CN113363276A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113363276A
CN113363276A CN202110593194.0A CN202110593194A CN113363276A CN 113363276 A CN113363276 A CN 113363276A CN 202110593194 A CN202110593194 A CN 202110593194A CN 113363276 A CN113363276 A CN 113363276A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
substrate
layer
display panel
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110593194.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113363276B (zh
Inventor
赖志维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Interface Technology Chengdu Co Ltd
General Interface Solution Ltd
Original Assignee
Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Interface Technology Chengdu Co Ltd
Yecheng Optoelectronics Wuxi Co Ltd
General Interface Solution Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd, Interface Technology Chengdu Co Ltd, Yecheng Optoelectronics Wuxi Co Ltd, General Interface Solution Ltd filed Critical Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Priority to CN202110593194.0A priority Critical patent/CN113363276B/zh
Publication of CN113363276A publication Critical patent/CN113363276A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113363276B publication Critical patent/CN113363276B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Abstract

本申请涉及一种显示面板及其制作方法，显示面板制作方法包括以下步骤：在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层；在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层；在第二基板表面设置发光二极管元件；发光二极管元件与量子点层相对设置；封装第一基板与第二基板。本申请的显示面板制作方法，通过首先在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层，便于在形成量子点层时调节每个量子点层所占的区域大小，同时使两个相邻的量子点层之间的间距保持较小的尺寸，随后在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层，所形成的遮挡层的线宽较窄，遮挡层对显示区域的遮挡程度较小，显示面板中量子点层之间的间距较小，显示效果好。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
Micro LED(Micro Light Emitting Diode)显示装置相比OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)显示装置具有可靠性高、色域高、亮度高、透明度高、像素密度高、封装要求低等优势，更容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具有发展潜力的显示装置。
在Micro LED显示面板中，为了避免不同像素区域之间的颜色互相干扰的问题，需要采用遮挡层将不同的像素区域隔开。而相关技术中在制作显示面板时，通常先制作遮挡层，随后在遮挡层上空缺的区域制作像素区域。受限于制作精度，遮挡层的线宽较宽，带来的问题是显示面板中相邻的像素区域间距较大，显示效果较差。
