CN110320702A - 基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可提高光的利用率。一种基板，包括：衬底、设置于所述衬底上阵列排布的多个光转换单元；沿多个所述光转换单元的行方向，任意相邻两个所述光转换单元之间设置有一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，射向沿多个所述光转换单元的行方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构；和/或，沿多个所述光转换单元的列方向，任意相邻两个所述光转换单元之间设置有一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，射向沿多个所述光转换单元的列方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构。

Description

基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，人们对显示器件的显示质量要求也越来越高。
量子点材料是指粒径在1-100nm的半导体晶粒。由于量子点材料的颗粒物理直径小于或接近其对应的半导体材料的激子玻尔半径，产生量子局域效应，连续的能带结构会转变为分立的能级结构，在外部光源的激发下，电子会发生跃迁发出一定波长范围的光。将量子点材料应用于显示面板，使其具有寿命长，色域广等多个优点，从而备受关注。
发明内容
本发明的实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板，可提高光的利用率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种基板，包括：衬底、设置于所述衬底上阵列排布的多个光转换单元；沿多个所述光转换单元的行方向，任意相邻两个所述光转换单元之间设置有一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，射向沿多个所述光转换单元的行方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构；和/或，沿多个所述光转换单元的列方向，任意相邻两个所述光转换单元之间设置有一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，射向沿多个所述光转换单元的列方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构。
可选的，所述光转换单元包括依次设置于所述衬底上的第一遮光图案以及量子点图案，所述第一遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述量子点图案在所述衬底上的正投影。
可选的，所述第一遮光图案的材料为反射材料。
可选的，所述反光结构具有倾斜反射面和与所述倾斜反射面相对的镜面反射面；所述倾斜反射面用于使从所述衬底入射的光发生反射，并射向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构的所述镜面反射面；所述镜面反射面用于对入射至该镜面反射面的光进行镜面反射。
可选的，所述反光结构包括第一单元和第二单元；所述第一单元透明；相对于所述衬底的厚度方向，所述第一单元与所述第二单元的接触面为倾斜面，该倾斜面为所述倾斜反射面；所述第二单元中垂直于所述衬底且与所述倾斜反射面相对的侧面为所述镜面反射面。
可选的，所述第二单元的材料为反射材料。
可选的，所述反光结构还包括设置于所述第一单元和所述第二单元远离所述衬底一侧的第二遮光图案。
可选的，所述第二单元包括第一子单元和第二子单元；所述反光结构中的所述第一子单元与所述第一单元的接触面为所述倾斜反射面；所述第二子单元位于所述第一子单元中与所述倾斜反射面相对的侧面，且所述第一子单元和所述第二子单元的接触面垂直于所述衬底；所述第二子单元中的与所述第一子单元和所述第二子单元的接触面相对的侧面为所述镜面反射面；所述第二子单元的材料为反射材料。
可选的，相对于所述衬底的厚度方向，所述倾斜反射面的倾斜角度为42°～48°。
可选的，所述第二单元的厚度为6μm～12μm。
可选的，所述第二遮光图案的厚度为0.6μm～0.8μm。
可选的，所述基板具有多个亚像素区，每个所述亚像素区内设有多个所述光转换单元，且位于同一所述亚像素区内的每个所述光转换单元中的量子点图案发出的光颜色相同；或者，每个所述光转换单元与每个所述亚像素区一一对应。
第二方面，提供一种显示面板，包括上述基板。
第三方面，提供一种基板的制备方法，包括：在衬底上沿待形成的多个光转换单元的行方向，在任意相邻两个待形成的所述光转换单元之间形成一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，并射向沿多个所述光转换单元的行方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构；和/或，沿待形成的多个所述光转换单元的列方向，在任意相邻两个待形成的所述光转换单元之间形成一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，并射向沿多个所述光转换单元的列方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构；在所述衬底上形成多个所述光转换单元。
