CN113283567A - 磁带盒、非接触式通信介质、及其制造方法 - Google Patents

磁带盒、非接触式通信介质、及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种通过使用特性不同的外部电容器来改变谐振电路的Q值的磁带盒、非接触式通信介质、及其制造方法。非接触式通信介质具备：处理电路，其搭载在形成有线圈的基板上，并且具有内置电容器，其中，所述线圈通过从外部施加的外部磁场的作用来感应电力；及外部电容器，其相对于处理电路而言外置。外部电容器与内置电容器及线圈一同构成通过外部磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路。外部电容器与内置电容器并联连接，并且谐振电路具有根据外部电容器的特性而确定的Q值。

Description

磁带盒、非接触式通信介质、及其制造方法
技术领域
本发明的技术涉及一种非接触式通信介质、磁带盒及非接触式通信介质的制造方法。
背景技术
在专利文献1中公开有一种非接触通信介质，其具备存储器部、电力生成部、电力监视部及容量控制部。在专利文献1中所记载的非接触通信介质中，存储器部存储规定的管理信息。电力生成部具有：谐振电路，其具有天线线圈和容量值可变的谐振容量部；及整流电路，其对谐振电路的谐振输出进行整流，所述电力生成部生成向存储器部供给的电力。电力监视部具有：电流调整元件，其相对于谐振电路而言与整流电路并联连接且构成为电阻值可变；基准电压产生源，其产生基准电压；及运算放大器，其以使整流电路的输出电压与基准电压变相等的方式控制电流调整元件。容量控制部构成为根据运算放大器的输出控制谐振容量部。
在专利文献2中公开有一种非接触通信介质，其为记录介质盒用的非接触通信介质，具备电路组件、支撑基板及天线线圈。在专利文献2中所记载的非接触通信介质中，电路组件中内置有存储器部，所述存储器部能够存储与记录介质盒有关的管理信息。支撑基板支撑电路组件。天线线圈具有与电路组件电连接且形成于支撑基板的线圈部，线圈部的电感值为0.3μH以上且2.0μH以下。
在专利文献3中公开有一种非接触通信介质，其具备电压产生部、存储器部、时钟信号产生部及控制部。在专利文献3中所记载的非接触通信介质中，电压产生部具有收发用的天线线圈，接收来自外部设备的信号磁场来生成电力。存储器部存储设定在电压产生部的一个以上的电路参数和规定的管理信息。时钟信号产生部构成为能够选择性地生成两个以上的不同频率的时钟信号。控制部构成为选择从时钟信号产生部向存储器部供给的时钟信号的频率。
在专利文献4中公开有一种测量装置，其通过使检测线圈靠近排列在绝缘膜上的多个RFID标签的每个嵌体，来测量谐振频率或Q值或者这两者。在专利文献4中所记载的测量装置中，其特征在于，从绝缘膜的法线方向观察，配设有非磁性金属板以覆盖作为测量对象的嵌体的周围，并且通过非磁性金属板来抑制作为测量对象的嵌体与相邻嵌体之间的相互感应。
在专利文献5中公开有一种用于调谐无源应答器的天线谐振电路的方法，其具有：半导体主体，其具有集成电路，所述集成电路包括连接至基准电位的信号部；天线结构，其经由接触表面与集成电路耦合，所述接触表面配置在基板上且连接至半导体主体上。天线与集成电路的输入电容器一起形成串联谐振电路，并以容量耦合方式从高频电磁传送场引出动作能量。在专利文献5中所记载的用于调谐无源应答器的天线谐振电路的方法中，其特征在于，减少部分寄生电容元件和电阻元件，并且提高天线谐振电路的质量，其中，所述部分寄生电容元件在接触表面和基准电位之间形成电流路径。
在专利文献6中公开有一种非接触通信介质，其通过导体在基板的单面形成环形天线，并且在在基板的同一单面搭载通信电路。在专利文献6中所记载的非接触通信介质中，其特征在于，当折叠臂部时，将环形天线的一端连接到通信电路的一端的天线连接部，并且可折叠式地设置臂部，以便环形天线的另一端与第1焊盘部接触，并且通信电路的另一个天线连接部与第2焊盘部接触，其中，所述臂部搭载有：第1焊盘部；第2焊盘部；以及导通部，其导通第1焊盘部和第2焊盘部。
专利文献1：国际公开第2019/198438号
专利文献2：国际公开第2019/198527号
专利文献3：国际公开第2019/176325号
专利文献4：日本特开2003-331220号公报
专利文献5：日本特开2003-051759号公报
专利文献6：日本特开2004-265374号公报
发明内容
本发明的技术所涉及的一个实施方式提供一种与仅通过单芯片化的运算装置中所包括的容量性负载及线圈产生共振的情况相比，能够抑制谐振频率的偏差的非接触式通信介质、磁带盒以及非接触式通信介质的制造方法。
本发明的技术所涉及的另一个实施方式提供一种通过使用特性不同的外部电容器来改变谐振电路的Q值的非接触式通信介质、磁带盒以及非接触式通信介质的制造方法。
本发明的技术所涉及的第1方式为一种非接触式通信介质，其具备：运算装置，其由容量性负载、存储器及对存储器进行读写的处理器单芯片化而成；线圈；及电容器，其相对于运算装置而言外置，并且与容量性负载及线圈一同构成通过从外部施加的外部电场起作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路，运算装置使用由谐振电路生成的电力进行动作。
本发明的技术所涉及的第2方式为第1方式所涉及的非接触式通信介质，其中，容量性负载及电容器相对于线圈并联连接。
本发明的技术所涉及的第3方式为第1方式或第2方式所涉及的非接触式通信介质，其中，电容器的容量是根据容量性负载的容量的实测值来规定的。
本发明的技术所涉及的第4方式为第1方式至第3方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其还具备基板，运算装置和电容器粘接于基板的特定面，且运算装置和电容器电连接。
本发明的技术所涉及的第5方式为第4方式所涉及的非接触式通信介质，其中，运算装置及电容器在特定面上由密封材料密封。
本发明的技术所涉及的第6方式为第1方式至第5方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，运算装置及电容器以导线连接方式电连接。
本发明的技术所涉及的第7方式为第1方式至第6方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，运算装置以倒装芯片连接方式与线圈电连接。
本发明的技术所涉及的第8方式为第1方式至第7方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，运算装置为在除磁带盒以外的用途中也能够使用的通用类型，通过安装磁带盒用程序而作为磁带盒用运算装置发挥作用。
本发明的技术所涉及的第9方式为一种磁带盒，其具备：第1方式至第8方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质；及磁带，其中，非接触式通信介质具有第2存储器，第2存储器存储与磁带有关的信息。
本发明的技术所涉及的第10方式为一种非接触式通信介质，其具备：处理电路，其搭载在形成有线圈的基板上，并且具有内置电容器，其中，所述线圈通过从外部施加的外部磁场的作用来感应电力；以及外部电容器，其相对于处理电路而言外置，并且与内置电容器及线圈一同构成通过外部磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路，其中，外部电容器与内置电容器并联连接，并且谐振电路具有根据外部电容器的特性而确定的Q值。
本发明的技术所涉及的第11方式为第10方式所涉及的一种非接触式通信介质，其中，Q值根据特定频带中的外部电容器的电阻分量而确定。
本发明的技术所涉及的第12方式为第10方式或第11方式所涉及的非接触式通信介质，其中，将Q值设定为实现通信距离比非接触式通信介质的基准通信距离更长的值。
本发明的技术所涉及的第13方式为第10方式至第12方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，将Q值设定为实现通信稳定性比非接触式通信介质的基准通信稳定性更佳的值。
本发明的技术所涉及的第14方式为第10方式至第13方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，根据在外部电容器未连接到处理电路并且处理电路连接到线圈的状态下测量的临时Q值来确定Q值。
本发明的技术所涉及的第15方式为第10方式至第14方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，根据基准Q值、与在外部电容器未连接到处理电路并且处理电路连接到线圈的状态下测量的临时Q值之间的差异程度来确定外部电容器的特性。
本发明的技术所涉及的第16方式为第10方式至第14方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，处理电路使用由谐振电路生成的电力进行动作。
本发明的技术所涉及的第17方式为第10方式至第16方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，内置电容器和外部电容器相对于线圈并联连接。
本发明的技术所涉及的第18方式为第10方式至第17方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，外部电容器的容量根据内置电容器的容量的实测值来确定。
本发明的技术所涉及的第19方式为第10方式至第18方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，处理电路和外部电容器粘接并电连接到基板的特定面上。
本发明的技术所涉及的第20方式为第19方式所涉及的非接触式通信介质，其中，处理电路和外部电容器在特定面上由密封材料密封。
本发明的技术所涉及的第21方式为第10方式至第20方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，处理电路和外部电容器通过导线连接方式进行电连接。
本发明的技术所涉及的第22方式为第10方式至第21方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，处理电路通过倒装芯片连接方式与线圈电连接。
本发明的技术所涉及的第23方式为第10方式至第22方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质，其中，处理电路是通用类型，可用于除磁带盒以外的用途，并且通过安装磁带盒用程序而作为磁带盒用运算装置发挥作用。
本发明的技术所涉及的第24方式为一种磁带盒，其具备第10方式至第23方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质、以及磁带；其中，非接触通信介质具有存储器，存储器存储与磁带相关的信息。
本发明的技术所涉及的第25方式为一种非接触式通信介质的制造方法，其包括：Q值确定工序，其确定外部电容器与内置电容器并联连接时的谐振电路的Q值；外部电容器形成工序，其当外部电容器与内置电容器并联连接时，并且在谐振电路的Q值为由Q值确定工序来确定的Q值的条件下，来形成外部电容器；以及连接工序，其将在外部电容器形成工序中形成的外部电容器与内置电容器并联连接；其中，所述非接触式通信介质具备：处理电路，其搭载在形成有线圈的基板上，并且具有内置电容器，其中，所述线圈通过从外部施加的外部磁场的作用来感应电力；以及外部电容器，其相对于处理电路而言外置，并且与内置电容器及线圈一同构成通过外部磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路。
