CN113366368A - Mems反光镜装置以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

MEMS反光镜装置(3)具备框体(外侧可动框体13)、内侧可动构件(23)、第1梁(21)、反射反光镜构件(30)和连结构件(40)。内侧可动构件(23)配置在框体的内侧。第1梁(21)将内侧可动构件(23)可旋转地连结于框体。反射反光镜构件(30)具有反射面(30r)和背面(30s)。连结构件(40)连结反射反光镜构件(30)与内侧可动构件(23)。第1梁(21)在反射反光镜构件(30)的背面(30s)与内侧可动构件(23)连结。MEMS反光镜装置(3)可实现小型化。

Description

MEMS反光镜装置以及其制造方法
技术领域
本发明涉及MEMS反光镜装置以及其制造方法。
背景技术
日本特开2003－270555号公报(专利文献1)公开了包括平面型促动器的光扫描装置。该光扫描装置具备固定部、外侧扭力杆、外侧可动板、内侧扭力杆、内侧可动板、反射反光镜和驱动机构。外侧可动板经由外侧扭力杆与固定部连结。内侧可动板经由内侧扭力杆与外侧可动板连结。反射反光镜设在内侧可动板上。驱动机构驱动外侧可动板以及内侧可动板。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003－270555号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在专利文献1所公开的光扫描装置中，内侧扭力杆与跟反射反光镜的外周缘部对应的内侧可动板的外周缘部连接。为了确保光扫描装置所需的反射反光镜的面积，需要增大内侧可动板的面积，光扫描装置的尺寸变大。本发明是鉴于上述的课题而做出的，其目的在于提供能实现小型化的MEMS反光镜装置以及其制造方法。
用于解决课题的方案
本发明的MEMS反光镜装置具备框体、内侧可动构件、第1梁、反射反光镜构件和连结构件。内侧可动构件配置在框体的内侧。第1梁将内侧可动构件可旋转地连结于框体。反射反光镜构件具有反射面和与反射面相反侧的背面。连结构件将反射反光镜构件与内侧可动构件连结。第1梁在反射反光镜构件的背面与内侧可动构件连结。
发明的效果
在本发明的MEMS反光镜装置中，由于第1梁在反射反光镜构件的背面与内侧可动构件连结，所以，不用增大内侧可动构件就能确保反射面的面积。本发明的MEMS反光镜装置可小型化。
附图说明
图1是实施方式1的光扫描装置的概略图。
图2是实施方式1的MEMS反光镜装置的概略后视立体图。
图3是实施方式1的MEMS反光镜装置的概略主视立体图。
图4是实施方式1所涉及的MEMS反光镜装置的、图2所示的剖面线IV－IV处的概略剖面图。
图5是实施方式1的MEMS反光镜装置的、图2所示的剖面线V－V处的概略剖面图。
图6是实施方式1的MEMS反光镜装置的、图2所示的剖面线VI－VI处的概略剖面图。
图7是实施方式1的MEMS反光镜装置的、图2所示的剖面线VII－VII处的概略剖面图。
图8是实施方式1的光扫描装置所包含的内侧可动构件的概略后视图。
图9是实施方式1的光扫描装置所包含的反射反光镜构件的概略后视图。
图10是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的驱动原理的概略后视立体图。
图11是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的动作状态的概略后视立体图。
图12是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的动作状态的概略主视立体图。
图13是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的动作状态的概略后视立体图。
图14是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的动作状态的概略主视立体图。
图15是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法的一个工序的概略剖面图。
图16是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图15所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图17是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图16所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图18是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图17所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图19是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图17所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图20是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图18以及图19所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图21是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图18以及图19所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图22是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图20所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图23是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图22所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图24是示出实施方式1的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图23所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图25是实施方式2的光扫描装置的概略图。
图26是实施方式2的MEMS反光镜装置的概略后视立体图。
图27是实施方式2所涉及的MEMS反光镜装置的、图26所示的剖面线XXVII－XXVII处的概略剖面图。
图28是示出实施方式3的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图15所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图29是示出实施方式3的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图28所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图30是示出实施方式3的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图28所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图31是示出实施方式3的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图29以及图30所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图32是示出实施方式3的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图29以及图30所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图33是示出实施方式3的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图31以及图32所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图34是示出实施方式3的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图33所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图35是示出实施方式4的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图18以及图19所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图36是示出实施方式4的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图18以及图19所示的工序的下一工序的概略剖面图。
图37是示出实施方式4的MEMS反光镜装置的制造方法中的、图35以及图36所示的工序的下一工序的概略剖面图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。此外，对相同的构成标注相同的附图标记，而不重复其说明。
实施方式1.