可选的，所述光转换单元包括第一遮光图案和量子点图案；形成所述光转换单元包括：在所述衬底上依次形成所述第一遮光图案和所述量子点图案，所述第一遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述量子点图案在所述衬底上的正投影。
可选的，所述反光结构包括第一单元和第二单元；所述第一单元透明；形成所述反光结构，包括：在所述衬底上，形成透明的第一过渡图案，所述第一过渡图案的纵截面形状为梯形，且该梯形的靠近所述衬底的下表面面积大于远离所述衬底的上表面的面积；对所述第一过渡图案进行刻蚀，形成所述第一单元；相对于所述衬底的厚度方向，所述第一单元的其中一个侧面为倾斜面；在所述第一单元的所述倾斜面一侧形成所述第二单元；所述第一单元与所述第二单元的接触面为所述倾斜面，且该倾斜面为倾斜反射面；所述第二单元中垂直于所述衬底且与所述倾斜反射面相对的侧面为镜面反射面；所述倾斜反射面用于使从所述衬底入射至该倾斜反射面的光发生反射，并射向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构的所述镜面反射面；所述镜面反射面用于对射入至该镜面反射面的光进行镜面反射；所述光转换单元中的所述第一遮光图案和所述量子点图案在形成所述反光结构之后形成。
可选的，所述反光结构包括第一单元和第二单元；所述第一单元透明；形成所述反光结构，包括：在形成有所述第一遮光图案的所述衬底上，形成透明的第二过渡图案；所述第二过渡图案覆盖所述第一遮光图案；所述第二过渡图案的纵截面形状为梯形，且该梯形的靠近所述衬底的下表面面积大于远离所述衬底的上表面的面积；对所述第二过渡图案进行刻蚀，使得所述第二过渡图案在所述衬底上的正投影覆盖所述第一遮光图案和待形成所述第一单元的区域，其中，所述第二过渡图案在待形成所述第一单元的区域内的侧面为倾斜面；所述第二过渡图案中与所述倾斜面相对的一侧面垂直于所述衬底，并在所述衬底上的正投影与所述第一遮光图案的边缘重合；在所述第二过渡图案的倾斜面一侧形成所述第二单元；去除所述第二过渡图案中与所述第一遮光图案重叠的部分，形成所述第一单元；所述第一单元与所述第二单元的接触面为所述倾斜面，且该倾斜面为倾斜反射面；所述第二单元中垂直于所述衬底且与所述倾斜反射面相对的侧面为镜面反射面；所述倾斜反射面用于使从所述衬底入射至该倾斜反射面的光发生反射，并射向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构的所述镜面反射面；所述镜面反射面用于对射入至该镜面反射面的光进行镜面反射；其中，所述量子点图案在形成所述反光结构之后形成。
可选的，上述基板的制备方法，还包括：在所述反光结构的所述第一单元和所述第二单元远离所述衬底一侧，形成第二遮光图案。
可选的，所述第二单元包括第一子单元和第二子单元；在所述第一单元的所述倾斜面一侧形成所述第二单元，包括：在所述第一单元的所述倾斜面一侧形成所述第一子单元；所述第一子单元与所述第一单元的接触面为所述倾斜反射面；在所述第一子单元中与所述倾斜反射面相对的侧面形成所述第二子单元；所述第一子单元和所述第二子单元的接触面垂直于所述衬底；所述第二子单元中与所述第一子单元和所述第二子单元的接触面相对的侧面为所述镜面反射面，所述第二子单元的材料为反射材料。
可选的，上述基板的制备方法还包括：通过激光或者刻蚀工艺，对所述镜面反射面的表面进行平滑处理。
本发明实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板，沿多个光转换单元的行方向，任意相邻两个光转换单元之间设置有一个反光结构，从衬底入射至反光结构的光发生反射，射入沿多个光转换单元的行方向与反光结构相对的另一个反光结构，和/或，沿多个光转换单元的列方向，任意相邻两个光转换单元之间设置有一个反光结构，从衬底入射至反光结构的光发生反射，射入沿多个光转换单元的列方向与反光结构相对的另一个反光结构，从而进入位于这两个反光结构之间的光转换单元中，被该光转换单元利用。相比于光转换单元直接接收从衬底入射的光的情况，本发明可以使更多的光进入光转换单元，从而提高了光的利用率，提升了光转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图2为本发明实施例提供的一种亚像素的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种亚像素的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种基板的俯视示意图；
图5为图4的基板沿B-B’方向的剖视示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种基板的俯视示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种基板的俯视示意图；
图8为相关技术中的一种基板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种基板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种基板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种基板的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种基板的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种基板的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种基板的俯视示意图；
