CN113327771A - 一种片式导电聚合物电容器封装方法及电容器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种片式导电聚合物电容器封装方法及电容器，所述电容器包括片式导电聚合物电容器元件、基片、封装材料层；所述片式导电聚合物电容器元件设于所述基片上，包括阳极钽芯、阳极端子及阳极基电极，电介质层，阴极层及阴极基电极；所述阳极钽芯和所述阴极层之间通过所述电介质层相互隔离；所述阳极端子采用钽金属片或钽铌合金片制成，横截面为矩形或圆角矩形。本发明的封装方法可以实现封装厚度从0.3mm～10mm全覆盖的真空注塑封装结构或者喷涂封装结构，并能适用于大多数片式结构产品，具有广泛的适用性，且能实现高效率的阵列化封装，并确保产品的电性能和可靠性等。
Description
技术领域
本发明涉及片式导电聚合物电容器技术领域，尤其涉及一种片式导电聚合物电容器及其封装方法。
背景技术
传统片式电解电容器，是以产品组装到引线框架上，电容器元件的阴极与阴极引线框架通过导电银膏粘接，引出产品阴极；阳极通过电阻焊焊接引出；再以环氧树脂注射包封形成电容器。该方式需要预留一定长度的钽丝与阳极引线框架焊接，确保焊点区域与芯子肩部有足够的间隔，预防焊接区域与芯子形成短路，这样以来就限制了产品高度值设计。另外，产品塑封膜脱模角度的设计，也限制了产品高度值设计。再者，电容器的六个包封面的单侧树脂料厚度至少为0.3mm，树脂厚度极大地占用了产品本体(阳极芯块)空间，导致空间利用率很低，进一步限制了产品的长度、宽度、厚度三个方向的设定值。因此，传统片式固体电容器的封装结构设计，产品体积只能达到标准(EIA标准尺寸)体积的20-50％，导致产品在有限空间中装粉重量受限，不利于产品小型化、薄型化。
授权公告号为CN1198301C的中国专利，公开了一种底面贴装片式固体电容器，如图1所示，采取以基片贴装钽电容器元件引出阴极，阳极引出为钽丝或金属片通过镍、钯、金糊浆粘接钽丝金属片，该结构的产品体积可以达到产品标准 (EIA标准尺寸)体积的50-70％，产品在有限空间中装粉重量仍然受到较大的限制，还未达到产品空间的极致使用。
同时，即便是上述产品空间利用率有待优化的电容器产品，仍然存在产品可靠性和稳定性方面的极大风险，尤其是采用高效率的阵列化封装方法情况下，问题更为突出，亟需改进。
以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本申请的发明构思及技术方案，其并不必然属于本申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
发明内容
为克服前述现有技术产品空间利用率、可靠性和稳定性有待改善的缺陷，本发明提供一种片式导电聚合物电容器，包括片式导电聚合物电容器元件、基片、封装材料层；
所述片式导电聚合物电容器元件设于所述基片上，包括阳极钽芯、阳极端子及阳极基电极，电介质层，阴极层及阴极基电极；
所述阳极钽芯和所述阴极层之间通过所述电介质层相互隔离；
所述阳极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接；所述阴极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片另一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接；
所述阳极端子的横截面为矩形或圆角矩形，所述阳极端子与设于所述基片正面的所述阳极基电极以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出；
所述阴极层与设于所述基片正面的所述阴极基电极连接，所述基片正面的所述阴极基电极通过导电银胶层与所述基片连接，所述基片反面的所述阴极基电极作为阴极引出。
本发明的电容器还可采用如下可选/优选方案：
以电镀层形成阳极端电极和阴极端电极，所述阳极端电极的纵截面呈L型，同时位于所述电容器的一个端面和与该端面相邻的底面一端；所述阴极端电极的纵截面呈L型，同时位于所述电容器的另一个端面和与该端面相邻的底面一端；所述阳极端电极同时与所述阳极端子和所述阳极基电极连接，所述阴极端电极同时与所述阴极基电极和所述阴极层连接。
设于所述基片正反两面的所述阳极基电极之间以过孔连接，设于所述基片正反两面的所述阴极基电极之间以过孔连接。
所述基片上对应于设置所述片式导电聚合物电容器元件的部位设有凹槽结构。
