JP2011035101A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一導電型のシリコン基板1と、前記シリコン基板1の受光面側に形成された第一導電型と反対の導電型拡散層2と、この拡散層2に電気的に接続する受光面電極7と、前記第一導電型のシリコン基板1の裏面側に形成された第一導電型と同じ導電型の拡散層3と、この拡散層3に電気的に接続する裏面電極7とを備える太陽電池であって、前記受光面側電極直下となる第一導電型の反対の導電型拡散層2と接しないように誘電体膜4が形成されてなる太陽電池。
【選択図】図1
Description
η={Pmax/(S×I)}×100(%)
が太陽電池の変換効率ηとして定義される。
FF=Pmax/(Isc×Voc)
にて定義されるフィルファクタ(曲線因子)により評価でき、該FFの値が1に近いほど出力電流電圧曲線が理想的な角形に近づき、変換効率ηも高められることを意味する。
請求項1:
第一導電型のシリコン基板と、前記シリコン基板の受光面側に形成された第一導電型と反対の導電型拡散層と、この拡散層に電気的に接続する受光面電極と、前記第一導電型のシリコン基板の裏面側に形成された第一導電型と同じ導電型の拡散層と、この拡散層に電気的に接続する裏面電極とを備える太陽電池であって、前記受光面側電極直下となる第一導電型の反対の導電型拡散層と接しないように誘電体膜が形成されてなることを特徴とする太陽電池。
請求項2:
受光面電極がフィンガー電極及びバスバー電極であり、フィンガー電極が前記第一導電型と反対の導電型拡散層上に直接形成され、これを覆って誘電体膜が形成された請求項1記載の太陽電池。
請求項3:
前記誘電体膜が、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化アルミニウム膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜、フッ化マグネシウム膜及びこれらの膜の組合せからなる膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池。
請求項4:
第一導電型のシリコン基板の受光面側に第一導電型と反対の導電型拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して受光面電極を形成すると共に、前記第一導電型のシリコン基板の裏面側に第一導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して裏面電極を形成する太陽電池の製造方法において、誘電体膜を前記受光面側電極直下となる第一導電型の反対の導電型拡散層と接しないように形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項5:
第一導電型のシリコン基板の受光面側に第一導電型と反対の導電型拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して受光面電極を形成すると共に、前記第一導電型のシリコン基板の裏面側に第一導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して裏面電極を形成する太陽電池の製造方法において、受光面電極がフィンガー電極及びバスバー電極であり、フィンガー電極を前記第一導電型と反対の導電型拡散層上に直接形成し、これを覆って誘電体膜を形成した後、この誘電体膜の上からこの誘電体膜をファイヤースルーさせてバスバー電極を形成し、前記フィンガー電極と接続することを特徴とする請求項4記載の太陽電池の製造方法。
請求項6:
前記誘電体膜が、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化アルミニウム膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜、フッ化マグネシウム膜及びこれらの膜の組合せからなる膜であることを特徴とする請求項4又は5記載の太陽電池の製造方法。
請求項7:
前記誘電体膜をプラズマCVD法により形成することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
この場合、受光面電極は、フィンガー電極及びバスバー電極にて構成することが好ましい。図1〜3は、このような太陽電池の一実施例を示す。
即ち、図1は、本発明の一実施例に係る太陽電池の概略断面図であり、図2は、図1の受光面側からみた平面図であり、図3は、本発明の一実施例に係る太陽電池の製造方法を説明する概略断面図である。
シリコン基板1はn型でもp型でもよいが、本発明の一実施例においてはn型基板を使用する。このシリコン単結晶基板はチョクラルスキー(CZ)法及びフロートゾーン(FZ)法のいずれの方法によって作製されていてもよい。シリコン基板1の比抵抗は、高性能の太陽電池を作る点から、0.1〜20Ω・cmが好ましく、0.5〜2.0Ω・cmがより好ましい。シリコン基板としては、リンドープn型単結晶シリコン基板が好ましい。リンドープのドーパント濃度は1×1015cm-3〜5×1016cm-3が好ましい[図3(A)]。
