CN113659053A - 一种csp灯珠封装结构及其制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺，先将金属基材和绝缘基材贴合，然后在金属基材上制作出预设金属基材图案，再在绝缘基材上开设用于装载LED芯片的开孔，接着在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距，再使用荧光胶膜将LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，使得LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露，最后切割成单个CSP灯珠封装结构，本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层，通过金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，且本申请没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
Description
技术领域
本申请属LED封装技术领域，具体涉及一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺。
背景技术
CSP(Chip Scale Package)LED以其可靠性高、体积小而备受关注及青睐。常见的CSP结构一般有两种结构，如图1所示的结构一：包括LED芯片1、荧光胶4；如图2所示的结构二：包括支架5、固晶焊料、LED芯片1和荧光胶4。
图1结构一的CSP比较明显的缺点是焊盘较小，CSP的有效焊接面积较小、附着力较小，后端产品的可靠性及生产良率较低。图2结构二的CSP的有效焊接面积较大，但其使用固晶焊料将LED芯片1的电极和支架5进行电连，比较明显的缺点是后段的工艺温度不能接近或超过固晶焊料的温度，否则会产生固晶焊料二次熔融的问题。因此，亟需对现有CSP结构进行进一步改进。
发明内容
本申请为了解决上述技术问题，提供了一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺。
本申请采用如下方案，一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，包括以下步骤：
S1、提供金属基材和绝缘基材，并将两者贴合；
S2、在金属基材上制作出预设金属图案，在绝缘基材上开孔；
S3、在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距；
S4、将荧光胶在绝缘基材侧对LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，荧光胶对LED芯片与金属基材之间的间距进行填充，并使LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露；
S5、切割成单个CSP灯珠封装结构，即得。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2具体包括以下步骤：
S201、制作电路：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
S202、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层；
S203、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
S204、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2具体包括以下步骤：
S211、制作电路一：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
S212、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
S213、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔；
S214、制作电路二：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
S215、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡，厚度为0.001微米至5微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2中，开孔尺寸的长宽比LED芯片尺寸的长宽各大0.5微米至80微米；
LED芯片的电极与金属基材之间形成间距大于0.5微米、小于80微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2中，所述的金属基材的材质为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，厚度为1微米至100微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，所述绝缘基材为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构，厚度为8微米至25微米。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S4中，荧光胶为混有荧光粉的封装胶，所述的封装胶为硅胶、改性硅树脂或环氧树脂，所述的荧光粉为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物中一种或多种材料，所述的荧光粉在荧光胶内的重量占比为20％至75％。
如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，LED芯片的电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
预设金属图案包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧。
一种CSP灯珠封装结构，包括：
LED芯片，其底部设有电极，所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
绝缘载体层，其设于所述LED芯片周侧；
