CN113299453A - 线圈部件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够减少烧制时的绝缘体部与导体部之间的收缩率之差且可靠性高的层叠线圈部件。层叠线圈部件包括:绝缘体部;线圈,其埋设于上述绝缘体部,由多个线圈导体层电连接而成;以及外部电极,其设置于上述绝缘体部的表面,并与上述线圈电连接,在上述层叠线圈部件中,在层叠方向上邻接的上述线圈导体层通过贯通孔导体和连接导体连接,上述连接导体的空隙面积率小于上述线圈导体层的空隙面积率。
Description
技术领域
本公开涉及层叠线圈部件。
背景技术
作为层叠线圈部件的制造方法,公知有在绝缘片材上形成线圈图案,并将它们层叠而得到层叠成形体,并对其进行烧制的方法。此时,线圈导体通过贯通绝缘片材的贯通孔导体而相互连接,但也存在为了强化线圈导体与贯通孔导体之间的连接而在它们之间设置连接导体的情况(专利文献1)。
专利文献1:日本特开2009-117665号公报
专利文献1记载的那样的层叠线圈部件在线圈导体与贯通孔导体之间具有连接导体,因此,在连接导体所存在的部分中,导体层的厚度变大。通常,绝缘层与导体层在烧制时的收缩率不同,由于该收缩率之差可在层叠线圈部件的内部产生应力。由于该应力的影响,恐怕使本体产生龟裂,或者电特性产生不一致。
发明内容
本公开包括以下的方式。
[1]一种层叠线圈部件,包括:绝缘体部;
线圈,其埋设于上述绝缘体部,并由多个线圈导体层电连接成;以及
外部电极,其设置于上述绝缘体部的表面,并与上述线圈电连接,
在上述层叠线圈部件中,
在层叠方向上邻接的上述线圈导体层通过贯通孔导体和连接导体连接,
上述连接导体的空隙面积率小于上述线圈导体层的空隙面积率。
[2]在上述[1]所述的层叠线圈部件中,上述连接导体的空隙面积率为1.0%以上且4.0%以下。
[3]在上述[1]或[2]所述的层叠线圈部件中,上述线圈导体层的空隙面积率为5.0%以上且15.0%以下。
[4]在上述[1]~[3]中任一项所述的层叠线圈部件中,在上述线圈导体层和与该线圈导体层连接的上述连接导体之间的局部,存在上述绝缘体部的局部。
[5]一种层叠线圈部件的制造方法,包括:
通过第1导电性膏在绝缘片材上形成导电性膏层;
通过第2导电性膏在上述导电性膏层上形成连接电极膏层;
通过绝缘膏在上述绝缘片材上的没有形成有上述导电膏层的区域形成绝缘膏层;
层叠多个上述绝缘片材,形成使导电膏层以螺旋状连接的层叠成形体;以及
对上述层叠成形体进行烧制,
上述层叠线圈部件的制造方法的特征在于,
上述第2导电膏的PVC大于第1导电膏的PVC。
[6]在上述[5]所述的层叠线圈部件的制造方法中,上述第2导电膏的PVC为80%以上且90%以下。
本公开的层叠线圈部件由于连接导体的空隙面积率小于贯通孔导体的空隙面积率,所以能够减少烧制时的绝缘体部与导体部之间的收缩率之差。因此,本公开的层叠线圈部件可靠性高。
附图说明
图1是示意性地表示本公开的层叠线圈部件1的立体图。
图2是表示图1所示的层叠线圈部件1的沿着x-x的剖切面的剖视图。
图3是表示图1所示的层叠线圈部件1的沿着y-y的剖切面的剖视图。
图4的(a)~(f)是用于对图1所示的层叠线圈部件1的制造方法进行说明的图。
图5的(a)~(e)是用于对图1所示的层叠线圈部件1的制造方法进行说明的图。
图6的(a)~(e)是用于对图1所示的层叠线圈部件1的制造方法进行说明的图。
图7的(a)~(e)是用于对图1所示的层叠线圈部件1的制造方法进行说明的图。
