CN113410390A - 一种钙钛矿/perc两端叠层电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明具体涉及一种钙钛矿/PERC两端叠层电池及其制备方法。该电池包括底电池PERC晶硅电池和顶电池钙钛矿太阳能电池，所述顶电池钙钛矿太阳能电池中NiOx空穴层由以下制备方法获得：取六水合硝酸镍溶于乙二醇中配制NiOx前驱体溶液，然后加入乙二胺，常温搅拌，得到深蓝色溶液，之后过滤得备用滤液，最后将所述滤液旋涂在底电池PERC晶硅电池表面的导电基底层上，并退火处理得到NiOx薄膜构成的NiOx空穴层。本发明制备的两端叠层电池中NiOx空穴层透光性、导电性更好，有效解决了目前叠层电池效率低的问题，且本发明制备方法简单、成本低，有利于实现大规模、商业化生产。
Description
技术领域
本发明属于薄膜太阳能电池材料及器件领域，具体涉及一种钙钛矿/PERC两端叠层电池及其制备方法。
背景技术
目前，晶体硅太阳能电池占据光伏市场的95％，预计未来几十年硅太阳能电池仍是主导的光伏器件。为了更好地利用光谱范围，实现更高的光电转换效率，可以在硅电池上叠加宽带系材料构成叠层电池，最大限度的利用太阳能，提高太阳能电池的效率。将钙钛矿电池与硅电池叠合起来，利用两者不同的带隙实现对不同太阳光光谱的吸收。硅的带隙为1.12eV，可吸收波长小于1100nm的光子，上侧的宽带隙钙钛矿太阳能电池用来吸收短波长的光，而波长较长的光能够透射进去让窄带隙的硅太阳能电池吸收，这就最大限度地将光能变成电能，大大地提高了太阳光谱的利用率、电池的性能和稳定性。
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池在这些年发展迅速，其光电转换效率从2009年的3.8％提升现在的25.2％。且钙钛矿具有带隙可调等优势，可以充分配合底部硅电池，达到更好的光电转换效率。
目前叠层电池主要分为四端叠层和两端叠层。四端叠层电池是将钙钛矿电池和硅电池两个单独的电池通过压力叠加在一起。四端叠层制备方法较复杂、成本高，而且电池效率较低。两端叠层电池是将钙钛矿电池直接旋涂在硅底电池上，通过中间的透明导电层连接在一起，形成串联电池，两电池只有顶部和底部两个电极。两端叠层制备方法简单，器件电流泄漏较少，器件效率具有较大的潜力，有望达到效率极限。但目前叠层电池的效率仍然较难有大的突破，这是因为顶点池效率较低的原因，因此需要对顶点池的制备方法进行进一步优化处理。
现有的钙钛矿/硅叠层电池中反式钙钛矿结构中NiOx具有成本低、稳定性好、带隙匹配等优点，但关于NiOx的制备方法目前仍有较大争议，目前常用溶胶凝胶法和纳米氧化镍分散液来制备NiOx薄膜，这两种方法制备的NiOx薄膜透光性较差，并且本身NiOx薄膜导电性差，所以器件效率较难有大的突破。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种钙钛矿/PERC两端叠层电池。该两端叠层电池中NiOx空穴层透光性、导电性更好，有效解决了目前叠层电池效率低的问题，且本发明制备方法简单、成本低，有利于实现大规模、商业化生产。
本发明采取的技术方案具体如下：
一种钙钛矿/PERC两端叠层电池，包括底电池PERC晶硅电池和顶电池钙钛矿太阳能电池，所述顶电池钙钛矿太阳能电池中NiOx空穴层由以下制备方法获得：
取六水合硝酸镍溶于乙二醇中配制NiOx前驱体溶液，然后加入乙二胺，常温搅拌，得到深蓝色溶液，之后过滤得备用滤液，最后将所述滤液旋涂在底电池PERC晶硅电池与顶电池钙钛矿太阳能电池之间的导电基底层上，并退火处理得到NiOx薄膜构成的NiOx空穴层。
进一步方案，所述底电池PERC晶硅电池的结构从下至上依次为：Ag电极层，Al电极层，SiNx层，Al2O3层，SiO2层，P型硅光吸收层，所述P型硅光吸收层紧邻的两侧分别是形成电势差的N型掺杂层和P型掺杂层。
进一步方案，所述顶电池钙钛矿太阳能电池的结构从下至上依次为：NiOx空穴传输层，MA0.85FA0.15PbI3光吸收层，PCBM电子传输层，BCP副电子层，Ag电极层。
