CN113228173A - 基于温度的存储器管理 - Google Patents

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Abstract

描述用于基于温度的存储器管理的方法、系统和装置。一种系统可包含存储器装置和主机装置。所述主机装置可识别(例如，所述存储器装置的)温度。所述主机装置可基于所述存储器装置的所述温度确定用于操作所述存储器装置的参数的值，例如定时、电压或频率参数。所述主机装置可基于所述参数的所述值将信令发射到所述存储器装置或所述系统的另一组件。在某些情况下，所述主机装置可基于(例如，由所述存储器装置提供的)指示确定所述存储器装置的所述温度。在某些情况下，所述主机装置可基于所述主机装置的温度或所述系统的另一组件的温度确定所述存储器装置的所述温度。

Description

基于温度的存储器管理
交叉参考
本专利申请要求迈尔(Mayer)等在2019年11月5日提交的标题为“基于温度的存储器管理(TEMPERATURE-BASED MEMORY MANAGEMENT)”的第16/674,955号美国专利申请的优先权，该美国专利申请要求迈尔等在2018年11月15日提交的标题为“基于温度的存储器管理(TEMPERATURE-BASED MEMORY MANAGEMENT)”的第62/767,780号美国临时专利申请的优先权，这些文献中的每一个转让给本受让人且全文以引用的方式明确地并入本文中。
背景技术
下文大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统，且更具体来说涉及基于温度的存储器管理。
存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一个。在其它装置中，可以存储多于两个状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。
存在不同类型的存储器装置，包含采用磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等的存储器装置。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如PCM和FeRAM等非易失性存储器可维持所存储的逻辑状态很长一段时间，即使在无外部电源的情况下也如此。例如DRAM等易失性存储器装置，除非其由电源周期性地刷新，否则可能随时间推移而丢失所存储的逻辑状态。在一些情况下，非易失性存储器可使用与易失性存储器类似的装置架构，但可通过采用例如铁电电容或不同材料相位等物理现象而具有非易失性性质。
在一些应用中，存储器装置可包含为主机装置的部分，或以其它方式与主机装置相关联(例如，与主机装置耦合、受主机装置控制)。主机装置可以被配置成用于在与环境温度范围相关联的环境中操作，且存储器装置的至少一些操作可与温度相关。
附图说明
图1示出支持本文中所公开的基于温度的存储器管理的系统的实例。
图2示出支持如本文所公开的基于温度的存储器管理的存储器裸片的实例。
图3示出支持如本文中所公开的基于温度的存储器管理的系统的实例。
图4示出与如本文所公开的基于温度的存储器管理相关联的温度分布曲线的实例。
图5示出支持如本文所公开的基于温度的存储器管理的通信方案的实例。
图6示出支持如本文所公开的基于温度的存储器管理的通信方案的实例。
图7展示支持如本文所公开的基于温度的存储器管理的系统的框图。
图8展示支持如本文所公开的基于温度的存储器管理的系统的框图。
图9到14展示流程图，其示出支持如本文所公开的基于温度的存储器管理的一或多种方法。
具体实施方式
包含存储器装置的系统或主机装置可被设计或配置成在环境温度范围内操作，所述环境温度范围与被设计或配置成用于存储器装置的操作温度范围不同。举例来说，汽车系统(例如，车辆、车辆组件、车辆处理器或控制器)、联网系统(例如，无线基站)或移动装置可被设计成在相对低的环境温度(例如，低至-40℃的环境温度、-40℃到105℃或115℃的环境温度范围)下操作，所述环境温度可低于存储器装置的所设计操作温度(例如，低至0℃)(例如，所支持的，具有一或多个受保证的或以其它方式指定的性能特性)。
存储器装置操作的一或多个方面可为温度相依的，且可能需要确保跨系统或主机装置所预期的温度范围的恒定的存储器装置性能。在各种实例中，存储器装置的一或多个操作参数(例如，定时参数、电压参数、频率参数)的值可基于存储器装置的温度或基于存储器装置的温度的指示(例如，存储器装置的体积温度的指示、存储器装置的平均温度的指示、存储器装置的总计温度的指示)来确定(调整、选择、优化)。在某些情况下，主机装置可存储(例如，在基本输入/输出系统(BIOS)中)存储器装置的一或多个操作参数的值的多个集合，且操作参数的值的每一集合可对应于存储器装置的温度范围(例如，针对所述温度范围优化)。主机装置可基于存储器装置的温度(例如，对应于包含存储器装置的温度的温度范围)确定(例如，选择)操作参数的(例如，操作参数集合的)值。
在某些情况下，主机装置可基于确定操作参数的值来调整其自身的操作(例如，定时、电压或主机装置发射到存储器装置的信令的另一特性)。另外或替代地，主机装置可基于确定操作参数调整存储器装置的操作(例如，通过向存储器装置指示选定的操作参数，使得存储器装置可随后根据选定的操作参数操作)。另外或替代地，主机装置可基于确定操作参数通过调整系统的另一方面的操作(例如，通过向系统的另一方面指示选定的操作参数)，例如通过调整到存储器装置的电力供应的电压，来调整存储器装置的操作。