本发明的技术所涉及的第26方式为第25方式中所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，条件是当外部电容器与内置电容器并联连接时，外部电容器在特定频带中具有谐振电路的Q值为由Q值确定工序所确定的Q值的电阻分量。
本发明的技术所涉及的第27方式为第25方式或第26方式中所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，由Q值确定工序确定的Q值是实现通信距离比非接触式通信介质的基准通信距离更长的值。
本发明的技术所涉及的第28方式为第25方式至第27方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，由Q值确定工序确定的Q值是实现通信稳定性比非接触式通信介质的基准通信稳定性更佳的值。
本发明的技术所涉及的第29方式为第25方式至第28方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，在Q值确定工序中，根据在外部电容器未连接到处理电路并且处理电路连接到线圈的状态下测量的临时Q值，来确定谐振电路的Q值。
本发明的技术所涉及的第30方式为第25方式至第29方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，在Q值确定工序中，根据基准Q值、与在外部电容器未连接到处理电路并且处理电路连接到线圈的状态下测量的临时Q值之间的差异程度来确定外部电容器的特性。
附图说明
图1是表示第1及第2实施方式所涉及的磁带盒的外观的一例的概略立体图。
图2是表示第1及第2实施方式所涉及的磁带盒的下壳体的内侧的右后端部的结构的一例的概略立体图。
图3是表示设置于第1及第2实施方式所涉及的磁带盒的下壳体的内表面的支撑部件的一例的侧面剖视图。
图4是表示第1及第2实施方式所涉及的磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。
图5是表示通过非接触式读写装置从第1及第2实施方式所涉及的磁带盒的下侧释放磁场的方式的一例的概略立体图。
图6是表示从非接触式读写装置对第1及第2实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器赋予磁场的方式的一例的概念图。
图7是表示第1及第2实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器的基板的背面的结构的一例的概略仰视图。
图8是表示第1及第2实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器的基板的表面的结构的一例的概略俯视图。
图9是表示第1实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器的电路结构的一例的概略电路图。
图10是表示搭载于第1实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器的IC芯片的计算机的硬件结构的一例的块图。
图11是表示由第1实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器的CPU执行的动作模式设定处理的处理内容的一例的概念图。
图12A是表示第1实施方式所涉及的动作模式设定处理的流程的一例的流程图。
图12B是图12A所示的流程图的继续。
图12C是图12B所示的流程图的继续。
图13是表示第1实施方式所涉及的动作模式设定处理的流程的第1变形例的流程图。
图14是表示第1实施方式所涉及的动作模式设定处理的流程的第2变形例的流程图。
图15是表示第1实施方式所涉及的动作模式设定处理的流程的第3变形例的流程图。
图16是表示第1实施方式所涉及的动作模式设定处理的流程的第4变形例的流程图。
图17是表示第2实施方式所涉及的谐振电路中感应的谐振信号的频率特性的一例的曲线图。
图18是表示在具有高Q值的谐振电路中感应的谐振信号和在具有低Q值的谐振电路中感应的谐振信号的频率特性的一例的曲线图。
图19是表示考虑线圈、内置电容器以及外部电容器的电阻分量和合成容量后进行简化的第2实施方式所涉及的谐振电路的一例的电路图。
图20是表示第2实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器的电路结构的一例的概略电路图。
图21是表示在第2实施方式所涉及的盒式存储器中，根据基准Q值来选择不同的外部电容器的方式的一例的说明图。
图22是表示在第2实施方式所涉及的盒式存储器中，根据临时Q值来确定Q值的方式的一例的说明图。
图23是表示在第2实施方式所涉及的盒式存储器中，根据基准Q值和临时Q值而形成的外部电容器与谐振电路连接的方式的一例的说明图。
图24是表示第2实施方式所涉及的谐振电路制造工序的一例的流程图。
图25是表示第2实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器的电路结构的第1变形例的概略电路图。
图26是表示第2实施方式的第1变形例所涉及的盒式存储器的基板表面结构的一例的概略俯视图。
图27是表示第2实施方式的第1变形例所涉及的盒式存储器的基板表面结构的另一例的概略俯视图。
图28是沿图27所示的概略俯视图的A-A线截取的概略剖视图。
图29是磁带盒内的盒式存储器的概略俯视图，并且是表示线圈与IC芯片的连接方式的变形例的概略俯视图。
图30是表示磁带盒内的盒式存储器的倾斜角度的变形例的概念图。
图31是表示对多个磁带盒的包装赋予磁场的方式的一例的概念图。
图32是表示动作模式设定处理程序从存储有动作模式设定处理程序的存储介质安装于计算机的方式的一例的块图。
符号说明
10-磁带盒，12-壳体，12A-右壁，12B-开口14-上壳体，14A-顶板，14A1-内表面，16-下壳体，16A-底板，16A1-基准面，16B-后壁，18-磁带盒卷盘，18A-卷盘毂，18B1-上凸缘，18B2-下凸缘，19-盒式存储器，20-支撑部件，20A-第1倾斜台，20A1、20B1-倾斜面，20B-第2倾斜台，22-位置限制肋，24-肋，24A-前端面，26-基板，26A-背面，26B-表面，30-磁带驱动器，34-输送装置，36-读取头，38-控制装置，40-送出马达，42-卷取卷盘44-卷取马达，46-读取元件48-保持架，50、150-非接触式读写装置，52-IC芯片，53-谐振电路，54、54-1、54-2-外部电容器，54A、54B-电极，55-1-高Q値，55-2-低Q値，56-密封材料，57-基准Q値，59-临时Q値，60-线圈，61-电阻器，62A-第1导通部，62B-第2导通部，63-手套箱顶部，64A、64B、64C、64D、64E、64F-配线，70-电力生成器，80-内置电容器，82-电源电路，84-计算机，86-时钟信号生成器，88-信号处理电路，90-电场强度测定电路，92-谐振电路，94-CPU，96-NVM，98-RAM，99-总线，100-管理信息，102-动作模式设定处理程序，200-包装，300-存储介质，A、B、C-箭头，CA-合成电容，GR-导向辊，IC、IL、IR-电流，L-电感，MF、MF1-电场，MT-磁带，Q1、Q2-谐振信号，R-电阻值，R1、R2-绝缘电阻值，S-信号強度，S1-1、S1-2、S2-1、S2-2-强度，α-误差，θ、θ1-倾斜角度，ω0-谐振频率，ω1、ω2-频率。
具体实施方式
首先，对以下说明中所使用的词语进行说明。
CPU是指“Central Processing Unit(中央处理器)”的简称。RAM是指“RandomAccess Memory(随机存取存储器”的简称。NVM是指“Non-Volatile Memory(非易失性存储器)”的简称。ROM是指“Read Only Memory(只读存储器)”的简称。EEPROM是指“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory(电可擦可编程只读存储器)”的简称。SSD是指“Solid State Drive(固态驱动器)”的简称。USB是指“UniversalSerial Bus(通用串行总线)”的简称。ASIC是指“Application Specific IntegratedCircuit(专用集成电路)”的简称。PLD是指“Programmable Logic Device(可编程逻辑器件)”的简称。FPGA是指“Field-Programmable Gate Array(现场可编程门阵列)”的简称。SoC是指“System-on-a-Chip(片上系统)”的简称。IC是指“Integrated Circuit(集成电路)”的简称。RFID是指“Radio Frequency Identifier(射频识别)”的简称。LTO是指“Linear Tape-Open(线性磁带)”的简称。
在以下的说明中，为了便于说明，在图1中，用箭头A表示将磁带盒10装填于磁带驱动器30(参考图4)中的方向，将箭头A方向设为磁带盒10的前方向，将磁带盒10的前方向侧设为磁带盒10的前侧。在以下的结构上的说明中，“前”是指磁带盒10的前侧。
并且，在以下的说明中，为了便于说明，在图1中，将与箭头A方向正交的箭头B方向设为右方向，将磁带盒10的右方向侧设为磁带盒10的右侧。在以下的结构上的说明中，“右”是指磁带盒10的右侧。
并且，在以下的说明中，为了便于说明，在图1中，用箭头C表示与箭头A方向及箭头B方向正交的方向，将箭头C方向设为磁带盒10的上方向，将磁带盒10的上方向侧设为磁带盒10的上侧。在以下的结构上的说明中，“上”是指磁带盒10的上侧。
并且，在以下的说明中，为了便于说明，在图1中，将与磁带盒10的前方向相反的方向设为磁带盒10的后方向，将磁带盒10的后方向侧设为磁带盒10的后侧。在以下的结构上的说明中，“后”是指磁带盒10的后侧。
并且，在以下的说明中，为了便于说明，在图1中，将与磁带盒10的上方向相反的方向设为磁带盒10的下方向，将磁带盒10的下方向侧设为磁带盒10的下侧。在以下的结构上的说明中，“下”是指磁带盒10的下侧。
并且，在以下的说明中，作为磁带盒10的规格，举例LTO进行说明。并且，在以下的说明中，将对本发明的技术所涉及的LTO适用下述表1所示的规格作为前提进行说明，但这只不过是一例，也可以依据IBM3592磁带盒的规格。
[表1]
Figure BDA0002930758400000111
在表1中，“REQA～SELECT系统”是指后述的轮询命令。“REQA～SELECT系统”中至少包含命令“Request A”、命令“Request SN”及命令“Select”。“Request A”为向盒式存储器查询是什么类型的盒式存储器的命令。在本实施方式中，“Request A”为一种，但并不限于此，也可以为多种。“Request SN”为向盒式存储器查询序列号的命令。“Select”为预告盒式存储器准备读写的命令。READ系统为相当于后述的读出命令的命令。WRITE系统为相当于后述的写入命令的命令。
[第1实施方式]
作为一例，如图1所示，磁带盒10为俯视大致矩形，且具备箱状的壳体12。壳体12由聚碳酸酯等树脂制成，具备上壳体14及下壳体16。上壳体14及下壳体16以上壳体14的下周缘面与下壳体16的上周缘面接触的状态通过焊接(例如，超声波焊接)及螺钉固定而接合。接合方法并不限于焊接及螺钉固定，也可以为其他接合方法。
