CN113257843A - 感光元件 - Google Patents
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Abstract
一种感光元件，包括基板、第一电极、第二电极以及感光层。第一电极位于基板上，且具有多个第一开口。第二电极重叠于第一电极以及第一开口。感光层夹置于第一电极与第二电极之间，且重叠第一电极以及第二电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种感光元件。
背景技术
目前，为了增加产品的使用便利性，许多厂商会于产品中装设感光元件。举例来说，现有的手机内时常附载具有指纹识别功能的感光元件。在现有的指纹识别技术中，感光元件检测手指指纹所反射的光线。指纹的高低起伏会有不同强度的反射光，因此，不同的光线强度会使感测装置产生不同大小的电流，并借此分辨指纹的形状。
发明内容
本发明提供一种感光元件，具有较低的电容值以及较好的感光能力。
本发明的至少一实施例提供一种感光元件。感光元件包括基板、第一电极、第二电极以及感光层。第一电极位于基板上，且具有多个第一开口。第二电极重叠于第一电极以及第一开口。感光层夹置于第一电极与第二电极之间，且重叠第一电极以及第二电极。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。
图1B是图1A的线A-A’的剖面示意图。
图1C是图1A的线B-B’的剖面示意图。
图2A是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。
图2B是图2A的线a-a’的剖面示意图。
图2C是图2A的线b-b’的剖面示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。
图4是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。
图5是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。
图6是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。
附图标记说明：
10、20、30、40、50、60：感光元件
100：基板
110：第一电极
112：第一开口
114、122：重叠部
116、124：连接部
120：第二电极
126：第二开口
130：感光层
132：感光图案
CH：半导体层
CL：信号线
D：漏极
DL：数据线
G：栅极
R1、R2：面积
S：源极
SL：扫描线
T：主动元件
H1、H2、H3、H4、H5：通孔
具体实施方式
图1A是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。图1B是图1A的线A-A’的剖面示意图。图1C是图1A的线B-B’的剖面示意图。
请参考图1A、图1B以及图1C，感光元件10包括基板100、第一电极110、第二电极120以及感光层130。在本实施例中，感光元件10还包括扫描线SL、数据线DL、信号线CL以及主动元件T。
主动元件T位于基板100上。主动元件T包括栅极G、半导体层CH、源极S以及漏极D。栅极G电性连接扫描线SL。半导体层CH重叠于栅极G，且半导体层CH与栅极G之间夹有栅极绝缘层GI。在一些实施例中，半导体层CH、栅极绝缘层GI以及栅极G按序堆叠于基板100上。层间介电层ILD位于栅极G以及栅极绝缘层GI上。源极S与漏极D位于层间介电层ILD上。源极S电性连接数据线DL以及半导体层CH。在本实施例中，源极S直接连接数据线DL，且通过贯穿层间介电层ILD以及栅极绝缘层GI的通孔H1而电性连接至半导体层CH。漏极D电性连接半导体层CH以及第一电极110。在本实施例中，漏极D直接连接第一电极110，且通过贯穿层间介电层ILD以及栅极绝缘层GI的通孔H2而电性连接至半导体层CH。
在本实施例中，主动元件T为顶部栅极型薄膜晶体管，但本发明不限于此。在其他实施例中，栅极G也可以位于半导体层CH下方，使得主动元件T为底部栅极型薄膜晶体管。另外，源极S与半导体层CH之间以及漏极D与半导体层CH之间还可以选择性地包括欧姆接触层，以增进源极S与半导体层CH之间以及漏极D与半导体层CH之间的电传导。
在本实施例中，栅极G与扫描线SL属于相同导电层，且彼此直接相连，但本发明不以此为限。在本实施例中，栅极G与扫描线SL的材料包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
在本实施例中，信号线CL、数据线DL、源极S、漏极D与第一电极110属于相同导电层，且材料包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
第一电极110位于基板100上，且具有多个第一开口112。第一开口112可用于减少第一电极110的面积，并减少感光元件10的总电容值。举例来说，第一电极110以及第一开口112的面积总和为R1，由于第一开口112的面积大于0，因此第一电极110的面积小于R1。
感光层130位于第一电极110上。在一些实施例中，感光层130包括互相分离的多个感光图案132，借此彼此分离的感光图案132能减少感光元件10的总电容值。在一些实施例中，至少部分第一开口112于基板100的垂直投影位于感光图案132于基板100的垂直投影之间。在本实施例中，感光图案132排成多行，且至少部分第一开口112于基板100的垂直投影位于相邻的两行感光图案132于基板100的垂直投影之间。在本实施例中，感光图案132于基板100的垂直投影分别位于扫描线SL于基板100的垂直投影的相对两侧。
