CN113330634B - 高频、可表面安装的微带带通滤波器 - Google Patents

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Abstract

一种高频带状线滤波器可以具有用于安装到安装表面的底表面。所述滤波器可以包括具有顶表面的单片基底基板和形成在所述基板的所述顶表面的上方的多个薄膜微带，所述多个薄膜微带包括第一薄膜微带和第二薄膜微带。所述多个薄膜微带中的每一个可以具有第一臂、平行于所述第一臂的第二臂、以及与所述第一臂和所述第二臂连接的基部部分。端口可以沿着所述滤波器的所述底表面被暴露。导电路径可以包括形成在基板中的过孔。所述导电路径可以将所述第一薄膜微带与所述滤波器的所述底表面上的所述端口电连接。所述滤波器可以在大于约15GHz的频率下表现出大于‑3.5dB的插入损耗。

Description

高频、可表面安装的微带带通滤波器
相关申请的交叉引用
本申请要求申请日为2019年2月28日的美国临时专利申请序列号62/811,674的申请权益，该美国临时专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及高频、可表面安装的微带带通滤波器。
背景技术
高频无线电信号通信日益普及。例如，对提高无线智能手机连接的数据传输速度的需求推动了对高频组件(包括配置为在5G谱频率下工作的组件)的需求。朝向小型化的趋势也增加了对处理此类高频信号的小型无源组件的期望。小型化还增加了表面安装适合在(例如，在5G频谱中的)高频下工作的小型无源组件的难度。
发明内容
根据本发明的一个实施方案，高频带状线滤波器(high frequency,striplinefilter)可以具有用于安装到安装表面(mounting surface)的底表面。所述滤波器可以包括单片基底基板(monolithic base substrate)，所述单片基底基板具有顶表面、在X方向上的长度、在垂直于所述X方向的Y方向上的宽度、以及在垂直于所述X方向和所述Y方向中的每一个的Z方向上的厚度。所述滤波器可以包括多个薄膜微带(thin-film microstrip)，所述多个薄膜微带包括第一薄膜微带和第二薄膜微带。所述多个薄膜微带中的每一个可以具有第一臂、平行于所述第一臂的第二臂、以及与所述第一臂和所述第二臂连接的基部部分。所述多个薄膜微带可以形成在所述单片基底基板的所述顶表面的上方。所述滤波器可以包括沿着所述滤波器的所述底表面暴露的端口。导电路径可以包括形成在所述单片基底基板中的过孔(via)。所述导电路径可以将所述第一薄膜微带与所述滤波器的所述底表面上的所述端口电连接。所述滤波器可以在大于约15GHz的测试频率下表现出大于-3.5dB的插入损耗。
根据本发明的另一实施方案，高频带状线滤波器可以具有用于安装到安装表面的底表面。所述滤波器可以包括单片基底基板，所述单片基底基板具有顶表面、在X方向上的长度、在垂直于所述X方向的Y方向上的宽度、以及在垂直于所述X方向和所述Y方向中的每一个的Z方向上的厚度。多个薄膜微带可以形成在所述单片基底基板的所述顶表面的上方。所述多个薄膜微带可以包括第一薄膜微带和第二薄膜微带。所述多个薄膜微带中的每一个可以具有第一臂、平行于所述第一臂的第二臂、以及与所述第一臂和所述第二臂连接的基部部分。所述基部部分可以垂直于所述第一臂和所述第二臂。端口可以沿着所述滤波器的所述底表面暴露。导电路径可以将所述薄膜微带的所述第一臂连接到所述端口。所述导电路径可以包括形成在所述单片基底基板中的过孔。所述导电路径可以在所述薄膜微带的所述第一臂与所述端口之间具有有效长度，所述有效长度的范围为从λ/4的约95％到约105％，其中λ为与通过所述单片基底基板传播的通带频率相对应的波长。
根据本发明的另一实施方案，一种形成高频带状线滤波器的方法，所述滤波器具有用于安装到安装表面的底表面，所述方法可以包括：提供具有顶表面的单片基底基板；在所述单片基底基板的所述顶表面的上方形成多个薄膜微带，所述多个薄膜微带包括第一薄膜微带和第二薄膜微带；沿着所述滤波器的所述底表面沉积端口；以及在所述单片基底基板中形成过孔，所述过孔将所述第一薄膜微带与所述滤波器的所述底表面上的所述端口电连接。所述滤波器在大于约15GHz的测试频率下表现出大于-3.5dB的插入损耗。
附图说明
在参照附图的说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的本发明的完整且可行的公开，包括本发明的最佳模式，在附图中：
图1A示出了根据本公开的方面的高频带状线滤波器的一个实施方案的自顶向下的视图；
图1B示出了图1A的滤波器的侧视图；
图1C示出了图1A的滤波器的底表面；
图2示出了根据本公开的方面的高频带状线滤波器的另一实施方案的自顶向下的视图；
图3示出了图1A至图1C的滤波器的模拟的插入损耗(S2,1)和回波损耗(S1,1)数据；以及
图4示出了图2的滤波器的模拟的插入损耗(S2,1)和回波损耗(S1,1)数据。
在本说明书和附图中参考字符的重复使用旨在表示本发明的相同或类似的特征或要素。
具体实施方式
提供了一种在高频电路(包括在5G频谱中工作的高频电路)中特别有用的、可表面安装的滤波器。5G频谱通常从约20GHz扩展到约30GHz或更高。所公开的滤波器通常可以被配置为带通滤波器。然而，在一些实施方案中，滤波器可以被配置为低通滤波器或高通滤波器。示例性的用途包括5G信号处理(例如，通过5G基站)、智能手机、信号中继器(例如，小型基站)、中继站、雷达、射频识别(RFID)设备。
本发明人已经发现，通过对薄膜微带和过孔的排列进行选择性控制，可以得到紧凑的、可表面安装的高频带状线滤波器，该滤波器表现出优异的性能特性，例如在大于约15GHz的(例如，在滤波器的通带频率范围内的)通带频率下(例如，在约28GHz下)大于-3.5dB的插入损耗。这些优异的性能特性在紧凑的、可表面安装的封装中是合乎需要的，例如，在被配置用于栅格阵列型表面安装(例如，接点栅格阵列(land grid array，LGA)、球栅格阵列(ball grid array，BGA)等)的封装中是合乎需要的。
