CN113314655A - 一种微型led封装结构及微型led封装方法 - Google Patents
一种微型led封装结构及微型led封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113314655A CN113314655A CN202110658430.2A CN202110658430A CN113314655A CN 113314655 A CN113314655 A CN 113314655A CN 202110658430 A CN202110658430 A CN 202110658430A CN 113314655 A CN113314655 A CN 113314655A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- welding
- micro led
- sheet
- light
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种微型LED封装结构及微型LED封装方法，微型LED封装结构包括若干个封装单元，封装单元包括LED芯片、透光膜与两镜像对称布置的焊接片，每一所述焊接片包括容纳口与两对称布置的突出部，每一所述焊接片的容纳口分别布置有所述LED芯片的一部分；所述透光膜围设于所述LED芯片与所述焊接片的外侧；所述LED芯片的底部的电极与所述焊接片的底面位于所述透光膜的同一侧。LED芯片与电路板之间除了焊接材料之外，没有其他介质来增加热阻，且以焊接片保证足够的焊接面积，增强使用时候的牢固性，LED芯片不用经受由二次焊接所带来的品质风险，可避免导热受阻，提升焊接可靠度，保证微型LED工作稳定性。
Description
技术领域
本发明属于LED封装技术领域，具体涉及一种微型LED封装结构及微型LED封装方法。
背景技术
微型LED是一种由电转化成光的二极管，由于转换过程中有一部分能量会转换成热，而微型LED的发光效率与使用寿命都与工作温度相关连，工作温度越高，芯片发光效率越低，使用寿命也越短，因此，微型LED在使用过程中，都会尽量将LED工作产生的热量传导出去并通过散热器散发到空气中。
当前微型LED单颗器件封装结构有SMD贴片结构和芯片级封装结构，SMD贴片结构中芯片的热量向外传导会经过多次焊接材料和支架等介质，会影响热的向外传导，导致发光效率降低；芯片级封装器件是直接芯片电极与电路板焊接，热传导性能好，但是由于芯片电极小，焊接过程中良率较低，而且焊接之后由于焊接面积小，容易受外力影响而脱焊，造成LED失效。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种保证微型LED工作稳定性的微型LED封装结构。
本发明的第二目的是提供一种保证微型LED工作稳定性的微型LED封装方法。
为实现上述的第一目的，本发明提供的微型LED封装结构包括若干个封装单元，封装单元包括LED芯片、透光膜与两镜像对称布置的焊接片，每一所述焊接片包括容纳口与两对称布置的突出部，所述容纳口位于两所述突出部之间，两所述焊接片的容纳口相对布置，每一所述焊接片的容纳口分别布置有所述LED芯片的一部分；所述透光膜围设于所述LED芯片与所述焊接片的外侧，所述焊接片的底面外露于所述透光膜；沿两所述容纳口的相对方向，两所述焊接片的主体的距离不小于所述LED芯片的电极间距；所述LED芯片的底部的电极与所述焊接片的底面位于所述透光膜的同一侧。
由上述方案可见，微型LED封装结构在贴装到电路板上使用时，LED芯片与电路板之间除了焊接材料之外，没有其他介质来增加热阻，且以焊接片进行焊接，保证足够的焊接面积，在焊接后能够耐承受更大的外界应力，来增强使用时候的牢固性，LED芯片不用经受由二次焊接所带来的品质风险，因此，微型LED封装结构可避免导热受阻，提升焊接可靠度，保证微型LED工作稳定性。
为实现上述的第二目的，本发明提供的制造上述微型LED封装结构的微型LED封装方法包括S1，将金属片平铺于平面载板，所述平面载板的表面覆有耐高温双面胶；
S2，于所述金属片成型若干个阵列布置的焊接单元，每一所述焊接单元包括两镜像对称布置的焊接片；
S3，将LED芯片布置于每一所述焊接单元的两所述焊接片的内侧，每一所述焊接片的容纳口分别布置有所述LED芯片的一部分，所述LED芯片粘接于所述平面载板；
S4，将半固态的透光膜围设于所述LED芯片与所述焊接片的外侧，通过真空压合将所述透光膜固化以形成若干个封装单元；
S5，进行切割，将若干所述封装单元相互割离；
S6，将粘性胶膜粘接于若干所述焊接单元，将所述焊接单元从所述平面载板剥离；
S7，将所述焊接单元倒模至所述粘性薄膜，得到微型LED封装结构。
由上述方案可见，微型LED封装结构在贴装到电路板上使用时，LED芯片与电路板之间除了焊接材料之外，没有其他介质来增加热阻，且以焊接片进行焊接，保证足够的焊接面积，在焊接后能够耐承受更大的外界应力，来增强时候使用的牢固性，LED芯片不用经受由二次焊接所带来的品质风险，因此，微型LED封装结构可避免导热受阻，提升焊接可靠度，保证微型LED工作稳定性。
优选的，在所述步骤S2中，通过激光切割、模具冲切或者化学蚀刻的其中一种成型方法而于所述金属片成型若干个阵列布置的焊接单元。
附图说明
利用附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制，对于本领域的技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
图1是本发明所述一种微型LED封装结构实施例的结构图。
图2是本发明所述一种微型LED封装结构实施例的另一视角的结构图。
图3是本发明所述一种微型LED封装结构实施例的局部结构图。
图4是本发明所述一种微型LED封装结构实施例的焊接片的布置示意图。
图5是本发明所述一种微型LED封装方法实施例的工艺结构示意图。
图6是本发明所述一种微型LED封装方法实施例的工艺结构示意图。
图7是本发明所述一种微型LED封装方法实施例的工艺结构示意图。