在壳体12的内部可旋转地容纳有磁带盒卷盘18。磁带盒卷盘18具备卷盘毂18A、上凸缘18B1及下凸缘18B2。卷盘毂18A形成为圆筒状。卷盘毂18A为磁带盒卷盘18的轴心部，轴心方向沿着壳体12的上下方向，并且配置于壳体12的中央部。上凸缘18B1及下凸缘18B2分别形成为圆环状。在卷盘毂18A的上端部固定有上凸缘18B1的俯视中央部，在卷盘毂18A的下端部固定有下凸缘18B2的俯视中央部。在卷盘毂18A的外周面卷绕有磁带MT，磁带MT的宽度方向的端部由上凸缘18B1及下凸缘18B2保持。此外，卷盘毂18A和下凸缘18B2也可以一体成型。
在壳体12的右壁12A的前侧形成有开口12B。磁带MT从开口12B被拉出。
作为一例，如图2所示，在下壳体16的右后端部容纳有盒式存储器19。盒式存储器19为本发明的技术所涉及的“非接触式通信介质”的一例。在本实施方式中，采用所谓的被动式的RFID标签作为盒式存储器19。
在盒式存储器19中存储有管理信息100(参考图10)。管理信息100为管理磁带盒10的信息，是本发明的技术所涉及的“与磁带有关的信息”的一例。作为管理信息100，例如可以举出能够确定磁带盒10的识别信息、表示磁带MT的记录容量、记录在磁带MT中的信息(以下，也称为“记录信息”)的概要、记录信息的项目及记录信息的记录形式等的信息。
盒式存储器19以非接触式与外部装置(省略图示)进行通信。作为外部装置，例如可以举出在磁带盒10的生产工序中使用的读写装置及在磁带驱动器(例如，图4所示的磁带驱动器30)内使用的读写装置(例如，图4～图6所示的非接触式读写装置50)。
外部装置对盒式存储器19以非接触式进行各种信息的读写。详细内容后述，盒式存储器19通过对从外部装置施加的磁场电磁地起作用而生成电力。然后，盒式存储器19使用生成的电力进行工作，并经由磁场与外部装置进行通信，由此在与外部装置之间进行各种信息的授受。此外，通信方式例如可以是依照ISO14443或ISO18092等公知的标准的方式，也可以是依照ECMA319的LTO规格的方式等。
作为一例，如图2所示，在下壳体16的右后端部的底板16A的内表面设置有支撑部件20。支撑部件20为将盒式存储器19以倾斜的状态从下方进行支撑的一对倾斜台。一对倾斜台为第1倾斜台20A及第2倾斜台20B。第1倾斜台20A及第2倾斜台20B沿壳体12的左右方向隔开间隔而配置，并且与下壳体16的后壁16B的内表面及底板16A的内表面成为一体。第1倾斜台20A具有倾斜面20A1，倾斜面20A1从后壁16B的内表面朝向底板16A的内表面向下倾斜。并且，倾斜面20B1也从后壁16B的内表面朝向底板16A的内表面向下倾斜。
在支撑部件20的前方侧，沿左右方向隔开间隔而配置有一对位置限制肋22。一对位置限制肋22竖立地设置于底板16A的内表面，限制配置于支撑部件20的状态的盒式存储器19的下端部的位置。
作为一例，如图3所示，在底板16A的外表面形成有基准面16A1。基准面16A1为平面。在此，平面是指将底板16A作为下侧而将下壳体16置于水平面时相对于水平面平行的面。支撑部件20的倾斜角度θ即倾斜面20A1及倾斜面20B1的倾斜角相对于基准面16A1为45度。此外，45度仅为一例，可以是“0度＜倾斜角度θ＜45度”，也可以是45度以上。
盒式存储器19具备基板26。基板26为本发明的技术所涉及的“基板”的一例。基板26将基板26的背面26A朝向下侧而置于支撑部件20上，支撑部件20将基板26的背面26A从下方进行支撑。基板26的背面26A的一部分与支撑部件20的倾斜面即倾斜面20A1及20B1接触，基板26的表面26B为本发明的技术所涉及的“特定面”的一例，其暴露于顶板14A的内表面14A1侧。另外，在此作为本发明的技术所涉及的“特定面”的一例，举出表面26B，但本发明的技术并不限定于此，作为本发明的技术所涉及的“特定面”的一例，也可以采用背面26A。
上壳体14具备多个肋24。多个肋24沿壳体12的左右方向隔开间隔而配置。多个肋24从上壳体14的顶板14A的内表面14A1向下侧突设，各肋24的前端面24A具有与倾斜面20A1及20B1相对应的倾斜面。即，各肋24的前端面24A相对于基准面16A1倾斜成45度。
若在盒式存储器19配置于支撑部件20的状态下如上述那样上壳体14接合于下壳体16，则各肋24的前端面24A从表面26B侧与基板26接触，基板26被各肋24的前端面24A和支撑部件20的倾斜面夹持。由此，盒式存储器19的上下方向的位置被肋24限制。
作为一例，如图4所示，磁带驱动器30具备输送装置34、读取头36及控制装置38。在磁带驱动器30中装填有磁带盒10。磁带驱动器30为从磁带盒10中拉出磁带MT并使用读取头36从被拉出的磁带MT中以线性蛇形方式读取记录信息的装置。另外，在本实施方式中，记录信息的读取，换言之，是指记录信息的再生。
控制装置38控制整个磁带驱动器30。在本实施方式中，控制装置38通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，控制装置38也可以通过FPGA来实现。并且，控制装置38也可以通过包括CPU、ROM及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过组合AISC、FPGA及计算机中的两个以上来实现。即，控制装置38也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。
输送装置34为在正向及反向上选择性地输送磁带MT的装置，具备送出马达40、卷取卷盘42、卷取马达44、多个导向辊GR及控制装置38。
送出马达40在控制装置38的控制下旋转驱动磁带盒10内的磁带盒卷盘18。控制装置38通过控制送出马达40来控制磁带盒卷盘18的旋转方向、转速及转矩等。
卷取马达44在控制装置38的控制下旋转驱动卷取卷盘42。控制装置38通过控制卷取马达44来控制卷取卷盘42的旋转方向、转速及转矩等。
当磁带MT由卷取卷盘42卷取时，通过控制装置38以使磁带MT沿正向行进的方式旋转送出马达40及卷取马达44。送出马达40及卷取马达44的转速及转矩等可以根据由卷取卷盘42卷取的磁带MT的速度进行调整。
当磁带MT在磁带盒卷盘18上倒带时，通过控制装置38使送出马达40及卷取马达44旋转，以使磁带MT向相反方向行进。根据由卷取卷盘42卷取的磁带MT的速度调整送出马达40及卷取马达44的转速及转矩等。
通过如此调整送出马达40及卷取马达44的各自的转速及转矩等来对磁带MT赋予既定范围内的张力。在此，既定范围内例如是指作为能够由读取头36从磁带MT读取数据的张力的范围的、通过计算机模拟和/或基于实机的试验等而得到的张力的范围。
在本实施方式中，通过控制送出马达40及卷取马达44的转速及转矩等来控制磁带MT的张力，但本发明的技术并不限定于此。例如，磁带MT的张力可以使用松紧调节辊来控制，也可以通过将磁带MT拉入真空腔室来控制。
多个导向辊GR分别为引导磁带MT的辊。磁带MT的行进路径是通过在磁带盒10与卷取卷盘42之间横跨读取头36的位置上分开配置多个导向辊GR来规定的。
读取头36具备读取元件46及保持架48。读取元件46以与行进中的磁带MT接触的方式由保持架48保持，并从由输送装置34输送的磁带MT中读取记录信息。
磁带驱动器30具备非接触式读写装置50。非接触式读写装置50为本发明的技术所涉及的“外部”一例。非接触式读写装置50在装填有磁带盒10的状态的磁带盒10的下侧以与盒式存储器19的背面26A正对的方式配置。另外，磁带盒10装填于磁带驱动器30中的状态是指例如磁带盒10已到达作为由读取头36对磁带MT开始读取记录信息的位置而预先规定的位置的状态。
作为一例，如图5所示，非接触式读写装置50从磁带盒10的下侧朝向盒式存储器19释放磁场MF。磁场MF贯穿盒式存储器19。另外，磁场MF为本发明的技术所涉及的“外部磁场”的一例。
作为一例，如图6所示，非接触式读写装置50连接于控制装置38。控制装置38将控制盒式存储器19的控制信号输出到非接触式读写装置50。非接触式读写装置50按照从控制装置38输入的控制信号朝向盒式存储器19释放磁场MF。磁场MF从盒式存储器19的背面26A侧向表面26B侧贯穿。
非接触式读写装置50在控制装置38的控制下将命令信号空间传送到盒式存储器19。详细内容后述，命令信号为表示对盒式存储器19的指令的信号。当命令信号从非接触式读写装置50空间传送到盒式存储器19时，按照来自控制装置38的指示由非接触式读写装置50空间传送的命令信号包含于磁场MF中。换言之，命令信号重叠在磁场MF上。即，非接触式读写装置50在控制装置38的控制下经由磁场MF将命令信号发送到盒式存储器19。
在盒式存储器19的表面26B上搭载有IC芯片52及外部电容器54。IC芯片52及外部电容器54粘接于表面26B上。并且，在盒式存储器19的表面26B上，IC芯片52及外部电容器54由密封材料56密封。在此，作为密封材料56，采用反应于紫外线而固化的紫外线固化树脂。另外，紫外线固化树脂只不过是一例，也可以将反应于除紫外线以外的波长区域的光而固化的光固化树脂用作密封材料56，也可以将热固性树脂用作密封材料56，还可以将粘接剂用作密封材料56。另外，IC芯片52为本发明的技术所涉及的“处理电路”的一例。电容器为本发明的技术所涉及的“外部电容器”的一例。此外，密封材料56为本发明的技术所涉及的“密封材料”的一例。
作为一例，如图7所示，在盒式存储器19的背面26A上以环状形成有线圈60。在此，作为线圈60的材料，采用铜箔。铜箔只不过是一例，例如也可以为铝箔等其他种类的导电性材料。线圈60通过从非接触式读写装置50施加的磁场MF(参考图5及图6)起作用而感生感应电流。此外，线圈60为本发明的技术所涉及的“线圈”的一例。
在盒式存储器19的背面26A上设置有第1导通部62A及第2导通部62B。第1导通部62A及第2导通部62B具有焊料，将线圈60的两端部与表面26B的IC芯片52(参考图6及图8)及外部电容器54(参考图6及图8)电连接。
作为一例，如图8所示，在盒式存储器19的表面26B上，IC芯片52及外部电容器54以导线连接方式彼此电连接。具体而言，IC芯片52的正极端子及负极端子中的一个端子经由配线64A连接于第1导通部62A，另一个端子经由配线64B连接于第2导通部62B。并且，外部电容器54具有一对电极。在图8所示的例子中，一对电极为电极54A及54B。电极54A经由配线64C连接于第1导通部62A，电极54B经由配线64D连接于第2导通部62B。由此，相对于线圈60而言，IC芯片52及外部电容器54并联连接。
作为一例，如图9所示，IC芯片52具备内置电容器80、电源电路82、计算机84、时钟信号生成器86、信号处理电路88及磁场强度测定电路90。IC芯片52为在除磁带盒10以外的用途中也能够使用的通用类型的IC芯片，通过安装磁带盒用程序而作为磁带盒用运算装置发挥作用。另外，作为磁带盒用程序的一例，可以举出后述的动作模式设定处理程序102。此外，内置电容器80为本发明的技术所涉及的“内置电容器”的一例。
并且，盒式存储器19具备电力生成器70。电力生成器70通过从非接触式读写装置50施加的磁场MF作用于线圈60而生成电力。具体而言，电力生成器70使用谐振电路92生成交流电力，并将生成的交流电力转换为直流电力进行输出。此外，谐振电路92为本发明的技术所涉及的“谐振电路”的一例。
电力生成器70具有谐振电路92及电源电路82。谐振电路92具备外部电容器54、线圈60及内置电容器80。内置电容器80为本发明的技术所涉及的“容量性负载”的一例。内置电容器80为内置于IC芯片52中的电容器，电源电路82也是内置于IC芯片52中的电路。内置电容器80相对于线圈60并联连接。此外，内置电容器80与外部电容器54并联连接。