在一些实施方案中，滤波器在大于约15GHz的(例如，在通带频率范围内的)频率下(例如，在约28GHz下)表现出大于-3.5dB的插入损耗，插入损耗在一些实施方案中大于约-3.2dB，在一些实施方案中大于约-3.0dB，在一些实施方案中大于约-2.8dB，在一些实施方案中大于约-2.6dB，在一些实施方案中大于约-2.4dB，在一些实施方案中大于约-2.2dB，在一些实施方案中大于约-2.0dB，以及在一些实施方案中大于约-1.8dB。例如，滤波器可以在该滤波器的带通滤波器范围的部分或全部内表现出以上插入损耗值。
在一些实施方案中，滤波器可以在2GHz的频率范围(例如，从约27GHz到约29GHz)内、在一些实施方案中在1.5GHz的频率范围(例如，从约27.25GHz到约28.25GHz)内、在一些实施方案中在1GHz的频率范围(例如，从约27.50GHz到约28.50GHz)内、在一些实施方案中在0.5GHz的频率范围(例如，从约27.25GHz到约28.25GHz)内、在一些实施方案中在0.4GHz的频率范围(例如，从约27.80GHz到约28.20GHz)内、以及在一些实施方案中在0.2GHz的频率范围(例如，从约27.90GHz到约28.10GHz)内表现出大于-3.5dB的插入损耗响应。
然而，应当理解，在一些实施方案中，上述插入损耗响应可以在小于15GHz的频率下被表现出。例如，滤波器可以在大于约3GHz的(例如，在通带频率范围内的)频率下表现出大于-3.5dB，插入损耗在一些实施方案中大于约-3.2dB，在一些实施方案中大于约-3.0dB，在一些实施方案中大于约-2.8dB，在一些实施方案中大于约-2.6dB，在一些实施方案中大于约-2.4dB，在一些实施方案中大于约-2.2dB，在一些实施方案中大于约-2.0dB，以及在一些实施方案中大于约-1.8dB的插入损耗。例如，滤波器可以在该滤波器的带通滤波器范围的部分或全部内表现出以上插入损耗值。
滤波器可以表现出优异的回波损耗特性。例如，在一些实施方案中，滤波器可以在测试频率下表现出小于约-20dB的回波损耗，回波损耗在一些实施方案中小于约-25dB，在一些实施方案中小于约-30dB，在一些实施方案中小于约-35dB，在一些实施方案中小于约-37dB，在一些实施方案中小于约-40dB，在一些实施方案中小于约-42dB，以及在一些实施方案中小于约-45dB。
在一些实施方案中，滤波器可以在2GHz的频率范围(例如，从约27GHz到约29GHz)内、在一些实施方案中在1.5GHz的频率范围(例如，从约27.25GHz到约28.25GHz)内、在一些实施方案中在1GHz的频率范围(例如，从约27.50GHz到约28.50GHz)内、在一些实施方案中在0.5GHz的频率范围(例如，从约27.25GHz到约28.25GHz)内、在一些实施方案中在0.4GHz的频率范围(例如，从约27.80GHz到约28.20GHz)内、以及在一些实施方案中在0.2GHz的频率范围(例如，从约27.90GHz到约28.10GHz)内表现出大于-20dB的回波损耗响应。
另外，滤波器的通带频率范围可以以约28GHz的频率为中心。然而，在其他实施方案中，通带频率范围可以以范围从约15GHz到约28GHz的频率为中心。在又一些实施方案中，通带频率范围可以以范围从约28GHz到约45GHz或更高的频率为中心。
滤波器通常可以是紧凑的。例如，滤波器具有的长度可以小于约5mm、在一些实施方案中小于约4mm、在一些实施方案中小于约3mm、以及在一些实施方案中小于约2mm。滤波器具有的宽度可以小于约3mm、在一些实施方案中小于约2mm、以及在一些实施方案中小于约1mm。例如，滤波器可以具有1806、1515、1410、1210、1206、1111、1008、0805或更小的EIA外壳尺寸(EIA case size)。在示例性的实施方案中，滤波器具有1206的EIA外壳尺寸。
滤波器可以包括单片基底基板。滤波器可以包括形成在单片基底基板的顶表面的上方的多个薄膜微带(例如，第一薄膜微带、第二薄膜微带等)。至少一个过孔可以被形成在单片基底基板中，该过孔将薄膜微带中的一个与沿着滤波器的底部暴露的端口电连接。该端口可以形成在单片基底基板的、与单片基底基板的顶表面相反的底表面的上方。例如，输入端口和输出端口可以各自沿着滤波器的底部被暴露。输入过孔可以将输入端口与薄膜微带中的一个连接。输出过孔可以将输出端口与薄膜微带中的另一个连接。
如本文所用，“形成在……的上方”可以指与另一层直接接触的层。然而，也可以在它们之间形成中间层。另外，当涉及在底表面中使用时，“形成在……的上方”可以相对于组件的外表面使用。因此，“形成在底表面的上方”的层可以比在在组件的外部上形成的层更靠近组件的外部。
端口与薄膜微带之间的连接可以被特别地设计以调节(tune)滤波器的性能。例如，薄膜微带与输入端口和/或输出端口之间的导电路径的总长度可以对应于通过单片基底基板材料(和覆盖基板材料，如果存在的话)传播的通带中心频率的波长的近似四分之一。更具体地，波长λ通常取决于周围材料(例如，单片基底基板和/或覆盖基板的材料)的介电常数。通过具有介电常数(εr)的材料的波长λ可以如下计算：
其中C表示真空中的光速，以及f表示频率。
第一薄膜微带与输入端口之间的导电路径可以包括一个或多个导电带。例如，第一薄膜微带可以包括在X-Y平面中(例如，在Y方向上)伸长的第一臂。滤波器可以包括在X-Y平面中(例如，X方向)伸长的顶部导电带。顶部导电带可以形成在单片基底基板的顶表面的上方，并且与过孔和第一薄膜微带的第一臂中的每一个连接。底部导电带可以与过孔和端口中的每一个连接。底部导电带可以在Y方向上伸长。因此，在一些实施方案中，顶部导电带可以垂直于底部导电带，这可以提供紧凑的配置。然而，在其他实施方案中，顶部导电带和底部导电带可以在二者之间形成任何合适的角度(例如，0度到360度)。
顶部导电带可以在第一薄膜微带的臂与过孔之间、在X-Y平面中(例如，在X方向上)具有顶部导电带有效长度。底部导电带可以在过孔与端口之间、在X-Y平面中(例如，在Y方向上)具有底部导电带有效长度。过孔可以在Z方向上具有过孔长度。总导电路径长度可以等于顶部导电带有效长度、底部导电带有效长度和过孔长度的总和。总导电路径长度可以等于约λ/4，其中λ是与通过单片基底基板传播的通带频率(例如，通带中心频率)相对应的波长。波长λ可以与滤波器的通带频率范围内的任何频率相对应。在其他实施方案中，总导电路径长度可以与λ/4成比例(例如，nλ/4，其中n为范围从1到5、或更大的整数)。例如，总导电路径的范围可以为nλ/4的约95％到105％，在一些实施方案中约96％到约104％，在一些实施方案中约97％到约103％，在一些实施方案中约98％到约102％，以及在一些实施方案中约99％到约101％。