进一步方案，在所述顶电池钙钛矿太阳能电池中，所述NiOx空穴层的厚度为30～70nm，所述MA0.85FA0.15PbI3光吸收层的厚度为300～500nm，所述PCBM电子传输层的厚度为40～70nm，所述BCP副电子层的厚度为10～40nm，所述Ag电极的厚度为100～120nm。
进一步方案，所述NiOx前驱体溶液浓度为1±0.1mol/mL，所述乙二胺的加入量与六水合硝酸镍的质量比为(4～5):1。
进一步方案，所述退火处理操作为120±5℃退火10±2min后，450±5℃下退火60±5min。
本发明的另一个目的是提供一种钙钛矿/PERC两端叠层电池的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，将原始PERC晶硅电池最上层的SiO2表层刻蚀除去以形成所述底电池PERC晶硅电池；
步骤2，在所述底电池PERC晶硅电池的刻蚀表面溅射FTO或IZO形成导电基底层，然后在所述导电基底层上依次通过旋涂方式制备形成顶电池钙钛矿太阳能电池的NiOx空穴层、MA0.85FA0.15PbI3光吸收层，PCBM电子传输层，BCP副电子层，之后通过真空蒸镀在BCP副电子层表面形成Ag电极层，最后制得所述钙钛矿/PERC两端叠层电池；
所述NiOx空穴层制备方法为：取六水合硝酸镍溶于乙二醇中配制NiOx前驱体溶液，然后加入乙二胺，常温搅拌，得到深蓝色溶液，之后过滤得备用滤液，最后将所述滤液旋涂在所述导电基底层上，并退火处理得到NiOx薄膜构成的NiOx空穴层。
进一步方案，所述刻蚀操作为将氢氟酸稀释到去离子水中配置弱酸溶液，所述氢氟酸与去离子水质量比为1:(9.5～10.5)，然后将弱酸溶液滴加到原始PERC晶硅电池最上层的SiO2表层上，待所述SiO2表层完全刻蚀掉，用无水乙醇将该电池表面清洗干净，随后用氮气吹干该电池表面，并将该电池放置到预热为100±5℃的加热台上加热4～6min，使得无水乙醇充分挥发。
进一步方案，所述NiOx前驱体溶液浓度为1±0.1mol/mL，所述乙二胺的加入量为为与六水合硝酸镍的质量比为(4～5):1；所述退火处理操作为120±5℃退火10±2min后，450±5℃下退火60±5min。
进一步方案，所述MA0.85FA0.15PbI3光吸收层制备方法为：将MAI、FAI、PbI2溶于DMF和DMSO溶剂中70±5℃搅拌2±0.5h，得到MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，其中MAI、FAI、PbI2、DMF、DMSO的质量比为(182～184):(34～35):(622～625)：(3.8～4.2):1，然后在NiOx空穴层上旋涂所述MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，旋涂过程中用乙酸乙酯作反溶剂，最后放置在120±5℃的加热台上干燥20±2min，即得到MA0.85FA0.15PbI3光吸收层；
所述PCBM电子传输层制备：将PCBM粉末溶于氯苯中配制18～22mg/ml的PCBM前驱体溶液，搅拌5～6h，然后在所述MA0.85FA0.15PbI3光吸收层表面旋涂所述PCBM前驱体溶液，即得到PCBM电子传输层；
所述BCP副电子层制备：将BCP粉末溶于异丙醇中，配制1±0.2mg/ml的前驱体溶液，65±5℃搅拌2±0.5h，然后在PCBM电子传输层表面旋涂所述BCP前驱体溶液，即得到BCP副电子层。
本发明取得的技术效果为：
(1)本发明制备的NiOx薄膜与其他方法相比透光性、导电性更好，这是因为良好的透光性使得更多的太阳光可以透过基底被下层的钙钛矿层吸收，从而提高了电子空穴对产生的数目，导电性好有利于空穴快速传输至电极，减少了界面处电子空穴复合，使得光电转换效率提高。基于本发明方法的钙钛矿太阳能电池层的吸光性也更好，这表明本发明制备的NiOx性能最好，可以有效解决目前叠层电池效率低的问题。同时本发明制备的NiOx薄膜所需成本很低，解决了传统钙钛矿太阳能电池中空穴传输层成本高的问题，例如Spiro-OMeTAD、PTAA、PEDOT:PSS等，可以减少生产成本、提高适用性。
