CN113340519B - 一种高稳定性单晶硅压差传感器 - Google Patents

一种高稳定性单晶硅压差传感器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高稳定性单晶硅压差传感器,其结构包括连接头、操作箱、底座,操作箱上设有连接头,连接头与操作箱活动连接,底座安装在操作箱上,操作箱与底座向连接,操作箱设有充油管、电性块、箱体、压腔、操作器,箱体内部设有充油管,充油管与箱体嵌合,电性块安装在箱体上,箱体与电性块活动连接,本发明如果替换传感块,在取出传感块的过程中,传感块会拉动封堵器,封堵器被拉动时,离开介质箱上的凹槽,扩大了介质箱的腔体容量,因介质容积的增大,导压介质会先流入介质箱的凹槽,在取出传感块时,介质便不会从安装开口喷射出。

Description

一种高稳定性单晶硅压差传感器
技术领域
本发明涉及传感器领域,尤其是涉及到一种高稳定性单晶硅压差传感器。
背景技术
高稳定性单晶硅压差传感器是一种检测装置,能感受到被测量的信息,并能将感受到的信息,按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出,以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求;
高稳定性单晶硅压差传感器压腔上的容纳空间填充有导压介质,而设备的传感块在长时间的使用过程中会有所磨损,而导压介质容易受温度热胀冷缩,如传感块的磨损有破裂口,导压介质便会通过传感块的破损裂缝处喷射出来,附着在设备的其他零件上难以去除。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种高稳定性单晶硅压差传感器,其结构包括连接头、操作箱、底座,所述操作箱上设有连接头,所述连接头与操作箱活动连接,所述底座安装在操作箱上,所述操作箱与底座向连接;
所述操作箱设有充油管、电性块、箱体、压腔、操作器,所述箱体内部设有充油管,所述充油管与箱体嵌合,所述电性块安装在箱体上,所述箱体与电性块活动连接,所述操作器安装在箱体上,所述箱体与操作器相连接,所述压腔安装在箱体内部,所述箱体与压腔活动卡合。
作为本技术方案的进一步优化,所述操作器设有安装器、组合箱、介质箱、封堵器、传感块,所述组合箱上设有安装器,所述安装器与组合箱活动卡合,所述介质箱上设有传感块,所述传感块与介质箱相连接,所述介质箱内部安装有封堵器,所述封堵器与介质箱间隙配合,所述组合箱上设有与安装器组装结构相吻合的凹槽,所述介质箱内部设有凹槽,所述介质箱的凹槽上嵌合有封堵器。
作为本技术方案的进一步优化,所述安装器设有安装板、缓冲器、贴合块、安装孔,所述安装板上设有缓冲器,所述安装板与缓冲器相连接,所述贴合块设在安装板上,所述安装板与贴合块活动连接,所述安装板上设有安装孔,所述安装孔与安装板固定连接,所述安装板朝向组合箱凹槽处设有凸起轴,且凸起轴的表面被橡胶层所包裹,所述安装板与组合箱边缘贴合的一侧设有延伸凸起块,且其凸起块表面设有软胶层,所述安装板与组合箱上均设有螺纹槽口。
作为本技术方案的进一步优化,所述贴合块上设有圆形连接板,所述贴合块上设有圆环凸起块,所述贴合块的圆环凸起块上设有螺纹条,所述贴合块的连板中心设有镂空口,所述贴合块的镂空口与安装孔直径相吻合,所述贴合块的表面设有胶体层,所述安装板上设有与圆环凸起块相吻合的螺纹凹槽。
作为本技术方案的进一步优化,所述缓冲器设有壳体、翻转块、下压腔、推送腔、下压块,所述壳体上设有翻转块,所述翻转块与壳体活动连接,所述下压腔上设有下压块,所述下压块与下压腔相连接,所述推送腔安装在壳体上,所述壳体与推送腔活动卡合,所述下压腔为垂直于推送腔的腔体,所述推送腔腔体底部设有镂空口,所述下压块嵌合在下压腔内部的滑动板表面设有橡胶层,所述推送腔上设有开口,所述推送腔的内部设有滑动块,所述下压块表面设有胶体层,所述推送腔内部设有圆弧凸起块,所述推送腔的圆弧凸起块内部填充有气体。
作为本技术方案的进一步优化,所述翻转块为弧形轴体,所述翻转块上设有球体结构块,所述翻转块的球体结构块两侧均设有镂空口,所述翻转块的轴体通过连接轴嵌合在球体镂空口上,所述壳体上设有连接轴,所述翻转块轴体的另一端通过圆柱套筒环套在连接轴上,所述翻转块倾斜连接在壳体上,所述壳体与翻转块连接处设有铜丝制成的螺旋柱体。