图8是表示本公开的层叠线圈部件的线圈导体层、贯通孔导体和连接导体层附近的截面构造的剖视图。
附图标记说明
1…层叠线圈部件;2…本体;4、5…外部电极;6…绝缘体部;7…线圈;11…第1绝缘体层;12…第2绝缘体层;15…线圈导体层;16…贯通孔导体;17…连接导体;18…引出部;19…低收缩层;20…高收缩层;21…空隙;31…铁氧体片材;32…树脂膏层;33…低收缩导电性膏层;34…高收缩导电性膏层;35…铁氧体膏层;36…连接电极膏层;41…铁氧体片材;42…过孔;43…树脂膏层;44…高收缩导电性膏层;45…铁氧体膏层;46…连接电极膏层;51…铁氧体片材;52…过孔;53…树脂膏层;54…高收缩导电性膏层;55…铁氧体膏层;56…连接电极膏层;61…铁氧体片材;62…过孔;63…树脂膏层;64…低收缩导电性膏层;65…高收缩导电性膏层;66…铁氧体膏层。
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的一个实施方式的层叠线圈部件1详细地进行说明。其中,本实施方式的层叠线圈部件和各构成要素的形状和配置等不限定于图示的例子。
图1示出本实施方式的层叠线圈部件1的立体图,图2示出x-x剖视图,图3示出y-y剖视图。另外,图4示出层叠线圈部件1的制造中的印刷工序。其中,下述实施方式的层叠线圈部件和各构成要素的形状和配置等不限定于图示的例子。
如图1~图3所示那样,本实施方式的层叠线圈部件1是大致具有长方体形状的层叠线圈部件。在层叠线圈部件1中,将与图1的L轴垂直的面称为“端面”,将与W轴垂直的面称为“侧面”,将与T轴垂直的面称为“上表面和下表面”。层叠线圈部件1主要包括本体2和在该本体2的两端面设置的外部电极4、5。本体2包括:绝缘体部6和埋设于该绝缘体部6的线圈7。该绝缘体部6具有第1绝缘体层11和第2绝缘体层12。上述线圈7是通过使线圈导体层15利用贯通孔导体16和连接导体17以螺旋状连接而构成的。上述连接导体17的空隙面积率小于上述线圈导体层15的空隙面积率。线圈7在设置于其两端的引出部18处与外部电极4、5连接。在线圈导体层15的一个主面(图2和图3中下方主面)与绝缘体部6之间的边界设置有空隙21。
在本实施方式的层叠线圈部件1中,本体2由绝缘体部6和线圈7构成。
上述绝缘体部6可包括第1绝缘体层11和第2绝缘体层12。
上述第1绝缘体层11设置于在层叠方向上邻接的线圈导体层15之间和线圈导体层15与本体的上表面或者下表面之间。
上述第2绝缘体层12设置于线圈导体层15四周。换言之,第2绝缘体层12形成在层叠方向上处于与线圈导体层15相同的高度的层。例如,图2中,第2绝缘体层12a位于在层叠方向上与线圈导体层15a相同的高度。
在一个方式中,也可以是,第2绝缘体层12设置为其局部爬上线圈导体层15的外缘部分。换言之,第2绝缘体层12也可以设置为覆盖线圈导体层15的外缘部分。
在一个方式中,在从上表面侧对一个线圈导体层15、第2绝缘体层12和连接导体17进行俯视的情况下,第2绝缘体层12可存在至比线圈导体层15的外缘靠内侧处。换言之,如图8所示,线圈导体层15与连接导体17间的连接面22的端a位于比线圈导体层15的端c靠内侧处。此处,“内侧”是指线圈导体层15的内部侧,例如是指图8所示的线圈导体层15的截面的中央侧。
在一个方式中,在俯视一个线圈导体层15、第2绝缘体层12和连接导体17的情况下,第2绝缘体层12可存在至比连接导体17的外缘靠内侧处。换言之,如图8所示,在层叠线圈部件的截面中,线圈导体层15与连接导体17间的连接面22的端a位于比连接导体17的端b靠内侧处。此处,“内侧”是指连接导体17的内部侧,例如是指图8所示的连接导体17的截面的中央侧。