参照图1说明实施方式1的光扫描装置1。本实施方式的光扫描装置1具备MEMS(Micro Electro Mechanical System)反光镜(Mirror)装置3、第1磁场发生器5a、第2磁场发生器5b、第1交流电流源5c和第2交流电流源5d。第1磁场发生器5a、第2磁场发生器5b、第1交流电流源5c和第2交流电流源5d作为MEMS反光镜装置3的驱动部发挥功能。
第1磁场发生器5a构成为对MEMS反光镜装置3施加第1方向(x方向)的第1磁场61(参照图10)。第1磁场发生器5a例如是永久磁铁。第2磁场发生器5b构成为对MEMS反光镜装置3施加第2方向(y方向)的第2磁场62(参照图10)。第2磁场发生器5b例如是永久磁铁。第2方向(y方向)是与第1方向(x方向)不同的方向。具体来讲，第2方向(y方向)是与第1方向(x方向)垂直的方向。后述的反射面30r(参照图3等)在第1方向(x方向)和第2方向(y方向)延伸。第1交流电流源5c构成为对后述的第1线圈25(参照图2以及图4等)供给第1交流电流。第2交流电流源5d构成为对后述的第2线圈15(参照图2以及图4等)供给第2交流电流。
参照图2至图14对实施方式1所涉及的MEMS反光镜装置3进行说明。MEMS反光镜装置3具备框体(外侧可动框体13)、内侧可动构件23、第1梁21、反射反光镜构件30和连结构件40(参照图6)。MEMS反光镜装置3还具备固定框体7和第2梁11。MEMS反光镜装置3还具备第1肋43。MEMS反光镜装置3还具备第2肋41、42。MEMS反光镜装置3设置在具有开口8a的封装体8上。
MEMS反光镜装置3具有包括第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53的层积体结构。第2硅层52层积在第1硅层51与第3硅层53之间。例如，第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53在第3方向(z方向)层积。第3方向(z方向)例如是与第1方向(x方向)以及第2方向(y方向)垂直的方向。
具体来讲，层积体结构包括绝缘层55、绝缘层56和绝缘层57。第1硅层51和第2硅层52隔着绝缘层55地层积。第1硅层51、绝缘层55和第2硅层52构成第1SOI晶圆50。第2硅层52和第3硅层53隔着绝缘层57地层积。绝缘层56形成在第1硅层51的背面上。第1硅层51可以比第2硅层52薄。第1硅层51例如具有10μm以上且100μm以下的厚度。第2硅层52例如具有比100μm大且700μm以下的厚度。
内侧可动构件23配置在框体(外侧可动框体13)的开口内。如图8所示那样，内侧可动构件23包括第1框体部分23a、第2框体部分23b和连结部分23c。连结部分23c将第1框体部分23a与第2框体部分23b连结。在内侧可动构件23设有槽23s。槽23s是第1框体部分23a与第2框体部分23b之间的间隙。槽23s是由第1框体部分23a、第2框体部分23b和连结部分23c规定的内侧可动构件23的凹部。槽23s是在第2方向(y方向)延伸的细长的间隙或凹部。内侧可动构件23形成在第1硅层51。内侧可动构件23可以包括绝缘层55以及绝缘层56。
如图2、图4、图6至图8所示那样，在内侧可动构件23的背面上设有第1线圈25。内侧可动构件23的背面是远离反射反光镜构件30的内侧可动构件23的表面。第1线圈25例如是薄膜线圈。第1线圈25由铜、金、银或铝那样的导电性材料构成。具体来讲，第1线圈25设在绝缘层56上。绝缘层56将第1线圈25与第1硅层51电绝缘。第1线圈25与第1交流电流源5c(参照图1)电连接。从第1交流电流源5c供给来的第1交流电流在第1线圈25流动。
在本实施方式中，框体是外侧可动框体13。外侧可动框体13、内侧可动构件23配置在固定框体7的开口7a内。框体(外侧可动框体13)形成于第1硅层51。框体(外侧可动框体13)包括绝缘层55以及绝缘层56。
如图2、图4、图6以及图7所示那样，在外侧可动框体13的背面上设有第2线圈15。外侧可动框体13的背面是远离反射反光镜构件30的外侧可动框体13的表面。第2线圈15例如是薄膜线圈。第2线圈15由铜、金、银或铝那样的导电性材料构成。具体来讲，第2线圈15设在绝缘层56上。绝缘层56将第2线圈15与第1硅层51电绝缘。第2线圈15与第2交流电流源5d(参照图1)电连接。从第2交流电流源5d供给来的第2交流电流在第2线圈15流动。
如图4、图6以及图7所示那样，第1肋43设在外侧可动框体13。如图7所示那样，第1肋43从外侧可动框体13的正面突出。外侧可动框体13的正面是邻近反射反光镜构件30的外侧可动框体13的表面。第1肋43从反射反光镜构件30离开。第1肋43提高了外侧可动框体13的刚性，在外侧可动框体13以第2梁11为中心旋转振动时，防止外侧可动框体13在其面外方向发生形变。由第2磁场62和第2交流电流产生的第2电磁力可有效地转换成外侧可动框体13的旋转振动运动。第1肋43的宽度w1小于连结构件40的宽度。第1肋43的宽度w1小于外侧可动框体13的宽度w2。第1肋43的厚度t1可以大于外侧可动框体13的厚度t2。第1肋43形成于第2硅层52。
如图2以及图6所示那样，第1梁21将内侧可动构件23可旋转地连结于框体(外侧可动框体13)。第1梁21在反射反光镜构件30的背面30s与内侧可动构件23连结。当俯视反射反光镜构件30的反射面30r时，连结于内侧可动构件23的第1梁21的端部与反射反光镜构件30重叠。具体来讲，第1梁21在反射反光镜构件30的背面30s的中央部与内侧可动构件23连结。第1梁21与内侧可动构件23的连结部分23c连结。第1梁21在槽23s中延伸。第1梁21在第2方向(y方向)延伸。第1梁21形成于第1硅层51。第1梁21包括绝缘层55。第1梁21可以包括绝缘层56。
如图2以及图3所示那样，固定框体7被固定于封装体8。固定框体7形成于第1硅层51和第2硅层52。固定框体7包括绝缘层55。固定框体7可以包括绝缘层56。
如图2、图3以及图5所示那样，第2梁11将框体(外侧可动框体13)可旋转地连结于固定框体7。当俯视反射反光镜构件30的反射面30r时，第2梁11在与第1梁21不同的方向延伸。具体来讲，第2梁11在与第1梁21延伸的第2方向(y方向)垂直的第1方向(x方向)延伸。
第2梁11包括与外侧可动框体13及固定框体7连接的第1层11a和层积在第1层11a的第2层11b。第2层11b与外侧可动框体13以及固定框体7分开。第2层11b的厚度t3大于第1层11a的厚度t4。第2层11b的宽度w3小于第1层11a的宽度w4。第2梁11形成于第1硅层51和第2硅层52。第1层11a形成于第1硅层51。第2层11b形成于第2硅层52。第2梁11包括绝缘层55。第2梁11可以包括绝缘层56。
