CN112886299A - 射频跨接器件和射频器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及射频跨接器件和射频器件。一种微波或射频(RF)跨接器件包括绝缘基板，绝缘基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该器件还包括跨接导体，跨接导体设置在第一表面上，在第一表面的第一边缘和第一表面的第二边缘之间延伸。该器件还包括在第二表面中的凹陷，凹陷由(i)相对于第二表面凹形的第三表面和(ii)在第二表面和第三表面之间延伸的至少一个侧壁部分限定。该器件还包括导电涂层，该导电涂层形成在第二表面的至少一部分、第三表面和至少一个侧壁上方，其中，导电涂层通过绝缘基板与跨接导体绝缘。

Description

射频跨接器件和射频器件
技术领域
本发明涉及射频跨接器件和射频器件。
背景技术
微波和射频(RF)电路可装入传输线的走线，这些传输线将集成在基板(诸如印刷电路板)上的RF元件(诸如放大器、混频器和滤波器)互连。在某些情形下，印刷电路板上的传输线路径可相交，从而导致需要跨接元件。
发明内容
在实施方式中，一种RF跨接器件包括绝缘基板，该绝缘基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。该跨接器件还包括跨接导体，该跨接导体设置在所述第一表面上，在所述第一表面的第一边缘和所述第一表面的第二边缘之间延伸。该跨接器件还包括在所述第二表面中的凹陷，该凹陷由(i)相对于所述第二表面凹进的第三表面和(ii)在所述第二表面和所述第三表面之间延伸的至少一个侧壁部分限定。该跨接器件还包括导电涂层，该导电涂层形成在所述第二表面的至少一部分、所述第三表面和所述至少一个侧壁上方，所述导电涂层通过绝缘基板与跨接导体绝缘。
在一些实施方式中，所述凹陷在所述绝缘基板的两个侧表面之间延伸。在一些实施方式中，所述凹陷在与所述跨接导体在所述第一表面上延伸的方向正交的方向上延伸。在一些实施方式中，所述跨接器件还包括：第一过渡导体，其与所述跨接导体导电联接，被设置在所述绝缘基板的第一侧表面上；以及第二过渡导体，其与所述跨接导体导电联接，被设置在所述绝缘基板的第二侧表面上。
在一些实施方式中，所述第一过渡导体在所述第一表面的所述第一边缘和所述第二表面的第一边缘之间延伸，并且其中，所述第二过渡导体在所述第一表面的所述第二边缘和所述第二表面的第二边缘之间延伸。在一些实施方式中，所述绝缘基板的所述第一侧表面包括第一凹入区域，并且其中，所述第一过渡导体至少部分地设置在所述第一凹入区域上方。在一些实施方式中，所述跨接器件还包括：第一跨接接触件，其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并与所述第一过渡导体联接；第二跨接接触件，其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并与所述第二过渡导体联接。在一些实施方式中，所述第一跨接接触件通过第一跨接隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开，并且所述第二跨接接触件通过第二跨接隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开。
在一些实施方式中，所述跨接导体的至少一部分包括传输线。在一些实施方式中，所述跨接导体包括设置在所述传输线与所述第一表面的所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个之间的至少一个阻抗匹配结构。在一些实施方式中，所述跨接导体包括多个金属层，其中，所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。在一些实施方式中，所述多个金属层包括铜、银、金、镍或钛钨合金中的至少两种的金属层。在一些实施方式中，所述导电涂层包括多个金属层，其中，所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。在一些实施方式中，所述绝缘基板包含陶瓷材料、玻璃、蓝宝石、石英或印刷电路板材料中的至少一种。