金属层，其设于所述绝缘载体层底部，包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧；
荧光胶，其封装所述LED芯片、所述绝缘载体层和所述金属层，并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露，所述绝缘载体层与所述荧光胶的接触面设有反射层，所述反射层为白色油墨。
与现有技术相比，本申请的有益效果如下：
本申请提供一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，先将金属基材和绝缘基材贴合，然后在金属基材上制作出预设金属图案，再在绝缘基材上开设用于装载LED芯片的开孔，接着在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距，再使用荧光胶膜将LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，使得LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露，最后切割成单个CSP灯珠封装结构，本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和后端产品的可靠性及生产良率，同时相比于现有CSP封装结构二，本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
本申请提供一种CSP灯珠封装结构，通过在LED芯片周侧设置绝缘载体层，绝缘载体层底部设置有与LED芯片电极具有间距的金属层，通过荧光胶将LED芯片、绝缘载体层和所述金属层封装，本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时相比于现有CSP封装结构二，本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是现有CSP结构一的结构示意图。
图2是现有CSP结构二的结构示意图。
图3是本申请实施例中一种CSP灯珠封装结构的结构示意图。
图4是本申请实施例中一种CSP灯珠封装结构仰视角的结构示意图。
图5是本申请实施例中一种CSP灯珠封装结构的立体结构示意图。
图6是本申请实施例中金属层的结构示意图。
图7是本申请实施例中绝缘载体层的结构示意图。
图8是本申请实施例中绝缘载体层和金属层贴合的结构示意图。
图9是本申请实施例中在金属基材上制作出预设金属图案的示意图。
图10是本申请实施例中在绝缘基材上开孔的示意图。
图11是本申请实施例中在开孔中排列LED芯片的示意图。
图12是本申请实施例中荧光胶进行封装的示意图。
图13是本申请实施例中切割成单个CSP灯珠封装结构的示意图。
具体实施方式
实施例1：
如图3-13所示，一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，包括以下步骤：
S1、开料及贴合：准备尺寸合适的金属层3的金属基材31及绝缘载体层2的绝缘基材21，并将金属基材31及绝缘基材21的材料贴合在一起；
S2、制作电路及开孔：在金属基材31上制作出预设金属图案，并在绝缘基材上开孔；
S3、排晶：在开孔中排列LED芯片1，并使LED芯片1的电极10与金属基材31之间形成间距；
S4、压膜：把制作好的荧光胶膜压从芯片的正上方压下，对LED芯片1、绝缘基材21和金属基材31进行封装，形成荧光胶层，荧光胶4对LED芯片1与金属基材31之间的间距进行填充，并使LED芯片1的电极10底部表面和金属基材31底部表面裸露；
S5、切割：把整片CSP灯珠切割成单个CSP灯珠封装结构，即得。
本申请提供一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，先将金属基材31和绝缘基材21贴合，然后在金属基材31上制作出预设金属图案，以及在绝缘基材上开设用于装载LED芯片1的开孔，接着在开孔中排列LED芯片1，并使LED芯片1的电极10与金属基材31之间形成间距，再使用荧光胶膜将LED芯片1、绝缘基材21和金属基材31进行封装，使得LED芯片1的电极10底部表面和金属基材31底部表面裸露，最后切割成单个CSP灯珠封装结构，本申请通过在LED芯片1电极10侧间隔设置金属层3，通过金属层3充当LED芯片1电极10的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和后端产品的可靠性及生产良率，同时相比于现有CSP封装结构二，本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
优选的，步骤S2具体包括以下步骤：
S201、制作电路：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材31上制作出预设的金属图案；
S202、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材31表面进行表面处理以形成焊接薄膜层32；
S203、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
S204、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔20。
上述实施方式，先将金属基材31制作成预设的金属图案，再将金属基材31表面处理加工焊接良好的材料以形成焊接薄膜层32，绝缘基材的表面印刷白色油墨以形成反射层22，所述白色油墨用于提高光源反射率，再在绝缘基材上开孔20用于装配LED芯片1。
另一实施方式，步骤S2具体包括以下步骤：
S211、制作电路一：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材31上制作出预设的金属图案；
S212、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
S213、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔；
S214、制作电路二：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材31上制作出预设的金属图案；
S215、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材31表面进行表面处理以形成焊接薄膜层32。
