CN113371712B - 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶 - Google Patents

一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶 Download PDF

Info

Publication number
CN113371712B
CN113371712B CN202110849202.3A CN202110849202A CN113371712B CN 113371712 B CN113371712 B CN 113371712B CN 202110849202 A CN202110849202 A CN 202110849202A CN 113371712 B CN113371712 B CN 113371712B
Authority
CN
China
Prior art keywords
purity
silicon carbide
powder
volatile
carbide powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110849202.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113371712A (zh
Inventor
娄艳芳
刘春俊
杨帆
姜克勇
邹宇
赵宁
王波
彭同华
杨建�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Tiankeheda Semiconductor Co ltd
Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd
Tankeblue Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Tiankeheda Semiconductor Co ltd
Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd
Tankeblue Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Tiankeheda Semiconductor Co ltd, Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd, Tankeblue Semiconductor Co Ltd filed Critical Jiangsu Tiankeheda Semiconductor Co ltd
Priority to CN202110849202.3A priority Critical patent/CN113371712B/zh
Publication of CN113371712A publication Critical patent/CN113371712A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113371712B publication Critical patent/CN113371712B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/984—Preparation from elemental silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。

Description

一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶
技术领域
本发明属于碳化硅技术领域，尤其涉及一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶。
背景技术
高纯特别是低氮含量的碳化硅粉料是制备高纯碳化硅单晶的前提条件之一，氮是碳化硅单晶主要的N型掺杂剂，该元素的少量掺入足以改变碳化硅单晶的电学性质，而空气中高浓度的氮元素是制备高纯特别是低氮含量碳化硅单晶的重要障碍。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，该方法制备的碳化硅粉料氮含量低。
本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法，包括以下步骤:
将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。
在本发明中，所述易挥发高纯有机物占所述高纯硅粉和高纯石墨粉质量和的至少3％。
所述高纯硅粉和高纯石墨粉中杂质含量均小于10ppm；
所述高纯硅粉和高纯石墨粉的质量比为1.03～1.06:1。
所述易挥发高纯有机物的纯度大于99.99％，沸点温度不大于800℃，优选纯度大于99.999％，沸点温度不大于500℃。所述易挥发高纯有机物不能与SiC、硅和石墨发生反应，优选选自醇类、酮类、醚类、烷烃类和羧酸酯类溶剂中的一种或多种；更优选只包含碳、氢、氧三种元素的溶剂，包括但不限于甲醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯、正丁醇和丙醚中的一种或几种。
所述高纯有机物的挥发尽可能的在坩埚装入单晶炉之前完成，以避免有机物对单晶炉造成污染或损坏。
在本发明中，所述高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合包括以下步骤：
将高纯硅粉和高纯石墨粉混合，得到第一混合物；
将第一混合物和易挥发高纯有机物混合，得到第二混合物。
第二混合物在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料装入预先采用易挥发高纯有机物浸渍过并在惰性气氛中挥发过的高纯石墨坩埚中烧结。