外部电容器54为外置于IC芯片52上的电容器。IC芯片52原本就是在与磁带盒10不同的用途中也能够使用的通用的IC芯片。因此，内置电容器80的容量可能不足以实现在磁带盒10中所使用的盒式存储器19中要求的谐振频率。因此，在盒式存储器19中，作为具有通过磁场MF起作用而使谐振电路92在预先规定的谐振频率下产生共振的方面所需要的容量值的电容器，将外部电容器54加装到IC芯片52上。另外，相当于预先规定的谐振频率的频率为例如13.56MHz，可以根据盒式存储器19和/或非接触式读写装置50的规格等适当地确定。并且，外部电容器54的容量是根据内置电容器80的容量的实测值来规定的。此外，13.56MHz为本发明的技术所涉及的“预先规定的谐振频率”和“特定频带”的一例。
谐振电路92通过使用磁场MF贯穿线圈60而由线圈60感生的感应电流而产生预先规定的谐振频率的谐振现象来生成交流电力，并将生成的交流电力输出到电源电路82。
电源电路82具有整流电路及平滑电路等。整流电路为具有多个二极管的全波整流电路。全波整流电路只不过是一例，也可以为半波整流电路。平滑电路包括电容器及电阻而构成。电源电路82将从谐振电路92输入的交流电力转换为直流电力，并将转换而得到的直流电力(以下，也简称为“电力”)供给到IC芯片52内的各种驱动元件。作为各种驱动元件，可以举出计算机84、时钟信号生成器86、信号处理电路88及磁场强度测定电路90。如此，通过利用电力生成器70对IC芯片52内的各种驱动元件供给电力，IC芯片52使用由电力生成器70生成的电力进行动作。
计算机84控制整个盒式存储器19。计算机84保存管理信息100(参考图10)。
时钟信号生成器86生成时钟信号并输出到各种驱动元件。各种驱动元件按照从时钟信号生成器86输入的时钟信号进行动作。详细内容后述，时钟信号生成器86按照计算机84的指示改变时钟信号的频率(以下，也称为“时钟频率”)。在时钟信号生成器86中，作为成为基准的时钟频率(以下，称为“基准时钟频率”)，使用与磁场MF的频率相同的频率，根据基准时钟频率来生成不同的时钟频率的时钟信号。在本实施方式中，时钟信号生成器86选择性地生成第1频率～第3频率的时钟信号。第1频率为基准时钟频率的2倍的频率，第2频率为与基准时钟频率相同的频率，第3频率为基准时钟频率的1/2倍的频率(参考图11)。
信号处理电路88连接于谐振电路92。信号处理电路88具有解码电路(省略图示)及编码电路(省略图示)。信号处理电路88的解码电路从由线圈60接收到的磁场MF中提取命令信号，对其进行解码，并输出到计算机84。计算机84将对命令信号的响应信号输出到信号处理电路88。即，计算机84执行与从信号处理电路88输入的命令信号相应的处理，并将处理结果作为响应信号输出到信号处理电路88。在信号处理电路88中，若从计算机84输入响应信号，则信号处理电路88的编码电路通过编码响应信号而对其进行调制并输出到谐振电路92。谐振电路92将从信号处理电路88的编码电路输入的响应信号经由磁场MF发送到非接触式读写装置50。即，当响应信号从盒式存储器19发送到非接触式读写装置50时，响应信号包含于磁场MF中。换言之，响应信号重叠在磁场MF上。
磁场强度测定电路90根据由电源电路82生成的电力来测定磁场MF的强度。施加于谐振电路92的磁场MF的强度越大，则由电源电路82生成的电力在限制范围内变得越大。磁场强度测定电路90根据由电源电路82生成的电力与施加于谐振电路92的磁场MF的强度的相关性来输出与由电源电路82生成的电力相应的输出电平的信号。即，磁场强度测定电路90测定由电源电路82生成的电力，根据测定结果生成表示磁场MF的强度的磁场强度信号并输出到计算机84。由此，计算机84能够执行与从磁场强度测定电路90输入的磁场强度信号相应的处理。
作为一例，如图10所示，计算机84具备CPU94、NVM96及RAM98。CPU94、NVM96及RAM98连接于总线99。并且，在总线99上还连接有时钟信号生成器86、信号处理电路88及磁场强度测定电路90。
NVM96为本发明的技术所涉及的“存储器”的一例。在此，作为NVM96，采用EEPROM。EEPROM这只不过是一例，例如也可以为铁电存储器来代替EEPROM，只要是能够搭载于IC芯片52上的非易失性存储器，则可以为任何存储器。
NVM96中存储有管理信息100。CPU94根据从信号处理电路88输入的命令信号选择性地进行轮询处理、读出处理及写入处理。轮询处理为在与非接触式读写装置50之间建立通信的处理，例如作为读出处理及写入处理的前阶段的准备处理而进行。读出处理为从NVM96中读出管理信息100等的处理。写入处理为将管理信息100等写入NVM96中的处理。轮询处理、读出处理及写入处理(以下，当无需区分说明时，称为“各种处理”)均通过CPU94按照由时钟信号生成器86生成的时钟信号来进行。即，CPU94以与时钟频率相应的处理速度进行各种处理。
因此，时钟频率越高，则处理速度越提高。处理速度提高是指，施加于CPU94的负载变大，耗电量也变大。并且，管理信息100等信息量越多，则由CPU94进行的读出处理及写入处理的执行时间越长，有可能导致从电源电路82供给到CPU94等的电力不足。
作为施加于CPU94的负载变大的原因之一，可以举出在完成从非接触式读写装置50对盒式存储器19发送命令信号到通过盒式存储器19开始发送对命令信号的响应信号为止所需要的时间(以下，也称为“响应时间”)缩短。响应时间越短，则越需要盒式存储器19的高速动作，若提高时钟频率来进行处理，则耗电量变大。另外，通常已知响应时间与非接触式读写装置50与盒式存储器19之间的最大通信距离具有权衡关系。
在盒式存储器19中，为了抑制耗电量增大，通过CPU94执行动作模式设定处理。动作模式设定处理为将响应时间设为长于作为标准响应时间而预先规定的时间的处理。以下，对动作模式设定处理进行说明。
在NVM96中存储有动作模式设定处理程序102。CPU94从NVM96中读出动作模式设定处理程序102，并在RAM98上执行动作模式设定处理程序102。动作模式设定处理能够通过由CPU94执行动作模式设定处理程序102来实现。
作为一例，如图11所示，CPU94通过执行动作模式设定处理来将盒式存储器19的动作模式(以下，也简称为“动作模式”)设定为与命令信号相应的动作模式，并设定与动作模式相应的时钟频率。CPU94通过根据命令信号改变动作模式来将从开始对命令(例如，一个命令)进行处理到结束为止所需要的处理时间(以下，也简称为“处理时间”)设为长于既定时间。如此，CPU94通过将处理时间设为长于既定时间来将上述响应时间设为长于作为标准响应时间而预先规定的时间。而且，CPU94通过设定与动作模式相应的时钟频率来改变时钟频率。具体而言，越延长处理时间，则CPU94越降低时钟频率。
动作模式是根据以从信号处理电路88输入到CPU94的命令信号表示的命令而设定的。以命令信号表示的命令为轮询命令、读出命令或写入命令。当以命令信号表示的命令为轮询命令时，CPU94执行轮询处理，当以命令信号表示的命令为读出命令时，CPU94执行读出处理，当以命令信号表示的命令为写入命令时，CPU94执行写入处理。另外，在此，为了便于说明，作为轮询信号，例示出一种信号，但轮询信号也可以为多种信号。
CPU94通过设定长时间处理模式、中等时间处理模式及短时间处理模式中的任一种模式作为动作模式来调节处理时间的长度。处理时间为长时间、中等时间及短时间中的任一种。长时间是指长于中等时间的时间，短时间是指短于中等时间的时间。在长时间处理模式中，通过CPU94对命令进行处理所需要的时间成为长时间，在中等时间处理模式中，通过CPU94对命令进行处理所需要的时间成为中等时间，在短时间处理模式中，通过CPU94对命令进行处理所需要的时间成为短时间。
在图11所示的例子中，当以命令信号表示的命令为轮询命令时，作为动作模式，CPU94设定短时间处理模式，当以命令信号表示的命令为写入命令时，CPU94设定中等时间处理模式，当以命令信号表示的命令为读出命令时，CPU94设定长时间处理模式。
当设定了短时间处理模式作为动作模式时，CPU94设定第1频率作为时钟频率。即，当设定了短时间处理模式作为动作模式时，CPU94以对时钟信号生成器86产生第1频率的时钟信号的方式控制时钟信号生成器86。
当设定了中等时间处理模式作为动作模式时，CPU94设定第2频率作为时钟频率。即，当设定了中等时间处理模式作为动作模式时，CPU94以对时钟信号生成器86产生第2频率的时钟信号的方式控制时钟信号生成器86。
当设定了长时间处理模式作为动作模式时，CPU94设定第3频率作为时钟频率。即，当设定了长时间处理模式作为动作模式时，CPU94以对时钟信号生成器86产生第3频率的时钟信号的方式控制时钟信号生成器86。
如此，通过动作模式从短时间处理模式转移到中等时间处理模式，或者从中等时间处理模式转移到长时间处理模式，其结果，响应时间也随之变长。
接着，参考图12A～图12C对盒式存储器19的作用进行说明。
在图12A～图12C中示出由CPU94执行的动作模式设定处理的流程的一例。在以下的动作模式设定处理的说明中，为了便于说明，将电力从电源电路82供给到各种驱动元件作为前提。并且，在以下的动作模式设定处理的说明中，为了便于说明，将以命令信号表示的命令为轮询命令、读出命令或写入命令中的任一种命令作为前提。进而，在以下的动作模式设定处理的说明中，为了便于说明，将设定有长时间处理模式、中等时间处理模式或短时间处理模式作为动作模式作为前提。
在图12A所示的动作模式设定处理中，首先，在步骤ST12中，CPU94判定是否由信号处理电路88接收到命令信号。在步骤ST12中，当由信号处理电路88接收到命令信号时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST14。在步骤ST12中，当由信号处理电路88未接收到命令信号时，判定被否定，动作模式设定处理转移到步骤ST26。
在步骤ST14中，CPU94判定以在步骤ST12中由信号处理电路88接收到的命令信号表示的命令是否为轮询命令。在步骤ST14中，当以由信号处理电路88接收到的命令信号表示的命令不是轮询命令时，判定被否定，动作模式设定处理转移到图12B所示的步骤ST28。在步骤ST14中，当以由信号处理电路88接收到的命令信号表示的命令为轮询命令时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST16。
在步骤ST16中，CPU94判定在当前时点设定的动作模式是否为长时间处理模式或中等时间处理模式。在步骤ST16中，当在当前时点设定的动作模式不是长时间处理模式或中等时间处理模式时(当在当前时点设定的动作模式为短时间处理模式时)，判定被否定，动作模式设定处理转移到步骤ST22。在步骤ST16中，当在当前时点设定的动作模式为长时间处理模式或中等时间处理模式时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST18。
在步骤ST18中，CPU94将动作模式转移到短时间处理模式，然后动作模式设定处理转移到步骤ST20。
在步骤ST20中，CPU94将时钟频率设定为第1频率，然后动作模式设定处理转移到步骤ST22。
