CN113302181A - 有机化合物、el器件、发光装置、电子设备、照明装置以及电子器件 - Google Patents

有机化合物、el器件、发光装置、电子设备、照明装置以及电子器件 Download PDF

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Abstract

以提供一种折射率低的有机化合物为目的。另外，提供一种折射率低且具有电子供给性的新颖有机化合物。另外，提供一种发光效率高的EL器件。提供一种具有含有氟原子的芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物以及使用该有机化合物的EL器件。该EL器件优选包括空穴注入层，该空穴注入层包括具有包含氟原子的芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物以及对该有机化合物呈现电子接收性的物质。

Description

有机化合物、EL器件、发光装置、电子设备、照明装置以及电子 器件
技术领域
本发明的一个方式涉及一种有机化合物、EL器件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备、照明装置及电子器件。注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置以及这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
背景技术
利用使用有机化合物的电致发光(EL：Electroluminescence)的EL器件(有机EL器件)的实用化非常活跃。在这些EL器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压，注入载流子，利用该载流子的复合能量，可以获得来自发光材料的发光。
因为这种EL器件是自发光型发光器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势。因此，该EL器件适合于平板显示器元件。另外，使用这种EL器件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。再者，非常高速的响应也是该发光元件的特征之一。
此外，因为这种EL器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可应用于照明等的面光源，上述发光元件的利用价值也高。
如上所述，虽然使用EL器件的显示器或照明装置可以适合用于各种各样的电子设备，但是为了追求具有更良好的特性的EL器件的研究开发日益活跃。
提取效率低是有机EL器件的常见问题之一。尤其是，因折射率不同引起的反射导致的衰减成为元件效率下降的主要原因，为了降低该影响，提出了在EL层内部形成由低折射率材料形成的层的结构(例如，参照非专利文献1)。
与具有现有结构的EL器件相比，具有该结构的EL器件可以具有更高的发光效率，但是很难在不对EL器件的其他重要特性造成不良影响的情况下将由低折射率材料而成的层形成在EL层内部。因为，低折射率与高载流子传输性或用于EL器件时的可靠性具有权衡关系。这是因为有机化合物中的载流子传输性或可靠性大多来源于不饱和键的存在而具有很多不饱和键的有机化合物倾向于具有高折射率。
[先行技术文献]
[专利文献]
[非专利文献1]Jaeho Lee、其他12名，“Synergetic electrode architecturefor efficient graphene-based flexible organic light-emitting diodes”，natureCOMMUNICATIONS，平成28年6月2日，DOI：10.1038/ncomms11791
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的一个方式的目的是提供一种新颖有机化合物。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种折射率低的有机化合物。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种折射率低且电子供给性高的新颖有机化合物。
另外，本发明的其他一个方式的目的是提供一种发光效率高的EL器件。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种功耗低的EL器件、发光装置、电子设备、显示装置及电子器件。
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。
本发明只要实现上述目的中的任一个即可。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种EL器件，包括阳极、阴极以及位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，所述EL层包括第一层，所述第一层包含第一物质及第二物质，所述第一物质是对所述第二物质呈现电子供给性的物质，所述第一物质具有芳基胺骨架或吖啶骨架，所述第一物质含有氟原子。
另外，本发明的其他一个方式是一种EL器件，包括阳极、阴极以及位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，所述EL层包括第一层，所述第一层包含第一物质及第二物质，所述第一物质是对所述第二物质呈现电子供给性的物质，所述第一物质具有芳基胺骨架或吖啶骨架，所述第一物质具有所述芳基胺骨架或所述吖啶骨架的氮原子的孤电子对能够共轭的一个或多个芳香族环，所述芳香族环中的一个或两个键合于氟原子。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述芳香族环中的一个键合于氟原子。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述第一物质的折射率为1.8以下。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述EL层包括空穴注入层及发光层，所述发光层设置在所述空穴注入层与所述阴极之间，所述空穴注入层以与所述阳极接触的方式设置，所述第一层为所述空穴注入层。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述EL层包括多个发光单元以及设置在所述多个发光单元间的电荷产生层，所述第一层为所述电荷产生层。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述EL层还包括第二层，所述第二层包含第三物质及第四物质，所述第三物质是对所述第四物质呈现电子供给性的物质，所述第三物质是具有芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物，所述第三物质含有氟原子。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述EL层还包括第二层，所述第二层包含第三物质及第四物质，所述第三物质是对所述第四物质呈现电子供给性的物质，所述第三物质是具有芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物，所述第一物质具有所述芳基胺骨架或所述吖啶骨架的氮原子的孤电子对能够共轭的一个或多个芳香族环，所述芳香族环中的一个或两个键合于氟原子。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述第三物质的折射率为1.8以下。
另外，本发明的其他一个方式是一种EL器件，其中所述多个发光单元中的最靠近于阳极一侧的发光单元包括与所述阳极接触的空穴注入层，所述第二层为所述空穴注入层。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述第一物质与所述第三物质为相同物质，所述第二物质与所述第四物质为相同物质。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述有机化合物所包含的氟原子为五个以上。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述有机化合物所包含的氟原子为7原子％以上且40原子％以下。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中键合有所述氟原子的芳香族环为苯环或萘环。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中键合有所述氟原子的芳香族环为全氟芳基。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中键合有所述氟原子的芳香族环为全氟苯基或全氟联苯基。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述空穴注入层的厚度为20nm以上。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述第二物质为钼氧化物。
另外，本发明的其他一个方式是一种由下述通式(G1)表示的有机化合物。
[化学式1]
Figure BDA0003063495620000061
注意，在上述通式(G1)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，R13为氟或者由下述通式(g1)表示的基团。
[化学式2]
Figure BDA0003063495620000071
注意，在上述通式(g1)中，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中R13为由所述通式(g1)表示的基团。
另外，本发明的其他一个方式是一种由下述通式(G2)表示的有机化合物。
[化学式3]
Figure BDA0003063495620000072
注意，在上述通式(G2)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，R33为氟或由下述通式(g1)表示的基团。
[化学式4]
Figure BDA0003063495620000081
注意，在上述通式(g1)中，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中R33由所述通式(g1)表示。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中R25及R26为苯基。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中R21至R24及R27至R30为氢。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中R5及R6为苯基。
另外，本发明的其他一个方式是在上述结构中由下述结构式(100)表示的有机化合物。
[化学式5]
Figure BDA0003063495620000091
另外，本发明的其他一个方式是在上述结构中由下述结构式(200)表示的有机化合物。
[化学式6]
Figure BDA0003063495620000092
另外，本发明的其他一个方式是一种包含由上述结构中的任一个表示的有机化合物的EL器件。
另外，本发明的其他一个方式是一种作为空穴传输材料包含由上述结构中的任一个表示的有机化合物的EL器件。
另外，本发明的其他一个方式是一种在空穴注入层中包含由上述结构中的任一个表示的有机化合物的EL器件。
另外，本发明的其他一个方式是一种EL器件，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极与所述阴极之间的EL层，所述EL层包括空穴注入层及发光层，所述发光层位于所述空穴注入层与所述阴极之间，所述空穴注入层以与所述阳极接触的方式设置，所述空穴注入层包含由上述结构中的任一个表示的有机化合物以及第二物质，所述有机化合物是对第二物质呈现电子供给性的物质。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述有机化合物的折射率为1.8以下。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述空穴注入层的厚度为20nm以上。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件，其中所述第二物质为钼氧化物。
另外，本发明的其他一个方式是一种发光装置，包括上述结构中的任一个所述的EL器件、以及晶体管或衬底。
另外，本发明的其他一个方式是一种电子设备，包括上述发光装置、以及传感器、操作按钮、扬声器或麦克风。
另外，本发明的其他一个方式是一种照明装置，包括上述发光装置、以及外壳。
另外，本发明的其他一个方式是一种电子器件，包括上述结构中的任一个所述的有机化合物。
在本说明书中，发光装置包括使用EL器件的图像显示器件。另外，如下模块有时包括发光装置：EL器件安装有连接器诸如各向异性导电膜或TCP(Tape Carrier Package：带载封装)的模块；TCP的端部设置有印刷线路板的模块；或者通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式EL器件上直接安装有IC(集成电路)的模块。再者，照明装置等有时包括发光装置。
发明效果
本发明的一个方式可以提供一种新颖有机化合物。另外，本发明的一个方式可以提供一种折射率低的有机化合物。另外，本发明的一个方式可以提供一种折射率低且电子供给性高的有机化合物。
另外，本发明的其他一个方式可以提供一种发光效率高的EL器件。另外，本发明的一个方式可以提供一种功耗低的EL器件、发光装置、电子设备、显示装置及电子器件。
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。
附图简要说明
图1A至图1C是EL器件的示意图。
图2A及图2B是有源矩阵型发光装置的概念图。
图3A及图3B是有源矩阵型发光装置的概念图。
图4是有源矩阵型发光装置的概念图。
图5A及图5B是无源矩阵型发光装置的概念图。
图6A及图6B是示出照明装置的图。
图7A、图7B1、图7B2及图7C是示出电子设备的图。
图8A至图8C是示出电子设备的图。
图9是示出照明装置的图。
图10是示出照明装置的图。
图11是示出车载显示装置及照明装置的图。
图12A及图12B是示出电子设备的图。
图13A至图13C是示出电子设备的图。
图14A及图14B是F9BPPad的1H NMR谱。
图15A及图15B是F9BPPad的19F-NMR谱。
图16A及图16B是Pad2F8BP的1H NMR谱。
图17A及图17B是Pad2F8BP的19F-NMR谱。
图18是示出使用F9BPPad、Pad2F8BP、DBT3P-II及FATPA的复合材料的折射率的图表。
图19是甲苯溶液中的F9BPPad的吸收光谱及发射光谱。
图20是甲苯溶液中的Pad2F8BP的吸收光谱及发射光谱。
图21是EL器件1-0、EL器件2-0、比较EL器件1-0及比较EL器件2-0的亮度-电流密度特性。
图22是EL器件1-0、EL器件2-0、比较EL器件1-0及比较EL器件2-0的电流效率-亮度特性。
图23是EL器件1-0、EL器件2-0、比较EL器件1-0及比较EL器件2-0的亮度-电压特性。
图24是EL器件1-0、EL器件2-0、比较EL器件1-0及比较EL器件2-0的电流-电压特性。
图25是EL器件1-0、EL器件2-0、比较EL器件1-0及比较EL器件2-0的外部量子效率-亮度特性。
图26是EL器件1-0、EL器件2-0、比较EL器件1-0及比较EL器件2-0的发射光谱。
图27是实施例的EL器件及比较例的EL器件的1000cd/m2附近的色度x和外部量子效率的关系。
图28是实施例的EL器件及比较例的EL器件的归一化亮度-时间变化特性。
图29是F9BPPad的MS谱。
图30是Pad2F8BP的MS谱。
实施发明的方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
(实施方式1)
有机EL器件(以下也称为EL器件)一般具有在一对电极间包括含有由发光层、载流子传输层、载流子注入层等功能不同的多个层构成的有机化合物的层(也称为EL层)的结构。在阳极与发光层之间形成空穴注入层、空穴传输层，这些层具有将空穴从电极顺利地注入到EL层而将空穴快速地传输并注入到发光层的功能。
如非专利文献1报告，通过在有机EL器件的内部设置其折射率比周围的材料低的层，可以提高该有机EL器件的发光效率。正如其名，有机EL器件是使用包含有机化合物的EL层的EL器件，但是有机化合物的折射率很大程度地依赖于构成该有机化合物的原子的原子折射。也就是说，在构成有机化合物的原子中，原子折射低的原子的比例大的有机化合物很会成为折射率低的有机化合物，使用该有机化合物制造的有机EL器件能够实现高发光效率。
在此，作为原子折射低的原子，典型地可以举出氟原子。但是，由于氟原子的吸电子性高而推测为包含多个氟原子的有机化合物给空穴传输性、电子供给性带来不良影响，所以该包含多个氟原子的有机化合物几乎没有被用作空穴传输性材料、电子供给性材料。