如图3、图4、图6以及图7所示那样，反射反光镜构件30具有反射面30r和与反射面30r相反侧的背面30s。反射反光镜构件30包括基体构件31和设在基体构件31的正面上的反射层32。反射反光镜构件30的反射面30r是反射层32的表面。反射层32例如由金、银或铝那样的具有高反射率的材料构成。反射反光镜构件30(基体构件31)包括第3硅层53。反射反光镜构件30(基体构件31)形成于第3硅层53。反射反光镜构件30可以在与基体构件31的正面相反侧的基体构件31的背面上包括绝缘层57。
在基体构件31的正面上，没有设置反射层32以外的金属层(例如第1线圈25以及第2线圈15)。因而，利用反射层32以外的金属层(例如第1线圈25以及第2线圈15)，可防止射向反射层32的入射光以及来自反射层32的反射光被遮挡。另外，由于没有从反射层32以外的金属层向反射反光镜构件30施加应力，所以，可防止反射反光镜构件30在其面外方向发生形变。MEMS反光镜装置3能够在适当的方向扫描入射到反射反光镜构件30的光。在本说明书中，反射反光镜构件30的面外方向是指反射反光镜构件30的厚度方向。
如图6所示那样，反射反光镜构件30由内侧可动构件23支撑。具体来讲，反射反光镜构件30由连结构件40与内侧可动构件23连结。因而，当内侧可动构件23以第1梁21为中心旋转振动时，反射反光镜构件30与内侧可动构件23一起旋转振动。通过反射反光镜构件30的旋转振动，光被扫描。连结构件40形成在第2硅层52。
如图4、图7以及图9所示那样，第2肋41、42设在反射反光镜构件30(基体构件31)。第2肋41、42设在反射反光镜构件30的背面30s，从反射反光镜构件30的背面30s突出。第2肋41与内侧可动构件23(第1框体部分23a以及第2框体部分23b)连接。第2肋42与内侧可动构件23分开。第2肋41、42形成在第2硅层52。第2肋41、42的宽度w5小于内侧可动构件23的宽度w6。第2肋41、42的厚度t5可以大于内侧可动构件23的厚度t6。第2肋41、42的宽度w5小于反射反光镜构件30的宽度。第2肋41、42的厚度t5可以大于反射反光镜构件30的厚度。
可以如图9所示那样，第2肋41、42与连结构件40连接。第2肋41、42的宽度w5小于连结构件40的宽度。当俯视反射反光镜构件30的反射面30r时，第2肋41设置成开环形状。具体来讲，第2肋41沿着与内侧可动构件23的第1框体部分23a以及第2框体部分23b相向的反射反光镜构件30的部分延伸。在第2肋41的至少一部分设有间隙45。
第2肋42沿着与第1梁21延伸的第2方向(y方向)垂直的第1方向(x方向)延伸。第2肋42与第2肋41的第1部分和第2肋41的第2部分连接。第2肋41的第1部分与内侧可动构件23的第1框体部分23a以及第2框体部分23b相向，且设在邻近连结构件40的反射反光镜构件30的部分上。第2肋41的第2部分与内侧可动构件23的第1框体部分23a以及第2框体部分23b相向，且设在远离连结构件40的反射反光镜构件30的外周缘部上。第2肋42可以进一步与连结构件40连接。
参照图1以及图10至图14对MEMS反光镜装置3的动作进行说明。
如图1以及图10所示那样，第1磁场发生器5a对MEMS反光镜装置3施加第1方向(x方向)的第1磁场61。第2磁场发生器5b对MEMS反光镜装置3施加第2方向(y方向)的第2磁场62。
第1交流电流源5c向第1线圈25供给第1交流电流。第1交流电流的第1频率被设定成与内侧可动构件23的共振频率一致。因而，能以小的第1交流电流增大反射反光镜构件30的偏转角，并且能实现反射反光镜构件30的高速动作。第1频率例如为数百Hz以上且数kHz以下。第1磁场61和第1交流电流产生第1电磁力。如图11以及图12所示那样，第1电磁力使内侧可动构件23以第1梁21为中心旋转振动。另外，被内侧可动构件23支撑的反射反光镜构件30也以第1梁21为中心旋转振动。旋转振动的反射反光镜构件30在第1方向(x方向)扫描从封装体8的开口8a以及固定框体7的开口7a入射到反射反光镜构件30的光。
第2交流电流源5d向第2线圈15供给第2交流电流。第2交流电流的第2频率被设定成与外侧可动框体13的共振频率不同。第2交流电流的第2频率小于第1交流电流的第1频率。第2频率例如为数Hz以上且数十Hz以下。第2磁场62和第2交流电流产生第2电磁力。如图13以及图14所示那样，第2电磁力使外侧可动框体13以第2梁11为中心旋转振动。另外，被外侧可动框体13支撑的内侧可动构件23以及反射反光镜构件30也以第2梁11为中心旋转振动。旋转振动的反射反光镜构件30在第2方向(y方向)扫描从封装体8的开口8a以及固定框体7的开口7a入射到反射反光镜构件30的光。这样，光扫描装置1二维地扫描入射到反射反光镜构件30的光。
参照图15至图24对本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法进行说明。
如图15所示那样，准备第1SOI晶圆50。第1SOI晶圆50包括第1硅层51、绝缘层55和第2硅层52。第1硅层51和第2硅层52隔着绝缘层55地被层积。绝缘层55例如是二氧化硅(SiO2)层。绝缘层56设在远离第2硅层52的第1硅层51的背面上。例如将第1硅层51的背面热氧化，形成绝缘层56。绝缘层58设在远离第1硅层51的第2硅层52的正面上。例如将第2硅层52的正面热氧化，形成绝缘层58。绝缘层56以及绝缘层58例如分别是二氧化硅(SiO2)层。
如图16所示那样，第1线圈25以及第2线圈15设在绝缘层56上。第1线圈25以及第2线圈15例如分别是薄膜线圈。第1线圈25以及第2线圈15例如通过在绝缘层56上蒸镀铜、金、银或铝那样的导电性材料而形成。绝缘层56使第1线圈25以及第2线圈15与第1硅层51电绝缘。
如图17所示那样，将绝缘层56和第1硅层51的一部分除去，在第1硅层51形成内侧可动构件23、框体(外侧可动框体13)、第1梁21、第2梁11和固定框体7的一部分。具体来讲，在绝缘层56、第1线圈25以及第2线圈15上，形成具有开口的第1掩模(未图示)。利用第1掩模对绝缘层56的一部分进行蚀刻。例如通过反应离子蚀刻(RIE)、或是使用了氢氟酸那样的蚀刻液或氢氟酸气体那样的蚀刻气体的蚀刻，相对于第1硅层51选择性地除去绝缘层56。接着，将绝缘层56用作掩模，选择性地蚀刻第1硅层51。第1硅层51通过深反应离子蚀刻(DRIE)法被蚀刻。绝缘层55作为针对DRIE的蚀刻阻隔层发挥功能。
如图18以及图19所示那样，将绝缘层55和第2硅层52的一部分除去，在第2硅层52形成连结构件40、第1肋43、第2肋41、42和固定框体7的一部分。具体来讲，利用设在绝缘层56上的第1掩模(未图示)，对从第1掩模露出的绝缘层55的一部分进行蚀刻。绝缘层55例如通过与绝缘层56同样的方法相对于第1硅层51选择性地被除去。