另一方面，在图12B所示的步骤ST28中，CPU94判定以在步骤ST12中由信号处理电路88接收到的命令信号表示的命令是否为写入命令。在步骤ST28中，当以由信号处理电路88接收到的命令信号表示的命令不是写入命令时(当以由信号处理电路88接收到的命令信号表示的命令为读出命令时)，判定被否定，动作模式设定处理转移到图12C所示的步骤ST36。在步骤ST28中，当以由信号处理电路88接收到的命令信号表示的命令为写入命令时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST30。
在步骤ST30中，CPU94判定在当前时点设定的动作模式是否为长时间处理模式或短时间处理模式。在步骤ST30中，当在当前时点设定的动作模式不是长时间处理模式或短时间处理模式时(当在当前时点设定的动作模式为中等时间处理模式时)，判定被否定，动作模式设定处理转移到图12A所示的步骤ST22。在步骤ST30中，当在当前时点设定的动作模式为长时间处理模式或短时间处理模式时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST32。
在步骤ST32中，CPU94将动作模式转移到中等时间处理模式，然后动作模式设定处理转移到步骤ST34。
在步骤ST34中，CPU94将时钟频率设定为第2频率，然后动作模式设定处理转移到图12A所示的步骤ST22。
另一方面，在图12C所示的步骤ST36中，CPU94判定在当前时点设定的动作模式是否为中等时间处理模式或短时间处理模式。在步骤ST36中，当在当前时点设定的动作模式不是中等时间处理模式或短时间处理模式时(当在当前时点设定的动作模式为长时间处理模式时)，判定被否定，动作模式设定处理转移到图12A所示的步骤ST22。在步骤ST36中，当在当前时点设定的动作模式为中等时间处理模式或短时间处理模式时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST38。
在步骤ST38中，CPU94将动作模式转移到长时间处理模式，然后动作模式设定处理转移到步骤ST40。
在步骤ST40中，CPU94将时钟频率设定为第3频率，然后动作模式设定处理转移到图12A所示的步骤ST22。
在图12A所示的步骤ST22中，CPU94执行与在步骤ST12中由信号处理电路88接收到的命令信号相应的处理，然后动作模式设定处理转移到步骤ST24。
在步骤ST24中，CPU94将表示对信号处理电路88及谐振电路92执行步骤ST22的处理而得到的处理结果的响应信号经由磁场MF发送到非接触式读写装置50，然后动作模式设定处理转移到步骤ST26。
在步骤ST26中，CPU94判定是否满足结束动作模式设定处理的条件(以下，称为“动作模式设定处理结束条件”)。作为动作模式设定处理结束条件，例如可以举出磁场MF已消失这一条件。关于磁场MF是否已消失，通过CPU94根据从磁场强度测定电路90输入到CPU94的磁场强度信号来判定。在步骤ST26中，当不满足动作模式设定处理结束条件时，判定被否定，动作模式设定处理转移到步骤ST12。在步骤ST26中，当满足动作模式设定处理结束条件时，判定被肯定，结束动作模式设定处理。
如以上所说明，在盒式存储器19中，外部电容器54相对于IC芯片52而言外置。并且，外部电容器54与内置电容器80及线圈60一同构成通过电场MF起作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路92。而且，IC芯片52使用根据由谐振电路92生成的交流电力而生成的直流电力进行动作。因此，根据本结构，与仅通过线圈60及单芯片化的IC芯片52中所包括的内置电容器80产生共振的情况相比，能够抑制谐振频率的偏差。并且，通过将外部电容器54加装到IC芯片52，能够增加盒式存储器19内的蓄电量，可稳定地供给电力，在非接触式写入装置50与盒式存储器19之间进行通信的期间不易产生电力不足。若不易产生电力不足，则还能够延长非接触式读写装置50与盒式存储器19之间的通信距离。
此外，IC芯片52使用由谐振电路92生成的电力进行动作。因此，根据本结构，不需要为了使IC芯片52动作而在盒式存储器19中配备电池等。
并且，在盒式存储器19中，内置电容器80及外部电容器54相对于线圈60并联连接。因此，根据本结构，能够通过内置电容器80、外部电容器54及线圈60产生谐振现象来生成电力。
并且，在盒式存储器19中，外部电容器54的容量是根据内置电容器80的容量的实测值来规定的。因此，根据本结构，与不考虑内置电容器80的容量的实测值而规定外部电容器54的容量的情况相比，能够以良好的精确度规定为了得到预先规定的谐振频率所需要的外部电容器54的容量。
并且，在盒式存储器19中，IC芯片52和外部电容器54粘接于基板26的表面26B，且IC芯片52和外部电容器54电连接。因此，根据本结构，能够维持IC芯片52与电容器54的位置关系及电连接。
并且，在盒式存储器19中，IC芯片52及外部电容器54在基板26的表面26B上由密封材料56密封。因此，根据本结构，能够从粉尘和/或外部的刺激(例如，光、水分及冲击等)保护IC芯片52及外部电容器54。
并且，在盒式存储器19中，IC芯片52及外部电容器54以导线连接方式电连接。因此，根据本结构，能够维持IC芯片52与外部电容器54的电连接。
并且，在盒式存储器19中，IC芯片52为在除磁带盒10以外的用途中也能够使用的通用类型的IC芯片，通过安装动作模式设定处理程序102作为磁带盒用程序而作为磁带盒用运算装置发挥作用。因此，根据本结构，与不使用在除磁带盒以外的用途中也能够使用的通用类型的运算装置而制造磁带盒10用的运算装置的情况相比，能够抑制盒式存储器19的制造成本。
此外，磁带盒10具备盒式存储器19和磁带MT。盒式存储器19具有NVM96，NVM96存储与磁带MT相关的管理信息100。因此，根据本结构，例如，将与磁带MT相关的管理信息100存储在未与磁带驱动器30或非接触式读写装置50相连接的另一台计算机中的情况相比，可以与磁带盒10相对应且轻易地管理管理信息100。
另外，在上述第1实施方式中，举出在动作模式设定处理中与磁场MF的强度无关地执行步骤ST12的处理的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图13所示，也可以在动作模式设定处理中，在步骤ST12的前阶段执行步骤ST10的处理。
图13所示的动作模式设定处理与图12A～图12C所示的动作模式设定处理的不同点在于，将以执行动作模式设定处理作为前提而已将第1频率的时钟信号通过时钟信号生成器86供给到各种驱动元件。并且，图13所示的动作模式设定处理与图12A～图12C所示的动作模式设定处理的不同点在于，具有步骤ST10的处理。
在图13所示的步骤ST10中，CPU94根据磁场强度信号判定磁场MF的强度是否小于阈值。在此，阈值例如为作为即使通过第1频率的时钟信号进行读出处理也不会产生电力不足的磁场的强度的下限值的、通过基于实机的试验和/或计算机模拟等预先导出的值。
在步骤ST10中，当磁场MF的强度为阈值以上时，判定被否定，动作模式设定处理转移到步骤ST26。在步骤ST10中，当磁场MF的强度小于阈值时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST12。即，当磁场MF的强度为阈值以上时，维持第1频率的时钟信号，当磁场MF的强度小于阈值时，根据以命令信号表示的命令的种类改变动作模式，且根据动作模式改变时钟频率。因此，根据本结构，能够避免尽管是不存在产生电力不足的可能性的情况，但延长处理时间的事态。
并且，在图13所示的例子中，在步骤ST12的前阶段进行磁场MF的强度是否小于阈值的判定，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图14所示，也可以在步骤ST14与步骤ST16之间插入步骤ST15。
在图14所示的步骤ST15中，进行与上述步骤ST10的处理相同的判定。然后，在步骤ST15中，当磁场MF的强度为阈值以上时，判定被否定，动作模式设定处理转移到步骤ST26。在步骤ST15中，当磁场MF的强度小于阈值时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST16。
并且，在上述第1实施方式中说明的动作模式设定处理只不过是一例，本发明的技术并不限定于此。例如，也可以通过CPU94执行图15所示的动作模式设定处理来代替图12B所示的动作模式设定处理。图15所示的动作模式设定处理与图12B所示的动作模式设定处理的不同点在于，具有步骤ST29的处理。
在图15所示的步骤ST29中，CPU94根据磁场强度信号判定磁场MF的强度是否小于阈值。在步骤ST29中，当磁场MF的强度为阈值以上时，判定被否定，动作模式设定处理转移到图12A所示的步骤ST22。在步骤ST29中，当磁场MF的强度小于阈值时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST30。
并且，在上述第1实施方式中说明的动作模式设定处理只不过是一例，本发明的技术并不限定于此。例如，也可以通过CPU94执行图16所示的动作模式设定处理来代替图12C所示的动作模式设定处理。图16所示的动作模式设定处理与图12C所示的动作模式设定处理的不同点在于，具有步骤ST35的处理。
在图16所示的步骤ST35中，CPU94根据磁场强度信号判定磁场MF的强度是否小于阈值。在步骤ST35中，当磁场MF的强度为阈值以上时，判定被否定，动作模式设定处理转移到图12A所示的步骤ST22。在步骤ST35中，当磁场MF的强度小于阈值时，判定被肯定，动作模式设定处理转移到步骤ST36。
另外，在图12B及图15所示的例子中，当以命令信号表示的命令为写入命令时，设定中等时间处理模式，且作为时钟频率而设定第2频率，但本发明的技术并不限定于此，当以命令信号表示的命令为写入命令时，也可以设定长时间处理模式，且作为时钟频率而设定第3频率。并且，在图12C及图16所示的例子中，当以命令信号表示的命令为读出命令时，设定长时间处理模式，且作为时钟频率而设定第3频率，但本发明的技术并不限定于此，当以命令信号表示的命令为读出命令时，也可以设定中等时间处理模式，且作为时钟频率而设定第2频率。如此，当以命令信号表示的命令为写入命令时及读出命令时，只要处理时间为比短时间长的中等时间或长时间即可，时钟频率低于第1频率即可。
并且，在图13～图16所示的例子中，举出根据磁场MF的强度改变响应时间的方式例进行了说明，但响应时间也可以与磁场MF的强度无关地被固定。
并且，在上述第1实施方式中，将第2频率设为第1频率的1/2的频率，将第3频率设为第1频率的1/4的频率，但本发明的技术并不限定于此，只要第2频率为低于第1频率的频率，第3频率为低于第2频率的频率即可。使第2频率低于第1频率的电平和/或使第3频率低于第2频率的电平可以根据残留于外部电容器54及内置电容器80中的电压即残留于盒式存储器19内的电力来改变。在该情况下，例如，计算机84以在残留于盒式存储器19内的电力低于阈值时，将第2频率设为第1频率的1/3以下的频率，且将第3频率设为与第2频率相同的频率或将第3频率设为低于第2频率的方式控制时钟信号生成器86。
[第2实施方式]
在上述第1实施方式中，举出外部电容器54相对于IC芯片52而言外置，并且具有使谐振电路92在预先规定的谐振频率下产生共振所需的容量值的方式例进行了说明。在本第2实施方式中，举出除了需要的容量值之外，外部电容器54还具有谐振电路92为了获得预先规定的Q值所需的电阻分量的方式例进行说明。另外，在本第2实施方式中，使用与第1实施方式相同的符号来表示与上述第1实施方式中说明的构成要素相同的构成要素，并且省略其说明。