此外，在某些情况下，包含存储器装置的系统或主机装置可共享共同的冷却系统(例如，被设计成无源地或有源地控制存储器装置和主机装置一起的温度的散热片或其它设备)。在某些情况下，主机装置可基于其自身的温度(也就是说，基于主机装置的温度，主机装置可将所述温度视为等于存储器装置的温度或相对于存储器装置的温度存在某一偏移)或基于共同冷却系统的温度(主机装置可将所述温度视为等于存储器装置的温度或相对于存储器装置的温度存在某一偏移)，来确定存储器装置的温度。在某些情况下，主机装置可基于从存储器装置提供到主机装置的读数(例如，信令)来确定存储器装置的温度。
首先在如参考图1和2所描述的存储器系统和存储器裸片的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3和4所描述的用于基于温度的存储器管理的系统和温度分布曲线的上下文中进一步描述本公开的特征。进一步由涉及如参考图5到14所描述的基于温度的存储器管理的设备图、系统图和流程图示出且参考所述设备图、系统图和流程图描述本公开的这些和其它特征。
图1示出支持本文中所公开的基于温度的存储器管理的系统100的实例。系统100可包含外部存储器控制器105、存储器装置110和使外部存储器控制器105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但为易于描述，所述一或多个存储器装置可被描述为单个存储器装置110。
系统100可包含电子装置的方面，例如计算装置、移动计算装置、无线装置或图形处理装置。系统100可以是便携式电子装置的实例。系统100可以是计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置等的实例。存储器装置110可以是被配置成存储系统100的一或多个其它组件的数据的系统组件。在一些实例中，系统100被配置成用于使用基站或接入点与其它系统或装置进行双向无线通信。在一些实例中，系统100能够进行机器类型通信(machine-type communication，MTC)、机器对机器(machine-to-machine，M2M)通信或装置对装置(device-to-device，D2D)通信。
系统100的至少若干部分可以是主机装置的实例。此主机装置可以是使用存储器来执行过程的装置的实例，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置(例如，图形处理单元(GPU))、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置、某一其它固定或便携式电子装置等。在某些情况下，主机装置可以指实施外部存储器控制器105的功能的硬件、固件、软件或其组合。在某些情况下，外部存储器控制器105可称作主机或主机装置。在一些实例中，系统100是图形卡。
在一些情况下，存储器装置110可以是独立的装置或组件，其被配置成与系统100的其它组件通信，并提供系统100可能使用或参考的物理存储器地址/空间。在一些实例中，存储器装置110可为可配置的，以与至少一或多个不同类型的系统100一起工作。系统100的组件与存储器装置110之间的信令可为可操作的以支持用以调制信号的调制方案、用于传送信号的不同引脚设计、系统100和存储器装置110的不同封装、系统100与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例，和/或其它因素。
存储器装置110可被配置成存储系统100的组件的数据。在某些情况下，存储器装置110可充当系统100的从属型装置(例如，响应于且执行由系统100经由外部存储器控制器105提供的命令)。此些命令可包含用于存取操作的存取命令，例如用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令。存储器装置110可包含两个或两个以上支持用于数据存储的所要或指定容量的存储器裸片160(例如，存储器芯片)。包含两个或两个以上存储器裸片的存储器装置110可被称作多裸片存储器或封装(也被称作多芯片存储器或封装)。
系统100可以进一步包含处理器120、基本输入/输出系统(BIOS)组件125、一或多个外围组件130和输入/输出(I/O)控制器135。系统100的组件可使用总线140彼此耦合或成电子连通。
处理器120可被配置成控制系统100的至少若干部分。处理器120可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其可为这些类型的组件的组合。在这些情况下，处理器120可以是中央处理单元(CPU)、GPU、通用GPU(GPGPU)或芯片上系统(SoC)的实例，以及其它实例。
BIOS组件125可为包含操作为固件的BIOS的软件组件，其可初始化且运行系统100的各种硬件组件。BIOS组件125还可管理处理器120与例如外围组件130、I/O控制器135等系统100的各种组件之间的数据流。BIOS组件125可包含存储于只读存储器(ROM)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。
外围组件130可以是任何输入装置或输出装置，或此类装置的接口，其可集成到系统100中或与系统100集成。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(USB)控制器、串行或并行端口，或外围卡槽(例如，外围组件互连(PCI)或加速图形端口(AGP)槽)。外围组件130可为所属领域的一般技术人员理解为外围设备的其它组件。
I/O控制器135可管理处理器120与外围组件130、输入装置145或输出装置150之间的数据通信。I/O控制器135可管理未集成到系统100中或未与系统100集成在一起的外围设备。在某些情况下，I/O控制器135可表示到外部外围组件的物理连接或端口。