在一些实施方式中，一种RF器件包括电路板，该电路板具有第一表面和相对的第二表面。该RF器件还包括设置在所述电路板的所述第一表面上的第一RF导体，该第一RF导体在第一方向上延伸。该RF器件还包括设置在所述电路板的所述第一表面上的第二RF导体，该第二RF导体在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。RF器件还包括接地导体，该接地导体设置在所述电路板的所述第一表面上，所述接地导体与所述第一RF导体和所述第二RF导体电隔离。该RF器件还包括设置在所述电路板上的RF跨接器件。所述绝缘基板的所述第二表面上方的所述导电涂层与所述接地平面接触。所述第一RF导体在所述绝缘基板的所述第二表面中的所述凹陷下方经过，并且所述第二RF导体与设置在所述绝缘基板的所述第一表面上的所述跨接导体电联接。
在一些实施方式中，所述至少一个侧壁上的所述导电涂层与所述第一RF导体分开15密耳(mil)和25密耳之间的距离。在一些实施方式中，所述绝缘基板的所述第三表面上的所述导电涂层与设置在所述电路板的所述第一表面上的所述第一RF导体分开5密耳和15密耳之间的距离。在一些实施方式中，所述第一RF导体与所述跨接导体之间的隔离程度是在所述凹陷上方测得的所述跨接导体的宽度的递增函数。在一些实施方式中，所述跨接导体是第一跨接导体，并且所述RF器件还包括：第二跨接导体，其与所述第一跨接导体相邻地设置在所述绝缘基板的所述第一表面上方，其中，所述第二跨接导体在所述第一表面的所述第一边缘和所述第二边缘之间延伸。
以上概述仅仅是例示性的，并不旨在以任何方式进行限制。除了上述的例示性方面、实施方式和特征之外，通过参考以下附图和具体实施方式，其他方面、实施方式和特征将变得明显。
附图说明
根据以下描述和所附权利要求书并结合附图，本公开的以上特征和其他特征将变得更完全明显。理解这些附图仅描绘了按照本公开的几种实施方式，因此，不被认为是对本公开的范围的限制，将通过使用附图以附加的特征和细节来描述本公开。
图1A和图1B示出了根据本公开的实施方式的示例RF跨接器件的等轴视图。
图2示出了包括设置在印刷电路板(PCB)上方的示例RF跨接器件的布置。
图3示出了图2中示出的布置，包括绝缘基板的透明视图。
图4示出了图2中示出的布置的侧视图。
图5示出了针对跨接导体的各种宽度值以及不同频率绘制的跨接导体与被跨接的RF传输线之间的最小隔离程度的示例曲线图。
在下面的具体实施方式中，参考了形成该具体实施方式的一部分的附图。在附图中，除非上下文另外指出，否则相似的符号通常标识相似的元件。在具体实施方式、附图和权利要求书中描述的例示性实施方式并不意味着是限制性的。在不脱离这里提出的主题的精神或范围的情况下，可利用其他实施方式，并且可进行其他改变。将容易理解，可按各式各样的不同构造来布置、替代、组合和设计如本文中总体描述的并在附图中例示的本公开的一些方面，明确地料想到所有这些构造并且这些构造形成了本公开的组成部分。
具体实施方式
本公开描述了用于在微波或RF器件(本文中统称为“RF器件”)中使用的跨接元件的器件和技术。RF器件可包括形成在基板(诸如印刷电路板)上的元件(诸如导体、传输线、滤波器等)。在某些情形下，两条或更多条RF传输线的路径可相交，从而导致需要用跨接使一条RF传输线与另一条RF传输线的路径交叉而不与该另一条RF传输线接触。形成跨接的一种方法是使用多层印刷电路板，在所述多层印刷电路板中，通过使用PCB中的多个导电层和/或接地层，RF传输线被跨接。例如，PCB可包括可通过通孔连接以提供RF传输线的跨接的多层带状线层。然而，这种方法需要具有多个PCB层，这推动整个PCB的成本及其制造复杂度上升。多层PCB还遭遇较差的制造公差，这使得毫米波操作是不能实现的。
针对本文中公开的实施方式讨论的一种解决方案提供了一种跨接器件，该跨接器件包括在将被跨接的(微条带)RF传输线上方形成搭接片(jumper)的陶瓷或其他绝缘基板。特别地，跨接器件包括金属化隧道，可将其设置在被跨接的RF传输线上方，以便提供两条迹线之间必要的隔离。跨接器件可包括在跨接器件的至少一个表面上方的至少一个导体以为跨接的RF传输线提供导电路径，该至少一个导体与隧道上的金属镀层(metallization)隔离。陶瓷基板可以是(例如，单一材料的)单片结构或块，并且可在被跨接的RF传输线和跨接的RF传输线之间提供改善的隔离。例如，改善的隔离可使RF元件或其中装有RF元件的电路能够以高达40GHz的频率操作。