作为一例，如图17所示，由谐振电路92感应的信号在谐振频率ω0下具有最大强度S。在谐振电路92中，谐振频率ω0是与磁场MF的频率相当的频率(例如13.56MHz)。Q值(Quality Factor)是表示谐振频率ω0下的信号清晰度的值，并且由ω0/Δω定义。在此，Δω是在谐振频率ω0下的信号强度为S时，具有
Figure BDA0002930758400000281
的信号强度的频率ω1与ω2之差。即，当ω2>ω1时，Q值(Q)可以用下式表示：
Q＝ω0/Δω＝ω0/(ω2-ω1) (1)
在图18中，示出具有不同Q值的谐振信号Q1和Q2的一例。作为一例，如图18所示，双点划线所示的谐振信号Q2具有比实线所示的谐振信号Q1低的Q值。换言之，谐振信号Q1具有比谐振信号Q2高的Q值。在谐振频率ω0下，谐振信号Q1的强度S1-1比谐振信号Q2的强度S2-1高。即，在谐振频率ω0中，Q值越高，曲线越陡峭，信号强度越高。这表明，即使盒式存储器19接收的磁场MF的强度降低，具有高Q值的谐振电路92也可以感应强的谐振信号。因此，Q值越高，非接触式读写装置50和盒式存储器19之间的通信距离就越长。
另一方面，在谐振频率ω0包含误差α的频率ω0+α或ω0-α中，谐振信号Q2的强度S2-2比谐振信号Q1的强度S1-2大。这表明，当谐振频率ω0不稳定时，与具有高Q值的谐振电路92相比，具有低Q值的谐振电路92可以感应较强的谐振信号。因此，当Q值较低时，非接触式读写装置50和盒式存储器19之间的通信稳定性提高。
在本第2实施方式中，能够预先设定用于实现通信距离比盒式存储器19的基准通信距离长的高Q值、和用于实现通信稳定性比基准通信稳定性好的的低Q值。在此，基准通信距离例如是通过实机试验和/或计算机模拟等，作为不会妨碍盒式存储器19的实际使用的通信距离而导出的值。此外，基准通信稳定性例如是通过实机试验和/或计算机模拟等，作为不会妨碍盒式存储器19的实际使用的通信稳定性而导出的值。高Q值例如是通过实机试验和/或计算机模拟等，作为用于实现目标通信距离的Q值而导出的值，并且是根据盒式存储器19的用途而不同的值。低Q值是比高Q值低的值，并且例如是通过实机试验和/或计算机模拟等，作为用于实现目标通信稳定性的Q值而导出的值，并且是根据盒式存储器19的用途而不同的值。另外，基准通信距离为本发明的技术所涉及的“基准通信距离”的一例，基准通信稳定性为本发明的技术所涉及的“基准通信稳定性”的一例。
接着，具体考虑导出Q值的公式。Q值是根据构成谐振电路92的线圈60、内置电容器80以及外部电容器54的特性而确定的值，并且是每个谐振电路92固有的值。在谐振电路92中，线圈60、内置电容器80以及外部电容器54与电源电路82并联连接。此外，由于线圈60、内置电容器80以及外部电容器54分别具有电阻分量，因此谐振电路92例如可以视为如图19所示的并联电路。在图19中，V表示电源电路82的电压。L表示线圈60的电感。电容器是并联连接的内置电容器80和外部电容器54的合成，并且具有内置电容器80和外部电容器54的合成电容CA。电阻具有电阻值R，所述电阻值R合成线圈60、内置电容器80以及外部电容器54的电阻分量。
在图19中，设定流过电阻器的电流为IR，流过电感器的电流为IL，流过电容器的电流为IC。在共振状态下，流过电感器的电流IL与流过电容器的电流IC相等。Q值由流过电感器的电流IL和流过电阻器的电流IR的比率求出，可以用下式表示：
Q＝IL/IR＝R/ωL＝R(C/L)1/2 (2)
由式(2)可知，Q值由电阻器的电阻值R、电容器的容量C、电感器的电感L确定。即，谐振电路92的Q值可以根据线圈60的电感、内置电容器80的容量、外部电容器54的容量以及谐振电路92的电阻分量中的至少一个来进行改变。
作为一例，如图20所示，在本第2实施方式中，例如，通过选择性地使用特性不同的2种外部电容器54-1和54-2，来实现具有预先规定的2个Q值中的任意一个的谐振电路92。外部电容器54-1和54-2的不同特性例如是绝缘电阻。当外部电容器54-1具有比外部电容器54-2高的绝缘电阻值时，通过使用外部电容器54-1，与使用外部电容器54-2的情况相比，包含在谐振电路92中的绝缘电阻变大，因此，由式(2)可知，Q值变大。另一方面，当使用外部电容器54-2时，与使用外部电容器54-1的情况相比，谐振电路92的Q值变小。另外，绝缘电阻为本发明的技术所涉及的“电阻分量”的一例。
作为一例，如图21所示，在谐振频率(例如13.56MHz)下，外部电容器54-1具有绝缘电阻值R1，外部电容器54-2具有绝缘电阻值R2。外部电容器54-1的绝缘电阻值R1比外部电容器54-2的绝缘电阻值R2高。
在盒式存储器19的制造工序中，选择高Q值55-1和低Q值55-2中的任意一个作为基准Q值57。高Q值55-1是有助于延长通信距离的Q值。低Q值55-2是比高Q值55-1低的值，并且是有助于提高通信稳定性的Q值。高Q值55-1和低Q值55-2分别是包括预先规定误差的值。基准Q值57根据盒式存储器19的用途和使用环境等，由盒式存储器19的制造源来选择。另外，基准Q值57为本发明的技术所涉及的“基准Q值”的一例。
当选择高Q值55-1作为基准Q值57时，具有绝缘电阻值R1的外部电容器54-1相对于IC芯片52而言外置。IC芯片52中所包含的电阻分量是已知的，当外部电容器54-1与内置电容器80并联连接时，外部电容器54-1的绝缘电阻值R1被确定为谐振电路92的Q值为高Q值55-1的范围内的值。由此，实现具有高Q值55-1的谐振电路92。
当选择低Q值55-2作为基准Q值57时，具有绝缘电阻值R2的外部电容器54-2相对于IC芯片52而言外置。当外部电容器54-2与内置电容器80并联连接时，外部电容器54-2的绝缘电阻值R2被确定为谐振电路92的Q值为低Q值55-2的范围内的值。由此，实现具有低Q值55-2的谐振电路92。
如上所述，在本第2实施方式中，盒式存储器19搭载在基板26上，并且具备：IC芯片52，其具有内置电容器80；以及外部电容器54，其相对于IC芯片52而言外置，其中，所述基板26形成有线圈60，所述线圈60通过磁场MF的作用来感应电力。线圈60、内置电容器80以及外部电容器54等构成通过磁场MF的作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路92。外部电容器54与内置电容器80并联连接，谐振电路92具有根据外部电容器54的特性而确定的Q值。因此，根据本结构，通过使用特性不同的外部电容器54，可以改变谐振电路92的Q值。
此外，Q值根据谐振频率下的外部电容器54的绝缘电阻值来确定。因此，根据本结构，通过选择性地使用绝缘电阻值不同的外部电容器54-1和54-2来作为外部电容器54，可以改变谐振电路92的Q值。
此外，将Q值设定为实现通信距离比盒式存储器19的基准通信距离更长的值。因此，根据本结构，与通过外置具有较低的绝缘电阻值R2的外部电容器54-2而形成的谐振电路92相比，可以延长通信距离。
此外，将Q值设定为实现通信稳定性比盒式存储器19的基准通信稳定性更佳的值。因此，根据本结构，与通过外置具有较高的绝缘电阻值R1的外部电容器54-1而形成的谐振电路92相比，可以提高通信稳定性。
另外，在上述第2实施方式中，由盒式存储器19的制造商从高Q值55-1和低Q值55-2之一中选择谐振电路92的Q值，并将其设定为基准Q值57，但本发明的技术并不限定于此。作为一例，如图22所示，也可以在盒式存储器19的制造工序中，测量包括线圈60和内置电容器80在内的谐振电路53的Q值作为临时Q值59，并根据所测量的临时Q值59来确定谐振电路92的Q值。另外，临时Q值59为本发明的技术所涉及的“临时Q值”的一例。
临时Q值59在外部电容器54未连接到IC芯片52并且IC芯片52连接到线圈60的状态下，由Q值测量仪、阻抗分析仪或示波器等测量。因此，根据本结构，可以根据临时Q值59将可实现的值确定为谐振电路92的Q值。
此外，在上述第2实施方式中，根据所设定的基准Q值57，选择性地使用2种外部电容器54-1和54-2中的一个，但本发明的技术并不限定于此。作为一例，如图23所示，也可以根据所设定的基准Q值57与所测量的临时Q值59之间的差异程度，来确定外部电容器54的特性、例如绝缘电阻值。外部电容器54形成为，当外部电容器54与内置电容器80并联连接时，具有谐振电路92的Q值为基准Q值57的绝缘电阻值。因此，根据本结构，与从多种电容器中选择外部电容器54的情况相比，可以提高设定基准Q值57的自由度。
作为一例，谐振电路92通过图24所示的制造工序来制造。
在图24所示的谐振电路制造工序中，首先，在步骤ST101中，确定基准Q值57，所述基准Q值为外部电容器54与内置电容器80并联连接时的谐振电路92的Q值。基准Q值57例如通过实机试验和/或计算机模拟等，根据盒式存储器19所需求的要求性能等，由盒式存储器19的制造商来确定。之后，谐振电路制造工序转移到步骤ST102。
在步骤ST102中，测量包括线圈60和内置电容器80在内的谐振电路53的Q值作为临时Q值59。之后，谐振电路制造工序转移到步骤ST103。
在步骤ST103中，根据所确定的基准Q值57和所测量的临时Q值59之间的差异程度，当外部电容器54与内部电容器80并联连接时，形成外部电容器54，以使得谐振电路92的Q值变为基准Q值57。之后，谐振电路制造工序转移到步骤ST104。
在步骤ST104中，所形成的外部电容器54与内置电容器80并联连接。因此，根据谐振电路制造工序，能够制造具有由制造商确定的基准Q值57的谐振电路92。
此外，在上述第2实施方式中，举出通过使用作为本发明的技术所涉及的“特性"的一例的绝缘电阻值不同的外部电容器54来改变谐振电路92的Q值的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。作为一例，如图25所示，也可以通过使IC芯片52及外部电容器54与电阻器61并联连接，来改变谐振电路92的Q值。在外置电阻器61时，由式(2)可知，电阻器61的电阻值越高，谐振电路92的Q值就越高。
在这种情况下，作为一例，如图26所示，电阻器61也可以通过导线连接方式与IC芯片52以及外部电容器54并列地外置在盒式存储器19的表面26B上。电阻器61与盒式存储器19的表面26B粘接且电连接。具体而言，电阻器61的一端经由配线64E与第1导通部62A连接，另一端经由配线64F与第2导通部62B连接。
此外，电阻器61与IC芯片52及外部电容器54并联连接的方式例并不限定于此，作为一例，如图27所示，埋设在盒式存储器19的基板26中的电阻器61也可以与IC芯片52及外部电容器54并联地进行导线连接。在这种情况下，作为一例，如图28所示，将电阻器61预先埋设在基板26中，当想要提高谐振电路92的Q值时，电阻器61的一端也可以经由配线64E与第1导通部62A连接，另一端经由配线64F与第2导通部62B连接。根据本结构，由于电阻器61埋设在基板26中，因此可以保护电阻器61免受粉尘和/或外部的刺激(例如，光、水分和冲击等)。此外，在盒式存储器19的表面26B上，覆盖IC芯片52及外部电容器54的手套箱顶部63不需要覆盖电阻器61，因此可以利用常规部件来实现电阻器61的外置。
另外，在上述各实施方式中，举出通过导线连接方式连接IC芯片52和线圈60的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图29所示，IC芯片52和线圈60可以通过倒装芯片连接方式进行连接。在这种情况下，例如，IC芯片52的正极端子和负极端子中的一个端子直接连接到第1导通部62A，另一个端子直接连接到第2导通部62B。因此，根据本结构，与通过导线连接方式连接IC芯片52和线圈60的情况相比，可以以节省空间的方式实现IC芯片52和线圈60之间的电连接。
