CN113319385B - 三维微电极加工方法及三维微电极 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种三维微电极加工方法及三维微电极，该三维微电极加工方法包括：获得多层薄片微结构，确定加工端；选取中间多层薄片微结构；在靠近加工端的位置朝向或者背向加工端的方向加工出多条通槽，多条通槽与加工端之间的距离依次增大或者依次减小；形成三维微电极；在三维微电极切割成两段，使得通槽与外界连通。通过上述方法加工出具有本体和多个通槽的三维微电极，通过该三维微电极加工工件时，随着加工深度的逐渐加深，三维微电极沿着通槽的方向逐渐磨损，使得通槽依次与加工区域连通，进而使得其内部的加工介质能够喷射在加工区域内，帮助冲刷加工区域内部的电蚀产物，以使得加工区域的电蚀产物能够被快速清理。
Description
技术领域
本发明涉及微细电火花加工技术领域，尤其涉及一种三维微电极加工方法及三维微电极。
背景技术
在微细电火花加工中，三维微电极和工件之间通过火花放电将工件材料蚀除掉，从而形成三维微结构。在上述过程中，随着加工深度的增加，三维微电极和工件之间加工介质的更新越来越困难，进而使得电蚀产物的排出也越来越困难，从而对微细电火花加工的稳定性和效率造成不利影响。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提出了一种保证加工效率的三维微电极加工方法及三维微电极。
一方面，本发明实施例提供一种三维微电极加工方法，所述方法包括：
获得多层形状大小一致的薄片微结构，将多层所述薄片微结构完全叠合，确定所述薄片微结构的加工端，另一端夹紧固定；
在叠合设置的所述薄片微结构的中间层选取多层叠合的所述薄片微结构；
在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置朝向或者背向所述加工端的方向加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽，多条所述通槽与所述加工端之间的距离依次增大或者依次减小；
将多层所述薄片微结构叠合压紧，且连接成一体，形成三维微电极；
在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽远离所述加工端的一端与外界连通。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述获得多层形状大小一致的薄片微结构包括：
通过三维设计软件对三维微电极进行建模，保存建模数据；
通过所述三维设计软件将建模成功的所述三维微电极进行切片处理，形成多层所述薄片微结构，保存切片数据；
将数据录入切割机的切割系统，形成加工程序，选取材料固定在切割机上，所述切割机根据程序对材料进行加工，以形成多层所述薄片微结构。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述通过三维设计软件将建模成功的所述三维微电极进行切片处理，形成多层所述薄片微结构，保存切片数据包括：
在所述三维设计软件内将所述三维微电极沿其厚度方向切割出多层厚度小于等于1mm的所述薄片微结构。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述在叠合设置的所述薄片微结构的中间层选取多层叠合的所述薄片微结构之后还包括：将位于所选取的多层所述薄片微结构的两侧的所述薄片微结构远离所选取的多层所述薄片微结构弯曲设置且固定，以露出所选取的多层所述薄片微结构。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽包括：
在切割系统中设定需要切割的所述通槽的条数以及所述通槽的长度；
切割机根据所述切割系统的指示在所述薄片微结构上切割多条长度依次增加或者减小的所述通槽，且使得多条所述通槽远离所述加工端的一端平齐。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽还可以包括：
在切割系统中设定需要切割的所述通槽的条数以及所述通槽的长度；
切割机根据所述切割系统的指示在所述薄片微结构上切割多条长度依次增加或者减小的所述通槽，且使得多条所述通槽远离所述加工端的一端平齐；