在本发明中，所述高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合包括以下步骤：
将高纯硅粉和高纯石墨粉混合，得到第一混合物；
将第一混合物装入高纯石墨坩埚中，铺平后向坩埚内缓慢倒入易挥发高纯有机物，得到第二混合物。
第二混合物在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。
在本发明中，所述惰性气氛不包含氮元素。所述惰性气氛优选为氩气。
在本发明中，所述低氮含量碳化硅粉料中氮浓度小于5×1016/cm3。所述碳化硅粉料中氮浓度优选小于<1×1016/cm3，更优选<5×1015/cm3，最优选<1×1015/cm3。
本发明提供了一种高纯碳化硅单晶，由以下方法制得：
将高纯碳化硅粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，用此碳化硅料采用PVT法SiC单晶生长，得到高纯碳化硅单晶。
本发明中惰性气氛选用非氮气体，优选为氩气。本发明优选将易挥发高纯有机物挥发至100g以下或至其初始质量的10％以下。所述碳化硅单晶的氮浓度优选<5×1016/cm3，更优选<1×1016/cm3，最优选<5×1015/cm3，最最优选<1×1015/cm3。
本发明可在惰性气氛保护下通过适当措施来加速有机溶剂的挥发，包括但不限于加速惰性气体流动、加热或增大原料疏松度等措施。
本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法，包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和碳化硅单晶的氮含量小于5×1016/cm3。
附图说明
图1为物理气相传输法生长SiC晶体的生长室的结构示意图，其中，1为石墨盖，2为石墨坩埚，3为SiC原料，4为粘合剂，5为籽晶，6为生长的晶体；
图2为本发明制备碳化硅粉料过程中有机溶剂的状态变化示意图。
具体实施方式
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将高纯硅粉(总杂质含量8.5ppm)5.25kg和高纯石墨粉(总杂质含量6.7ppm)5kg充分混合均匀得到混合料A，将该混和料A装入高纯石墨坩埚(总杂质含量7.3ppm)中，向坩埚内倒入高纯丙酮(纯度99.999％)500ml，将该坩埚置于Ar气为保护和流通气的箱体中(如图2所示)，待坩埚内部丙酮挥发至其初始重量的1/10以下后，将坩埚密封迅速放入图1所示的高温炉内，在Ar气条件下进行烧结处理，得到高纯碳化硅粉料。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅粉料进行氮含量测试，得到N含量为1.56×1016/cm3。
对比例1
将高纯硅粉(总杂质含量8.5ppm)5.25kg和高纯石墨粉(总杂质含量6.7ppm)5kg充分混合均匀得到混合料A，将该混合料A在空气环境中装入高纯石墨坩埚(总杂质含量7.3ppm)中，密封后放入图1所示高温炉内，在Ar气条件下，对其进行烧结处理，得到碳化硅粉料。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅粉料进行氮含量测试，得到N含量为8.92×1016/cm3。
实施例2
将高纯硅粉(总杂质含量3.2ppm)5.25kg和高纯石墨粉(总杂质含量2.8ppm)5kg充分混合均匀得到混合料A，将该混合料A浸入500ml高纯乙醇(纯度99.999％)中得到浸泡料B，将该浸泡料B置于Ar气为保护和流通气的箱体中，同时，将容积大于混合料A体积的高纯石墨坩埚(总杂质含量4ppm)在乙醇中充分浸泡后(30分钟)，放入Ar气为保护和流通气的手套箱中，待浸泡料B乙醇挥发至85g得到混合料C，坩埚内部乙醇挥发至其初始重量的1/10以下后，将混合料C装入坩埚中，密封后迅速放入高温炉内，将炉内抽真空，然后向炉内充入氩气至压力为1000Pa，保持30分钟，再将炉内抽真空至5Pa以下，将炉内温度升至800℃并充Ar气3万Pa保持1h，再将炉内抽真空至5Pa以下，再充Ar气1万Pa并升温至2300℃保持20h，得到高纯碳化硅粉料。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅粉料进行氮含量测试，得到N含量为8.92×1015/cm3。
实施例3
将3kg高纯碳化硅粉料(总杂质含量8ppm，N含量为4.2×1016/cm3)放入生长晶体用高纯石墨坩埚(总杂质含量7.5ppm)中，并倒入500ml高纯丙酮(纯度99.999％)，将该坩埚置于Ar气保护和流通下的手套箱中，待丙酮挥发至初始重量的1/10以下或100g以下，按照传统的PVT法生长SiC单晶进行装配，并迅速放入生长炉中进行PVT法SiC单晶生长，得到高纯碳化硅单晶。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅单晶进行氮含量测试，得到N含量为2.43×1016/cm3。
对比例2
将3kg高纯碳化硅粉料(总杂质含量8ppm，N含量为4.2×1016/cm3)放入生长晶体用高纯石墨坩埚(总杂质含量7.5ppm)中，按照传统的PVT法生长SiC单晶进行装配，并放入生长炉中进行PVT法SiC单晶生长，得到碳化硅单晶。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅单晶进行氮含量测试，得到N含量为1.33×1017/cm3。
实施例4
