CN113334244B - 一种承载装置以及研磨设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种承载装置以及研磨设备，属于半导体技术领域，承载装置包括承载台和基座。承载台具有第一开口以及连通第一开口的第一贯通孔。基座具有第二开口以及连通第二开口的第二贯通孔，第一贯通孔和第二贯通孔连通并形成第一通道，第一通道沿第一通道的延伸方向位于第一开口和第二开口之间，第一通道的侧壁配置为将第一通道沿第一通道的径向封闭。通过第一通道的侧壁将第一通道沿第一通道的径向封闭，第一通道内的研磨碎屑无法透过第一通道的侧壁沿径向挤入基座与承载台之间，能够缓解半导体结构沿半导体结构的厚度方向的两个表面出现相互倾斜的现象，即缓解半导体结构厚度在指向晶圆切口的方向逐渐减薄的问题，晶圆的厚度较为均匀。

Description

一种承载装置以及研磨设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种承载装置以及研磨设备。

背景技术

在半导体结构(例如晶圆)的加工过程中，需要对半导体结构进行研磨(例如，对晶圆进行化学机械研磨)，现有的研磨设备所研磨出的半导体结构的厚度不均匀，呈现出呈某一方向厚度逐渐减薄的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例期望提供一种承载装置以及研磨设备，以使半导体结构的厚度较为均匀。

为达到上述目的，本申请实施例一方面提供一种承载装置，包括：

承载台，具有第一开口以及连通所述第一开口的第一贯通孔；以及

基座，具有第二开口以及连通所述第二开口的第二贯通孔，所述第一贯通孔与所述第二贯通孔连通并形成第一通道，所述第一通道沿所述第一通道的延伸方向位于所述第一开口和所述第二开口之间，所述第一通道的侧壁配置为将所述第一通道沿所述第一通道的径向封闭。

一实施例中，所述承载台与所述基座一体成型。

一实施例中，所述承载装置还包括收集部件，所述收集部件具有第二通道，所述第二通道经由所述第二开口与所述第一通道连通。

一实施例中，所述收集部件为收集管。

一实施例中，所述收集部件与所述基座可拆卸地连接。

一实施例中，所述承载装置还包括工作台，所述工作台配置为承载所述基座，所述工作台配置为允许所述收集部件沿所述基座背离所述承载台的方向平移或偏转。

一实施例中，所述基座包括一体成型的基座主体以及连接部，所述工作台配置为承载所述基座主体，所述连接部与所述收集部件连接，所述第二开口位于所述连接部，所述第二开口的高度低于所述目标位置的高度，所述目标位置为所述基座主体与所述工作台的接触位置。

一实施例中，所述工作台具有第三贯通孔，所述连接部穿设于所述第三贯通孔。

一实施例中，所述承载台具有第一吸附孔，所述基座具有与所述第一吸附孔连通的第二吸附孔，所述第一吸附孔的直径和所述第二吸附孔的直径均小于所述第一通道的直径。

一实施例中，所述承载装置还包括设置在承载台上的凸台，所述凸台围设成容纳腔，所述容纳腔位于所述承载台背离所述基座的一侧，所述容纳腔分别与所述第一吸附孔和所述第一通道连通，所述承载装置还包括设置在容纳腔内的匀气层，所述匀气层背离所述第一吸附孔的一侧具有承载面，所述承载面具有在所述承载面上均匀布置的第三开口，所述第一吸附孔和所述第一通道均与所述第三开口连通。

本申请实施例提供一种研磨设备，包括上述任一种的承载装置。

一实施例中，所述研磨设备还包括研磨部件，所述研磨部件位于所述承载台背离所述基座的一侧。

本申请实施例的承载装置，通过第一通道的侧壁将第一通道沿第一通道的径向封闭，第一通道内的研磨碎屑(例如晶渣)无法透过第一通道的侧壁沿径向挤入基座与承载台之间，能够缓解半导体结构(例如晶圆)沿半导体结构的厚度方向的两个表面出现相互倾斜的现象，即缓解半导体结构厚度在指向晶圆切口的方向逐渐减薄的问题，使得晶圆的厚度较为均匀。