薄膜微带通常可以是U形的。例如，第一薄膜微带可以包括一对平行臂、以及与该对平行臂连接的基部部分。基部部分可以垂直于该对平行臂。在一些实施方案中，第一薄膜微带可以在该对平行臂的至少一个与第一薄膜微带的基部部分之间具有至少一个倒圆外拐角(rounded outer corner)。这类倒圆拐角可以降低电荷浓度，否则可能会不利地影响滤波器的性能。
第一薄膜微带的平行臂中的至少一个具有的宽度可以小于约200微米，在一些实施方案中小于约150微米，在一些实施方案中小于约100微米，以及在一些实施方案中小于约70微米。
薄膜微带可以被间隔开以在一个或多个选定频率下提供电磁谐振(electromagnetic resonance)。在一些实施方案中，薄膜微带可以与其他薄膜微带以相应的间隔距离间隔开。在一些实施方案中，可以采用不同的间隔距离以在滤波器的通带频率范围内的不同频率处提供谐振。更具体地，第一薄膜微带可以在与单片基底基板的顶表面平行的X-Y平面中、在Y方向上具有伸长的臂。第二薄膜微带可以具有在Y方向上伸长的、并且在X方向上以第一间隔距离与第一薄膜微带的臂间隔开的第一臂。第一间隔距离可以小于约250微米，在一些实施方案中小于约150微米，在一些实施方案中小于约120微米，在一些实施方案中小于约90微米，以及在一些实施方案中小于约60微米。
第二薄膜微带可以具有在Y方向上伸长的第二臂。第三薄膜微带可以具有在Y方向上伸长的、并且在X方向上以第二间隔距离与第二薄膜微带的第二臂间隔开的臂。第二间隔距离可以不同于第一间隔距离。
例如，在一些实施方案中，第二间隔距离可以大于第一间隔距离。第二间隔距离与第一间隔距离的比率的范围可以从约1.1到约10，在一些实施方案中从约1.5到约5，以及在一些实施方案中从约2到约3。然而，在其他实施方案中，第二间隔距离与第一间隔距离的比率的范围可以从约0.1到约0.9，在一些实施方案中从约0.2到约0.8，以及在一些实施方案中从约0.3到约0.4。
第二间隔距离可以小于约250微米，在一些实施方案中小于约150微米，在一些实施方案中小于约120，在一些实施方案中小于约90微米，以及在一些实施方案中小于约60微米。第一间隔距离可以小于约250微米，在一些实施方案中小于约150微米，在一些实施方案中小于约120微米，在一些实施方案中小于约90微米，以及在一些实施方案中小于约60微米。
薄膜微带的臂可以在其间形成重叠距离。可以选择重叠距离的长度以调节滤波器的性能特性。更具体地，在一些实施方案中可以采用多个不同的重叠距离。例如，第二薄膜微带的第一臂和第一薄膜微带的臂可以沿着第一重叠长度在Y方向上重叠。第二薄膜微带的第二臂和第三薄膜微带的第一臂可以沿着第二重叠长度在Y方向上重叠。第一重叠长度可以不同于第二重叠长度。在一些实施方案中，第二重叠长度可以大于第一重叠长度。例如，第二重叠长度可以是第一重叠长度的约104％到约125％，在一些实施方案中从约106％到约120％，在一些实施方案中从约108％到约115％。然而，在其他实施方案中，第二重叠长度可以小于第一重叠长度。例如，第二重叠长度可以是第一重叠长度的约75％到约96％，在一些实施方案中约80％到约93％，以及在一些实施方案中从约85％到约90％。在其他实施方案中，第二重叠长度可以近似等于第一重叠长度(例如，第二重叠长度的约96％到约104％)。
第四薄膜微带可以具有第一臂、第二臂、以及连接第一臂和第二臂的基部部分。第四薄膜微带的第一臂可以沿着第三重叠长度与第三薄膜微带的第二臂重叠。在一些实施方案中，第三重叠长度可以不同于第一重叠长度和第二重叠长度中的一者或两者。例如，第三重叠长度164可以是第一重叠长度150的约75％到约96％、或者约104％到约125％。在其他实施方案中，第三重叠长度164可以近似等于第一重叠长度。例如，第三重叠长度可以是第一重叠长度的约97％到约103％。
单片基底基板可以具有与顶表面相反的底表面。滤波器可以包括形成在滤波器的底表面的上方的接地平面。接地平面可以在与单片基底基板的顶表面平行的X-Y平面中具有周边。第一薄膜微带或第二薄膜微带中的至少一个可以包含在X-Y平面中的接地平面的周边内。
在一些实施方案中，滤波器可以包括形成在单片基底基板的顶表面和薄膜微带的上方的第一保护层。例如，可以在单片基底基板的顶表面的上方形成覆盖基板。如下所述，覆盖基板可以包括合适的陶瓷介电材料。覆盖基板具有的厚度的范围可以从约100微米到约600微米，在一些实施方案中从约125微米到约500微米，在一些实施方案中从约150微米到约400微米，以及在一些实施方案中从约175微米到约300微米。
在其他实施方案中，第一保护层可以包括聚合材料的层，例如聚酰亚胺、SiNO、Al2O3、SiO2、Si3N4、苯并环丁烯或玻璃。在这些实施方案中，第一保护层具有的厚度的范围可以从约1微米到约300微米，在一些实施方案中从约5微米到约200微米，以及在一些实施方案中从约10微米到约100微米。
在一些实施方案中，可以在滤波器的底表面的上方形成第二保护层。第二保护层可以包括聚合材料，例如聚酰亚胺、SiNO、Al2O3、SiO2、Si3N4、苯并环丁烯或玻璃。端口和/或接地平面可以突出穿过第二保护层，使得端口和/或接地平面沿着滤波器的底表面被暴露以用于表面安装滤波器，例如如下所述。
在一些实施方案中，单片基底基板具有的厚度的范围可以从约100微米到约600微米，在一些实施方案中从约125微米到约500微米，在一些实施方案中从约150微米到约400微米，以及在一些实施方案中从约175微米到约300微米。
单片基底基板和/或覆盖基板可以包括材料，该材料具有如在25℃的工作温度和28GHz的频率下、根据ASTM D2520-13确定的小于约30、在一些实施方案中小于约25、在一些实施方案中小于约20、在一些实施方案中小于约15的介电常数。然而，在其他实施方案中，可以使用具有高于30的介电常数的材料以实现更高的频率和/或更小的组件。例如，在这些实施方案中，如在25℃的工作温度和28GHz的频率下、根据ASTM D2520-13确定的介电常数的范围可以从约30到约120，在一些实施方案中从约50到约100，以及在一些实施方案中从约70到约90。