图1A和图1B示出了示例RF跨接器件100的等轴视图。RF跨接器件100包括绝缘基板150，绝缘基板150具有第一表面102和与第一表面102相对的第二表面104。多个侧表面(其中的第一侧表面112和第三侧表面126在图1A和图1B中被示出)可在第一表面102和第二表面104之间延伸。在平面图中，第一表面102和第二表面104具有矩形形状。然而，第一表面102或第二表面104可具有除了图1A和图1B中示出的矩形形状之外的形状。特别地，第一表面102或第二表面104可具有任何多边形形状(规则或不规则的)或圆形或其他形状。在某些情形下，第一表面102和第二表面104在平面图中的形状可不同。在第一表面102和第二表面104之间延伸的多个侧表面的数量可随第一表面102和第二表面104的形状的变化而变化。第一表面102是平面的，然而，在一些实施方式中，第一表面102可以是非平面的，并且可包括凹陷或突起。第一表面102具有包括第一边缘108、第二边缘142、第三边缘152和第四边缘154的周边。第一侧表面112在第一表面的第一边缘108和第二表面104之间延伸，并且第三侧表面126在第一表面102的第三边缘152和第二表面104之间延伸。尽管未在图1A和图1B中示出，但第四侧表面在第四边缘154和第二表面104之间延伸。
第二表面104包括凹陷144。凹陷144至少部分地由相对于第二表面104凹进的第三表面116、第一凹陷侧壁118和/或与第一凹陷侧壁118相对的第二凹陷侧壁(未示出)限定。在一些实施方式中，凹陷144包括一个或更多个拱，拱至少部分地由相对于第二表面104凹进的一个或更多个弯曲表面限定。第一凹陷侧壁118和第二凹陷侧壁可在第二表面104和凹进的第三表面116之间延伸。如下面进一步讨论的，当RF跨接器件100设置在印刷电路板上方时，凹陷144使被跨接的RF传输线能够在RF跨接器件100下方经过。第三表面116是平面的。然而，在某些情形下，第三表面116可以是非平面的，诸如具有弯曲形状或凸形。第三表面116在第三侧表面126和与第三侧表面相对的第四侧表面(未示出)之间延伸。第四侧表面的一部分在第一表面102的第四边缘154和第二表面104之间延伸，并且第四侧表面的另一部分在第四边缘154和第三表面116之间延伸。RF跨接器件100具有在第一表面102与第二表面104之间测得的第一厚度T1以及在第一表面102与凹陷144的第三表面116之间测得的第二厚度T2。第二厚度T2小于第一厚度T1。第二厚度T2可沿着凹陷144的纵轴128是均匀的。在一些实施方式中，厚度T2可沿着纵轴128是不均匀的。第一凹陷侧壁118和第二凹陷侧壁可垂直于第二表面104和第三表面116延伸，然而，在某些情形下，第一凹陷侧壁118和第二凹陷侧壁可与第二表面104和/或第三表面116形成非垂直角度。
跨接导体106设置在第一表面102上，并且在第一表面102的第一边缘108和第二边缘142之间延伸。跨接导体106为跨接的RF传输线提供导电路径(例如，以携带信号)。第一过渡导体114设置在第一侧表面112上，并且在第一表面102的第一边缘108和第二表面104的第一边缘110之间延伸。第一过渡导体114在第一表面102的第一边缘108处与跨接导体106电接触。第二过渡导体140设置在RF跨接器件100的第二侧表面上。第二侧表面在第一表面102的第二边缘142和第二表面104之间延伸。第二过渡导体140在第一表面102的第二边缘142处与跨接导体106电接触。如下所讨论的，第一过渡导体114、跨接导体106和第二过渡导体140为设置在印刷电路板上的跨接导体提供导电路径，RF跨接器件100设置在该印刷电路板上方。
第一过渡导体114设置在第一侧表面112上方并与跨接导体106联接。第一过渡导体114在第一表面102的第一边缘108和第二表面104的第一边缘110之间延伸。第一过渡导体114提供跨接导体106和设置在印刷电路板上的RF传输线之间的导电路径。类似地，第二过渡导体140设置在绝缘基板150的第二侧表面上方，其中，第二侧表面在第一表面102的第二边缘142和第二表面104的第二边缘146之间延伸。第二过渡导体140提供跨接导体106和设置在印刷电路板上的RF传输线之间的导电路径。印刷电路板上的RF传输线可以是跨接RF元件，并且第一过渡导体114、跨接导体106和第二过渡导体140的组合可提供导电路径(例如，以携带信号)以跨接印刷电路板上的另一RF传输线，跨接器件100设置在该印刷电路板上方。