随后，在绝缘层58上形成具有开口的第2掩模(未图示)。利用第2掩模对绝缘层58的一部分进行蚀刻。绝缘层58例如通过与绝缘层56同样的方法相对于第2硅层52选择性地被除去。接着，将绝缘层58用作掩模，选择性地蚀刻第2硅层52。第2硅层52通过深反应离子蚀刻(DRIE)法来进行蚀刻。绝缘层55作为针对第2硅层52的蚀刻的蚀刻阻隔层发挥功能。接着，将第2掩模除去。将绝缘层58除去。绝缘层58例如通过与绝缘层56同样的方法，相对于第2硅层52选择性地被除去。在蚀刻绝缘层58时，从第2硅层52露出的绝缘层55的一部分也被蚀刻。随后，第1掩模被除去。
如图20以及图21所示那样，隔着绝缘层57地将第3硅层53与第2硅层52接合。第3硅层53与形成于第2硅层52的连结构件40接合。第3硅层53可以进一步与形成于第2硅层52的第1肋43、第2肋41、42和固定框体7的一部分接合。具体来讲，将第3硅层53的背面热氧化，形成绝缘层57。绝缘层57例如是二氧化硅(SiO2)层。通过常温活性化接合法或等离子活性化接合法，隔着绝缘层57地将第3硅层53与第2硅层52接合。以不给第1线圈25以及第2线圈15带来损害的温度，第3硅层53与第2硅层52接合。这样，形成包括第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53的层积体70。第2硅层52层积在第1硅层51与第3硅层53之间。
第3硅层53向第2硅层52的接合在比大气压低的减压环境下或者在比室温高的温度下进行。因而，当将第3硅层53与第2硅层52接合时，容易在反射反光镜构件30的反射面30r与背面30s之间产生压力差，反射反光镜构件30容易变形。当将第3硅层53与第2硅层52接合时，设在第2肋41的至少一部分的间隙45作为气体的通路发挥功能。间隙45降低了在反射反光镜构件30的反射面30r与背面30s之间产生的压力差，防止反射反光镜构件30变形。
如图22所示那样，减薄第3硅层53。例如，第3硅层53可以通过化学机械研磨法进行研磨。如图23所示那样，在第3硅层53的正面上形成反射层32。例如在第3硅层53的正面蒸镀金、银或铝那样的具有高反射率的金属材料。第3硅层53的正面是远离第1硅层51的表面。
如图24所示那样，将第3硅层53的一部分除去。第3硅层53的一部分例如是位于反射层32的周围的第3硅层53的部分。具体来讲，在反射层32上形成掩模(未图示)。随后，通过反应离子蚀刻(RIE)法，对第3硅层53的一部分进行蚀刻。绝缘层57作为针对第3硅层53的蚀刻的蚀刻阻隔层发挥功能。随后，将位于反射层32的周围的绝缘层57除去。在第3硅层53形成反射反光镜构件30。这样，可获得图2至图9所示的MEMS反光镜装置3。
对本实施方式的MEMS反光镜装置3以及其制造方法的效果进行说明。
本实施方式的MEMS反光镜装置3具备框体(外侧可动框体13)、内侧可动构件23、第1梁21、反射反光镜构件30和连结构件40。内侧可动构件23配置在框体的内侧。第1梁21将内侧可动构件23可旋转地连结于框体。反射反光镜构件30具备反射面30r和与反射面30r相反侧的背面30s。连结构件40连结反射反光镜构件30与内侧可动构件23。第1梁21在反射反光镜构件30的背面30s与内侧可动构件23连结。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3中，第1梁21在反射反光镜构件30的背面30s与内侧可动构件23连结。因而，不用增大内侧可动构件23就能确保反射面30r的面积。MEMS反光镜装置3可小型化。进而，能加长第1梁21。在MEMS反光镜装置3中，即便增大光扫描角度，也能抑制硬弹簧效果的产生。
本实施方式的MEMS反光镜装置3还具备固定框体7和第2梁11。第2梁11将框体可旋转地连结于固定框体7。框体是外侧可动框体13。当俯视反射反光镜构件30的反射面30r时，第2梁11在与第1梁21不同的方向延伸。因而，MEMS反光镜装置3能二维地扫描入射到反射反光镜构件30的光。
本实施方式的MEMS反光镜装置3还具备设在外侧可动框体13的第1肋43。第1肋43从反射反光镜构件30侧的外侧可动框体13的表面突出，且与反射反光镜构件30分开。第1肋43提高了外侧可动框体13的刚性，防止在外侧可动框体13以第2梁11为中心旋转振动时外侧可动框体13在其面外方向发生形变。MEMS反光镜装置3可通过低消耗电力进行动作。此外，在本说明书中，外侧可动框体13的面外方向是指外侧可动框体13的厚度方向。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3中，第2梁11包括与框体(外侧可动框体13)及固定框体7连接的第1层11a(第1硅层51)和层积于第1层11a的第2层11b(第2硅层52)。第2层11b与框体(外侧可动框体13)和固定框体7分开，且具有比第1层11a大的厚度和比第1层11a小的宽度。
与框体(外侧可动框体13)和固定框体7连接的第1层11a被设计成具有低扭转刚性，以便第2梁11扭转位移。这样，第2梁11的面外刚性降低。在像汽车那样的反射反光镜构件30在反射反光镜构件30的面外方向振动的环境下使用了MEMS反光镜装置3的场合，难以在适当的方向扫描入射到反射反光镜构件30的光。相对于此，通过像本实施方式那样通过将具有比第1层11a大的厚度和比第1层11a小的宽度的第2层11b层积于第1层11a，从而不用怎么增加第2梁11的扭转刚性就能提高第2梁11的面外刚性。这样，即便在反射反光镜构件30在反射反光镜构件30的面外方向振动的环境下使用MEMS反光镜装置3，能在适当的方向扫描入射到反射反光镜构件30的光。此外，在本说明书中，第2梁11的面外刚性是指沿着反射反光镜构件30的厚度方向的第2梁11的刚性。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3中，在内侧可动构件23设有槽23s。第1梁21在槽23s中延伸。因而，能在反射反光镜构件30的背面30s将第1梁21与内侧可动构件23连结。不用增大内侧可动构件23就能确保反射面30r的面积。MEMS反光镜装置3可小型化。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3中，内侧可动构件23包括第1框体部分23a、第2框体部分23b和将第1框体部分23a与第2框体部分23b连结的连结部分23c。第1梁21与连结部分23c连结。槽23s由第1框体部分23a、第2框体部分23b和连结部分23c规定。由于内侧可动构件23包括第1框体部分23a和第2框体部分23b，所以，可确保内侧可动构件23的刚性，并能实现内侧可动构件23的轻量化。MEMS反光镜装置3能以低消耗电力高速地动作。