单片基底基板和/或覆盖基板可以包括一种或多种合适的陶瓷材料。合适的材料通常是电绝缘和导热的。例如，在一些实施方案中，基板可以包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化铍(BeO)、铝氧化物(Al2O3)、氮化硼(BN)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、二氧化锆(ZrO2)、它们的混合物、这些材料的氧化物和/或氮化物、或任何其他合适的陶瓷材料。其他示例性的陶瓷材料包括钛酸钡(BaTiO3)、钛酸钙(CaTiO3)、氧化锌(ZnO)、含低火玻璃(low-fire glass)的陶瓷、其他玻璃结合材料、蓝宝石和红宝石。
在单片基底基板的顶表面上形成的薄膜组件(例如，微带、导电带)在Z方向上的厚度的范围可以从约0.05微米到约50微米，在一些实施方案中从约0.1微米到约20微米，在一些实施方案中从约0.3微米到约10微米，并且在一些实施方案中从约1微米到约5微米。
薄膜组件可以由多种合适的导电材料形成。示例材料包括铜、镍、金、锡、铅、钯、银及其合金。然而，可以使用适合于薄膜制造的任何导电金属或非金属材料。
可以使用各种合适的减成工艺、半加成工艺或全加成工艺精确地形成薄膜组件。例如，可以使用物理气相沉积和/或化学沉积。例如，在一些实施方案中，可以使用溅射、一种物理气相沉积来形成薄膜组件。然而，可以使用各种其他合适的工艺，例如包括等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)和化学镀。可以使用光刻掩模和蚀刻以产生薄膜组件的所需形状。可以使用各种合适的蚀刻技术，包括使用反应性或非反应性气体(例如，氩、氮、氧、氯、三氯化硼)的等离子体的干蚀刻和/或湿蚀刻。
一个或多个端口可以沿着滤波器的底表面暴露，用于将组件表面安装到安装表面(例如印刷电路板(PCB))。例如，滤波器可以被配置为用于栅格阵列型表面安装，例如连接盘栅格阵列(LGA)型安装、球栅格阵列(BGA)型安装或任何其他合适类型的栅格阵列型表面安装。因此，端口可以不沿着单片基底基板的侧表面延伸，例如与表面安装器件(SMD)一样。因此，在一些实施方案中，基板的侧表面可以不含导电材料。
可以使用光刻技术以留下开口或窗口的方式形成第二保护层，通过这些开口或窗口可以沉积(例如通过电镀或化学镀)端口和/或接地平面。然而，可以使用各种合适的技术形成第二保护层，该合适的技术包括化学沉积(例如，化学气相沉积)、物理沉积(例如，溅射)或任何其他合适的沉积技术。额外的示例包括任何合适的图案化技术(例如，光刻)、蚀刻和任何其他合适的减成技术。作为电镀或化学镀的替代或补充，可以类似地使用上述技术中的任何一种沉积端口。
可以通过各种合适的工艺形成过孔，包括激光钻孔穿过单片基底基板，然后用合适的导电材料填充(例如，溅射、电解镀)孔的内表面。在一些实施方案中，可以在执行另一制造步骤的同时填充用于过孔的贯穿孔。例如，可以在形成薄膜组件之前钻出过孔，使得可以同时沉积过孔和薄膜组件。过孔可以由各种合适的材料形成，包括上面参考薄膜组件(例如，薄膜微带和接地平面)描述的材料。
在一些实施方案中，滤波器可以包括与薄膜微带接触的至少一个粘结层。粘结层可以是或包括各种适合于改善薄膜微带与例如单片基底基板和/或第一保护层(例如，陶瓷覆盖基板或聚合层)的相邻层之间粘结力的材料。作为示例，粘结层可以包括Ta、Cr、TaN、TiW、Ti或TiN中的至少一种。例如，粘结层可以是或包括钽(Ta)(例如，钽或其氧化物或氮化物)，并且可以形成在微带与单片基底基板之间以改善它们之间的粘结性。不受理论束缚的，可以选择粘结层的材料以克服例如晶格失配和残余应力的现象。
粘结层可以具有各种合适的厚度。例如，在一些实施方案中，粘结层的厚度的范围可以从约100埃到约1000埃，在一些实施方案中从约200埃到约800埃，在一些实施方案中从约400埃到约600埃。
I.示例实施方案
图1A示出了根据本公开的方面的高频带状线滤波器100的一个实施方案的自顶向下的视图。图1B示出了图1A的滤波器100的侧视图。参照图1B，滤波器100可以具有用于安装到安装表面104的底表面102。图1C示出了滤波器100的底表面102。参照图1A到图1C，滤波器100可以包括具有顶表面108的单片基底基板106。多个薄膜微带110可以形成在单片基底基板106的顶表面108的上方。一个或多个端口112、114可以沿着滤波器100的底表面102被暴露。例如，一个或多个端口112、114可以包括输入端口112和/或输出端口114。端口112、114可以在垂直于X方向115的Y方向113上间隔开。Y方向113和X方向115中的每一个都可以垂直于Z方向117。端口112、114可以不沿着滤波器100的竖直侧表面119(图1B)延伸。在一些实施方案中，滤波器100的竖直侧表面119可以不含导电材料。
一个或多个过孔116、117可以形成在单片基底基板106内。过孔116、117可以将薄膜微带110中的一个与滤波器100的底表面上的端口112、114中的一个电连接。例如，输入过孔116可以将薄膜微带110的第一薄膜微带118电连接到输入端口112。例如，从第一薄膜微带118到输入端口112的电连接路径可以包括输入过孔116。
第一薄膜微带118与输入端口112之间的导电路径也可以包括一个或多个伸长的导电带。例如，顶部导电带120可以在X方向115上伸长。顶部导电带120可以形成在单片基底基板106的顶表面108的上方，并且与第一薄膜微带118和输入过孔116中的每一个连接。更具体地，第一薄膜微带118可以包括在Y方向113上伸长的第一臂124。顶部导电带120可以与第一薄膜微带118的第一臂124连接。
第一薄膜微带118与输入端口112之间的导电路径也可以包括底部导电带122。底部导电带122可以与输入过孔116和输入端口112中的每一个连接。底部导电带122可以垂直于在Y方向113上伸长的顶部导电带120。
参照图1A，顶部导电带120可以在第一薄膜微带118的第一臂124与输入过孔116之间、在X方向115上具有顶部导电带有效长度126。底部导电带122可以在输入过孔116与输入端口112之间、在X-Y平面中(例如，在Y方向113上)具有底部导电带有效长度128。