作为本技术方案的进一步优化,所述封堵器设有器体、抵扣块、接触块、限定块、抵扣轴,所述抵扣轴设在器体内部,所述抵扣轴与器体相连接,所述抵扣轴上设有限定块,所述限定块与抵扣轴间隙配合,所述器体上设有接触块,所述接触块与器体活动连接,所述抵扣轴上设有连接腔,所述抵扣轴的轴体嵌合在连接腔上,所述抵扣轴的连接腔内部设有弹簧铜丝制成的连接柱,所述接触块的表面设有硅橡胶块,所述器体朝向传感块的一侧设有连接柱,所述传感块的中心位置设有螺纹凹槽,所述器体的连接柱与螺纹连接,所述器体有一端设有倾斜面。
作为本技术方案的进一步优化,所述限定块为弧形轴体,所述限定块的两侧均设有滑动凹槽,所述抵扣块上设有连接柱,所述抵扣块的连接柱嵌合在限定块的滑动凹槽上,所述抵扣块为四分之一的弧形轴,所述抵扣块与抵扣块连接端设有铜丝制成的螺旋轴,所述限定块的中心段设有弧形凸起块,所述抵扣块的弧形凸起块抵扣在螺旋轴上,所述限定块中心位置设有活动腔,所述限定块的凸起块通过橡胶滑块嵌合在活动腔内。
有益效果
本发明一种高稳定性单晶硅压差传感器与现有技术相比具有以下优点:
1.本发明的通过组装结构在介质箱上安装一个组合箱,如果设备因长时间使用而使传感块磨损破裂,介质箱内的导压介质从传感块的破裂口喷出,介质将喷射在组合箱上,将喷射的介质集中在组合箱上,介质便不会喷射出来,附着在设备的其他部位零件上。
2.本发明如果替换传感块,在取出传感块的过程中,传感块会拉动封堵器,封堵器被拉动时,离开介质箱上的凹槽,扩大了介质箱的腔体容量,因介质容积的增大,导压介质会先流入介质箱的凹槽,在取出传感块时,介质便不会从安装开口喷射出。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明一种高稳定性单晶硅压差传感器的整体结构示意图。
图2为本发明的操作箱结构示意图。
图3为本发明的操作器结构示意图。
图4为本发明的安装器结构示意图。
图5为本发明的缓冲器结构示意图。
图6为本发明的封堵器结构示意图。
图中:连接头1、操作箱2、底座3、充油管2a、电性块2b、箱体2c、压腔2d、操作器2e、安装器e1、组合箱e2、介质箱e3、封堵器e4、传感块e5、安装板e11、缓冲器e12、贴合块e13、安装孔e14、壳体121、翻转块122、下压腔123、推送腔124、下压块125、器体e41、抵扣块e42、接触块e43、限定块e44、抵扣轴e45。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式以及附图说明,进一步阐述本发明的优选实施方案。
实施例一
请参阅图1-图5,一种高稳定性单晶硅压差传感器,其结构包括连接头1、操作箱2、底座3,所述操作箱2上设有连接头1,所述连接头1与操作箱2活动连接,所述底座3安装在操作箱2上,所述操作箱2与底座3向连接;
所述操作箱2设有充油管2a、电性块2b、箱体2c、压腔2d、操作器2e,所述箱体2c内部设有充油管2a,所述充油管2a与箱体2c嵌合,所述电性块2b安装在箱体2c上,所述箱体2c与电性块2b活动连接,所述操作器2e安装在箱体2c上,所述箱体2c与操作器2e相连接,所述压腔2d安装在箱体2c内部,所述箱体2c与压腔2d活动卡合,实现压差传感。
所述操作器2e设有安装器e1、组合箱e2、介质箱e3、封堵器e4、传感块e5,所述组合箱e2上设有安装器e1,所述安装器e1与组合箱e2活动卡合,所述介质箱e3上设有传感块e5,所述传感块e5与介质箱e3相连接,所述介质箱e3内部安装有封堵器e4,所述封堵器e4与介质箱e3间隙配合,所述组合箱e2上设有与安装器e1组装结构相吻合的凹槽,所述介质箱e3内部设有凹槽,所述介质箱e3的凹槽上嵌合有封堵器e4,实现设备的组装。
所述安装器e1设有安装板e11、缓冲器e12、贴合块e13、安装孔e14,所述安装板e11上设有缓冲器e12,所述安装板e11与缓冲器e12相连接,所述贴合块e13设在安装板e11上,所述安装板e11与贴合块e13活动连接,所述安装板e11上设有安装孔e14,所述安装孔e14与安装板e11固定连接,所述安装板e11朝向组合箱e2凹槽处设有凸起轴,且凸起轴的表面被橡胶层所包裹,所述安装板e11与组合箱e2边缘贴合的一侧设有延伸凸起块,且其凸起块表面设有软胶层,所述安装板e11与组合箱e2上均设有螺纹槽口,通过组装结构连接处泄露腔。