输入145可表示在系统100外部并且可将信息、信号或数据提供到系统100或其组件的装置或信号。此可包含用户接口，或者与其它装置或在其它装置之间的接口。在一些情况下，输入145可为经由一或多个外围组件130与系统100介接的外围设备，或可由I/O控制器135管理。
输出150可表示在系统100外部的装置或信号，其被配置成从系统100或其组件中的任一个接收输出。输出150的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置或印刷电路板上的另一处理器等。在一些情况下，输出150可为经由一或多个外围组件130与系统100介接的外围设备，或可由I/O控制器135管理。
系统100的组件可由被设计成实行其功能的通用或专用电路系统组成。这可包含输出驱动器电路系统和各种其它电路元件，例如导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器，或者被配置成实行本文中所描述的功能的其它有源或无源元件。举例来说，系统100可包含一或多个温度传感器，其可包含于存储器装置、外部存储器控制器105或系统100的其它方面中或以其它方式与存储器装置、外部存储器控制器105或系统100的其它方面耦合。系统100还可存储(例如，在BIOS组件125中)存储器装置的一或多个操作参数的值的集合，其中的每一个可对应于存储器装置的温度(例如，温度范围)(例如，针对所述温度优化或以其它方式选择)。举例来说，系统100可将所述一或多个操作参数的值的集合和相应温度范围存储在查找表中。
存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b和/或本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b和/或存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，网格)，其中每一存储器单元被配置成存储数字数据的至少一个位。参考图2进一步描述存储器阵列170和/或存储器单元的特征。
存储器阵列170可以是二维(2D)存储器单元阵列的实例或可以是三维(3D)存储器单元阵列的实例。举例来说，2D存储器装置可以包含单个存储器裸片160。3D存储器装置可包含两个或更多个存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b和/或任何数量的存储器裸片160-N)。在3D存储器装置中，多个存储器裸片160-N可彼此上下堆叠。在一些情况下，3D存储器装置中的存储器裸片160-N可称为层面、层级、层或裸片。3D存储器装置可包含任何数量的堆叠存储器裸片160-N(例如，二连、三连、四连、五连、六连、七连、八连)。与单个2D存储器装置相比，这可以增加可以定位在衬底上的存储器单元的数量，继而可以降低生产成本、提高存储器阵列的性能，或这两者。在一些3D存储器装置中，不同层面可共享至少一个共同存取线，使得一些层面可共享字线、数字线和/或板线中的至少一个。
装置存储器控制器155可包含被配置成控制存储器装置110的操作的电路或组件。如此，装置存储器控制器155可包含使存储器装置110能够执行命令的硬件、固件和软件，且可被配置成接收、发射或执行关于存储器装置110的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可被配置成与外部存储器控制器105、所述一或多个存储器裸片160或处理器120通信。在一些情况下，存储器装置110可从外部存储器控制器105接收数据及/或命令。在一些实例中，外部存储器控制器105可或可包含在主机装置中。在一些实例中，主机装置和存储器装置110可极为接近，且主机装置温度可影响存储器装置温度。随着存储器装置温度改变，主机装置可将信令发送到存储器装置110以调整存储器装置110的参数来优化性能、功耗等等。
举例来说，存储器装置110可接收指示存储器装置110将代表系统100的组件(例如，处理器120)存储特定数据的写入命令，或指示存储器装置110将把存储于存储器裸片160中的特定数据提供到系统100的组件(例如，处理器120)的读取命令。在一些情况下，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。包含在装置存储器控制器155及/或本地存储器控制器165中的组件的实例可包含用于解调从外部存储器控制器105接收的信号的接收器、用于调制信号和将信号发射到外部存储器控制器105的解码器、逻辑、解码器、放大器、滤波器等等。
本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160的本地)可被配置成控制存储器裸片160的操作。而且，本地存储器控制器165可被配置成与装置存储器控制器155通信(例如，接收和发射数据和/或命令)。本地存储器控制器165可支持装置存储器控制器155以控制如本文中所描述的存储器装置110的操作。在一些情况下，存储器装置110不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器105可执行本文所描述的各种功能。因此，本地存储器控制器165可被配置成与装置存储器控制器155通信，与其它本地存储器控制器165通信，或直接与外部存储器控制器105或处理器120通信。
外部存储器控制器105可被配置成实现系统100的组件(例如，处理器120)和存储器装置110之间的信息、数据和/或命令的传送。外部存储器控制器105可充当系统100的组件与存储器装置110之间的联络者，使得系统100的组件可不需要知道存储器装置的操作细节。系统100的组件可以向外部存储器控制器105呈现外部存储器控制器105满足的请求(例如，读取命令或写入命令)。外部存储器控制器105可以转换或转译在系统100的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些情况下，外部存储器控制器105可以包含生成共同(源)系统时钟信号的系统时钟。在一些情况下，外部存储器控制器105可以包含生成共同(源)数据时钟信号的共同数据时钟。