图15为本发明实施例提供的又一种基板的俯视示意图；
图16为本发明实施例提供的一种基板的制备方法的流程图；
图17为本发明实施例提供的另一种基板的制备方法的流程图；
图18为本发明实施例提供的又一种基板的制备方法的流程图；
图19为本发明实施例提供的一种基板的制备过程示意图；
图20为本发明实施例提供的又一种基板的制备方法的流程图；
图21为本发明实施例提供的另一种基板的制备过程示意图；
图22为本发明实施例提供的又一种基板的制备方法的流程图；
图23为本发明实施例提供的又一种基板的制备过程示意图；
图24为本发明实施例提供的又一种基板的制备过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板。如图1所示，该显示面板具有显示区(activearea，简称AA区)和周边区S，周边区S例如围绕AA区一圈设置。上述AA区中设置有多个亚像素P；多个亚像素P至少包括第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素，第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色(例如红色、绿色和蓝色)。
图1中以上述多个亚像素呈阵列形式排列为例进行的说明。在此情况下，沿水平方向X排列成一排的亚像素称为同一行亚像素，沿竖直方向Y排列成一排的亚像素称为同一列亚像素。
在此基础上，可选的，同一行亚像素可以与一根栅线连接，同一列亚像素可以与一根数据线连接。
可选的，上述显示面板为液晶显示面板，在此情况下，如图2所示，该液晶显示面板包括阵列基板10、彩膜基板20以及设置于二者之间的液晶层30。
如图2所示，在阵列基板10上对应每个亚像素P包括TFT(薄膜晶体管，Thin FilmTransistor)和像素电极12。在一些实施例中，阵列基板10上还可设置公共电极13。其中，像素电极12和公共电极13可以设置在同一层，在此情况下，像素电极12和公共电极13均为包括多个条状子电极的梳齿结构。像素电极12和公共电极13也可以设置在不同层，在此情况下，如图2所示，像素电极12和公共电极13之间设置有第一绝缘层14。在公共电极13设置在TFT和像素电极12之间的情况下，如图2所示，公共电极13与TFT之间还设置有第二绝缘层15。在另一些实施例中，公共电极13设置在彩膜基板20上。
彩膜基板20上对应每个亚像素P包括至少一个光转换单元22，光转换单元22用于对射入其的光的颜色进行转换并从该光转换单元22射出。可以理解的是，位于第一颜色亚像素中的光转换单元22出射的光的颜色为第一颜色，位于第二颜色亚像素中的光转换单元22出射的光的颜色为第二颜色，位于第三颜色亚像素中的光转换单元22出射的光的颜色为第三颜色。
当然，上述光转换单元22也可以设置在阵列基板10上。
可选的，上述显示面板为自发光型显示面板，在此情况下，如图3所示，该自发光型显示面板包括阵列基板10以及封装基板60。其中，封装基板60可以是薄膜封装层，也可以是刚性基板。
如图3所示，自发光型显示面板中的阵列基板10上对应每个亚像素P包括像素驱动电路50和发光器件40。该像素驱动电路50由TFT、电容(Capacitance，简称C)等电子器件组成。例如，像素驱动电路50可以是由两个TFT(一个开关TFT和一个驱动TFT)和一个电容构成的2T1C结构的像素驱动电路50；当然，像素驱动电路50还可以是由两个以上的TFT(多个开关TFT和一个驱动TFT)和至少一个电容构成的像素驱动电路50。
上述发光器件40包括阴极45和阳极41，以及位于阴极45和阳极41之间的发光功能层。其中，如图3所示，以发光器件为OLED(有机发光二极管，Organic Light-EmittingDiode)为例，发光功能层例如可以包括有机发光层43、位于有机发光层43和阳极41之间的空穴传输层42、位于有机发光层43和阴极45之间的电子传输层44。当然，根据需要在一些实施例中，还可以在空穴传输层42和阳极41之间设置空穴注入层，可以在电子传输层44和阴极45之间设置电子注入层。
需要说明的是，图3仅为示意图，并未示出像素驱动电路50与发光器件40的连接关系(实际中可以根据需要选择合适的像素驱动电路50)。
在此基础上，可选的，在阵列基板上10对应每个亚像素P且在发光器件40的出光侧还可以设置至少一个光转换单元22，光转换单元22用于对射入其内部的光的颜色进行转换并从该光转换单元22射出。可以理解的是，位于第一颜色亚像素中的光转换单元22出射的光的颜色为第一颜色，位于第二颜色亚像素中的光转换单元22出射的光的颜色为第二颜色，位于第三颜色亚像素中的光转换单元22出射的光的颜色为第三颜色。
当然，上述光转换单元22也可以设置在封装基板60上，其中，光转换单元22可以设置在封装基板60朝向阵列基板10的一侧，也可以设置在封装基板60远离阵列基板10一侧。
本发明实施例提供一种基板，该基板可以应用于上述的阵列基板10、彩膜基板20或封装基板60中的任一种。
如图4-图7所示，该基板包括：衬底21、设置于衬底21上阵列排布的多个光转换单元22；沿多个光转换单元22的行方向，任意相邻两个光转换单元22之间设置有一个反光结构23；反光结构23用于使从衬底21入射的光发生反射，射向沿多个光转换单元22的行方向与反光结构23相对的另一个反光结构23；和/或，沿多个光转换单元22的列方向，任意相邻两个光转换单元22之间设置有一个反光结构23；反光结构23用于使从衬底21入射的光发生反射，射向沿多个光转换单元22的列方向与反光结构23相对的另一个反光结构23。