发明内容
基于此，有必要针对显示面板中相邻的像素区域间距较大，显示效果较差的问题，提供一种显示面板及其制作方法。
本申请实施例提供了一种显示面板制作方法，包括以下步骤：在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层；在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层；在第二基板表面设置发光二极管元件；发光二极管元件与量子点层相对设置；封装第一基板与第二基板。
在其中一个实施例中，在第二基板表面设置发光二极管元件的步骤包括：在第二基板表面设置多个蓝色微型发光二极管。
在其中一个实施例中，在第二基板表面设置发光二极管元件的步骤包括：将各蓝色微型发光二极管与各量子点层一一对应设置。
在其中一个实施例中，量子点层包括分别间隔设置的红色量子点层、绿色量子点层和透明层，红色量子点层具有红色量子点光阻，绿色量子点层具有绿色量子点光阻。
在其中一个实施例中，遮挡层具有黑色光阻。
在其中一个实施例中，沿垂直于第一基板表面的方向，绿色量子点层的高度大于遮挡层的高度。
在其中一个实施例中，沿垂直于第一基板表面的方向，遮挡层的高度大于红色量子点层的高度。
在其中一个实施例中，沿垂直于第一基板表面的方向，红色量子点层的高度大于透明层的高度。
在其中一个实施例中，沿量子点层的设置方向，红色量子点层、绿色量子点层和透明层的宽度均相等，且红色量子点层、绿色量子点层和透明层的宽度均大于遮挡层的宽度。
本申请实施例还提供了一种显示面板，包括：第一基板，第一基板表面具有多个间隔设置的量子点层，每两个相邻的量子点层之间具有遮挡层；第二基板，与第一基板相对设置，第二基板表面设有发光二极管元件，且发光二极管元件与量子点层相对设置。
基于本申请实施例的显示面板及其制作方法，通过首先在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层，便于在形成量子点层时调节每个量子点层所占的区域大小，同时使两个相邻的量子点层之间的间距保持较小的尺寸，随后在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层，由于此时第一基板表面预留给遮挡层的空间只有两个相邻的量子点层之间的区域，因此，所形成的遮挡层的线宽自然较窄，遮挡层对显示区域的遮挡程度较小，显示面板中量子点层之间的间距较小，显示效果好。
附图说明
图1为本申请一个实施例提供的显示面板制作方法的流程示意图；
图2为本申请一个实施例提供的显示面板的整体结构剖视图。
主要元件符号说明
显示面板 10
第一基板 100
量子点层 110
红色量子点层 111
绿色量子点层 112
透明层 113
遮挡层 120
第二基板 200
发光二极管元件 210
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在Micro LED(Micro Light Emitting Diode)显示面板中，为了避免不同像素区域之间的颜色互相干扰的问题，需要采用遮挡层将不同的像素区域隔开。相关技术中，在制作显示面板时，通常先制作遮挡层，随后在遮挡层上空缺的区域制作像素区域。因此，相邻的两个像素区域之间的间距取决于遮挡层的线宽。当遮挡层的线宽较宽时，遮挡层对显示区域的遮挡程度较大，相邻的两个像素区域之间的间距较大，像素区域整体较稀疏，显示面板的显示效果差。当遮挡层的线宽较窄时，遮挡层对显示区域的遮挡程度较小，相邻的两个像素区域之间的间距较小，像素区域整体较密集，显示面板的显示效果好。而受限于制作设备的制作精度，相关技术中的遮挡层的线宽通常都较宽，造成显示面板的显示效果差。
图1为本申请一个实施例提供的显示面板10制作方法的流程示意图；图2为本申请一个实施例提供的显示面板10的整体结构剖视图。
为了解决上述技术问题，请参阅图1至图2，本申请实施例提供了一种显示面板10制作方法，该制作方法包括以下步骤：
S102、在第一基板100表面形成多个间隔设置的量子点层110。
第一基板100用于支撑量子点层110，第一基板100采用透光材料制成，例如，第一基板100可以是玻璃基板，也可以是树脂基板。量子点层110中具有量子点，量子点是一种纳米级别的半导体，其具有限制电子和电子空穴的特性，因而被称为量子点。为了使显示面板10的不同区域能够分别显示相同或不同的颜色，需要在第一基板100上设置多个量子点层110并对它们分别进行控制，由此，就可以使第一基板100的不同区域能够发出相同或不同颜色的光以显示相同或不同的内容。本申请实施例中首先在第一基板100表面形成多个间隔设置的量子点层110，便于在形成量子点层110时调节每个量子点层110所占的区域大小，同时使两个相邻的量子点层110之间的间距保持较小的尺寸。