但是，本发明人发现了：具有芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物即使在其分子结构中包含氟原子也可以适合用于电子供给性材料。包含原子折射低的氟的上述有机化合物可以为折射率低的有机化合物，使用上述有机化合物形成的空穴注入层可以为折射率低的层，由此能够提供发光效率高的EL器件。
另外，已被认为：在具有芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物中，由于这些骨架所包含的氮的孤电子对影响到电子供给性，因此在氟取代于该孤电子对能够共轭的范围内的芳香族环时因氟的吸电子性的影响较大而有机化合物的电子供给性更下降。但是，从发明人的成果可知，具有芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物即使氟取代于上述芳香族环也不太损失电子供给性，该有机化合物通过与电子接收性材料一起使用能够被用作电子供给性材料，而适当地被用作EL器件的空穴注入层。由此，易于将在分子内包含更多的氟原子的有机化合物用作电子供给性材料，可以将折射率更低的层形成在发光层内部。其结果，能够提供发光效率更良好的EL器件。
在存在于上述芳基胺骨架或吖啶骨架所包含的氮的孤电子对能够共轭的范围内的芳香族环中，该芳香族环的氢被氟取代的有机化合物在该氮键合于多个芳香族环的情况下，与采用氟原子键合于所有芳香族环的结构相比，优选采用氟原子键合于一个或两个芳香族环的结构。
另外，有机化合物所包含的氟原子比例越大越可以减少折射率，因此上述芳香族环优选键合于四个以上的氟原子。此外，氟原子优选在能够取代的所有位置键合。
另外，上述芳香族环优选为苯环或萘环，更优选为苯环。
上述在该有机化合物中的芳基胺骨架或吖啶骨架的氮的孤电子对能够共轭的范围内包含氟原子的芳香族环优选为一个，由此电子供给性不过低。
另外，该有机化合物也可以在芳基胺骨架或吖啶骨架的氮的孤电子对能够共轭的范围之外键合于包含氟原子的取代基。作为包含氟原子的取代基的例子，可以举出氟化烷基、氟化芳基，更优选为氟化芳基。其中，包含五个以上的氟原子的芳基，尤其全氟芳基的氟原子数较多，能够得到折射率更低的有机化合物，所以是优选的。另外，更优选采用在芳基胺骨架或吖啶骨架的氮的孤电子对能够共轭的芳香族环中包含氟原子且在其范围之外还包含氟原子的有机化合物，由此分子内的氟原子比例较高，并且可以使折射率更低。
另外，将上述有机化合物用作电子供给性材料的EL器件具有如下较大特征：可以在提高发光效率的同时使除发光效率外的主要特性(驱动电压、寿命等)也与使用不包含氟原子的有机化合物的EL器件同样地保持良好的状态。
也就是说，本发明人找到了包含多个吸电子性高的氟原子并保持良好的电子供给性的低折射率的有机化合物，并且实现了使用该有机化合物的发光效率良好的EL器件。尤其是，当将该有机化合物作为第一物质且将该第一物质呈现电子供给性的物质作为第二物质时，将包含第一物质及第二物质的层用作空穴注入层、串联元件中的中间层(电荷产生层)的EL器件不仅可以提高发光效率，而且可以为除发光效率外的主要特性(驱动电压、寿命等)良好的EL器件。
注意，当该有机化合物(第一物质)的分子内的氟原子比率超过40原子％时电子供给性过低而作为供体材料的功能下降，因此氟原子的比率优选为40原子％以下。另外，为了实现低折射率，优选包含7原子％以上的氟原子。
作为具体例子，如上所述的有机化合物(第一物质)的优选的方式的一部分可以由如下通式表示。
[化学式7]
Figure BDA0003063495620000161
注意，在上述通式(G1)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，R13为氟或者由下述通式(g1)表示的基团。
[化学式8]
Figure BDA0003063495620000171
注意，在上述通式(g1)中，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。
另外，在由上述通式(G1)表示的有机化合物中R13优选为氟，由此实现折射率更低的有机化合物，并且R13优选为由上述通式(g1)表示的基团，由此附加更高的电子供给性。
另外，本发明的一个方式的有机化合物也可以由下述通式(G2)表示。
[化学式9]
Figure BDA0003063495620000172
注意，在上述通式(G2)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，R33为氟或由上述通式(g1)表示的基团。
[化学式10]
Figure BDA0003063495620000181
注意，在上述通式(G3)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。
另外，由上述通式(G2)表示的有机化合物中的R33优选为氟，由此可以实现折射率更低的有机化合物。就是说，本发明的优选的一个方是由下述通式(G4)表示的有机化合物。
[化学式11]
Figure BDA0003063495620000191
注意，在上述通式(G4)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。
另外，由上述通式(G2)表示的有机化合物中的R33优选为由上述通式(g1)表示的有机化合物，由此可以附加更高的电子供给性。就是说，本发明的优选的一个方是由上述通式(G3)表示的有机化合物。
另外，在由上述通式(G1)至通式(G4)表示的有机化合物中，R5及R6优选为取代或未取代的苯基，尤其优选为未取代的苯基，由此可以提高玻璃转化温度(Tg)而保持EL器件的耐热性。另外，出于同样的理由，在上述通式(G1)或上述通式(G3)中，R25或R26优选为取代或未取代的苯基，尤其优选为未取代的苯基。
另外，在由上述通式(G1)至通式(G4)表示的有机化合物中，R2及R9优选为氢，由此保持低折射率。另外，出于同样的理由，在上述通式(G1)或上述通式(G3)中，R22或R29优选为氢。
另外，在由上述通式(G1)至通式(G4)表示的有机化合物中，R1至R4及R7至R10优选为氢，由此保持低折射率。另外，出于同样的理由，在上述通式(G1)或上述通式(G3)中，R21至R24及R27至R30优选为氢。
在由上述通式(G1)至通式(G4)表示的有机化合物中，作为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基的具体例子，可以举出由下述通式(1-1)至通式(1-23)表示的基团等。另外，在上述取代或未取代的苯基具有取代基时，作为该取代基除了由下述通式(1-1)至通式(1-23)表示的基团之外还可以使用氟基、苯基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基、二甲基芴基、二苯基三嗪基等。
[化学式12]
Figure BDA0003063495620000201
以下示出具有上述结构的有机化合物的具体例子。
[化学式13]
Figure BDA0003063495620000211
[化学式14]
Figure BDA0003063495620000221
[化学式15]
Figure BDA0003063495620000231
[化学式16]
Figure BDA0003063495620000241
[化学式17]
Figure BDA0003063495620000242
[化学式18]
Figure BDA0003063495620000251
[化学式19]
Figure BDA0003063495620000261
[化学式20]
Figure BDA0003063495620000271
[化学式21]
Figure BDA0003063495620000281
接着，说明由上述通式(G1)或通式(G2)表示的有机化合物的合成方法例子。
如下述合成方案所示，由上述通式(G1)或通式(G2)表示的有机化合物可以通过在强碱存在下使9，10-二氢吖啶的衍生物(g1-1)与氟化苯衍生物(m1)或氟化联苯衍生物(m2)起作用来合成。
[化学式22]
Figure BDA0003063495620000291
[化学式23]
Figure BDA0003063495620000292
注意，在上述合成方案中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，X4或X16为氟或氯，R13或R33为氟或由下述通式(g1)表示的基团。
[化学式24]
Figure BDA0003063495620000301
注意，在上述通式(g1)中，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。
在通过芳香亲电取代反应进行上述合成方案的情况下，作为碱可以举出如氨基锂、氨基钠、氢氧化钠、氢氧化钾等无机碱、如叔丁醇钠等有机碱等。另外，当在该反应中使用溶剂时，可以使用四氢呋喃、1，4-二氧六环、二甲氧基乙烷、甲酰胺、二甲基甲酰胺、二甲亚砜等。
如下述合成方案所示，由上述通式(G1)或通式(G2)表示的有机化合物可以通过在钯催化剂和强碱存在下使9，10-二氢吖啶的衍生物(g1-1)与氟化苯衍生物(m3)或氟化联苯衍生物(m4)起作用来合成。
[化学式25]
Figure BDA0003063495620000311
[化学式26]
Figure BDA0003063495620000312
注意，在上述合成方案中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，X4或X16表示卤素或三氟甲磺酸酯基。作为卤素优选为碘、溴或氯。另外，R13或R33为氟或由下述通式(g1)表示的基团。
[化学式27]
Figure BDA0003063495620000321
注意，在上述通式(g1)中，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。
注意，在上述合成方案中，X4或X16表示卤素或三氟甲磺酸酯基。作为卤素优选为碘、溴或氯。
上述合成方案优选利用布赫瓦尔德-哈特维希反应进行。在该反应中，利用一种钯催化剂，其中包括双(二亚苄基丙酮)钯(0)或氯化烯丙基钯(II)二聚物等钯配合物或者钯化合物、以及使用与其配位的三(叔丁基)膦、二叔丁基(1-甲基-2,2-二苯基环丙基)膦、三环已基膦等配体。作为碱，可以举出叔丁醇钠等有机碱、碳酸钾等无机碱等。此外，当在该反应中使用溶剂时，可以使用甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲基苯等。
如此，可以合成由通式(G1)或通式(G2)表示的有机化合物。
在此，如上所述那样，典型地由通式(G1)或通式(G2)表示的上述具有芳基胺骨架或吖啶骨架并包含氟的有机化合物(第一物质)通过与该有机化合物能够呈现电子供给性的第二物质一起使用可以适当地被用作EL器件中的空穴注入层、中间层。第一物质与第二物质可以混合在一起，也可以层叠它们的薄膜，优选使用通过共蒸镀而混合了的复合材料。
在一对物质中的一个物质对另一个物质呈现电子供给性时，可以说，另一个物质对一个物质呈现电子接收性。因此，第二物质可以说是对第一物质具有电子接收性的物质。作为具有可以被用作第二物质的电子接收性的物质，可以举出钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。特别优选使用氧化钼，因为其在大气中也稳定，吸湿性低，并且容易处理。
另外，除了上述物质之外，作为具有电子接收性的物质可以举出具有吸电子基团(卤基、氰基)的有机化合物。具有吸电子基团(尤其是卤基诸如氟基等、氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高，所以可以适当地被用作具有电子接收性的有机化合物。作为这种有机化合物，例如可以使用7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F4-TCNQ)、3，6-二氟-2，5，7，7，8，8-六氰基对醌二甲烷、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)、1，3，4，5，7，8-六氟四氰-萘醌二甲烷(简称：F6-TCNNQ)等、α，α’，α”-1，2，3-环烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]。作为具有电子接收性的有机化合物，吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物诸如HAT-CN等在热方面稳定，所以是优选的。
另外，也可以使用酞菁类配合物化合物如酞菁(简称：H2Pc)、铜(II)酞菁(CuPC)等；芳香胺化合物如4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N，N'-二苯基-(1，1'-联苯)-4，4'-二胺(简称：DNTPD)等。
另外，通过将对电子供给性材料和电子接收性材料进行共蒸镀来混合的复合材料用作接触于阳极的空穴注入层，在选择形成电极的材料时可以无需顾及电极的功函数。换言之，作为阳极不仅可以使用功函数高的材料，还可以使用功函数低的材料。
(实施方式2)
在本实施方式中，说明实施方式1所示的EL器件的详细方式。图1是示出本发明的一个方式的EL器件的图。图1A所示的EL器件包括阳极101、阴极102及EL层103。本发明的一个方式的EL器件在EL层103中包含实施方式1所说明的上述具有芳基胺骨架或吖啶骨架并包含氟的有机化合物(第一物质)。优选的是，在EL层103中，第一物质与第二物质形成第一层。第一物质是对第二物质呈现电子供给性的物质。
在图1中，第一层优选被用作空穴注入层111。另外，EL层103除了第一层之外还可以包括发光层113等各种功能层，并且除了上述发光层113及空穴注入层111之外还可以包括空穴传输层112、电子传输层114及电子注入层115等。发光层113包含发光材料，本发明的一个方式的EL器件从该发光材料得到发光。发光层113也可以包含主体材料及其他材料。上述第一物质也可以包含在发光层113、空穴传输层112、空穴注入层中的任意个中。注意，EL器件的结构不局限于此。
由于上述第一物质为折射率较低的有机化合物，所以通过用于EL层内部，可以得到外部量子效率良好的EL器件。另外，包含第一物质和第二物质的第一层也可以为折射率较低的层，与上述同样，包括第一层的EL器件可以为外部量子效率良好的EL器件。另外，第一层适当地被用作空穴注入层，第一层为空穴注入层的EL器件可以为其外部量子效率等的发光效率较高且除发光效率外的主要功能(驱动电压、寿命等)也良好的EL器件。
接着，对上述EL器件的详细结构和材料的例子进行说明。
阳极101优选使用功函数大(具体为4.0eV以上)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等形成。具体地，例如可以举出氧化铟-氧化锡(ITO：Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)等。虽然通常通过溅射法形成这些导电金属氧化物膜，但是也可以应用溶胶-凝胶法等来形成。作为形成方法的例子，可以举出使用对氧化铟添加有1wt％至20wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌的方法等。另外，可以使用对氧化铟添加有0.5wt％至5wt％的氧化钨和0.1wt％至1wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)。另外，可以举出金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，也可以使用石墨烯。另外，通过将后面说明的复合材料用于EL层103中的接触于阳极101的层，可以在选择电极材料时无需顾及功函数。
EL层103优选具有叠层结构，对该叠层结构没有特别的限制，可以采用空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、载流子阻挡层、激子阻挡层、电荷产生层等各种层结构。在本实施方式中，说明如下两种结构：如图1A所示，包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115的结构；以及如图1B所示，包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114、电子注入层115及电荷产生层116的结构。下面具体地示出构成各层的材料。
本发明的一个方式的EL器件包括如实施方式1所说明那样的折射率低的第一层，该第一层优选为空穴注入层111。
当不将空穴注入层111用作第一层时，该空穴注入层111可以使用具有电子接收性的物质形成。作为具有电子接收性的物质，除了在实施方式1中作为可以被用作第二物质的物质举出的物质之外，也可以使用如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等高分子等。具有电子接收性的物质通过施加电场可以从邻接的空穴传输层(或者空穴传输材料)抽出电子，通过抽出电子可以将空穴注入到(产生在)邻接的空穴传输层(或者空穴传输材料)中。
另外，作为空穴注入层111，可以使用在具有空穴传输性的物质中含有电子接收性物质的复合材料。注意，通过使用在空穴传输性物质中含有电子接收性物质的复合材料，在选择形成电极的材料时可以无需顾及电极的功函数。换言之，作为阳极101，不仅可以使用功函数高的材料，还可以使用功函数低的材料。作为该电子接收性物质，可以使用在实施方式1中作为可以被用作第二物质的物质举出的物质。