本实施方式的MEMS反光镜装置3还具备设于反射反光镜构件30的第2肋41、42。第2肋41、42从反射反光镜构件30的背面30s突出。第2肋41、42不用怎么增加反射反光镜构件30的重量就能提高反射反光镜构件30的刚性。第2肋41、42在反射反光镜构件30旋转振动时防止反射反光镜构件30在其面外方向发生形变。MEMS反光镜装置3能一边增大光扫描角度，一边在适当的方向扫描入射到反射反光镜构件30的光。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3中，在第2肋41的至少一部分设有间隙45。间隙45使由第2肋41包围的空间与第2肋41的外侧的空间之间流体连通。因而，间隙45降低了在MEMS反光镜装置3的使用期间产生在反射反光镜构件30的反射面30r与背面30s之间的压力差，防止反射反光镜构件30变形。
本实施方式的MEMS反光镜装置3具有包括第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53的层积体结构。第2硅层52被层积在第1硅层51与第3硅层53之间。在第1硅层51形成框体(外侧可动框体13)、内侧可动构件23和第1梁21。在第2硅层52形成连结构件40。在第3硅层53形成反射反光镜构件30。因而，不用增大内侧可动构件23就能确保反射面30r的面积。MEMS反光镜装置3可小型化。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法是具备层积体70的MEMS反光镜装置3的制造方法，该层积体70包括第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53，第2硅层52层积在第1硅层51与第3硅层53之间。本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法还具备以下工序：在第1硅层51形成内侧可动构件23、框体(外侧可动框体13)和第1梁21；在第2硅层52形成连结构件40；以及在第3硅层53形成反射反光镜构件30。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法能制造小型化的MEMS反光镜装置3。能使源自第1SOI晶圆50的MEMS反光镜装置3的产率提高。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法具备形成包括第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53的层积体70的工序。第2硅层52被层积在第1硅层51与第3硅层53之间。本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法还具备以下工序：在第1硅层51形成内侧可动构件23、框体(外侧可动框体13)、第1梁21、固定框体7和第2梁11；在第2硅层52形成连结构件40；以及在第3硅层53形成反射反光镜构件30。框体是外侧可动框体13。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法能制造小型化的MEMS反光镜装置3。能使源自第1SOI晶圆50的MEMS反光镜装置3的产率提高。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法中，通过将第1SOI晶圆50的第1硅层51以及第2硅层52的一部分除去，在第1硅层51形成框体(外侧可动框体13)、内侧可动构件23和第1梁21，在第2硅层52形成连结构件40。第1SOI晶圆50包括第1硅层51、第1绝缘层(绝缘层55)和第2硅层52。第1硅层51和第2硅层52隔着第1绝缘层(绝缘层55)地被层积。通过在连结构件40接合第3硅层53，形成层积体70。通过将第3硅层53的一部分除去，在第3硅层53形成反射反光镜构件30。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法能制造小型化的MEMS反光镜装置3。能使源自第1SOI晶圆50的MEMS反光镜装置3的产率提高。
实施方式2.
参照图25对实施方式2的光扫描装置1b进行说明。光扫描装置1b具备MEMS反光镜装置3b来替代实施方式1的MEMS反光镜装置3。光扫描装置1b具备第1交流电压源6a和第2交流电压源6b来替代实施方式1的第1磁场发生器5a、第2磁场发生器5b、第1交流电流源5c以及第2交流电流源5d。即，光扫描装置1b具备MEMS反光镜装置3b、第1交流电压源6a和第2交流电压源6b。第1交流电压源6a和第2交流电压源6b作为MEMS反光镜装置3b的驱动部发挥功能。
第1交流电压源6a构成为在后述的第1可动梳齿电极71a与第1固定梳齿电极72a之间供给第1交流电流。第2交流电压源6b构成为在后述的第2可动梳齿电极71b与第2固定梳齿电极72b之间供给第2交流电流。
参照图26以及图27对MEMS反光镜装置3b进行说明。MEMS反光镜装置3b具备与实施方式1的MEMS反光镜装置3同样的构成，但主要在以下方面有所不同。
MEMS反光镜装置3b不具备实施方式1的外侧可动框体13、第2梁11、第1线圈25和第2线圈15。MEMS反光镜装置3b可以不具备实施方式1的绝缘层56。框体是固定框体7。第1梁21将内侧可动构件23可旋转地连结于框体(固定框体7)。
内侧可动构件23包括第1可动梳齿电极71a和第2可动梳齿电极71b。第1可动梳齿电极71a设在第1框体部分23a。具体来讲，第1可动梳齿电极71a形成在与连结部分23c相反侧的第1框体部分23a的部分。第2可动梳齿电极71b设在第2框体部分23b。具体来讲，第2可动梳齿电极71b形成在与连结部分23c相反侧的第2框体部分23b的部分。如图27所示那样，第1可动梳齿电极71a以及第2可动梳齿电极71b具有与内侧可动构件23同样的层结构。第1可动梳齿电极71a以及第2可动梳齿电极71b形成在第1硅层51。第1可动梳齿电极71a以及第2可动梳齿电极71b包括绝缘层55。
MEMS反光镜装置3b还具备第1固定梳齿电极72a和第2固定梳齿电极72b。第1固定梳齿电极72a配置在固定框体7与第1可动梳齿电极71a之间。第1固定梳齿电极72a与第1可动梳齿电极71a相向。第2固定梳齿电极72b配置在固定框体7与第2可动梳齿电极71b之间。第2固定梳齿电极72b与第2可动梳齿电极71b相向。如图27所示那样，第1固定梳齿电极72a以及第2固定梳齿电极72b具有与固定框体7同样的层结构。第1固定梳齿电极72a以及第2固定梳齿电极72b形成在第1硅层51和第2硅层52。第1固定梳齿电极72a以及第2固定梳齿电极72b包括绝缘层55。
对MEMS反光镜装置3b的动作进行说明。
第1交流电压源6a在第1可动梳齿电极71a与第1固定梳齿电极72a之间供给第1交流电压。第1交流电压的第1频率被设定成内侧可动构件23的共振频率的一半。第1交流电压在第1可动梳齿电极71a与第1固定梳齿电极72a之间产生第1静电力。第2交流电压源6b在第2可动梳齿电极71b与第2固定梳齿电极72b之间供给第2交流电压。第2交流电压的第2频率被设定成外侧可动框体13的共振频率的一半。第2交流电压在第2可动梳齿电极71b与第2固定梳齿电极72b之间产生第2静电力。
