CN113238910A - 控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质 - Google Patents

控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN113238910A
CN113238910A CN202110723552.5A CN202110723552A CN113238910A CN 113238910 A CN113238910 A CN 113238910A CN 202110723552 A CN202110723552 A CN 202110723552A CN 113238910 A CN113238910 A CN 113238910A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
memory system
communication interface
burn
tested memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110723552.5A
Other languages
English (en)
Inventor
汝峰
祝颂
王梦达
武恒文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Original Assignee
Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangtze Memory Technologies Co Ltd filed Critical Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Priority to CN202110723552.5A priority Critical patent/CN113238910A/zh
Publication of CN113238910A publication Critical patent/CN113238910A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • G06F11/2205Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/20Design optimisation, verification or simulation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2119/00Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
    • G06F2119/04Ageing analysis or optimisation against ageing
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2119/00Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
    • G06F2119/08Thermal analysis or thermal optimisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种老化测试的控制装置、老化测试设备、老化测试方法及计算机存储介质。其中,所述控制装置包括:控制器,用于调控老化测试设备提供的各项指标,以为配置有固件的被测存储器系统提供老化测试环境;第一通信接口,与被测存储器系统连接,用于实现所述控制器与所述被测存储器系统的通信;其中,通过所述第一通信接口实现所述被测存储器系统的固件更新及所述被测存储器系统老化测试过程中的参数信息的反馈。

Description

控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种老化测试的控制装置、老化测试设备、老化测试方法及计算机存储介质。
背景技术
老化测试(英文可以表达为Burn-in Test)是一种利用电压和温度来加速电气故障和筛选边缘设备的电应力测试。
相关技术中,在利用老化测试设备对被测设备(DUT,Device Under Test)进行老化测试时,存在测试效率低,老化测试环境不能及时调整的问题。
发明内容
为解决相关技术中的问题,本发明实施例提出一种老化测试的控制装置,包括:
控制器,用于调控老化测试设备提供的各项指标,以为配置有固件的被测存储器系统提供老化测试环境;
第一通信接口,与被测存储器系统连接,用于实现所述控制器与所述被测存储器系统的通信。
其中,通过所述第一通信接口实现所述被测存储器系统的固件更新及所述被测存储器系统老化测试过程中的参数信息的反馈。
上述方案中,所述固件更新包括对被测存储器系统加载内建自测试程序。
上述方案中,所述各项指标包括电压指标和温度指标。
上述方案中,所述参数信息包括以下至少之一:
电压信息;
温度信息;
性能信息。
上述方案中,所述第一通信接口采用非易失性存储器规范管理接口(NVMe-MI,Non-Volatile Memory express Management Interface)协议进行通信。
上述方案中,所述第一通信接口通过系统管理总线(SMBus,System ManagementBus)或者集成电路总线(IIC,Inter-Integrated Circuit)与多个所述被测存储器系统进行连接。