在优选的方式中,在俯视一个线圈导体层15、第2绝缘体层12和连接导体17的情况下,第2绝缘体层12可存在至比线圈导体层15和连接导体17的外缘靠内侧处。换言之,如图8所示,在层叠线圈部件的截面中,线圈导体层15与连接导体17间的连接面22的端a位于比线圈导体层15的端c和连接导体17的端b靠内侧处。例如,如图8所示的那样,第2绝缘体层12以楔形挤入线圈导体层15和连接导体17。
也可以是,上述第1绝缘体层11和第2绝缘体层12在本体2中一体化。在这种情况下,认为第2绝缘体层12存在于与相互连接的线圈导体层15和连接导体17相同的高度处。
上述绝缘体部6优选由磁性体构成,更加优选由烧结铁氧体构成。上述烧结铁氧体作为主成分,至少包括Fe、Ni和Zn。烧结铁氧体也可以还包括Cu。
上述第1绝缘体层11和上述第2绝缘体层12也可以是相同的组成,也可以是不同的组成。在优选的方式中,上述第1绝缘体层11和上述第2绝缘体层12是相同的组成。
在一个方式中,上述烧结铁氧体作为主成分,至少包括Fe、Ni、Zn和Cu。
在上述烧结铁氧体中,Fe含量优选的是,换算为Fe2O3,为40.0摩尔%以上且49.5摩尔%以下(主成分合计基准,以下也相同),更优选为45.0摩尔%以上且49.5摩尔%以下。
在上述烧结铁氧体中,Zn含量优选的是,换算为ZnO,为5.0摩尔%以上且35.0摩尔%以下(主成分合计基准,以下也相同),更优选为10.0摩尔%以上且30.0摩尔%以下。
在上述烧结铁氧体中,Cu含量优选的是,换算为CuO,为4.0摩尔%以上且12.0摩尔%以下(主成分合计基准,以下也相同),更优选为7.0摩尔%以上且10.0摩尔%以下。
在上述烧结铁氧体中,Ni含量没有特别限定,可成为作为上述其他主成分的Fe、Zn和Cu的剩余部分。
在一个方式中,对于上述烧结铁氧体而言,Fe换算为Fe2O3,为40.0摩尔%以上且49.5摩尔%以下,Zn换算为ZnO,为5.0摩尔%以上且35.0摩尔%以下,Cu换算为CuO,为4.0摩尔%以上且12.0摩尔%以下,NiO为剩余部分。
在本公开中,上述烧结铁氧体也可以还包含添加成分。作为烧结铁氧体的添加成分,例如可举出Mn、Co、Sn、Bi、Si等,但不限定于此。优选Mn、Co、Sn、Bi和Si的含量(添加量)优选的是,相对于主成分(Fe(Fe2O3换算)、Zn(ZnO换算)、Cu(CuO换算)和Ni(NiO换算))的合计100重量份,分别换算为Mn3O4、Co3O4、SnO2、Bi2O3和SiO2,为0.1重量份以上且1重量份以下。另外,上述烧结铁氧体也可以还包括在制造上不可避免的杂质。
如上述那样,上述线圈7是通过使线圈导体层15以螺旋状相互电连接而构成的。在层叠方向上邻接的线圈导体层15通过在贯通绝缘体部6的贯通孔导体16、上述线圈导体层与上述贯通孔导体之间设置的连接导体17连接。
构成线圈导体层15的材料没有特别限定,例如可举出Au、Ag、Cu、Pd、Ni等。构成上述线圈导体层15的材料优选为Ag或者Cu,更优选为Ag。导电性材料仅为1种,也可以为2种以上。
上述贯通孔导体16设置为贯通第1绝缘体层11。构成贯通孔导体16的材料可以是关于上述线圈导体层15而描述的材料。构成贯通孔导体16的材料可以与构成线圈导体层15的材料相同,也可以与构成线圈导体层15的材料不同。在优选的方式中,构成贯通孔导体16的材料与构成线圈导体层15的材料相同。在优选的方式中,构成贯通孔导体16的材料为Ag。