第2交流电压具有与第1交流电压相反的相位。因而，当第1交流电压在第1可动梳齿电极71a与第1固定梳齿电极72a之间产生作为引力的第1静电力时，第2交流电压在第2可动梳齿电极71b与第2固定梳齿电极72b之间产生作为斥力的第2静电力。当第1交流电压在第1可动梳齿电极71a与第1固定梳齿电极72a之间产生作为斥力的第1静电力时，第2交流电压在第2可动梳齿电极71b与第2固定梳齿电极72b之间产生作为引力的第2静电力。这样，内侧可动构件23以第1梁21为中心进行旋转振动。旋转振动的反射反光镜构件30在第1方向(x方向)扫描从封装体8的开口8a以及固定框体7的开口7a入射到反射反光镜构件30的光。这样，光扫描装置1b一维地扫描入射到反射反光镜构件30的光。
如上所述，第1交流电压的第1频率以及第2交流电压的第2频率分别被设定成内侧可动构件23的共振频率的一半，且第2交流电压具有与第1交流电压相反的相位。内侧可动构件23按照内侧可动构件23的共振频率以第1梁21为中心进行旋转振动。因而，能以小的第1交流电流以及第2交流电压来增大反射反光镜构件30的偏转角，并且能实现反射反光镜构件30的高速动作。
本实施方式的MEMS反光镜装置3b的制造方法具备与实施方式1的MEMS反光镜装置3的制造方法同样的工序，但主要在以下方面有所不同。第1可动梳齿电极71a以及第2可动梳齿电极71b通过与内侧可动构件23同样的工序来获得。第1固定梳齿电极72a以及第2固定梳齿电极72b通过与固定框体7同样的工序来获得。本实施方式的MEMS反光镜装置3b的制造方法不具备实施方式1的MEMS反光镜装置3的制造方法的形成第1线圈25以及第2线圈15的工序。
本实施方式的MEMS反光镜装置3b以及其制造方法发挥与实施方式1的MEMS反光镜装置3以及其制造方法同样的以下效果。在MEMS反光镜装置3b中，第1梁21在反射反光镜构件30的背面30s与内侧可动构件23连结。因而，不加大内侧可动构件23就能确保反射面30r的面积。MEMS反光镜装置3b可小型化。进而，能加长第1梁21。在MEMS反光镜装置3b中，即便增大光扫描角度，也能抑制硬弹簧效果的产生。在本实施方式的MEMS反光镜装置3b的制造方法中，能使源自第1SOI晶圆50的MEMS反光镜装置3的产率提高。
实施方式3.
参照图15、图22至图24以及图28至图34对实施方式3的MEMS反光镜装置3的制造方法进行说明。本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法具备与实施方式1的MEMS反光镜装置3的制造方法同样的工序，但主要在以下方面有所不同。
在实施方式1的图15所示的工序之后，如图28所示那样，将绝缘层58除去。随后，如图29以及图30所示那样，将第2硅层52的一部分除去，在第2硅层52形成连结构件40、第1肋43、第2肋41、42和固定框体7的一部分。第2硅层52通过深反应离子蚀刻(DRIE)法进行蚀刻。绝缘层55作为针对第2硅层52的蚀刻的蚀刻阻隔层发挥功能。
如图31以及图32所示那样，隔着绝缘层57地将第3硅层53接合于第2硅层52。第3硅层53与形成于第2硅层52的连结构件40接合。第3硅层53可以进一步与形成于第2硅层52的第1肋43、第2肋41、42和固定框体7的一部分接合。具体来讲，将第3硅层53的背面热氧化，形成绝缘层57。隔着绝缘层57地将第3硅层53接合于第2硅层52。这样，形成包括第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53的层积体70。第2硅层52层积在第1硅层51与第3硅层53之间。
如图33所示那样，在连结构件40接合了第3硅层53之后，第1线圈25以及第2线圈15被设在绝缘层56上。第1线圈25以及第2线圈15例如通过在绝缘层56上蒸镀铜、金、银或铝那样的导电性材料而形成。绝缘层56将第1线圈25以及第2线圈15与第1硅层51电绝缘。
如图34所示那样，将绝缘层55、绝缘层56和第1硅层51的一部分除去，在第1硅层51形成内侧可动构件23、框体(外侧可动框体13)、第1梁21、第2梁11和固定框体7的一部分。具体来讲，在绝缘层56、第1线圈25以及第2线圈15上，形成具有开口的掩模(未图示)。利用掩模对绝缘层56的一部分进行蚀刻。将绝缘层56用作掩模，选择性地蚀刻第1硅层51。第1硅层51通过深反应离子蚀刻(DRIE)法进行蚀刻。绝缘层55作为针对DRIE的蚀刻阻隔层发挥功能。随后，利用设在绝缘层56上的掩模，蚀刻从掩模露出的绝缘层55的一部分。设在绝缘层56上的掩模被除去。
随后，通过实施方式1的图22至图24所示的工序，在第3硅层53形成反射反光镜构件30。这样，可获得图2至图9所示的MEMS反光镜装置3。本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法也可被用于制造实施方式2的MEMS反光镜装置3。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法发挥与实施方式1的MEMS反光镜装置3的制造方法同样的以下效果。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法中，通过将第1SOI晶圆50的第2硅层52的一部分除去，在第2硅层52形成连结构件40。第1SOI晶圆50包括第1硅层51、第1绝缘层(绝缘层55)和第2硅层52。第1硅层51和第2硅层52隔着第1绝缘层(绝缘层55)地层积。通过在连结构件40上接合第3硅层53，形成层积体70。通过将层积体70的第1硅层51的一部分除去，在第1硅层51形成框体(外侧可动框体13)、内侧可动构件23和第1梁21。通过将第3硅层53的一部分除去，在第3硅层53形成反射反光镜构件30。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法能制造小型化的MEMS反光镜装置3。能使源自第1SOI晶圆50的MEMS反光镜装置3的产率提高。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法中，还具备以下工序：在连结构件40上接合第3硅层53之后，在第1硅层51上隔着绝缘层地形成线圈层(第1线圈25、第2线圈15)。因而，为了将第3硅层53接合于第2硅层52，能采用以比常温活性化接合法或等离子活性化接合法高的温度(例如约1000℃)进行的接合加工。这样的高温接合加工可通过在半导体制造加工中通用的加热炉来实现。根据本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法，能更廉价且更牢固地将第3硅层53接合于第2硅层52。
实施方式4.