在一些实施例中，感光层130的材料包括富硅氧化物。在一些实施例中，感光层130的材料包括N型半导体、本质半导体以及P型半导体。
绝缘层PL1位于数据线DL、源极S、漏极D与第一电极110上。在本实施例中，部分绝缘层PL1位于感光层130上，且具有暴露出感光层130的多个通孔H3，每个通孔H3重叠于一个感光图案132。
第二电极120位于绝缘层PL1上，且重叠于第一电极110以及第一开口112。感光层130夹置于第一电极110与第二电极120之间，且重叠第一电极110以及第二电极120。在本实施例中，第二电极120填入通孔H3并连接感光层130。
在本实施例中，第二电极120的材料包括透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。
在本实施例中，第二电极120包括多个重叠部122以及多个连接部124。重叠部122分别重叠于感光图案132。连接部124连接重叠部122，且至少部分第一开口112重叠于连接部124。在本实施例中，各连接部124的形状为X字形，且各连接部124的四个端点分别连接一个重叠部122。
在本实施例中，第二电极120包括多个第二开口126。第二开口126可用于减少第二电极120的面积，并减少感光元件10的总电容值。举例来说，第二电极120以及第二开口126的面积总和为R2，由于第二开口126的面积大于0，因此第二电极120的面积小于R2。
至少部分第二开口126于基板100的垂直投影位于连接部124于基板100的垂直投影之间。第二开口126与第一开口112交错设置，借此降低第一电极110与第二电极120的重叠面积，以减少感光元件10的总电容值。
在一些实施例中，以第二电极120以及第二开口126重叠于第一电极110以及第一开口112的面积为100％(即以R2重叠于R1的面积为100％)，第二电极120与第一电极110重叠的面积为A，且100％<A<30％。在一些实施例中，第一电极110上不具有第一开口112，换句话说，第一电极110的面积最大等于R1。在一些实施例中，第二电极120上不具有第二开口126，换句话说，第二电极120的面积最大等于R2。
，第一开口112占据第一电极110以及第一开口112的总面积的比例为B(即第一开口112占据R1的面积的比例为B)，0％<B<60％。
，第二开口126占据第二电极120以及第二开口126的总面积的比例为C(即第二开口126占据R2的面积的比例为C)，0％<C<60％。
在本实施例中，第二电极120通过贯穿绝缘层PL1的通孔H4而电性连接至信号线CL。绝缘层PL2覆盖第二电极120。
基于上述，感光元件10的总电容值得以减少，借此提升感光能力。
图2A是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。图2B是图2A的线a-a’的剖面示意图。图2C是图2A的线b-b’的剖面示意图。
请参考图2A、图2B以及图2C，感光元件20包括基板100、第一电极110、第二电极120以及感光层130。在本实施例中，感光元件10还包括扫描线SL、数据线DL以及主动元件T。
主动元件T位于基板100上。主动元件T包括栅极G、半导体层CH、源极S以及漏极D。栅极G电性连接扫描线SL。半导体层CH重叠于栅极G，且半导体层CH与栅极G之间夹有栅极绝缘层GI。在一些实施例中，半导体层CH、栅极绝缘层GI以及栅极G按序堆叠于基板100上。层间介电层ILD位于栅极G以及栅极绝缘层GI上。源极S与漏极D位于层间介电层ILD上。源极S电性连接数据线DL以及半导体层CH。在本实施例中，源极S直接连接数据线DL，且通过贯穿层间介电层ILD以及栅极绝缘层GI的通孔H1而电性连接至半导体层CH。漏极D电性连接半导体层CH以及第一电极110。在本实施例中，漏极D通过贯穿层间介电层ILD以及栅极绝缘层GI的通孔H2而电性连接至半导体层CH。
在本实施例中，栅极G与扫描线SL属于相同导电层，且彼此直接相连，但本发明不以此为限。在本实施例中，栅极G与扫描线SL的材料包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
在本实施例中，数据线DL、源极S、漏极D与第一电极110属于相同导电层，且材料包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
第一电极110位于基板100上，且具有多个第一开口112。第一开口112可用于减少第一电极110的面积，并减少感光元件20的总电容值。举例来说，第一电极110以及第一开口112的面积总和为R1，由于第一开口112的面积大于0，因此第一电极110的面积小于R1。在本实施例中，第一电极110与漏极D彼此分离。在本实施例中，第一电极110向外延伸并电性连接至其他电压。
感光层130位于第一电极110上。在一些实施例中，感光层130包括互相分离的多个感光图案132，借此彼此分离的感光图案132能减少感光元件20的总电容值。在一些实施例中，至少部分第一开口112于基板100的垂直投影位于感光图案132于基板100的垂直投影之间。在本实施例中，感光图案132排成多行，且至少部分第一开口112于基板100的垂直投影位于相邻的两行感光图案132于基板100的垂直投影之间。在本实施例中，感光图案132于基板100的垂直投影分别位于扫描线SL于基板100的垂直投影的相对两侧。