上述方案中,所述第一通信接口用于将所述控制器发出的控制信号通过系统管理总线复用器或者集成电路总线复用器传输给多个所述被测存储器系统。
上述方案中,所述第一通信接口通过串行数据总线(UART,UniversalAsynchronous Receiver Transmitter)或者联合测试工作组(JTAG,Joint Test ActionGroup)与所述被测存储器系统进行连接。
上述方案中,所述装置还包括第二通信接口;
所述第二通信接口,与老化测试设备的电源产生装置连接;
所述控制器,还用于调控所述电源产生装置产生的电压,以为所述被测存储器系统提供老化测试的电压环境。
上述方案中,所述装置还包括第三通信接口;
所述第三通信接口,与老化测试设备的温控腔室连接;
所述控制器,还用于调控所述温控腔室的温度,以为所述被测存储器系统提供老化测试的温度环境。
上述方案中,所述装置还包括第四通信接口;
所述第四通信接口,与主机设备连接;通过所述第四通信接口实现主机设备对所述控制器的远程控制。
上述方案中,所述被测存储器系统包括固态硬盘。
本发明实施例还提供了一种老化测试设备,包括:
温控腔室,用于为被测存储器系统提供老化测试的温度环境;
电源产生装置,用于为所述被测存储器系统提供老化测试的电压环境;以及
本发明实施例提供的所述的控制装置。
本发明实施例还提供了一种老化测试方法,包括:
控制装置接收到测试指令;
对被测存储器系统进行固件更新;
控制电源产生装置为所述被测存储器系统提供老化测试的电压环境;
控制温控腔室为所述被测存储器系统提供老化测试的温度环境。
上述方案中,所述方法还包括:
所述控制装置接收到所述被测存储器系统反馈的参数信息,其中,所述参数信息包括所述被测存储器系统的温度;
利用所述反馈的参数信息,调整所述温控腔室的温度。
上述方案中,所述固件更新包括对被测存储器系统加载内建自测试程序。
本发明实施例又提供了一种计算机存储介质,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令;所述计算机可执行指令被执行后,能够实现本发明实施例提供的老化测试方法。
本发明实施例提供的老化测试设备的控制装置包括:控制器,用于调控老化测试设备的提供的各项指标,以为被测存储器系统提供老化测试环境;第一通信接口,与被测存储器系统连接,用于实现所述控制器与所述被测存储器系统的通信。本发明实施例中,通过在控制器与被测存储器系统之间设置第一通信接口,使得在老化测试过程中,老化测试设备可以直接利用该第一通信接口与被测存储器系统进行通信,一方面避免了利用其他设备作为中间设备来执行老化测试过程中的流程,从而提高了测试效率,另一方面可以利用该通信接口将测试设备的情况反馈给老化测试设备,从而实现老化测试环境的及时调整。
附图说明
图1为相关技术中老化测试流程示意图;
图2为本发明实施例提供的老化测试设备的控制装置组成结构示意图;
图3为本发明实施例提供的老化测试设备的组成结构示意图;
图4为本发明实施例提供的老化测试设备的控制装置通信链路示意图;
图5为本发明实施例提供的老化测试方法步骤示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对发明的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
老化测试是指模拟被测存储器系统在现实使用条件中涉及到的各种因素对被测存储器系统产生老化的情况进行相应条件加强实验的过程,一般利用电压和温度来加速电气故障和筛选边缘设备的电应力测试。老化测试可由一般自动化测试设备(ATE,Automation Test Equipment)或特殊设计的具有电压和温度应力能力测试的老化测试设备完成。
在一些被测存储器系统,如固态硬盘老化测试方面,内建自测试(BIST,Built-inSelf-Test)得到了广泛的应用。相关技术中,在对被测存储器系统进行老化测试前需要进行前期的准备操作,即执行前置流程(英文可以表达为Precede Flow),例如,加载内建自测试程序,其作用主要是使被测存储器系统运行满足测试的需求的程序。如图1所示,该前置流程可以理解为测试流程FT1(英文可以表达为Flow Test)。其中,FT2为被测存储器系统在完成老化测试后进行的出厂测试。然而,在老化测试的前期准备过程中,该前置流程由老化测试设备以外的测试设备执行。
并且,相关技术中,老化测设备包括的控制装置主要用于电压和温度的调节,该控制装置不能与被测存储器系统进行信息交互。
基于此,在本发明各种实施例中,通过在控制器与被测存储器系统之间设置第一通信接口202,使得在老化测试过程中,老化测试设备可以直接利用该第一通信接口202与被测存储器系统进行通信,一方面避免了利用其他设备作为中间设备来执行老化测试过程中的流程,从而提高了测试效率,另一方面可以利用该通信接口将测试设备的情况反馈给老化测试设备,从而实现老化测试环境的及时调整。
图2示出了本发明实施例老化测试的控制装置200的结构组成图,本发明实施例中,老化测试设备的控制装置200包括:
控制器201,用于调控老化测试设备提供的各项指标,以为配置有固件的被测存储器系统提供老化测试环境;
第一通信接口202,与被测存储器系统连接,用于实现所述控制器与所述被测存储器系统的通信;
其中,通过所述第一通信接口202实现所述被测存储器系统的固件更新及所述被测存储器系统老化测试过程中的参数信息的反馈。