其中，光转换单元22可以受入射至其内部的光的激发，进行光致发光。
可以理解的是，从衬底21入射至反光结构23的光发生反射，射向沿多个光转换单元22的行方向或列方向与该反光结构23相对的另一个反光结构23，并不会从反光结构23出射，从而避免漏光。并且，经由反光结构23反射的光可以进入位于该反光结构23和与其相对的反光结构23之间的光转换单元22内部，从而让更多的光能够进入光转换单元22内部，提高了光转换单元22对光的利用率。
可选的，该基板为彩膜基板。
本发明实施例提供一种基板，沿多个光转换单元22的行方向，任意相邻两个光转换单元22之间设置有一个反光结构23，从衬底21入射至反光结构23的光发生反射，射入沿多个光转换单元22的行方向与反光结构23相对的另一个反光结构23，和/或，沿多个光转换单元22的列方向，任意相邻两个光转换单元22之间设置有一个反光结构23，从衬底21入射至反光结构23的光发生反射，射入沿多个光转换单元22的列方向与反光结构23相对的另一个反光结构23，从而进入位于这两个反光结构23之间的光转换单元22中，被该光转换单元22利用。相比于光转换单元22直接接收从衬底21入射的光的情况(如图8所示)，本发明可以使更多的光进入光转换单元22，从而提高了光的利用率，提升了光转换效率。
可选的，如图9所示，光转换单元22包括依次设置于衬底21上的第一遮光图案221以及量子点图案222，第一遮光图案221在衬底21上的正投影覆盖量子点图案222在衬底21上的正投影。
可以理解的是，多个光转换单元22中的量子点图案222可以包括第一颜色量子点图案、第二颜色量子点图案和第三颜色量子点图案，第一颜色量子点图案、第二颜色量子点图案和第三颜色量子点图案位于不同的光转换单元22中。第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色，例如，第一颜色、第二颜色和第三颜色分别为红色、绿色和蓝色。
由于量子点的尺寸决定其发光颜色，因此，第一颜色量子点图案中量子点的尺寸、第二颜色量子点图案中量子点的尺寸、第三颜色量子点图案中量子点的尺寸互不相同。在第一颜色量子点图案、第二颜色量子点图案和第三颜色量子点图案分别为红色量子点图案、绿色量子点图案和蓝色量子点图案的情况下，红色量子点图案中量子点的尺寸例如为2.4nm，绿色量子点图案中量子点的尺寸例如为1.7nm，蓝色量子点图案中量子点的尺寸例如为1.0nm。
示例的，上述的量子点图案222的材料可采用包括CdSe(硒化镉)等量子点材料。
其中，第一遮光图案221可以选择反射性能较强的材料，例如金属材料。也可以选择遮光性能较好的材料，例如树脂材料。
由于量子点图案222底部设置有第一遮光图案221，因此从衬底21入射的光无法直接进入量子点图案222，需要经过反光结构23反射，进入量子点图案222。相比于仅由量子点图案222构成光转换单元22，从衬底21入射的光直接进入量子点图案222，且量子点图案222厚度较小时，入射光容易出现直接透射(如图8所示)的情况，本发明避免了从衬底21入射的光进入量子点图案222而透射，提高了显示效果；相比于仅由量子点图案222构成光转换单元22，且量子点图案222厚度较厚，虽然可避免入射光直接透射的情况，但是会导致基板整体厚度增加，而本发明由于量子点图案222厚度可以相对较小，因此，基板厚度相对较薄，且可以节约生产成本。
可选的，第一遮光图案221的材料为反射材料。因此，从衬底21入射的光在第一遮光图案221上发生反射，而无法进入量子点图案222，从而避免了光从量子点图案222透射。而且，量子点图案222自身发出的光，也可以在该第一遮光图案221上发生反射，并向远离衬底21的方向传播。
需要说明的是，反射材料为具有较高反射性能的材料，使得入射至反射材料上的光均发生反射。例如，可以为包括银(Ag)，铝(AL)等金属材料。
可选的，如图10所示，反光结构23具有倾斜反射面123和与倾斜反射面123相对的镜面反射面223；倾斜反射面123用于使从衬底21入射的光发生反射，并射向与反光结构23相对的另一个反光结构23的镜面反射面223；镜面反射面223用于对入射至该镜面反射面223的光进行镜面反射。
可以理解的是，本领域技术人员可以根据需要调整倾斜反射面123的倾斜角度，从而使得经由反光结构23的倾斜反射面123反射的光尽可能全部射向与反光结构23相对的另一个反光结构23的镜面反射面223，减小光散射。
在倾斜反射面123上发生反射的光可以沿平行于衬底21的方向传播的情况下，射向镜面反射面223的光同样沿平行于衬底21的方向反射回来，从而避免了光在传播过程中向光转换单元22外部散射，降低了光损失。
从衬底21入射的光在反光结构23的倾斜反射面123上发生反射，进入位于该反光结构23和与其相对的另一个反光结构23之间的光转换单元22内部，被光转换单元22利用，未被光转换单元22利用的光会射向该另一个反光结构23的镜面反射面223，并在该镜面反射面223上发生镜面反射后，返回光转换单元22，而再次被光转换单元22利用。
因此，从衬底21入射的光可以经由倾斜反射面123和镜面反射面223发生反射，两次进入光转换单元22，相对于光从衬底21直接进入量子点图案222，本发明增加了光在量子点图案222内部的传播路程，使得量子点图案222可以对光进行二次吸收利用，提高了光的利用率，提升了光转换效率。