作为用于复合材料的空穴传输性物质，可以使用各种有机化合物如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烃基团、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等。作为用于复合材料的空穴传输性物质，优选使用空穴迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。以下，具体地列举可以用作复合材料中的空穴传输性物质的有机化合物。
作为可以用于复合材料的芳香胺化合物，可以举出N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-p-亚苯基二胺(简称：DTDPPA)、4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N,N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(简称：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)、1，1-双-(4-双(4-甲基-苯基)-氨基-苯基)-环己烷(简称：TAPC)等。作为咔唑衍生物，可以具体地举出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)、4，4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(简称：CzPA)、1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。作为芳烃，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-联蒽、10，10'-二苯基-9，9'-联蒽、10，10'-双(2-苯基苯基)-9，9'-联蒽、10，10'-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝等。另外，除此之外，还可以使用并五苯、晕苯等。另外，也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，例如可以举出4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。
此外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N，N'-双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。
空穴传输层112以包含具有空穴传输性的材料的方式形成。具有空穴传输性的材料优选具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率。
作为上述具有空穴传输性的材料，可以举出：4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：TPD)、4，4'-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4,4'-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4,4'-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9,9'-二芴-2-胺(简称：PCBASF)等具有芳香胺骨架的化合物；1,3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4'-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3,3'-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)等具有咔唑骨架的化合物；4,4',4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。注意，作为构成空穴传输层112的材料也可以适当地使用作为用于空穴注入层111的复合材料的具有空穴传输性的材料举出的物质。
发光层113是包含主体材料及发光材料的层。发光材料可以是荧光发光物质、磷光发光物质、呈现热活化延迟荧光(TADF)的物质或其他发光材料。另外，可以为单层，也可以由包含不同发光材料的多个层构成。
在发光层113中，作为可以用作荧光发光物质的材料，例如可以举出如下物质。注意，除此之外，还可以使用其他荧光发光物质。
可以举出5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4'-(10-苯基-9-蒽基)联苯基-4-基]-2，2'-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N,N’-二苯基-N,N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N”，N”，N”'，N”'-八苯基二苯并[g，p]
Figure BDA0003063495620000391
(chrysene)-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N'-二苯基喹吖酮(简称：DPQd)、红荧烯、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCM2)、N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：BisDCM)、2-{2,6-双[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：BisDCJTM)、N,N’-(芘-1,6-二基)双[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-03)等。尤其是，以1，6FLPAPrn、1，6mMemFLPAPrn、1，6BnfAPrn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有合适的空穴俘获性且良好的发光效率及可靠性，所以是优选的。
在发光层113中，作为可以用作磷光发光物质的材料，例如可以举出如下材料。
可以举出如下材料：三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：[Ir(mpptz-dmp)3])、三(5-甲基-3,4-二苯基-4H-1,2,4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Mptz)3])、三[4-(3-联苯)-5-异丙基-3-苯基-4H-1,2,4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrptz-3b)3])等具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1,2,4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(Mptz1-mp)3])、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1,2,4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Prptz1-Me)3])等具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1-(2,6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrpmi)3])、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(III)(简称：[Ir(dmpimpt-Me)3])等具有咪唑骨架的有机金属铱配合物；以及双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C2']铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C2']铱(III)吡啶甲酸酯(简称：FIrpic)、双{2-[3',5'-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N,C2'}铱(III)吡啶甲酸酯(简称：[Ir(CF3ppy)2(pic)])、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C2']铱(III)乙酰丙酮(简称：FIracac)等以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物。上述物质是发射蓝色磷光的化合物，并且是在440nm至520nm具有发光峰的化合物。
另外，可以举出：三(4-甲基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)3])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)3])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降冰片基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(nbppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(mpmppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(4,6-二苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(dppm)2(acac)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-Me)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-iPr)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(2-苯基吡啶根-N,C2')铱(III)(简称：[Ir(ppy)3])、双(2-苯基吡啶根-N,C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(ppy)2(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(bzq)2(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：[Ir(bzq)3])、三(2-苯基喹啉-N,C2']铱(III)(简称：[Ir(pq)3])、双(2-苯基喹啉-N,C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(pq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；以及三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(III)(简称：[Tb(acac)3(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质主要是发射绿色磷光的化合物，并且在500nm至600nm具有发光峰。另外，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有特别优异的可靠性及发光效率，所以是特别优选的。
另外，可以举出：(二异丁酰基甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶基]铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)2(dibm)])、双[4,6-双(3-甲基苯基)嘧啶根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)2(dpm)])、双[4,6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(d1npm)2(dpm)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2,3,5-三苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)2(acac)])、双(2,3,5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)2(dpm)])、(乙酰丙酮根)双[2,3-双(4-氟苯基)喹喔啉合]铱(III)(简称：[Ir(Fdpq)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基异喹啉-N,C2’)铱(III)(简称：[Ir(piq)3])、双(1-苯基异喹啉-N,C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(piq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉铂(II)(简称：PtOEP)等的铂配合物；以及三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮(propanedionato))(单菲咯啉)铕(III)(简称：[Eu(DBM)3(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3,3,3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(III)(简称：[Eu(TTA)3(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质是发射红色磷光的化合物，并且在600nm至700nm具有发光峰。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以获得色度良好的红色发光。
另外，除了上述磷光化合物以外，还可以选择已知的磷光发光材料而使用。
作为TADF材料可以使用富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等。另外，还可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等含金属卟啉。作为该含金属卟啉，例如，也可以举出由下述结构式表示的原卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Proto IX))、中卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Hemato IX))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(SnF2(Copro III-4Me)、八乙基卟啉-氟化锡配合物(SnF2(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(PtCl2OEP)等。
[化学式28]
Figure BDA0003063495620000441
另外，还可以使用由下述结构式表示的2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚[2，3-a]咔唑-11-基)-1,3,5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：PCCzTzn)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环的一方或双方的杂环化合物。该杂环化合物具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的接受性高且可靠性良好，所以是优选的。另外，在具有富π电子杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子杂芳环的电子供给性和缺π电子型杂芳环的电子接收性都高而S1能级与T1能级之间的能量差变小,可以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。注意，也可以使用键合有氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子型杂芳环。此外，作为富π电子骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。此外，作为缺π电子骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。如此，可以使用缺π电子骨架及富π电子骨架代替缺π电子杂芳环以及富π电子杂芳环中的至少一个。
[化学式29]
Figure BDA0003063495620000461
