CN113314678A - 量子点发光器件、其制作方法及显示装置 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 219
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims abstract description 53
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 12
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 10
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- OSVXSBDYLRYLIG-UHFFFAOYSA-N chlorine dioxide Inorganic materials O=Cl=O OSVXSBDYLRYLIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- -1 hydroxyl Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940035422 diphenylamine Drugs 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical class [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical group CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
本申请实施例提供了一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置。该量子点发光器件包括衬底以及在远离衬底的方向上依次排列的第一电极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极层；电子传输层的材料为金属氧化物；量子点发光层包括量子点和连接在量子点表面的吸电配体，吸电配体包括位于量子点远离电子传输层一侧的吸电子基团；空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，吸电子基团和给电子基团相互作用形成偶极子。本实施例利用这些形成的偶极子减小量子点发光层和空穴传输层之间的势垒，能够有效平衡电子迁移率和空穴迁移率，抑制俄歇复合，有效提升量子点发光器件的发光效率和寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置。
背景技术
量子点因其发光峰位可以横跨深蓝至近红外波段区域，发光半高宽较窄的特点，而应用到具有广色域的高品质显示器件中。对于量子点电致发光器件而言，由于电子传输层通常采用的金属氧化物，具有较大的电子迁移率且与量子点之间的注入势垒较小；而空穴传输层则通常采用有机物空穴迁移率相对较低且与量子点之间的注入势垒较大。
以上因素使得在量子点电致发光器件中，电子传输速度比空穴传输速度快得多，导致量子点带负电，产生俄歇复合，限制了QLED器件的效率和寿命。
发明内容
本申请提供一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置，能够在不降低电子传输能力的前提下，提高空穴的传输能力，有助于改善平衡空穴与电子传输能力，抑制俄歇复合，提升QLED器件的效率和寿命。
第一个方面，本申请实施例提供了一种量子点发光器件，包括依次排列的第一电极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极层；
所述电子传输层的材料为金属氧化物；
所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体，所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团；
所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子。
可选地，所述电子传输层的材料包括ZnO或ZnMgO。
可选地，所述吸电子基团包括-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中的至少一种。
可选地，所述给电子基团包括二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种。
可选地，所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银。
第二个方面，本申请实施例提供了一种量子点显示装置，包括衬底基板和多个阵列排布的上述的量子点发光器件。
第三个方面，本申请实施例提供了一种量子点发光器件的制作方法，包括：
在衬底上依次形成第一电极层和电子传输层；
在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层，所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体，所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团；
在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧形成空穴传输层，所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子；
在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧依次形成空穴注入层和第二电极层。
可选地，在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层，包括：
利用表面连接有原始配体的量子点材料在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成原始量子点层；
利用含有吸电子基团的冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面，以使所述吸电子基团取代所述原始配体而形成所述量子点发光层。
可选地，利用表面连接有原始配体的量子点材料在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成原始量子点层，包括：
将表面连接有原始配体的量子点材料配制为量子点溶液；
将所述量子点溶液通过喷墨打印、刮涂或旋涂的方式沉积在所述电子传输层远离所述衬底的一侧，并进行干燥处理以形成原始量子点层。
可选地，利用含有吸电子基团的冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面，以使所述吸电子基团取代所述原始配体而形成所述量子点发光层，包括：