所述凹槽结构的深度为5μm～100μm。
所述凹槽结构的槽口尺寸小于槽底的尺寸。
所述阳极端子的长度为10μm～100μm，所述基片的总厚度为5μm～1000μm。
所述电镀层的纵截面呈L型，L型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的一个端面上和与该端面相邻的底面上；所述阴极端电极的纵截面呈L型，L 型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的另一个端面上和与该端面相邻的底面上。
本发明还提供一种片式导电聚合物电容器的封装方法，包括如下步骤：
基片预处理：在基片上设置第一切割面标记和第二切割面标记；
将多个所述电容器元件阵列化布置于所述基片上，所述电容器元件包括阳极钽芯、阳极端子及阳极基电极，电介质层，阴极层及阴极基电极，所述阳极钽芯和所述阴极层之间通过所述电介质层相互隔离；所述阳极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接；所述阴极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片另一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接；所述阳极端子的横截面为矩形或圆角矩形；
阵列模块封装：可为真空封装或者喷涂封装；
端面切割：分别沿所述第一切割面标记和第二切割面标记进行切割，以形成阳极切割端面和阴极切割端面，所述阳极切割端面为矩形或圆角矩形；
电极处理：所述阳极端子与设于所述基片正面的所述阳极基电极以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出；所述阴极层与设于所述基片正面的所述阴极基电极连接，所述基片正面的所述阴极基电极通过导电银胶层与所述基片连接；
分离切割：切割得到单个颗粒的片式导电聚合物电容器。
本发明的封装方法还可采用如下可选/优选方案：
所述电极处理步骤中，对所述阳极切割面进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和金属沉积处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和真空镀膜处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗、真空溅射沉积金属处理。
所述基片是金属基片、合金基片、片式陶瓷基片、片式玻璃纤维基片或薄膜基片；当所述基片是片式陶瓷基片、片式玻璃纤维基片或薄膜基片时，所述基片中以印刷电路埋入金属或合金为基电极；当所述基片是金属基片时，所述金属片为钽、铌、铜、银、镍、锡、钯、金、钌或铝；当所述基片是合金基片时，所述合金基片为钽铌合金、镍铁合金、镍铁铜合金、铜合金中的至少一种。
所述基片是塑钢、特氟龙、聚氯乙烯、聚碳酸酯或聚氨酯片材，所述基片中以印刷电路埋入金属或合金为基电极。
有益效果包括：
实现产品的极致小型化或薄型化的同时，还可以实现高效率的阵列化封装，并且能够确保产品的电性能和可靠性等。本发明的封装方法可以实现封装厚度从 0.3mm～10mm全覆盖的真空注塑封装结构或者喷涂封装结构，并能适用于固体电容器元件、片式电感元件、片式磁芯元件、片式陶瓷元件、片式玻璃纤维元件或片式薄膜元件及基片等所有片式元件结构产品，为多产品共用平台结构，具有广泛的适用性。
此外，本发明通过在所述基片的正面设有多个加强粘接的凹槽结构，可有效增加导电银胶粘接面积及粘接强度，使得产品的小型化/薄型化和性能可靠性得以同时实现，且效果显著。
附图说明
图1是现有技术的片式导电聚合物电容器的结构剖视图。
图2是本发明一个实施例的片式导电聚合物电容器的结构剖视图。
图3是图2的A-A向剖视图。
图4是一个实施例的基片正面结构示意图，已部分布置电容器元件。
图5是图4实施例的基片背面结构示意图。
图6A、6B、6C和6D分别是图4实施例的基片正面的加强粘接的凹槽结构，可单独采用其中的一种，或同时采用两种以上。
图7是一个实施例的非金属承载板基片局部结构示意图，示出了阴极的正面和背面印刷电极结构。
图8是另一实施例的非金属承载板基片局部结构示意图，示出了阴极的正面和背面印刷电极结构。
图9是再一实施例的非金属承载板基片局部结构示意图，示出了阴极的正面印刷电极结构。
图10是基片上阵列化布置一部分电容器元件后的示意图。