第一侧表面112和在第一表面102的第二边缘142和第二表面104的第二边缘146之间延伸的第二侧表面可分别包括第一凹入区域156和第二凹入区域158。第一过渡导体114的至少一部分设置在第一凹入区域156(或表面区域)上方，并且第二过渡导体140的至少一部分设置在第二凹入区域158(或表面区域)上方。第一凹入区域156和第二凹入区域158可分别是绝缘基板150的第一侧表面112和第二侧表面中的凹形凹陷(或表面区域)。在一些实施方式中，第一凹入区域156和第二凹入区域158可以是绝缘基板150的制造处理步骤(例如，机加工、铣削、钻孔)的结果。在某些情形下，多个绝缘基板可由单个较大的绝缘基板制成。可在较大的基板中钻孔，然后可执行金属化步骤，该步骤可至少沉积跨接导体106并对钻孔的内部进行金属化。此后，可通过沿着钻出的金属化孔的直径(诸如，例如，沿着第一表面的第一边缘108和第二边缘142以及沿着第三边缘152和第四边缘154)进行切割来切出多块的个体绝缘基板。现在，所得的分离的绝缘基板150可包括具有金属镀层的凹入区域156和158，该金属镀层形成第一过渡导体114和第二过渡导体140。在一些实施方式中，第一侧表面112和第二侧表面可不包括凹入区域156和158，并且可替代地与分别设置在平面的第一侧表面和第二侧表面的一部分上的第一过渡导体114和第二过渡导体140共平面。
跨接导体106包括至少一条传输线148和至少一个阻抗匹配结构，诸如(例如)第一阻抗匹配结构124和第二阻抗匹配结构122。阻抗匹配结构被设置在表面安装的第一过渡导体114之后，以提供改善的性能并取消来自过渡通孔的固有的电容性负载。传输线148可被构造成具有诸如(例如)50欧的特定阻抗值。第一阻抗匹配结构124和第二阻抗匹配结构122可通过分别将第一过渡导体114和第二过渡导体140的阻抗与跨接导体106的阻抗匹配来降低回波损耗的风险。图1A和图1B中示出的第一阻抗匹配结构124和第二阻抗匹配结构122中的每个的特定结构仅是示例和非限制的，可采用其他结构来提供类似的阻抗匹配功能和/或支持各种频率下的操作。
跨接导体106沿着跨接导体轴线130设置在绝缘基板150的第一表面102上。例如，跨接导体轴线130平行于绝缘基板150的纵轴。然而，跨接导体轴线130可具有任何定向。特别地，跨接导体轴线130的方向可基于第一过渡导体114和第二过渡导体140的位置，第一过渡导体114和第二过渡导体140进而可设置在绝缘基板150的相应侧表面上，以匹配与印刷电路板上的跨接的RF传输线连接的点的位置。例如，跨接导体106(和跨接导体轴线130)可相对于绝缘基板150的边缘或纵轴成一定角度地定向。跨接导体轴线130的方向与凹陷144的纵轴128的方向基本上正交(例如，在5％内)。然而，在某些情形下，诸如，当凹陷144被相对于绝缘基板150的第三侧表面和第四侧表面倾斜设置时，该凹陷的纵轴128和跨接导体轴线130之间的角度可以是非正交的。
绝缘基板150的第二表面104可包括第一跨接接触件136和第二跨接接触件138。第一跨接接触件136沿着第二表面104的第一边缘110设置，而第二跨接接触件138沿着第二表面104的第二边缘146设置。第一跨接接触件136与第一过渡导体114导电联接，并且第二跨接接触件138与第二过渡导体140导电联接。第一跨接接触件136沿着第二表面104的第一边缘110的形成第一凹入区域156的周边的一部分设置。第二跨接接触件138沿着第二表面104的第二边缘146的形成第二凹入区域158的周边的一部分设置。当绝缘基板150设置在印刷电路板上时，第一跨接接触件136和第二跨接接触件138可与跨接的RF传输线的两端(或一些部分或接触点)接触。在一些实施方式中，第一跨接接触件136和第二跨接接触件138可设置在绝缘基板150的第二表面104上方的任何位置。它们的位置可取决于与印刷电路板上的跨接的RF传输线接触的点的位置。