TADF材料是指S1能级和T1能级之差较小且具有通过反系间窜越将三重激发能转换为单重激发能的功能的材料。因此，能够通过微小的热能量将三重激发能上转换(up-convert)为单重激发能(反系间窜越)并能够高效地产生单重激发态。此外，可以将三重激发能转换为发光。
以两种物质形成激发态的激基复合物(Exciplex)因S1能级和T1能级之差极小而具有将三重激发能转换为单重激发能的TADF材料的功能。
注意，作为T1能级的指标，可以使用在低温(例如，77K至10K)下观察到的磷光光谱。关于TADF材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为S1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为T1能级时，S1与T1之差为0.3eV以下，更优选为0.2eV以下。
此外，当使用TADF材料作为发光中心材料时，主体材料的S1能级优选比TADF材料的S1能级高。此外，主体材料的T1能级优选比TADF材料的T1能级高。
作为发光层的主体材料，可以使用具有电子传输性的材料、具有空穴传输性的材料、上述TADF材料等各种载流子传输材料。
作为具有空穴传输性的材料，可以适当地使用作为包含在上述空穴传输层112中的具有空穴传输性的材料举出的物质。
作为具有电子传输性的材料，例如可以举出：双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等金属配合物；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：TAZ)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II)等具有多唑骨架的杂环化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mPnP2Pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4,6mDBTP2Pm-II)等具有二嗪骨架的杂环化合物；以及3,5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称：TmPyPB)等的具有吡啶骨架的杂环化合物。其中，具有二嗪骨架的杂环化合物或具有吡啶骨架的杂环化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。尤其是，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的杂环化合物具有高电子传输性，也有助于降低驱动电压。
在将荧光发光物质用作发光材料的情况下，作为主体材料，优选使用具有蒽骨架的材料。通过将具有蒽骨架的物质用作荧光发光物质的主体材料，可以实现发光效率及耐久性都良好的发光层。具有蒽骨架的材料大多具有较深的HOMO能级，因此可以适当地使用本发明的一个方式。在用作主体材料的具有蒽骨架的物质中，具有二苯基蒽骨架(尤其是9，10-二苯基蒽骨架)的物质在化学上稳定，所以是优选的。另外，在主体材料具有咔唑骨架的情况下，空穴的注入/传输性得到提高，所以是优选的，尤其是，在包含苯环稠合到咔唑的苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，空穴容易注入，所以是更优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。因此，进一步优选用作主体材料的物质是具有9，10-二苯基蒽骨架及咔唑骨架(或者苯并咔唑骨架或二苯并咔唑骨架)的物质。注意，从上述空穴注入/传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。作为这种物质的例子，可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(简称：CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(简称：cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃(简称：2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)-联苯-4’-基}蒽(简称：FLPPA)等。尤其是，CzPA、cgDBCzPA、2mBnfPPA、PCzPA呈现非常良好的特性，所以是优选的。
另外，主体材料也可以是混合多种物质的材料，当使用混合的主体材料时，优选混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料。通过混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料，可以使发光层113的传输性的调整变得更加容易，也可以更简便地进行复合区域的控制。具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的含量比为1:9至9:1即可。
另外，也可以使用这些混合了的材料形成激基复合物。通过以形成发射与发光材料的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的方式选择混合材料，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光，所以是优选的。另外，通过采用该结构可以降低驱动电压，因此是优选的。
电子传输层114是包含具有电子传输性的物质的层。作为具有电子传输性的物质，可以使用以上所述的能够用于主体材料的具有电子传输性的物质。
可以在电子传输层114和阴极102之间设置包含氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等的碱金属、碱土金属或它们的化合物的层作为电子注入层115。电子注入层115可以使用将碱金属、碱土金属或它们的化合物包含在由具有电子传输性的物质构成的层中的层或电子化合物(electride)。作为电子化合物，例如可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。
注意，作为电子注入层115，也可以使用对具有电子传输性的物质(优选为具有联吡啶骨架的有机化合物)包含上述碱金属或碱土金属的氟化物为微晶状态的浓度以上(50wt％以上)的层。由于该层为折射率低的层，所以可以提供外部量子效率更良好的EL器件。
另外，可以设置电荷产生层116，而代替电子注入层115(图1B)。电荷产生层116是通过施加电位，可以对与该层的阴极一侧接触的层注入空穴，并且对与该层的阳极一侧接触的层注入电子的层。电荷产生层116至少包括P型层117。P型层117优选使用上述构成空穴注入层111的复合材料来形成。另外，P型层117也可以将作为构成复合材料的材料包含上述包含接受性材料的膜和包含空穴传输材料的膜层叠来形成。通过对P型层117施加电位，电子和空穴分别注入到电子传输层114和用作阴极的阴极102，使得EL器件工作。此外，也可以将第一层用作P型层117。由此，可以形成折射率低的P型层117，而可以得到外部量子效率良好的EL器件。
另外，电荷产生层116除了包括P型层117之外，优选还包括电子中继层118及电子注入缓冲层119中的任一方或双方。
电子中继层118至少包含具有电子传输性的物质，并且能够防止电子注入缓冲层119和P型层117的相互作用，并顺利地传递电子。优选将电子中继层118所包含的具有电子传输性的物质的LUMO能级设定在P型层117中的电子接收性物质的LUMO能级与电子传输层114中的接触于电荷产生层116的层所包含的物质的LUMO能级之间。具体而言，电子中继层118中的具有电子传输性的物质的LUMO能级优选为-5.0eV以上，更优选为-5.0eV以上且-3.0eV以下。另外，作为电子中继层118中的具有电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。
电子注入缓冲层119可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))等电子注入性高的物质。
另外，在电子注入缓冲层119包含具有电子传输性的物质及供体性物质的情况下，作为供体性物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)以外，还可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称：TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外，作为具有电子传输性的物质，可以使用与上面所说明的用于电子传输层114的材料同样的材料形成。
作为形成阴极102的物质，可以使用功函数小(具体为3.8eV以下)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。作为这种阴极材料的具体例子，可以举出锂(Li)或铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)或者锶(Sr)等的属于元素周期表中的第1族或第2族的元素、包含它们的合金(MgAg、AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。然而，通过在阴极102和电子传输层之间设置电子注入层，可以不顾及功函数的大小而将各种导电材料诸如Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用作阴极102。这些导电材料可以通过真空蒸镀法、溅射法等干式法、喷墨法、旋涂法等形成。另外,阴极102可以通过利用溶胶-凝胶法等湿式法或利用金属材料的膏剂的湿式法形成。
另外，作为EL层103的形成方法，不论干式法或湿式法，都可以使用各种方法。例如，也可以使用真空蒸镀法、凹版印刷法、照相凹版印刷法、丝网印刷法、喷墨法或旋涂法等。
另外，也可以通过使用不同成膜方法形成上面所述的各电极或各层。
注意，设置在阳极101与阴极102之间的层的结构不局限于上述结构。但是，优选采用在离阳极101及阴极102远的部分设置空穴与电子复合的发光区域的结构，以便抑制由于发光区域与用于电极或载流子注入层的金属接近而发生的猝灭。
另外，为了抑制从在发光层中产生的激子的能量转移，接触于发光层113的如空穴传输层和电子传输层，尤其是靠近发光层113中的复合区域的载流子传输层优选使用如下物质构成，即具有比构成发光层的发光材料或者包含在发光层中的发光材料所具有的带隙大的带隙的物质。
接着，参照图1C说明具有层叠有多个发光单元的结构的EL器件(以下也称为叠层型元件或串联元件)的方式。该EL器件是在阳极和阴极之间具有多个发光单元的EL器件。一个发光单元具有与图1A所示的EL层103大致相同的结构。就是说，可以说，图1C所示的EL器件是具有多个发光单元的EL器件，而图1A或图1B所示的EL器件是具有一个发光单元的EL器件。
在图1C中，阳极501和阴极502之间层叠有第一发光单元511和第二发光单元512，并且第一发光单元511和第二发光单元512之间设置有电荷产生层513。阳极501和阴极502分别相当于图1A中的阳极101和阴极102，并且可以应用与图1A的说明同样的材料。另外，第一发光单元511和第二发光单元512可以具有相同结构，也可以具有不同结构。
电荷产生层513具有在对阳极501及阴极502施加电压时，对一个发光单元注入电子并对另一个发光单元注入空穴的功能。就是说，在图1C中，在以阳极的电位比阴极的电位高的方式施加电压的情况下，电荷产生层513只要是对第一发光单元511注入电子并对第二发光单元512注入空穴的层即可。
电荷产生层513优选具有与图1B所示的电荷产生层116同样的结构。因为有机化合物与金属氧化物的复合材料具有良好的载流子注入性及载流子传输性，从而能够实现低电压驱动及低电流驱动。注意，在发光单元的阳极一侧的面接触于电荷产生层513的情况下，电荷产生层513可以具有发光单元的空穴注入层的功能，所以在发光单元中也可以不设置空穴注入层。
另外，当在电荷产生层513中设置电子注入缓冲层119时，因为该电子注入缓冲层119具有阳极一侧的发光单元中的电子注入层的功能，所以在阳极一侧的发光单元中不一定必须设置电子注入层。
虽然在图1C中说明了具有两个发光单元的EL器件，但是可以同样地应用层叠三个以上的发光单元的EL器件。如根据本实施方式的EL器件，通过在一对电极之间将多个发光单元使用电荷产生层513隔开并配置，该元件可以在保持低电流密度的同时实现高亮度发光，并且能够实现寿命长的装置。另外，可以实现能够进行低电压驱动且低功耗的发光装置。
另外，通过使各发光单元的发光颜色不同，可以以整个EL器件得到所希望的颜色的发光。例如，通过在具有两个发光单元的EL器件中获得来自第一发光单元的红色和绿色的发光颜色以及来自第二发光单元的蓝色的发光颜色，可以得到在整个EL器件中进行白色发光的EL器件。
另外，上述EL层103、第一发光单元511、第二发光单元512及电荷产生层等各层及电极例如可以利用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、液滴喷射法(也称为喷墨法)、涂敷法、凹版印刷法等方法形成。此外，其也可以包含低分子材料、中分子材料(包括低聚物、树枝状聚合物)或者高分子材料。
(实施方式3)
在本实施方式中，对使用实施方式2所示的EL器件的发光装置进行说明。
在本实施方式中，参照图2对使用实施方式2所示的EL器件而制造的发光装置进行说明。注意，图2A是示出发光装置的俯视图，并且图2B是沿图2A中的线A-B及线C-D切断的截面图。该发光装置作为用来控制EL器件的发光的单元包括由虚线表示的驱动电路部(源极线驱动电路)601、像素部602、驱动电路部(栅极线驱动电路)603。另外，附图标记604是密封衬底，附图标记605是密封剂，由密封剂605围绕的内侧是空间607。
注意，引导布线608是用来传送输入到源极线驱动电路601及栅极线驱动电路603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的FPC(柔性印刷电路)609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽然在此只图示出FPC，但是该FPC还可以安装有印刷线路板(PWB)。本说明书中的发光装置不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有FPC或PWB的发光装置。
下面，参照图2B说明截面结构。虽然元件衬底610上形成有驱动电路部及像素部，但是在此示出作为驱动电路部的源极线驱动电路601和像素部602中的一个像素。
除了可以使用由玻璃、石英、有机树脂、金属、合金、半导体等构成的衬底以外，还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics：纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸树脂等构成的塑料衬底，而制造元件衬底610。
对用于像素或驱动电路的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用反交错型晶体管或交错型晶体管。另外，顶栅型晶体管或底栅型晶体管都可以被使用。对用于晶体管的半导体材料没有特别的限制，例如可以使用硅、锗、碳化硅、氮化镓等。或者可以使用In-Ga-Zn类金属氧化物等的包含铟、镓、锌中的至少一个的氧化物半导体。
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用结晶半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
在此，氧化物半导体优选用于设置在上述像素或驱动电路中的晶体管和用于在后面说明的触摸传感器等的晶体管等半导体装置。尤其优选使用其带隙比硅宽的氧化物半导体。通过使用带隙比硅宽的氧化物半导体，可以降低晶体管的关态电流(off-statecurrent)。
上述氧化物半导体优选至少包含铟(In)或锌(Zn)。另外，上述氧化物半导体更优选为包含以In-M-Zn类氧化物(M为Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金属)表示的氧化物的氧化物半导体。
在此，以下对能够用于本发明的一个方式的氧化物半导体进行说明。
氧化物半导体被分为单晶氧化物半导体和非单晶氧化物半导体。作为非单晶氧化物半导体，例如可以举出CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor)、多晶氧化物半导体、nc-OS(nano crystalline oxide semiconductor)、a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor)及非晶氧化物半导体等。
CAAC-OS具有c轴取向性，其多个纳米晶在a-b面方向上连结而结晶结构具有畸变。畸变是指在多个纳米晶连结的区域中晶格排列一致的区域与其他晶格排列一致的区域之间的晶格排列的方向变化的部分。
纳米晶基本上为六角形，但是不局限于正六角形，有时为非正六角形。另外，纳米晶有时在畸变中具有五角形或七角形等晶格排列。另外，在CAAC-OS中，即使在畸变附近也难以观察到明确的晶界(也称为grain boundary)。即，可知由于晶格排列畸变，可抑制晶界的形成。这是由于CAAC-OS因为a-b面方向上的氧原子排列的低密度或因金属元素被取代而使原子间的键合距离产生变化等而能够包容畸变。