附图说明

图1为相关技术的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑尚未挤入基座与承载台之间的状态；

图2为相关技术的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑挤入基座与承载台之间的状态；

图3为图2中的A向视图，图中示出了晶圆切口与第一通道的位置关系，图中未示出半导体结构与承载台之间的结构；

图4为本申请实施例的承载装置的结构示意图；

图5为本申请实施例的承载台的结构示意图；

图6为本申请实施例的基座的结构示意图；

图7为本申请实施例的收集部件的结构示意图；

图8为本申请实施例的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑尚未挤入收集部件与基座之间的状态；

图9为本申请实施例的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑挤入收集部件与基座之间的其中一种状态；

图10为本申请实施例的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑挤入收集部件与基座之间的另一种状态；

图11为相关技术的研磨设备研磨后的晶圆的厚度示意图。

附图标记说明：承载装置100；承载台1；第一开口11；第一贯通孔12；基座2；第二开口21；基座主体22；连接部23；第二法兰231；第二贯通孔24；第一通道3；侧壁31；收集部件4；第二通道41；第一法兰42；工作台5；第三贯通孔51；第一吸附孔61；第二吸附孔62；匀气层7；承载面71；凸台8；容纳腔9；研磨部件200；半导体结构300；豁口301；研磨碎屑400；接触位置500；间隙600。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的技术特征可以相互组合，具体实施方式中的详细描述应理解为本申请宗旨的解释说明，不应视为对本申请的不当限制。

作为本申请创造性构思的一部分，在描述本申请的实施例之前，需对半导体结构的厚度不均匀，沿某一方向厚度逐渐减薄的原因进行分析，通过合理分析得到本申请实施例的技术方案。

相关技术中，请参阅图1、图2和图3，相关技术中的研磨设备(例如化学机械研磨设备)通常包括研磨部件200以及承载装置100。承载装置100可以用于承载半导体结构300(例如晶圆)，研磨部件200对放置于承载装置100上的半导体结构300进行研磨，在研磨过程中会向半导体结构300喷吹研磨液，以使研磨部件200能够较好地对半导体结构300进行研磨。承载装置100通常包括承载台1、基座2以及收集部件4，承载台1具有第一开口11以及连通第一开口11的第一贯通孔12，基座2具有第二开口21以及连通第二开口21的第二贯通孔24，第一贯通孔12和第二贯通孔24连通并形成第一通道3。第一通道3沿第一通道3的延伸方向位于第一开口11和第二开口21之间，承载台1和基座2可拆卸连通(例如通过螺栓连接)。承载台1具有第一吸附孔61，基座2具有与第一吸附孔61连通的第二吸附孔62(例如第一吸附孔61和第二吸附孔62对齐)，第一吸附孔61和第二吸附孔62用于形成负压以将半导体结构300吸附住，防止半导体结构300在研磨过程上脱离承载装置100，第一吸附孔61的直径小于第一通道3的直径，第二吸附孔62的直径小于第一通道3的直径，第一吸附孔61的直径和第二吸附孔62的直径较小使得研磨碎屑400(例如晶渣)无法通过第一吸附孔61和第二吸附孔62。可以知晓的是，半导体结构300上可能存在用于定位的豁口301，以晶圆为例，晶圆沿晶圆厚度方向的投影区域的形状呈大致的圆形，但并不是一个整圆，而是有一个用于定位的豁口301，这个豁口301为晶圆切口(wafer notch)，用于对晶圆定位。当半导体结构300覆盖在承载台1上，第一吸附孔61基本上都会被半导体结构300覆盖住，在用于定位的豁口301位置处，第一开口11以及第一通道3露出，研磨半导体结构300形成的研磨碎屑400(例如晶渣)主要从用于定位的豁口301(例如晶圆切口)处落到承载台1，由于第一吸附孔61的直径较小，研磨碎屑400(例如晶渣)无法通过第一吸附孔61，在半导体结构300研磨阶段，可能有部分研磨碎屑400在第一吸附孔61的负压作用下移动至第一吸附孔61的位置，但无法通过将研磨碎屑400排出，且研磨过程中研磨液相对较为黏稠，不利于研磨碎屑400流动，这部分研磨碎屑400被滞留在承载台1。在研磨过程中，部分研磨碎屑400经用于定位的豁口301通过第一通道3排出，部分研磨碎屑400经用于定位的豁口301在第一吸附孔61负压作用下滞留在承载台1而未进入第一通道3，由于研磨碎屑400通过用于定位的豁口301进入承载台1，滞留在承载台1的研磨碎屑400主要集中在用于定位的豁口301附近。研磨结束后，吸附口提供正压以解除对半导体结构300的吸附，向第一通道3内喷吹具有携屑能力的流体(例如，高压气体和去离子水)，使具有携屑能力的流体流动到晶圆与承载台1之间，对第一通道3喷吹具有携屑能力的流体后，对第一通道3进行负压抽吸，使滞留在承载台1的研磨碎屑400随具有携屑能力的流体被抽吸至第一通道3，从而实现对残余研磨碎屑400的清理。然而，由于基座2与承载台1可拆卸连接(例如螺栓连接)，承载台1和基座2之间具有能够被扩大的间隙600，第一通道3的侧壁31并没有将第一通道3沿第一通道3的径向封闭，在向第一通道3内喷吹具有携屑能力的流体的过程中，部分研磨碎屑400在高压流体的作用下会沿第一通道3的径向挤入承载台1与基座2之间，将承载台1上抬，由于研磨碎屑400主要集中在用于定位的豁口301附近，承载台1在用于定位的豁口301附近上抬较为明显，导致半导体结构300在越靠近用于定位的豁口301的位置研磨得越薄，越远离用于定位的豁口301的位置则半导体结构300的厚度较厚，半导体结构300的厚度不均匀，从远离用于定位的豁口301到指向用于定位的豁口301的方向，半导体结构300沿半导体结构300的厚度方向的两个表面呈现相互倾斜。研磨后的半导体结构300的厚度分布如图11所示，图中除第一行和第一列外的其它数值为晶圆相应位置处的厚度值。