图11是基片上阵列化布置电容器元件并封装后的示意图。
图12是沿第一切割面标记切合后的局部示意图。
图13是再沿第二切割面标记切合后的局部示意图。
1封装材料层 21阳极钽芯
22阳极端子 4基片
24阳极基电极 401槽状结构
23阴极层 402过孔
231聚合层+石墨层 5阴极端电极
232银浆层 7导电银胶层
25阴极基电极 8电容器元件
26电介质层 91第一端电极镀层
3阳极端电极 92第二端电极镀层
具体实施方式
下面结合具体实施方式并对照附图1-13对本发明做进一步详细说明。其中相同的附图标记表示相同的部件，除非另外特别说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本发明的范围及其应用。
相关技术术语说明/定义：
过孔，也称金属化孔。在双面板和多层板中，为连通各层之间的印制导线，在各层需要连通的导线的交汇处钻上一个公共孔，即过孔。
本申请发明人发现，电容器产品在小型化和/或薄型化的过程中，存在产品可靠性方面的矛盾和极大风险，原因是：电容器元件的结构和封装方式之间未做到恰当的协同配合，无论是采用焊接还是粘接阳极，都需要预留必要的操作空间及避免焊接短路的预留空间，并且因为各个部件都需要尽可能的小型化，使得本来厚度就在0.3mm一下的产品的产品的部件非常之细小，通常是以μm的级别，这就必然导致焊接或粘接的可靠性难以保证，从而影响到产品的电性能及可靠性等。此外，现有技术的产品结构存在端电极开路风险，特别是需要进行焊接或粘接的阳极端，已经成为产品可靠性和使用寿命的一大障碍。
实施例一
如图2和图3所示，是通过封装材料层1封装后的片式导电聚合物电容器的剖视结构示意图的主视图和A-A向侧视图，该电容器包括片式导电聚合物电容器元件、基片4及其绝缘层即电介质层26、阳极端电极3及与之连接的阳极基电极24、阴极端电极5及与之连接的阴极基电极25。
该电容器的端电极(阳极端电极3和/或阴极端电极5)和内电极(阳极基电极24和/或阴极基电极25)采用过孔连接，该电容器内的电容器元件包括：阳极钽芯21及其阳极端子22，阴极层23及阴极基电极25，所述阳极钽芯21和所述阴极层23之间通过电介质层26相互隔离。所述阴极层23包括聚合层+石墨层 231和银浆层232。所述阳极端子22采用钽金属片或钽铌合金片制成，为偏平状，横截面优选为矩形或圆角矩形，所述阳极端子22的长度a为10μm～100μm，所述切割面的长度方向沿所述电容器的宽度方向。
跟现有技术中截面呈圆形的钽丝相比，切割后的所述阳极端子22的切割面为矩形或圆角矩形的扁平状，如图2、图3所示，所述阳极端子22大大增加了与所述阳极基电极24的接触面积，解决了端电极开路风险(加工或使用过程中阳极端子22与阳极基电极24断开)，使得产品在进一步小型化和/或薄型化的时候，能够不影响产品的可靠性和使用寿命。
所述电容器元件设于用作导电承载基板的基片4的绝缘层上，所述基片4 的总厚度可为5μm～1000μm，优选为10μm～500μm，更进一步优选为总厚度为 50μm～100μm。
所述阳极基电极24包括两个部分，分别对应设于所述基片4一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接；所述阴极基电极25包括两个部分，分别对应设于所述基片4另一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接。该电容器的阳极端电极3和阴极端电极5分别设于电容器底部的两端，所述阳极端子22的横截面为矩形或圆角矩形，所述阳极端子22与设于所述基片4正面的所述阳极基电极24以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出。所述阴极层23与设于所述基片4正面的所述阴极基电极25连接，所述基片4正面的所述阴极基电极25通过导电银胶层7与所述基片4连接，所述基片4反面的所述阴极基电极 25作为阴极引出。
优选的，所述阳极端子22自所述阳极钽芯21的底部引出，且引出后所述阳极端子22的下底面跟设于所述基片4正面的所述阳极基电极24的上表面处于同一高度，该结构可方便实现所述阳极端子22与所述阴极基电极25之间可靠的粘接、焊接或电镀方式连接。
本实施例中，所述阴极基电极25一侧通过导电银胶层7与所述阴极层23 连接，另一侧与所述阴极端电极5连接。所述绝缘层是覆于所述基片4上表面的FR4或PP膜层，用于将所述阳极基电极24和所述阴极基电极25阻隔开，防止二者导通。