图8是本发明所述一种微型LED封装方法实施例的工艺结构示意图。
图9是本发明所述一种微型LED封装方法实施例的工艺结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参见图1至图4，本实施例提供的微型LED封装结构包括若干个封装单元1，封装单元包括LED芯片2、透光膜3与两镜像对称布置的焊接片4，每一所述焊接片4包括容纳口5与两对称布置的突出部6，所述容纳口5位于两所述突出部6之间，两所述焊接片4的容纳口5相对布置，每一所述焊接片4的容纳口5分别布置有所述LED芯片2的一部分，微型LED封装结构可用于制成多颗连体的集成类LED光源。
所述透光膜3围设于所述LED芯片2与所述焊接片4的外侧，所述焊接片4的底面外露于所述透光膜3。
沿两所述容纳口5的相对方向，两所述焊接片4的主体7的距离不小于所述LED芯片2的电极间距，芯片2的电极包括P极8与N极9，电极间距为P极8与N极9沿所述容纳口5的相对方向的距离。
所述LED芯片2的底部的电极与所述焊接片4的底面位于所述透光膜3的同一侧，布置于所述容纳口5的所述LED芯片2的一部分抵接于所述焊接片4的内侧面，所述透光膜3抵接于所述焊接片4的外侧面。
优选的，焊接片4的材料为铜或铁。
优选的，焊接片4的材料为复合材料，焊接片4的表面至少覆有锡或银或铜的其中之一。
优选的，透光膜3为荧光胶膜。
优选的，透光膜3为透明胶膜。
优选的，焊接片4为匚状或半圆状。
微型LED封装结构在贴装到电路板上使用时，LED芯片2与电路板之间除了焊接材料之外，没有其他介质来增加热阻，且以焊接片4进行焊接，保证足够的焊接面积，在焊接后能够耐承受更大的外界应力，来增强使用时候的牢固性，LED芯片2不用经受由二次焊接所带来的品质风险，因此，微型LED封装结构可避免导热受阻，提升焊接可靠度，保证微型LED工作稳定性。
参见图5至图9，本实施例提供的微型LED封装方法可用于制造上述微型LED封装结构，微型LED封装方法包括：
步骤S1，将金属片11平铺于平面载板12，所述平面载板12的表面覆有耐高温双面胶，金属片11粘接于平面载板12；
步骤S2，于所述金属片11成型若干个阵列布置的焊接单元13，每一所述焊接单元13包括两镜像对称布置的焊接片4，通过激光切割、模具冲切或者化学蚀刻的其中一种成型方法而于所述金属片11成型若干个阵列布置的焊接单元13，焊接片4为匚状或半圆状；
步骤S3，将LED芯片2布置于每一所述焊接单元13的两所述焊接片4的内侧，每一所述焊接片4的容纳口5分别布置有所述LED芯片2的一部分，所述LED芯片2粘接于所述平面载板12；
步骤S4，将半固态的透光膜3围设于所述LED芯片2与所述焊接片4的外侧，通过真空压合将所述透光膜3固化以形成若干个封装单元1；
步骤S5，进行切割，通过刀轮式切割机或者刀片式切割机或者激光切割机而将若干所述封装单元1相互割离，不切穿平面载板12的耐高温双面胶；
步骤S6，将粘性胶膜粘接于若干所述焊接单元13，拉升粘性胶膜，焊接单元13随粘性胶膜同步上移，从而将所述焊接单元13从所述平面载板12剥离；
S7，将所述焊接单元13倒模至所述粘性薄膜，得到微型LED封装结构。
微型LED封装结构在贴装到电路板上使用时，LED芯片2与电路板之间除了焊接材料之外，没有其他介质来增加热阻，且以焊接片4进行焊接，保证足够的焊接面积，在焊接后能够耐承受更大的外界应力，来增强使用时候的牢固性，LED芯片2不用经受由二次焊接所带来的品质风险，因此，微型LED封装结构可避免导热受阻，提升焊接可靠度，保证微型LED工作稳定性。
最后需要强调的是，本发明不限于上述实施方式，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种微型LED封装结构，包括若干个封装单元，其特征在于：
所述封装单元包括LED芯片、透光膜与两镜像对称布置的焊接片；
每一所述焊接片包括容纳口与两对称布置的突出部，所述容纳口位于两所述突出部之间，两所述焊接片的容纳口相对布置，每一所述焊接片的容纳口分别布置有所述LED芯片的一部分；
所述透光膜围设于所述LED芯片与所述焊接片的外侧，所述焊接片的底面外露于所述透光膜；
沿两所述容纳口的相对方向，两所述焊接片的主体的距离不小于所述LED芯片的电极间距；
所述LED芯片的底部的电极与所述焊接片的底面位于所述透光膜的同一侧。
2.根据权利要求1所述的一种微型LED封装结构，其特征在于：
所述焊接片的材料为铜或铁。
3.根据权利要求1所述的一种微型LED封装结构，其特征在于：
所述焊接片的表面至少覆有锡或银或铜的其中之一。
4.根据权利要求1所述的一种微型LED封装结构，其特征在于：
所述透光膜为荧光胶膜。
5.根据权利要求1所述的一种微型LED封装结构，其特征在于：
所述透光膜为透明胶膜。
6.根据权利要求1所述的一种微型LED封装结构，其特征在于：
布置于所述容纳口的所述LED芯片的一部分抵接于所述焊接片的内侧面。
7.根据权利要求1所述的一种微型LED封装结构，其特征在于：
所述透光膜抵接于所述焊接片的外侧面。
8.根据权利要求1至7任一项所述的一种微型LED封装结构，其特征在于：
所述焊接片为匚状或半圆状。
9.一种制造如权利要求1至8任一项所述的一种微型LED封装结构的微型LED封装方法，其特征在于，包括：
S1，将金属片平铺于平面载板，所述平面载板的表面覆有耐高温双面胶；
S2，于所述金属片成型若干个阵列布置的焊接单元，每一所述焊接单元包括两镜像对称布置的焊接片；
S3，将LED芯片布置于每一所述焊接单元的两所述焊接片的内侧，每一所述焊接片的容纳口分别布置有所述LED芯片的一部分，所述LED芯片粘接于所述平面载板；
S4，将半固态的透光膜围设于所述LED芯片与所述焊接片的外侧，通过真空压合将所述透光膜固化以形成若干个封装单元；
S5，进行切割，将若干所述封装单元相互割离；
S6，将粘性胶膜粘接于若干所述焊接单元，将所述焊接单元从所述平面载板剥离；
S7，将所述焊接单元倒模至所述粘性薄膜，得到微型LED封装结构。