参照图15至图19、图23、图24以及图35至图37对实施方式4的MEMS反光镜装置3的制造方法进行说明。本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法具备与实施方式1的MEMS反光镜装置3的制造方法同样的工序，但主要在以下方面有所不同。
在实施方式1的图15至图19所示的工序之后，如图35以及图36所示那样，隔着绝缘层57地将第2SOI晶圆80接合于第1SOI晶圆50。第2SOI晶圆80包括第3硅层53、绝缘层85和第4硅层83。第3硅层53和第4硅层83隔着绝缘层85地层积。第3硅层53比第4硅层83薄。第3硅层53由第4硅层83支撑。绝缘层85例如是二氧化硅(SiO2)层。
第2SOI晶圆80(第3硅层53)与形成于第2硅层52的连结构件40接合。第2SOI晶圆80(第3硅层53)可以进一步与形成于第2硅层52的第1肋43、第2肋41、42和固定框体7的一部分接合。具体来讲，将第3硅层53的背面热氧化，形成绝缘层57。第3硅层53的背面是远离第4硅层83的第3硅层53的表面。通过常温活性化接合法或等离子活性化接合法，隔着绝缘层57地将第2SOI晶圆80(第3硅层53)接合于第2硅层52。以不给第1线圈25以及第2线圈15带来损害的温度，将第2SOI晶圆80(第3硅层53)接合于第2硅层52。
参照图37，蚀刻第4硅层83，将第4硅层83除去。具体来讲，第4硅层83既可以利用SF6气体或CF4气体那样的蚀刻气体进行干式蚀刻，也可以利用氢氧化钾(KOH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或乙二胺邻苯二酚(EDP)那样的蚀刻液进行湿式蚀刻。绝缘层85作为针对第4硅层83的蚀刻的蚀刻阻隔层发挥功能。随后，将绝缘层85除去。这样，形成包括第1硅层51、第2硅层52和第3硅层53的层积体70。第2硅层52层积在第1硅层51与第3硅层53之间。
随后，通过实施方式1的图23以及图24所示的工序，在第3硅层53形成反射反光镜构件30。这样，可获得图2至图9所示的MEMS反光镜装置3。本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法也可以被用于制造实施方式2的MEMS反光镜装置3。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法发挥与实施方式1的MEMS反光镜装置3的制造方法同样的以下效果。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法中，通过将第1SOI晶圆50的第1硅层51以及第2硅层52的一部分除去，在第1硅层51形成框体(外侧可动框体13)、内侧可动构件23和第1梁21，在第2硅层52形成连结构件40。第1SOI晶圆50包括第1硅层51、第1绝缘层(绝缘层55)和第2硅层52。第1硅层51和第2硅层52隔着第1绝缘层(绝缘层55)地层积。通过在连结构件40接合第2SOI晶圆80并随后将第4硅层83除去，形成层积体70。第2SOI晶圆80包括第3硅层53、第2绝缘层(绝缘层85)和第4硅层83。第3硅层53和第4硅层83隔着第2绝缘层(绝缘层85)地层积。通过将第3硅层53的一部分除去，在第3硅层53形成反射反光镜构件30。
本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法能制造小型化的MEMS反光镜装置3。能使源自第1SOI晶圆50以及第2SOI晶圆80的MEMS反光镜装置3的产率提高。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法中，第3硅层53的厚度由第2SOI晶圆80所包含的第3硅层53的厚度确定。在将第3硅层53接合于第2硅层52之后，能省去减薄第3硅层53的工序。能以高精度控制反射反光镜构件30(第3硅层53)的厚度。能使MEMS反光镜装置3的品质稳定。
在本实施方式的MEMS反光镜装置3的制造方法中，第4硅层83通过蚀刻被除去，而并非通过研磨那样的机械加工进行除去。因而，在将第4硅层83除去时，可防止第1肋43以及第2肋41、42等破损。能以提高的成品率制造MEMS反光镜装置3。
应认为此次公开的实施方式1～4在所有方面均为例示而并非限制性构成。只要没有矛盾，也能将此次公开的实施方式1～4中的至少2个实施方式组合。例如也可以将实施方式1的MEMS反光镜装置的驱动部替换成实施方式2的MEMS反光镜装置的驱动部。本发明的范围并非由上述说明限定，而是由权利要求书表示，意在包括与权利要求书均等的意思以及范围内的所有变更。
附图标记的说明
1、1b光扫描装置，3、3b MEMS反光镜装置，5a第1磁场发生器，5b第2磁场发生器，5c第1交流电流源，5d第2交流电流源，6a第1交流电压源，6b第2交流电压源，7固定框体，7a开口，8封装体，8a开口，11第2梁，11a第1层，11b第2层，13外侧可动框体，15第2线圈，21第1梁，23内侧可动构件，23a第1框体部分，23b第2框体部分，23c连结部分，23s槽，25第1线圈，30反射反光镜构件，30r反射面，30s背面，31基体构件，32反射层，40连结构件，41、42第2肋，43第1肋，45间隙，50第1SOI晶圆，51第1硅层，52第2硅层，53第3硅层，55、56、57、58、85绝缘层，61第1磁场，62第2磁场，70层积体，71a第1可动梳齿电极，71b第2可动梳齿电极，72a第1固定梳齿电极，72b第2固定梳齿电极，80第2SOI晶圆，83第4硅层。

Claims (16)