在一些实施例中，感光层130的材料包括富硅氧化物。在一些实施例中，感光层130的材料包括N型半导体、本质半导体以及P型半导体。
绝缘层PL1位于数据线DL、源极S、漏极D与第一电极110上。在本实施例中，部分绝缘层PL1位于感光层130上，且具有暴露出感光层130的多个通孔H3，每个通孔H3重叠于一个感光图案132。在本实施例中，绝缘层PL1还具有暴露出漏极D的通孔H5。
第二电极120位于绝缘层PL1上，且重叠于第一电极110以及第一开口112。感光层130夹置于第一电极110与第二电极120之间，且重叠第一电极110以及第二电极120。在本实施例中，第二电极120填入通孔H3并连接感光层130。在本实施例中，第二电极120填入通孔H5并电性连接漏极D。
在本实施例中，第二电极120的材料包括透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。
在本实施例中，第二电极120包括多个重叠部122以及多个连接部124。重叠部122分别重叠于感光图案132。连接部124连接重叠部122，且第一开口112重叠于连接部124。在本实施例中，各连接部124的形状为X字形，且各连接部124的四个端点分别连接一个重叠部122。
在本实施例中，第二电极120包括多个第二开口126。第二开口126可用于减少第二电极120的面积，并减少感光元件20的总电容值。举例来说，第二电极120以及第二开口126的面积总和为R2，由于第二开口126的面积大于0，因此第二电极120的面积小于R2。
至少部分第二开口126于基板100的垂直投影位于连接部124于基板100的垂直投影之间。第二开口126与第一开口112交错设置，借此降低第一电极110与第二电极120的重叠面积，以减少感光元件20的总电容值。
在一些实施例中，以第二电极120以及第二开口126重叠于第一电极110以及第一开口112的面积为100％(即以R1重叠于R2的面积为100％)，第二电极120与第一电极110重叠的面积为A，且100％<A<30％。
在一些实施例中，第一开口112占据第一电极110以及第一开口112的总面积的比例为B(即第一开口112占据R1的面积的比例为B)，0％<B<60％。
在一些实施例中，第二开口126占据第二电极120以及第二开口126的总面积的比例为C(即第二开口126占据R2的面积的比例为C)，0％<C<60％。
绝缘层PL2覆盖第二电极120。
基于上述，感光元件20的总电容值得以减少，借此提升感光能力。
图3是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的感光元件30与图1A的感光元件10的差异包括：感光元件30的第二电极120不具有重叠于第一电极110的通孔126。
请参考图3，感光元件30包括基板100、第一电极110、第二电极120以及感光层130。第一电极110位于基板100上，且具有多个第一开口112。第二电极120重叠于第一电极110以及第一开口112。感光层130夹置于第一电极110与第二电极120之间，且重叠第一电极110以及第二电极120。
基于上述，感光元件30的第一开口112可用于减少第一电极110的面积，并减少感光元件30的总电容值。
图4是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图2A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的感光元件40与图2A的感光元件10的差异包括：感光元件40的第二电极120不具有重叠于第一电极110的通孔126。
请参考图4，感光元件40包括基板100、第一电极110、第二电极120以及感光层130。第一电极110位于基板100上，且具有多个第一开口112。第二电极120重叠于第一电极110以及第一开口112。感光层130夹置于第一电极110与第二电极120之间，且重叠第一电极110以及第二电极120。
基于上述，感光元件40的第一开口112可用于减少第一电极110的面积，并减少感光元件40的总电容值。
图5是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的感光元件50与图3的感光元件30的差异包括：感光元件50的第二电极120、数据线DL、信号线CL、源极D以及漏极S属于相同导电层，且感光元件50的第二电极120连接至开关元件T的漏极D，而第一电极110通过通孔H4而电性连接至信号线CL。
请参考图5，感光元件50包括基板100、第一电极110、第二电极120以及感光层130。第一电极110位于基板100上，且具有多个第一开口112。第二电极120重叠于第一电极110以及第一开口112。感光层130夹置于第一电极110与第二电极120之间，且重叠第一电极110以及第二电极120。
主动元件T包括栅极G、半导体层CH、源极S以及漏极D。栅极G电性连接扫描线SL。半导体层CH重叠于栅极G。源极S电性连接数据线DL以及半导体层CH。漏极D电性连接半导体层CH以及第二电极120。第二电极120与漏极D属于相同导电层且彼此相连。
在本实施例中，第一电极110包括多个重叠部114以及多个连接部116。重叠部114分别重叠于感光图案132。连接部116连接重叠部114。在本实施例中，各连接部116的形状为X字形，且各连接部116的四个端点分别连接一个重叠部114。
在本实施例中，第一电极110的材料包括透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。