并且，在上述各实施方式中，作为倾斜角度θ，例示出45度，但本发明的技术并不限定于此，作为一例，如图30所示，作为盒式存储器19相对于基准面16A1的倾斜角度，也可以采用小于倾斜角度θ的倾斜角度θ1。作为倾斜角度θ1的一例，可以举出30度。由于倾斜角度θ1为小于倾斜角度θ的角度，因此与倾斜角度θ的情况相比，能够使更多磁力线贯穿线圈60(参考图7)。其结果，在磁带盒10装填于磁带驱动器30中的状态下，与倾斜角度θ的情况相比，线圈60能够得到更大的感应电流。
作为一例，如图31所示，在磁带盒10的生产工序、磁带盒10的管理工序和/或流通磁带盒10的流通工序(例如，在市场上的流通工序)中，通过非接触式读写装置150对沿上下方向重叠的多个磁带盒10由塑料膜捆绑而成的包装200内的各磁带盒10的盒式存储器19进行管理信息100等的读写。通过非接触式读写装置150对盒式存储器19读写管理信息100等是通过在磁带盒10的后侧使非接触式读写装置150沿着多个磁带盒10的重叠方向移动来进行的。在该情况下，例如，非接触式读写装置150一边反复进行磁场MF1的接通和关闭一边对磁带盒10分别依次释放磁场MF1。
然而，在磁带盒10装填于磁带驱动器30中的环境下(第1环境下)，从磁带盒10的下方向或上方向通过非接触式读写装置50将磁场MF(第1磁场)从相对于基准面16A1正对的一侧朝向基板26中的形成有线圈60的背面26A(线圈形成面)赋予(参考图30)。由此，与盒式存储器19的倾斜角度为倾斜角度θ的情况相比，更多的磁力线贯穿线圈60，能够得到更大的感应电流。
相对于此，在生产工序、管理工序和/或流通工序的环境下(第2环境下)，作为一例，如图31所示，将多个磁带盒10作为包装200而进行处理。在该情况下，从相对于基准面16A1的法线方向交叉且与背面26A对置的一侧朝向背面26A赋予磁场MF1(第2磁场)。由此，与盒式存储器19的倾斜角度为倾斜角度θ的情况相比，能够抑制对包装200内未意图的磁带盒10进行管理信息100等的读写(产生串扰)。
另外，在图31所示的例子中，例示出当非接触式读写装置150经由磁场MF1与包装200内的各盒式存储器19进行通信时，非接触式读写装置150相对于包装200沿着上下方向移动的方式，但该方式只不过是一例，也可以固定非接触式读写装置150的位置，并使包装200沿着上下方向移动。并且，也可以使非接触式读写装置150和包装200在上下方向上沿相反的方向移动。如此，当非接触式读写装置150经由磁场MF1与包装200内的各盒式存储器19进行通信时，只要非接触式读写装置150相对于包装200沿着上下方向相对移动即可。
当对盒式存储器19进行管理信息100等的读写时，非接触式读写装置150从磁带盒10的后方朝向盒式存储器19释放磁场MF1。盒式存储器19的电力生成器70通过磁场MF1作用于盒式存储器19的线圈60而生成电力。然后，非接触式读写装置150经由磁场MF1将命令信号发送到盒式存储器19。盒式存储器19使用由电力生成器70生成的电力执行与命令信号相应的处理，且将处理结果作为响应信号发送到非接触式读写装置150。即，在非接触式读写装置150与盒式存储器19之间经由磁场MF1进行各种信息的授受。
对于包装200中所包括的一个磁带盒10(以下，不标注符号而也称为“单一盒”)的盒式存储器19(以下，不标注符号而也称为“读写对象盒式存储器”)，从单一盒的后方朝向读写对象盒式存储器，从非接触式读写装置150赋予磁场MF1。但是，在倾斜角度θ的情况下，根据磁场MF1的指向性，对在包装200内与单一盒相邻的磁带盒10(以下，也称为“相邻盒”)的盒式存储器19也赋予磁场MF1，有可能对相邻盒的盒式存储器19进行管理信息100等的读写。对相邻盒的盒式存储器19进行管理信息100等的读写，换言之就是产生串扰。
在此，当设为倾斜角度θ1时，与倾斜角度θ相比，能够减少贯穿盒式存储器19的线圈60的磁力线的根数，与倾斜角度θ相比，难以对相邻盒的盒式存储器19赋予磁场MF1。其结果，当设为倾斜角度θ1时，与倾斜角度θ相比，能够抑制对磁带盒10错误地读写管理信息100等，即能够抑制产生串扰。其结果，例如，在磁带盒10的生产工序中，不会增加设备成本而能够提高磁带盒10的生产率。并且，在磁带盒10的管理工序中，不会增加设备成本而能够实现磁带盒10的管理的效率化。
并且，在图10所示的例子中，举出了在NVM96中存储有动作模式设定处理程序102的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图32所示，动作模式设定处理程序102也可以存储于存储介质300中。存储介质300为非临时性的存储介质。作为存储介质300的一例，可以举出SSD或USB存储器等任意的便携式的存储介质。
存储于存储介质300中的动作模式设定处理程序102安装于计算机84中。CPU94按照动作模式设定处理程序102执行动作模式设定处理。在图32所示的例子中，CPU94为单个CPU，但也可以为多个CPU。
并且，也可以在经由通信网(省略图示)连接于计算机84的其他计算机或服务器装置等的存储部预先存储动作模式设定处理程序102，根据来自盒式存储器19的请求下载动作模式设定处理程序102，并安装于计算机84中。
在图32所示的例子中，例示出计算机84，但本发明的技术并不限定于此，也可以适用包括ASIC、FPGA和/或PLD的器件来代替计算机84。并且，也可以使用硬件结构与软件结构的组合来代替计算机84。
作为执行动作模式设定处理的硬件资源，能够使用以下所示的各种处理器。作为处理器，例如可以举出通过执行软件即程序来作为执行动作模式设定处理的硬件资源发挥作用的通用的处理器即CPU。并且，作为处理器，例如可以举出FPGA、PLD或ASIC等具有为了执行特定处理而专门设计的电路结构的处理器即专用电路。在任何处理器中都内置或连接有存储器，任何处理器都通过使用存储器来执行动作模式设定处理。
执行动作模式设定处理的硬件资源可以由这些各种处理器中的一个构成，也可以由相同种类或不同种类的两个以上的处理器的组合(例如，多个FPGA的组合、或CPU与FPGA的组合)构成。并且，执行动作模式设定处理的硬件资源也可以为一个处理器。
作为由一个处理器构成的例子，第一，有以一个以上的CPU与软件的组合构成一个处理器，该处理器作为执行动作模式设定处理的硬件资源发挥作用的方式。第二，有以SoC等为代表那样，使用由一个IC芯片实现包括执行动作模式设定处理的多个硬件资源的整个系统的功能的处理器的方式。如此，使用上述各种处理器中的一个以上作为硬件资源来实现动作模式设定处理。
另外，作为这些各种处理器的硬件结构，更具体而言，能够使用将半导体元件等电路元件组合而成的电路。并且，上述动作模式设定处理只不过是一例。因此，在不脱离宗旨的范围内，当然可以删除不必要的步骤，或者追加新的步骤，或者更换处理顺序。
以上所示的记载内容及图示内容为关于本发明的技术所涉及的一部分的详细说明，只不过是本发明的技术的一例。例如，与上述结构、功能、作用及效果有关的说明为与本发明的技术所涉及的部分的结构、功能、作用及效果的一例有关的说明。因此，在不脱离本发明的技术的宗旨的范围内，当然可以对以上所示的记载内容及图示内容删除不必要的部分，或者追加或替换新的要件。并且，为了避免错综复杂的情况，并且容易理解本发明的技术所涉及的部分，在以上所示的记载内容及图示内容中省略了与在使得能够实施本发明的技术的方面不特别需要说明的技术常识等有关的说明。
在本说明书中，“A和/或B”的含义与“A及B中的至少一个”相同。即，“A和/或B”的含义是可以仅为A，也可以仅为B，也可以为A与B的组合。并且，在本说明书中，将3个以上的情况用“和/或”连结而表现的情况也适用与“A和/或B”相同的思路。
本说明书中所记载的所有文献、专利申请及技术标准与具体地且分别地记载通过参考而被并入的各个文献、专利申请及技术标准的情况相同程度地，通过参考而被并入本说明书中。
关于以上的实施方式，进一步公开以下附记。
(附记1)
一种非接触式管理方法，在上述非接触式管理方法中，对于容纳有非接触式通信介质且形成有基准平面的磁带盒内的上述非接触式通信介质，从外部装置赋予上述外部磁场，经由所赋予的上述外部磁场与上述非接触式通信介质进行通信，由此管理上述磁带盒，上述非接触式通信介质具备：基板，其形成有线圈；电力生成器，其通过从上述外部装置施加的外部磁场作用于上述线圈而生成电力；及处理器，其使用由上述电力生成器生成的上述电力对上述外部磁场中所包含的命令进行处理，上述非接触式管理方法包括如下步骤：
以相对于上述基准平面小于45度的角度倾斜地配置上述基板；
在上述磁带盒装填于磁带驱动器中的第1环境下，从相对于上述基准平面正对的一侧朝向上述基板中的形成有上述线圈的线圈形成面赋予第1磁场作为上述外部磁场；及
在上述磁带盒存在于上述磁带驱动器外的第2环境下，从相对于上述基准平面的法线方向交叉且与上述线圈形成面对置的一侧朝向上述线圈形成面赋予第2磁场作为上述外部磁场。
(附记2)
根据附记1所述的非接触式管理方法，其中，上述第2环境为上述磁带盒的生产工序、上述磁带盒的管理工序和/或上述磁带盒流通的流通工序。
(附记3)
根据附记1或附记2所述的非接触式管理方法，其中，在上述生产工序、上述管理工序及上述流通工序中，分别包括对沿上述法线方向重叠有多个上述磁带盒的包装内的上述非接触式通信介质赋予上述第2磁场的工序。
(附记4)
根据附记3所述的非接触式管理方法，其包括如下步骤：上述外部装置一边沿着上述法线方向移动，一边对上述多个磁带盒的各自的上述非接触通信介质的上述线圈形成面赋予上述外部磁场。

Claims (21)

1.一种非接触式通信介质，其具备：
处理电路，其搭载在形成有线圈的基板上，并且具有内置电容器，其中，所述线圈通过从外部施加的外部磁场的作用来感应电力；及
外部电容器，其相对于所述处理电路而言外置，并且与所述内置电容器及所述线圈一同构成通过所述外部磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路，
所述外部电容器与所述内置电容器并联连接，
并且所述谐振电路具有根据所述外部电容器的特性而确定的Q值。
2.根据权利要求1所述的非接触式通信介质，其中，
所述Q值根据特定频带中的所述外部电容器的电阻分量而确定。
3.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
将所述Q值设定为实现通信距离比所述非接触式通信介质的基准通信距离更长的值。
4.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
将所述Q值设定为实现通信稳定性比所述非接触式通信介质的基准通信稳定性更佳的值。
5.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
根据在所述外部电容器未连接到所述处理电路并且所述处理电路连接到所述线圈的状态下测量的临时Q值来确定所述Q值。
6.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
根据基准Q值、与在所述外部电容器未连接到所述处理电路并且所述处理电路连接到所述线圈的状态下测量的临时Q值之间的差异程度来确定所述外部电容器的特性。
7.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
所述处理电路使用由所述谐振电路生成的电力来动作。
8.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