所述贴合块e13上设有圆形连接板,所述贴合块e13上设有圆环凸起块,所述贴合块e13的圆环凸起块上设有螺纹条,所述贴合块e13的连板中心设有镂空口,所述贴合块e13的镂空口与安装孔e14直径相吻合,所述贴合块e13的表面设有胶体层,所述安装板e11上设有与圆环凸起块相吻合的螺纹凹槽,实现组装的封闭性。
所述缓冲器e12设有壳体121、翻转块122、下压腔123、推送腔124、下压块125,所述壳体121上设有翻转块122,所述翻转块122与壳体121活动连接,所述下压腔123上设有下压块125,所述下压块125与下压腔123相连接,所述推送腔124安装在壳体121上,所述壳体121与推送腔124活动卡合,所述下压腔123为垂直于推送腔124的腔体,所述推送腔124腔体底部设有镂空口,所述下压块125嵌合在下压腔123内部的滑动板表面设有橡胶层,所述推送腔124上设有开口,所述推送腔124的内部设有滑动块,所述下压块125表面设有胶体层,所述推送腔124内部设有圆弧凸起块,所述推送腔124的圆弧凸起块内部填充有气体,实现设备组装结构的缓冲。
所述翻转块122为弧形轴体,所述翻转块122上设有球体结构块,所述翻转块122的球体结构块两侧均设有镂空口,所述翻转块122的轴体通过连接轴嵌合在球体镂空口上,所述壳体121上设有连接轴,所述翻转块122轴体的另一端通过圆柱套筒环套在连接轴上,所述翻转块122倾斜连接在壳体121上,所述壳体121与翻转块122连接处设有铜丝制成的螺旋柱体,通过按压结构实现设备的缓冲。
在连接充油管2a的管体在安装孔e14上,贴合块e13沿着安装板e11上的槽口转动,使得贴合块e13与充油管2a管体紧密贴合,增加连端的密封性,安装板e11的凸起块卡扣进组合箱e2的凹槽,其另一端的延伸凸起块则与组合箱e2箱体边缘相贴合,利用设有螺纹的柱体将其连接固定在一起,封闭住组合箱e2的开口,当导压介质喷射时便会喷射在组合箱e2上,如果设备在使用过程中受到震动力的影响,其震动力便会作用到壳体121上,按压翻转块122,促使翻转块122沿着连接轴翻转,而下压块125沿着下压腔123滑动,通过下压的气压,推动推送腔124内部的滑块滑动,从而实现能量的消耗,减小安装板e11所受到的震动压力,而传感块e5与安装板e11之间存在一定的距离,当外界受到震动压力时,便不会直接作用到传感块e5上,便可以减缓传感块e5的磨损。
实施例二
请参阅图1-图6,一种高稳定性单晶硅压差传感器,其结构包括连接头1、操作箱2、底座3,所述操作箱2上设有连接头1,所述连接头1与操作箱2活动连接,所述底座3安装在操作箱2上,所述操作箱2与底座3向连接;
所述操作箱2设有充油管2a、电性块2b、箱体2c、压腔2d、操作器2e,所述箱体2c内部设有充油管2a,所述充油管2a与箱体2c嵌合,所述电性块2b安装在箱体2c上,所述箱体2c与电性块2b活动连接,所述操作器2e安装在箱体2c上,所述箱体2c与操作器2e相连接,所述压腔2d安装在箱体2c内部,所述箱体2c与压腔2d活动卡合,实现压差传感。
所述操作器2e设有安装器e1、组合箱e2、介质箱e3、封堵器e4、传感块e5,所述组合箱e2上设有安装器e1,所述安装器e1与组合箱e2活动卡合,所述介质箱e3上设有传感块e5,所述传感块e5与介质箱e3相连接,所述介质箱e3内部安装有封堵器e4,所述封堵器e4与介质箱e3间隙配合,所述组合箱e2上设有与安装器e1组装结构相吻合的凹槽,所述介质箱e3内部设有凹槽,所述介质箱e3的凹槽上嵌合有封堵器e4,实现设备的组装。
所述安装器e1设有安装板e11、缓冲器e12、贴合块e13、安装孔e14,所述安装板e11上设有缓冲器e12,所述安装板e11与缓冲器e12相连接,所述贴合块e13设在安装板e11上,所述安装板e11与贴合块e13活动连接,所述安装板e11上设有安装孔e14,所述安装孔e14与安装板e11固定连接,所述安装板e11朝向组合箱e2凹槽处设有凸起轴,且凸起轴的表面被橡胶层所包裹,所述安装板e11与组合箱e2边缘贴合的一侧设有延伸凸起块,且其凸起块表面设有软胶层,所述安装板e11与组合箱e2上均设有螺纹槽口,通过组装结构连接处泄露腔。
所述贴合块e13上设有圆形连接板,所述贴合块e13上设有圆环凸起块,所述贴合块e13的圆环凸起块上设有螺纹条,所述贴合块e13的连板中心设有镂空口,所述贴合块e13的镂空口与安装孔e14直径相吻合,所述贴合块e13的表面设有胶体层,所述安装板e11上设有与圆环凸起块相吻合的螺纹凹槽,实现组装的封闭性。