CAAC-OS有具有层状结晶结构(也称为层状结构)的倾向，在该层状结晶结构中层叠有包含铟及氧的层(下面称为In层)和包含元素M、锌及氧的层(下面称为(M，Zn)层)。另外，铟和元素M彼此可以取代，在用铟取代(M，Zn)层中的元素M的情况下，也可以将该层表示为(In，M，Zn)层。另外，在用元素M取代In层中的铟的情况下，也可以将该层表示为(In，M)层。
CAAC-OS是结晶性高的氧化物半导体。另一方面，在CAAC-OS中不容易观察明确的晶界，因此不容易发生起因于晶界的电子迁移率的下降。另外，氧化物半导体的结晶性有时因杂质的进入或缺陷的生成等而降低，因此可以说CAAC-OS是杂质或缺陷(氧空位(也称为VO(oxygen vacancy))等)少的氧化物半导体。因此，具有CAAC-OS的氧化物半导体的物理性质稳定。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体具有高耐热性及高可靠性。
在nc-OS中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。另外，nc-OS在不同的纳米晶之间观察不到结晶取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS在某些分析方法中与a-likeOS或非晶氧化物半导体没有差别。
另外，在包含铟、镓和锌的氧化物半导体的一种的铟-镓-锌氧化物(以下，IGZO)有时在由上述纳米晶构成时具有稳定的结构。尤其是，IGZO有在大气中不容易进行晶体生长的倾向，所以有时与由大结晶(在此，几mm的结晶或者几cm的结晶)形成时相比由小结晶(例如，上述纳米晶)形成时在结构上稳定。
a-like OS是具有介于nc-OS与非晶氧化物半导体之间的结构的氧化物半导体。a-like OS包含空洞或低密度区域。也就是说，a-like OS的结晶性比nc-OS及CAAC-OS的结晶性低。
氧化物半导体具有各种结构及各种特性。本发明的一个方式的氧化物半导体也可以包括非晶氧化物半导体、多晶氧化物半导体、a-like OS、nc-OS、CAAC-OS中的两种以上。
另外，除了上述氧化物半导体之外还可以使用CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS。
另外，CAC-OS在材料的一部分中具有导电性的功能，在材料的另一部分中具有绝缘性的功能，作为材料的整体具有半导体的功能。此外，在将CAC-OS用于晶体管的活性层的情况下，导电性的功能是使被用作载流子的电子(或空穴)流过的功能，绝缘性的功能是不使被用作载流子的电子流过的功能。通过导电性的功能和绝缘性的功能的互补作用，可以使CAC-OS具有开关功能(开启/关闭的功能)。通过在CAC-OS中使各功能分离，可以最大限度地提高各功能。
另外，CAC-OS具有导电性区域及绝缘性区域。导电性区域具有上述导电性的功能，绝缘性区域具有上述绝缘性的功能。此外，在材料中，导电性区域和绝缘性区域有时以纳米粒子级分离。另外，导电性区域和绝缘性区域有时在材料中不均匀地分布。此外，有时观察到其边缘模糊而以云状连接的导电性区域。
此外，在CAC-OS中，导电性区域和绝缘性区域有时以0.5nm以上且10nm以下，优选为0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。
此外，CAC-OS由具有不同带隙的成分构成。例如，CAC-OS由具有起因于绝缘性区域的宽隙的成分及具有起因于导电性区域的窄隙的成分构成。在该结构中，当使载流子流过时，载流子主要在具有窄隙的成分中流过。此外，具有窄隙的成分与具有宽隙的成分互补作用，与具有窄隙的成分联动地在具有宽隙的成分中载流子流过。因此，在将上述CAC-OS用于晶体管的沟道形成区域时，在晶体管的导通状态中可以得到高电流驱动力，即大通态电流及高场效应迁移率。
也就是说，也可以将CAC-OS称为基质复合材料(matrix composite)或金属基质复合材料(metal matrix composite)。
通过作为半导体层使用上述氧化物半导体材料，可以实现电特性的变动被抑制的可靠性高的晶体管。
另外，由于具有上述半导体层的晶体管的关态电流较低，因此能够长期间保持经过晶体管而储存于电容器中的电荷。通过将这种晶体管用于像素，能够在保持各显示区域所显示的图像的灰度的状态下，停止驱动电路。其结果是，可以实现功耗极低的电子设备。
为了实现晶体管的特性稳定化等，优选设置基底膜。作为基底膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜并以单层或叠层制造。基底膜可以通过溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法(等离子体CVD法、热CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有机金属化学气相沉积)法等)、ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法、涂敷法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要则也可以不设置。
注意，FET623示出形成在驱动电路部601中的晶体管的一个。另外，驱动电路也可以利用各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。另外，虽然在本实施方式中示出在衬底上形成有驱动电路的驱动器一体型，但是不一定必须采用该结构，驱动电路也可以形成在外部，而不形成在衬底上。
另外，像素部602由多个像素形成，该多个像素都包括开关FET611、电流控制用FET612以及与该电流控制用FET612的漏极电连接的阳极613，但是并不局限于此，也可以采用组合三个以上的FET和电容器的像素部。
注意，形成绝缘物614来覆盖阳极613的端部。在此，可以使用正型感光丙烯酸树脂膜形成绝缘物614。
另外，将绝缘物614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面，以获得后面形成的EL层等的良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸树脂作为绝缘物614的材料的情况下，优选只使绝缘物614的上端部包括具有曲率半径(0.2μm至3μm)的曲面。另外，作为绝缘物614，可以使用负型感光树脂或者正型感光树脂。
阳极613上形成有EL层616及阴极617。在此，优选使用具有高功函数的材料作为用于被用作阳极的阳极613的材料。例如，除了可以使用诸如ITO膜、包含硅的铟锡氧化物膜、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等的单层膜以外，还可以使用由氮化钛膜和以铝为主要成分的膜构成的叠层膜以及由氮化钛膜、以铝为主要成分的膜和氮化钛膜构成的三层结构等。注意，如果这里采用叠层结构，由于布线的电阻值较低，因此可以得到良好的欧姆接触，另外，其可用作阳极。
另外，EL层616通过使用蒸镀掩模的蒸镀法、喷墨法、旋涂法等各种方法形成。EL层616包括实施方式2所示的结构。另外，作为构成EL层616的其他材料，也可以使用低分子化合物或高分子化合物(包含低聚物、树枝状聚合物)。
另外，作为用于形成在EL层616上并被用作阴极的阴极617的材料，优选使用具有功函数低的材料(Al、Mg、Li、Ca、或它们的合金或化合物(MgAg、MgIn、AlLi等)等)。注意，当使产生在EL层616中的光透过阴极617时，优选使用由厚度减薄了的金属薄膜和透明导电膜(ITO、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟、包含硅的铟锡氧化物、氧化锌(ZnO)等)构成的叠层作为阴极617。
另外，EL器件618由阳极613、EL层616、阴极617形成。该EL器件618是实施方式2所示的EL器件。另外，像素部由多个EL器件构成，在本实施方式的发光装置中也可以混合实施方式2所示的EL器件和具有其他结构的EL器件的双方。
另外，通过使用密封剂605将密封衬底604贴合到元件衬底610，将EL器件618设置在由元件衬底610、密封衬底604以及密封剂605围绕的空间607中。注意，空间607中填充有填料，作为该填料，有时使用惰性气体(氮或氩等)，也有时使用密封剂。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂，可以抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。
另外，优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封剂605。另外，这些材料优选为尽可能地不使水或氧透过的材料。另外，作为用于密封衬底604的材料，除了可以使用玻璃衬底或石英衬底以外，还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics：玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。
虽然在图2中没有示出，但是也可以在阴极上设置保护膜。保护膜可以由有机树脂膜或无机绝缘膜形成。另外，也可以以覆盖密封剂605的露出部分的方式形成保护膜。另外，保护膜可以覆盖一对衬底的表面及侧面、密封层、绝缘层等的露出侧面而设置。
作为保护膜可以使用不容易透过水等杂质的材料。因此，可以能够高效地抑制水等杂质从外部扩散到内部。
作为构成保护膜的材料，可以使用氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金属或聚合物等。例如，可以使用含有氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化镧、氧化硅、钛酸锶、氧化钽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化锆、氧化锡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化铒、氧化钒或氧化铟等的材料、含有氮化铝、氮化铪、氮化硅、氮化钽、氮化钛、氮化铌、氮化钼、氮化锆或氮化镓等的材料、包含含有钛及铝的氮化物、含有钛及铝的氧化物、含有铝及锌的氧化物、含有锰及锌的硫化物、含有铈及锶的硫化物、含有铒及铝的氧化物、含有钇及锆的氧化物等的材料。
保护膜优选通过台阶覆盖性(step coverage)良好的成膜方法来形成。这种方法之一是原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法。优选将可以通过ALD法形成的材料用于保护膜。通过ALD法可以形成致密且裂缝或针孔等缺陷被减少或具备均匀的厚度的保护膜。另外，可以减少当形成保护膜时加工构件受到的损伤。
例如，通过ALD法可以将均匀且缺陷少的保护膜形成在具有复杂的凹凸形状的表面或触摸面板的顶面、侧面以及背面上。
如上所述，可以得到使用实施方式2所示的EL器件制造的发光装置。
因为本实施方式中的发光装置使用实施方式2所示的EL器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，使用实施方式2所示的EL器件的发光效率良好，由此可以实现低功耗的发光装置。
图3示出通过形成呈现白色发光的EL器件设置着色层(滤色片)等来实现全彩色化的发光装置的例子。图3A示出衬底1001、基底绝缘膜1002、栅极绝缘膜1003、栅电极1006、1007、1008、第一层间绝缘膜1020、第二层间绝缘膜1021、周边部1042、像素部1040、驱动电路部1041、EL器件的阳极1024W、1024R、1024G、1024B、分隔壁1025、EL层1028、EL器件的阴极1029、密封衬底1031、密封剂1032等。
另外，在图3A中，将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)设置在透明基材1033上。另外，还可以设置黑矩阵1035。对设置有着色层及黑矩阵的透明基材1033进行对准而将其固定到衬底1001上。另外，着色层及黑矩阵1035被保护层1036覆盖。另外，图3A示出具有光不透过着色层而透射到外部的发光层及光透过各颜色的着色层而透射到外部的发光层，不透过着色层的光成为白色光且透过着色层的光成为红色光、绿色光、蓝色光，因此能够以四个颜色的像素呈现图像。
图3B示出将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)形成在栅极绝缘膜1003和第一层间绝缘膜1020之间的例子。如上述那样，也可以将着色层设置在衬底1001和密封衬底1031之间。
另外，在以上说明的发光装置中，虽然说明了具有从形成有FET的衬底1001一侧取出光的结构(底部发射型)的发光装置，但是也可以采用具有从密封衬底1031一侧取出发光的结构(顶部发射型)的发光装置。图4示出顶部发射型发光装置的截面图。在此情况下，衬底1001可以使用不使光透过的衬底。到制造用来使FET与EL器件的阳极连接的连接电极为止的工序与底部发射型发光装置同样地进行。然后，以覆盖电极1022的方式形成第三层间绝缘膜1037。该绝缘膜也可以具有平坦化的功能。第三层间绝缘膜1037可以使用与第二层间绝缘膜同样的材料或其他公知材料形成。
虽然在此EL器件的阳极1024W、1024R、1024G、1024B都是阳极，但是也可以是阴极。另外，在采用如图4所示那样的顶部发射型发光装置的情况下，阳极优选为反射电极。EL层1028的结构采用实施方式1所示的EL层103的结构，并且采用能够获得白色发光的元件结构。
在采用图4所示的顶部发射结构的情况下，可以使用设置有着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)的密封衬底1031进行密封。密封衬底1031也可以设置有位于像素和像素之间的黑矩阵1035。着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)、黑矩阵也可以被保护层1036覆盖。另外，作为密封衬底1031，使用具有透光性的衬底。另外，虽然在此示出了以红色、绿色、蓝色、白色的四个颜色进行全彩色显示的例子，但是并不局限于此，也可以以红色、黄色、绿色、蓝色的四个颜色或红色、绿色、蓝色的三个颜色进行全彩色显示。
在顶部发射型的发光装置中，可以优选地应用微腔结构。将反射电极用作阳极且将透反式电极用作阴极，由此可以得到具有微腔结构的EL器件。在反射电极与透反式电极之间至少含有EL层，并且至少含有成为发光区域的发光层。
注意，反射电极是其可见光反射率为40％至100％，优选为70％至100％，并且其电阻率为1×10-2Ωcm以下的膜。另外，透反式电极是其可见光反射率为20％至80％，优选为40％至70％，并且其电阻率为1×10-2Ωcm以下的膜。
从EL层所包含的发光层射出的光被反射电极和透反式电极反射，并且谐振。
在该EL器件中，通过改变透明导电膜、上述复合材料或载流子传输材料等的厚度而可以改变反射电极与透反式电极之间的光程。由此，可以在反射电极与透反式电极之间加强谐振的波长的光且使不谐振的波长的光衰减。
注意，被反射电极反射回来的光(第一反射光)会给从发光层直接入射到透反式电极的光(第一入射光)带来很大的干涉，因此优选将反射电极与发光层的光程调节为(2n-1)λ/4(注意，n为1以上的自然数，λ为要放大的光的波长)。通过调节该光程，可以使第一反射光与第一入射光的相位一致，由此可以进一步放大从发光层发射的光。
另外，在上述结构中，EL层可以含有多个发光层，也可以只含有一个发光层。例如，也可以采用如下结构：组合上述串联型EL器件的结构，在一个EL器件中夹着电荷产生层设置多个EL层，在每个EL层中形成一个或多个发光层。
通过采用微腔结构，可以加强指定波长的正面方向上的发光强度，由此可以实现低功耗化。注意，在为使用红色、黄色、绿色以及蓝色的四个颜色的子像素显示图像的发光装置的情况下，因为可以获得由于黄色发光的亮度提高效果，而且可以在所有的子像素中采用适合各颜色的波长的微腔结构，所以能够实现具有良好的特性的发光装置。
因为本实施方式中的发光装置使用实施方式2所示的EL器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，使用实施方式2所示的EL器件的发光效率良好，由此可以实现低功耗的发光装置。
到这里说明了有源矩阵型发光装置，下面说明无源矩阵型发光装置。图5示出通过使用本发明制造的无源矩阵型发光装置。注意，图5A是示出发光装置的立体图，并且图5B是沿图5A的线X-Y切断而获得的截面图。在图5中，衬底951上的电极952与电极956之间设置有EL层955。电极952的端部被绝缘层953覆盖。绝缘层953上设置有隔离层954。隔离层954的侧壁具有如下倾斜，即越接近衬底表面，两个侧壁之间的间隔越窄。换句话说，隔离层954的短边方向的截面是梯形，底边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953接触的边)比上边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953不接触的边)短。如此，通过设置隔离层954，可以防止起因于静电等的EL器件的不良。另外，在无源矩阵型发光装置中，通过使用实施方式2所示的EL器件，也可以得到可靠性良好的发光装置或者低功耗的发光装置。