将含有-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中至少一种吸电子基团的盐配制为冲洗溶液；
以所述冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面，以使所述吸电子基团取代所述原始配体，并进行干燥处理以形成所述量子点发光层。
可选地，在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧形成空穴传输层，包括：将含有二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种给电子基团的材料以蒸镀、喷墨打印或旋涂的方式沉积在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧，以形成所述空穴传输层。
可选地，在衬底上依次形成第一电极层和电子传输层，包括：
在所述衬底上沉积氧化铟锡薄膜以作为第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底的一侧形成ZnO材料层或ZnMgO材料层以作为电子传输层。
可选地，在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧依次形成空穴注入层和第二电极层，包括：
在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧沉积氧化钼或者氧化镍材料以作为空穴注入层；
在所述空穴注入层远离所述衬底的一侧沉积银以作为所述第二电极层。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例提供的量子点发光器件、其制作方法及显示装置，量子点发光层中的量子点的吸电配体包括位于量子点远离电子传输层一侧的吸电子基团，而空穴传输层的材料的侧链包括给电子基团，在量子点发光器件给电的情况下，这些吸电子基团和这些给电子基团相互作用而形成偶极子，偶极子的存在使得量子点发光层和空穴传输层之间的势垒减小，从而提升了空穴迁移率，并且不影响电子迁移率，这能够有效平衡电子迁移率和空穴迁移率，抑制俄歇复合，有效提升量子点发光器件的发光效率和寿命。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的膜层结构示意图；
图2为本申请实施例提供的量子点发光器件中三种给电子基团的化学结构式；
图3为本申请实施例提供的量子点发光器件中一种小分子空穴传输层的材料的化学结构式；
图4为本申请实施例提供的量子点发光器件中一种高分子空穴传输层的材料的化学结构式；
图5为本申请实施例提供的一种量子点显示装置的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的制作方法的流程示意图；
图7为图6所示的量子点发光器件的制作方法中步骤S1的流程示意图；
图8为图6所示的量子点发光器件的制作方法中步骤S2的流程示意图；
图9为图8所示的量子点发光器件的制作方法中步骤S201的流程示意图；
图10为图8所示的量子点发光器件的制作方法中步骤S202的流程示意图；
图11为图6所示的量子点发光器件的制作方法中步骤S4的流程示意图。
附图标记：
1-量子点发光器件；101-第一电极层；102-电子传输层；103-量子点发光层；1031-量子点；R-吸电子基团；104-空穴传输层；X-给电子基团；105-空穴注入层；106-第二电极层；
2-衬底基板；
3-封装结构。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
对于量子点电致发光器件而言，由于电子传输层通常采用金属氧化物(以ZnO纳米颗粒为例)，具有较大的电子迁移率(10-2cm2/Vs)且与量子点之间的注入势垒较小。而空穴传输层则通常采用有机物，例如Poly(9,9-dioctylfluorene-alt-N-(4-sec-butylphenyl)-diphenylamine)，即TFB、Poly(9-vinylcarbazole)，即PVK以及(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine，即NPB等，这些有机物的空穴迁移率相对较低(10-4～10-6cm2/Vs)且与量子点之间的注入势垒较大。正是由于量子点发光器件中电子迁移率和空穴迁移率之间具有较大差距，使得电子传输速度比空穴传输速度快得多，导致量子点带负电，产生俄歇复合，限制了量子点发光器件的效率和寿命。
本申请提供的量子点发光器件、其制作方法及显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。
本申请实施例提供了一种量子点发光器件，如图1所示，本实施例提供的量子点发光器件1包括依次排列的第一电极层101、电子传输层102、量子点发光层103、空穴传输层104、空穴注入层105以及第二电极层106。
电子传输层102的材料为金属氧化物；量子点发光层103包括量子点1031和连接在量子点1031表面的吸电配体，吸电配体包括位于量子点1031远离电子传输层102一侧的吸电子基团R；空穴传输层104的材料的侧链带有给电子基团X，吸电子基团R和给电子基团X相互作用形成偶极子。
需要说明的是，吸电子基团R和给电子基团X所表现的电性相反，当量子点发光器件1的第一电极层101和第二电极层106处于给电状态时，吸电子基团R和给电子基团X在外电场的作用下发生界面极化，能够促进空穴向量子点发光层103移动。
本实施例提供的量子点发光器件1，量子点发光层103中的量子点1031的吸电配体包括位于量子点1031远离电子传输层102一侧的吸电子基团R，而空穴传输层104的材料的侧链包括给电子基团X，在量子点1031发光器件给电的情况下，这些吸电子基团R和这些给电子基团X相互作用而形成偶极子，偶极子的存在使得量子点发光层103和空穴传输层104之间的势垒减小，从而提升了空穴迁移率，并且不影响电子迁移率，这能够有效平衡电子迁移率和空穴迁移率，抑制俄歇复合，有效提升量子点发光器件的发光效率和寿命。
可选地，如图1所示，本实施例提供的量子点发光器件1中，第一电极层101的材料包括氧化铟锡，第二电极层的材料包括银。具体地，本实施例中的量子点发光器件1制作在衬底基板2上，且量子点发光器件1为倒置结构，光线经过第一电极层101由衬底基板22射出，因此第一电极层101需要良好的透光性，而第二电极层106需要具有良好反射性的导电材料制成。
可选地，如图1所示，本实施例提供的量子点发光器件1中，电子传输层102的材料包括ZnO或ZnMgO。具体地，电子传输层102的材料为ZnO纳米颗粒或者ZnMgO纳米颗粒，也可以为ZnO磁控溅射薄膜或者ZnMgO磁控溅射薄膜。这些材料的电子迁移率约为10-2cm2/Vs。
可选地，如图1所示，本实施例提供的量子点发光器件1中，吸电子基团R包括-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中的至少一种。
可选地，如图1所示，本实施例提供的量子点发光器件1中，给电子基团X包括二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种。