1.一种MEMS反光镜装置，其中，
上述MEMS反光镜装置具备：
框体；
内侧可动构件，该内侧可动构件配置在上述框体的内侧；
第1梁，该第1梁将上述内侧可动构件可旋转地连结于上述框体；
反射反光镜构件，该反射反光镜构件具有反射面和与上述反射面相反侧的背面；以及
连结构件，该连结构件将上述反射反光镜构件与上述内侧可动构件连结，
上述第1梁在上述反射反光镜构件的上述背面与上述内侧可动构件连结。
2.如权利要求1所述的MEMS反光镜装置，其中，
上述MEMS反光镜装置还具备：
固定框体；以及
第2梁，该第2梁将上述框体可旋转地连结于上述固定框体，
上述框体是外侧可动框体，
当俯视上述反射反光镜构件的上述反射面时，上述第2梁在与上述第1梁不同的方向延伸。
3.如权利要求2所述的MEMS反光镜装置，其中，
上述MEMS反光镜装置还具备第1肋，该第1肋设在上述外侧可动框体，
上述第1肋从上述反射反光镜构件侧的上述外侧可动框体的表面突出，且与上述反射反光镜构件分开。
4.如权利要求2或3所述的MEMS反光镜装置，其中，
上述第2梁包括与上述框体及上述固定框体连接的第1层和层积在上述第1层上的第2层，
上述第2层与上述框体及上述固定框体分离，且具有比上述第1层大的厚度和比上述第1层小的宽度。
5.如权利要求1所述的MEMS反光镜装置，其中，
上述框体是固定框体。
6.如权利要求1～5中任一项所述的MEMS反光镜装置，其中，
在上述内侧可动构件设有槽，
上述第1梁在上述槽中延伸。
7.如权利要求6所述的MEMS反光镜装置，其中，
上述内侧可动构件包括第1框体部分、第2框体部分和将上述第1框体部分与上述第2框体部分连结的连结部分，
上述第1梁与上述连结部分连结，
上述槽由上述第1框体部分、上述第2框体部分和上述连结部分规定。
8.如权利要求1～7中任一项所述的MEMS反光镜装置，其中，
上述MEMS反光镜装置还具备设于上述反射反光镜构件的第2肋，
上述第2肋从上述反射反光镜构件的上述背面突出。
9.如权利要求8所述的MEMS反光镜装置，其中，
在上述第2肋的至少一部分设有间隙。
10.如权利要求1～9中任一项所述的MEMS反光镜装置，其中，
上述MEMS反光镜装置具有包括第1硅层、第2硅层和第3硅层的层积体结构，上述第2硅层层积在上述第1硅层与上述第3硅层之间，
在上述第1硅层形成有上述框体、上述内侧可动构件和上述第1梁，
在上述第2硅层形成有上述连结构件，
在上述第3硅层形成有上述反射反光镜构件。
11.一种MEMS反光镜装置的制造方法，是如权利要求1或5所述的MEMS反光镜装置的制造方法，上述MEMS反光镜装置具备层积体，该层积体包括第1硅层、第2硅层和第3硅层，上述第2硅层层积在上述第1硅层与上述第3硅层之间，其中，
上述MEMS反光镜装置的制造方法具备以下工序：
在上述第1硅层形成上述内侧可动构件、上述框体和上述第1梁；
在上述第2硅层形成上述连结构件；以及
在上述第3硅层形成上述反射反光镜构件。
12.一种MEMS反光镜装置的制造方法，是如权利要求2所述的MEMS反光镜装置的制造方法，上述MEMS反光镜装置具备层积体，该层积体包括第1硅层、第2硅层和第3硅层，上述第2硅层层积在上述第1硅层与上述第3硅层之间，其中，
上述MEMS反光镜装置的制造方法具备以下工序：
在上述第1硅层形成上述内侧可动构件、上述框体、上述第1梁、上述固定框体和上述第2梁；
在上述第2硅层形成上述连结构件；以及
在上述第3硅层形成上述反射反光镜构件，
上述框体是上述外侧可动框体。
13.如权利要求11或12所述的MEMS反光镜装置的制造方法，其中，
通过将第1SOI晶圆的上述第1硅层以及上述第2硅层的一部分除去，在上述第1硅层形成上述框体、上述内侧可动构件和上述第1梁，在上述第2硅层形成上述连结构件，上述第1SOI晶圆包括上述第1硅层、第1绝缘层和上述第2硅层，上述第1硅层和上述第2硅层隔着上述第1绝缘层地层积，
通过在上述连结构件接合上述第3硅层，形成上述层积体，
通过将上述第3硅层的一部分除去，在上述第3硅层形成上述反射反光镜构件。
14.如权利要求11或12所述的MEMS反光镜装置的制造方法，其中，
通过将第1SOI晶圆的上述第2硅层的一部分除去，在上述第2硅层形成上述连结构件，上述第1SOI晶圆包括上述第1硅层、第1绝缘层和上述第2硅层，上述第1硅层和上述第2硅层隔着上述第1绝缘层地层积，
通过在上述连结构件上接合上述第3硅层，形成上述层积体，
通过将上述层积体的上述第1硅层的一部分除去，在上述第1硅层形成上述框体、上述内侧可动构件和上述第1梁，
通过将上述第3硅层的一部分除去，在上述第3硅层形成上述反射反光镜构件。
15.如权利要求14所述的MEMS反光镜装置的制造方法，其中，
上述MEMS反光镜装置的制造方法还具备以下工序：
在将上述第3硅层接合于上述连结构件之后，在上述第1硅层上隔着绝缘层地形成线圈层。
16.如权利要求11或12所述的MEMS反光镜装置的制造方法，其中，
通过将第1SOI晶圆的上述第1硅层以及上述第2硅层的一部分除去，在上述第1硅层形成上述框体、上述内侧可动构件和上述第1梁，在上述第2硅层形成上述连结构件，上述第1SOI晶圆包括上述第1硅层、第1绝缘层和上述第2硅层，上述第1硅层和上述第2硅层隔着上述第1绝缘层地层积，
通过在上述连结构件上接合第2SOI晶圆并随后将第4硅层除去，形成上述层积体，上述第2SOI晶圆包括上述第3硅层、第2绝缘层和上述第4硅层，上述第3硅层和上述第4硅层隔着上述第2绝缘层地层积，
通过将上述第3硅层的一部分除去，在上述第3硅层形成上述反射反光镜构件。
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