以上说明的发光装置能够控制配置为矩阵状的微小的多个EL器件中的每一个，所以该发光装置适用于进行图像显示的显示装置。
另外，本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。
(实施方式4)
在本实施方式中，参照图6对将实施方式2所示的EL器件用于照明装置的例子进行说明。图6B是照明装置的俯视图，图6A是沿着图6B的线e-f切断的截面图。
在本实施方式的照明装置中，用作支撑体的具有透光性的衬底400上形成有阳极401。阳极401相当于实施方式1中的阳极101。当从阳极401一侧取出光时，阳极401使用具有透光性的材料形成。
在衬底400上形成用来对阴极404供应电压的焊盘412。
阳极401上形成有EL层403。EL层403相当于实施方式1中的EL层103的结构或组合发光单元511、发光单元512以及电荷产生层513的结构等。注意，作为它们的结构，参照各记载。
以覆盖EL层403的方式形成阴极404。阴极404相当于实施方式2中的阴极102。当从阳极401一侧取出光时，阴极404使用反射率高的材料形成。通过使阴极404与焊盘412连接，对阴极404供应电压。
如上所述，本实施方式所示的照明装置具备包括阳极401、EL层403以及阴极404的EL器件。由于该EL器件是发光效率高的EL器件，所以本实施方式的照明装置可以提供低功耗的照明装置。
使用密封剂405、406将形成有具有上述结构的EL器件的衬底400和密封衬底407固定来进行密封，由此制造照明装置。可以仅使用密封剂405和406中的一个。另外，也可以使内侧的密封剂406(在图6B中未图示)与干燥剂混合，由此可以吸收水分而提高可靠性。
另外，通过以延伸到密封剂405、406的外部的方式设置焊盘412和阳极401的一部分，可以将其用作外部输入端子。另外，也可以在外部输入端子上设置安装有转换器等的IC芯片420等。
以上，本实施方式所记载的照明装置作为EL器件使用实施方式2所示的EL器件，可以实现低功耗的发光装置。
(实施方式5)
在本实施方式中，对在其一部分包括实施方式2所示的EL器件的电子设备的例子进行说明。实施方式2所示的EL器件是发光效率良好且功耗低的EL器件。其结果是，本实施方式所记载的电子设备可以实现包括功耗低的发光部的电子设备。
作为采用上述EL器件的电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视机或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。以下，示出这些电子设备的具体例子。
图7A示出电视装置的一个例子。在电视装置中，外壳7101中组装有显示部7103。另外，在此示出利用支架7105支撑外壳7101的结构。可以利用显示部7103显示图像，并且将实施方式2所示的EL器件排列为矩阵状而构成显示部7103。
可以通过利用外壳7101所具备的操作开关或另行提供的遥控操作机7110进行电视装置的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以控制频道及音量，由此可以控制显示在显示部7103上的图像。另外，也可以在遥控操作机7110中设置用来显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107。
另外，电视装置采用具备接收机、调制解调器等的结构。可以通过接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，能够进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图7B1示出计算机，该计算机包括主体7201、外壳7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。另外，该计算机通过将实施方式2所示的EL器件排列为矩阵状并用于显示部7203而制造。图7B1中的计算机也可以为如图7B2所示的方式。图7B2所示的计算机设置有第二显示部7210代替键盘7204及指向装置7206。第二显示部7210是触摸面板，通过利用指头或专用笔操作显示在第二显示部7210上的输入用显示，能够进行输入。另外，第二显示部7210不仅能够显示输入用显示，而且可以显示其他图像。另外，显示部7203也可以是触摸面板。因为两个屏面通过铰链部连接，所以可以防止在收纳或搬运时发生问题如屏面受伤、破坏等。
图7C示出便携式终端的一个例子。移动电话机具备组装在外壳7401中的显示部7402、操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，移动电话机包括将实施方式2所示的EL器件排列为矩阵状而制造的显示部7402。
图7C所示的便携式终端也可以具有用指头等触摸显示部7402来输入信息的结构。在此情况下，能够用指头等触摸显示部7402来进行打电话或编写电子邮件等的操作。
显示部7402主要有三种屏面模式。第一是以图像的显示为主的显示模式，第二是以文字等的信息的输入为主的输入模式，第三是混合显示模式和输入模式的两个模式的显示输入模式。
例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，可以采用将显示部7402主要用于输入文字的文字输入模式而输入在屏面上显示的文字。在此情况下，优选在显示部7402的屏面的大多部分中显示键盘或号码按钮。
另外，通过在便携式终端内部设置具有陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，可以判断便携式终端的方向(纵或横)而自动进行显示部7402的屏面显示的切换。
另外，通过触摸显示部7402或对外壳7401的操作按钮7403进行操作，来进行屏面模式的切换。或者，也可以根据显示在显示部7402上的图像的种类切换屏面模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏面模式切换成显示模式，而当该图像信号为文字数据时，将屏面模式切换成输入模式。
另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器检测的信号而得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以进行控制以将屏面模式从输入模式切换成显示模式。
也可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或指头触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，能够进行个人识别。另外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光源或发射近红外光的感测用光源，也能够拍摄指静脉、手掌静脉等。
另外，本实施方式所示的结构可以与实施方式1至实施方式4所示的结构适当地组合来使用。
如上所述，具备实施方式2所示的EL器件的发光装置的应用范围极为广泛，而能够将该发光装置用于各种领域的电子设备。通过使用实施方式2所示的EL器件，可以得到功耗低的电子设备。
图8A是示出扫地机器人的一个例子的示意图。
扫地机器人5100包括顶面上的显示器5101及侧面上的多个照相机5102、刷子5103及操作按钮5104。虽然未图示，但是扫地机器人5100的底面设置有轮胎和吸入口等。此外，扫地机器人5100还包括红外线传感器、超音波传感器、加速度传感器、压电传感器、光传感器、陀螺仪传感器等各种传感器。另外，扫地机器人5100包括无线通信单元。
扫地机器人5100可以自动行走，检测垃圾5120，可以从底面的吸入口吸引垃圾。
另外，扫地机器人5100对照相机5102所拍摄的图像进行分析，可以判断墙壁、家具或台阶等障碍物的有无。另外，在通过图像分析检测布线等可能会绕在刷子5103上的物体的情况下，可以停止刷子5103的旋转。
可以在显示器5101上显示电池的剩余电量和所吸引的垃圾的量等。可以在显示器5101上显示扫地机器人5100的行走路径。另外，显示器5101可以是触摸面板，可以将操作按钮5104显示在显示器5101上。
扫地机器人5100可以与智能手机等便携式电子设备5140互相通信。照相机5102所拍摄的图像可以显示在便携式电子设备5140上。因此，扫地机器人5100的拥有者在出门时也可以知道房间的情况。另外，可以使用智能手机等便携式电子设备确认显示器5101的显示内容。
可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示器5101。
图8B所示的机器人2100包括运算装置2110、照度传感器2101、麦克风2102、上部照相机2103、扬声器2104、显示器2105、下部照相机2106、障碍物传感器2107及移动机构2108。
麦克风2102具有检测使用者的声音及周围的声音等的功能。另外，扬声器2104具有发出声音的功能。机器人2100可以使用麦克风2102及扬声器2104与使用者交流。
显示器2105具有显示各种信息的功能。机器人2100可以将使用者所希望的信息显示在显示器2105上。显示器2105可以安装有触摸面板。显示器2105可以是可拆卸的信息终端，通过将该信息终端设置在机器人2100的所定位置，可以进行充电及数据的收发。
上部照相机2103及下部照相机2106具有对机器人2100的周围环境进行摄像的功能。另外，障碍物传感器2107可以检测机器人2100使用移动机构2108移动时的前方的障碍物的有无。机器人2100可以使用上部照相机2103、下部照相机2106及障碍物传感器2107认知周囲环境而安全地移动。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示器2105。
图8C是示出护目镜型显示器的一个例子的图。护目镜型显示器例如包括外壳5000、显示部5001、扬声器5003、LED灯5004、连接端子5006、传感器5007(它具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风5008、显示部5002、支撑部5012、耳机5013等。
可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示部5001及第二显示部5002。
图9示出将实施方式2所示的EL器件用于作为照明装置的台灯的例子。图9所示的台灯包括外壳2001和光源2002，并且作为光源2002使用实施方式3所记载的照明装置。
图10示出将实施方式2所示的EL器件用于室内的照明装置3001的例子。由于实施方式2所示的EL器件是发光效率高的EL器件，所以可以提供低功耗的照明装置。另外，因为实施方式2所示的EL器件能够实现大面积化，所以能够用于大面积的照明装置。另外，因为实施方式2所示的EL器件的厚度薄，所以能够制造实现薄型化的照明装置。
还可以将实施方式2所示的EL器件安装在汽车的挡风玻璃或仪表盘上。图11示出将实施方式2所示的EL器件用于汽车的挡风玻璃或仪表盘的一个方式。显示区域5200至显示区域5203是使用实施方式2所示的EL器件设置的显示区域。
显示区域5200和显示区域5201是设置在汽车的挡风玻璃上的安装有实施方式2所示的EL器件的显示装置。通过使用具有透光性的电极制造实施方式2所示的EL器件的阳极和阴极，可以得到能看到对面的景色的所谓的透视式显示装置。若采用透视式显示，即使设置在汽车的挡风玻璃上，也不妨碍视界。另外，在设置用来驱动的晶体管等的情况下，优选使用具有透光性的晶体管，诸如使用有机半导体材料的有机晶体管或使用氧化物半导体的晶体管等。
显示区域5202是设置在立柱部分的安装有实施方式2所示的EL器件的显示装置。通过在显示区域5202上显示来自设置在车厢上的成像单元的图像，可以补充被立柱遮挡的视界。另外，同样地，设置在仪表盘部分上的显示区域5203通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的图像，能够补充被车厢遮挡的视界的死角，而提高安全性。通过显示图像以补充不看到的部分，更自然且简单地确认安全。
显示区域5203还可以通过显示导航信息、速度表、转速表、行车距离、燃料表、排档状态、空调的设定等提供各种信息。使用者可以适当地改变显示内容及布置。另外，这些信息也可以显示在显示区域5200至显示区域5202上。另外，也可以将显示区域5200至显示区域5203用作照明装置。
图12A和图12B示出可折叠的便携式信息终端5150。可折叠的便携式信息终端5150包括外壳5151、显示区域5152及弯曲部5153。图12A示出展开状态的便携式信息终端5150。图12B示出折叠状态的便携式信息终端5150。虽然便携式信息终端5150具有较大的显示区域5152，但是通过将便携式信息终端5150折叠，便携式信息终端5150变小而可便携性好。
可以由弯曲部5153将显示区域5152折叠成一半。弯曲部5153由可伸缩的构件和多个支撑构件构成，在折叠时，可伸缩的构件被拉伸。以弯曲部5153具有2mm以上，优选为3mm以上的曲率半径的方式进行折叠。
另外，显示区域5152也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入输出装置)。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示区域5152。
此外，图13A至图13C示出能够折叠的便携式信息终端9310。图13A示出展开状态的便携式信息终端9310。图13B示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态的中途的状态的便携式信息终端9310。图13C示出折叠状态的便携式信息终端9310。便携式信息终端9310在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
显示面板9311由铰链部9313所连接的三个外壳9315支撑。注意，显示面板9311也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入输出装置)。另外，通过在两个外壳9315之间的铰链部9313处弯折显示面板9311，可以使便携式信息终端9310从展开状态可逆性地变为折叠状态。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示面板9311。
[实施例1]
《合成例1》
在本实施例中，对作为本发明的一个方式的有机化合物的10-(2，2’，3，3’，4’，5，5’，6，6’-九氟-4-联苯基)9，9-二苯基-9H，10H-吖啶(简称：F9BPPad)以及10，10’-(2，2’，3，3’，5，5’，6，6’-八氟亚联苯-4，4’-二基)双(9，9-二苯基-9H，10H-吖啶)(简称：Pad2F8BP)的合成方法进行说明。以下示出F9BPPad及Pad2F8BP的结构。
[化学式30]
Figure BDA0003063495620000751
<步骤1：10-(2，2’，3，3’，4’，5，5’，6，6’-九氟-4-联苯基)9，9-二苯基-9H，10H-吖啶以及10，10’-(2，2’，3，3’，5，5’，6，6’-八氟亚联苯-4，4’-二基)双(9，9-二苯基-9H，10H-吖啶)的合成>
将氨基锂0.41g(16.5mmol)放在三口烧瓶中，在进行减压操作之后用氮气置换烧瓶内的空气。在该烧瓶中添加脱水THF15mL而进行搅拌。用注射器将9，9-二苯基-10H-吖啶5.0g(15mmol)的THF溶液45mL滴下到该悬浮液。在室温下对该混合悬浮液进行搅拌3小时左右而使其反应。将该混合物冷却到-78℃。在冷却之后，用注射器将十氟联苯5.0g(15mmol)的THF溶液15mL滴下到该混合物而使其反应2小时左右。将该混合物升温到室温而进行搅拌一夜晚。在搅拌后，对该混合物添加水50mL左右，进行分离。用乙酸乙酯对所得到的水层进行萃取。混合分离所得到的有机层和萃取所得到的乙酸乙酯，对其用饱和碳酸氢钠水溶液进行洗涤而分离。在用硫酸镁使所得到的有机层的水分干燥之后将其过滤出来，而用蒸发器去除溶剂。通过硅胶柱色谱法对所得到的混合物进行分离纯化，由此得到两种白色固体。所得到的两种白色固体中的一个是10-(2，2’，3，3’，4’，5，5’，6，6’-九氟-4-联苯基)9，9-二苯基-9H，10H-吖啶(简称：F9BPPad)3.2g(4.95mmol)(収率33％)，另一个是10，10’-(2，2’，3，3’，5，5’，6，6’-八氟亚联苯-4，4’-二基)双(9，9-二苯基-9H，10H-吖啶)(简称：Pad2F8BP)3.1g(3.20mmol)(収率43％)。以下示出步骤1的合成方案。
[化学式31]
Figure BDA0003063495620000761
通过核磁共振光谱法(1H-NMR及19F-NMR)分析上述步骤1所得到的白色固体。以下示出数值数据。另外，图14A及图14B示出F9BPPad的1H-NMR谱，图15A及图15B示出其19F-NMR谱，图16A及图16B示出Pad2F8BP的1H-NMR谱，图17A及图17B示出其19F-NMR谱。从其结果可知，通过步骤1的合成方法可以合成10-(2，2’，3，3’，4’，5，5’，6，6’-九氟-4-联苯基)9，9-二苯基-9H，10H-吖啶以及10，10’-(2，2’，3，3’，5，5’，6，6’-八氟亚联苯-4，4’-二基)双(9，9-二苯基-9H，10H-吖啶)。
F9BPPad
1H-NMR.δ(CDCl3)：7.17-7.28(m，8H)，6.94-7.04(m，8H)，6.48(d，2H，J＝7.5Hz).