在本实施例中，第二电极120的材料包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
基于上述，感光元件50的第一开口112可用于减少第一电极110的面积，并减少感光元件50的总电容值。
图6是依照本发明的一实施例的一种感光元件的俯视图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6的感光元件60与图4的感光元件40的差异包括：感光元件60的第二电极120、数据线DL、信号线CL、源极D以及漏极S属于相同导电层，且感光元件60的第一电极110连接至开关元件T的漏极D，而第二电极120则向外延伸并电性连接至其他电压。
请参考图6，感光元件60包括基板100、第一电极110、第二电极120以及感光层130。第一电极110位于基板100上，且具有多个第一开口112。第二电极120重叠于第一电极110以及第一开口112。感光层130夹置于第一电极110与第二电极120之间，且重叠第一电极110以及第二电极120。
主动元件T包括栅极G、半导体层CH、源极S以及漏极D。栅极G电性连接扫描线SL。半导体层CH重叠于栅极G。源极S电性连接数据线DL以及半导体层CH。漏极D电性连接半导体层CH以及第一电极110。第二电极120与漏极D属于相同导电层且彼此分离。
在本实施例中，第一电极110包括多个重叠部114以及多个连接部116。重叠部114分别重叠于感光图案132。连接部116连接重叠部114。在本实施例中，各连接部116的形状为X字形，且各连接部116的四个端点分别连接一个重叠部114。
在本实施例中，第一电极110的材料包括透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。
在本实施例中，第二电极120的材料包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
基于上述，感光元件60的第一开口112可用于减少第一电极110的面积，并减少感光元件60的总电容值。
Claims (18)
1.一种感光元件，包括：
一基板；
一第一电极，位于该基板上，且具有多个第一开口；
一第二电极，重叠于该第一电极以及该些第一开口；以及
一感光层，夹置于该第一电极与该第二电极之间，且重叠该第一电极以及该第二电极。
2.如权利要求1所述的感光元件，其中该感光层包括互相分离的多个感光图案，且至少部分该些第一开口于该基板的垂直投影位于该些感光图案于该基板的垂直投影之间。
3.如权利要求2所述的感光元件，其中该些感光图案排成多行，且至少部分该些第一开口于该基板的垂直投影位于相邻的两行该些感光图案于该基板的垂直投影之间。
4.如权利要求2所述的感光元件，其中该第二电极包括：
多个重叠部，分别重叠于该些感光图案；以及
多个连接部，连接该些重叠部，其中至少部分该些第一开口重叠于该些连接部。
5.如权利要求4所述的感光元件，其中各该连接部的形状为X字形，且各该连接部的四个端点分别连接一个该重叠部。
6.如权利要求4所述的感光元件，其中该第二电极包括多个第二开口，至少部分该些第二开口于该基板的垂直投影位于该些连接部于该基板的垂直投影之间。
7.如权利要求6所述的感光元件，其中该些第二开口与该些第一开口交错设置。
8.如权利要求6所述的感光元件，其中以该第二电极以及该些第二开口重叠于该第一电极以及该些第一开口的面积为100％，该第二电极与该第一电极重叠的面积为A，100％<A<30％。
9.如权利要求6所述的感光元件，其中该些第一开口占据该第一电极以及该些第一开口的总面积的比例为B，0％<B<60％。
10.如权利要求6所述的感光元件，其中该些第二开口占据该第二电极以及该些第二开口的总面积的比例为C，0％<C<60％。
11.如权利要求1所述的感光元件，其中该感光层的材料包括富硅氧化物，或该感光层的材料包括N型半导体、本质半导体以及P型半导体。
12.如权利要求1所述的感光元件，还包括：
一主动元件，包括：
一栅极，电性连接一扫描线；
一半导体层，重叠于该栅极；
一源极，电性连接一数据线以及该半导体层；以及
一漏极，电性连接该半导体层以及该第二电极，其中该第一电极与该漏极属于相同导电层且彼此分离。
13.如权利要求12所述的感光元件，其中该感光层包括互相分离的多个感光图案，且该些感光图案于该基板的垂直投影分别位于该扫描线于该基板的垂直投影的相对两侧。
14.如权利要求1所述的感光元件，还包括：
一主动元件，包括：
一栅极，电性连接一扫描线；
一半导体层，重叠于该栅极；
一源极，电性连接一数据线以及该半导体层；以及
一漏极，电性连接该半导体层以及该第二电极，其中该第二电极与该漏极属于相同导电层且彼此相连。
15.如权利要求1所述的感光元件，还包括：
一主动元件，包括：
一栅极，电性连接一扫描线；
一半导体层，重叠于该栅极；
一源极，电性连接一数据线以及该半导体层；以及
一漏极，电性连接该半导体层，其中该第一电极与该漏极属于相同导电层，且该漏极直接连接该第一电极。
16.如权利要求15所述的感光元件，其中该感光层包括互相分离的多个感光图案，且该些感光图案于该基板的垂直投影分别位于该扫描线于该基板的垂直投影的相对两侧。
17.如权利要求1所述的感光元件，还包括：
一主动元件，包括：
一栅极，电性连接一扫描线；
一半导体层，重叠于该栅极；
一源极，电性连接一数据线以及该半导体层；以及
一漏极，电性连接该半导体层，其中该第二电极与该漏极属于相同导电层且彼此分离。
18.如权利要求1所述的感光元件，其中该第一电极包括：