参照图1B，输入过孔116可以在Z方向117上具有过孔长度130。输入端口112与第一薄膜微带118的第一臂124之间的导电路径的有效长度可以等于顶部导电带有效长度126、底部导电带有效长度128和过孔长度130的总和。导电路径的有效长度可以等于约λ/4，其中λ是与通过单片基底基板106传播的测试频率相对应的波长。在其他实施方案中，顶部导电带有效长度126、底部导电带有效长度128和过孔长度130的总和可以与λ/4成比例(例如，等于nλ/4，其中n是整数)。另外，顶部导电带120可以垂直于底部导电带122，这可以提供更紧凑的配置。
薄膜微带110中的一个或多个通常可以是U形的。例如，第一薄膜微带118可以包括与第一臂124平行的第二臂132。第一薄膜微带118可以具有与该对平行臂124、132连接的基部部分134。基部部分134可以垂直于该对平行臂124、132。如果第一臂124的至少一个边缘与基部部分134的至少一个边缘垂直，则可以认为第一臂124与基部部分134垂直。替代地，如果第一臂124的中心线与基部部分134的中心线垂直，则可以认为第一臂124与基部部分134垂直。类似地，如果第一臂124的至少一个边缘与第二臂132的至少一个边缘平行，则可以认为第一臂124与第二臂132平行。替代地，如果第一臂124的中心线与第二臂132的中心线平行，则可以认为第一臂124与第二臂132平行。例如，臂124、132中的一个或两个可以略微渐缩但仍可以彼此平行和/或与基部部分134垂直。
在一些实施方案中，第一薄膜微带118可以在该对平行臂124、132中的至少一个与第一薄膜微带118的基部部分134之间具有至少一个倒圆外拐角136。这类倒圆拐角可以降低电荷浓度，否则可能不利地影响滤波器的性能。第一薄膜微带118的平行臂124、132中的至少一个可以具有小于约200微米的宽度138。
薄膜微带110通常可以具有交替配置。每个连续的薄膜微带110可以在X-Y平面中相对于后续的薄膜微带110旋转180度。
薄膜微带110可以间隔开以在一个或多个选择频率下提供电磁谐振。在一些实施方案中，薄膜微带110可以与其他薄膜微带110以相应的间隔距离间隔开。在一些实施方案中，可以采用多个不同的间隔距离以在滤波器100的通带内的不同频率处提供谐振。更具体地，第一薄膜微带118的第二臂132可以在X方向115上与第二薄膜微带144的第一臂142以第一间隔距离140间隔开。第一间隔距离140可以小于约250微米。
第二薄膜微带144可以具有在Y方向上伸长的第二臂146、以及连接第一臂142和第二臂146的基部部分145。第三薄膜微带147可以具有第一臂149、第二臂151、以及基部部分152，第一臂149在Y方向113上伸长、并且在X方向115上与第二薄膜微带144的第二臂146以第二间隔距离148间隔开。第二间隔距离148可以不同于(例如，大于或小于)第一间隔距离140。在该示例中，第二间隔距离148大于第一间隔距离140。第二间隔距离148与第一间隔距离140的比率的范围可以从约1.1到约10、或从约0.1到约0.9。
薄膜微带110的臂124、132、142、146可以在其间形成重叠距离。可以选择重叠距离的长度以调节滤波器的性能特性。更具体地，在一些实施方案中可以采用多个不同的重叠距离。例如，第二薄膜微带144的第一臂142和第一薄膜微带118的第一臂124可以沿着第一重叠长度150在Y方向113上重叠。第二薄膜微带144的第二臂146和第三薄膜微带147的第一臂149可以沿着第二重叠长度154在Y方向113上重叠。第一重叠长度150可以不同于第二重叠长度154。例如，第二重叠长度154可以是第一重叠长度150的约75％到约96％、或约104％到约125％。在其他实施方案中，第二重叠长度154可以近似等于第一重叠长度150。
滤波器100可以包括第四薄膜微带156，该第四薄膜微带156具有第一臂158、第二臂160、以及连接第一臂158和第二臂160的基部部分162。第四薄膜微带156的第一臂158可以沿着第三重叠长度164与第三薄膜微带147的第二臂151重叠。在一些实施方案中，第三重叠长度164可以不同于第一重叠长度150和第二重叠长度154中的一者或两者。例如，第三重叠长度164可以是第一重叠长度150的约75％到约96％、或约104％到约125％。在其他实施方案中，第三重叠长度164可以近似等于第一重叠长度150。例如，第三重叠长度164可以是第一重叠长度150的约97％到约103％。
第四薄膜微带156的第一臂158可以与第三薄膜微带147的第二臂160以第三间隔距离166间隔开。在一些实施方案中，第三间隔距离166可以近似等于第一间隔距离140。例如，第三间隔距离166可以是第一间隔距离140的约97％到约103％。在其他实施方案中，第三间隔距离166可以不同于第一间隔距离140和第二间隔距离148中的一者或两者。例如，第三间隔距离166可以是第一间隔距离140的约75％到约96％、或约104％到约125％。
在一些实施方案中，薄膜微带中的一个或多个的臂可以具有不同的长度，使得在臂的各自尖端之间形成尖端偏移距离。例如，可以在第一薄膜微带118的第一臂124和第二臂132的各自尖端之间形成第一尖端偏移距离153。第二薄膜微带144的臂142、146可以具有大致相等的长度。类似地，第三薄膜微带147的臂149、151可以具有大致相等的长度。可以在第四薄膜微带156的第一臂158和第二臂160的各自尖端之间形成第二尖端偏移距离155。第二尖端偏移距离155可以近似等于第一尖端偏移距离153。例如，第二尖端偏移距离155可以是第一尖端偏移距离153的约96％到约104％。
第四薄膜微带156可以通过包括输出过孔117的导电路径与输出端口114连接。顶部输出导电带168和底部输出导电带170通常可以与上面参考将第一薄膜微带118与输入端口112连接的导电路径描述的顶部导电带120和底部导电带122类似的方式配置。顶部输出导电带168可以具有顶部输出导电带有效长度172。底部输出导电带170可以具有底部输出导电带有效长度174。输出过孔117可以在Z方向117上具有输出过孔长度176。总输出导电路径长度可以等于顶部输出导电带有效长度172、输出底部导电带有效长度175和输出过孔长度176的总和。总输出导电路径长度可以等于约λ/4，其中λ是与通过单片基底基板传播的测试频率相对应的波长。在其他实施方案中，长度的总输出导电路径长度可以与λ/4成比例(例如，nλ/4，其中n是整数)。例如，总输出导电路径长度的范围可以从nλ/4的约95％到105％的范围内，在一些实施方案中从约96％到约104％，在一些实施方案中从约97％到约103％，在一些实施方案中从约98％到约102％，并且在一些实施方案中从约99％到约101％。