可选的，如图11所示，反光结构23包括第一单元231和第二单元232；第一单元231透明；相对于衬底21的厚度方向，第一单元231与第二单元232的接触面为倾斜面，该倾斜面为倾斜反射面123；第二单元232中垂直于衬底21且与倾斜反射面123相对的侧面为镜面反射面223。
可以理解的是，从衬底21入射的光进入反光结构23中的第一单元231，入射至第一单元231与第二单元232接触的倾斜反射面123，并在该倾斜反射面123上发生反射，射向与该反光结构23相对的另一个反光结构23中的第二单元232中的镜面反射面223。
示例的，第一单元231的材料可以采用透明胶体。
可选的，第二单元232的材料为反射材料。从而使得入射至第二单元232上的光能够全部发生反射，提高光反射的效率。
示例的，反射材料可以采用包括银、铝等金属材料。
可选的，如图12所示，反光结构23还包括设置于第一单元231和第二单元232远离衬底21一侧的第二遮光图案233。从而能够避免光从反光结构23向外透射。
示例的，第二遮光图案233的材料可以采用三菱公司(Mitsubishi ChemicalCorporation，MCC)的黑色挡墙材料。
可选的，如图13所示，第二单元232包括第一子单元2321和第二子单元2322；反光结构23中的第一子单元2321与第一单元231的接触面为倾斜反射面123；第二子单元2322位于第一子单元2321中与倾斜反射面123相对的侧面，且第一子单元2321和第二子单元2322的接触面垂直于衬底21；第二子单元2322中的与第一子单元2321和第二子单元2322的接触面相对的侧面为镜面反射面223；第二子单元2322的材料为反射材料。
其中，第一子单元2321的材料与第二子单元2322的材料不相同。可以选择第一子单元2321的材料的折射率小于第一单元231的材料的折射率。在此基础上，由于从衬底21入射的光进入第一单元231并射向第一子单元2321与第一单元231的接触面，相当于光从光密介质射向光疏介质，从而使得光在第一子单元2321与第一单元231的接触面上可以发生全反射，提高光的反射效率。
可以理解的是，第一子单元2321的材料的选择与第一单元231的材料的折射率有关，本领域技术人员可以根据第一子单元2321和第一单元231的折射率的大小关系，选择合适的材料。
第二子单元2322的材料为反射材料，使得入射至第二子单元2322上的光均发生反射。
可选的，相对于衬底21的厚度方向，倾斜反射面123的倾斜角度为42°～48°。从而使得从衬底21入射至倾斜反射面123上的光发生反射，并能够沿平行与衬底21的方向传播。
可选的，第二单元232的厚度为6μm～12μm。
其中，第二单元232的厚度约为量子点图案222的厚度的85％～95％。
可选的，第二遮光图案233的厚度为0.6μm～0.8μm。
可选的，如图14-图15所示，基板具有多个亚像素区，每个亚像素区(图14和图15中虚线框所示)内设有多个光转换单元22，且位于同一亚像素区内的每个光转换单元22中的量子点图案222发出的光颜色相同；或者，每个光转换单元22与每个亚像素区一一对应。
本领域技术人员可以在保证光能够入射至反光结构23且均匀地激发量子点材料的基础上，根据实际应用的需要，在基板上的亚像素区中设置不同数量的光转换单元22。
如图15所示，对于尺寸较大的显示装置(例如电视等)，其显示面板中的每个亚像素的尺寸也相对较大，可以在基板上的每个亚像素区内设置多个光转换单元22，从而使得光可以均匀地激发光转换单元22，提高发光效果。
如图14所示，对于尺寸较小的显示装置(例如手机等)，其显示面板中的每个亚像素的尺寸也相对较小，每个光转换单元22与每个亚像素区一一对应，从而可以保证从衬底21入射的光可以均匀地进入光转换单元22，有效地被利用。此外，每个亚像素区还可以相应的包括反光结构23。例如，在单个亚像素的边长为20um左右的情况下，光转换单元22的宽度为10um左右，反光结构23可以便于光转换单元22对光的吸收。
本发明实施例还提供一种基板的制备方法，如图16所示，包括：
S10、参考图4-图7，在衬底21上沿待形成的多个光转换单元22的行方向，在任意相邻两个待形成的光转换单元22之间形成一个反光结构23；反光结构23用于使从衬底21入射的光发生反射，并射向沿待形成的多个光转换单元22的行方向与反光结构23相对的另一个反光结构23；和/或，沿待形成的多个光转换单元22的列方向，在任意相邻两个待形成的光转换单元22之间形成一个反光结构23；反光结构23用于使从衬底21入射的光发生反射，并射向待形成的多个光转换单元22的列方向与反光结构23相对的另一个反光结构23。
S20、参考图4-图7，在衬底21上形成多个光转换单元22。
从衬底21入射至反光结构23的光发生反射，射向沿行方向或列方向与反光结构23相对的另一个反光结构23，并不会从反光结构23出射，从而避免漏光。并且，经由反光结构23反射的光可以进入位于该反光结构23和与其相对的反光结构23之间的光转换单元22内部，从而让更多的光能够进入光转换单元22内部，提高了光转换单元22对光的利用率。
本发明实施例提供一种基板的制备方法，沿待形成的多个光转换单元22的行方向，在任意相邻两个待形成的光转换单元22之间形成一个反光结构23，从衬底21入射至反光结构23的光发生反射，射入沿待形成的多个光转换单元22的行方向与反光结构23相对的另一个反光结构23，和/或，沿待形成的多个光转换单元22的列方向，在任意相邻两个待形成的光转换单元22之间形成一个反光结构23，从衬底21入射至反光结构23的光发生反射，射入沿待形成的多个光转换单元22的列方向与反光结构23相对的另一个反光结构23，从而进入位于这两个反光结构23之间的光转换单元22中，被该光转换单元22利用。相比于光转换单元22直接接收从衬底21入射的光的情况(如图8所示)，本发明可以使更多的光进入光转换单元22，从而提高了光的利用率，提升了光转换效率。