上述吸电子基团R具有较强的吸引电子的能力，表现为负电中心(图1中以R-表示吸电子基团为负电中心)，上述给电子基团X具有较强的给出电子的能力，表现为正电中心(图1中以X+表示给电子基团为正电中心)，上述吸电子基团R和上述给电子基团X在量子点发光层103和空穴传输层104的界面形成偶极子，降低了空穴由空穴传输层104传输至量子点发光层103的注入势垒，提升了空穴的传输能力。
具体地，如图1所示，虽然图1中每个量子点1031表面均仅连接一个吸电配体，但这仅是示意性说明，实际上，量子点1031表面也可以连接多个吸电配体，也可以连接油酸等不具有强吸电能力的配体，或者部分量子点1031表面未连接吸电配体，只要保证量子点发光层103远离衬底基板2的一侧的吸电配体的分布能够满足偶极子的数量即可。
具体地，对于二烷基氨基和烷基氨基来说，可以携带一个或多个氨基，以烷基氨基为例，如图2所示的(a)、(b)、(c)三个简式中分别包括一个氨基、两个氨基以及四个氨基，氨基数量越多，给电子能力越强。
具体地，如图3所示，本实施例提供的包括给电子基团X的材料为小分子材料，如图3所示的包括给电子基团X的材料为小分子材料包括多个给电子基团X，这些给电子基团X中至少部分用于在外电场的作用下与连接在量子点1031上的吸电子基团R形成偶极子。
具体地，如图4所示，本实施例提供的包括给电子基团X的材料为高分子聚合物，如图4所示的包括给电子基团X的材料为高分子聚合物包括多个给电子基团X，这些给电子基团X中至少部分与连接在量子点1031上的吸电子基团R形成偶极子。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种量子点显示装置，如图5所示，本实施例提供的量子点显示装置包括衬底基板2和多个上述实施例中的量子点发光器件1，具有上述实施例中的量子点发光器件1的有益效果，在此不再赘述。
具体地，如图5所示，本实施例提供的量子点显示装置还包括封装结构3，封装结构3对量子点发光器件1进行保护。
具体地，本实施例提供的量子点显示装置还包括驱动芯片和供电电源，其中驱动芯片用于为量子点发光器件提供驱动信号，供电电源用于为量子点发光器件提供电能。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种量子点发光器件的制作方法，如图6所示和图1，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法包括：
S1：在衬底基板2上依次形成第一电极层101和电子传输层102。
S2：在电子传输层102远离衬底基板2的一侧以形成量子点发光层103，量子点发光层103包括量子点1031和连接在量子点1031表面的吸电配体，吸电配体包括位于量子点1031远离电子传输层102一侧的吸电子基团R。
S3：在量子点发光层103远离衬底基板2的一侧形成空穴传输层104，空穴传输层104的材料的侧链带有给电子基团X，吸电子基团R和给电子基团X相互作用形成偶极子。
S4：在空穴传输层104远离衬底基板2的一侧依次形成空穴注入层105和第二电极层106。
需要说明的是，吸电子基团R和给电子基团X所表现的电性相反，当量子点发光器件的第一电极层101和第二电极层106处于给电状态时，吸电子基团R和给电子基团X在外电场的作用下发生界面极化，能够促进空穴向量子点发光层103移动。
本实施例提供的量子点发光器件的制作方法，形成的量子点发光层103中的量子点1031的吸电配体包括位于量子点1031远离电子传输层102一侧的吸电子基团R，而空穴传输层104的材料的侧链包括给电子基团X，在量子点发光器件给电的情况下，这些吸电子基团R和这些给电子基团X相互作用而形成偶极子，偶极子的存在使得量子点发光层103和空穴传输层104之间的势垒减小，从而提升了空穴迁移率，并且不影响电子迁移率，这能够有效平衡电子迁移率和空穴迁移率，抑制俄歇复合，有效提升量子点发光器件的发光效率和寿命。
具体地，如图7和图1所示，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法中，步骤S1包括：
S101：在衬底基板2上沉积氧化铟锡薄膜以作为第一电极层101。氧化铟锡薄膜具有良好的导电性和光透过性，使得量子点发光层103发出的光能够更好地经过第一电极层101以及衬底基板2出射到量子点发光器件外。
S102：在第一电极层101远离衬底基板2的一侧形成ZnO材料层或ZnMgO材料层以作为电子传输层102。具体地，ZnO材料层可以是通过旋涂、乱涂、喷墨打印的方式形成ZnO纳米颗粒层，也可以是通过磁控溅射法以形成ZnO薄膜；ZnMgO材料可以是通过旋涂、乱涂、喷墨打印的方式形成ZnMgO纳米颗粒层，也可以是通过磁控溅射法形成的ZnMgO薄膜。
可选地，如图8和图1所示，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法中，步骤S2包括：
S201：利用表面连接有原始配体的量子点材料在电子传输层102远离衬底基板2的一侧以形成原始量子点层。具体地，量子点表面连接的原始配体可以为油酸配体。
S202：利用含有吸电子基团R的冲洗溶液冲洗原始量子点层的表面，以使吸电子基团R取代原始配体而形成量子点发光层。
本实施例中，利用含有吸电子基团R的溶液冲洗原始量子点层的表面，也就是在原始量子点层表面进行配体的原位交换，之所以采用原位交换是因为原始配体在溶液中溶解度高，而吸电配体如果在溶液中进行配体交换则不利于量子点溶解使得制备出的薄膜容易产生大颗粒，因此采用原位交换法则不需要担心量子点溶解度变化问题，也不会使制备出的薄膜产生大颗粒；同时冲洗溶液作用于原始量子点层的表面，所以靠近电子传输层102那一侧大部分的配体还是原始配体，原始配体(以油酸为例)链长较长，电子传输能力相较于短链配体(吸电配体)弱，这也能进一步平衡电子传输能力和空穴传输能力。
进一步地，如图9和图1所示，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法中，步骤S201包括：
S2011：将表面连接有原始配体的量子点材料配制为量子点溶液。具体地，原始配体可以为油酸等配体，将表面连接有原始配体的量子点溶于溶剂中以获得量子点溶液。具体地，量子点可以是CdSe量子点，InP量子点，ZnTeSe量子点，钙钛矿量子点；溶剂优选为辛烷或者庚烷。
S2012：将量子点溶液通过喷墨打印、刮涂或旋涂的方式沉积在电子传输层102远离衬底基板2的一侧，并进行干燥处理以形成原始量子点层。具体地，可采用将沉积有量子点溶液的衬底基板2置于真空干燥箱中或置于加热平台上的方式来实现干燥处理，干燥处理的温度根据选用的具体的量子点的类型进行选择。
进一步地，如图10和图1所示，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法中，步骤S202包括：
S2021：将含有-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中至少一种吸电子基团R的盐配制为冲洗溶液。具体地，例如可选用ZnCl2、ZnF2、KClO3、KCN、KNO2、KClO2以及KClO等钾盐配制为冲洗溶液。