例えば、シリコン基板1を水酸化ナトリウム水溶液に浸し、ダメージ層をエッチングで取り除く。この基板のダメージ除去は、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いてもよく、フッ硝酸等の酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。ダメージエッチングを行った基板1にランダムテクスチャを形成する。太陽電池は通常、表面に凹凸形状を形成するのが好ましい。その理由は、可視光域の反射率を低減させるために、できる限り2回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。これら一つ一つの山のサイズは1〜20μm程度が好ましい。代表的な表面凹凸構造としては、V溝、U溝が挙げられる。これらは、研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凹凸構造を作るには、水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してウェットエッチングしたり、他には、酸エッチングやリアクティブ・イオン・エッチング等を用いることができる。なお、図中では両面に形成したテクスチャ構造は微細なため省略する。
シリコン基板1の裏面にドーパントを含む塗布剤を塗布した後に熱処理を行うことでn型拡散層3を裏面に形成する[図3(B)]。熱処理後、シリコン基板1に付いたガラス成分はガラスエッチング等により洗浄する。ドーパントはリンが好ましい。n型拡散層3の表面ドーパント濃度は、1×1018cm-3〜5×1020cm-3が好ましく、5×1018cm-3〜1×1020cm-3がより好ましい。
同様の処理を受光面で行い、p型拡散層2を受光面全体に形成する[図3(C)]。受光面にドーパントを含む塗布剤を塗布して熱処理を行い、p型拡散層2を形成する。ドーパントはボロンが好ましく、また、p型拡散層2の表面ドーパント濃度は、1×1018cm-3〜5×1020cm-3が好ましく、更には5×1018cm-3〜1×1020cm-3がより好ましい。
プラズマエッチャーを用い、pn接合分離を行う。このプロセスではプラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、サンプルをスタックし、その状態で端面を数ミクロン削る。接合分離後、基板に付いたガラス成分、シリコン粉等はガラスエッチング等により洗浄する。
スクリーン印刷装置等を用い、受光面側及び裏面側に、例えば銀を含むペーストを、スクリーン印刷装置を用いてp型拡散層及びn型拡散層上に印刷し、櫛形電極パターン状に塗布して乾燥させる。最後に、焼成炉において、500〜900℃で1〜30分焼成を行い、前記p型拡散層及びn型拡散層と電気的に接続するフィンガー電極5、裏面電極6を形成する[図3(D)]。
引き続き、CVD装置を用い、n型拡散層3及びp型拡散層2上に誘電体膜4である窒化シリコン膜を堆積する[図3(E)]。この膜厚は70〜100nmが好ましい。他の反射防止膜として酸化シリコン膜、二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜、酸化アルミニウム膜、フッ化マグネシウム膜及びこれらの膜の組合せなどがあり、代替が可能である。また、形成法も上記以外にリモートプラズマCVD法、コーティング法、真空蒸着法などがあるが、経済的な観点から、上記窒化シリコン膜などをプラズマCVD法によって形成するのが好適である。
フィンガー電極及び裏面電極形成同様、スクリーン印刷装置等を用い、受光面側及び裏面側に、例えば銀を含むペーストを、スクリーン印刷装置を用いて前記形成した誘電体膜上に印刷し、乾燥させる[図3(F)]。引き続き焼成炉にて500〜900℃で1〜30分焼成を行い、前記フィンガー電極と接続するバスバー電極7を形成する[図3(G)]。なお、図3(F)は焼成前、(G)は焼成後の状態を示す。
図3及び表1に示す製造方法フローチャートにより、図1に示す太陽電池を製造した。
結晶面方位(100)、15.65cm角200μm厚、アズスライス比抵抗2Ω・cm(ドーパント濃度7.2×1015cm-3)リンドープn型単結晶シリコン基板を、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った。得られたシリコン基板1の裏面に、リンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、900℃,1時間熱処理を行い、n型拡散層3を裏面に形成した。熱処理後、基板に付いたガラス成分は高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。
引き続き受光面にボロンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、1000℃,1時間熱処理を行い、p型拡散層2を受光面全体に形成した。