鉴于此，本申请实施例提供一种研磨设备，请参阅图8～图10，研磨设备包括承载装置100，承载装置100用于承载半导体结构300。

一实施例中，半导体结构300为晶圆。

可以理解的是，半导体结构300的形状并不局限于圆片片状，半导体结构300可以为晶圆以外的其它形状的半导体结构300。

一实施例中，半导体结构300为晶片。

一实施例中，请参阅图8～图10，研磨设备还包括研磨部件200，研磨部件200位于承载台1背离基座2的一侧。如此，通过研磨部件200对放置于承载台1上的半导体结构300进行研磨。

一实施例中，研磨部件200包括研磨盘。

一实施例中，沿研磨盘的厚度方向，研磨盘的投影区域的形状呈圆形。

需要说明的是，在研磨部件200对放置在承载台1上的晶圆进行研磨的过程中，通常会向半导体结构300提供研磨液，以便研磨部件200较好地对半导体结构300进行研磨。

一实施例中，研磨设备为化学机械研磨设备。

本申请实施例的承载装置100，请参阅图4、图5以及图6，承载装置100包括承载台1以及基座2。承载台1具有第一开口11以及连通第一开口11的第一贯通孔12。基座2具有第二开口21以及连通第二开口21的第二贯通孔24，第一贯通孔12和第二贯通孔24连通并形成第一通道3，第一通道3沿第一通道3的延伸方向位于第一开口11和第二开口21之间，第一通道3的侧壁31配置为将第一通道3沿第一通道3的径向封闭。如此结构形式，通过第一通道3的侧壁31将第一通道3沿第一通道3的径向封闭，第一通道3内的研磨碎屑400(例如晶渣)无法透过第一通道3的侧壁31沿径向挤入基座2与承载台1之间，能够缓解半导体结构300(例如晶圆)沿半导体结构300的厚度方向的两个表面出现相互倾斜的现象，即缓解半导体结构300厚度在指向晶圆切口的方向逐渐减薄的问题，使得晶圆的厚度较为均匀。

一实施例中，第一贯通孔12和第二贯通孔24对齐。

可以理解的是，第一通道3的侧壁31将第一通道3沿第一通道3的径向封闭的形式有多种。

一实施例中，承载台1与基座2一体成型。如此结构形式，承载台1与基座2一体成型为一个整体，消除了承载台1与基座2之间的间隙600，第一通道3内的研磨碎屑400(晶渣)无法挤入承载台1与基座2之间，从而使得第一通道3的侧壁31将第一通道3沿第一通道3的径向封闭。