在某些情况下，外部存储器控制器105或系统100的其它组件或本文中所描述的其功能可由处理器120实施。举例来说，外部存储器控制器105可以是由处理器120或系统100的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。虽然将外部存储器控制器105描绘为在存储器装置110外部，但在一些情况下，外部存储器控制器105或本文描述的其功能可以由存储器装置110实施。举例来说，外部存储器控制器105可以是由装置存储器控制器155或者一或多个本地存储器控制器165实施的硬件、固件或软件或其某一组合。在一些情况下，外部存储器控制器105可以跨处理器120和存储器装置110分布，使得外部存储器控制器105的部分由处理器120实施，且其它部分由装置存储器控制器155或本地存储器控制器165实施。同样，在一些情况下，本文中归属于装置存储器控制器155或本地存储器控制器165的一或多个功能可以在一些情况下由外部存储器控制器105(与处理器120分离或包含于处理器120中)执行。
系统100的组件可使用多个信道115与存储器装置110交换信息。在一些实例中，信道115可使得能够在外部存储器控制器105与存储器装置110之间进行通信。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或发射介质(例如，导体)。举例来说，信道115可包含第一端子，其包含外部存储器控制器105处的一或多个引脚或衬垫，及存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可为系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可被配置成充当信道的部分。在一些情况下，端子的引脚或衬垫可为信道115的信号路径的部分。额外信号路径可与信道的端子耦合以在系统100的组件内路由信号。举例来说，存储器装置110可包含将来自信道115的端子的信号路由到存储器装置110的各种组件(例如，装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170)的信号路径(例如，存储器装置110或其组件内部的信号路径，例如在存储器裸片160内部)。
信道115(和相关联的信号路径及端子)可专用于传达特定类型的信息。在一些情况下，信道115可为聚合信道(aggregated channel)，且因此可包含多个个别信道。举例来说，数据信道190可为x4(例如，包含四个信号路径)、x8(例如，包含八个信号路径)、x16(包含十六个信号路径)等等。
在一些情况下，信道115可包含一或多个命令和地址(CA)信道186。CA信道186可被配置成在外部存储器控制器105和存储器装置110之间传送命令，包含与命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。举例来说，CA信道186可以包含具有所要数据的地址的读取命令。在一些状况下，CA信道186可寄存在上升时钟信号沿和/或下降时钟信号沿上。在一些情况下，CA信道186可包含八个或九个信号路径。
在某些情况下，信道115可包含一或多个时钟信号(CK)信道188。CK信道188可被配置成在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送一或多个共同时钟信号。每一时钟信号可被配置成在高状态与低状态之间调整(例如，振荡)且协调外部存储器控制器105和存储器装置110的动作。在一些情况下，时钟信号可以是差分输出(例如，CK_t信号和CK_c信号)，并且CK信道188的信号路径可相应地配置。在一些情况下，时钟信号可以是单端的。在一些情况下，时钟信号可以是1.5GHz信号。CK信道188可包含任何数量的信号路径。在一些情况下，时钟信号CK(例如，CK_t信号和CK_c信号)可提供用于存储器装置110的命令和寻址操作或用于存储器装置110的其它系统范围内操作的定时参考。时钟信号CK可因此不同地被称作控制时钟信号CK、命令时钟信号CK或系统时钟信号CK。系统时钟信号CK可由系统时钟生成，所述系统时钟可包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。
在一些情况下，信道115可包含一或多个数据(DQ)信道190。举例来说，信道115可包含数据信道190-1到190-n。每一数据信道可与一或多个发射线相关联或包含一或多个发射线。数据信道190可被配置成在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送数据及/或控制信息。举例来说，数据信道190可传送待写入到存储器装置110的信息(例如，双向)或从存储器装置110读取的信息。数据信道190可传送可使用多种不同调制方案(例如，NRZ、PAM4)调制的信号。
在某些情况下，信道115可包含可专用于其它目的的一或多个其它信道192。这些其它信道192可包含任何数量的信号路径。
在一些情况下，其它信道192可包含一或多个写入时钟信号(WCK)信道。虽然WCK中的‘W’在名义上可代表“写入”，但写入时钟信号WCK(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)可提供通常用于存储器装置110的存取操作的定时参考(例如，用于读取和写入操作两者的定时参考)。因此，写入时钟信号WCK也可被称作数据时钟信号WCK。WCK信道可被配置成在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送共同数据时钟信号。数据时钟信号可被配置成协调外部存储器控制器105和存储器装置110的存取操作(例如，写入操作或读取操作)。在一些情况下，写入时钟信号可为差分输出(例如，WCK_t信号和WCK_c信号)，并且WCK信道的信号路径可相应地配置。WCK信道可包含任何数量的信号路径。数据时钟信号WCK可由数据时钟生成，所述数据时钟可包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管等)。
在一些情况下，其它信道192可包含一或多个错误检测码(EDC)信道。EDC信道可被配置成传送例如校验和等错误检测信号，来改进系统可靠性。EDC信道可包含任何数量的信号路径。
信道115可以使用各种不同架构将外部存储器控制器105与存储器装置110耦合。各种架构的实例可包含总线、点对点连接、纵横开关、例如硅内插件等高密度内插件，或形成于有机衬底中的沟道，或其某一组合。举例来说，在一些情况下，信号路径可以至少部分地包含高密度内插件，例如硅内插件或玻璃内插件。
可以使用各种不同的调制方案来调制在信道115上传送的信号。在某些情况下，可以使用二进制符号(或二进制层级)调制方案来调制在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送的信号。二进制符号调制方案可为M进制调制方案的实例，其中M等于二。二进制符号调制方案的每一符号可被配置成表示数字数据的一个位(例如，符号可表示逻辑1或逻辑0)。二进制符号调制方案的实例包含(但不限于)不归零(NRZ)、单极编码、双极编码、曼彻斯特编码、具有两个符号(例如，PAM2)的脉冲振幅调制(PAM)、PAM4等等。
在某些情况下，可以使用多符号(或多层级)调制方案来调制在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传送的信号。多符号调制方案可以是M进制调制方案的实例，其中M大于或等于三。多符号调制方案的每一符号可被配置成表示数字数据的一个以上位(例如，PAM4符号可表示逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。多符号调制方案的实例包含(但不限于)PAM4、PAM8、正交振幅调制(QAM)、正交相移键控(QPSK)等。多符号信号(例如，PAM4信号)可以是使用包含用以对一个以上位的信息进行编码的至少三个层级的调制方案调制的信号。多符号调制方案及符号可替代地被称作非二进制、多位或高阶调制方案和符号。
根据所描述的技术，系统100可包含被配置成基于存储器装置温度优化存储器装置110的性能(例如，优化存储器装置110、存储器裸片160或存储器阵列170的性能)的电路系统或其它组件。被配置成调整存储器装置110的操作参数的值的电路系统或其它组件可基于存储器装置110的温度的指示(例如，从与外部存储器控制器105、与存储器装置110或与系统100的某一其它方面相关联(例如，包含于其中或与其耦合)的温度传感器生成及接收)而激活、停用或以其它方式操作(例如，由外部存储器控制器105、装置存储器控制器155或本地存储器控制器165)。在一些实例中，激活或以其它方式操作被配置成优化存储器装置110的性能的电路系统或其它组件可基于存储器装置110的温度。
图2示出支持如本文所公开的基于温度的存储器管理的存储器裸片160-b的实例。存储器裸片200可以是参考图1所描述的存储器裸片160的实例。在某些情况下，存储器裸片200可被称作存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可以包含可编程以存储不同逻辑状态的一或多个存储器单元205。每一存储器单元205可为可编程的以存储两个或两个以上状态。举例来说，存储器单元205可被配置成一次存储数字逻辑的一个位(例如，逻辑0和逻辑1)。在某些情况下，单个存储器单元205(例如，多层级存储器单元)可被配置成一次存储数字逻辑的一个以上位(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。
存储器单元205可将表示可编程状态的电荷存储在电容器中。在DRAM架构中，存储器单元205可包含电容器，其包含电介质材料以存储表示可编程状态的电荷。在其它存储器架构中，其它存储装置和组件是可能的。举例来说，可采用非线性电介质材料。
可以通过激活或选择例如字线210和/或数字线215等存取线来对存储器单元205执行例如读取和写入等操作。在一些情况下，数字线215也可被称作位线。对存取线、字线和数字线或其类似物的提及可以互换，但不影响理解或操作。激活或选择字线210或数字线215可包含将电压施加到相应线。
存储器裸片200可包含布置成网格状图案的存取线(例如，字线210和数字线215)。存储器单元205可定位于字线210与数字线215的相交点处。通过偏置字线210和数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)，可在其相交点处存取单个存储器单元205。
可经由行解码器220或列解码器225来控制存取存储器单元205。举例来说，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址，且基于所接收行地址激活字线210。列解码器225可从本地存储器控制器260接收列地址，且可基于所接收列地址激活数字线215。举例来说，存储器裸片200可包含标记为WL_1到WL_M的多个字线210以及标记为DL_1到DL_N的多个数字线215，其中M和N取决于存储器阵列的大小。因此，通过激活字线210和数字线215，例如WL_1和DL_3，可存取其相交处的存储器单元205。在二维或三维配置中的字线210和数字线215的相交点可称为存储器单元205的地址。