上述实施方式，先将金属基材31分隔成间隔的金属图案电路一，使其形成预成型金属层，然后在绝缘基材的表面印刷白色油墨以形成反射成，所述白色油墨用于提高光源反射率，再在绝缘基材上开孔20用于装配LED芯片1，接着将金属基材31制作成预设的金属图案电路二，以在预成型金属层上再次加工开孔形成间隔的第一金属层301和第二金属层302，第二次制作电路的目的是加工孔位要基于步骤S213的切割孔位而定，使得制作的金属图案更精确跟LED电极能形成预定的间距，最后在金属基材31表面处理加工焊接良好的材料以形成焊接薄膜层32。
优选的，所述焊接薄膜层32的材料为金、银、铜或锡等焊接良好的材料，厚度为0.001微米至5微米，采用化学镀、电镀、喷锡、沉金、溅射等工艺设于金属层3表面所述电极10底部表面和所述金属层3底部表面处于同一水平线上。所述的金属层的焊接面与LED芯片1电极10的焊接面在同一水平线上，在金属层作为扩展焊盘时，便于将LED芯片1电极10和金属层之间进行焊接，相比于现有结构二采用支架作为扩展焊盘，本申请的优势是结构简单、体积小，不需使用固晶焊料。
优选的，步骤S2中，开孔20尺寸的长宽比LED芯片1尺寸的长宽各大0.5微米至80微米，LED芯片1的电极10与金属基材31之间形成间距大于0.5微米、小于80微米，当距离小于0.5微米时容易造成电迁移，影响产品性能，当距离大于80微米时，会提高LED芯片1电极10和金属基材31之间焊接难度，所述金属基材31与所述电极10之间的间距由所述荧光胶4填充，通过荧光胶4封装，使得金属基材31与LED芯片1电极10之间有间距。
优选的，步骤S2中，所述的金属基材31的材质为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，厚度为的厚度为1微米至100微米，当厚度小于1微米时会导致厚度过薄焊接效果差，当厚度超过100微米时导致厚度过厚增大结构了体积，更优选10微米至40微米，通过金属层3充当LED芯片1电极10的扩展焊盘。
优选的，所述绝缘基材为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构，厚度为8微米至25微米，用于充当金属层3加工载体，同时绝缘载体层2上开设有开孔20，LED芯片1装配在开孔内，且LED芯片1和金属层3之间具有间距。
优选的，步骤S4中，荧光胶4为混有荧光粉的封装胶，所述的封装胶为硅胶、改性硅树脂或环氧树脂，所述的荧光粉为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物中一种或多种材料，所述的荧光粉在荧光胶4内的重量占比为20％至75％。
优选的，LED芯片1的电极10包括间隔设置的第一电极101和第二电极102；预设金属图案包括间隔设置的第一金属层301和第二金属层302，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧，第一金属层301和第二金属层302用于分别充当第一电极101和第二电极102的扩展焊盘，第一电极101和第二电极102对称设置，均层相对的“匚”型。
所述的LED芯片1为倒装LED芯片，至少包含电极层及非电极层。所述的电极层为含有金、银、铬、铝、铂、钯等一种或多种金属的单一金属或合金，所述的电极层可以为单一金属或合金结构，也可以为多层金属或合金层的组合。所述的电极层用于焊接，使LED芯片1与整个电路形成电气连接。所述的非电极层至少包含发光层，优选的非电极层包含绝缘层、反射层、发光层、衬底。所述的绝缘层一般为二氧化硅、二氧化钛的单层或多层结构。所述的反射层一般为金层、银层或二氧化硅与二氧化钛的交替多层结构。所述的发光层为掺杂的外延层，优选的，所述的外延层为氮化镓。所述的衬底一般为蓝宝石、硅或碳化硅。
实施例2：
如图3-13所示，一种CSP灯珠封装结构，包括LED芯片1、绝缘载体层2、金属层3和荧光胶4；LED芯片1底部设有电极10；绝缘载体层2设于所述LED芯片1周侧；金属层3设于所述绝缘载体层2底部，并与所述电极10具有间距；荧光胶4封装所述LED芯片1、绝缘载体层2和所述金属层3，并使所述电极10底部表面和所述金属层3底部表面裸露，通过在LED芯片周侧设置绝缘载体层，绝缘载体层底部设置有与LED芯片电极具有间距的金属层，通过荧光胶将LED芯片、绝缘载体层和金属层进行封装，本申请通过在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时相比于现有CSP封装结构二，本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
优选的，所述电极10底部表面和所述金属层3底部表面处于同一水平线上。所述的金属层的焊接面与LED芯片电极的焊接面在同一水平线上，在金属层作为扩展焊盘时，便于将LED芯片电极和金属层之间进行焊接，相比于现有结构二采用支架作为扩展焊盘，本申请的优势是结构简单、体积小，不需使用固晶焊料。
优选的，所述电极10与所述金属层3之间的间距大于0.5微米、小于80微米；当距离小于0.5微米时容易造成电迁移，影响产品性能，当距离大于80微米时，会提高LED芯片电极和金属层之间焊接难度。
优选的，所述金属层3与所述电极10之间的间距由所述荧光胶4填充，通过荧光胶封装，使得金属层与LED芯片电极层之间有间距。
优选的，所述的金属层3包含一层或多层金属基材31，所述的金属基材31为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，所述的金属层3的厚度为的厚度为1微米至100微米，当厚度小于1微米时会导致厚度过薄焊接效果差，当厚度超过100微米时导致厚度过厚增大结构了体积，更优选10微米至40微米，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘。
优选的，所述金属基材31的底部表面还设有焊接薄膜层32，所述焊接薄膜层32的材料为金、银、铜或锡等焊接良好的材料，所述焊接薄膜层32的厚度为0.001微米至5微米，采用化学镀、电镀、喷锡、沉金、溅射等工艺设于金属层表面，用于焊接。
优选的，所述绝缘载体层2包含一层或多层绝缘基材21，所述绝缘基材21为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构，所述绝缘载体层2的厚度为8微米至25微米，用于充当金属层加工载体，同时绝缘载体层上开设有开孔20，LED芯片装配在开孔内，且LED芯片和金属层之间具有间距。
优选的，所述绝缘载体层2与所述荧光胶4的接触面设有反射层22，所述反射层22为白色油墨，所述反射层22的厚度为0.05微米至15微米，所述白色油墨用于提高光源反射率。