在一些实施例中,所述各项指标包括电压指标和温度指标。
实际应用中,所述各项指标包括但不限于电压指标、温度指标。所述老化测试设备用于对所述被测存储器系统提供执行老化测试的测试环境。实际应用中,如图3所示,老化测试设备30至少可以包括所述控制装置200、温控腔室400和电源产生装置300;其中,所述温控腔室400,用于为所述被测存储器系统提供老化测试的温度环境;所述电源产生装置300,用于为被测存储器系统提供老化测试的电压环境;所述控制装置则用于调控电压、温度等指标。
可以理解的是,所述控制器201可以用于接收主机设备40或其它设备,如现场控制设备发出的控制指令,并解析该控制命令;所述控制器201也可以用于利用解析的结果向老化测试设备中的温控腔室400和电源产生装置300发出控制信号,以调控温控腔室400的温度指标和电源产生装置300的电压指标;所述控制器201还可以用于接收被测存储器系统反馈的参数信息,以进一步调控温控腔室400和电源产生装置300。
示例性的,在老化测试的过程中,控制器201根据所述温度感测器反馈的感测信息确定被测存储器系统10(多个被测存储器系统在图3中被标记为10-1、10-2)所处的老化测试环境是否符合预先设定的老化测试环境;在所述被测存储器系统10所处的老化测试环境与预先设定的老化测试环境不符时,控制器201可用于对老化测试设备的温控腔室400的温度进行调控,以使所述温控腔室400的温度符合被测存储器系统10预先设定的温度,进而使得所述被测存储器系统10的老化测试的环境符合预先设定的老化测试环境。
需要说明的是,前述的老化测试环境不仅包括对被测存储器系统10所处温度、电压的预先设定,还可以包括对被测存储器系统10所处环境的湿度、物理应力的预先设定。
实际应用中,在老化测试的过程中,所述被测存储器系统10可以通过第一通信接口202与控制器201进行连接,所述被测存储器系统10的参数信息可以通过第一通信接口202直接传输至控制器201,这样,所述被测存储器系统10与控制器201之间形成可直接通信的链路。可以理解的是,在传统的老化测试环境中,老化测试的前置流程是在除老化测试设备以外的其他测试设备执行老化测试的前置流程,例如,加载内建自测试程序,即主机设备调控除老化测试设备以外的其他测试设备与所述被测存储器系统10之间存在直接的通信链路。
在本发明实施例中,如图3所示,控制器201通过数据总线500与被测存储器系统10之间形成的直接通信链路,进而可以实现控制器201与所述被测存储器系统10的信息交互;这样,便于了解和调控被测存储器系统10的老化测试条件,进而可以更精准的确定被测存储器系统10的老化测试条件。并且,由于第一通信接口202具备可以实现对被测存储器系统10加载老化测试的前置流程的功能,因此,可以在所述被测存储器系统10执行老化测试时,由老化测试设备执行被测存储器系统10的老化测试前置流程,而无需除老化测试设备以外的其他测试设备执行老化测试的前置流程;这样,无需多种测试设备执行相关操作,简化了老化测试流程和操作,降低被测存储器系统10的老化测试成本。
这里,可以理解的是,前述老化测试流程的前置流程可以是加载内建自测程序,也可以是被测存储器系统10在老化测试前执行的其他操作;这里所述前置流程以加载内建自测试程序为例进行说明。
在一些实施例中,所述固件更新包括对被测存储器系统加载内建自测试程序。
这里,所述固件更新包括对被测存储器系统10加载内建自测试程序、被测存储器系统10执行的相关系统程序的切换、更新。这里,更新后的固件程序用于对被测存储器系统10执行老化测试。
需要说明的是,在所述固件更新时,用于存储固件信息的固件包可以是主机设备直接传输给第一通信接口202,也可以是主机设备将固件包存储在控制器201中,通过控制器201传输给第一通信接口202。
其中,在控制器201由第一通信接口202传输给被测存储器系统10的过程中,第一通信接口202根据接收到的指令,对被测存储器系统10执行内建自测试程序加载,以使被测存储器系统10完成内建自测试程序的测试流程。并且,第一通信接口202可以将老化测试过程中被测存储器系统10的测试结果信息反馈至控制器201,以使控制器201可以更精确的了解被测存储器系统10的测试情况。
在一些实施例中,所述参数信息包括以下至少之一:
电压信息;
温度信息;
性能信息。
实际应用中,所述电压信息可以包括被测存储器系统10实际接收到的电压;所述温度信息可以包括所述被测存储器系统10感测到的环境温度及被测存储器系统10自身的温度;所述性能信息可以是被测存储器系统10的电流等。
在一些实施例中,所述被测存储器系统包括固态硬盘(SSD,Solid State Disk)。
在一些实施例中,所述第一通信接口202采用NVMe-MI协议进行通信。可以理解的是,在一个存储系统中,将设备管理与业务分离是一个良好的设计,例如,在NVMe(英文可以表达为Non-Volatile Memory express)存储系统中存在一个管理员命令集,与输入输出(IO,Input/Output)命令分开,这样便于存储系统的设备管理与操作命令进行分离。而这里的NVMe-MI协议是在为NVMe服务的基础上,能够更规范合理的对多个固态硬盘进行管理。
这里,所述被测存储器系统10支持NVMe-MI协议。第一通信接口202支持非易失性存储器规范管理接口NVMe-MI协议。实际应用中,测试工程师可以使用应用程序接口(API,Application Programming Interface)传输NVMe-MI消息,而无需了解底层实现。测试工程师还可以通过在测试流程中组合NVMe-MI消息来下载固件。