在第一凹陷侧壁118和第二凹陷侧壁中的至少一个、第二表面104以及第三表面116的至少一部分上方形成导电涂层120(例如，该导电涂层提供电磁屏蔽)。导电涂层120可由一种或更多种金属或金属合金形成。在图1A和图1B中示出的示例中，整个凹陷144(即第三表面116、第一凹陷侧壁118和第二凹陷侧壁)被涂覆有导电涂层120。在一些其他实施方式中，凹陷144中仅一部分可被涂覆有导电涂层120。例如，在一些实施方式中，第三表面116可被涂覆有导电涂层120，并且第一凹陷侧壁或第二凹陷侧壁中的一者或二者可不涂覆有导电涂层120。
导电涂层120提供接地平面连接，并且可与在上面安装有跨接器件100的印刷电路板上的接地平面导电联接。当跨接器件100安装在印刷电路板上时，凹陷144中的导电涂层120提供跨接导体106与穿过由凹陷144形成的隧道的被跨接的导体之间的屏蔽。在一些示例中，凹陷144中的导电涂层120可在跨接导体106与印刷电路板上的被跨接的导体之间提供30dB至50dB的隔离。
在一些示例中，导电涂层120可包括诸如金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)等这样的一种或多种金属的涂层。在一些实施方式中，导电涂层120可包括厚度在3微英寸和6微英寸之间的Au层、厚度在40微英寸和80微英寸之间的Ni层、厚度在75微英寸和125微英寸之间的另一Au层以及厚度在200埃和400埃之间的钛钨合金(TiW)层。Ni层可提供可焊接的迹线或表面，这可改善跨接器件与印刷电路板的表面安装焊接结合。
第一跨接接触件136和第二跨接接触件138分别通过第一跨接隔离区域132和第二跨接隔离区域134与导电涂层120物理隔离。第一跨接隔离区域132和第二跨接隔离区域134可以是绝缘基板150的第二表面104的未被导电涂层覆盖的暴露部分。
图2示出了包括设置在印刷电路板(PCB)202上方的示例跨接器件(例如，在图1A和图1B中示出的跨接器件)的布置200。PCB 202包括绝缘板220(也称为“电路板”)，在绝缘板220上方布置有至少一个金属层240。金属层可被图案化，以形成接地平面(或“接地导体”)204、跨接的RF传输线(也称为“第二RF导体”)的第一部分206、跨接的RF传输线的第二部分208以及被跨接的RF传输线(也称为“第一RF导体”)212。跨接的RF传输线和被跨接的RF传输线212的路径可凭借其不同相应方向和/或由跨接器件100实现的路径而跨接或相交。上面针对图1A和图1B讨论的跨接器件100可设置在PCB 202上方，使得第二表面104面对PCB202。特别地，导电涂层120与PCB 202上的接地平面204接触。另外，凹陷144被设置成使得被跨接的RF传输线212在凹陷144的下方经过，而没有与跨接器件100上的任何导电表面接触。例如，被跨接的RF传输线212与跨接器件100的凹陷侧壁上的导电涂层分离(例如，绝缘或隔离)。另外，第一过渡导体114与跨接的RF传输线的第一部分206(例如，接触点)对准，并且第二过渡导体140与跨接的RF传输线的第二部分208(例如，接触点)对准。布置200通过装入跨接器件100使跨接的RF传输线能够跨接被跨接的RF传输线212。
图3示出了图2中示出的布置200，包括绝缘基板150的透明视图。图3示出了与跨接的RF传输线的第一部分206接触的第一跨接接触件136和与跨接的RF传输线的第二部分208接触的第二跨接接触件138。另外，跨接器件100的第二表面104上的导电涂层120与PCB 202上的接地平面204接触。PCB 202包括将第一部分206与接地平面204隔离或分离的第一PCB隔离区域230，并且包括将第二部分208与接地平面204隔离或分离的第二PCB隔离区域222。跨接器件100上的第一跨接隔离区域132与第一PCB隔离区域230重合，并且跨接器件100上的第二跨接隔离区域134与第二PCB隔离区域222重合。因此，跨接器件100上方的跨接的RF导体的整个路径与跨接器件100上和PCB 202上的接地平面(或导电涂层120)隔离。