单片基底基板106可以具有与顶表面108相反的底表面178。单片基底基板106的厚度180可以在Z方向117上限定在顶表面108与底表面178之间。单片基底基板106的厚度180的范围可以从约100微米到约600微米。
输入端口112和/或输出端口114可以在单片基底基板106的底表面178上。因此，输入过孔长度130和/或输出过孔长度176可以等于单片基底基板106的厚度180。然而，在其他实施方案中，多个基板或层可以设置在薄膜微带110与输入端口112和/或输出端口114之间，使得过孔长度130、176可以大于单片基底基板106的厚度180。
滤波器100可以包括形成在单片基底基板106的底表面178的上方的接地平面181。因此，接地平面181可以与输入端口112和/或输出端口114共面。接地平面181可以在与单片基底基板106的顶表面108平行的X-Y平面中具有周边182。第一薄膜微带118或第二薄膜微带144中的至少一个可以包含在X-Y平面中的接地平面181的周边182内。
参照图1B，滤波器100可以包括形成在单片基底基板106的顶表面108的上方的第一保护层184。例如，第一保护层184可以包括具有范围从约100微米到约600微米的厚度186的覆盖基板。在其他实施方案中，第一保护层184可以包括聚合材料，例如聚酰亚胺、SiNO、Al2O3、SiO2、Si3N4、苯并环丁烯或玻璃。在这些实施方案中，保护层可以具有范围从约1微米到约300微米的厚度。
在一些实施方案中，滤波器100可以包括形成在滤波器100的底表面178的上方的第二保护层185。第二保护层185可以包括聚合材料，例如聚酰亚胺、SiNO、Al2O3、SiO2、Si3N4、苯并环丁烯或玻璃。在一些实施方案中，第二保护层185可以使用光刻技术以留下开口或窗口的方式形成，通过该开口或窗口端口112、114和接地平面181可以被沉积，例如通过电镀。
图2示出了根据本公开的方面的高频带状线滤波器200的另一实施方案的自顶向下的视图。滤波器200通常可以如以上参照图1A至图1C的滤波器100所描述的配置，具有如下所述的几个不同之处。类似的附图标记用于指代图2所示的滤波器200与图1A至图1C所示的滤波器100之间的相似特征。滤波器200可以包括第五薄膜微带288，该第五薄膜微带288具有第一臂290、第二臂292、以及在第一臂290与第二臂292之间连接的基部部分293。第五薄膜微带288的第一臂290可以与第四薄膜微带256的第二臂260以第四间隔距离294间隔开。第五薄膜微带288的第一臂290可以在Y方向113上以第四重叠距离296与第二臂260重叠。正如所示的，第五薄膜微带288可以与顶部输出导电带268连接，而不是第四薄膜微带256连接。
薄膜微带210的基部部分234、245、152、162、293中的一个或多个通常可以是弯曲的，例如限定在薄膜微带210的各自臂之间的平行弯曲边缘。在一些实施方案中，一个或多个基部部分234、245、152、162、293可以在各自臂之间具有恒定的宽度。例如，基部部分234、245、152、162、293可以限定圆的一部分(例如，一半)。
II.模拟数据
图3示出了图1A到图1C的滤波器100的模拟的插入损耗(S2,1)和回波损耗(S1,1)。模拟数据显示了在从27GHz到29GHz的带通频率中的低插入损耗(S2,1)。更具体地，从27GHz到29GHz的插入损耗大于-2.67dB。从小于或大于该通带频率之外3GHz的频率，插入损耗响应小于-20dB。换句话说，对于小于24GHz或大于32GHz的频率，插入损耗小于-20dB。
对于范围从约27dB到约29dB的频率，模拟的回波损耗(S1,1)小于-29.5dB。在约28.5dB处，模拟的回波损耗(S1,1)小于-45dB。
图4示出了图2的滤波器200的模拟的插入损耗(S2,1)和回波损耗(S1,1)数据。模拟数据显示了在从27GHz到29GHz的带通频率中的低插入损耗(S2,1)。更具体地，从27GHz到29GHz的插入损耗大于-2.67dB。从小于或大于该通带频率之外3GHz的频率，插入损耗响应小于-10dB。换句话说，对于小于24GHz或大于32GHz的频率，插入损耗可以小于-10dB。
对于范围从约27GHz到约29GHz的频率，回波损耗(S1,1)可以小于-10dB。在约27.5GHz处，模拟的回波损耗(S1,1)小于-30dB。
另外，对于范围从约37GHz到约44GHz的频率，回波损耗(S1,1)可以小于-30dB；在一些实施方案中对于范围从约40GHz到约44GHz的频率，回波损耗(S1,1)可以小于约-40dB；以及在一些实施方案中对于范围从约40GHz到约44GHz的频率，回波损耗(S1,1)可以小于约-45dB。
III.测试
可以使用源信号发生器(例如，1306Keithley 2400系列源测量单元(SMU)，例如Keithley 2410-C SMU)执行插入损耗、回波损耗和其他响应特性的测试。例如，可以将输入信号施加到滤波器的输入端口，并且可以使用源信号发生器在滤波器的输出端口处测量输出信号。
本领域普通技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下实施本发明的这些和其他修改和变化。此外，应当理解，各个实施方案的方面可以全部或部分互换。此外，本领域普通技术人员将理解，前述描述仅作为示例，并不旨在限制本发明，因此本发明在所附的权利要求书中进一步描述。

Claims (24)

1.一种高频带状线滤波器，所述滤波器具有用于安装到安装表面的底表面，所述滤波器包括：
单片基底基板，所述单片基底基板具有顶表面、与所述顶表面相反的底表面、在X方向上的长度、在垂直于所述X方向的Y方向上的宽度、以及在垂直于所述X方向和所述Y方向中的每一个的Z方向上的厚度；