在所述薄片微结构上多条所述通槽平齐的位置切割出一条将多条所述通槽连通在一起的连接槽；
在所述薄片微结构上于所述连接槽背向所述通槽的位置切割出与所述连接槽连通的合槽。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽与外界连通包括：在所述三维微电极上位于多条所述通槽平齐的位置处将所述三维微电极切割成两段，以使得多条所述通槽均与外界连通。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽与外界连通包括：在所述三维微电极上位于所述合槽位置处将所述三维微电极切割成两段，以使得所述合槽与外界连通。
在三维微电极加工方法的一些实施例中，所述将多层所述薄片微结构叠合压紧，且连接成一体，形成三维微电极包括：
将多层所述薄片微结构完全叠合，利用固定夹具将叠合的多层所述薄片微结构夹紧；
将叠合夹紧的所述薄片微结构放置在真空炉中进行压力焊，使得多层所述薄片微结构之间固定连接，以形成所述三维微电极。
另一方面，本发明还提供一种利用上述所述的三维微电极加工方法制成的三维微电极，包括：
本体，具有加工端；
多条通槽，并排开设在所述本体内，多条所述通槽靠近所述加工端的一端与所述加工端之间具有一定距离，多条所述通槽远离所述加工端的一端与外界连通。
采用本发明实施例，具有如下有益效果：
依据以上实施例中的三维微电极加工方法以及利用该三维微电极加工方法制成的三维微电极，三维微电极内部具有多个通槽，多个通槽距离加工端的距离逐渐增加或者逐渐减小，通槽远离加工端的一端与外界连通。通过该三维微电极加工工件时，加工端首先与工件接触，通过与工件之间产生电火花进行加工工件，通槽内部喷射加工介质，随着加工深度的逐渐加深，三维微电极沿着通槽的方向逐渐磨损，使得通槽依次与加工区域连通，进而使得其内部的加工介质能够喷射在加工区域内，帮助冲刷加工区域内部的电蚀产物，以使得加工区域的电蚀产物能够被快速清理。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
其中：
图1示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工方法的流程图；
图2示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工方法中加工薄片微结构的制程示意图；
图3示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工方法中的一种加工通槽和形成三维微电极的制程示意图；
图4示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工方法中的另一种加工通槽和形成三维微电极的制程示意图；
图5示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工方法中的切割所需的三维微电极的制程示意图；
图6示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极的剖视图；
图7示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工工件时的第一种加工状态示意图；
图8示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工工件时的第二种加工状态示意图；
图9示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工工件时的第三种加工状态示意图；
图10示出了根据本发明实施例提供的一种三维微电极加工工件时的第四种加工状态示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以容许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及 /或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明实施例提供一种三维微电极加工方法，通过该方法制成的三维微电极应用在微细电火花加工中，在进行微细电火花加工时，能够有效排出电火花加工产生的电蚀产物，保证电火花加工的效率。