图4示出了图2中示出的布置200的侧视图。特别地，图4示出了PCB 202的侧视图，其中跨接器件100安装在PCB 202上。被跨接的RF传输线212可与第一凹陷侧壁118上的导电涂层120分开距离D1，并且与第二凹陷侧壁160上的导电涂层120分开距离D2。另外，被跨接的RF传输线212与第三表面116上的导电涂层120分开(例如，隔离或绝缘)距离H。距离D1、D2和H越大，被跨接的RF传输线212与跨接导体106之间的隔离更好。在一些实施方式中，距离D1和D2可具有在15密耳和25密耳之间的值。在一些实施方式中，距离H可具有在5密耳和15密耳之间的值。
跨接导体106可包括两个或更多个金属层。例如，图4中示出的跨接导体106具有第一金属层402和第二金属层404。第一金属层402和第二金属层404可包括诸如金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)等这样的多种金属的涂层。在一些实施方式中，第一金属层402和第二金属层404可包括厚度在3微英寸和6微英寸之间的Au层、厚度在40微英寸和80微英寸之间的Ni层、厚度在75微英寸和125微英寸之间的Au层以及厚度在200埃和400埃之间的钛钨合金(TiW)层。
再次参照图1A和图1B，跨接导体106可具有横向于跨接导体106的长度测得的宽度W。在一些实施方式中，宽度W是在凹陷144(或隧道)的正上方测得的。例如，跨接导体106的宽度W可以是横向于凹陷144上方的跨接导体轴线130测得的。可至少基于跨接导体106的期望阻抗值和凹陷上方的绝缘基板150的厚度T2来选择跨接导体的宽度W。在一些实施方式中，厚度T2是在凹陷144(或隧道)上方测得的。通常，对于固定的阻抗值，宽度W可与绝缘基板150的厚度T2成反比关系。换句话说，对于固定的阻抗值，宽度W可以是T2的递减函数，使得对于固定的阻抗值，当T2的值增大时，W的值减小。例如，下式(1)建立了跨接导体106的阻抗Z与诸如宽度W和厚度T2这样的参数之间的关系。式(2)-(7)提供了式(1)中的各种变量的表达式。
Figure BDA0002804423820000101
Figure BDA0002804423820000102
u＝W/T2 式(3)
n＝120π 式(4)
Figure BDA0002804423820000103
Figure BDA0002804423820000104
Figure BDA0002804423820000105
在上式中，εr是绝缘基板150的介电常数。
在一些实施方式中，跨接导体106与被跨接的RF传输线(例如，图2至图4中的212)之间的隔离可随着跨接元件的沿着纵轴128的宽度的变化而变化。特别地，隔离可以是跨接元件的宽度的递增函数。即，隔离程度随着跨接元件的宽度的增大而增大。在某些情形下，这种关系适用于特定的频带。图5示出了针对跨接导体106的各个元件宽度值(单位：密耳)绘制的跨接导体106与被跨接的RF传输线212之间的最小隔离程度的示例曲线图500。第一曲线502表示10Ghz的频率，第二曲线504表示20Ghz的频率，第三曲线506表示30Ghz的频率，并且第四曲线508表示40GHz的频率。至少对于高达30GHz的频率，跨接导体106和被跨接的RF传输线212之间的最小隔离程度随着跨接导体106的宽度W的增大而增大。
尽管图1A至图4仅示出了设置在绝缘基板150的第一表面102上方的单个跨接导体106，但在一些实施方式中，两个或更多个跨接导体可设置在第一表面上方，以为不止一条RF传输线提供跨接能力。例如，可在绝缘基板150的第一表面102上方设置彼此相邻的附加跨接导体106，以使两条跨接的RF传输线能够跨接一条或更多条被跨接的RF传输线。跨接导体可在绝缘基板150的第一表面102的第一边缘108和第二边缘142之间延伸。于是，跨接器件100可包括对应数量的过渡导体(例如，114和140)、跨接接触件(例如，136和138)以连接到对应的跨接RF传输线的一些部分。此外，可根据上方放置有跨接器件100的被跨接导体的数量来调整凹陷144的大小或宽度，使得第一凹陷侧壁118和第二凹陷侧壁160上的导电涂层120与最近的被跨接的RF传输线之间的距离D1和D2得以保持。