所述缓冲器e12设有壳体121、翻转块122、下压腔123、推送腔124、下压块125,所述壳体121上设有翻转块122,所述翻转块122与壳体121活动连接,所述下压腔123上设有下压块125,所述下压块125与下压腔123相连接,所述推送腔124安装在壳体121上,所述壳体121与推送腔124活动卡合,所述下压腔123为垂直于推送腔124的腔体,所述推送腔124腔体底部设有镂空口,所述下压块125嵌合在下压腔123内部的滑动板表面设有橡胶层,所述推送腔124上设有开口,所述推送腔124的内部设有滑动块,所述下压块125表面设有胶体层,所述推送腔124内部设有圆弧凸起块,所述推送腔124的圆弧凸起块内部填充有气体,实现设备组装结构的缓冲。
所述翻转块122为弧形轴体,所述翻转块122上设有球体结构块,所述翻转块122的球体结构块两侧均设有镂空口,所述翻转块122的轴体通过连接轴嵌合在球体镂空口上,所述壳体121上设有连接轴,所述翻转块122轴体的另一端通过圆柱套筒环套在连接轴上,所述翻转块122倾斜连接在壳体121上,所述壳体121与翻转块122连接处设有铜丝制成的螺旋柱体,通过按压结构实现设备的缓冲。
所述封堵器e4设有器体e41、抵扣块e42、接触块e43、限定块e44、抵扣轴e45,所述抵扣轴e45设在器体e41内部,所述抵扣轴e45与器体e41相连接,所述抵扣轴e45上设有限定块e44,所述限定块e44与抵扣轴e45间隙配合,所述器体e41上设有接触块e43,所述接触块e43与器体e41活动连接,所述抵扣轴e45上设有连接腔,所述抵扣轴e45的轴体嵌合在连接腔上,所述抵扣轴e45的连接腔内部设有弹簧铜丝制成的连接柱,所述接触块e43的表面设有硅橡胶块,所述器体e41朝向传感块e5的一侧设有连接柱,所述传感块e5的中心位置设有螺纹凹槽,所述器体e41的连接柱与螺纹连接,所述器体e41有一端设有倾斜面,实现设备替换传感结构是槽口的封闭。
所述限定块e44为弧形轴体,所述限定块e44的两侧均设有滑动凹槽,所述抵扣块e42上设有连接柱,所述抵扣块e42的连接柱嵌合在限定块e44的滑动凹槽上,所述抵扣块e42为四分之一的弧形轴,所述抵扣块e42与抵扣块e42连接端设有铜丝制成的螺旋轴,所述限定块e44的中心段设有弧形凸起块,所述抵扣块e42的弧形凸起块抵扣在螺旋轴上,所述限定块e44中心位置设有活动腔,所述限定块e44的凸起块通过橡胶滑块嵌合在活动腔内,实现封堵结构的完全贴合。
在实施例一的基础上,如果需要替换传感块e5,在取出传感块e5的过程中,传感块e5将封堵器e4从介质箱e3的槽口拉出,随着传感块e5的拉动,封堵器e4的接触块e43便会抵扣在介质箱e3的开口,抵扣轴e45的连接轴沿着连接腔滑动延伸,推动抵扣块e42,使得抵扣块e42牢牢抵扣在接触块e43上,抵扣块e42的连接柱沿着限定块e44的滑动凹槽滑动,拉伸抵扣块e42与抵扣块e42之间的铜丝柱体,而限定块e44中心位置的了凸起块则会沿着活动腔滑动抵扣在拉伸处,支撑拉伸处的结构,器体e41通过相抵力使得接触块e43与介质箱e3的开口紧密贴合,封堵住介质箱e3,防止在替换传感块e5时导压介质从开口处泄露出。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点,本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神或基本特征的前提下,不仅能够以其他的具体形式实现本发明,还会有各种变化和电性块进,这些变化和电性块进都落入要求保护的本发明范围,因此本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定,而不是上述说明限定。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (2)

1.一种高稳定性单晶硅压差传感器,其特征在于:其结构包括连接头(1)、操作箱(2)、底座(3),所述操作箱(2)上设有连接头(1),所述操作箱(2)与底座(3)向连接;
所述操作箱(2)设有充油管(2a)、电性块(2b)、箱体(2c)、压腔(2d)、操作器(2e),所述箱体(2c)内部设有充油管(2a),所述箱体(2c)与电性块(2b)活动连接,所述操作器(2e)安装在箱体(2c)上,所述箱体(2c)与压腔(2d)活动卡合;