需要说明的是,NVMe-MI协议是通过设备管理协议(MCTP,Management ComponentTransport Protocol)进行传输的,同时底层物理层支持高速串行计算机扩展总线标准(PCIe,Peripheral Component Interconnect Express)或者SMBus或者IIC连接。本发明实施例的关键在于被测存储器系统10和测试用例开发者之间桥接MCTP和NVMe-MI消息。
这里,可以理解的是,MCTP是通过外设组件快速互连链路传递的协议。此协议促进了在主机设备中两个或更多个管理控制器之间和在管理控制器与主机设备中受管理装置之间的通信。
实际应用中,第一通信接口202可通过高速串行计算机扩展总线标准PCIe或者系统管理总线SMBus或者集成电路总线IIC与被测存储器系统10端口进行连接,如图4所示,第一通信接口202可以将控制器发出的信息指令通过数据总线500传输给被测存储器系统10即固态硬盘(多个固态硬盘在图4中被标记为10-1、10-2、10-3)。
在一些实施例中,所述第一通信接口202通过SMBus或者IIC与多个所述被测存储器系统10进行连接。
实际应用中,控制器201将发送消息按照MI的协议规范组成MI报文,第一通信接口202将MI报文当作MCTP的数据封装为MCTP报文,该MCTP报文通过SMBus或者IIC链路发给多个SSD,SSD收到MCTP报文后,解封MCTP报文得到MI报文;解析MI报文后获取控制器201发送的消息,将要回复的数据按照MI协议规范组成MI报文;将回复MI报文当作MCTP的数据封装为MCTP报文;再将MCTP报文通过SMBus或者IIC链路发送给控制器201,之后,控制器201与主机设备40进行交互。
可以理解的是,这里的IIC链路包括IIC总线。
实际应用中,所述第一通信接口202中可以包括一个或多个总线多路转换器(英文可以表达为Bus Mux Driver),该多路转换器可以将一个输入信号同时转换为多个输出信号,也可以将多个输入信号转换为一路输出信号,可以实现信号的一到多和/或多到一的转换。
这样,第一通信接口202可以是将一组控制信号传输给一个被测存储器系统10;也可以是一组控制信号传输给多个被测存储器系统10。同样,第一通信接口202可以是将多组控制信号传输给一个被测存储器系统10;也可以是多组控制信号传输给多个被测存储器系统10,该传输过程中多组控制信号与多个被测存储器系统10之间是一一对应的关系。
在一些实施例中,所述第一通信接口用于将所述控制器发出的控制信号通过系统管理总线复用器(SMBus MUX)或者集成电路总线复用器(IICBus MUX)传输给多个所述被测存储器系统。
示例性的,如图4所示,第一通信接口202将控制器201发出的一组控制信号通过IICBus MUX,传输给多个固态硬盘中的每一个固态硬盘。
需要说明的是,第一通信接口202可以将控制器201发出的控制信号通过IICBusMUX传输给多个固态硬盘,使得控制器201与多个固态硬盘之间实现点对点驱动控制;也可以将控制器201发出的控制信号通过SMBus MUX传输给多个固态硬盘,使得控制器201与多个固态硬盘之间实现多组调制的驱动控制。
在一些实施例中,所述第一通信接口202通过UART或者JTAG与所述被测存储器系统10进行连接。
实际应用中,通过第一通信接口202的设置使得控制器201与被测存储器系统10之间建立可适用多种不同类型数据总线的连接关系。这里,第一通信接口202可通过UART或者JTAG与被测存储器系统10进行连接。UART或者JTAG作为一种传输速率较低的总线,可用于对被测存储器系统10中加载的程序进行测试及调试。
这里,与控制器201连接的数据总线500可以包括多种类型;同时,针对控制器201连接的不同类型的总线,也可以执行满足该数据总线协议的相应操作。
在一些实施例中,所述控制装置200还包括第二通信接口;
所述第二通信接口,与老化测试设备的电源产生装置300连接;
所述控制器201,还用于调控所述电源产生装置300产生的电压,以为所述被测存储器系统10提供老化测试的电压环境。
实际应用中,第二通信接口可以包括串行外设接口(SPI,英文可以表达为SetialPeriphera Iinterface)。这样,所述第二通信接口可以用于实现控制器201与老化测试设备30的电源产生装置300之间通信。可以理解的是,由于SPI总线占用的接口线少,通信效率高,并且支持大部分处理器芯片,使用范围广。
实际应用中,所述SPI总线可以包括:3线SPI或4线SPI;所述3线SPI可以包括:用于分别传输时钟信号、选通信号及数据信号的传输线;所述4线SPI可以包括:用于分别传输时钟信号、选通信号、数据信号及类型信号的传输线。
实际应用中,一般所述SPI总线的传输速率高于前述IIC总线的传输速率,在第二通信接口采用SPI总线与老化测试设备的电源产生装置300连接,以提升老化测试设备的电源产生装置300与所述第二通信接口之间的传输速率和传输带宽,以减少因为数据传输导致的电源供应速度慢的问题,以进一步提升老化测试的测试效率。
这里,在电源产生装置300产生的电压与被测存储器系统10的需要测试电压之间存在不匹配时,通过控制器201调控所述电源产生装置300产生与被测存储器系统10相匹配的测试电压,并将该测试电压提供给所述被测存储器系统10。
实际应用中,不同被测存储器系统10,施加在被测存储器系统10上的测试电压也可以不同;同一被测存储器系统10,在不同的老化阶段,施加在被测存储器系统10上的测试电压也可以不同。实际应用中,所述电源产生装置300可以根据不同的需求,产生不同的测试电压。