(2)本发明制备的钙钛矿/PERC两端叠层电池与现有技术相比，解决了效率低，成本高的问题，同时本发明制备的钙钛矿/PERC两端叠层电池稳定性较好，有利于电池的商业化生产，并且所有的制备过程突破了昂贵设备及繁琐的手套箱操作，在大气条件下即可制备完成，可加工性强。
(3)本发明所述底电池PERC晶硅电池中，采用Al2O3和SiNx膜对P型Si表面进行钝化。Al2O3具有较高的电荷密度，可以实现较好的钝化效果，减少电池背面的缺陷，电子空穴复合减少，提高开路电压和短路电流，从而提高整体PERC晶硅电池的效率。Al2O3和SiNx膜结构作为背反射器，还增加硅基体对长波的吸收，同时有效减少电池片的翘曲，并且在PERC晶硅电池表面旋涂一层磷源形成n+型发射极，PERC晶硅电池才具有导通的能力。
(4)本发明所述燃烧法制备的NiOx与另外两种方法相比成本低，制备方法简单。NiOx前驱体中加入微量乙二胺作氧化剂，促进了六水合硝酸镍的溶解性。本发明中的钙钛矿层采用MA0.85FA0.15PbI3体系，与NiOx带隙匹配性更好，有利于空穴传输。同时用BCP副电子层处理，一方面可以钝化PCBM电子层，另一方面BCP本身也可作为电子传输层，可以促进电子提取能力，确保钙钛矿/PERC两端叠层电池具有更高的电池效率。
附图说明
图1为本发明实施例中三种NiOx制备方法的光透过图；
图2为本发明实施例中三种NiOx制备方法的光吸收图；
图3为本发明实施例中所制备的钙钛矿光伏器件的最高效率的J-V曲线图；
图4、5为本发明钙钛矿/PERC两端叠层电池的器件结构；
图6为本发明制备的钙钛矿/PERC两端叠层电池的J-V曲线图。
具体实施方式
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行具体说明。应当理解，以下文字仅仅用以描述本发明的一种或几种具体的实施方式，并不对本发明具体请求的保护范围进行严格限定。以下实施例中原料均来自于普通市售产品。
实施例1
顶电池钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体如下：
(1)NiOx空穴层的制备
低温法：将0.1g氧化镍超干粉末溶于5ml去离子水，配制成分散液，然后置于超声波清洗器中超声60min，取出摇晃数十秒后静置暗处过夜。旋涂在FTO导电基底层上，在110℃下退火20min得到NiOx空穴层。
(2)MA0.85FA0.15PbI3光吸收层的制备
将182.3mg的MAI(碘甲胺)、34.8mg的FAI(碘甲脒)和622.3mg的PbI2，溶于1ml的DMF(N,N-二甲基甲酰胺)和DMSO(N,N-二甲基亚砜)溶剂中(DMF：DMSO＝4:1)，70℃持搅拌2h，得到MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，在NiOx空穴层上旋涂MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，旋涂过程中用乙酸乙酯作反溶剂，最后将基底放置在120℃的加热台上干燥20min，即得到MA0.85FA0.15PbI3光吸收层。
(3)PCBM电子传输层及BCP副电子层的制备
将20mgPCBM(富勒烯衍生物)粉末溶于1ml氯苯中，配制20mg/ml的前驱体溶液，搅拌5至6h，在FTO/NiOx/MA0.85FA0.15PbI3基底上旋涂PCBM前驱体溶液，即得到PCBM电子传输层。
将1mg/ml的BCP(小分子浴铜灵)粉末溶于异丙醇中，配制1mg/ml的前驱体溶液，65℃搅拌2h，在PCBM电子传输层上旋涂BCP前驱体溶液，即得到BCP副电子层。
(4)最后通过真空蒸镀在BCP副电子层表面形成Ag电极层。
实施例2
本实施例按实施例1相同的方式制备顶电池钙钛矿太阳能电池，区别在于：步骤(1)中NiOx空穴层的制备方法采用如下步骤：
溶胶凝胶法：将25mg乙酸镍溶于1ml乙醇中，配制0.1mol/ml的前驱体溶液，加入6ul二乙醇胺，常温搅拌2h，得到浅蓝色溶液，过滤备用。旋涂在基底上，400℃下退火40min得到NiOx空穴层。
实施例3