上述连接导体17至少在线圈导体层15上且供贯通孔导体16连接的部位设置。例如,在从上表面侧俯视的情况下,连接导体17设置为包括供该连接导体17连接的贯通孔导体16所存在的区域。构成连接导体17的材料可以是关于上述线圈导体层15而描述的材料。构成连接导体17的材料可以与构成线圈导体层15的材料相同,也可以与构成线圈导体层15的材料不同。在优选的方式中,构成连接导体17的材料与构成线圈导体层15的材料相同。在优选的方式中,构成连接导体17的材料为Ag。
在本公开的层叠线圈部件中,上述连接导体17的空隙面积率小于上述线圈导体层15的空隙面积率。
上述连接导体17的空隙面积率优选为1.0%以上且4.0%以下,更优选为1.5%以上且3.0%以下,进一步优选为2.0%以上且3.0%以下。通过使连接导体的空隙面积率成为上述范围,能够更加抑制本体的龟裂的产生和电特性的不一致。另外,也能够抑制压接制造时的层叠体时的回弹。
上述线圈导体层15的空隙面积率优选为5.0%以上且15.0%以下,更优选为6.0%以上且12.0%以下,进一步优选为7.0%以上且10.0%以下。通过使线圈导体层的空隙面积率成为上述的范围,能够更加抑制本体的龟裂的产生和电特性的不一致。
在优选的方式中,上述连接导体17的空隙面积率优选为1.0%以上且4.0%以下,更优选为1.5%以上且3.0%以下,进一步优选为2.0%以上且3.0%以下,上述线圈导体层15的空隙面积率优选为5.0%以上且15.0%以下,更优选为6.0%以上且12.0%以下,进一步优选为7.0%以上且10.0%以下。通过使连接导体和线圈导体层的空隙面积率成为上述范围,能够更加抑制本体的龟裂的产生和电特性的不一致。
上述连接导体的空隙面积率与上述线圈导体层的空隙面积率之比(连接导体的空隙面积率/线圈导体层的空隙面积率)优选为1/20~4/5,更优选为1/15~2/5,进一步优选为1/10~1/5。通过使上述之比成为上述的范围,能够更加抑制本体的龟裂的产生和电特性的不一致。
在一个方式中,连接导体通过因烧制产生的收缩率为5%以上且15%以下的材料而形成。
在一个方式中,线圈导体层通过因烧制产生的收缩率比连接导体大且为15%以上且20%以下的材料而形成。
在上述线圈7中,引出部18的线圈导体层15的厚度大于绕线部的线圈导体层15的厚度。通过使上述线圈导体层的厚度在引出部处较厚,从而引出部的线圈导体层与绝缘体部间的紧贴性提高。
在本实施方式中,上述线圈7的引出部18的线圈导体层15层叠有烧制时的收缩率比较小的低收缩层19和收缩率比较大的高收缩层20。通过在引出部处层叠烧制时的收缩率比较小的低收缩层,从而抑制烧制时的收缩,引出部的线圈导体与绝缘体部之间不易产生缝隙,引出部的线圈导体层与绝缘体部之间的紧贴性提高。
另一方面,线圈7的绕线部的线圈导体层15可以是烧制时的收缩率比较大的高收缩层。通过将绕线部的线圈导体层15烧制成烧制时的收缩率比较大的高收缩层,能够更加切实地形成作为应力缓和空间的空隙21。
在一个方式中,低收缩层19通过因烧制产生的收缩率为5%以上且15%以下的材料而形成。
在一个方式中,高收缩层20通过因烧制产生的收缩率比低收缩层19大且为15%以上且20%以下的材料而形成。
上述引出部18的线圈导体层15中的低收缩层19与高收缩层20的厚度之比(低收缩层/高收缩层)优选为0.2以上且1.8以下,更优选为0.2以上且0.8以下。
上述空隙21作为所谓的应力缓和空间发挥功能。空隙21的厚度优选为1μm以上且30μm以下,更优选为5μm以上且15μm以下。
空隙21的厚度是层叠方向的厚度,能够如以下那样测定。