在一些实施例中,所述装置还包括第三通信接口;
所述第三通信接口,与老化测试设备的温控腔室400连接;
所述控制器201,还用于调控所述温控腔室400的温度,以为所述被测存储器系统10提供老化测试的加热环境。
实际应用中,所述第三通信接口也可以包括SPI总线或者是支持其他协议的数据总线。
这里,所述第三通信接口与老化测试设备的温控腔室连接,使得所述第三通信接口可以用于实现控制器201与老化测试设备的温控腔室之间通信。在被测存储器系统10所处的老化测试的加热环境出现与预先设定的加热环境不同时,所述控制器201可以用于调控所述温控腔室的环境温度,使得调控后的温控腔室的温度与预先设定的老化测试的加热环境相同。
在一些具体实施例中,如图3所示,所述温控腔室400可以包括加热装置401、温度感测器402、被测存储器系统的放置位403;其中,所述加热装置401可以用于加热,以达到老化测试流程中对被测存储器系统10预先设定的温度条件。可以理解的是,对于具备自加热功能的被测存储器系统10,所述加热装置401可以不启用。所述温度感测器402可以用于感测被测存储器系统10所处的加热环境,并将感测结果反馈至控制器201。所述被测存储器系统的放置位403可以用于放置多个被测存储器系统。
需要说明的是,温控腔室400不仅可以包含上述装置以外,还可以包含湿度感测器、电应力感测器等;应当理解,温控腔室中可以包含以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的装置所限制。
在一些实施例中,所述装置30还包括第四通信接口;
所述第四通信接口,与主机设备连接;通过所述第四通信接口实现主机设备对所述控制器201的远程控制。
实际应用中,控制装置200还包括第四通信接口,控制器201可以通过所述第四通信接口直接与主机设备通信接口进行连接,而所述第四通信接口可以采用以太网(英文可以表达为Ethernet)与主机设备进行通信。利用所述第四通信接口,可以实现远程过程调用。实际应用中,还可以在主机设备上设置用于老化测试的远程控制和状态报告的网页用户界面。
本发明实施例提供了一种老化测试的控制装置,包括:控制器,用于调控老化测试设备提供的各项指标,以为被测存储器系统提供老化测试环境;第一通信接口,与被测存储器系统连接,用于实现所述控制器与所述被测存储器系统的通信。本发明实施例中,通过在控制器与被测存储器系统之间设置第一通信接口,使得在老化测试过程中,老化测试设备可以直接利用该第一通信接口与被测存储器系统10进行通信,一方面避免了利用其他设备作为中间设备来执行老化测试过程中的流程,从而提高了测试效率,另一方面可以利用该通信接口将被测存储器系统10的情况反馈给老化测试设备,从而实现老化测试环境的及时调整。
本实施例还提供一种老化测试设备30,包括:
温控腔室400,用于为被测存储器系统10提供老化测试的温度环境;
电源产生装置300,用于为所述被测存储器系统10提供老化测试的电压环境;以及
本发明实施例提供的所述的控制装置200。
前已述及,如图3所示,所述老化测试设备30还包括温控腔室400和电源产生装置;所述温控腔室400可以包括加热装置401、温度感测器402、被测存储器系统的放置位403,温控腔室400为被测存储器系统10提供老化测试的环境;这里,所述加热装置401用于对温控腔室400进行加热,以达到老化测试过程中对被测存储器系统10的预先设定的温度条件。可以理解的是,对于具备自加热功能的被测存储器系统10,所述加热装置可以不启用。所述温度感测器402用于感测被测存储器系统10所处的加热环境,并将感测结果反馈至控制器201。所述被测存储器系统的放置位403用于放置多个被测存储器系统。这里,所述控制装置200通过被测存储器系统10与所述温控腔室400进行互联。
前已述及,所述电源产生装置300可以为不同种被测存储器系统10提供不同种类的测试电源,用以提供测试电压。基于上述老化测试设备,本发明实施例又提供一种老化测试方法,图5为本发明实施例老化测试方法的实现流程示意图。如图5所示,所述方法包括以下步骤:
步骤501:控制装置200接收到测试指令;
步骤502:对被测存储器系统10进行固件更新;
步骤503:控制电源产生装置300为所述被测存储器系统10提供老化测试的电压环境;
步骤504:控制温控腔室400为所述被测存储器系统10提供老化测试的温度环境。
其中,在步骤501中,所述测试指令用于指示老化测试设备对被测存储器系统10进行老化测试。实际应用中,所述测试指令可以由主机设备发出也可以由测试现场的其他控制设备发出。
这样,在步骤502中,老化测试设备可以执行对被测存储器系统10的固件更新等操作。
示例性的,老化测试设备通过第一通信接口202对被测存储器系统10加载内建自测试程序,所述内建自测试程序可以用于实现被测存储器系统10的自我测试,并且根据自我测试结果能筛选出施加在被测存储器系统10上的异常电压等。这样,可以在所述被测存储器系统10执行老化测试时,由老化测试设备执行被测存储器系统10的老化测试前置流程,而无需除老化测试设备以外的其他被测存储器系统10执行老化测试的前置流程;进而简化了老化测试流程和操作,降低被测存储器系统10的老化测试成本。老化测试设备在接收到测试指令后,启动电源产生装置300,在步骤503中,所述电源产生装置300根据控制装置200发出的测试信号,确定电源产生装置300产生与被测存储器系统10进行老化测试所需的电压。
需要说明的是,主机设备40发出的测试指令传输给老化测试设备的控制装置200的控制器201,所述控制器201在接收到的测试指令后,将所述测试指令传输给第一通信接口202,第一通信接口202将接收到的测试指令通过数据总线分别传输给多个被测存储器系统10,从而实现多个被测存储器系统10可以并行进行老化测试,进而提升多个被测存储器系统10的测试效率。
在步骤504中,被测存储器系统10放置在老化测试设备的温控腔室400中,通过控制装置200对温控腔室400发出测试信号,使得老化测试设备的温控腔室400调整老化测试环境,以为所述被测存储器系统10提供预先设定的老化测试的环境,进而完成对所述被测存储器系统10的老化测试。这里,老化测试设备的温控腔室400可以通过控制装置200发出的指令,进行温度、湿度等方面的调控。
需要说明的是,这里不限制步骤503和步骤504执行的向后顺序,实际应用中,可以根据测试需求来调整执行的先后顺序。
在一些实施例中,所述方法还包括:
所述控制装置200接收到所述被测存储器系统10反馈的参数信息;所述参数信息包括所述被测存储器系统10的温度;
利用所述反馈的参数信息,调整所述温控腔室400的温度。
实际应用中,在被测存储器系统10进行老化测试的过程中,被测存储器系统10的参数信息随着老化测试时长变化而变化;所述控制装置200可以根据被测存储器系统10的参数信息不同,可以调控被测存储器系统10的老化测试环境。
实际应用中,所述参数信息包括被测存储器系统10的电压信息、被测存储器系统的温度信息、被测存储器系统10的性能信息。
示例性的,控制装置200可以根据被测存储器系统10的温度,调控温控腔室400的温度,以使被测存储器系统10的老化测试环境达到预先设定的老化测试环境或者更接近于实际使用情况。如此,控制装置200可以根据被测存储器系统10的参数信息,调整老化测试环境,这样,能精确地控制老化测试温度提升老化测试的精确度。
可以理解的是,相较于相关技术中的前置流程由老化测试设备以外的测试设备执行,在本发明上述实施例中,将内建自测试程序与前置流程相结合,即被测存储器系统的内建自测试程序和前置流程均由老化测试设备完成,而无需除老化测试设备以外的其他被测存储器系统执行老化测试的前置流程,进而简化了老化测试流程和操作,降低被测存储器系统的老化测试成本。并且,所述控制装置可以根据老化测试设备反馈的参数信息,及时调整被测存储器系统的老化测试环境,更有利于提高老化测试的精确度。
本发明实施例还提供一种计算机存储介质,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令;所述计算机可执行指令被执行后,能够实现本发明实施例提供的老化测试方法。
在一些实施例中,存储介质可以是磁性随机存取存储器(FRAM,FerromagneticRandom Access Memory)、只读存储器(ROM,Read Only Memory)、可编程只读存储器(PROM,Programmable Read-Only Memory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM,ErasableProgrammable Read-Only Memory)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM,ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory)、快闪存储器(Flash Memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(CD-ROM,Compact Disc Read-Only Memory)等存储器;也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各种设备。
在一些实施例中,可执行指令可以采用程序、软件、软件模块、脚本或代码的形式,按任意形式的编程语言(包括编译或解释语言,或者声明性或过程性语言)来编写,并且其可按任意形式部署,包括被部署为独立的程序或者被部署为模块、组件、子例程或者适合在计算环境中使用的其它单元。
作为示例,可执行指令可以但不一定对应于文件系统中的文件,可以被存储在保存其它程序或数据的文件的一部分,例如,存储在超文本标记语言(HTML,Hyper TextMarkup Language)文档中的一个或多个脚本中,存储在专用于所讨论的程序的单个文件中,或者,存储在多个协同文件(例如,存储一个或多个模块、子程序或代码部分的文件)中。
作为示例,可执行指令可被部署为在一个计算设备上执行,或者在位于一个地点的多个计算设备上执行,又或者,在分布在多个地点且通过通信网络互连的多个计算设备上执行。
另外,在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中,也可以是各单元分别单独作为一个单元,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中;上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成,前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,执行包括上述方法实施例的步骤。
需要说明的是:“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