本实施例按实施例1相同的方式制备顶电池钙钛矿太阳能电池，区别在于：步骤(1)中NiOx空穴层的制备方法采用如下步骤：
燃烧法(即本发明)：取290.8mg六水合硝酸镍溶于1ml乙二醇中，配制1mol/ml的前驱体溶液，加入0.06g的乙二胺，常温搅拌一夜，得到深蓝色溶液，过滤备用。旋涂在基底上，120℃退火10min后，450℃下退火1h得到NiOx空穴层。
图1和2为三种NiOx薄膜制备方法的光透过和光吸收图，显然本实施例所制得的NiOx空穴层的光透过和光吸收性能最好。
本实施例所制得的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率最高，为17.33％，并表现出良好的器件稳定性。图3为该器件最高效率的J-V曲线图。
实施例4
顶电池钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体如下：
(1)燃烧法(即本发明)：取六水合硝酸镍溶于乙二醇中，配制0.9mol/ml的前驱体溶液，加入乙二胺，所述乙二胺的加入量与六水合硝酸镍的质量比为4:1，常温搅拌一夜，得到深蓝色溶液，过滤备用，旋涂在基底上，115℃退火12min后，445℃下退火65min得到NiOx空穴层。
(2)MA0.85FA0.15PbI3光吸收层的制备
将MAI(碘甲胺)、FAI(碘甲脒)和PbI2，溶于1ml的DMF(N,N-二甲基甲酰胺)和DMSO(N,N-二甲基亚砜)溶剂中，其中MAI、FAI、PbI2、DMF、DMSO的质量比为182:34:622：3.8:1，75℃持搅拌1.5h，得到MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，在NiOx空穴层上旋涂MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，旋涂过程中用乙酸乙酯作反溶剂，最后将基底放置在115℃的加热台上干燥22min，即得到MA0.85FA0.15PbI3光吸收层。
(3)PCBM电子传输层及BCP副电子层的制备
将PCBM(富勒烯衍生物)粉末溶于1ml氯苯中，配制18mg/ml的前驱体溶液，搅拌5至6h，在FTO/NiOx/MA0.85FA0.15PbI3基底上旋涂PCBM前驱体溶液，即得到PCBM电子传输层。
将BCP(小分子浴铜灵)粉末溶于异丙醇中，配制0.8mg/ml的前驱体溶液，60℃搅拌2.5h，在PCBM电子传输层上旋涂BCP前驱体溶液，即得到BCP副电子层。
(4)最后通过真空蒸镀在BCP副电子层表面形成Ag电极层。
本实施例所制得的NiOx空穴层的光透过和光吸收性能同实施例3，所制得的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率为17.00％，并表现出良好的器件稳定性。
实施例5
顶电池钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体如下：
(1)燃烧法(即本发明)：取六水合硝酸镍溶于乙二醇中，配制1.1mol/ml的前驱体溶液，加入乙二胺，所述乙二胺的加入量与六水合硝酸镍的质量比为5:1，常温搅拌一夜，得到深蓝色溶液，过滤备用。旋涂在基底上，125℃退火8min后，455℃下退火55min得到NiOx空穴层。
(2)MA0.85FA0.15PbI3光吸收层的制备
将MAI(碘甲胺)、FAI(碘甲脒)和PbI2，溶于DMF(N,N-二甲基甲酰胺)和DMSO(N,N-二甲基亚砜)溶剂中，其中MAI、FAI、PbI2、DMF、DMSO的质量比为184:35:625：4.2:1，65℃持搅拌2.5h，得到MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，在NiOx空穴层上旋涂MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，旋涂过程中用乙酸乙酯作反溶剂，最后将基底放置在125℃的加热台上干燥18min，即得到MA0.85FA0.15PbI3光吸收层。