本发明实施例中，三维微电极加工方法包括一下步骤：
S10、获得多层形状大小一致的薄片微结构，将多层薄片微结构完全叠合，确定薄片微结构的加工端，另一端夹紧固定；
S20、在叠合设置的薄片微结构的中间层选取多层叠合的薄片微结构；
S30、在靠近多层叠合的薄片微结构的加工端的位置朝向或者背向加工端的方向加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽，多条通槽与薄片微结构的加工端之间的距离依次增加或者依次减小；
S40、将多层薄片微结构叠合压紧，且连接成一体，形成三维微电极；
S50、在三维微电极远离加工端的位置处将其切割成两段，且使得通槽远离加工端的一端与外界连通。
微细电火花加工时，三维微电极与工件之间会产生电蚀产物，通常会利用喷口在三维微电极与工件之间喷射加工介质，以将两者之间的电蚀产物冲走，进而保证良好的加工环境。但是随着三维微电极在工件上的加工深度逐渐加深，喷口喷射的加工介质在到达三维微电极与工件之间的加工区域时压力会明显降低，进而对冲刷电蚀产物的能力降低，需要花费较长的时间对电蚀产物进行清理，影响加工的效率和稳定性。
需要说明的是，获取多层薄片微结构后，将这些薄片微结构进行叠合处理，然后确定加工端，该加工端既是后续制成三维微电极后，三维微电极与工件之间加工的端部，也是用于形成通槽的端部。由步骤S40和步骤S50可知，这些薄片微结构后续会连接成一体，以形成三维微电极，但是实际可能只需要部分三维微电极即可完成加工，因此还需要进行一次切割，将整个三维微电极切割为两段，以获得可以加工工件的三维微电极，加工端位于三维微电极上。薄片微结构的长度方向上的两端都可以作为加工端，任意选取其中一端作为加工端即可，另外一端需要固定住，通常通过两个夹板将其夹紧固定。
通过在三维微电极的内部设置多条通槽，通槽远离三维微电极的加工端的一端与外界连通，因此，能够利用喷口在通槽中喷射加工介质。多条通槽距离加工端的距离依次增加或者依次减小，当三维微电极加工工至一定深度时，随着三维微电极的加工端的磨损，距离加工端最近的一个通槽与加工区域连通。喷口喷射在此通槽中的加工介质从通槽中进入加工区域，进而对加工区域中的电蚀产物进行冲刷。每当三维微电极加工至一定深度时，就会有相应的通槽与加工区域连通，进而通槽内部的加工介质进入加工区域帮助冲刷电蚀产物，因此，在三维微电极加工工件时，随着加工深度的增加，也能保证电蚀产物的排出效率。
需要说明的是，本发明实施例中说到的薄片微结构是由铜板、钨板、石墨板、镍板、钼板或钢板材料制成的薄片结构，通常情况下，该薄片结构为矩形。
在一种实施例中，获得多层形状大小一致的薄片微结构的步骤包括：
S11、通过三维设计软件对三维微电极进行建模，保存建模数据；
S12、通过三维设计软件将建模成功的三维微电极进行切片处理，形成多层薄片微结构，保存切片数据；
S13、将数据录入切割机的切割系统，形成加工程序，选取材料固定在切割机上，切割机根据程序对材料进行加工，以形成多层薄片微结构。
请参照图2，在开始制造薄片微结构11之前需先在三维设计软件中根据材料、尺寸以及形状等要求进行模拟制造。具体地，首先在三维设计软件上对模拟材料块进行建模，形成三维微电极1的整体结构，一般呈长方体状，然后通过三维设计软件对三维微电极1进行切割，形成多层所需的薄片微结构11切。割时也是按照实际加工时的要求进行切割，比如说切割方向、切割厚度等。
上述建模和切割时都会产生相应的数据，对数据进行保存，然后将该数据录入切割机系统中，依据数据在切割系统中形成具体的切割程序。最后就可以选取所需的材料块固定在切割机上，按照切割系统中的切割程序对所选材料块进行加工切割成多层薄片微结构11。
需要说明的是，在步骤S12中，切割出的薄片微结构11的厚度小于等于1mm，切割方向是沿着三维微电极1的厚度方向切割。
通过三维设计软件先将获取到薄片微结构11的过程进行演示，能够降低实际加工中的误差和错误，进而增加良品率。
在一种实施例中，请参照图3和图4，在步骤S20之后还包括：将位于所选取的多层薄片微结构11的两侧的薄片微结构11朝向远离所选取的多层薄片微结构11的方向弯曲设置，以露出所选取的多层薄片微结构11。将弯曲后的薄片微结构11固定保持弯曲的状态，然后对露出的中间的多层薄片微结构11进行切槽处理，以形成通槽111。