S2022：以冲洗溶液冲洗原始量子点层的表面，以使吸电子基团R取代原始配体，并进行干燥处理以形成量子点发光层103。上述冲洗溶液中的阴离子与量子点1031表面连接的原始配体发生取代，上述阴离子连接到量子点1031表面即作为吸电子基团R。
可选地，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法中，如图1所示，步骤S3包括：将含有二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种给电子基团X的材料以蒸镀、喷墨打印或旋涂的方式沉积在量子点发光层103远离衬底基板2的一侧，以形成空穴传输层104。具体地，当含有给电子基团X的材料为小分子材料时，可选用蒸镀方式沉积在量子点发光层103上；当含有给电子基团X的材料为高分子聚合物时，可选用喷墨打印或旋涂的方式沉积在量子点发光层103上。
可选地，如图11和图1所示，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法中，步骤S4包括：
S401：在空穴传输层104远离衬底基板2的一侧通过蒸镀沉积氧化钼或者氧化镍以作为空穴注入层105。空穴注入层105具有提高发光效率、延长寿命、降低电压等作用。
S402：在空穴注入层105远离衬底基板2的一侧沉积银以作为第二电极层106。金属银不仅具有良好的导电性，与具有较高的反射性，有利于提升量子点发光器件的出光效率。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例提供的量子点发光器件、其制作方法及显示装置，量子点发光层中的量子点的吸电配体包括位于量子点远离电子传输层一侧的吸电子基团，而空穴传输层的材料的侧链包括给电子基团，在量子点发光器件给电的情况下，这些吸电子基团和这些给电子基团相互作用而形成偶极子，偶极子的存在使得量子点发光层和空穴传输层之间的势垒减小，从而提升了空穴迁移率，并且不影响电子迁移率，这能够有效平衡电子迁移率和空穴迁移率，抑制俄歇复合，有效提升量子点发光器件的发光效率和寿命。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (13)
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括依次排列的第一电极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极层；
所述电子传输层的材料为金属氧化物；
所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体，所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团；
所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括ZnO或ZnMgO。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述吸电子基团包括-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述给电子基团包括二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银。
6.一种量子点显示装置，其特征在于，包括衬底基板，和多个权利要求1-5中任一项所述的量子点发光器件。
7.一种量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成第一电极层和电子传输层；
在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层，所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体，所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团；
在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧形成空穴传输层，所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团，所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子；
在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧依次形成空穴注入层和第二电极层。
8.根据权利要求7所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层，包括：
利用表面连接有原始配体的量子点材料在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成原始量子点层；
利用含有吸电子基团的冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面，以使所述吸电子基团取代所述原始配体而形成所述量子点发光层。
9.根据权利要求8所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，利用表面连接有原始配体的量子点材料在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成原始量子点层，包括：
将表面连接有原始配体的量子点材料配制为量子点溶液；
将所述量子点溶液通过喷墨打印、刮涂或旋涂的方式沉积在所述电子传输层远离所述衬底的一侧，并进行干燥处理以形成原始量子点层。
10.根据权利要求8所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，利用含有吸电子基团的冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面，以使所述吸电子基团取代所述原始配体而形成所述量子点发光层，包括：
将含有-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中至少一种吸电子基团的盐配制为冲洗溶液；
以所述冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面，以使所述吸电子基团取代所述原始配体，并进行干燥处理以形成所述量子点发光层。
11.根据权利要求7所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧形成空穴传输层，包括：
将含有二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种给电子基团的材料以蒸镀、喷墨打印或旋涂的方式沉积在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧，以形成所述空穴传输层。