另外,本发明实施例所记载的技术方案之间,在不冲突的情况下,可以任意组合。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (17)

1.一种老化测试的控制装置,其特征在于,包括:
控制器,用于调控老化测试设备提供的各项指标,以为配置有固件的被测存储器系统提供老化测试环境;
第一通信接口,与被测存储器系统连接,用于实现所述控制器与所述被测存储器系统的通信;
其中,通过所述第一通信接口实现所述被测存储器系统的固件更新及所述被测存储器系统老化测试过程中的参数信息的反馈。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述固件更新包括对被测存储器系统加载内建自测试程序。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述各项指标包括电压指标和温度指标。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述参数信息包括以下至少之一:
电压信息;
温度信息;
性能信息。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一通信接口采用非易失性存储器规范管理接口NVMe-MI协议进行通信。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第一通信接口通过系统管理总线SMBus或者集成电路总线IIC与多个所述被测存储器系统进行连接。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一通信接口用于将所述控制器发出的控制信号通过系统管理总线复用器或者集成电路总线复用器传输给多个所述被测存储器系统。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一通信接口通过串行数据总线UART或者联合测试工作组JTAG与所述被测存储器系统进行连接。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括第二通信接口;
所述第二通信接口,与老化测试设备的电源产生装置连接;
所述控制器,还用于调控所述电源产生装置产生的电压,以为所述被测存储器系统提供老化测试的电压环境。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括第三通信接口;
所述第三通信接口,与老化测试设备的温控腔室连接;
所述控制器,还用于调控所述温控腔室的温度,以为所述被测存储器系统提供老化测试的温度环境。
11.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括第四通信接口;
所述第四通信接口,与主机设备连接;通过所述第四通信接口实现主机设备对所述控制器的远程控制。
12.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述被测存储器系统包括固态硬盘。
13.一种老化测试设备,其特征在于,包括:
温控腔室,用于为被测存储器系统提供老化测试的温度环境;
电源产生装置,用于为所述被测存储器系统提供老化测试的电压环境;以及
权利要求1至12中任一项所述的控制装置。
14.一种老化测试方法,其特征在于,包括:
控制装置接收到测试指令;
对被测存储器系统进行固件更新;
控制电源产生装置为所述被测存储器系统提供老化测试的电压环境;
控制温控腔室为所述被测存储器系统提供老化测试的温度环境。
15.根据权利要求14的所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述控制装置接收到所述被测存储器系统反馈的参数信息,其中,所述参数信息包括所述被测存储器系统的温度;
利用所述反馈的参数信息,调整所述温控腔室的温度。
16.根据权利要求14的所述的方法,其特征在于,所述固件更新包括对被测存储器系统加载内建自测试程序。
17.一种计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令;所述计算机可执行指令被执行后,能够实现权利要求14至16任一项提供的老化测试方法。
CN202110723552.5A 2021-06-29 2021-06-29 控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质 Pending CN113238910A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110723552.5A CN113238910A (zh) 2021-06-29 2021-06-29 控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110723552.5A CN113238910A (zh) 2021-06-29 2021-06-29 控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113238910A true CN113238910A (zh) 2021-08-10

Family