19F-NMR.δ(CDCl3)：-159.9，-149.3，-141.7，-136.9，-136.3.
Pad2F8BP
1H-NMR.δ(CDCl3)：7.18-7.29(m，16H)，6.95-7.05(m，16H)，6.50(d，4H，J＝8.0Hz).
19F-NMR.δ(CDCl3)：-141.0，-136.0.
接着，利用梯度升华法对所得到的固体进行升华纯化。使用F9BPPad的固体3.1g通过如下方法进行升华纯化：在压力为3.0Pa、氩流量为17.9mL/min的条件下以195℃进行加热，由此以94％的回收率得到白色结晶性固体2.9g。另外，使用Pad2F8BP的固体3.0g通过如下方法进行升华纯化：在压力为3.0Pa、氩流量为18.8mL/min的条件下以290℃进行加热，由此以89％的回收率得到白色固体2.6g。
接着，图19示出甲苯溶液中的F9BPPad的吸收光谱及发射光谱，图20示出甲苯溶液中的Pad2F8BP的吸收光谱及发射光谱。
接着，对本实施例中得到的F9BPPad及Pad2F8BP通过液相色谱-质谱联用分析(Liquid Chromatography Mass Spectrometry，简称：LC/MS分析)进行分析。
在LC/MS分析中，利用赛默飞世尔科技公司制造的UltiMate3000进行LC(液相色谱)分离，并利用赛默飞世尔科技公司制造的Q Exactive进行MS分析(质谱分析)。
在LC分离中，使用任意的柱，柱温为40℃，并且其输液条件为如下：适当地选择溶剂，将任意浓度的F9BPPad及Pad2F8BP溶解于有机溶剂中进行样品的调整，且注入量为5.0μL。
利用PRM(Parallel Reaction Monitoring：平行反应监测)法进行对为来源于F9BPPad的离子的m/z＝648.13的MS2测量。PRM的设定为：靶离子的质量范围是m/z＝648.13±2.0(isolation window＝4)；以正模式进行检测。将碰撞池内使靶离子加速的能量NCE(标准化碰撞能量(Normalized Collision Energy))设定为20而进行测量。图29示出所得到的MS谱。
利用PRM法进行对为来源于Pad2F8BP的离子的m/z＝961.28的MS2测量。PRM的设定为：靶离子的质量范围是m/z＝961.28±2.0(isolation window＝4)；以正模式进行检测。将碰撞池内使靶离子加速的能量NCE(标准化碰撞能量(Normalized Collision Energy))设定为30而进行测量。图30示出所得到的MS谱。
[实施例2]
在本实施例中，对在实施方式中说明的本发明的一个方式的EL器件及比较EL器件进行说明。下面示出在本实施例中使用的有机化合物的结构式。
[化学式32]
Figure BDA0003063495620000791
(EL器件1-0的制造方法)
首先，在玻璃衬底上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)，由此形成阳极101。注意，其厚度为70nm，电极面积为2mm×2mm。
接着，作为用来在衬底上形成EL器件的预处理，用水洗涤衬底表面，以200℃烘烤1小时，然后进行370秒的UV臭氧处理。
然后，将衬底放入其内部被减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，以170℃进行真空烘烤30分钟，然后对衬底进行冷却30分钟左右。
接着，以使形成有阳极101的面朝下的方式将形成有阳极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且在阳极101上通过利用电阻加热的蒸镀法以上述结构式(100)所表示的10-(2，2’，3，3’，4’，5，5’，6，6’-九氟-4-联苯基)9，9-二苯基-9H，10H-吖啶(简称：F9BPPad)与氧化钼(VI)的重量比为2：0.5(＝F9BPPad：MoOx)且厚度为50nm的方式进行共蒸镀，由此形成空穴注入层111。
接着，在空穴注入层111上以厚度为20nm的方式蒸镀上述结构式(i)所表示的N-(1,1'-联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)，由此形成空穴传输层112。
接着，以厚度为20nm的方式共蒸镀由上述结构式(ii)表示的2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、PCBBiF以及由上述结构式(iii)表示的(乙酰丙酮根)双(4，6-二苯基嘧啶)铱(III)(简称：[Ir(dppm)2(acac)])，使重量比为0.7：0.3：0.06(＝2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：[Ir(dppm)2(acac)])，然后以厚度为20nm且重量比为0.8：0.2：0.06(＝2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：[Ir(dppm)2(acac)])的方式进行共蒸镀，由此形成发光层113。
然后，在发光层113上以厚度为30nm的方式蒸镀2mDBTBPDBq-II，然后以厚度为10nm的方式蒸镀由上述结构式(iv)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)，由此形成电子传输层114。
在形成电子传输层114之后，以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂(LiF)来形成电子注入层115，接着，以厚度为200nm的方式蒸镀铝来形成阴极102，由此制造本实施例的EL器件1-0。
(EL器件1-1至EL器件1-3的制造方法)
在EL器件1-1中，通过如下方法形成EL器件1-0中的空穴注入层111：以重量比为2：0.5(＝F9BPPad：氧化钼)且厚度为50nm的方式对F9BPPad和氧化钼(VI)进行共蒸镀；然后以重量比为2：0.5(＝DBT3P-II：氧化钼)且厚度为5nm的方式对上述结构式(v)所表示的4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)和氧化钼(VI)进行共蒸镀，除此之外EL器件1-1与EL器件1-0同样地制造。
在EL器件1-2中，以厚度为10nm的方式形成EL器件1-1中的对DBT3P-II和氧化钼进行共蒸镀来形成的层，除此之外EL器件1-2与EL器件1-1同样地制造。
在EL器件1-3中，以厚度为15nm的方式形成EL器件1-1中的对DBT3P-II和氧化钼进行共蒸镀来形成的层，除此之外EL器件1-3与EL器件1-1同样地制造。
(EL器件2-0至EL器件2-3的制造方法)
在EL器件2-0中，将在EL器件1-0中的空穴注入层111中使用的F9BPPad替换为上述结构式(200)所表示的10，10’-(2，2’，3，3’，5，5’，6，6’-八氟亚联苯-4，4’-二基)双(9，9-二苯基-9H，10H-吖啶)(简称：Pad2F8BP)，除此之外EL器件2-0与EL器件1-0同样地制造。
将EL器件1-1、EL器件1-2及EL器件1-3中的F9BPPad在EL器件2-1、EL器件2-2及EL器件2-3中分别替换为Pad2F8BP。
(比较EL器件1-0至比较EL器件1-3的制造方法)
在比较EL器件1-0中，将在EL器件1-0中的空穴注入层111中使用的F9BPPad替换为DBT3P-II，除此之外比较EL器件1-0与EL器件1-0同样地制造。
将EL器件1-1、EL器件1-2及EL器件1-3中的F9BPPad在比较EL器件1-1、比较EL器件1-2及比较EL器件1-3中分别替换为DBT3P-II。
(比较EL器件2-0至比较EL器件2-3的制造方法)
在比较EL器件2-0中，将在EL器件1-0中的空穴注入层111中使用的F9BPPad替换为上述结构式(vi)所表示的4，4，8，8，12，12-六-p-甲苯酰-4H-8H-12H-12C-氮杂-二苯并[cd，mn]芘(简称：FATPA)，除此之外比较EL器件2-0与EL器件1-0同样地制造。
将EL器件1-1、EL器件1-2及EL器件1-3中的F9BPPad在比较EL器件2-1、比较EL器件2-2及比较EL器件2-3中分别替换为FATPA。
另外，如下表示出EL器件1-0至EL器件1-3、EL器件2-0至EL器件2-3、比较EL器件1-0至比较EL器件1-3以及比较EL器件2-0至比较EL器件2-3的元件结构。
[表1]
Figure BDA0003063495620000831
*1X＝0:0nm,X＝2:5nm,X＝3:10nm,X＝4:15nm
在氮气氛的手套箱中，以不使上述EL器件暴露于大气的方式使用玻璃衬底进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行UV处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对上述EL器件的初期特性及可靠性进行测量。注意，不对其上制造EL器件的玻璃衬底进行用来提高光提取效率的特殊处理。
另外，图18示出对使用F9BPPad、Pad2F8BP、DBT3P-II及FATPA的复合材料的折射率进行测量的结果。此外，作为折射率n，有常光线的折射率的n ordinary、异常光线的折射率的n extra-ordinary以及两者的平均值的n average。在本说明书中，当简单地记载为“折射率”时，在不进行各向异性分析的情况下可以将“折射率”看作n average，在进行各向异性分析的情况下可以将“折射率”看作n ordinary。注意，n Ordinary的2倍的值与n extra-ordinary的值之和除以3的值为n average。另外，DBT3P-II是通过用作空穴注入层中的电子供给性材料可以得到良好特性的材料。
如图18所示，使用F9BPPad、Pad2F8BP的复合材料是折射率较低的材料，由于本发明的一个方式的EL器件使用该复合材料形成空穴传输层，因此可以实现空穴传输层的折射率较低的EL器件。用于EL器件的其他有机化合物的折射率为1.70至1.90左右。
图21示出EL器件1-0、EL器件2-0、比较EL器件1-0及比较EL器件2-0的亮度-电流密度特性，图22示出电流效率-亮度特性，图23示出亮度-电压特性，图24示出电流-电压特性，图25示出外部量子效率-亮度特性，图26示出发射光谱。
另外，表2示出1000cd/m2附近的EL器件1-0至EL器件1-3、EL器件2-0至EL器件2-3、比较EL器件1-0至比较EL器件1-3以及比较EL器件2-0至比较EL器件2-3的主要特性。在亮度及CIE色度的测量中利用色亮度计(由Topcon Technohouse公司制造的BM-5A)，在发射光谱的测量中利用多通道光谱分析仪(由日本滨松光子学株式会社制造的PMA-11)。
[表2]
Figure BDA0003063495620000841
从图21至图26可知，作为本发明的一个方式的EL器件的EL器件1-0及EL器件2-0都是具有与比较EL器件1-0及比较EL器件2-0同样的驱动功能且发光效率良好的EL器件。
注意，在本实施例中使用折射率不同的材料制造EL器件，由此即使以相同厚度形成各EL器件也成为电极间的光学距离不同的EL器件。此外，由于利用蒸镀制造EL器件时难以精确控制厚度，所以有时不能制造具有期望厚度的器件。
本实施例的EL器件具有如下结构：由于阴极使用铝所以阴极的反射大，阳极因折射率不同而发生一定程度的反射，由此光由于上述干涉被增强或衰减。哪个波长的光被干涉或增强，在原理上取决于电极间的光学距离。
在此，由于物质具有固有发射光谱，因此在发光强度高的波长的光被增强时高效地进行增强而发光效率提高。另一方面，在发光强度低的波长的光被增强时，与上述情况相比效率下降。也就是说，根据电极间的光学距离发光效率提高或下降。
如上所述那样，在本实施例中使用折射率不同的材料，并且准确地控制厚度是很困难的，因此电极间的光学距离不同而在图25中不能精确地比较发光效率。
于是，图27示出1000cd/m2附近的EL器件1-0至EL器件1-3、EL器件2-0至EL器件2-3、比较EL器件1-0至比较EL器件1-3及比较EL器件2-0至比较EL器件2-3的色度x和外部量子效率的关系。
横轴为色度x的理由如下：干涉效应由电极间的光学距离决定，使用相同的发光物质受到相同的干涉效应的光呈现同样的发射光谱，由此可以认为相同色度的发光受到相同的干涉效应，电极间的光学距离相同。
也就是说，通过使用图27，可以消除上述材料的折射率的差异或起因于蒸镀工作的光学距离的差异而纯粹地验证低折射率的层对发光效率的提高效果。
根据图27，使用具有同样的折射率的Pad2F8BP及FATPA的EL器件2-0至2-3及比较EL器件2-0至2-3在相同色度下具有同样的外部量子效率。另外，使用折射率更低的F9BPPad的EL器件1-0至1-3具有高于EL器件2-0至2-3及比较EL器件2-0至2-3的外部量子效率，与作为被用作EL器件的有机化合物使用具有一般的折射率的DBT3P-II的比较EL器件1-0至1-3相比，可以得到最大为15％的效率提高效果。
注意，从表2可知，本发明的一个方式的EL器件是没有发生驱动电压等的大幅度劣化且具有良好的驱动特性的EL器件。
另外，图28是示出对EL器件1-0、EL器件1-2、EL器件2-0、EL器件2-2、比较EL器件1-0、比较EL器件1-2及比较EL器件2-0、比较EL器件2-2施加2mA来进行恒流驱动时的对于驱动时间的亮度变化的图。从图28可知，各EL器件的亮度变化没有很大的差异，本发明的一个方式的EL器件是在保持长寿命的同时具有良好的发光效率的EL器件。