多个薄膜微带，所述多个薄膜微带包括第一薄膜微带和第二薄膜微带，所述多个薄膜微带中的每一个薄膜微带均具有第一臂、平行于所述第一臂的第二臂、以及与所述第一臂和所述第二臂连接的基部部分，所述基部部分垂直于所述第一臂和所述第二臂中的每一个；并且其中，所述多个薄膜微带形成在所述单片基底基板的所述顶表面的上方；
输入端口，所述输入端口沿着所述滤波器的所述底表面暴露；
输出端口，所述输出端口沿着所述滤波器的所述底表面暴露；
接地平面，所述接地平面形成在所述单片基底基板的所述底表面的上方，所述接地平面与所述输入端口和所述输出端口共面，所述接地平面在与所述单片基底基板的所述顶表面平行的X-Y平面中具有周边，其中，所述周边的一部分被限定在所述输入端口与所述输出端口之间，并且其中，所述第一薄膜微带或所述第二薄膜微带中的至少一者包含在所述X-Y平面中的所述周边的至少一部分内；和
导电路径，所述导电路径包括形成在所述单片基底基板中的过孔，所述导电路径与所述第一薄膜微带连接以将所述第一薄膜微带与所述滤波器的所述底表面上的所述输入端口电连接；
其中，所述滤波器在大于15GHz的频率下表现出大于-3.5dB的插入损耗，
其中，在所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂的相应尖端之间形成尖端偏移距离，
其中，所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂的尖端设置在所述单片基底基板的第一侧附近，并且所述第二薄膜微带的第一臂和第二臂的尖端设置在所述单片基底基板的第二侧附近，所述单片基底基板的第二侧与所述单片基底基板的第一侧相对，并且
其中，所述第二薄膜微带在与所述第一薄膜微带和所述第二薄膜微带中的每一个的第一臂和第二臂平行的方向上偏离所述第一薄膜微带，使得所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂中的每一个的尖端比所述第二薄膜微带的基部部分更靠近所述单片基底基板的第一侧，并且所述第二薄膜微带的第一臂和第二臂中的每一个的尖端比所述第一薄膜微带的基部部分更靠近所述单片基底基板的第二侧。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述频率为28GHz。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器在范围从27GHz到29GHz的频率范围内表现出大于-3.5dB的插入损耗响应。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器在所述频率下表现出小于-20dB的回波损耗。
5.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器在从27GHz到29GHz表现出小于-10dB的回波损耗响应。
6.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述导电路径具有从所述薄膜微带的所述第一臂到所述输入端口的有效长度，所述有效长度的范围为从λ/4的95％到105％，其中λ为与通过所述单片基底基板传播的通带频率相对应的波长。
7.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述第一薄膜微带的所述第一臂在所述Y方向上伸长，并且其中，所述导电路径包括在所述X方向上伸长的顶部导电带，所述顶部导电带形成在所述单片基底基板的所述顶表面的上方、并且与所述过孔和所述第一薄膜微带的所述第一臂中的每一个连接。
8.根据权利要求7所述的滤波器，其中，所述导电路径包括与所述过孔和所述输入端口中的每一个连接的底部导电带。
9.根据权利要求8所述的滤波器，其中：
所述顶部导电带在所述第一薄膜微带的所述臂与所述过孔之间、在所述X方向上具有顶部导电带有效长度；
所述底部导电带在所述过孔与所述输入端口之间、在X-Y平面内具有底部导电带有效长度；
所述过孔在垂直于所述X-Y平面的Z方向上具有过孔长度；并且
所述导电路径的所述有效长度等于所述顶部导电带有效长度、所述底部导电带有效长度和所述过孔长度的总和。
10.根据权利要求9所述的滤波器，其中，所述底部导电带在所述Y方向上伸长。
11.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述第一薄膜微带的所述基部部分在所述第一薄膜微带的所述第一臂与所述第二臂之间具有平行的弯曲边缘。
12.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述第一薄膜微带的所述第一臂或所述第二臂中的至少一个具有小于200微米的宽度。
13.根据权利要求1所述的滤波器，其中：
所述第一薄膜微带的所述第二臂在所述Y方向上伸长；并且
所述第二薄膜微带的所述第一臂在所述Y方向上伸长，并且在所述X方向上与所述第一薄膜微带的所述第一臂以第一间隔距离间隔开，所述第一间隔距离小于150微米。
14.根据权利要求13所述的滤波器，其中：
所述第二薄膜微带的所述第二臂在所述Y方向上伸长；并且
所述多个薄膜微带包括第三薄膜微带，所述第三薄膜微带的第一臂在所述Y方向上伸长，并且在所述X方向上与所述第二薄膜微带的所述第二臂以第二间隔距离间隔开，所述第二间隔距离小于150微米。
15.根据权利要求14所述的滤波器，其中，所述第二间隔距离与所述第一间隔距离的比率的范围为从1.1到10。
16.根据权利要求14所述的滤波器，其中：
所述第二薄膜微带的所述第一臂与所述第一薄膜微带的所述第二臂沿着第一重叠长度、在所述Y方向上重叠；
所述第二薄膜微带的所述第二臂与所述第三薄膜微带的所述第一臂沿着第二重叠长度、在所述Y方向上重叠；并且
所述第二重叠长度的范围为从所述第一重叠长度的75％到96％，或者所述第二重叠长度的范围为从所述第一重叠长度的104％到125％。
17.根据权利要求1所述的滤波器，所述滤波器还包括形成在所述单片基底基板的所述顶表面的上方的覆盖基板。
18.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述单片基底基板的厚度小于500微米。