多个重叠部，分别重叠于该些感光图案；以及
多个连接部，连接该些重叠部，其中各该连接部的形状为X字形，且各该连接部的四个端点分别连接一个该重叠部。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105390518A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-03-09 | 友达光电股份有限公司 | 感光单元、光感测装置及感光单元的制造方法 |
| CN107392168A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别结构及其制作方法 |
| CN107910342A (zh) * | 2017-09-04 | 2018-04-13 | 友达光电股份有限公司 | 光感测装置 |
| CN110188702A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| US20190371823A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | Au Optronics Corporation | Photosensitive element and manufacturing method thereof |
| US20200012833A1 (en) * | 2018-07-09 | 2020-01-09 | Silicon Display Technology | Fingerprint recognition sensor and display device having the same |
| CN111324182A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 三星显示有限公司 | 包括指纹传感器的显示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9257590B2 (en) * | 2010-12-20 | 2016-02-09 | Industrial Technology Research Institute | Photoelectric element, display unit and method for fabricating the same |
| CN106935601B (zh) * | 2017-03-13 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法 |
| CN107609542B (zh) * | 2017-10-24 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光感器件、显示装置及指纹识别方法 |
| WO2019128288A1 (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | 昆山国显光电有限公司 | 一种触控面板及其制作方法、显示装置 |
-
2020
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-
2021
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- 2021-05-11 CN CN202110512199.6A patent/CN113257843A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105390518A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-03-09 | 友达光电股份有限公司 | 感光单元、光感测装置及感光单元的制造方法 |
| CN107392168A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别结构及其制作方法 |
| CN107910342A (zh) * | 2017-09-04 | 2018-04-13 | 友达光电股份有限公司 | 光感测装置 |
| US20190371823A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | Au Optronics Corporation | Photosensitive element and manufacturing method thereof |
| US20200012833A1 (en) * | 2018-07-09 | 2020-01-09 | Silicon Display Technology | Fingerprint recognition sensor and display device having the same |
| CN111324182A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 三星显示有限公司 | 包括指纹传感器的显示装置 |
| CN110188702A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Also Published As
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