优选的，所述电极10包括间隔设置的第一电极101和第二电极102；所述金属层3包括间隔设置的第一金属层301和第二金属层302，且所述第一金属层301间隔设于所述第一电极101周侧，所述第二金属层302间隔设于所述第二电极102周侧。第一金属层301和第二金属层302用于分别充当第一电极101和第二电极102的扩展焊盘，第一电极101和第二电极102对称设置，均呈相对的“匚”型。
所述的LED芯片为倒装LED芯片，至少包含电极层及非电极层。所述的电极层为含有金、银、铬、铝、铂、钯等一种或多种金属的单一金属或合金，所述的电极层可以为单一金属或合金结构，也可以为多层金属或合金层的组合。所述的电极层用于焊接，使LED芯片与整个电路形成电气连接。所述的非电极层至少包含发光层，优选的非电极层包含绝缘层、反射层、发光层、衬底。所述的绝缘层一般为二氧化硅、二氧化钛的单层或多层结构。所述的反射层一般为金层、银层或二氧化硅与二氧化钛的交替多层结构。所述的发光层为掺杂的外延层，优选的，所述的外延层为氮化镓。所述的衬底一般为蓝宝石、硅或碳化硅。
所述的荧光胶为混有荧光粉的封装胶。所述的封装胶一般为硅胶、改性硅树脂、环氧树脂等热固性透明材料，优选的材料为硅胶。所述的荧光粉一般为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物等一种或多种材料。所述的荧光粉一般在荧光胶内的重量占比为0％至90％，优选的比例为20％至75％。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供金属基材和绝缘基材，并将两者贴合；
S2、在金属基材上制作出预设金属图案，在绝缘基材上开孔；
S3、在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距；
S4、将荧光胶在绝缘基材侧对LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，荧光胶对LED芯片与金属基材之间的间距进行填充，并使LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露；
S5、切割成单个CSP灯珠封装结构，即得。
2.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S2具体包括以下步骤：
S201、制作电路：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
S202、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层；
S203、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
S204、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔。
3.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S2具体包括以下步骤：
S211、制作电路一：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
S212、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
S213、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔；
S214、制作电路二：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
S215、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层。
4.根据权利要求2或3所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡，厚度为0.001微米至5微米。
5.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S2中，开孔尺寸的长宽比LED芯片尺寸的长宽各大0.5微米至80微米；
LED芯片的电极与金属基材之间形成间距大于0.5微米、小于80微米。
6.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S2中，所述的金属基材的材质为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，厚度为1微米至100微米。
7.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：所述绝缘基材为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构，厚度为8微米至25微米。
8.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S4中，荧光胶为混有荧光粉的封装胶，所述的封装胶为硅胶、改性硅树脂或环氧树脂，所述的荧光粉为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物中一种或多种材料，所述的荧光粉在荧光胶内的重量占比为20％至75％。
9.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：LED芯片的电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
预设金属图案包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧。
10.一种CSP灯珠封装结构，其特征在于：包括：
LED芯片，其底部设有电极，所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
绝缘载体层，其设于所述LED芯片周侧；
金属层，其设于所述绝缘载体层底部，包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧，所述电极底部表面和所述金属层底部表面处于同一水平线上；
荧光胶，其封装所述LED芯片、所述绝缘载体层和所述金属层，并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露。
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