一实施例中，承载装置100还包括密封件，承载台1与基座2之间的间隙600以及第一通道3之间通过密封件隔离。如此，通过密封件的密封作用，防止研磨碎屑400挤入承载台1与基座2之间的间隙600。

一实施例中，密封件位于承载台1与基座2之间的间隙600以及第一通道3相交的位置处。

一实施例中，承载台1和基座2通过粘结剂粘结。如此，通过粘结剂粘结的方式，使得第一通道3的侧壁31将第一通道3沿第一通道3的径向封闭。

一实施例中，承载台1与基座2键合。

需要解释的是，键合即相邻两个或多个原子间较为强烈的相互作用形成化学键。键合的形式有范德华力和/或分子力和/或原子力。承载台1与基座2键合，使承载台1和基座2通过范德华力和/或分子力和/或原子力等内力较为牢固地连接在一起，能够消除承载台1与基座2之间的间隙600。

由于承载台1和基座2通过键合消除了承载台1与基座2之间的间隙600，使得第一通道3的侧壁31将第一通道3沿第一通道3的径向封闭。

一实施例中，第一通道3的数量可以为一个。

一实施例中，第一通道3的数量可以为多个，每个第一通道3的侧壁31配置为将对应第一通道3沿对应第一通道3的径向封闭。

一实施例中，请参阅图4和图7，承载装置100还包括收集部件4，收集部件4具有第二通道41，第二通道41经由第二开口21与第一通道3连通。如此结构形式，可以通过收集部件4的第二通道41对第一通道3内的研磨碎屑400(例如晶渣)进行收集，也可以通过第二通道41向第一通道3内喷吹具有携屑能力的流体(例如，高压气体和去离子水)。

一实施例中，请参阅图4和图7，收集部件4为收集管。如此，收集管结构简单，以收集管作为收集部件4能够较为方便地对第一通道3内的研磨碎屑400(例如晶渣)进行收集。

一实施例中，收集管包括第一法兰42。

可以理解的是，在长时间进行研磨工艺处理后，承载座和基座2可能需要进行维护和清理。一实施例中，请参阅图4，以及图8～图10，收集部件4与基座2可拆卸地连接。如此，当需要对承载座和基座2进行维护和清理，可以将基座2从收集部件4上拆下，从而较为方便地对基座2和承载台1进行维护和清理操作，而不需要连同收集部件4一起进行维护和清理。当长时间工作后，需要对承载台1和基座2进行更换，也可将收集部件4从基座2上拆下后更换承载台1和基座2，不需要连同收集部件4一起更换，节省了维护成本。

一实施例中，收集部件4与基座2通过螺栓或双头螺柱连接。

一实施例中，收集部件4与基座2可以卡接。

可以理解的是，当收集部件4与基座2之间可拆卸地连接，研磨碎屑400(例如晶渣)有可能挤入收集部件4与基座2之间的间隙。

需要说明的是，当收集部件4与基座2之间的连接不可拆卸，研磨碎屑400依然存在挤入收集部件4与基座2之间的可能。示例性地，当收集部件4包括第一法兰42，基座2包括第二法兰231，当收集部件4的第一法兰42和基座2的第二法兰231之间铆接，研磨碎屑400仍然有可能挤入收集部件4的第一法兰42和基座2的第二法兰231之间。

一实施例中，请参阅图4，以及图8～图10，承载装置100还包括工作台5，工作台5配置为承载基座2，工作台5配置为允许收集部件4沿基座2背离承载台1的方向平移或偏转。如此结构形式，当研磨碎屑400(例如晶渣)挤入收集部件4和基座2之间，由于收集部件4能够沿基座2背离承载台1的方向平移或偏转，能够避让研磨碎屑400，挤入收集部件4和基座2之间的研磨碎屑400不会将基座2和承载台1上抬，能够缓解半导体结构300的厚度不均匀的问题。再者，挤入收集部件4和基座2之间的研磨碎屑400能够从收集部件4和基座2之间流出，能够在一定程度上避免抬高基座和承载台。