图2中，第一端电极镀层91镀设于所述阳极切割面上，所述第一端电极镀层91同时与所述阳极端子22和所述电容器的阳极端电极3连接。第二端电极镀层92镀设于所述阴极切割面上，所述第二端电极镀层92同时于所述阴极基电极 25和所述阴极端电极5连接。
该过孔通过预埋金属，可以在内部把基片的上、下电极导通，从而使得端电极电镀做与不做，都不影响产品电性能，或者说可以省去端电极的电镀工艺。此外，过孔处还可填充一些树脂以增强结合强度。
本实施例中，所述基片4的长度均等于或小于所述片式导电聚合物电容器元件的总长度，所述基片4可采用金属基片、合金基片、片式陶瓷基片、片式玻璃纤维基片或薄膜基片，当所述基片是片式陶瓷基片、片式玻璃纤维基片或薄膜基片时，所述基片中以印刷电路埋入金属或合金为基电极。当所述基片是金属基片时，所述金属片为钽、铌、铜、银、镍、锡、钯、金、钌或铝。当所述基片是合金基片时，所述合金基片为钽铌合金、镍铁合金、镍铁铜合金、铜合金中的至少一种。
此外，所述基片4还可采用塑钢、特氟龙、聚氯乙烯、聚碳酸酯或聚氨酯片材，此时，所述基片4中以印刷电路埋入金属或合金为基电极。
本实施例还优选采用如下结构设计中的至少一者：
所述基片上对于设置所述片式导电聚合物电容器元件的部位设有凹槽结构。
所述凹槽结构的深度为5μm～100μm。
所述凹槽结构的槽口尺寸小于槽底的尺寸。
所述阳极端子的长度为10μm～100μm。
所述基片的总厚度为5μm～1000μm。
设于所述基片一端的正反两面的所述阳极基电极之间采用电镀层连接时，所述电镀层的纵截面优选呈L型，L型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的一个端面上和与该端面相邻的底面上。设于所述基片另一端的正反两面的所述阴极基电极之间采用电镀层连接时，所述阴极基电极上的电镀层的纵截面优选呈 L型，L型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的另一个端面上和与该端面相邻的底面上。L型电镀层可以提高贴片时的爬锡率，提升贴片的可靠性。
实施例二
一种片式导电聚合物电容器的封装方法，包括基片预处理步骤、阵列化布置电容器元件步骤、阵列模块封装步骤、端面切割步骤、电极处理步骤和分离切割步骤，各个步骤分别具体说明如下：
如图4和图5所示，基片预处理步骤中，在基片上设置第一切割面标记和第二切割面标记，以便于后续步骤的准确切割。其中，所述第一切割面标记和第二切割面标记通常有多个，按照待封装产品的尺寸设定好具体位置，如图4和图5 中的虚线即为切割标记线，其中所述第一切割面标记和第二切割面标记自上而下一次交替排列。
此外，还优选在所述基片4的正面设有多个加强粘接的凹槽结构401，如图 6A、图6B、图6C和图6D所示，所述凹槽结构401可采用的结构形式举例(但并不局限于此)，分别是两个长条形凹槽、多个圆形凹槽、一个S形凹槽和两个不规则弯曲形凹槽。图6A、图6B、图6C和图6D所示结构既可单独采用，也可进行组合使用，数量上也可根据具体的产品大小进行增减变化。该凹槽结构 401可以大大增加增加导电银胶粘接面积，从而提高粘接强度。
进一步优选的做法是，所述加强粘接的凹槽结构401的槽口尺寸小于槽底的尺寸，和/或所述凹槽结构401的槽底和/或槽侧壁是粗糙面。
当所述基片4的总厚度为10μm～500μm时，所述加强粘接的凹槽结构401 的深度为5μm～100μm。当所述基片4的总厚度为50μm～100μm时，所述加强粘接的凹槽结构401的深度为10μm～80μm。
如图7所示，是非金属基片(承载板基板)的正面和背面印刷电极结构，其中，阴极基电极25采用过孔402与所述阴极端电极5进行连接。
如图8所示，是非金属基片(承载板基板)阴极的正面和背面印刷电极结构，采用过孔402进行阴极基电极25和阴极端电极5的连接。
如图9所示，是是非金属基片(承载板基板)阴极的正面印刷电极结构，采用镀膜方式进行阴极基电极25和阴极端电极5的连接。