以使芯片的LT面朝向研磨纸的状态进行研磨,在线圈导体层的W尺寸的中央部停止研磨。其后,利用显微镜进行观察。利用显微镜所附带的测定功能来测定位于线圈导体层的L尺寸的中央部的空隙厚度。
外部电极4、5设置为覆盖本体2的两端面。上述外部电极由导电性材料,优选由从Au、Ag、Pd、Ni、Sn和Cu选择出的1种或者1种以上金属材料构成。
上述外部电极也可以是单层,也可以是多层。在一个方式中,上述外部电极为多层,优选为2层以上且4层以下,例如为3层。
在一个方式中,外部电极为多层,可包括包含Ag或者Pd的层、包含Ni的层或者包含Sn的层。在优选的方式中,上述外部电极由包含Ag或者Pd的层、包含Ni的层和包含Sn的层构成。优选上述的各层从线圈导体层侧按包含Ag或者Pd优选包含Ag的层、包含Ni的层、包含Sn的层顺序设置。优选上述包含Ag或者Pd的层是对Ag膏或者Pd膏进行了烧制的层,包含上述Ni的层和包含Sn的层是镀敷层。
本公开的层叠线圈部件优选长度为0.4mm以上且3.2mm以下,宽度为0.2mm以上且2.5mm以下,高度为0.2mm以上且2.0mm以下,更优选长度为0.6mm以上且2.0mm以下,宽度为0.3mm以上且1.3mm以下,高度为0.3mm以上且1.0mm以下。
上述的本实施方式的层叠线圈部件1例如如以下那样制造。在本实施方式中,对绝缘体部6由铁氧体材料形成的方式进行说明。
(1)铁氧体膏的调制
首先,准备铁氧体材料。铁氧体材料作为主成分包含Fe、Zn和Ni,根据期望还包含Cu。通常,上述铁氧体材料的主成分实质上由Fe、Zn、Ni和Cu的氧化物(理想而言,Fe2O3、ZnO、NiO和CuO)构成。
作为铁氧体材料,将Fe2O3、ZnO、CuO、NiO和根据需要的添加成分称量为规定的组成,并混合和粉碎。使粉碎的铁氧体材料干燥,例如在700~800℃的温度下进行预烧,得到预烧粉末。在该预烧粉末中添加规定量的溶剂(酮系溶剂等)、树脂(聚乙烯醇缩醛等)和增塑剂(醇酸系增塑剂等),并利用行星式搅拌机等进行了揉捏后,进一步通过三辊式研磨机等进行分散,从而能够制成铁氧体膏。
(2)铁氧体片材的调制
接下来,将聚乙烯醇缩丁醛系等有机粘合剂、乙醇、甲苯等有机溶剂与PSZ球一起投入球磨机,并与如与上述相同的那样得到的铁氧体材料的预烧粉末混合粉碎。能够利用刮刀法等将所得到的混合物成形加工为规定厚度、大小、形状的片材而制成铁氧体片材。
在上述铁氧体材料中,Fe含量优选的是,换算为Fe2O3为40.0摩尔%以上且49.5摩尔%以下(主成分合计基准,以下也相同),更优选为45.0摩尔%以上且49.5摩尔%以下。
在上述铁氧体材料中,Zn含量优选的是,换算为ZnO,为5.0摩尔%以上且35.0摩尔%以下(主成分合计基准,以下也相同),更优选为10.0摩尔%以上且30.0摩尔%以下。
在上述铁氧体材料中,Cu含量优选的是,换算为CuO,为4.0摩尔%以上且12.0摩尔%以下(主成分合计基准,以下也相同),更优选为7.0摩尔%以上且10.0摩尔%以下。
在上述铁氧体材料中,Ni含量没有特别限定,可成为作为上述的其他主成分的Fe、Zn和Cu的剩余部分。
在一个方式中,对于上述铁氧体材料而言,Fe换算为Fe2O3为40.0摩尔%以上且49.5摩尔%以下,Zn换算为ZnO为5.0摩尔%以上且35.0摩尔%以下,Cu换算为CuO为4.0摩尔%以上且12.0摩尔%以下,NiO为剩余部。