所述操作器(2e)设有安装器(e1)、组合箱(e2)、介质箱(e3)、封堵器(e4)、传感块(e5),所述安装器(e1)与组合箱(e2)活动卡合,所述介质箱(e3)上设有传感块(e5),所述封堵器(e4)与介质箱(e3)间隙配合;
所述安装器(e1)设有安装板(e11)、缓冲器(e12)、贴合块(e13)、安装孔(e14),所述安装板(e11)上设有缓冲器(e12),所述贴合块(e13)设在安装板(e11)上,所述安装孔(e14)与安装板(e11)固定连接;
所述贴合块(e13)上设有圆形连接板,所述贴合块(e13)上设有圆环凸起块;
所述缓冲器(e12)设有壳体(121)、翻转块(122)、下压腔(123)、推送腔(124)、下压块(125),所述翻转块(122)与壳体(121)活动连接,所述下压腔(123)上设有下压块(125),所述壳体(121)与推送腔(124)活动卡合;
所述翻转块(122)为弧形轴体,所述翻转块(122)上设有球体结构块;
所述封堵器(e4)设有器体(e41)、抵扣块(e42)、接触块(e43)、限定块(e44)、抵扣轴(e45),所述抵扣轴(e45)设在器体(e41)内部,所述限定块(e44)与抵扣轴(e45)间隙配合,所述器体(e41)上设有接触块(e43)。
2.根据权利要求1所述一种高稳定性单晶硅压差传感器,其特征在于:所述限定块(e44)为弧形轴体,所述限定块(e44)的两侧均设有滑动凹槽。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4161887A (en) * 1977-09-02 1979-07-24 Bourns, Inc. Media independent differential pressure transducer
CN204535913U (zh) * 2015-04-15 2015-08-05 江苏德尔森传感器科技有限公司 高稳定性单晶硅压差传感器
CN105067182A (zh) * 2015-04-15 2015-11-18 江苏德尔森传感器科技有限公司 高稳定性单晶硅压差传感器
CN205691270U (zh) * 2016-06-27 2016-11-16 魏满妹 一种单晶硅芯片压力传感装置
CN108317334A (zh) * 2018-02-05 2018-07-24 张桂华 一种高温介质压力管路封堵装置
CN208606931U (zh) * 2018-09-20 2019-03-15 刘爽 一种高稳定性单晶硅压差传感器
CN211121748U (zh) * 2019-10-12 2020-07-28 精量电子(深圳)有限公司 一种压力传感器
CN112345158A (zh) * 2021-01-07 2021-02-09 南京精准传感科技有限公司 一种高静压单晶硅差压传感器的差压传感方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4161887A (en) * 1977-09-02 1979-07-24 Bourns, Inc. Media independent differential pressure transducer
CN204535913U (zh) * 2015-04-15 2015-08-05 江苏德尔森传感器科技有限公司 高稳定性单晶硅压差传感器
CN105067182A (zh) * 2015-04-15 2015-11-18 江苏德尔森传感器科技有限公司 高稳定性单晶硅压差传感器
CN205691270U (zh) * 2016-06-27 2016-11-16 魏满妹 一种单晶硅芯片压力传感装置
CN108317334A (zh) * 2018-02-05 2018-07-24 张桂华 一种高温介质压力管路封堵装置
CN208606931U (zh) * 2018-09-20 2019-03-15 刘爽 一种高稳定性单晶硅压差传感器
CN211121748U (zh) * 2019-10-12 2020-07-28 精量电子(深圳)有限公司 一种压力传感器
CN112345158A (zh) * 2021-01-07 2021-02-09 南京精准传感科技有限公司 一种高静压单晶硅差压传感器的差压传感方法

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