S104、在每两个相邻的量子点层110之间形成遮挡层120。
同时，为了防止一个量子点层110发出的光线串扰到相邻的量子点层110中，出现不同的量子点层110之间的颜色相互干扰，影响显示面板10的显示效果的情况，需要将不同的量子点层110分隔开。为此，本申请实施例中将多个量子点层110间隔设置，并在每两个相邻的量子点层110之间形成遮挡层120。这样，每个量子点层110均被遮挡层120所隔开，量子点层110所发出的光线也就不会串扰到相邻的量子点层110中，不同的量子点层110之间的颜色相互独立，互不干扰，显示面板10的显示效果好。本申请实施例中首先在第一基板100表面形成多个间隔设置的量子点层110，随后在每两个相邻的量子点层110之间形成遮挡层120，由于此时第一基板100表面预留给遮挡层120的空间只有两个相邻的量子点层110之间的区域，因此，所形成的遮挡层120的线宽自然较窄，遮挡层120对显示区域的遮挡程度较小，显示面板10中量子点层110之间的间距较小，显示效果好。
S106、在第二基板200表面设置发光二极管元件210；发光二极管元件210与量子点层110相对设置。
类似的，第二基板200用于支撑发光二极管元件210，第二基板200采用透光材料制成，例如，第二基板200可以是玻璃基板，也可以是树脂基板。发光二极管元件210发出的光线照射至量子点层110，经过量子点层110的颜色转换后，能够变为不同颜色的光线，以实现显示功能。在一些实施例中，第二基板200上在发光二极管元件210的周围还可以设置胶层，胶层将发光二极管元件210包裹住，一方面胶层可以保护发光二极管元件210，避免发光二极管元件210的表面在制作过程中受到破坏，影响显示面板10的显示质量；另一方面，胶层还可以将发光二极管元件210所发出的光进行聚拢，使得所有的光线聚拢在朝向第一基板100的方向，提高了光线的利用率、亮度和对比度。
S108、封装第一基板100与第二基板200。
第一基板100与第二基板200可以采用封装材料形成的封装层(图中未示出)来实现封装，封装层覆盖各个量子点层110、遮挡层120以及发光二极管元件210，并将第一基板100与第二基板200固定连接起来，封装层能够防止第一基板100和第二基板200上的元器件受到外界杂质的侵蚀，对它们起到防护作用。
采用本申请实施例中的制作方法制作出的显示面板10中，遮挡层120的线宽较窄，遮挡层120对显示区域的遮挡程度较小，显示面板10中量子点层110之间的间距较小，显示效果好。
具体的，在一些实施例中，第二基板200表面的发光二极管元件210为多个蓝色微型发光二极管。此时，在第二基板200表面设置发光二极管元件210的步骤包括：在第二基板200表面设置多个蓝色微型发光二极管。同时，量子点层110包括分别间隔设置的红色量子点层111、绿色量子点层112和透明层113，红色量子点层111具有红色量子点光阻，绿色量子点层112具有绿色量子点光阻。因此，进一步的，在第二基板200表面设置发光二极管元件210的步骤包括：将各蓝色微型发光二极管与各量子点层110一一对应设置。红色量子点层111和绿色量子点层112的材料包括含有量子点的光固化性材料，红色量子点层111和绿色量子点层112对蓝色微型发光二极管发出的蓝光具有转换作用。如此，蓝色微型发光二极管自身发出蓝色光，若设置于第一基板100上的红色子像素区域，则蓝色微型发光二极管与红色量子点层111对应设置，蓝色微型发光二极管发出的蓝光经过红色量子点层111，被转变为红光。若设置于第一基板100上的绿色子像素区域，则蓝色微型发光二极管与绿色量子点层112对应设置，蓝色微型发光二极管发出的蓝光经过绿色量子点层112，被转变为绿光。若设置于第一基板100上的蓝色子像素区域，则蓝色微型发光二极管与透明层113对应设置，蓝色微型发光二极管发出的蓝光经过透明层113后仍为蓝光。从而在第一基板100上形成红、绿、蓝三像素的转换，进而实现显示面板10的全彩化显示。
并且，在一些实施例中，遮挡层120具有黑色光阻，遮挡层120设置于每两个相邻的量子点层110之间，具有黑色光阻的遮挡层120能够将不同的量子点层110分隔开，黑色光阻能够防止一个量子点层110发出的光线串扰到相邻的量子点层110中，避免出现不同的量子点层110之间的颜色相互干扰，影响显示面板10的显示效果的情况。