阵列化布置电容器元件步骤：将多个所述电容器元件8阵列化布置于所述基片4上。如图10所示，是阵列化布置部分电容器元件8(未全部布置完成)时的状态示意图，图中可见多个所述电容器元件8按行列分布于相邻的所述第一切割面标记之间，同时分布于相邻的所述第二切割面标记之间，该图中显示各行中所述电容器元件8均为同向布置，但并不局限于此，也可采用面对面或背靠背的布置方式。所述电容器元件8包括阳极钽芯21及其阳极端子22，阳极基电极24，阴极层23及阴极基电极25，所述阳极钽芯21和所述阴极层23之间通过电介质层26相互隔离。所述阳极基电极24包括两个部分，分别对应设于所述基片4 一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接；所述阴极基电极25包括两个部分，分别对应设于所述基片4另一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接。所述阳极端子22采用钽金属片或钽铌合金片制成，呈扁平状，横截面为矩形或圆角矩形。
阵列模块封装步骤：可为真空封装或者喷涂封装。如图11所示，是通过所述封装材料层1封装后的片式导电聚合物电容器阵列模块。所述封装材料层1 可采用合成树脂材料、高分子材料，所述合成树脂材料可选择环氧树脂、酚醛树脂、硅橡胶、BCB、BT树脂等中的任一种。所述高分子材料可选择聚亚酰胺、聚四氟乙烯、聚丙烯等材料中的任一种。
端面切割步骤：分别沿所述第一切割面标记和第二切割面标记进行切割，以形成阳极切割端面和阴极切割端面，从而露出电容器的阳极基电极，如由钽金属片或钽铌合金片制成的所述阳极端子，以及露出电容器的阴极基电极。切割的方式可以是刀片切割、激光切割、划切切割或者激光水刀切割等，如图12所示，是沿所述第一切割面标记切割后的示意图，包括切割后的废料和含有片式导电聚合物电容器的条状阵列模块。
电极处理：所述阳极端子22与设于所述基片4正面的所述阳极基电极24 以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出；所述阴极层23与设于所述基片4正面的所述阴极基电25极连接，所述基片4正面的所述阴极基电极25通过导电银胶层7与所述基片4连接，所述基片4反面的所述阴极基电极25作为阴极引出。
还可选择的做法是：所述电极处理步骤中，对所述阳极切割面进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和金属沉积处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和真空镀膜处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗、真空溅射沉积金属处理。
分离切割：将所述条状阵列模块切割得到单个颗粒的片式导电聚合物电容器。如图13所示，是分离切割后的示意图，包括切割后的废料和单个颗粒的片式导电聚合物电容器成品。单个颗粒的片式导电聚合物电容器成品包括片式导电聚合物电容器元件8、基片4及其绝缘层、阳极端电极3及与之连接的阳极基电极24、阴极端电极5及与之连接的阴极基电极25。该片式导电聚合物电容器的阳极端电极3和阴极端电极5分别位于电容器底部的两端。
本发明产品的封装结构及方法有利于实现片式(包括超薄片式和普通片式) 导电聚合物电容器的小型化、薄型化，且产品的电性能及可靠性都可以得到大幅度提升。举例来说，就性能为16V/33μF这样一个电容器产品或其他片式元件产品，传统结构及封装方法得到的产品尺寸(单位mm)为长×宽×高＝3.5×2.8×1.9，本发明可实现产品的尺寸(单位mm)为长×宽×高＝3.5×2.8×1.0，这是产品薄型化。本发明还可实现产品的尺寸(单位mm)为长×宽×高＝3.2×1.6×1.6，这是产品的小型化。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种片式导电聚合物电容器，其特征在于，包括片式导电聚合物电容器元件、基片、封装材料层；
所述片式导电聚合物电容器元件设于所述基片上，包括阳极钽芯、阳极端子及阳极基电极，电介质层，阴极层及阴极基电极；
所述阳极钽芯和所述阴极层之间通过所述电介质层相互隔离；
所述阳极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接；所述阴极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片另一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接；
所述阳极端子的横截面为矩形或圆角矩形，所述阳极端子与设于所述基片正面的所述阳极基电极以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出；