在本公开中,上述铁氧体材料也可以还包括添加成分。作为铁氧体材料的添加成分,例如可举出Mn、Co、Sn、Bi、Si等,但不限定于此。优选Mn、Co、Sn、Bi和Si的含量(添加量)相对于主成分(Fe(换算成Fe2O3)、Zn(换算成ZnO)、Cu(换算成CuO)和Ni(换算成NiO))的合计100重量份分别换算为Mn3O4、Co3O4、SnO2、Bi2O3和SiO2,为0.1重量份以上且1重量份以下。另外,上述铁氧体材料也可以还包括在制造上不可避免的杂质。
此外,也可以认为烧结铁氧体的Fe含量(换算成Fe2O3)、Mn含量(换算成Mn2O3)、Cu含量(换算成CuO)、Zn含量(换算成ZnO)和Ni含量(换算成NiO)实质上与烧制前的铁氧体材料的Fe含量(换算成Fe2O3)、Mn含量(换算成Mn2O3换、Cu含量(换算成CuO)、Zn含量(换算成ZnO)和Ni含量(换算成NiO)没有差异。
(3)线圈导体用导电性膏的调制
首先,准备导电性材料。作为导电性材料,例如可举出Au、Ag、Cu、Pd、Ni等,优选为Ag或者Cu,更优选为Ag。称量规定量的导电性材料的粉末,并利用行星式搅拌机等与规定量的溶剂(丁子香酚等)、树脂(乙基纤维素等)和分散剂进行了揉捏后,并利用三辊式研磨机等进行分散,从而能够制成线圈导体用导电性膏。
在上述的导电性膏的调制中,通过调整导电性膏中的导电性材料的体积相对于导电性材料(典型而言银粉末)和树脂成分合计的体积之浓度亦即PVC(pigment volumeconcentration;颜料体积浓度),从而制成烧制时的收缩率不同的两种导电性膏(高收缩导电性膏(A)和低收缩导电性膏(B))。
高收缩导电性膏的因烧制产生的收缩率优选为15%以上且20%以下。
低收缩导电性膏的因烧制产生的收缩率优选为5%以上且15%以下。
高收缩导电性膏的PVC优选为50%以上且80%以下,更优选为60%以上且70%以下。
低收缩导电性膏的PVC优选为80%以上且90%以下,更优选为82%以上且88%以下。
此处,例如在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜涂覆导电性膏,干燥后,切出5mm×5mm左右的大小,其后,利用热机械分析(TMA:thermomechanical analyzer)测定试料尺寸的变化,能够求出上述收缩率。
通过利用热重量分析(TG:thermogravimetry)测定导电性材料和树脂成分的重量比率,并根据导电性材料和树脂成分的密度进行计算,从而能够求出上述PVC。
(4)树脂膏的调制
对用于制作上述层叠线圈部件1的空隙21的树脂膏进行调制。这样的树脂膏能够通过使溶剂(异佛尔酮等)含有在烧制时消失的树脂(丙烯酸树脂等)而制成。
(5)层叠线圈部件的制成
(5-1)本体的制成
首先,准备铁氧体片材31(图4的(a))。
接下来,在形成空隙21的部位(即,除去引出部和贯通孔形成部之外的线圈导体层的形成部位),印刷上述树脂膏,形成树脂膏层32(图4的(b))。
接下来,在形成引出部的部位印刷上述低收缩导电性膏,形成低收缩导电性膏层33(图4的(c))。
接下来,在形成线圈导体层的部位整体,印刷上述高收缩导电性膏,形成高收缩导电性膏层34(图4的(d))。
接下来,在没有形成有高收缩导电性膏层34的区域,将上述铁氧体膏印刷成与高收缩导电性膏层34相同的高度,形成铁氧体膏层35(图4的(e))。
接下来,在与贯通孔导体连结的部分,印刷上述低收缩导电性膏,形成连接电极膏层36(图4的(f))。
通过上述工序,形成第1图案片材。
准备另外的铁氧体片材41。在该铁氧体片材41的规定部位形成过孔42(图5的(a))。
接下来,在形成空隙21的部位,印刷上述树脂膏,形成树脂膏层43(图5的(b))。