(3)PCBM电子传输层及BCP副电子层的制备
将PCBM(富勒烯衍生物)粉末溶于氯苯中，配制22mg/ml的前驱体溶液，搅拌5至6h，在FTO/NiOx/MA0.85FA0.15PbI3基底上旋涂PCBM前驱体溶液，即得到PCBM电子传输层。
将BCP(小分子浴铜灵)粉末溶于异丙醇中，配制1.2mg/ml的前驱体溶液，70℃搅拌1.5h，在PCBM电子传输层上旋涂BCP前驱体溶液，即得到BCP副电子层。
(4)最后通过真空蒸镀在BCP副电子层表面形成Ag电极层。
本实施例所制得的NiOx空穴层的光透过和光吸收性能同实施例3，所制得的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率为17.13％，并表现出良好的器件稳定性。
实施例6
本发明基于上述实施例中NiOx空穴层的制备方法，制备钙钛矿/PERC两端叠层电池，该器件的结构如图4、5所示。具体制备方法如下：
(1)将100ml HF稀释到900ml的去离子水中，配置弱酸溶液，将弱酸溶液滴加到原始PERC晶硅电池最上层的SiO2表层上，经过10s左右的时间，用无水乙醇将该电池表面清洗干净，随后用氮气吹干电池表面，并将其放置到预热为100±5℃的加热台上加热4～6min，使得无水乙醇充分挥发。至此，SiO2表层就被刻蚀掉形成了本发明所述底电池PERC晶硅电池，这样底电池PERC晶硅电池才具有导通的能力。
所述原始PERC晶硅电池的结构从下至上依次为：Ag电极层，Al电极层，SiNx层，Al2O3层，SiO2层，P型硅光吸收层，SiO2表层，所述P型硅光吸收层紧邻的两侧分别是形成电势差的N型掺杂层和P型掺杂层。
(2)将处理后的PERC晶硅电池作为底电池，在刻蚀表面溅射一层IZO或FTO透明导电层(本实施例为IZO)，依次旋涂上述的NiOx、MA0.85FA0.15PbI3、PCBM及BCP前驱体溶液，然后真空蒸发一层Ag电极，即制得钙钛矿/PERC两端叠层电池。图6分别为基于实施例1-3三种方法得到的钙钛矿/PERC两端叠层电池器件J-V效率图，基于本发明燃烧法制备NiOx空穴层而得到的钙钛矿/PERC两端叠层电池效率明显高于另外两种。另外基于实施例4、实施例5方法得到的钙钛矿/PERC两端叠层电池器件性能与实施例3基本相同。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。本发明中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。
Claims (10)
1.一种钙钛矿/PERC两端叠层电池，包括底电池PERC晶硅电池和顶电池钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述顶电池钙钛矿太阳能电池中NiOx空穴层由以下制备方法获得：
取六水合硝酸镍溶于乙二醇中配制NiOx前驱体溶液，然后加入乙二胺，常温搅拌，得到深蓝色溶液，之后过滤得备用滤液，最后将所述滤液旋涂在底电池PERC晶硅电池与顶电池钙钛矿太阳能电池之间的导电基底层上，并退火处理得到NiOx薄膜构成的NiOx空穴层。
2.如权利要求1所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池，其特征在于：所述底电池PERC晶硅电池的结构从下至上层依次为：Ag电极层，Al电极层，SiNx层，Al2O3层，SiO2层，P型硅光吸收层，所述P型硅光吸收层紧邻的两侧分别是形成电势差的N型掺杂层和P型掺杂层。
3.如权利要求1所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池，其特征在于：所述顶电池钙钛矿太阳能电池的结构从下至上依次为：NiOx空穴传输层，MA0.85FA0.15PbI3光吸收层，PCBM电子传输层，BCP副电子层，Ag电极层。
4.如权利要求1所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池，其特征在于：在所述顶电池钙钛矿太阳能电池中，所述NiOx空穴层的厚度为30～70nm，所述MA0.85FA0.15PbI3光吸收层的厚度为300～500nm，所述PCBM电子传输层的厚度为40～70nm，所述BCP副电子层的厚度为10～40nm，所述Ag电极的厚度为100～120nm。