将3kg高纯碳化硅粉料(总杂质含量4.2ppm，N含量为小于1×1016/cm3)浸入500ml高纯乙醇(纯度99.999％)中得到混合物A，将该混合物A置于Ar气保护和流通下的手套箱中，将生长晶体用高纯石墨坩埚(总杂质含量3.5ppm)浸入高纯乙醇(纯度99.999％)中停留10分钟，之后放入Ar气保护和流通下的手套箱中，待乙醇挥发至初始重量的1/10以下，按照传统的PVT法生长SiC单晶进行装配，并迅速放入生长炉中进行PVT法SiC单晶生长，将炉内抽真空，然后向炉内充入氩气至压力为1000Pa，保持30分钟，再将炉内抽真空至5Pa以下，将炉内温度升至800℃并充气Ar气3万Pa保持1h，再将炉内抽真空至5Pa以下，随后进行正常PVT法SiC单晶生长，得到高纯碳化硅单晶。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅粉料进行氮含量测试，得到N含量为1.11×1016/cm3。
对比例3
将3kg高纯碳化硅粉料(总杂质含量8ppm，N含量为4.2×1016/cm3)放入生长晶体用高纯石墨坩埚(总杂质含量7.5ppm)中，并倒入500ml高纯盐酸(纯度99.99％)，将该坩埚置于Ar气保护和流通下的箱中，待盐酸挥发至初始重量的1/10以下或100g以下，按照传统的PVT法生长SiC单晶进行装配，并迅速放入生长炉中进行PVT法SiC单晶生长，发现对单晶炉的金属配件有一定的腐蚀，生长无法正常进行。
实施例5
将高纯硅粉(总杂质含量8.5ppm)5.25kg和高纯石墨粉(总杂质含量6.7ppm)5kg充分混合均匀得到混合料A，将该混合料A装入高纯石墨坩埚(总杂质含量7.3ppm)中，向坩埚内倒入高纯甲醇(纯度99.999％)500ml，将该坩埚置于Ar气为保护和流通气的箱体中(如图2所示)，待坩埚内部甲醇挥发至其初始重量的1/10以下后，将坩埚密封迅速放入图1所示的高温炉内，在Ar气条件下进行烧结处理，得到高纯碳化硅粉料。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅粉料进行氮含量测试，得到N含量为5.46×1015/cm3。
实施例6
将高纯硅粉(总杂质含量8.5ppm)5.25kg和高纯石墨粉(总杂质含量6.7ppm)5kg充分混合均匀得到混合料A，将该混合料A装入高纯石墨坩埚(总杂质含量7.3ppm)中，向坩埚内倒入高纯乙酸乙酯(纯度99.999％)500ml，将该坩埚置于Ar气为保护和流通气的箱体中(如图2所示)，待坩埚内部乙酸乙酯挥发至其初始重量的1/10以下后，将坩埚密封迅速放入图1所示的高温炉内，在Ar气条件下进行烧结处理，得到高纯碳化硅粉料。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅粉料进行氮含量测试，得到N含量为2.01×1016/cm3。
实施例7
将高纯硅粉(总杂质含量8.5ppm)5.25kg和高纯石墨粉(总杂质含量6.7ppm)5kg充分混合均匀得到混合料A，将该混合料A装入高纯石墨坩埚(总杂质含量7.3ppm)中，向坩埚内倒入高纯丙醚(纯度99.999％)500ml，将该坩埚置于Ar气为保护和流通气的箱体中(如图2所示)，待坩埚内部丙醚挥发至其初始重量的1/10以下后，将坩埚密封迅速放入图1所示的高温炉内，在Ar气条件下进行烧结处理，得到高纯碳化硅粉料。通过二次离子质谱仪(SIMS)对所得碳化硅粉料进行氮含量测试，得到N含量为3.42×1016/cm3。
由以上实施例可知，本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法，包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和碳化硅单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法，包括以下步骤:
将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料；
所述易挥发高纯有机物的纯度大于99.99％，沸点温度不大于800℃；所述易挥发高纯有机物不能与SiC、硅和石墨发生反应；所述易挥发高纯有机物选自醇类、酮类、醚类、烷烃类和羧酸酯类溶剂中的一种或多种；所述惰性气氛不包含氮元素；
所述易挥发高纯有机物占所述高纯硅粉和高纯石墨粉质量和的至少3％。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高纯硅粉和高纯石墨粉中杂质含量均小于10ppm；
所述高纯硅粉和高纯石墨粉的质量比为1.03～1.06:1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述易挥发高纯有机物选自甲醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯、正丁醇和丙醚中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将混合物料装入预先采用易挥发高纯有机物浸渍并在惰性气氛中挥发过的高纯石墨坩埚中烧结。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述低氮含量碳化硅粉料中氮浓度小于5×1016/cm3。
CN202110849202.3A 2021-07-27 2021-07-27 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶 Active CN113371712B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110849202.3A CN113371712B (zh) 2021-07-27 2021-07-27 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110849202.3A CN113371712B (zh) 2021-07-27 2021-07-27 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113371712A CN113371712A (zh) 2021-09-10
CN113371712B true CN113371712B (zh) 2022-11-08