10.根据权利要求9所述的一种微型LED封装方法，其特征在于：
在所述步骤S2中，通过激光切割、模具冲切或者化学蚀刻的其中一种成型方法而于所述金属片成型若干个阵列布置的焊接单元。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110658430.2A CN113314655A (zh) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 一种微型led封装结构及微型led封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110658430.2A CN113314655A (zh) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 一种微型led封装结构及微型led封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113314655A true CN113314655A (zh) | 2021-08-27 |
Family
ID=77378767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110658430.2A Withdrawn CN113314655A (zh) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 一种微型led封装结构及微型led封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113314655A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113659053A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-16 | 中山市木林森电子有限公司 | 一种csp灯珠封装结构及其制作工艺 |
-
2021
- 2021-06-11 CN CN202110658430.2A patent/CN113314655A/zh not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113659053A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-16 | 中山市木林森电子有限公司 | 一种csp灯珠封装结构及其制作工艺 |
| CN113659053B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-02-27 | 中山市木林森电子有限公司 | 一种csp灯珠封装结构及其制作工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006339224A (ja) | Ｌｅｄ用基板およびｌｅｄパッケージ | |
| CN111934193B (zh) | 一种ld芯片无机封装结构及其制备方法 | |
| US20040112423A1 (en) | Solar cell, solar cell production method, and solar battery module | |
| CN109560155B (zh) | 太阳能电池组件及其制造方法 | |
| CN110828633A (zh) | 一种深紫外led晶圆级封装方法 | |
| CN113314655A (zh) | 一种微型led封装结构及微型led封装方法 | |
| JP2007123302A (ja) | 発光装置 | |
| JP5197337B2 (ja) | 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の交換方法 | |
| CN212851202U (zh) | 一种新型led驱动电路板 | |
| CN215118934U (zh) | 一种微型led封装结构 | |
| JP5535472B2 (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽電池の交換方法 | |
| CN111933784A (zh) | 一种激光芯片的陶瓷封装方法及陶瓷封装芯片结构 | |
| CN218632091U (zh) | 一种多晶倒装芯片封装结构 | |
| JP2011249446A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN209912892U (zh) | 一种cob光源 | |
| CN215731755U (zh) | 一种具备底部反射层的微型led封装结构 | |
| CN215731754U (zh) | 一种具备顶部反射层的微型led封装结构 | |
| CN108963054B (zh) | 覆晶式发光二极管及其制造方法 | |
| CN213847132U (zh) | 散热覆铜板 | |
| JP2010272744A (ja) | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 | |
| JP2002170975A (ja) | 半導体素子搭載用基板及び該基板を使用した半導体デバイス | |
| CN211295133U (zh) | 一种led芯片 | |
| CN209896044U (zh) | 冲压式铜箔基板 | |
| CN220821557U (zh) | 一种便于切单的引线框架 | |
| CN217182203U (zh) | 一种微小型器件的封装结构及pcb板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20210827 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |