表面的倾斜角度为α，且满足关系式tan2α＝d1/h，其中，h表示所述外延层321靠近生长衬底31的一侧与所述电极322的端部之间的距离，d1表示所述外延层321的宽度，d1大于所述像素间距33的长度的一半。通过优化反射面23的倾斜角度，可以保证反射后激光边缘在芯片32边缘，使得反射光线尽可能多的被二次利用。其中，优选反射面23为倾斜平面。
其中，对于倾斜角度α，当第一反光层22厚度较小而可以忽略其对反射结构2的截面积的影响时，反射面23的倾斜角度α可视为是吸光衬底21的侧边相对驱动背板的衬底表面的倾斜角度，也即为吸光衬底21的侧边与其底边之间的夹角。而当第一反光层22具有足够的厚度时，反射面23的倾斜角度α可视为是第一反光层22的背朝吸光衬底21的表面相对驱动背板的衬底表面的倾斜角度。
在另一些实施例中，如图7所示，若d1小于或等于所述像素间距33的长度的一半时，也就是外延层321的宽度小于或等于两芯片32之间的距离的一半时，为保证反射后激光边缘在像素边缘，将反射面23设置为倾斜凹面，此时使得反射后的激光有一定聚集性，反射光会尽可能的照射到芯片32和生长衬底31的接触位置上，从而进一步提高激光利用率。其中，可以是第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面为凹弧状，也可以是如图7所示的第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面和吸光衬底21朝向第一反光层22的两侧边的表面均为凹弧状。
为了防止反射光照射到芯片32电极322可能导致的芯片32电极322的损伤，在将带有反射结构2的驱动背板与生长基板3对位的步骤之前，还包括在生长基板3的芯片32的电极322表面设置第二反光层323。举例地，第二反光层323可由对光线具有反射作用的任意一种或多种合适材料通过蒸镀、化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂以及喷墨打印等方法覆设在电极322的侧表面上，例如金属材料，包括但不限于银、铝等。第二反光层323可使照射到电极322上的反射光进一步向靠近生长衬底31的方向反射，从而避免电极322损伤(如图8所示)。其中，第二反光层323的端部到外延层321的距离等于电极322的端部到外延层321的距离，即第二反光层323覆盖电极322的侧表面。
在一些实施例中，使用激光从生长基板3背对驱动背板的一侧照射生长基板3的步骤中，激光垂直照射生长基板3，如此配合倾斜设置的反射面23，保证光线经反射结构2反射后尽可能多地反射到芯片32与生长衬底31的连接处。
本发明的芯片转移方法在驱动背板与生长基板3对位前，在驱动背板的衬底表面形成了多个反射结构2，反射结构2与生长基板3上的像素间距33位置对应且具有相对于衬底表面倾斜的反射面23，在采用激光照射以去除生长基板3的生长衬底31时，反射面23会将与像素间距33位置对应的光线反射到生长衬底31与芯片32的接触位置，如此不仅可避免光线照射到驱动背板，防止激光对驱动背板产生结构损伤，还可以让反射光到达期望被照射的区域，以提高激光利用率和生长衬底31的剥离效率，进而可减少生长衬底31剥离时所需要激光能量，节约转移成本。
实施例二
结合图9和图10，本实施例提供了一种驱动背板1，该驱动背板1包括衬底11和多个反射结构2，多个反射结构2在衬底的表面间距分布，每个反射结构2相对于衬底11的表面凸起地设置，且具有相对于衬底11的表面倾斜的反射面23。在直接采用驱动背板与生长制备完成的芯片32进行结合(称作direct bonding)的芯片转移中，该驱动背板1通过设置于其衬底11上的反射结构2可引导光线更多的到达期望被照射的区域，而避免光线照射其衬底，以此实现防止激光剥离生长基板3时导致的驱动背板1损伤，并提升激光利用率。
结合图9所示，衬底11包括基底层111和覆设在基底层111上的线路层112，反射结构2形成在线路层112背对基底层111的一侧，在需要将生长基板3上的芯片32转移到该驱动背板1上时，将驱动背板1与生长基板3对位，反射结构2会与生长基板3的像素间距33位置相对。之后，当采用激光照射的方式剥离生长基板3的生长衬底31时，向着生长基板3的像素间距33的位置(即相邻像素之间的间隔区域)照射的光线会经过反射结构2而发生反射，具体是经倾斜的反射面23的反射而改变光的传播路径，使其至少部分光线会自像素间距33向着芯片32与生长衬底31的连接处的方向发生反射。因此，通过设置反射结构2，不仅可以降低光线照射到衬底11，保证衬底11上的线路和有源层不受损害，还能够使得激光器发出的光线向着芯片32与生长衬底31的连接处聚集，使得与像素间距33位置对应的该部分激光被二次利用，从而可提高激光利用率和生长衬底31剥离效率，进而可以减少激光的能量，节约成本。