存储器单元205可包含逻辑存储组件，例如电容器230和开关组件235。电容器230可为电介质电容器或铁电电容器的实例。电容器230的第一节点可与开关组件235耦合，并且电容器230的第二节点可与电压源240耦合。在一些情况下，电压源240是接地，例如Vss。在一些情况下，电压源240可以是与板线驱动器耦合的板线的实例。开关组件235可以是选择性地建立或撤销建立(例如，停止)两个组件之间的电子连通的晶体管或任何其它类型的开关装置的实例。
选择或撤销选择存储器单元205可通过激活或停用开关组件235来实现。电容器230可以使用开关组件235与数字线215成电子连通。举例来说，当停用开关组件235时，电容器230可与数字线215隔离，且当激活开关组件235时，电容器230可与数字线215耦合。在一些情况下，开关组件235可以是或包含晶体管，且可通过对晶体管栅极施加电压来控制其操作，其中晶体管栅极与晶体管源极之间的电压差可大于或小于晶体管的阈值电压。在某些情况下，开关组件235可以是或包含p型晶体管或n型晶体管。字线210可与开关组件235的栅极成电子连通，且可基于施加到字线210的电压而激活/停用开关组件235。
字线210可以是与可用于对存储器单元205执行存取操作的存储器单元205成电子连通的导电线。在一些架构中，字线210可与存储器单元205的开关组件235的栅极成电子连通，且可被配置成控制存储器单元的开关组件235。在一些架构中，字线210可与存储器单元205的电容器的节点成电子连通，且存储器单元205可不包含开关组件。
数字线215可以是连接存储器单元205与感测组件245的导电线。在一些架构中，存储器单元205可在存取操作的部分期间选择性地与数字线215耦合。举例来说，字线210和存储器单元205的开关组件235可被配置成耦合和/或隔离存储器单元205的电容器230和数字线215。在一些架构中，存储器单元205可与数字线215成电子连通。
感测组件245可被配置成检测存储器单元205的电容器230上存储的状态(例如，电荷)，且基于所存储状态确定存储器单元205的逻辑状态。在一些情况下，由存储器单元205存储的电荷可能较小。因而，感测组件245可包含一或多个感测放大器以放大由存储器单元205输出的信号。感测放大器可检测读取操作期间数字线215的电荷的小改变，且可基于检测到的电荷产生对应于逻辑0或逻辑1的信号。
在读取操作期间，存储器单元205的电容器230可将信号输出(例如，放电)到其对应的数字线215。所述信号可致使数字线215的电压改变。感测组件245可被配置成将跨数字线215从存储器单元205接收的信号与参考信号250(例如，参考电压)进行比较。感测组件245可以基于所述比较确定存储器单元205的存储状态。举例来说，在二进制信令中，如果数字线215具有比参考信号250高的电压，则感测组件245可以确定存储器单元205的存储状态为逻辑1，且如果数字线215具有比参考信号250低的电压，则感测组件245可以确定存储器单元205的存储状态为逻辑0。
感测组件245可包含各种晶体管或放大器，以检测和放大信号的差异。在一些情况下，感测组件245可以是另一组件(例如，列解码器225、行解码器220)的部分。在一些情况下，感测组件245可与行解码器220或列解码器225成电子连通。
如由感测组件245确定的存储器单元205的检测到的逻辑状态可经由列解码器225作为输出255输出。输出255可将检测到的逻辑状态传送到一或多个中间组件(例如，本地存储器控制器)以供在一或多个信道上传递(例如，供在一或多个发射线上发射)。因此，存储器单元205的检测到的逻辑状态可输送到存储器裸片200外部的装置或组件。
本地存储器控制器260可经由各种组件(例如，行解码器220、列解码器225和感测组件245)控制存储器单元205的操作。本地存储器控制器260可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些情况下，行解码器220、列解码器225和感测组件245中的一或多个可以与本地存储器控制器260协同定位。本地存储器控制器260可被配置成从外部存储器控制器105(或参考图1所描述的装置存储器控制器155)接收命令和/或数据，将命令和/或数据转译成存储器裸片200可使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且响应于执行所述一或多个操作将数据从存储器裸片200传送到外部存储器控制器105(或装置存储器控制器155)。
本地存储器控制器260可以生成行和列地址信号以激活目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260还可生成并控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文中所论述的所施加电压或电流的振幅、形状或持续时间可经调整或变化，且对于所论述的在操作存储器裸片200的过程中的各种操作来说可能不同。
在某些情况下，本地存储器控制器260可被配置成在存储器裸片200的一或多个存储器单元205上执行写入操作(例如，编程操作)。写入操作可针对从外部装置接收的数据。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可被编程为存储所要逻辑状态。在一些情况下，可在单个写入操作期间对多个存储器单元205进行编程。本地存储器控制器260可识别将在上面执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)成电子连通的目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)，以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器260可在写入操作期间将第一信号(例如，电压)施加到数字线215以将第一状态(例如，电荷)存储在存储器单元205的电容器230中，且第一状态(例如，电荷)可指示所要逻辑状态。