Family

ID=77582887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110849202.3A Active CN113371712B (zh) 2021-07-27 2021-07-27 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113371712B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114908420B (zh) * 2022-05-16 2023-08-22 哈尔滨晶彩材料科技有限公司 高纯碳化硅多晶粉料的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0110053A1 (de) * 1982-11-25 1984-06-13 Hutschenreuther AG Verfahren zum Herstellen eines dichten polykristallinen Formkörpers aus SiC
JP2010077023A (ja) * 2009-11-30 2010-04-08 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶及びその製造方法
US8858709B1 (en) * 2006-04-11 2014-10-14 Ii-Vi Incorporated Silicon carbide with low nitrogen content and method for preparation

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100595144C (zh) * 2008-06-04 2010-03-24 山东大学 用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
EP2470473B1 (en) * 2009-08-26 2017-12-20 LG Innotek Co., Ltd. Method for manufacturing silicon carbide pulverulent body
CN105417541A (zh) * 2015-12-22 2016-03-23 中国电子科技集团公司第二研究所 一种高纯碳化硅粉料制备的方法
CN108946735B (zh) * 2017-05-19 2022-11-11 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法
CN108257925B (zh) * 2018-01-03 2020-06-02 北京科技大学 一种硅化金刚石/SiC复合材料的制备方法
CN109502589A (zh) * 2018-11-12 2019-03-22 山东天岳先进材料科技有限公司 一种制备高纯碳化硅粉料的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0110053A1 (de) * 1982-11-25 1984-06-13 Hutschenreuther AG Verfahren zum Herstellen eines dichten polykristallinen Formkörpers aus SiC
US8858709B1 (en) * 2006-04-11 2014-10-14 Ii-Vi Incorporated Silicon carbide with low nitrogen content and method for preparation
JP2010077023A (ja) * 2009-11-30 2010-04-08 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113371712A (zh) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107955970B (zh) 一种高质量氮化铝单晶的生长方法
US11440849B2 (en) SiC crucible, SiC sintered body, and method of producing SiC single crystal
CN113371712B (zh) 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶
JP5716998B2 (ja) 炭化珪素結晶インゴットおよび炭化珪素結晶ウエハ
USRE39778E1 (en) Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal
US20190352798A1 (en) Gallium oxide-doped crystalline material and preparation method and application thereof
CN107201543B (zh) 掺钛氧化镓晶体及其制备方法与应用
TW201907060A (zh) 砷化鎵晶體及砷化鎵結晶基板
EP2612958A1 (en) Method for producing silicon carbide single crystal, silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal substrate
CN109629003B (zh) 一种低浓度p型磷化铟单晶的制备方法
CN107974712A (zh) 一种半绝缘碳化硅单晶的制备方法
CN113308740B (zh) 一种半绝缘磷化铟的制备方法
JP2021502944A (ja) 少量のバナジウムをドーピングした半絶縁炭化ケイ素単結晶、基板、製造方法
CN108342775B (zh) 一种钽掺杂β氧化镓晶态材料及其制备方法和应用
Rumsby et al. Growth of large indium phosphide crystals
CN111850685A (zh) 一种快衰减高光输出氧化镓闪烁晶体及其制备方法
CN109208079B (zh) 一种钙铝石型半导体材料的制备方法
CN114086254B (zh) 一种Ga2O3单晶及其制备方法
US20180087186A1 (en) Method of producing carbide raw material
CN113355739A (zh) 单晶硅及其制备方法
US9523033B2 (en) Method for large scale synthesis of optically stimulated luminescence grade polycrystalline ceramic material
CN114920561A (zh) 一种碲化镉掺杂靶材的制备方法
CN109437148B (zh) 由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法
CN113308744A (zh) 一种半绝缘磷化铟的制备装置
CN114836832A (zh) 掺杂氧化镓晶体及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20210910

Assignee: Shenzhen Reinvested Tianke Semiconductor Co.,Ltd.

Assignor: TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.|Jiangsu tiankeheda Semiconductor Co.,Ltd.|XINJIANG TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Contract record no.: X2023990000678

Denomination of invention: Preparation method of low nitrogen content silicon carbide powder and silicon carbide single crystal

Granted publication date: 20221108

License type: Common License

Record date: 20230725

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract