CN113409871B - 一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 22
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
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Abstract
本发明公开了一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，获取方法包括以下步骤：对芯片进行预定次数的预编程‑检查‑擦除‑过擦除修复‑数据修复的周期循环操作；在周期循环操作期间，持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；根据读取的使能信号，记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间，直至周期循环操作结束；该获取方法通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
Description
技术领域
本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
Nor Flash芯片的擦除操作包括扇区擦除（Sector Erase，擦除的最小单元 ，512字节为一个扇区）、块擦除（Block Erase，一般是64K一个单位）和全片擦除（Chip Erase）。扇区擦除时间典型情况是45ms，但是随着擦写操作次数持续增加，扇区擦除时间也会不停增加。
对存储单元的擦写周期循环（预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复，Cycle）一般最小都可以支持10万次，按照芯片的擦写标准，在整个Cycle 过程中扇区擦除的时间不能超过300ms。
现有技术中，一般仅能通过查询Nor Flash 内部的忙碌信号（Busy信号）来判断擦除操作是否结束，这种方法
一般情况，外部通过发查询命令，查询Nor Flash 内部的Busy（忙碌信号）信号来判断擦除操作过程是否结束。这种方法只能知道整个擦除操作的时间，无法得到整个cycle过程中各个操作阶段的时间分布，且只能获取整个操作对象的擦除时间，无法区分特定区域对应的操作时间，但这些数据在芯片的设计、制造中可作为重要的调整参考依据。
针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，以获取芯片中特定区域的擦写周期循环中各阶段操作时间。
第一方面，本申请实施例提供了一种擦除时间的获取方法，用于获取Nor Flash的擦除时间，所述方法包括以下步骤：
对芯片进行预定次数的预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作；
在周期循环操作期间，持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；
根据读取的使能信号，记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间，直至周期循环操作结束。
所述的一种擦除时间的获取方法，其中，还包括步骤：绘制并输出各处理操作用时关于周期循环操作次数的变化趋势图。
所述的一种擦除时间的获取方法，其中，分别绘制关于每个扇区、每个块、芯片全片的变化趋势图。
所述的一种擦除时间的获取方法，其中，所述使能信号包括预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能。
所述的一种擦除时间的获取方法，其中，获取使能信号过程为依次判断当前使能信号是否为预编程使能、是否为检查使能、是否为擦除使能、是否为过擦除检测修复使能、是否为数据修复使能。
所述的一种擦除时间的获取方法，其中，使能信号持续时间判断基准为该使能信号是否关闭或当前使能信号是否发生变换。
所述的一种擦除时间的获取方法，其中，还包括步骤：分别计算每个扇区、每个块和全片在周期循环操作每种操作的平均用时或总用时。
本申请实施例的一种擦除时间的获取方法，通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
第二方面，本申请实施例还提供了一种擦除时间的获取装置，用于获取Nor Flash的擦除时间，包括：
循环操作模块，用于对芯片进行预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作；
读取模块，用于持续芯片中每个扇区当前的使能信号；
计算模块，用于计算使能信号的持续时间；
记录模块，用于记录使能信号的持续时间；
所述读取模块可读取芯片每个扇区在进行周期循环操作中当前的使能信号，所述计算模块可计算当前使能信号的持续时间并由记录模块将使能信号持续时间进行记录输出。
本申请实施例的一种擦除时间的获取装置，通过循环操作模块对芯片进行编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作，在周期循环操作的过程中，通过读取模块通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，然后通过计算模块配合记录模块获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
第三方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
第四方面，本申请实施例还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
由上可知，本申请实施例提供的一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，获取方法通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种擦除时间的获取方法的流程图。
图2为本申请实施例提供的一种擦除时间的获取方法中使能信号读取的逻辑图。
图3为本申请实施例提供的一种擦除时间的获取装置的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
第一方面，请参照图1，图1是本申请一些实施例中的一种擦除时间的获取方法，用于获取Nor Flash的擦除时间，方法包括以下步骤：
对芯片进行预定次数的预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作；
具体地，预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复构成的操作为一个Cycle，闪存芯片的各类测试操作一般以多个Cycle为操作单位。
具体地，预定次数为100k-1000k次，即本申请实施的擦除时间获取计算以100k次以上的Cycle操作进行。
具体地，预编程操作为对芯片中存储单元写入预设数据，存储单元处于擦除状态时表现为1，因此预编程优选为全0编程，确保后续擦除操作时能对所有包含编程数据的储存单元进行擦除，有利于擦除时间的获取计算，使得获取的擦除时间更具代表性。
具体地，检查过程用于检查存储单元是否全部写入预编程数据，若发现未编程区域，则再对芯片进行编程，确保预编程数据覆盖芯片全片。
具体地，擦除操作为对芯片进行重复擦除，直接将芯片中全部存储单元数据擦除，在本实施例中，即将所有数据0擦除为1。
具体地，由于不同储存单元的擦除难度不同，因此在重复擦除操作过程中，可能产生部分过擦除的存储单元，这些单元暂时不能正常使用，因此需通过修复修复过擦除的存储单元。
具体地，数据修复用于存储单元中数据表现出现特殊异常的数据。
在周期循环操作期间，持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；
具体地，芯片中需发出对应的特定使能信号执行循环操作期间的不同阶段，因此，读取芯片中当前使能信号可以获知芯片处于Cycle中的哪个阶段。
更具体地，由于芯片操作过程中，是以块或扇区进行操作单位，分别获取每个扇区中的使能信号独立地获取每个扇区的具体操作情况。
根据读取的使能信号，记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间，直至周期循环操作结束。
具体地，由于采用了持续获取的方式读取扇区中使能信号，因此，可以以使能信号的变化区分计算出Cycle中每个阶段的持续时间，从而精确地获取每个扇区在Cycle中每种操作的用时。
本申请实施例的一种擦除时间的获取方法，通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
在一些优选的实施方式中，通过I/O接口接入状态寄存器以读取使能信号；本申请实施例通过I/O接口接入原先不属于闪存芯片的状态寄存器，在不改变芯片正常操作的情况下，可由外部接入的状态寄存器精确检测并记录使能信号的变化情况，即确保了本申请实施例的获取方法不会影响芯片操作性能，避免了读取过程影响了芯片自身的Cycle时长，使得获取方法获取的时间更准确、更具代表性。
在一些优选的实施方式中，还包括步骤：绘制并输出各处理操作用时关于周期循环操作次数的变化趋势图。
具体地，由于每一次周期循环操作均包含一整个擦除操作阶段，即周期循环操作的次数代表了擦除次数，由于擦除操作是导致芯片中存储单元性能变化的最重要因数，因此，以与擦除次数相同的周期循环操作次数作为变化趋势图的横坐标绘制变化趋势图，可直观地反映出芯片擦除操作次数与周期循环操作中每个阶段用时的关系，可作为芯片设计、调试的重要依据。
在一些优选的实施方式中，分别绘制关于每个扇区、每个块、芯片全片的变化趋势图。
具体地，绘制每个扇区的变化趋势图可直观地反映出同一块中不同位置扇区的擦写性能变化情况，绘制每个块的变化趋势图可直观地反映出芯片中不同地址的块的擦写性能变化情况，绘制芯片全片的变化趋势图可看出该测试芯片的关于Cycle次数的擦写性能变化情况。
在一些优选的实施方式中，可设计相近或相反的周期循环操作中预编程阶段的编程数据，对同一类闪存芯片进行对比分析，由此还可观察写入不同类型数据对芯片全片、块、扇区的影响。
在一些优选的实施方式中，使能信号包括预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能。
具体地，周期循环操作中每个阶段均打开了不同的使能信号，而与对应阶段的操作一一对应，因此使能信号包括预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能。
在一些优选的实施方式中，获取使能信号过程为依次判断当前使能信号是否为预编程使能、是否为检查使能、是否为擦除使能、是否为过擦除检测修复使能、是否为数据修复使能。
具体地，设置顺序式判断逻辑，可有效防止使能信号漏检。
在别的实施例中，还可根据正常状态下不同使能信号的平均时长设计判断顺序，比如编程时间最长则安排在最后判断。
在一些优选的实施方式中，使能信号持续时间判断基准为该使能信号是否关闭或当前使能信号是否发生变换。
具体地，使能信号发生变换即代表上一阶段使能信号关闭而打开了下一阶段使能信号，即表明了周期循环操作中上一操作结束而开始下一操作。
具体地，在对应的使能信号打开时开始对芯片中存储单元进行对应的处理操作，在对应的使能信号关闭时结束对芯片中存储单元结束对应的处理操作，如打开擦除使能信号时，对储存单元进行擦除操作，擦除使能信号关闭时，结束对存储单元的擦除操作；因此，在本实施例中，通过监控读取使能信号的打开时间点和关闭时间点可计算出对应操作的时长。
在一些优选的实施方式中，还包括步骤：分别计算每个扇区、每个块和全片在周期循环操作每种操作的平均用时或总用时。
具体地，块由多个扇区组成，全片由多个块组成，因此计算每个扇区关于每种操作的平均用时或总用时后，可基于扇区的计算结果依次换算关于块及全片的数据。
更具体地，获取每种操作的平均用时或总用时，可直观地分析反映出位于不同位置的每个扇区之间的Cycle的性能表现区别，同理，可分析反映不同地址的块之间的Cycle的性能表现区别和全片的Cycle性能情况，还可以分析反映出块与其包含的扇区的Cycle能力关系，这些数据均可作为芯片设计开发的重要依据。
在一些优选的实施方式中，配置检测使能，在循环周期操作开始或过程中，打开检测使能即开始持续读取芯片中扇区中当前使能信号。
更具体的，假如对一待测Nor Flash进行周期循环操作时，对该Nor Flash的扇区各操作阶段的读取逻辑如图2所示，打开检测使能tcnt_enable，依次判断当前打开的使能信号是哪一种，对应于预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能打开的信号为f_pp_start、f_rd start、f_era_start、f_tmv_start、f_tdata_start，当识别出对应的使能信号后开始对该使能信号进行计时，并持续读取该使能信号是否关闭，当该使能信号关闭时结束该阶段挤计时，将该计时结果记录作为该轮次的周期循环操作中对应操作的用时，然后重新读取该扇区当前使能信号，进行下一次操作的时间计时，对应于预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能关闭的信号为f_pp_end、f_rd end、f_era_end、f_tmv_end、f_tdata_end。
第二方面，请参照图3，图3是本申请一些实施例中提供的一种擦除时间的获取装置，用于获取Nor Flash的擦除时间，包括：
循环操作模块，用于对芯片进行预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作；
读取模块，用于持续芯片中每个扇区当前的使能信号；
计算模块，用于计算使能信号的持续时间；
记录模块，用于记录使能信号的持续时间；
读取模块可读取芯片每个扇区在进行周期循环操作中当前的使能信号，计算模块可计算当前使能信号的持续时间并由记录模块将使能信号持续时间进行记录输出。
本申请实施例的一种擦除时间的获取装置，通过循环操作模块对芯片进行编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作，在周期循环操作的过程中，通过读取模块通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，然后通过计算模块配合记录模块获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
在一些优选的实施方式中，还包括绘图模块，用于根据记录模块记录的数据绘制出关于每个扇区、每个块、芯片全片的变化趋势图。
具体地，利用绘图模块绘制每个扇区的变化趋势图可直观地反映出同一块中不同位置扇区的擦写性能变化情况，绘制每个块的变化趋势图可直观地反映出芯片中不同地址的块的擦写性能变化情况，绘制芯片全片的变化趋势图可看出该测试芯片的关于Cycle次数的擦写性能变化情况。
在一些优选的实施方式中，还包括统计模块，用于分别计算每个扇区、每个块和全片在周期循环操作每种操作的平均用时或总用时。
具体地，通过统计模块计算每个扇区关于每种操作的平均用时或总用时后，可基于扇区的计算结果依次换算关于块及全片的数据。
更具体地，获取每种操作的平均用时或总用时，可直观地分析反映出位于不同位置的每个扇区之间的Cycle的性能表现区别，同理，可分析反映不同地址的块之间的Cycle的性能表现区别和全片的Cycle性能情况，还可以分析反映出块与其包含的扇区的Cycle能力关系，这些数据均可作为芯片设计开发的重要依据。
第三方面，请参照图4，图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本申请提供一种电子设备3，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。
第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，所述计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static RandomAccess Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（ErasableProgrammable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
综上，本申请实施例提供一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，获取方法通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (9)
1. 一种擦除时间的获取方法，用于获取Nor Flash的擦除时间，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对芯片进行预定次数的预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作；
在周期循环操作期间，持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；
根据读取的使能信号，记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间，直至周期循环操作结束, 所述使能信号包括预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能。
2.根据权利要求1所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，还包括步骤：绘制并输出各处理操作用时关于周期循环操作次数的变化趋势图。
3.根据权利要求2所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，分别绘制关于每个扇区、每个块、芯片全片的变化趋势图。
4.根据权利要求1所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，获取使能信号过程为依次判断当前使能信号是否为预编程使能、是否为检查使能、是否为擦除使能、是否为过擦除检测修复使能、是否为数据修复使能。
5.根据权利要求1所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，使能信号持续时间判断基准为该使能信号是否关闭或当前使能信号是否发生变换。
6.根据权利要求1所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，还包括步骤：分别计算每个扇区、每个块和全片在周期循环操作每种操作的平均用时或总用时。
7. 一种擦除时间的获取装置，用于获取Nor Flash的擦除时间，其特征在于，包括：
循环操作模块，用于对芯片进行预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作；
读取模块，用于持续芯片中每个扇区当前的使能信号；
计算模块，用于计算使能信号的持续时间；
记录模块，用于记录使能信号的持续时间；
所述读取模块可读取芯片每个扇区在进行周期循环操作中当前的使能信号，所述计算模块可计算当前使能信号的持续时间并由记录模块将使能信号持续时间进行记录输出,所述使能信号包括预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能。
8.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-6任一所述方法中的步骤。
9.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-6任一所述方法中的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110737200.5A CN113409871B (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110737200.5A CN113409871B (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113409871A CN113409871A (zh) | 2021-09-17 |
| CN113409871B true CN113409871B (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=77680556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110737200.5A Active CN113409871B (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113409871B (zh) |
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- 2021-06-30 CN CN202110737200.5A patent/CN113409871B/zh active Active
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|---|---|
| CN113409871A (zh) | 2021-09-17 |
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