在某些情况下，本地存储器控制器260可被配置成在存储器裸片200的一或多个存储器单元205上执行读取操作(例如，感测操作)。读取操作可针对外部装置所请求的或旨在用于外部装置的数据。在读取操作期间，可以确定存储在存储器裸片200的存储器单元205上的逻辑状态。在一些情况下，可在单个读取操作期间感测多个存储器单元205。本地存储器控制器260可识别将在上面执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)成电子连通的目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260可激活目标字线210和目标数字线215(例如，将电压施加到字线210或数字线215)，以存取目标存储器单元205。在一些实例中，本地存储器控制器260可以是如参看图1所论述的外部存储器控制器105或主机装置。
目标存储器单元205可以响应于偏置存取线而将信号传递到感测组件245。感测组件245可放大所述信号。本地存储器控制器260可以激活感测组件245(例如，锁存感测组件)，且借此将从存储器单元205接收的信号与参考信号250进行比较。基于所述比较，感测组件245可以确定存储在存储器单元205上的逻辑状态。作为读取操作的部分，本地存储器控制器260可以将存储在存储器单元205上的逻辑状态传送到外部存储器控制器105(或装置存储器控制器155)。
在一些存储器架构中，存取存储器单元205可能使存储在存储器单元205中的逻辑状态降级或毁坏。举例来说，在DRAM架构中执行的读取操作可使目标存储器单元的电容器部分或完全放电。本地存储器控制器260可以执行重写操作或刷新操作以使存储器单元返回到其原始逻辑状态。本地存储器控制器260可在读取操作之后将逻辑状态重写到目标存储器单元。在一些情况下，重写操作可视为读取操作的部分。另外，激活单个存取线(例如，字线210)可能干扰存储在与存取线成电子连通的一些存储器单元中的状态。因此，可对可能尚未被存取的一或多个存储器单元执行重写操作或刷新操作。
存储器裸片200示出二维(2D)存储器单元阵列。在一些情况下，存储器装置可包含三维(3D)阵列或存储器单元。3D存储器阵列可包含彼此上下堆叠的两个或更多个2D存储器阵列。在一些情况下，3D存储器阵列中的2D存储器阵列可称为层面、层级、层或裸片。3D存储器阵列可包含任何数量的堆叠式2D存储器阵列(例如，二连、三连、四连、五连、六连、七连、八连)。与单个2D存储器阵列相比，这可以增加可以定位在单个裸片或衬底上的存储器单元的数量，继而可以降低生产成本、提高存储器阵列的性能，或这两者。在一些3D存储器阵列中，不同层面可共享至少一个共同存取线，使得一些层面可共享字线210或数字线215中的至少一个。
存储器裸片200的一或多个操作性方面可以是温度敏感的，且存储器裸片200或包含存储器裸片的系统(例如，比如系统100等系统)可被配置(例如，通过选择或以其它方式调整操作参数)成使得存储器装置110跨包含存储器裸片200或以其它方式与存储器裸片200相关联的系统100或外部存储器控制器105的所预期温度范围满足操作目标或参数。在一些实例中，激活、停用或以其它方式操作被配置成管理存储器裸片200的性能的电路系统或其它组件可基于包含存储器裸片200的存储器装置110的温度。存储器装置110的各种操作或功能还可基于存储器装置110或其组件的温度的指示。
图3示出支持如本文中所公开的基于温度的存储器管理的系统300的实例。系统300可包含主机装置305及存储器装置110，其可为参考图1和2描述的相应组件的实例。尽管系统300示出为具有一个存储器装置110，但本文中所描述的组件及技术可说明包含一个存储器装置110或一组存储器装置110(例如，一个以上存储器装置110)的系统300。
系统300可包含用于测量或指示存储器装置110的温度的各种温度传感器。在一些实例中，系统300可包含存储器装置温度传感器320，其可为存储器装置110的组件。存储器装置温度传感器320可嵌入于装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170或包含于存储器装置110中的任何其它组件中的任一个内(例如，作为其一体式组件)，或耦合到装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170或包含于存储器装置110中的任何其它组件中的任一个。尽管在存储器装置110的说明性边界内展示，但存储器装置温度传感器320还可耦合到(例如，熔合到、紧固到、焊接到)存储器装置110的外部封装，其可包含例如热膏等导热耦合或导热材料之间的其它耦合。存储器装置温度传感器320可提供存储器装置110或其组件的温度的相对直接测量或指示(例如，温度T1)。在某些情况下，存储器装置可具有包含电容性存储元件(例如，电容器)的存储器单元。
另外或替代地，系统300可包含主机装置温度传感器330，其可为主机装置305的组件。主机装置温度传感器330可嵌入于外部存储器控制器105内(例如，作为其一体式组件)，或耦合到外部存储器控制器105，或在此些组件包含于主机装置305中的情况下，主机装置温度传感器330可嵌入于处理器120、BIOS组件125、外围组件130或I/O控制器135内，或者耦合到处理器120、BIOS组件125、外围组件130或I/O控制器135。尽管在主机装置305的说明性边界内展示，但主机装置温度传感器330还可耦合到(例如，熔合到、紧固到、焊接到)主机装置305的外部封装，其可包含例如热膏等导热耦合或导热材料之间的其它耦合。主机装置温度传感器330可提供主机装置305或其组件的温度的相对直接测量或指示(例如，温度T2)，在一些实例或条件中，其可提供用于支持本文中所描述的技术的存储器装置110的温度的合适的测量或指示(例如，相对间接测量或指示)。