接下来,在形成线圈导体层的部位整体,印刷上述高收缩导电性膏,形成高收缩导电性膏层44(图5的(c))。
接下来,在没有形成有高收缩导电性膏层44的区域,将上述铁氧体膏印刷成为与高收缩导电性膏层44相同的高度,形成铁氧体膏层45(图5的(d))。
接下来,在与贯通孔导体连结的部分,印刷上述低收缩导电性膏,形成连接电极膏层46(图5的(e))。
通过上述工序,形成第2图案片材。
另行准备铁氧体片材51,与上述图案片材相同地形成过孔52、树脂膏层53、高收缩导电性膏层54、铁氧体膏层55和连接电极膏层56,得到第3图案片材(图6的(a)~(e))。
另行准备铁氧体片材61,与上述图案片材相同地形成过孔62、树脂膏层63、低收缩导电性膏层64、高收缩导电性膏层65和铁氧体膏层66,得到第4图案片材(图7(a)~(e))。
使如以上那样制成的第1图案片材~第4图案片材依次重叠,上下均配置没有印刷的铁氧体片材,并进行热压,从而制成层叠体块。利用切割器等切断该层叠体块,进行单片化。
通过对所得到的元件进行滚筒处理,从而磨削元件的角,形成圆角。滚筒处理也可以相对于未烧制的层叠体进行,也可以相对于烧制后的层叠体进行。另外,滚筒处理可以是干式或者湿式中任一种形式。滚筒处理可以是将元件彼此一起摩擦的方法,也可以是与介质一起进行滚筒处理的方法。
在滚筒处理后,例如在880℃以上且920℃以下的温度下烧制元件,得到层叠线圈部件1的本体2。
(5-2)外部电极的形成
接下来,通过在本体2的端面涂覆包含Ag和玻璃的外部电极形成用Ag膏并进行烧制,从而形成基底电极。接下来,通过利用电镀在基底电极上依次形成Ni被膜、Sn被膜,从而形成外部电极,得到图1所示那样的层叠线圈部件1。
本公开提供层叠线圈部件的制造方法,具体而言,上述的制造方法包括:
通过第1导电性膏在绝缘片材上形成导电性膏层;
通过第2导电性膏在上述导电性膏层上形成连接电极膏层;
通过绝缘膏在上述绝缘片材上的没有形成上述导电膏层的区域形成绝缘膏层;
层叠多个上述绝缘片材,形成导电膏层以螺旋状连接的层叠成形体;以及
对上述层叠成形体进行烧制,
上述层叠线圈部件的制造方法的特征在于,
上述第2导电膏的PVC大于第1导电膏的PVC。
在优选的方式中,上述第2导电膏的PVC为80%以上且90%以下,更优选为82%以上且88%以下。
在优选的方式中,上述第1导电膏的PVC为50%以上且80%以下,更优选为60%以上且70%以下。
以上,对本发明的一个实施方式进行了说明,但本实施方式能够进行各种改变。
实施例
实施例
·铁氧体膏的调制
将Fe2O3、ZnO、CuO和NiO的粉末称量成相对于它们的合计分别成为49.0摩尔%、25.0摩尔%、8.0摩尔%和剩余部分。
将这些粉末与PSZ介质、纯水、分散剂一起放入球磨机,且湿式混合和粉碎,进行干燥,并在700℃下进行预烧,从而得到预烧粉末。在该预烧粉末添加规定量的酮系溶剂、聚乙烯醇缩醛和醇酸系增塑剂,并利用行星式搅拌机进行了揉捏之后,进一步利用三辊式研磨机进行分散,从而制成铁氧体膏。
·铁氧体片材的调制
称量铁氧体材料,使之成为与上述铁氧体膏相同的组成。将称量物与PSZ介质、纯水、分散剂一起放入球磨机,且湿式混合和粉碎之后,进行干燥,并在700℃的温度下进行预烧,从而得到预烧粉末。将聚乙烯醇缩丁醛系有机粘合剂、乙醇和甲苯与PSZ球一起投入球磨机,并与所得到的预烧粉末混合粉碎。利用刮刀法,将所得到的混合物成形加工为片材,制成铁氧体片材。
·线圈导体用导电性膏的调制