在一种实施例中，步骤S30包括：
S31、在切割系统中设定需要切割的通槽的条数以及通槽的长度；
S32、切割机根据切割系统的指示在薄片微结构上切割多条长度依次增加或者减小的通槽，且使得多条通槽远离加工端的一端平齐。
前文中说到，随着三维微电极在工件上的加工深度逐渐加深，位于三维微电极内部的通槽也会依次与加工区域连通，然后其中的加工介质会喷射冲刷加工区域。对于通槽的数量和长度，根据需要加工的深度以及加工区域的面积进行确定，比如说加工区域的面积大且加工深度较深时，通槽的长度需要长于加工深度，通槽的数量需要设置的稍微多一点，以保证冲刷电蚀产物的效率。
切割机一般通过激光切割、线切割或者高能离子束切割等切割方式在薄片微结构上切割出通槽，加工端位于薄片微结构的长度方向上，通槽的长度方向与薄片微电极的长度方向平行。需要注意的是，薄片微电极的长度方向也是加工工件时材料耗损的方向。
需要说明的是，请参照图3，在开设通槽111时，可以从薄片微结构11的靠近加工端12的位置为起点进行开设，或者是从薄片微结构11的远离加工端12 的位置为起点进行开设，本发明实施例以从薄片微结构11的靠近加工端12的位置为起点进行开设通槽111为例进行说明。切割机从靠近加工端12的一端朝向背向加工端12的方向在薄片微结构11上开设多条间隔设置的通槽111，多条通槽111之间平行，多条通槽111的开设重点平齐设置。多条通槽111按照长度依次增加合作和依次减小的顺序排列在薄片微结构11上。
在另一种实施例中，请参照图4，在步骤S32之后还包括：
S33、在薄片微结构上多条通槽平齐的位置切割出一条将多条通槽连通在一起的连接槽；
S34、在薄片微结构上于连接槽背向通槽的位置切割出与连接槽连通的合槽。
通过开设连接槽112，能够将多条通槽111远离加工端12的一端连通起来，再通过设置合槽113，合槽113与连接槽112连通，使得多条通槽111能够连通汇聚在合槽113处。
在一种实施例中，步骤S50包括：在三维微电极上位于多条通槽平齐的位置处将三维微电极切割成两段，以使得多条通槽均与外界连通。
在将多层薄片微结构连接为一体，形成三维微电极后，还需要进行最后的切割步骤，将所需要的三维微电极进行切割，三维微电极形成后，并不是所有的都需要用到，可能只需要用到一小段，因此需要将需要用到的一小段切割掉。需要说明的是，加工介质需要从通槽的远离加工端的一端射入，因此在切割三维微电极时，至少需要从多条通槽平齐的位置进行切割，或者从再靠近加工端的位置进行切割，以保证切割后的通槽能够与外界连通。
在另一种实施例中，步骤S50包括：在三维微电极上位于合槽位置处将三维微电极切割成两段，以使得合槽与外界连通。
上述讲到通槽的两种加工形式，其中之一是多条通槽通过连接槽互相连通，然后再通过合槽汇聚在一处，此时在切割三维微电极时，可以按照上述在多条通槽的平齐位置进行切割，使得多条通槽均与外界连通。还可以在合槽的位置进行切割，切割后合槽与外界连通，此时只需要在合槽中喷射加工介质，加工介质通过连接槽能够分流至每一个通槽中，这样就可以节约加工介质，但是加工介质通过通槽射入加工区域的冲击力比分别对通槽进行喷射加工介质的冲击力小。
在一种实施例中，步骤S40包括：
S41、将多层薄片微结构完全叠合，利用固定夹具将叠合的多层薄片微结构夹紧；
S42、将叠合夹紧的薄片微结构放置在真空炉中进行压力焊，使得多层薄片微结构之间固定连接，以形成三维微电极。
为了便于更加清楚地理解本发明实施例中的加工方法，在此举出一种具体的实施例来进行进一步的说明。
请参考图1，该加工方法包括：
S100、加工薄片微结构：请参照图2，首先通过三维设计软件进行模拟加工，比如，先建立三维微电极1的模型，然后在软件内对三维微电极1的模型进行切割，以形成多层薄片微结构11，用作后续加工所需。通过三维设计软件模拟加工后，将加工过程中的数据进行保存，然后输入至切割机的切割系统内，以便依据数据生成切割程序。选定加工材料，通过切割机按照切割程序对材料进行加工，已形成薄片微结构11；