本文中描述的主题有时例示包含在不同的其他元件内或与其连接的不同元件。要理解，所描绘的这些架构是例示性的，并且实际上，可实现用于实现相同功能的许多其他架构。在概念意义上，用于实现相同功能的任何元件布置都被有效地“关联”，使得实现所期望的功能。因此，本文中被组合用于实现特定功能的任何两个元件可被视为彼此“关联”，使得实现所期望的功能，而不管架构或中间元件如何。同样地，如此关联的任何两个元件也可被视为彼此“可操作地连接”或“可操作地联接”以实现所期望的功能，并且能够如此关联的任何两个元件也可被视为彼此“可操作地联接”以实现所期望的功能。可操作联接的特定示例包括但不限于实体上可配对的和/或实体上交互的元件和/或可无线交互和/或无线交互的元件和/或逻辑上交互和/或逻辑上可交互的元件。
相对于本文中的复数和/或单数术语的使用，本领域中的技术人员可将复数转换成单数和/或将单数转换成复数，以适于背景和/或应用。为了清楚起见，本文中可明确地阐述各种单数/复数置换。
本领域的技术人员应理解：通常，本文中描述的尤其在随附权利要求书中的术语(例如，随附权利要求书的主体)通常旨在是“开放”术语(例如，术语“包括”应该被解释为“包括但不限于”，术语“具有”应该被解释为“具有至少”，术语“包含”应该被解释为“包含但不限于”等)。
本领域的技术人员将进一步理解，如果旨在有特定数量的引入的权利要求陈述，则将在权利要求中明确地陈述这种意图，并且在没有这种陈述的情况下，不存在这种意图。例如，为了辅助理解，以下的随附权利要求书可包含使用引入性短语“至少一个”和“一个或更多个”引入权利要求陈述。然而，这些短语的使用不应该被解释为暗指通过不定冠词“一”或“一个”引入权利要求陈述将包含这样引入的权利要求陈述的任何特定权利要求限于只包含一个这样的陈述的发明，即使当所述权利要求包括引入性短语“一个或更多个”或“至少一个”并且诸如“一”或“一个”这样的不定冠词时，例如，“一”和/或“一个”应该被解释为意指“至少一个”和“一个或更多个”，对于使用用于引入权利要求陈述的定冠词而言，同样如此。另外，即使明确陈述了具体数量的引入的权利要求陈述，本领域的技术人员也将认识到，此陈述应该通常被解释为意指至少所陈述的数量(例如，没有其他修饰的纯陈述“两个陈述物”通常意指至少两个陈述物或两个或更多个陈述物)。
此外，在使用类似于“A、B和C等中的至少一个”的约定的那些情形下，通常，这种构造旨在具有本领域的技术人员将理解惯例的含义(例如，“具有A、B和C中的至少一个的系统”将包括但不限于具有单单A、单单B、单单C、A和B一起、A和C一起、B和C一起和/或A、B和C一起等)。在使用类似于“A、B或C等中的至少一个”的惯例的那些情形下，通常，这种构造旨在具有本领域的技术人员将理解惯例的含义(例如，“具有A、B或C中的至少一个的系统”将包括但不限于具有单单A、单单B、单单C、A和B一起、A和C一起、B和C一起和/或A、B和C一起等)。本领域的技术人员将进一步理解，实际上，表示两个或更多个替代术语的任何连词词语和/或短语无论是在说明书、权利要求书还是附图中，都应该被理解为料想到包括术语中的一个、术语中的任一个或这两个术语的可能性。例如，短语“A或B”将被理解为包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。另外，除非另有说明，否则词语“大致”、“约”、“大约”、“基本上”等的使用意指正负百分之十。
已经为了例示和描述的目的提出了以上对例示性实施方式的描述。相对于所公开的精确形式，这并不旨在是穷尽的或限制性的，并且根据以上教导，修改形式和变化形式是可能的，或者可从所公开实施方式的实践获取。本发明的范围旨在由随附权利要求书及其等同物来限定。

Claims (20)

1.一种射频跨接器件，该射频跨接器件包括：
绝缘基板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
跨接导体，其设置在所述第一表面上，在所述第一表面的第一边缘和所述第一表面的第二边缘之间延伸；
凹陷，其形成在所述第二表面中并且相对于所述第二表面凹进；以及
导电涂层，其形成在所述第二表面的一部分以及所述凹陷上方，所述导电涂层通过所述绝缘基板与所述跨接导体绝缘。
2.根据权利要求1所述的射频跨接器件，其中，所述凹陷在所述绝缘基板的两个侧表面之间延伸。
3.根据权利要求2所述的射频跨接器件，其中，所述凹陷横向于所述跨接导体延伸。
4.根据权利要求1所述的射频跨接器件，所述射频跨接器件还包括：
第一过渡导体，其与所述跨接导体导电联接，被设置在所述绝缘基板的第一侧表面上；以及
第二过渡导体，其与所述跨接导体导电联接，被设置在所述绝缘基板的第二侧表面上。