需要说明的是，工作台5起到承载基座2的作用，便于基座2安装。

一实施例中，工作台5可以固定在地面上。

需要说明的是，工作台5的具体形状不限，只要能够承载基座2即可。

一实施例中，请参阅图4，以及图8～图9，收集部件4与工作台5分离，收集部件4与基座2连接。如此，收集部件4不会受到工作台5的支撑，收集部件4几乎是悬挂于基座2，由于收集部件4不会受到工作台5的支撑，收集部件4能够在研磨碎屑400的挤压作用下向下平移或偏转。

需要解释的是，收集部件4的一端与基座2连接，收集部件4的另一端与其它设备(例如负压源和/或能够喷吹携屑流体的设备)连接，收集部件4与其它设备连接的一端对收集部件4与基座2连接的一端向下平移或偏转的限制作用较为有限。尤其是收集部件4本身能够产生较大的形变，收集部件4与基座2之间通过螺栓连接得并不十分牢固，且收集部件4背离基座2的一侧没有较为有效的支撑的情况下，收集部件4有可能发生变形而沿基座2背离承载台1的一侧偏转，如图9所示。示例性地，收集部件4产生偏转使得收集部件4朝向基座2一侧的表面呈倾斜状态。收集部件4也有可能整体沿基座2背离承载台1的一侧平移，如图10所示。

一实施例中，承载装置可以包括弹性支撑件，弹性支撑件可以支撑在收集部件4背离基座2的一侧，由于弹性支撑件具有弹性，不会完全顶死收集部件4，收集部件4有可能沿基座2背离承载台1的一侧平移或偏转。

需要说明的是，收集部件4沿基座2背离承载台1一侧平移的量或偏转的量是非常小的，图9为了示意清楚，夸大了收集部件4与基座2之间的偏转的量，图10为了示意清楚，夸大了收集部件4与基座2之间的平移的量。

一实施例中，收集部件4为收集管，收集管包括软管管体以及位于软管管体两端的第一法兰42。软管管体通过第一法兰42与基座2连接，软管管体能够产生较大的形变量，有利于收集部件4上与基座2连接的第一法兰42沿基座2背离承载台1的一侧平移或偏转。

一实施例中，请参阅图4，基座2包括基座主体22，工作台5配置为承载基座主体22。

一实施例中，请参阅图4，基座2还包括与基座主体22一体成型的连接部23，连接部23与收集部件4连接，第二开口21位于连接部23，第二开口21的高度低于目标位置的高度，目标位置为基座主体22与工作台5的接触位置500。如此结构形式，由于第二开口21的高度低于目标位置的高度，目标位置为接触位置500，第二开口21能够远离工作台5与基座主体22之间的接触位置500，即使在第二开口21处有研磨碎屑400挤入收集部件4与连接部23之间的间隙并向外逸出，这些从第二开口21处逸出的研磨碎屑400难以挤入工作台5与基座主体22之间的间隙，从而降低了基座2和承载台1被抬高的可能性，有利于半导体结构300研磨得较为均匀。

一实施例中，请参阅图4，连接部23位于基座主体22背离承载台1的一侧。

一实施例中，沿第一通道3的轴向，连接部23的投影区域的形状呈圆环状。

一实施例中，请参阅图4，第二开口21位于连接部23背离承载台1的一侧。

一实施例中，请参阅图6，以及图8～图10，连接部23具有第二法兰231，第二法兰231用于与收集部件4连接。

一实施例中，请参阅图4，工作台5具有第三贯通孔51，连接部23穿设于第三贯通孔51。如此，连接部23能够穿过第三贯通孔51沿背离基座主体22的方向延伸，有利于将连接部23上的第二开口21以及工作台5与基座主体22的接触位置500错开。

一实施例中，也可以不设置连接部23，收集部件4通过第一法兰42连接至基座主体22的底部。示例性地，在基座主体22的底部开螺纹孔，收集部件4的第一法兰42通过螺栓与基座主体22螺纹连接，连接第一法兰42与基座主体22的螺栓拧入螺纹孔。

一实施例中，请参阅图4，承载台1具有第一吸附孔61，基座2具有与第一吸附孔61连通的第二吸附孔62，第一吸附孔61的直径和第二吸附孔62的直径小于第一通道3的直径。如此，避免研磨碎屑400被负压吸入第一吸附孔61内影响第一吸附孔61对半导体结构300的吸附。