S200、选取中间多层薄片微结构：请参照图4，将多层薄片微结构11叠合在一起，首先确定一下加工端12，然后将其另外一端通过夹板进行固定，选取位于中间层的多层薄片微结构11，然后将其两侧的薄片微结构11弯曲设置，以露出被选取的薄片微结构11；
S300、加工通槽：请参照图4，切割机在被选取的薄片微结构11上靠近加工端12的一端加工多条间隔设置的通槽111，多条通槽111平行设置，沿着多条通槽111排布的方向，通槽111与加工端12之间的距离逐渐增加。多个通槽111 远离加工端12的一端平齐设置，且薄片微结构11上位于通槽111平齐的位置处开设连接槽112，连接槽112与所有的通槽111连通，进而使得每个通槽111之间互相连通，薄片微结构11上于连接槽112背向通槽111的位置还开设合槽113，合槽113与连接槽112连通，进而使得多个通槽111能够汇聚在合槽113处；
S400、形成三维微电极：请参照图4，待通槽111加工完毕后，将薄片微结构11重新叠合，然后利用夹板将叠合的薄片微结构11进行固定夹紧，然后将叠合夹紧的薄片微结构11放入真空炉中进行压力焊，将叠合的多层薄片微结构11 焊接成一体，进而形成三维微电极1。
S500、切割所需的三维微电极：请参照图5，在三维微电极1上对应合槽113 的位置进行切割处理，进而将所需要的三维微电极1切割下来，此时，合槽113 与外界连通，朝向合槽113内喷射加工介质，能够使得加工介质填满各个通槽111。
本发明实施例还提供一种利用上述的三维微电极1加工方法制成的三维微电极1，请参照图6至图10，其中，图8至图10中的虚线箭头指示出加工介质的流向。该三维微电极1包括本体10和开设于本体10中的通槽111。其中本体10 具有加工端12，加工工件2时首先从加工端12开始进行加工。多条通槽111并排开设在本体10内，多条通槽111靠近加工端12的一端与加工端12之间具有一定距离，该距离沿着多条通槽111排布的方向逐渐增加，或者是逐渐减小。多条通槽111远离加工端12的一端与外界连通，需要说明的是，多条通槽111与外界连通的方式可以有两种，一种是多条通槽111直接与外界连通，此时，需要在每个通槽111内部喷射加工介质。
另外一种是，在三维微电极1中位于多条通槽111的远离加工端12的一端开设连接槽112，所有的通槽111远离加工端12的一端均通入连接槽112内，在三维微电极1中连接槽112背向通槽111的一端开设合槽113，合槽113的一端与连接槽112连通，另外一端与外界连通。此时只需要在合槽113中喷射加工介质即可。
在一种具体的实施例中，以需要在每个通槽111中喷射加工介质为例对三维微电极1加工工件2进行说明。初始时，加工端12与工件2的待加工区域进行加工，此时加工的深度较浅，因此可以通过在三维微电极1与工件2之间的间隙中喷射加工介质，将加工产生的电蚀产物快速的冲出加工区域；
当加工深度增加一定深度后，从三维微电极1与工件2之间的间隙中喷射的加工介质的冲击力明显降低，进而对于冲刷电蚀产物的能够下降，需要花费较长的时间冲刷电蚀产物。本发明实施例提供的三维微电极1中开设有通槽111，在三维微电极1加工工件2至一定的深度后，距离加工端12最近的一条通槽111 会与加工区域连通，其内部喷射的加工介质会冲刷加工区域，进而保证去除电蚀产物的效率，也保证加工工件2的效率。
当加工深度进一步增加时，与加工区域连通的通槽111内部喷射的加工介质冲刷电蚀产物的冲击力也会降低，进而使得加工效率再次降低。但是，此时本发明实施例提供的三维微电极1中距离加工端12第二近的一条通槽111会与加工区域连通，其内部的加工介质会喷射在加工区域内，帮助冲刷电蚀产物，进而增加冲刷电蚀产物的效率，保证加工效率。如此类推，当加工至不同深度时，都会有对应的通槽111与加工区域连通，然后其中喷射有加工介质，帮助冲刷电蚀产物，保证整个加工工件2过程中的加工效率。需要说明的是，加工介质可以为水、气体或者油。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种三维微电极加工方法，其特征在于，包括：
获得多层形状大小一致的薄片微结构，将多层所述薄片微结构完全叠合，确定所述薄片微结构的加工端，另一端夹紧固定；
在叠合设置的所述薄片微结构的中间层选取多层叠合的所述薄片微结构；