详细举例地，结合图9所示，驱动背板1的衬底11具有间隔分布的多个绑定区12，每个绑定区12与生长基板3上的像素一一对应，每个绑定区12包括一组绑定点121，每组绑定点121包括由锡或铟制成的两个绑定点121，对应芯片32上的两个电极322，反射结构2位于相邻绑定区12的间隔之处。其中，反射结构2可由对光线具有反射作用的任意一种或多种合适材料通过蒸镀、化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂以及喷墨打印等方法制成，例如金属材料，包括但不限于银、铝等，银、铝等金属材料对光线的反射效率较高，而且熔点高，不易被光照熔融，使用过程中可保持稳定形态，有助于维持驱动背板1的结构形态，使显示面板正常工作。
参阅图9所示，为了更好的防止光线照射到衬底11，反射结构2包括吸光衬底21和第一反光层22，吸光衬底21将赋予反射结构2吸光特性，防止照射到反射结构2上的一些光线会穿过反射面23而照射到衬底11。示例性地，吸光衬底21可由对光线具有吸收作用和遮蔽作用的任意一种或多种合适材料通过通过蒸镀、化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂以及喷墨打印等方法沉积在衬底11的表面而制成，其相对于衬底11的表面凸起。更详细举例地，吸光衬底21可由黑色聚酰亚胺(PI)或黑色聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制成，如此，在光线可能会穿过反射面23后，吸光衬底21可防止该穿过反射面23的光线照射衬底，并吸收掉该部分光线，进一步提升对衬底11的保护效果。
示例性地，第一反光层22为金属反光层，其通过在吸光衬底21的表面电镀银或铝等金属形成，且第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面相对于衬底的表面倾斜设置以作为反射结构2的反射面23。当光线照射到反射结构2后，光线在反射面23上发生发射而改变光线传输路径，此时，若有部分光线没有被反射而穿透了第一反光层22，吸光衬底21会吸收该部分光线，有效避免光线到达衬底11。
参阅图5、图9和图10所示，吸光衬底21具有底面211和两侧面212，底面211结合于衬底的表面，两侧面212分别相对所述底面211倾斜设置，第一反光层22覆盖于两侧面212上，其中，第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面为平面或凹面，从而形成相对于衬底的表面倾斜的反射面23，该反射面23为倾斜平面或倾斜凹面。
其中，通过对反射面23的倾斜角度以及表面形态进行针对性设计，可精细地调整反射光的出光方向，使其更多地照射到芯片32与生长衬底31的接触区域，以提升二次利用率。
详细举例地，若两像素间距33较小，例如如图9所示的两芯片32间距的一半(d2)小于芯片32的外延层321的宽度(d1)，此时反射面23为倾斜平面，其中，反射面23相对衬底的表面的倾斜角度为α，且α满足关系式tan2α＝d1/h，式中，h表示所述外延层321靠近生长衬底31的一侧与所述电极322的端部之间的距离，通过优化反射面23的倾斜角度，可以保证反射后激光边缘在芯片32边缘，使得反射光线尽可能多的被二次利用。
若两像素间距33较大，例如如图10所示的两芯片32间距的一半(d2)大于或等于芯片32的外延层321的宽度(d1)，此时反射面23为倾斜凹面，将其配置为凹面可使得反射后的激光有一定聚集性，反射光会尽可能的照射到芯片32和生长衬底31的接触位置上，从而进一步提高激光利用率。其中，可以是第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面为凹弧状，也可以是第一反光层22背对吸光衬底21的一侧的表面和吸光衬底21朝向第一反光层22的两侧边的表面均为凹弧状。凹弧的弧度根据外延层321的宽度、两芯片32之间的距离、外延层321靠近生长衬底31的一侧与所述电极322的端部之间的距离以及反射结构2的尺寸等具体确定，本发明不予以限制。
进一步地，在一些优选的实施例中，请参阅图9和图10，反射结构2的顶点与相邻像素的正中间位置对应，且反射结构2在生长衬底31上的正投影与像素间距33在生长衬底31上的正投影重合或反射结构2在生长衬底31上的正投影覆盖像素间距33在生长衬底31上的正投影，如此可以保证被反射面23反射后的激光边缘在像素边缘。
本发明的驱动背板1通过设置反射结构2，利用该反射结构2可将与生长基板3上的像素间距33位置对应的光线反射到生长衬底31与芯片32的接触位置，如此不仅可避免光线照射到驱动背板1的衬底11，防止激光对衬底11产生结构损伤，还可以让反射光到达期望被照射的区域，以提高激光利用率和生长衬底31的剥离效率，进而可减少生长衬底31剥离时所需要激光能量，节约转移成本。