在一些实施例中，各个量子点层110和遮挡层120的形成可以采用黄光制程来制作，黄光制程是一种光刻工艺，通过对涂敷在基层表面的光敏性物质(光刻胶或光阻)进行曝光、显影等工序后留下的部分进行刻蚀脱模，最终获得永久性图案。由于光刻胶或光阻一般对黄光不敏感，而对其他波长的光比较敏感，因此工艺过程中一般都采用黄光照明，避免了光辐照后产生交联，故此工艺过程被称为黄光制程。其中，光阻是一种感光的物质，是将图案从光罩上传递到基板上的一种介质，分为正光阻和负光阻，正光阻的特性是被曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被去除；负光阻的特性与正光阻的特性相反，将其曝光之后，感光部分的性质改变，并在之后的显影过程中会被留下，而没有感光的部分则在显影过程被去除。将涂布在基板表面的光阻感光，同时将光罩上的图形传递到基板表面的过程称为曝光。将曝光完成后的图案进行处理，以将图案清晰的显现出来的过程称为显影，显影后，光阻上的图案会被显现出来。
其中，在曝光过程中一个重要的参数为深宽比，深宽比表示曝光到的光阻尺寸(深)与沒有曝光到的光阻尺寸(宽)的比值。而光阻的高度越高，曝光后得到小线宽的尺寸也就越难。并且，在同样尺寸的前提下，相较于其它颜色的彩色光阻材料，如红色光阻材料、绿色光阻材料等，黑色光阻材料的吸光性能更强，则在采用同样的的曝光能量的情况下，黑色光阻材料中可以留住图案的底部光阻接收不到能量进行固化交联，所以就留不住小线宽图案。亦即同样的高度下，彩色光阻材料可以做到较小的线宽，而黑色光阻材料却无法做到。
因此，为了在显示面板10的制作过程中，合理控制彩色光阻材料和黑色光阻材料在黄光制程后所留下的图案的线宽，在一些实施例中，沿垂直于第一基板100表面的方向，绿色量子点层112的高度大于遮挡层120的高度。沿垂直于第一基板100表面的方向，遮挡层120的高度大于红色量子点层111的高度。沿垂直于第一基板100表面的方向，红色量子点层111的高度大于透明层113的高度。沿量子点层110的设置方向，红色量子点层111、绿色量子点层112和透明层113的宽度均相等，且红色量子点层111、绿色量子点层112和透明层113的宽度均大于遮挡层120的宽度。通过合理设置绿色量子点层112、遮挡层120、红色量子点层111和透明层113之间的高度和宽度的关系，可以使各层的线宽保持合理的尺寸。具体的，在其中一个实施例中，沿垂直于第一基板100表面的方向，红色量子点层111的高度h1为9微米，绿色量子点层112的高度h2为10微米，透明层113的高度h3为7微米，遮挡层120的高度h4为9.5微米，满足h2＞h4＞h1＞h3。同时，在该实施例中，沿量子点层110的设置方向，红色量子点层111的宽度d1为6微米，绿色量子点层112的宽度d2为6微米，透明层113的宽度d3为6微米，遮挡层120的宽度d4为2微米，满足d1＝d2＝d3＞d4。在其它的实施例中，红色量子点层111、绿色量子点层112、透明层113和遮挡层120之间的高度和宽度也可以是其它尺寸，只要能够满足上述条件即可。
综上所述，采用本申请实施例的显示面板10制作方法，通过首先在第一基板100表面形成多个间隔设置的量子点层110，便于在形成量子点层110时调节每个量子点层110所占的区域大小，同时使两个相邻的量子点层110之间的间距保持较小的尺寸，随后在每两个相邻的量子点层110之间形成遮挡层120，由于此时第一基板100表面预留给遮挡层120的空间只有两个相邻的量子点层110之间的区域，因此，所形成的遮挡层120的线宽自然较窄，遮挡层120对显示区域的遮挡程度较小，显示面板10中量子点层110之间的间距较小，显示效果好。
请参阅图2，本申请实施例还提供了一种显示面板10，该显示面板10包括第一基板100以及第二基板200。
其中，第一基板100表面具有多个间隔设置的量子点层110，每两个相邻的量子点层110之间具有遮挡层120。第一基板100用于支撑量子点层110，第一基板100采用透光材料制成，例如，第一基板100可以是玻璃基板，也可以是树脂基板。为了使显示面板10的不同区域能够分别显示相同或不同的颜色，需要在第一基板100上设置多个量子点层110并对它们分别进行控制，由此，就可以使第一基板100的不同区域能够发出相同或不同颜色的光以显示相同或不同的内容。同时，为了防止一个量子点层110发出的光线串扰到相邻的量子点层110中，出现不同的量子点层110之间的颜色相互干扰，影响显示面板10的显示效果的情况，需要将不同的量子点层110分隔开。为此，本申请实施例中将多个量子点层110间隔设置，并在每两个相邻的量子点层110之间形成遮挡层120。这样，每个量子点层110均被遮挡层120所隔开，量子点层110所发出的光线也就不会串扰到相邻的量子点层110中，不同的量子点层110之间的颜色相互独立，互不干扰，显示面板10的显示效果好。
第二基板200与第一基板100相对设置，第二基板200表面设有发光二极管元件210，且发光二极管元件210与量子点层110相对设置。第二基板200用于支撑发光二极管元件210，第二基板200采用透光材料制成，例如，第二基板200可以是玻璃基板，也可以是树脂基板。发光二极管元件210发出的光线照射至量子点层110，经过量子点层110的颜色转换后，能够变为不同颜色的光线，以实现显示功能。