在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置朝向或者背向所述加工端的方向加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽，多条所述通槽与所述加工端之间的距离依次增大或者依次减小；
将多层所述薄片微结构叠合压紧，且连接成一体，形成三维微电极；
在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽远离所述加工端的一端与外界连通。
2.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述获得多层形状大小一致的薄片微结构包括：
通过三维设计软件对三维微电极进行建模，保存建模数据；
通过所述三维设计软件将建模成功的所述三维微电极进行切片处理，形成多层所述薄片微结构，保存切片数据；
将数据录入切割机的切割系统，形成加工程序，选取材料固定在切割机上，所述切割机根据程序对材料进行加工，以形成多层所述薄片微结构。
3.根据权利要求2所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述通过三维设计软件将建模成功的所述三维微电极进行切片处理，形成多层所述薄片微结构，保存切片数据包括：
在所述三维设计软件内将所述三维微电极沿其厚度方向切割出多层厚度小于等于1mm的所述薄片微结构。
4.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在叠合设置的所述薄片微结构的中间层选取多层叠合的所述薄片微结构之后还包括：将位于所选取的多层所述薄片微结构的两侧的所述薄片微结构远离所选取的多层所述薄片微结构弯曲设置且固定，以露出所选取的多层所述薄片微结构。
5.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽包括：
在切割系统中设定需要切割的所述通槽的条数以及所述通槽的长度；
切割机根据所述切割系统的指示在所述薄片微结构上切割多条长度依次增加或者减小的所述通槽，且使得多条所述通槽远离所述加工端的一端平齐。
6.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在靠近多层叠合的所述薄片微结构的所述加工端的位置加工出多条具有一定长度且贯穿设置的通槽还可以包括：
在切割系统中设定需要切割的所述通槽的条数以及所述通槽的长度；
切割机根据所述切割系统的指示在所述薄片微结构上切割多条长度依次增加或者减小的所述通槽，且使得多条所述通槽远离所述加工端的一端平齐；
在所述薄片微结构上多条所述通槽平齐的位置切割出一条将多条所述通槽连通在一起的连接槽；
在所述薄片微结构上于所述连接槽背向所述通槽的位置切割出与所述连接槽连通的合槽。
7.根据权利要求5和6任一项所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽与外界连通包括：在所述三维微电极上位于多条所述通槽平齐的位置处将所述三维微电极切割成两段，以使得多条所述通槽均与外界连通。
8.根据权利要求6所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述在三维微电极远离所述加工端的位置处将其切割成两段，且使得所述通槽与外界连通包括：在所述三维微电极上位于所述合槽位置处将所述三维微电极切割成两段，以使得所述合槽与外界连通。
9.根据权利要求1所述的三维微电极加工方法，其特征在于，所述将多层所述薄片微结构叠合压紧，且连接成一体，形成三维微电极包括：
将多层所述薄片微结构完全叠合，利用固定夹具将叠合的多层所述薄片微结构夹紧；
将叠合夹紧的所述薄片微结构放置在真空炉中进行压力焊，使得多层所述薄片微结构之间固定连接，以形成所述三维微电极。
10.一种利用权利要求1至9任一项所述的三维微电极加工方法制成的三维微电极，其特征在于，包括：
本体，具有加工端；
多条通槽，并排开设在所述本体内，多条所述通槽靠近所述加工端的一端与所述加工端之间具有一定距离，多条所述通槽远离所述加工端的一端与外界连通。
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