19.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述单片基底基板包括材料，所述材料具有在25℃的工作温度和28GHz的频率下、根据ASTM D2520-13确定的小于30的介电常数。
20.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述单片基底基板包括氧化铝。
21.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器在所述X方向上的长度小于5mm，并且所述滤波器在所述Y方向上的宽度小于3mm。
22.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述多个薄膜微带在所述Z方向上具有范围为从0.3微米到10微米的厚度。
23.一种高频带状线滤波器，所述滤波器具有用于安装到安装表面的底表面，所述滤波器包括：
单片基底基板，所述单片基底基板具有顶表面、与所述顶表面相反的底表面、在X方向上的在第一端与第二端之间的长度、在垂直于所述X方向的Y方向上的在第一侧与第二侧之间的宽度、以及在垂直于所述X方向和所述Y方向中的每一个的Z方向上的厚度；
多个薄膜微带，所述多个薄膜微带包括第一薄膜微带和第二薄膜微带，所述多个薄膜微带中的每一个薄膜微带均具有第一臂、平行于所述第一臂的第二臂、以及与所述第一臂和所述第二臂连接的基部部分，所述基部部分垂直于所述第一臂和所述第二臂，所述第一臂和所述第二臂各自均具有尖端，并且其中，所述多个薄膜微带形成在所述单片基底基板的所述顶表面的上方；
端口，所述端口沿着所述滤波器的所述底表面暴露；
接地平面，所述接地平面形成在所述单片基底基板的所述底表面的上方，所述接地平面与所述端口共面并且沿着所述滤波器的所述底表面与所述端口间隔开，所述接地平面在与所述单片基底基板的所述顶表面平行的X-Y平面中具有周边，其中，所述第一薄膜微带或所述第二薄膜微带中的至少一者包含在所述X-Y平面中的所述周边内；和
导电路径，所述导电路径包括形成在所述单片基底基板中的过孔，所述导电路径将所述薄膜微带的所述第一臂连接到所述端口，所述导电路径在所述薄膜微带的所述第一臂与所述端口之间具有有效长度，所述有效长度的范围为从λ/4的95％到105％，其中λ为与通过所述单片基底基板传播的通带频率相对应的波长，
其中，所述第一薄膜微带的第一臂或第二臂中的一个比所述第一薄膜微带的第一臂或第二臂中的另一个长，使得在所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂的相应尖端之间形成第一尖端偏移距离，
其中，所述第二薄膜微带的第一臂或第二臂中的一个比所述第二薄膜微带的第一臂或第二臂中的另一个长，使得在所述第二薄膜微带的第一臂和第二臂的相应尖端之间形成第二尖端偏移距离，
其中，所述第一薄膜微带的第一臂或第二臂中较长的一个被设置成比所述第一薄膜微带的第一臂或第二臂中较短的一个更靠近所述单片基底基板的第一端，
其中，所述第二薄膜微带的第一臂或第二臂中较长的一个被设置成比所述第二薄膜微带的第一臂或第二臂中较短的一个更靠近所述单片基底基板的第二端，
其中，所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂的尖端设置在所述单片基底基板的所述第一侧附近，并且所述第二薄膜微带的第一臂和第二臂的尖端设置在所述单片基底基板的所述第二侧附近，所述单片基底基板的第二侧与所述单片基底基板的第一侧相对，并且
其中，所述第二薄膜微带在与所述第一薄膜微带和所述第二薄膜微带中的每一个的第一臂和第二臂平行的方向上偏离所述第一薄膜微带。
24.一种形成高频带状线滤波器的方法，所述滤波器具有用于安装到安装表面的底表面，所述方法包括：
提供具有顶表面和与所述顶表面相反的底表面的单片基底基板；
在所述单片基底基板的所述顶表面的上方形成多个薄膜微带，所述多个薄膜微带包括第一薄膜微带、第二薄膜微带、第三薄膜微带和第四薄膜微带，所述多个薄膜微带中的每一个薄膜微带均具有第一臂、平行于所述第一臂的第二臂、以及与所述第一臂和所述第二臂连接的基部部分，所述基部部分垂直于所述第一臂和所述第二臂中的每一个；
沿着所述滤波器的所述底表面沉积输入端口和输出端口；
在所述单片基底基板的所述底表面上方形成接地平面，所述接地平面与所述输入端口和所述输出端口共面，所述接地平面在与所述单片基底基板的所述顶表面平行的X-Y平面中具有周边，其中，所述周边的一部分被限定在所述输入端口与所述输出端口之间，并且其中，所述第一薄膜微带或所述第二薄膜微带中的至少一者包含在所述X-Y平面中的所述周边的至少一部分内；以及
在所述单片基底基板中形成过孔，所述过孔将所述第一薄膜微带与所述滤波器的所述底表面上的所述输入端口电连接；
其中，在所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂的相应尖端之间形成尖端偏移距离，
其中，所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂的尖端设置在所述单片基底基板的第一侧附近，并且所述第二薄膜微带的第一臂和第二臂的尖端设置在所述单片基底基板的第二侧附近，所述单片基底基板的第二侧与所述单片基底基板的第一侧相对，
其中，所述第二薄膜微带在与所述第一薄膜微带和所述第二薄膜微带中的每一个的第一臂和第二臂平行的方向上偏离所述第一薄膜微带，使得所述第一薄膜微带的第一臂和第二臂中的每一个的尖端比所述第二薄膜微带的基部部分更靠近所述单片基底基板的第一侧，并且所述第二薄膜微带的第一臂和第二臂中的每一个的尖端比所述第一薄膜微带的基部部分更靠近所述单片基底基板的第二侧，
其中，所述第三薄膜微带的第一臂、第二臂和基部部分在X方向上设置在所述第一薄膜微带与所述第四薄膜微带之间，并且所述第四薄膜微带的第一臂、第二臂和基部部分在所述X方向上设置在所述第三薄膜微带与所述第二薄膜微带之间，使得在所述第一薄膜微带、所述第二薄膜微带、所述第三薄膜微带或所述第四薄膜微带中的任意两者之间在所述X方向上没有重叠，
其中，所述滤波器在范围从27GHz到29GHz的频率范围内表现出大于-3.5dB的插入损耗响应；并且
其中，所述滤波器在从27GHz到29GHz表现出小于-10dB的回波损耗响应。
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