作为导电性材料,准备规定量的银粉末,并利用行星式搅拌机与丁子香酚、乙基纤维素和分散剂进行了揉捏之后,并利用三辊式研磨机进行分散,从而制成线圈导体用导电性膏。
在上述的导电性膏的调制中,通过调整PVC,制成烧制时的收缩率不同的两种导电性膏(A)和(B)。
(A)高收缩导电性膏(在800℃下收缩率15%)
(B)低收缩导电性膏(在800℃下收缩率10%)
·树脂膏的调制
通过在异佛尔酮中混合丙烯酸树脂而调整了树脂膏。
·层叠线圈部件的制成
使用上述铁氧体片材、铁氧体膏、高收缩导电性膏、低收缩导电性膏和树脂膏,通过图4~图7所示的步骤制成图案片材,并将它们压接而得到作为集合体的层叠体块。
接下来,利用切割器等切断层叠体块,并单片化为元件。通过对所得到的元件进行滚筒处理,磨削元件的角部,形成圆角。在滚筒处理之后,在920℃的温度下烧制元件,得到本体。
接下来,通过在本体的端面涂覆包含Ag和玻璃的外部电极形成用Ag膏并进行烧制,从而形成基底电极。接下来,通过利用电镀在基底电极上依次形成Ni被膜、Sn被膜,从而形成外部电极,得到实施例的层叠线圈部件。
比较例1
除了不实施图4~图6所示的连接电极膏层36、46、56的形成以外,其他与上述实施例相同地得到比较例1的层叠线圈部件。
比较例2
除了使用高收缩导电性膏形成图4~图6所示的连接电极膏层36、46、56以外,其他与上述实施例相同地得到比较例2的层叠线圈部件。
实施例和比较例的试料(层叠线圈部件)均成为L(长度)=1.0mm,W(宽度)=0.5mm,T(高度)=0.5mm。
评价
针对根据上述得到的实施例和比较例的层叠线圈部件的各100个,对有无产生龟裂进行了评价。结果如下述表所示。通过研磨LT面,并在图3所示的连接导体、贯通孔导体所暴露的位置停止研磨,并使用数字显微镜观察研磨面,来确认有无产生龟裂。
表1
龟裂个数 | |
实施例 | 0 |
比较例1 | 100 |
比较例2 | 100 |
工业上的可利用性
本公开的层叠线圈部件可作为电感器等广泛地用于各种用途。
Claims (6)
1.一种层叠线圈部件,包括:绝缘体部;
线圈,其埋设于所述绝缘体部,由多个线圈导体层电连接而成;以及
外部电极,其设置于所述绝缘体部的表面,并与所述线圈电连接,
所述层叠线圈部件的特征在于,
在层叠方向上邻接的所述线圈导体层通过贯通孔导体和连接导体连接,
所述连接导体的空隙面积率小于所述线圈导体层的空隙面积率。
2.根据权利要求1所述的层叠线圈部件,其特征在于,
所述连接导体的空隙面积率为1.0%以上且4.0%以下。
3.根据权利要求1或2所述的层叠线圈部件,其特征在于,
所述线圈导体层的空隙面积率为5.0%以上且15.0%以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的层叠线圈部件,其特征在于,
在所述线圈导体层和与该线圈导体层连接的所述连接导体之间的局部存在所述绝缘体部的局部。
5.一种层叠线圈部件的制造方法,包括:
通过第1导电性膏在绝缘片材上形成导电性膏层;
通过第2导电性膏在所述导电性膏层上形成连接电极膏层;
通过绝缘膏在所述绝缘片材上的没有形成所述导电膏层的区域形成绝缘膏层;
层叠多个所述绝缘片材,形成使导电膏层以螺旋状连接的层叠成形体;以及
对所述层叠成形体进行烧制,
所述层叠线圈部件的制造方法的特征在于,
所述第2导电膏的PVC大于第1导电膏的PVC。
6.根据权利要求5所述的层叠线圈部件的制造方法,其特征在于,
所述第2导电膏的PVC为80%以上且90%以下。
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