具体的，在一些实施例中，第二基板200表面的发光二极管元件210为多个蓝色微型发光二极管。同时，量子点层110包括分别间隔设置的红色量子点层111、绿色量子点层112和透明层113，红色量子点层111具有红色量子点光阻，绿色量子点层112具有绿色量子点光阻。蓝色微型发光二极管自身发出蓝色光，若设置于第一基板100上的红色子像素区域，则蓝色微型发光二极管与红色量子点层111对应设置，蓝色微型发光二极管发出的蓝光经过红色量子点层111，被转变为红光；若设置于第一基板100上的绿色子像素区域，则蓝色微型发光二极管与绿色量子点层112对应设置，蓝色微型发光二极管发出的蓝光经过绿色量子点层112，被转变为绿光；若设置于第一基板100上的蓝色子像素区域，则蓝色微型发光二极管与透明层113对应设置，蓝色微型发光二极管发出的蓝光经过透明层113后仍为蓝光。从而在第一基板100上形成红、绿、蓝三像素的转换，进而实现显示面板10的全彩化显示。
本申请实施例中的显示面板10采用以上实施例中的制作方法制作而成，通过首先在第一基板100表面形成多个间隔设置的量子点层110，便于在形成量子点层110时调节每个量子点层110所占的区域大小，同时使两个相邻的量子点层110之间的间距保持较小的尺寸，随后在每两个相邻的量子点层110之间形成遮挡层120，由于此时第一基板100表面预留给遮挡层120的空间只有两个相邻的量子点层110之间的区域，因此，所形成的遮挡层120的线宽自然较窄，遮挡层120对显示区域的遮挡程度较小，显示面板10中量子点层110之间的间距较小，显示效果好。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层；
在每两个相邻的所述量子点层之间形成遮挡层；
在第二基板表面设置发光二极管元件；所述发光二极管元件与所述量子点层相对设置；
封装所述第一基板与所述第二基板。
2.根据权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在第二基板表面设置发光二极管元件的步骤包括：
在第二基板表面设置多个蓝色微型发光二极管。
3.根据权利要求2所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在第二基板表面设置发光二极管元件的步骤包括：
将各所述蓝色微型发光二极管与各所述量子点层一一对应设置。
4.根据权利要求2所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述量子点层包括分别间隔设置的红色量子点层、绿色量子点层和透明层，所述红色量子点层具有红色量子点光阻，所述绿色量子点层具有绿色量子点光阻。
5.根据权利要求4所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述遮挡层具有黑色光阻。
6.根据权利要求4所述的显示面板制作方法，其特征在于，沿垂直于所述第一基板表面的方向，所述绿色量子点层的高度大于所述遮挡层的高度。
7.根据权利要求6所述的显示面板制作方法，其特征在于，沿垂直于所述第一基板表面的方向，所述遮挡层的高度大于所述红色量子点层的高度。
8.根据权利要求7所述的显示面板制作方法，其特征在于，沿垂直于所述第一基板表面的方向，所述红色量子点层的高度大于所述透明层的高度。
9.根据权利要求4所述的显示面板制作方法，其特征在于，沿所述量子点层的设置方向，所述红色量子点层、所述绿色量子点层和所述透明层的宽度均相等，且所述红色量子点层、所述绿色量子点层和所述透明层的宽度均大于所述遮挡层的宽度。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，所述第一基板表面具有多个间隔设置的量子点层，每两个相邻的所述量子点层之间具有遮挡层；
第二基板，与所述第一基板相对设置，所述第二基板表面设有发光二极管元件，且所述发光二极管元件与所述量子点层相对设置。
CN202110593194.0A 2021-05-28 2021-05-28 显示面板及其制作方法 Active CN113363276B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110593194.0A CN113363276B (zh) 2021-05-28 2021-05-28 显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110593194.0A CN113363276B (zh) 2021-05-28 2021-05-28 显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113363276A true CN113363276A (zh) 2021-09-07
CN113363276B CN113363276B (zh) 2022-11-22