所述内置电容器及所述外部电容器相对于所述线圈并联连接。
9.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
所述外部电容器的容量根据所述内置电容器的容量的实测值来确定。
10.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
所述处理电路和所述外部电容器粘接并电连接到所述基板的特定面上。
11.根据权利要求10所述的非接触式通信介质，其中，
所述处理电路及所述外部电容器在所述特定面上由密封材料密封。
12.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
所述处理电路及所述外部电容器通过导线连接方式进行电连接。
13.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
所述处理电路通过倒装芯片连接方式与所述线圈电连接。
14.根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质，其中，
所述处理电路是通用类型，也能够用于除磁带盒以外的用途，并且通过安装磁带盒用程序而作为磁带盒用运算装置发挥作用。
15.一种磁带盒，其具备：
根据权利要求1或2所述的非接触式通信介质；及
磁带，其中，
所述非接触式通信介质具有存储器，
所述存储器存储与所述磁带相关的信息。
16.一种非接触式通信介质的制造方法，
所述非接触式通信介质具备：
处理电路，其搭载在形成有线圈的基板上，并且具有内置电容器，其中，所述线圈通过从外部施加的外部磁场的作用来感应电力；及
外部电容器，其相对于所述处理电路而言外置，并且与所述内置电容器及所述线圈一同构成通过所述外部磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生共振的谐振电路，
所述非接触式通信介质的制造方法包括：
Q值确定工序，其确定所述外部电容器与所述内置电容器并联连接时的所述谐振电路的Q值；
外部电容器形成工序，其当所述外部电容器与所述内置电容器并联连接时，并且在所述谐振电路的Q值为由所述Q值确定工序来确定的Q值的条件下，来形成所述外部电容器；及
连接工序，其将在所述外部电容器形成工序中形成的所述外部电容器与所述内置电容器并联连接。
17.根据权利要求16所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，
所述条件是当所述外部电容器与所述内置电容器并联连接时，所述外部电容器在特定频带中具有所述谐振电路的Q值成为由所述Q值确定工序所确定的Q值的电阻分量。
18.根据权利要求16或17所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，
由所述Q值确定工序确定的Q值是实现通信距离比所述非接触式通信介质的基准通信距离更长的值。
19.根据权利要求16或17所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，
由所述Q值确定工序确定的Q值是实现通信稳定性比所述非接触式通信介质的基准通信稳定性更佳的值。
20.根据权利要求16或17所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，
在所述Q值确定工序中，根据在所述外部电容器未连接到所述处理电路并且所述处理电路连接到所述线圈的状态下测量的临时Q值，来确定所述谐振电路的Q值。
21.根据权利要求16或17所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，
在所述Q值确定工序中，根据基准Q值、与在所述外部电容器未连接到所述处理电路并且所述处理电路连接到所述线圈的状态下测量的临时Q值之间的差异程度来确定所述外部电容器的特性。
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Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ZA981382B (en) 1997-03-07 1998-08-24 Kaba Schliesssysteme Ag High frequency identification medium with passive electronic data carrier
US6840440B2 (en) 1998-11-11 2005-01-11 Mitsubishi Materials Corporation Identifying system of overlapped tag
JP2000151480A (ja) 1998-11-11 2000-05-30 Mitsubishi Materials Corp 重畳タグの識別方式
EP1734461A2 (en) * 1999-07-12 2006-12-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mobile body discrimination apparatus for rapidly acquiring respective data sets transmitted through modulation of reflected radio waves by transponders which are within a communication region of an interrogator apparatus
DE10124222A1 (de) 2001-05-18 2002-11-21 Atmel Germany Gmbh Verfahren zum Abgleich eines Antennenschwingkreises eines passiven Transponders
JP2003157413A (ja) 2001-11-20 2003-05-30 Dainippon Printing Co Ltd 非接触型ｉｃカード
JP4035706B2 (ja) 2002-05-13 2008-01-23 三菱マテリアル株式会社 Ｒｆｉｄタグの測定装置及び測定方法並びに該装置を用いたｒｆｉｄ用タグの製造方法
JP4016261B2 (ja) 2002-09-24 2007-12-05 三菱マテリアル株式会社 Ｒｆｉｄ用トランスポンダ及び共振周波数の調整方法
JP4367013B2 (ja) 2002-10-28 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 非接触通信媒体
JP4102994B2 (ja) 2003-07-07 2008-06-18 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 アンテナ回路及び非接触型ｉｃカード、並びに非接触型ｉｃカードの製造方法
JP2005129827A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Toppan Printing Co Ltd 非接触ｉｃカード用コンデンサおよびそれを用いた非接触ｉｃカード
JP2005136901A (ja) 2003-10-31 2005-05-26 Sony Corp Ｉｃカード用アンテナモジュール及びその製造方法、並びに、ｉｃカード及びその製造方法
JP4566664B2 (ja) 2004-09-01 2010-10-20 大日本印刷株式会社 非接触データキャリア及びその製造方法
JP2006262055A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 Sony Corp アンテナモジュール及びこれを備えた携帯情報端末
JP4649430B2 (ja) * 2007-03-20 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 非接触電力伝送装置
JP2008270654A (ja) 2007-04-24 2008-11-06 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4637204B2 (ja) * 2008-04-30 2011-02-23 フェリカネットワークス株式会社 通信装置、及びアンテナ特性の制御方法
US8432070B2 (en) 2008-08-25 2013-04-30 Qualcomm Incorporated Passive receivers for wireless power transmission
JP5099846B2 (ja) 2008-09-05 2012-12-19 Ｎｅｃトーキン株式会社 電磁誘導モジュール
JP4668315B2 (ja) * 2008-12-02 2011-04-13 フェリカネットワークス株式会社 情報処理装置、通信制御方法、およびプログラム
JP2011030404A (ja) * 2009-06-22 2011-02-10 Felica Networks Inc 情報処理装置、プログラム、および情報処理システム
JP2011253362A (ja) 2010-06-02 2011-12-15 Toppan Tdk Label Co Ltd Ｉｃタグ
CN103502845B (zh) * 2011-03-31 2018-04-13 索尼公司 检测器、电力传送器和接收器、电力供给系统及检测方法
WO2013035188A1 (ja) * 2011-09-08 2013-03-14 富士通株式会社 送電装置、受電装置および非接触型充電方法
JP2013059236A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Sony Corp 検知装置、受電装置、送電装置、非接触電力伝送システム及び検知方法
JP5976385B2 (ja) * 2012-05-07 2016-08-23 ソニー株式会社 検知装置、受電装置、送電装置及び非接触給電システム
WO2019173579A1 (en) * 2018-03-07 2019-09-12 University Of Tennessee Research Foundation Series self-resonant coil structure for conducting wireless power transfer
WO2019176325A1 (ja) 2018-03-15 2019-09-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 非接触通信媒体、記録媒体カートリッジ、非接触通信媒体の駆動方法及びプログラム
WO2019198527A1 (ja) 2018-04-09 2019-10-17 ソニー株式会社 非接触通信媒体及び記録媒体カートリッジ
CN111954887A (zh) 2018-04-09 2020-11-17 索尼半导体解决方案公司 非接触式通信介质，其驱动方法以及记录介质盒
US11699056B2 (en) * 2019-09-24 2023-07-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. RFID inlay

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