可选的，光转换单元22包括第一遮光图案221和量子点图案222；如图17所示，形成光转换单元22包括：
S21、参考图9-图13，在衬底21上依次形成第一遮光图案221和量子点图案222，第一遮光图案221在衬底上21的正投影覆盖量子点图案222在衬底21上的正投影。
其中，量子点图案222在反光结构23之后形成。对于第一遮光图案221，可选的，第一遮光图案221可以在反光结构23之前形成，也可以在发光结构23之后形成。
示例的，量子点图案222的材料可采用包括CdSe(硒化镉)等量子点材料。
其中，第一遮光图案221可以选择反射性能较强的材料，例如包括银(Ag)，铝(AL)等金属材料。也可以选择遮光性能较好的材料，例如树脂材料。
由于量子点图案222底部形成有第一遮光图案221，因此从衬底21入射的光无法直接进入量子点图案222，需要经过反光结构23反射，进入量子点图案222。相比于仅由量子点图案222构成光转换单元22，从衬底21入射的光直接进入量子点图案222，且量子点图案222厚度较小时，入射光容易出现直接透射(如图8所示)的情况，本发明避免了从衬底21入射的光进入量子点图案222而透射，提高了显示效果；相比于仅由量子点图案222构成光转换单元22，且量子点图案222厚度较厚，虽然可避免入射光直接透射的情况，但是会导致基板整体厚度增加，而本发明由于量子点图案222厚度可以相对较小，因此，基板厚度相对较薄，且可以节约生产成本。
可选的，反光结构23包括第一单元231和第二单元232；第一单元231透明；如图18所示，形成反光结构23，包括：
S11、如图19所示，在衬底21上，形成透明的第一过渡图案201，第一过渡图案201的纵截面形状为梯形，且该梯形的靠近衬底21的下表面面积大于远离衬底21的上表面的面积。
示例的，透明的第一过度图案201的材料可以采用透明胶。
S12、如图19所示，对第一过渡图案201进行刻蚀，形成第一单元231；相对于衬底21的厚度方向，第一单元231的其中一个侧面为倾斜面。
S13、如图19所示，在第一单元231的倾斜面一侧形成第二单元232；第一单元231与第二单元232的接触面为倾斜面，且该倾斜面为倾斜反射面123；第二单元232中垂直于衬底21且与倾斜反射面123相对的侧面为镜面反射面223；倾斜反射面123用于使从衬底21入射至该倾斜反射面123的光发生反射，并射向与反光结构23相对的另一个反光结构23的镜面反射面223；镜面反射面223用于对射入至该镜面反射面223的光进行镜面反射。
其中，第二单元232的材料为反射材料，例如包括银、铝等金属材料。
示例的，可以在衬底21上沉积用于形成第二单元232的材料，并采用湿法刻蚀，形成第二单元232。
可以理解的是，本领域技术人员可以根据需要调整倾斜反射面123的倾斜角度，从而使得经由反光结构23的倾斜反射面123反射的光尽可能全部射向与反光结构23相对的另一个反光结构23的镜面反射面223，减小光散射。
在倾斜反射面123上发生反射的光可以沿平行于衬底21的方向传播的情况下，射向镜面反射面223的光同样沿平行于衬底21的方向反射回来，从而避免了光在传播过程中向光转换单元22外部散射，降低了光损失。
在此基础上，可以在形成反光结构23的衬底21上，依次形成构成光转换单元22的第一遮光图案221和量子点图案222。
可选的，反光结构23包括第一单元231和第二单元232；第一单元231透明；如图20所示，形成反光结构23，包括：
S111、如图21所示，在形成有第一遮光图案221的衬底21上，形成透明的第二过渡图案202；第二过渡图案202覆盖第一遮光图案221；第二过渡图案202的纵截面形状为梯形，且该梯形的靠近衬底21的下表面面积大于远离衬底21的上表面的面积。
S121、如图21所示，对第二过渡图案202进行刻蚀，使得第二过渡图案202在衬底21上的正投影覆盖第一遮光图案221和待形成第一单元231的区域；其中，第二过渡图案202在待形成第一单元231的区域内的侧面为倾斜面；第二过渡图案202中与倾斜面相对的一侧面垂直于衬底21，并在衬底21上的正投影与第一遮光图案221的边缘重合；在待形成第一单元231的区域内的第二过渡图案202的倾斜面一侧形成第二单元232。
S131、如图21所示，去除位于第二过渡图案202中与第一过渡图案201重叠的部分，形成第一单元231；第一单元231与第二单元232的接触面为倾斜面，且该倾斜面为倾斜反射面123；第二单元232中垂直于衬底21且与倾斜反射面123相对的侧面为镜面反射面223；倾斜反射面123用于使从衬底21入射至该倾斜反射面123的光发生反射，并射向与反光结构23相对的另一个反光结构23的镜面反射面223；镜面反射面223用于对射入至该镜面反射面223的光进行镜面反射。
其中，量子点图案222在形成反光结构23之后形成。
可选的，相对于衬底21的厚度方向，倾斜反射面123的倾斜角度为42°～48°。
从衬底21入射的光在反光结构23的倾斜反射面123上发生反射，进入位于该反光结构23和与其相对的另一个反光结构23之间的光转换单元22内部，被光转换单元22利用，未被光转换单元22利用的光会射向另一个反光结构23的镜面反射面223，并在该镜面反射面223上发生镜面反射后，返回光转换单元22，而再次被光转换单元22利用。