Family

ID=77528137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110593194.0A Active CN113363276B (zh) 2021-05-28 2021-05-28 显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113363276B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114156306A (zh) * 2021-11-30 2022-03-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102222682A (zh) * 2010-04-09 2011-10-19 索尼公司 有机电致发光显示单元及其制造方法和该方法中所用溶液
JP2014067868A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌパネル及びその製造方法
CN105242442A (zh) * 2015-10-08 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜的制备方法
CN109216396A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 群创光电股份有限公司 显示设备
CN110320702A (zh) * 2019-07-10 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制备方法、显示面板
CN111312916A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板和显示装置
CN111430403A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111490061A (zh) * 2020-06-01 2020-08-04 深圳市奥视微科技有限公司 一种防串扰Micro-LED显示屏及其制造方法
CN111710690A (zh) * 2020-06-04 2020-09-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种基于量子点的led显示器及其制备方法
CN112002744A (zh) * 2020-08-13 2020-11-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN112652616A (zh) * 2020-12-21 2021-04-13 深圳扑浪创新科技有限公司 一种led显示装置及其制备方法和应用

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102222682A (zh) * 2010-04-09 2011-10-19 索尼公司 有机电致发光显示单元及其制造方法和该方法中所用溶液
JP2014067868A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌパネル及びその製造方法
CN105242442A (zh) * 2015-10-08 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜的制备方法
CN109216396A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 群创光电股份有限公司 显示设备
CN111312916A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板和显示装置
CN110320702A (zh) * 2019-07-10 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制备方法、显示面板
CN111430403A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111490061A (zh) * 2020-06-01 2020-08-04 深圳市奥视微科技有限公司 一种防串扰Micro-LED显示屏及其制造方法
CN111710690A (zh) * 2020-06-04 2020-09-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种基于量子点的led显示器及其制备方法
CN112002744A (zh) * 2020-08-13 2020-11-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN112652616A (zh) * 2020-12-21 2021-04-13 深圳扑浪创新科技有限公司 一种led显示装置及其制备方法和应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114156306A (zh) * 2021-11-30 2022-03-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113363276B (zh) 2022-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180092326A (ko) 표시 장치
CN111129092A (zh) 显示面板及其制作方法
KR102617089B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
TWI719775B (zh) 顯示裝置
CN110992841A (zh) 显示装置及显示装置的制作方法
CN110892470A (zh) 全彩led显示面板
CN111081685B (zh) 显示装置
CN113363276B (zh) 显示面板及其制作方法
CN114566581A (zh) 显示面板及显示面板制造方法
TWI778492B (zh) 顯示裝置
CN112802832B (zh) 微发光二极体显示装置及其制造方法
CN110634852B (zh) 半导体装置
CN112947009B (zh) 一种提升子像素发光均衡的Micro-LED光刻系统
US20220003909A1 (en) Display device
CN114582915A (zh) 封装盖板、显示面板及显示面板的制造方法
CN113257975A (zh) 发光芯片模组、其制备方法、阵列基板以及显示面板
US20240097077A1 (en) Barrier structure for display device and manufacturing method thereof
CN212967698U (zh) 一种防串光的cob模组
EP4231347A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
US20220344544A1 (en) Display panel and display device
CN114023868B (zh) 发光基板及显示装置
CN214625091U (zh) 显示模组和显示屏
US20230393482A1 (en) Exposure mask and method of manufacturing display device using the same
KR20230155657A (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
CN115642171A (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240109

Address after: 518109, Building E4, 101, Foxconn Industrial Park, No. 2 East Ring 2nd Road, Fukang Community, Longhua Street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province (formerly Building 1, 1st Floor, G2 District), H3, H1, and H7 factories in K2 District, North Shenchao Optoelectronic Technology Park, Minqing Road, Guangdong Province

Patentee after: INTERFACE OPTOELECTRONICS (SHENZHEN) Co.,Ltd.

Patentee after: Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd.

Patentee after: GENERAL INTERFACE SOLUTION Ltd.

Address before: No.689 Hezuo Road, West District, high tech Zone, Chengdu City, Sichuan Province

Patentee before: Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd.

Patentee before: INTERFACE OPTOELECTRONICS (SHENZHEN) Co.,Ltd.

Patentee before: Yicheng Photoelectric (Wuxi) Co.,Ltd.

Patentee before: GENERAL INTERFACE SOLUTION Ltd.