5.根据权利要求4所述的射频跨接器件，其中，所述第一过渡导体在所述第一表面的所述第一边缘和所述第二表面的第一边缘之间延伸，并且其中，所述第二过渡导体在所述第一表面的所述第二边缘和所述第二表面的第二边缘之间延伸。
6.根据权利要求4所述的射频跨接器件，其中，所述绝缘基板的所述第一侧表面包括第一凹入区域，并且其中，所述第一过渡导体至少部分地设置在所述第一凹入区域上方。
7.根据权利要求4所述的射频跨接器件，所述射频跨接器件还包括：
第一跨接接触件，其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并与所述第一过渡导体联接；以及
第二跨接接触件，其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并与所述第二过渡导体联接。
8.根据权利要求7所述的射频跨接器件，其中，所述第一跨接接触件通过第一跨接隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开，并且其中，所述第二跨接接触件通过第二跨接隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开。
9.根据权利要求1所述的射频跨接器件，其中，所述跨接导体的至少一部分包括传输线。
10.根据权利要求9所述的射频跨接器件，其中，所述跨接导体包括设置在所述传输线与所述第一表面的所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个之间的至少一个阻抗匹配结构。
11.根据权利要求1所述的射频跨接器件，其中，所述跨接导体包括多个金属层，其中，所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。
12.根据权利要求11所述的射频跨接器件，其中，所述多个金属层包括铜、银、金、镍或钛钨合金中的至少两种的金属层。
13.根据权利要求1所述的射频跨接器件，其中，所述导电涂层包括多个金属层，其中，所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。
14.根据权利要求13所述的射频跨接器件，其中，所述多个金属层包括铜、银、金、镍或钛钨合金中的至少两种的金属层。
15.根据权利要求1所述的射频跨接器件，其中，所述绝缘基板包含陶瓷材料、玻璃、蓝宝石、石英或印刷电路板材料中的至少一种。
16.一种射频器件，该射频器件包括：
电路板，其具有第一表面和相对的第二表面；
第一射频导体，其设置在所述电路板的所述第一表面上，所述第一射频导体在第一方向上延伸；
第二射频导体，其设置在所述电路板的所述第一表面上，所述第二射频导体在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；
接地导体，其设置在所述电路板的所述第一表面上，所述接地导体与所述第一射频导体和所述第二射频导体电隔离；以及
设置在所述电路板上的根据权利要求1所述的射频跨接器件，
其中，所述绝缘基板的所述第二表面上方的所述导电涂层与所述接地平面接触，
其中，所述第一射频导体在所述绝缘基板的所述第二表面中的所述凹陷下方经过，并且
其中，所述第二射频导体与设置在所述绝缘基板的所述第一表面上的所述跨接导体电联接。
17.根据权利要求16所述的射频器件，其中，所述至少一个侧壁上的所述导电涂层与所述第一射频导体分开15密耳和25密耳之间的距离。
18.根据权利要求16所述的射频器件，其中，所述绝缘基板的所述第三表面上的所述导电涂层与设置在所述电路板的所述第一表面上的所述第一射频导体分开5密耳和15密耳之间的距离。
19.根据权利要求16所述的射频器件，其中，所述第一射频导体与所述跨接导体之间的隔离程度是在所述凹陷上方测得的所述跨接导体的宽度的递增函数。
20.根据权利要求16所述的射频器件，其中，所述跨接导体是第一跨接导体，所述射频器件还包括：
第二跨接导体，其与所述第一跨接导体相邻地设置在所述绝缘基板的所述第一表面上方，所述第二跨接导体在所述第一表面的所述第一边缘和所述第二边缘之间延伸。
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