5.如权利要求1所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池，其特征在于：所述NiOx前驱体溶液浓度为1±0.1mol/mL，所述乙二胺的加入量与六水合硝酸镍的质量比为(4～5):1。
6.如权利要求1所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池，其特征在于：所述退火处理操作为120±5℃退火10±2min后，450±5℃下退火60±5min。
7.一种如权利要求1～6任一项所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池的制备方法，其特征在于包括：
步骤1，将原始PERC晶硅电池最上层的SiO2表层刻蚀除去以形成所述底电池PERC晶硅电池；
步骤2，在所述底电池PERC晶硅电池的刻蚀表面溅射FTO或IZO形成导电基底层，然后在所述导电基底层上依次通过旋涂方式制备形成顶电池钙钛矿太阳能电池的NiOx空穴层、MA0.85FA0.15PbI3光吸收层，PCBM电子传输层，BCP副电子层，之后通过真空蒸镀在BCP副电子层表面形成Ag电极层，最后制得所述钙钛矿/PERC两端叠层电池；
所述NiOx空穴层制备方法为：取六水合硝酸镍溶于乙二醇中配制NiOx前驱体溶液，然后加入乙二胺，常温搅拌，得到深蓝色溶液，之后过滤得备用滤液，最后将所述滤液旋涂在所述导电基底层上，并退火处理得到NiOx薄膜构成的NiOx空穴层。
8.如权利要求7所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池的制备方法，其特征在于：所述刻蚀操作为将氢氟酸稀释到去离子水中配置弱酸溶液，所述氢氟酸与去离子水质量比为1:(9.5～10.5)，然后将弱酸溶液滴加到原始PERC晶硅电池最上层的SiO2表层上，待所述SiO2表层完全刻蚀掉，用无水乙醇将该电池表面清洗干净，随后用氮气吹干该电池表面，并将该电池放置到预热为100±5℃的加热台上加热4～6min，使得无水乙醇充分挥发。
9.如权利要求7所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池的制备方法，其特征在于：所述NiOx前驱体溶液浓度为1±0.1mol/mL，所述乙二胺的加入量与六水合硝酸镍的质量比为(4～5):1；所述退火处理操作为120±5℃退火10±2min后，450±5℃下退火60±5min。
10.如权利要求7所述的钙钛矿/PERC两端叠层电池的制备方法，其特征在于：
所述MA0.85FA0.15PbI3光吸收层制备方法为：将MAI、FAI、PbI2溶于DMF和DMSO溶剂中70±5℃搅拌2±0.5h，得到MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，其中MAI、FAI、PbI2、DMF、DMSO的质量比为(182～184):(34～35):(622～625)：(3.8～4.2):1，然后在NiOx空穴层上旋涂所述MA0.85FA0.15PbI3前驱体溶液，旋涂过程中用乙酸乙酯作反溶剂，最后放置在120±5℃的加热台上干燥20±2min，即得到MA0.85FA0.15PbI3光吸收层；
所述PCBM电子传输层制备：将PCBM粉末溶于氯苯中配制18～22mg/ml的PCBM前驱体溶液，搅拌5～6h，然后在所述MA0.85FA0.15PbI3光吸收层表面旋涂所述PCBM前驱体溶液，即得到PCBM电子传输层；
所述BCP副电子层制备：将BCP粉末溶于异丙醇中，配制1±0.2mg/ml的前驱体溶液，65±5℃搅拌2±0.5h，然后在PCBM电子传输层表面旋涂所述BCP前驱体溶液，即得到BCP副电子层。
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