因此，从衬底21入射的光可以经由倾斜反射面123和镜面反射面223发生反射，两次进入光转换单元22，相对于光从衬底21直接进入光转换图案22，增加了光在光转换单元22内部的传播路程，使得光转换单元22可以对光进行二次吸收利用，提高了光的利用率，提升了光转换效率。
可选的，上述基板的制备方法还包括：如图19和图21、以及图23-图24所示，在反光结构23的第一单元231和第二单元232远离衬底21一侧，形成第二遮光图案233。
示例的，第二遮光图案233的材料可以采用三菱公司(Mitsubishi ChemicalCorporation，MCC)的黑色挡墙材料。
由于反光结构23的顶部形成有第二遮光图案233，从而能够避免光从反光结构23向外透射。
可选的，第二单元232包括第一子单元2321和第二子单元2322；如图22所示，在第一单元231的倾斜面一侧形成第二单元232，包括：
S132、如图23-图24所示，在第一单元231的倾斜面一侧形成第一子单元2321；第一子单元2321与第一单元231的接触面为倾斜反射面123；
S133、如图23-图24所示，在第一子单元2321中与倾斜反射面123相对的侧面形成第二子单元2322；第一子单元2321和第二子单元2322的接触面垂直于衬底21；第二子单元2322中与第一子单元2321和第二子单元2322的接触面相对的侧面为镜面反射面223，第二子单元2322的材料为反射材料。
其中，第一子单元2321的材料可以选择第一子单元2321的材料的折射率小于第一单元231的材料的折射率。在此基础上，由于从衬底21入射的光进入第一单元231并射向第一子单元2321与第一单元231的接触面，相当于光从光密介质射向光疏介质，从而使得光在第一子单元2321与第一单元231的接触面上可以发生全反射，提高光的反射效率。
第二子单元2322的材料为反射材料，使得入射至第二子单元2322上的光均发生反射。
示例的，可以通过构图工艺，采用湿法刻蚀，形成第二子单元2322。
可选的，上述基板的制备方法还包括：通过激光或者刻蚀工艺，对镜面反射面223的表面进行平滑处理。
可以理解的是，由于工艺限制，形成的镜面反射面223表面会较为粗糙，因此，需要对该镜面反射面223的表面进行平滑处理，使得入射至镜面反射面223上的光均可以发生镜面反射，避免光的散射。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种基板，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上阵列排布的多个光转换单元；沿多个所述光转换单元的行方向，任意相邻两个所述光转换单元之间设置有一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，射向沿多个所述光转换单元的行方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构；
和/或，
沿多个所述光转换单元的列方向，任意相邻两个所述光转换单元之间设置有一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，射向沿多个所述光转换单元的列方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述光转换单元包括依次设置于所述衬底上的第一遮光图案以及量子点图案，所述第一遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述量子点图案在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述第一遮光图案的材料为反射材料。
4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述反光结构具有倾斜反射面和与所述倾斜反射面相对的镜面反射面；所述倾斜反射面用于使从所述衬底入射的光发生反射，并射向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构的所述镜面反射面；所述镜面反射面用于对入射至该镜面反射面的光进行镜面反射。
5.根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述反光结构包括第一单元和第二单元；
所述第一单元透明；
相对于所述衬底的厚度方向，所述第一单元与所述第二单元的接触面为倾斜面，该倾斜面为所述倾斜反射面；所述第二单元中垂直于所述衬底且与所述倾斜反射面相对的侧面为所述镜面反射面。
6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述第二单元的材料为反射材料。
7.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述反光结构还包括设置于所述第一单元和所述第二单元远离所述衬底一侧的第二遮光图案。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第二单元包括第一子单元和第二子单元；所述反光结构中的所述第一子单元与所述第一单元的接触面为所述倾斜反射面；所述第二子单元位于所述第一子单元中与所述倾斜反射面相对的侧面，且所述第一子单元和所述第二子单元的接触面垂直于所述衬底；所述第二子单元中的与所述第一子单元和所述第二子单元的接触面相对的侧面为所述镜面反射面；
所述第二子单元的材料为反射材料。
9.根据权利要求4所述的基板，其特征在于，相对于所述衬底的厚度方向，所述倾斜反射面的倾斜角度为42°～48°。