[符号说明]
101：阳极、102：阴极、103：EL层、111：空穴注入层、112：空穴传输层、113：发光层、114：电子传输层、115：电子注入层、116：电荷产生层、117：P型层、118：电子继电层、119：电子注入缓冲层、400：衬底、401：阳极、403：EL层、404：阴极、405：密封剂、406：密封剂、407：密封衬底、412：焊盘、420：IC芯片、501：阳极、502：阴极、511：第一发光单元、512：第二发光单元、513：电荷产生层、601：驱动电路部(源极线驱动电路)、602：像素部、603：驱动电路部(栅极线驱动电路)、604：密封衬底、605：密封剂、607：空间、608：布线、609：FPC(柔性印刷电路)、610：元件衬底、611：开关用FET、612：电流控制用FET、613：阳极、614：绝缘物、616：EL层、617：阴极、618：EL器件、951：衬底、952：电极、953：绝缘层、954：隔离层、955：EL层、956：电极、1001：衬底、1002：基底绝缘膜、1003：栅极绝缘膜、1006：栅电极、1007：栅电极、1008：栅电极、1020：第一层间绝缘膜、1021：第二层间绝缘膜、1022：电极、1024W：阳极、1024R：阳极、1024G：阳极、1024B：阳极、1025：分隔壁、1028：EL层、1029：阴极、1031：密封衬底、1032：密封剂、1033：透明基材、1034R：红色着色层、1034G：绿色着色层、1034B：蓝色着色层、1035：黑矩阵、1036：覆盖层、1037：第三层间绝缘膜、1040：像素部、1041：驱动电路部、1042：周辺部、2001：外壳、2002：光源、2100：机器人、2110：运算装置、2101：照度传感器、2102：麦克风、2103：上部照相机、2104：扬声器、2105：显示器、2106：下部照相机、2107：障碍物传感器、2108：移动机构、3001：照明装置、5000：外壳、5001：显示部、5002：第二显示部、5003：扬声器、5004：LED灯、5006：连接端子、5007：传感器、5008：麦克风、5012：支撑部、5013：耳机、5100：扫地机器人、5101：显示器、5102：照相机、5103：刷子、5104：操作按钮、5150：便携式信息终端、5151：外壳、5152：显示区域、5153：弯曲部、5120：垃圾、5200：显示区域、5201：显示区域、5202：显示区域、5203：显示区域、7101：外壳、7103：显示部、7105：支架、7107：显示部、7109：操作键、7110：遥控操作机、7201：主体、7202：外壳、7203：显示部、7204：键盘、7205：外部连接端口、7206：指向装置、7210：第二显示部、7401：外壳、7402：显示部、7403：操作按钮、7404：外部连接端口、7405：扬声器、7406：麦克风、9310：便携式信息终端、9311：显示面板、9312：显示区域、9313：铰链部、9315：外壳。

Claims (40)

1.一种EL器件，包括：
阳极；
阴极；以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，
其中，所述EL层包括第一层，
所述第一层包含第一物质及第二物质，
所述第一物质是对所述第二物质呈现电子供给性的物质，
所述第一物质具有芳基胺骨架或吖啶骨架，
并且，所述第一物质含有氟原子。
2.一种EL器件，包括：
阳极；
阴极；以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，
其中，所述EL层包括第一层，
所述第一层包含第一物质及第二物质，
所述第一物质是对所述第二物质呈现电子供给性的物质，
所述第一物质具有芳基胺骨架或吖啶骨架，
所述第一物质具有所述芳基胺骨架或所述吖啶骨架的氮原子的孤电子对能够共轭的一个或多个芳香族环，
并且，所述芳香族环中的一个或两个键合于氟原子。
3.根据权利要求2所述的EL器件，
其中所述芳香族环中的一个键合于氟原子。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的EL器件，
其中所述第一物质的折射率为1.8以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的EL器件，
其中所述EL层包括空穴注入层及发光层，
所述发光层设置在所述空穴注入层与所述阴极之间，
所述空穴注入层以与所述阳极接触的方式设置，
并且所述第一层为所述空穴注入层。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的EL器件，
其中所述EL层包括多个发光单元以及设置在所述多个发光单元间的电荷产生层，
并且所述第一层为所述电荷产生层。
7.根据权利要求6所述的EL器件，
其中所述EL层还包括第二层，
所述第二层包含第三物质及第四物质，
所述第三物质是对所述第四物质呈现电子供给性的物质，
所述第三物质是具有芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物，
并且所述第三物质含有氟原子。
8.根据权利要求6所述的EL器件，
其中所述EL层还包括第二层，
所述第二层包含第三物质及第四物质，
所述第三物质是对所述第四物质呈现电子供给性的物质，
所述第三物质是具有芳基胺骨架或吖啶骨架的有机化合物，
所述第一物质具有所述芳基胺骨架或所述吖啶骨架的氮原子的孤电子对能够共轭的一个或多个芳香族环，
并且所述芳香族环中的一个或两个键合于氟原子。
9.根据权利要求7或8所述的EL器件，
其中所述第三物质的折射率为1.8以下。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的EL器件，
其中所述多个发光单元中的最靠近于阳极一侧的发光单元包括与所述阳极接触的空穴注入层，
并且所述第二层为所述空穴注入层。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的EL器件，
其中所述第一物质与所述第三物质为相同物质，
并且所述第二物质与所述第四物质为相同物质。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的EL器件，
其中所述有机化合物所包含的氟原子为五个以上。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的EL器件，
其中所述有机化合物所包含的氟原子为7原子％以上且40原子％以下。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的EL器件，
其中键合有所述氟原子的芳香族环为苯环或萘环。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的EL器件，
其中键合有所述氟原子的芳香族环为全氟芳基。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的EL器件，
其中键合有所述氟原子的芳香族环为全氟苯基或全氟联苯基。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的EL器件，
其中所述空穴注入层的厚度为20nm以上。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的EL器件，
其中所述第二物质为钼氧化物。
19.一种由下述通式(G1)表示的有机化合物。
[化学式1]
Figure FDA0003063495610000031
(注意，在上述通式(G1)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，R13为氟或者由下述通式(g1)表示的基团。)
[化学式2]
Figure FDA0003063495610000041
(注意，在上述通式(g1)中，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。)
20.根据权利要求19所述的有机化合物，
其中R13为由所述通式(g1)表示的基团。
21.根据权利要求19所述的有机化合物，
其中R13为氟。
22.一种由下述通式(G2)表示的有机化合物。
[化学式3]
Figure FDA0003063495610000042
(注意，在上述通式(G2)中，R1至R4及R7至R10分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R5及R6分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。另外，R33为氟或由下述通式(g1)表示的基团。)
[化学式4]
Figure FDA0003063495610000051
(注意，在上述通式(g1)中，R21至R24及R27至R30分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基及碳原子数为1至6的氟化烷基中的任意个，R25及R26分别独立地为氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的氟化烷基及取代或未取代的苯基中的任意个。)
23.根据权利要求22所述的有机化合物，
其中R33由所述通式(g1)表示。
24.根据权利要求22所述的有机化合物，
其中R33为氟。
25.根据权利要求19至24中任一项所述的有机化合物，
其中R25及R26为苯基。
26.根据权利要求19至25中任一项所述的有机化合物，
其中R21至R24及R27至R30为氢。
27.根据权利要求19至27中任一项所述的有机化合物，
其中R5及R6为苯基。
28.一种由下述结构式(100)表示的有机化合物。
[化学式5]
Figure FDA0003063495610000052
29.一种由下述结构式(200)表示的有机化合物。
[化学式6]
Figure FDA0003063495610000061
30.一种包含由权利要求19至29中的任一项表示的有机化合物的EL器件。
31.一种作为空穴传输材料包含由权利要求19至29中的任一项表示的有机化合物的EL器件。
32.一种在空穴注入层中包含由权利要求19至30中的任一项表示的有机化合物的EL器件。
33.一种EL器件，包括：
阳极；
阴极；以及
设置在所述阳极与所述阴极之间的EL层，
其中，所述EL层包括空穴注入层及发光层，
所述发光层位于所述空穴注入层与所述阴极之间，
所述空穴注入层以与所述阳极接触的方式设置，
所述空穴注入层包含由权利要求19至30中的任一项表示的有机化合物以及第二物质，
并且，所述有机化合物是对所述第二物质呈现电子供给性的物质。
34.根据权利要求30至33中任一项所述的EL器件，
其中所述有机化合物的折射率为1.8以下。
35.根据权利要求30至34中任一项所述的EL器件，
其中所述空穴注入层的厚度为20nm以上。
36.根据权利要求30至35中任一项所述的EL器件，
其中所述第二物质为钼氧化物。
37.一种发光装置，包括权利要求1至18及权利要求30至36中任一项所述的EL器件、以及晶体管或衬底。
38.一种电子设备，包括权利要求37所述的发光装置、以及传感器、操作按钮、扬声器或麦克风。
39.一种照明装置，包括权利要求37所述的发光装置、以及外壳。
40.一种电子器件，包括权利要求19至29中任一项所述的有机化合物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8283002B2 (en) 2008-11-18 2012-10-09 Plextronics, Inc. Aminobenzene compositions and related devices and methods
KR101759481B1 (ko) * 2010-03-25 2017-07-20 에스에프씨 주식회사 스피로 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JP5821602B2 (ja) * 2011-12-14 2015-11-24 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途
US10700283B2 (en) 2013-10-04 2020-06-30 Nissan Chemical Industries, Ltd. Aniline derivatives and uses thereof
JP6678574B2 (ja) 2014-03-27 2020-04-08 日産化学株式会社 電荷輸送性ワニス
KR102524730B1 (ko) * 2016-01-08 2023-04-24 가부시끼가이샤 레조낙 유기 일렉트로닉스 재료, 유기 일렉트로닉스 소자 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
CN111512459A (zh) * 2017-12-20 2020-08-07 日产化学株式会社 电荷传输性清漆

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