关于驱动背板1的其他结构，请参照实施例一，此处不再赘述。
实施例三
本实施例提供一种显示面板，该显示面板根据实施例一中的芯片转移方法制成或包括实施例二中的驱动背板，其中，显示面板可运用于手机、电脑、车载显示器、电子广告牌中等。
详细举例地，该显示面板包括驱动背板1和多个芯片32，多个芯片32间距分布地设在驱动背板1的衬底11表面，每个芯片32的电极322与衬底表面的绑定点121固定连接，相邻芯片32之间设有反射结构2。
关于显示面板的其他结构，请参照实施例一和实施例二，此处不再赘述。
虽然已参照几个典型实施方式描述了本申请，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本申请能够以多种形式具体实施而不脱离实施例的精神或实质，所以应当理解，上述实施方式不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构，其中，每个所述反射结构相对于所述驱动背板的衬底表面凸起地设置，所述反射结构具有相对于所述驱动背板的衬底表面倾斜的反射面；
将带有所述反射结构的所述驱动背板与生长基板对位，使得所述反射结构与所述生长基板的像素间距位置相对；
使用激光从所述生长基板背对所述驱动背板的一侧照射所述生长基板，使得所述生长基板上用于形成像素的芯片与所述生长基板的生长衬底脱离。
2.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构的步骤，包括：
利用有机物在所述驱动背板的衬底表面制作出相对于所述驱动背板的衬底表面凸起的吸光衬底；
在所述吸光衬底的表面制作出覆盖所述吸光衬底的第一反光层，所述第一反光层背对所述吸光衬底的一侧的表面相对所述驱动背板的衬底表面倾斜以作为所述反射面。
3.根据权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在所述吸光衬底的表面制作出覆盖所述吸光衬底的第一反光层的步骤之前，还包括：
对所述吸光衬底加工处理，使得所述吸光衬底的两侧均形成相对所述驱动背板的衬底表面倾斜的倾斜平面或倾斜凹面；
其中，所述在所述吸光衬底的表面制作出覆盖所述吸光衬底的第一反光层的步骤中，所述第一反光层至少覆盖所述倾斜平面或倾斜凹面。
4.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，
所述芯片包括外延层，所述生长衬底的对位面设置有多个外延层，相邻外延层之间形成所述像素间距，所述外延层远离所述生长衬底的一侧设有电极，其中，所述反射面相对所述驱动背板的衬底表面的倾斜角度为α，且满足以下关系式：
tan2α＝d1/h，
其中，h表示所述外延层靠近所述生长衬底的一侧与所述电极的端部之间的距离，d1表示所述外延层的宽度，d1大于所述像素间距的长度的一半。
5.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将带有所述反射结构的所述驱动背板与生长基板对位的步骤之前，还包括：
在所述生长基板的芯片的电极表面设置第二反光层。
6.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，
所述使用激光从所述生长基板背对所述驱动背板的一侧照射所述生长基板的步骤中，所述激光垂直照射所述生长基板。
7.一种驱动背板，其特征在于，包括：
衬底；
多个反射结构，多个所述反射结构在所述衬底的表面间距分布，每个所述反射结构相对于所述衬底的表面凸起地设置，所述反射结构具有相对于所述衬底的表面倾斜的反射面。
8.根据权利要求7所述的驱动背板，其特征在于，所述反射结构包括：
吸光衬底，所述吸光衬底相对于所述衬底的表面凸起；
第一反光层，所述第一反光层覆盖在所述吸光衬底的表面，所述第一反光层背对所述吸光衬底的一侧的表面相对所述衬底的表面倾斜以作为所述反射面。
9.根据权利要求8所述的驱动背板，其特征在于，
所述吸光衬底具有底面和两侧面，所述底面结合于所述衬底的表面，两侧面分别相对所述底面倾斜设置，所述第一反光层覆盖于所述两侧面；
所述第一反光层背对所述吸光衬底的一侧的表面为平面或凹面。
10.一种显示面板，其特征在于，
所述显示面板采用如权利要求1至6中任一项所述的芯片转移方法制成；或
所述显示面板包括驱动背板和多个芯片，所述驱动背板为权利要求7至9中任一项所述的驱动背板，多个所述芯片间距分布地设在所述驱动背板的衬底表面，相邻所述芯片之间设有所述反射结构。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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