一实施例中，第一吸附孔61和第二吸附孔62对齐。

一实施例中，请参阅图4，承载装置100还包括设置在承载台1上的凸台8，凸台8围设成容纳腔9，容纳腔9位于承载台1背离基座2的一侧，容纳腔9分别与第一吸附孔61和第一通道3连通，承载装置100还包括设置在容纳腔9内的匀气层7，匀气层7背离第一吸附孔61的一侧具有承载面71，承载面71具有在承载面71上均匀布置的第三开口，第一吸附孔61和第一通道3均与第三开口连通。如此，第一吸附孔61通过匀气层7的承载面71上均匀分布的第三开口能够较为均匀地对半导体结构300进行吸附。第一通道3喷吹的流体(例如高压气体和去离子水)通过匀气层7的承载面71上均匀分布的第三开口能够均匀地流入半导体结构300的底部，使半导体结构300漂浮在流体上，有利于将半导体结构300取下。研磨半导体结构300形成的碎屑可以经第三开口至第一通道3排出，也可以经第三开口移动至吸附口处。

一实施例中，第二吸附孔62与负压源连通。示例性地，第二吸附孔62与真空泵连通

一实施例中，容纳腔9沿第一通道3的轴向的投影区域的形状呈圆形。

一实施例中，匀气层7的材质为陶瓷，匀气层7内具有连通第三开口的孔道，孔道均匀散布在匀气层7内。第三开口通过孔道分别与第一通道3和第一吸附孔61连通。

一实施例中，匀气层7分别与承载台1和凸台8键合。示例性地，将高温熔融的陶瓷注入容纳腔9，降温固化后，陶瓷与承载台1以及凸台8较为牢固地连接在一起。

一实施例中，当承载装置100承载半导体结构300，半导体结构300通常位于承载装置100的上侧。

本申请提供的各个实施例/实施方式在不产生矛盾的情况下可以相互组合。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种承载装置，其特征在于，包括：

承载台，具有位于所述承载台顶面的第一开口以及连通所述第一开口的第一贯通孔；以及

基座，具有位于所述基座底面的第二开口以及连通所述第二开口的第二贯通孔，所述第一贯通孔与所述第二贯通孔连通并形成第一通道，所述第一通道沿所述第一通道的延伸方向位于所述第一开口和所述第二开口之间，所述第一通道的侧壁配置为将所述第一通道沿所述第一通道的径向封闭。

2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载台与所述基座一体成型。

3.根据权利要求1或2所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括收集部件，所述收集部件具有第二通道，所述第二通道经由所述第二开口与所述第一通道连通。

4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述收集部件为收集管。

5.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述收集部件与所述基座可拆卸地连接。

6.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括工作台，所述工作台配置为承载所述基座，所述工作台配置为允许所述收集部件沿所述基座背离所述承载台的方向平移或偏转。

7.根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述基座包括一体成型的基座主体以及连接部，所述工作台配置为承载所述基座主体，所述连接部与所述收集部件连接，所述第二开口位于所述连接部，所述第二开口的高度低于目标位置的高度，所述目标位置为所述基座主体与所述工作台的接触位置。

8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述工作台具有第三贯通孔，所述连接部穿设于所述第三贯通孔。

9.根据权利要求1或2所述的承载装置，其特征在于，所述承载台具有第一吸附孔，所述基座具有与所述第一吸附孔连通的第二吸附孔，所述第一吸附孔的直径和所述第二吸附孔的直径均小于所述第一通道的直径。

10.根据权利要求9所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括设置在承载台上的凸台，所述凸台围设成容纳腔，所述容纳腔位于所述承载台背离所述基座的一侧，所述容纳腔分别与所述第一吸附孔和所述第一通道连通，所述承载装置还包括设置在容纳腔内的匀气层，所述匀气层背离所述第一吸附孔的一侧具有承载面，所述承载面具有在所述承载面上均匀布置的第三开口，所述第一吸附孔和所述第一通道均与所述第三开口连通。

11.一种研磨设备，其特征在于，包括根据权利要求1～10任一项所述的承载装置。

12.根据权利要求11所述的研磨设备，其特征在于，所述研磨设备还包括研磨部件，所述研磨部件位于所述承载台背离所述基座的一侧。

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