ID=77141102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110723552.5A Pending CN113238910A (zh) 2021-06-29 2021-06-29 控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113238910A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116665751A (zh) * 2022-12-16 2023-08-29 荣耀终端有限公司 测试方法及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020073374A1 (en) * 2000-09-28 2002-06-13 Danialy Givargis A. Method,system and program product for testing and/or diagnosing circuits using embedded test controller access data
CN110850275A (zh) * 2019-11-26 2020-02-28 海光信息技术有限公司 老化测试方法、设备及可读存储介质
CN111209152A (zh) * 2020-01-10 2020-05-29 记忆科技(深圳)有限公司 Dram芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020073374A1 (en) * 2000-09-28 2002-06-13 Danialy Givargis A. Method,system and program product for testing and/or diagnosing circuits using embedded test controller access data
CN110850275A (zh) * 2019-11-26 2020-02-28 海光信息技术有限公司 老化测试方法、设备及可读存储介质
CN111209152A (zh) * 2020-01-10 2020-05-29 记忆科技(深圳)有限公司 Dram芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116665751A (zh) * 2022-12-16 2023-08-29 荣耀终端有限公司 测试方法及电子设备
CN116665751B (zh) * 2022-12-16 2024-04-02 荣耀终端有限公司 测试方法及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108205308B (zh) 一种基于车身域控制器的自动诊断测试系统
CN106571166B (zh) 一种可定制流程的mt29f系列nand flash测试老炼系统
CN108519938B (zh) 存储芯片兼容性测试方法、系统和测试主机
KR101149270B1 (ko) 집적 회로 디바이스를 테스트하는 시스템 및 방법
JP2001033523A (ja) タイミング保持機能を搭載したic試験装置
CN110268277A (zh) 用于印刷电路板的功能性测试器,以及相关的系统和方法
CN110850275A (zh) 老化测试方法、设备及可读存储介质
KR20050105169A (ko) 비휘발성 메모리에 핀 교정 데이터, 명령 및 다른 데이터를저장하는 반도체 시험 시스템
CN101785066B (zh) 可编程诊断存储器模块及测试方法
CN210666480U (zh) 一种车辆测试系统
US9690602B2 (en) Techniques for programming and verifying backplane controller chip firmware
CN113238910A (zh) 控制装置、老化测试设备、老化测试方法及存储介质
CN115932540A (zh) 一种多通道多功能的芯片测试机及测试方法
WO2007138814A1 (ja) 試験装置および試験モジュール
US7730369B2 (en) Method for performing memory diagnostics using a programmable diagnostic memory module
US20150100298A1 (en) Techniques for validating functionality of backplane controller chips
CN207541496U (zh) 一种基于车身域控制器的自动诊断测试装置
CN109117299B (zh) 服务器的侦错装置及其侦错方法
CN202339398U (zh) 一种用于vxi总线数字测试系统的老化模块
KR100856079B1 (ko) 반도체 검사장치
KR20230076317A (ko) 모의 시험 장치 및 그 제어 방법
CN115729756A (zh) 陪测硬盘、基于陪测硬盘陪测服务器的方法及系统
CN104678292A (zh) 一种复杂可编程逻辑器件cpld测试方法和装置
WO2012105238A1 (ja) デジタル制御装置およびその実行方法
CN110704353B (zh) 一种cpci-arinc429热插拔系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210810