所述阴极层与设于所述基片正面的所述阴极基电极连接，所述基片正面的所述阴极基电极通过导电银胶层与所述基片连接，所述基片反面的所述阴极基电极作为阴极引出。
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述基片上对应于设置所述片式导电聚合物电容器元件的部位设有凹槽结构。
3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述凹槽结构的深度为5μm～100μm。
4.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述凹槽结构的槽口尺寸小于槽底的尺寸。
5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述阳极端子的长度为10μm～100μm，所述基片的总厚度为5μm～1000μm。
6.如权利要求1～5任一项所述的电容器，其特征在于，所述电镀层的纵截面呈L型，L型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的一个端面上和与该端面相邻的底面上；所述阴极端电极的纵截面呈L型，L型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的另一个端面上和与该端面相邻的底面上。
7.一种片式导电聚合物电容器的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
基片预处理：在基片上设置第一切割面标记和第二切割面标记；
阵列化布置电容器元件：将多个所述电容器元件阵列化布置于所述基片上，所述电容器元件包括阳极钽芯、阳极端子及阳极基电极，电介质层，阴极层及阴极基电极，所述阳极钽芯和所述阴极层之间通过所述电介质层相互隔离；所述阳极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接；所述阴极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片另一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接；所述阳极端子的横截面为矩形或圆角矩形；
阵列模块封装：可为真空封装或者喷涂封装；
端面切割：分别沿所述第一切割面标记和第二切割面标记进行切割，以形成阳极切割端面和阴极切割端面，所述阳极切割端面为矩形或圆角矩形；
电极处理：所述阳极端子与设于所述基片正面的所述阳极基电极以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出；所述阴极层与设于所述基片正面的所述阴极基电极连接，所述基片正面的所述阴极基电极通过导电银胶层与所述基片连接；
分离切割：切割得到单个颗粒的片式导电聚合物电容器。
8.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述电极处理步骤中，对所述阳极切割面进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和金属沉积处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和真空镀膜处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗、真空溅射沉积金属处理。
9.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述基片预处理步骤中，还包括在所述基片上开设至少一个加强粘接的凹槽结构。
10.如权利要求7～9任一项所述的片式导电聚合物电容器的封装方法，其特征在于，所述基片是金属基片、合金基片、片式陶瓷基片、片式玻璃纤维基片或薄膜基片；
当所述基片是片式陶瓷基片、片式玻璃纤维基片或薄膜基片时，所述基片中以印刷电路埋入金属或合金为基电极；
当所述基片是金属基片时，所述金属片为钽、铌、铜、银、镍、锡、钯、金、钌或铝；
当所述基片是合金基片时，所述合金基片为钽铌合金、镍铁合金、镍铁铜合金、铜合金中的至少一种。
11.如权利要求7～9任一项所述的片式导电聚合物电容器的封装方法，其特征在于，所述基片是塑钢、特氟龙、聚氯乙烯、聚碳酸酯或聚氨酯片材，所述基片中以印刷电路埋入金属或合金为基电极。
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