12.根据权利要求7所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，在衬底上依次形成第一电极层和电子传输层，包括：
在所述衬底上沉积氧化铟锡薄膜以作为第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底的一侧形成ZnO材料层或ZnMgO材料层以作为电子传输层。
13.根据权利要求7所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧依次形成空穴注入层和第二电极层，包括：
在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧沉积氧化钼或者氧化镍材料以作为空穴注入层；
在所述空穴注入层远离所述衬底的一侧沉积银以作为所述第二电极层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113314678A true CN113314678A (zh) | 2021-08-27 |
| CN113314678B CN113314678B (zh) | 2024-04-09 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202110594208.0A Active CN113314678B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 量子点发光器件、其制作方法及显示装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN113314678B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113838990A (zh) * | 2021-09-26 | 2021-12-24 | 北京京东方技术开发有限公司 | 量子点发光器件、其制作方法及显示装置 |
| CN114957308A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-08-30 | 北京京东方技术开发有限公司 | 量子点配体、量子点以及量子点膜、qled发光器件及其制备方法 |
Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103174A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
| CN101005122A (zh) * | 2006-01-18 | 2007-07-25 | 中国科学院化学研究所 | 一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法 |
| US20090039764A1 (en) * | 2005-03-17 | 2009-02-12 | Cho Kyung Sang | Quantum Dot Light-Emitting Diode Comprising Inorganic Electron Transport Layer |
| WO2011149240A2 (ko) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | 주식회사 두산 | 바이폴라 트리페닐렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| WO2015060684A2 (ko) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 주식회사 두산 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN104979485A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-14 | Tcl集团股份有限公司 | 一种高性能的量子点发光二极管及其制备方法 |
| US20170250361A1 (en) * | 2016-11-21 | 2017-08-31 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display panel and organic light-emitting diode display device |
| US20190051834A1 (en) * | 2017-08-14 | 2019-02-14 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US20190115537A1 (en) * | 2016-05-13 | 2019-04-18 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display apparatus and illumination apparatus |
| CN110563724A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 空穴传输材料及其合成方法、显示面板 |
| CN111233888A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-05 | 宁波卢米蓝新材料有限公司 | 一种稠合多环化合物及其制备方法和用途 |
| CN111312914A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示装置 |
| WO2020134157A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111509135A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
| CN111509131A (zh) * | 2019-04-28 | 2020-08-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其制备方法和显示装置 |
| CN111883678A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-11-03 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电致发光器件及显示装置 |
| US20200373508A1 (en) * | 2017-12-18 | 2020-11-26 | Guangdong Juhua Printed Display Technology Co., Ltd. | Electroluminescent material ink and electroluminescent device thereof |