10.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述第二单元的厚度为6μm～12μm。
11.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第二遮光图案的厚度为0.6μm～0.8μm。
12.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板具有多个亚像素区，每个所述亚像素区内设有多个所述光转换单元，且位于同一所述亚像素区内的每个所述光转换单元中的量子点图案发出的光颜色相同；
或者，每个所述光转换单元与每个所述亚像素区一一对应。
13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述基板。
14.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上沿待形成的多个光转换单元的行方向，在任意相邻两个待形成的所述光转换单元之间形成一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，并射向沿多个所述光转换单元的行方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构；
和/或，
沿待形成的多个所述光转换单元的列方向，在任意相邻两个待形成的所述光转换单元之间形成一个反光结构；所述反光结构用于使从所述衬底入射的光发生反射，并射向沿多个所述光转换单元的列方向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构；
在所述衬底上形成多个所述光转换单元。
15.根据权利要求14所述的基板的制备方法，其特征在于，所述光转换单元包括第一遮光图案和量子点图案；
形成所述光转换单元包括：
在所述衬底上依次形成所述第一遮光图案和所述量子点图案，所述第一遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述量子点图案在所述衬底上的正投影。
16.根据权利要求15所述的基板的制备方法，其特征在于，所述反光结构包括第一单元和第二单元；所述第一单元透明；
形成所述反光结构，包括：
在所述衬底上，形成透明的第一过渡图案，所述第一过渡图案的纵截面形状为梯形，且该梯形的靠近所述衬底的下表面面积大于远离所述衬底的上表面的面积；
对所述第一过渡图案进行刻蚀，形成所述第一单元；相对于所述衬底的厚度方向，所述第一单元的其中一个侧面为倾斜面；
在所述第一单元的所述倾斜面一侧形成所述第二单元；所述第一单元与所述第二单元的接触面为所述倾斜面，且该倾斜面为倾斜反射面；所述第二单元中垂直于所述衬底且与所述倾斜反射面相对的侧面为镜面反射面；
所述倾斜反射面用于使从所述衬底入射至该倾斜反射面的光发生反射，并射向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构的所述镜面反射面；所述镜面反射面用于对射入至该镜面反射面的光进行镜面反射；
其中，所述光转换单元中的所述第一遮光图案和所述量子点图案在形成所述反光结构之后形成。
17.根据权利要求15所述的基板的制备方法，其特征在于，所述反光结构包括第一单元和第二单元；所述第一单元透明；
形成所述反光结构，包括：
在形成有所述第一遮光图案的所述衬底上，形成透明的第二过渡图案；所述第二过渡图案覆盖所述第一遮光图案；所述第二过渡图案的纵截面形状为梯形，且该梯形的靠近所述衬底的下表面面积大于远离所述衬底的上表面的面积；
对所述第二过渡图案进行刻蚀，使得所述第二过渡图案在所述衬底上的正投影覆盖所述第一遮光图案和待形成所述第一单元的区域；其中，所述第二过渡图案在待形成所述第一单元的区域内的侧面为倾斜面；所述第二过渡图案中与所述倾斜面相对的一侧面垂直于所述衬底，并在所述衬底上的正投影与所述第一遮光图案的边缘重合；在所述第二过渡图案的倾斜面一侧形成所述第二单元；
去除所述第二过渡图案中与所述第一遮光图案重叠的部分，形成所述第一单元；
所述第一单元与所述第二单元的接触面为所述倾斜面，且该倾斜面为倾斜反射面；所述第二单元中垂直于所述衬底且与所述倾斜反射面相对的侧面为镜面反射面；
所述倾斜反射面用于使从所述衬底入射至该倾斜反射面的光发生反射，并射向与所述反光结构相对的另一个所述反光结构的所述镜面反射面；所述镜面反射面用于对射入至该镜面反射面的光进行镜面反射；
其中，所述量子点图案在形成所述反光结构之后形成。
18.根据权利要求16或17所述的基板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述反光结构的所述第一单元和所述第二单元远离所述衬底一侧，形成第二遮光图案。
19.根据权利要求18所述的基板的制备方法，其特征在于，所述第二单元包括第一子单元和第二子单元；
在所述第一单元的所述倾斜面一侧形成所述第二单元，包括：
在所述第一单元的所述倾斜面一侧形成所述第一子单元；所述第一子单元与所述第一单元的接触面为所述倾斜反射面；
在所述第一子单元中与所述倾斜反射面相对的侧面形成所述第二子单元；所述第一子单元和所述第二子单元的接触面垂直于所述衬底；所述第二子单元中与所述第一子单元和所述第二子单元的接触面相对的侧面为所述镜面反射面，所述第二子单元的材料为反射材料。
20.根据权利要求16或17所述的基板的制备方法，其特征在于，还包括：通过激光或者刻蚀工艺，对所述镜面反射面的表面进行平滑处理。
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