次に、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペーストを電極印刷し、乾燥後800℃で20分焼成を行い、フィンガー電極5及び裏面電極6を形成した。
引き続き、ダイレクトプラズマCVD装置を用い、受光面側p型拡散層、及び裏面n型拡散層上に誘電体膜であるシリコン窒化膜4を積層した。この膜厚は70nmであった。
最後に受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペーストを電極印刷し、乾燥後800℃で20分焼成を行い、バスバー電極7を形成した。
図4に示した通り、受光面電極及び裏面電極の形成を、シリコン窒化膜形成後に行った以外は、実施例1と同様な方法にて作製した。
即ち、図3の実施例と対比した場合、図4(C)までの工程は図3(C)までと同じであるが、p型拡散層の形成後、図4(D)に示すように、ダイレクトプラズマCVD装置によりシリコン窒化膜4を受光面側p型拡散層2、及び裏面n型拡散層3上に形成し、その後、図4(E)に示すように、フィンガー電極5及び裏面電極6をファイヤースルーさせて各拡散層2,3と接続して形成し、更にバスバー電極を形成したものである。なお、図4(E),(F)ではフィンガー電極5、裏面電極6は拡散層2,3と接続されていないように示されているが、焼成によりファイヤースルーされ、実際は実施例ほど完全ではないが、拡散層2,3と接続されている。
2 p型拡散層
3 n型拡散層
4 誘電体膜
5 受光面電極(フィンガー電極)
6 裏面電極
7 バスバー電極
Claims (7)
- 第一導電型のシリコン基板と、前記シリコン基板の受光面側に形成された第一導電型と反対の導電型拡散層と、この拡散層に電気的に接続する受光面電極と、前記第一導電型のシリコン基板の裏面側に形成された第一導電型と同じ導電型の拡散層と、この拡散層に電気的に接続する裏面電極とを備える太陽電池であって、前記受光面側電極直下となる第一導電型の反対の導電型拡散層と接しないように誘電体膜が形成されてなることを特徴とする太陽電池。
- 受光面電極がフィンガー電極及びバスバー電極であり、フィンガー電極が前記第一導電型と反対の導電型拡散層上に直接形成され、これを覆って誘電体膜が形成された請求項1記載の太陽電池。
- 前記誘電体膜が、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化アルミニウム膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜、フッ化マグネシウム膜及びこれらの膜の組合せからなる膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池。
- 第一導電型のシリコン基板の受光面側に第一導電型と反対の導電型拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して受光面電極を形成すると共に、前記第一導電型のシリコン基板の裏面側に第一導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して裏面電極を形成する太陽電池の製造方法において、誘電体膜を前記受光面側電極直下となる第一導電型の反対の導電型拡散層と接しないように形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 第一導電型のシリコン基板の受光面側に第一導電型と反対の導電型拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して受光面電極を形成すると共に、前記第一導電型のシリコン基板の裏面側に第一導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、この拡散層に電気的に接続して裏面電極を形成する太陽電池の製造方法において、受光面電極がフィンガー電極及びバスバー電極であり、フィンガー電極を前記第一導電型と反対の導電型拡散層上に直接形成し、これを覆って誘電体膜を形成した後、この誘電体膜の上からこの誘電体膜をファイヤースルーさせてバスバー電極を形成し、前記フィンガー電極と接続することを特徴とする請求項4記載の太陽電池の製造方法。
- 前記誘電体膜が、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化アルミニウム膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜、フッ化マグネシウム膜及びこれらの膜の組合せからなる膜であることを特徴とする請求項4又は5記載の太陽電池の製造方法。
- 前記誘電体膜をプラズマCVD法により形成することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
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