| CN112341606A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-02-09 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 化合物及其制备方法和量子点发光二极管 |
| CN112750954A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-05-04 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电致发光二极管器件及其制备方法、显示器件 |
-
2021
- 2021-05-28 CN CN202110594208.0A patent/CN113314678B/zh active Active
Patent Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090039764A1 (en) * | 2005-03-17 | 2009-02-12 | Cho Kyung Sang | Quantum Dot Light-Emitting Diode Comprising Inorganic Electron Transport Layer |
| JP2007103174A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
| CN101005122A (zh) * | 2006-01-18 | 2007-07-25 | 中国科学院化学研究所 | 一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法 |
| WO2011149240A2 (ko) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | 주식회사 두산 | 바이폴라 트리페닐렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| WO2015060684A2 (ko) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 주식회사 두산 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN104979485A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-14 | Tcl集团股份有限公司 | 一种高性能的量子点发光二极管及其制备方法 |
| US20190115537A1 (en) * | 2016-05-13 | 2019-04-18 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display apparatus and illumination apparatus |
| US20170250361A1 (en) * | 2016-11-21 | 2017-08-31 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display panel and organic light-emitting diode display device |
| US20190051834A1 (en) * | 2017-08-14 | 2019-02-14 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US20200373508A1 (en) * | 2017-12-18 | 2020-11-26 | Guangdong Juhua Printed Display Technology Co., Ltd. | Electroluminescent material ink and electroluminescent device thereof |
| WO2020134157A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111509131A (zh) * | 2019-04-28 | 2020-08-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其制备方法和显示装置 |
| CN111233888A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-05 | 宁波卢米蓝新材料有限公司 | 一种稠合多环化合物及其制备方法和用途 |
| CN110563724A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 空穴传输材料及其合成方法、显示面板 |
| CN111883678A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-11-03 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电致发光器件及显示装置 |
| CN112341606A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-02-09 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 化合物及其制备方法和量子点发光二极管 |
| CN111312914A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示装置 |
| CN112750954A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-05-04 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电致发光二极管器件及其制备方法、显示器件 |
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|---|---|---|---|---|
| CN113838990A (zh) * | 2021-09-26 | 2021-12-24 | 北京京东方技术开发有限公司 | 量子点发光器件、其制作方法及显示装置 |
| CN113838990B (zh) * | 2021-09-26 | 2024-04-09 | 北京京东方技术开发有限公司 | 量子点发光器件、其制作方法及显示装置 |
| CN114957308A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-08-30 | 北京京东方技术开发有限公司 | 量子点配体、量子点以及量子点膜、qled发光器件及其制备方法 |
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