在一些实例中，主机装置305可向存储器装置110请求存储器装置温度。存储器装置110可经由存储器装置温度传感器320提供温度。基于存储器装置温度，主机装置305可确定是否调整存储器装置110的一或多个操作参数(例如，定时参数、电压参数、频率参数)。因为主机装置305和存储器装置110可彼此非常接近使得主机装置305可影响存储器装置110的温度，所以任何时候主机装置305可改变温度，这可能触发新的存储器装置温度确定(例如，读出或确定存储器装置温度的其它方式)，且主机装置305可相应地调整存储器装置110的参数。
在一些实例中，主机装置305和存储器装置110可经由耦合组件310耦合，但在系统300的各种实例中，耦合组件310或其所描述的功能可包含于系统300中或从系统省略。耦合组件310可为系统300的提供主机装置305与存储器装置110之间的耦合的物理组件。所描述的耦合可为主机装置305提供存储器装置110的温度或温度的指示。
在一些实例中，主机装置305和存储器装置110可经由耦合组件310耦合，但在系统300的各种实例中，耦合组件310或其所描述的功能可包含于系统300中或从系统300省略。耦合组件310可为系统300的提供主机装置305与存储器装置110之间的耦合的物理组件。所描述的耦合可包含在主机装置305与存储器装置110之间输送热能的热耦合。举例来说，耦合组件310可具有相对高的热导率(例如，低热阻)，其可促进在主机装置305与存储器装置110之间的相对小温差下在主机装置305与存储器装置110之间的热能传递。换句话说，耦合组件310可支持主机装置305及存储器装置110处于相对类似的温度(例如，经由相对强的热耦合)。
通过经由耦合组件310(例如，经由热耦合)将存储器装置110与主机装置305耦合，主机装置温度传感器330可提供比在省略耦合组件310时更准确的存储器装置110的温度的指示。举例来说，当系统300包含耦合组件310时，主机装置温度传感器330可在热瞬变期间或在存储器装置110的内部产热不同于主机装置305的内部产热时提供存储器装置温度的更准确指示。然而，在一些实例中，可从系统300省略耦合组件310，且主机装置温度传感器330可适合于支持本文中所描述的技术。
在一些实例中，耦合组件310可被特定地配置成减小主机装置温度传感器330与存储器装置110之间的温差。举例来说，耦合组件310可为主机装置温度传感器330或主机装置305与存储器装置110之间的特定设计的热桥或连杆，例如衬底的导热迹线或衬垫(例如，与存储器装置110及主机装置305两者耦合的印刷电路板的导电部分)。在一些实例中，耦合组件310可出于其它目的而配置，但以其它方式支持存储器装置110与主机装置305之间的热传导。举例来说，耦合组件310可为被配置成从存储器装置110或主机装置305吸走热能的散热片或冷却片，且可另外限制存储器装置110与主机装置305之间的温差(例如，作为耦合组件310的次要或额外目的)。在一些实例中，耦合组件310还可指代印刷电路板的导电迹线或被配置成在存储器装置110与主机装置305之间传送信号的其它介接组件(例如，与一或多个信道115相关联的信号路径)。
尽管耦合组件310示出为与存储器装置110及主机装置305分离的组件，但在系统300的各种实例中，耦合组件310或其所描述特性可包含于存储器装置110或主机装置305中的一个或这两者中。举例来说，存储器装置110可包含安装到印刷电路板或其它衬底的一或多个存储器裸片160，且存储器装置110的印刷电路板可包含导热部分，所述导热部分被配置成或以其它方式支持存储器装置110与主机装置305之间的热能交换，借此减小存储器装置110与主机装置温度传感器330之间的温差。另外或替代地，主机装置305可包含印刷电路板，且主机装置305的印刷电路板可包含导热部分，所述导热部分被配置成或以其它方式支持主机装置305与存储器装置110之间的热能交换，借此限制存储器装置110与主机装置温度传感器330之间的温差。
对于包含耦合组件310的系统300，系统300可包含耦合组件温度传感器350(例如，作为存储器装置温度传感器320或主机装置温度传感器330中的一个或两者的补充或替代)，其可为耦合组件310的组件。耦合组件温度传感器350可嵌入于耦合组件310内(例如，作为其一体式组件)，或以其它方式耦合到耦合组件310，其可包含例如热膏等导热耦合或导热材料之间的其它耦合。耦合组件温度传感器350可提供耦合组件310的温度的相对直接测量或指示(例如，温度T3)，在一些实例或条件中，其可提供存储器装置110的温度或主机装置305的温度中的一个或两者的合适的测量或指示(例如，相对间接测量或指示)。在各种实例中，耦合组件温度传感器350可与存储器装置110或主机装置305或这两者通信(例如，可向其提供温度指示)。
通过经由耦合组件310且归因于主机装置305与存储器装置110极为接近而使存储器装置110与主机装置305耦合，主机装置温度传感器330可提供存储器装置110的温度的更精确指示。在一些实例中，可从系统300省略耦合组件310，且主机装置温度传感器330可适合于支持本文中所描述的技术。在一些实例中，耦合组件310还可指代印刷电路板的导电迹线或被配置成在存储器装置110与主机装置305之间传送信号的其它介接组件(例如，与一或多个信道115相关联的信号路径)。
在一些实例中，主机装置305或存储器装置110(例如，外部存储器控制器105或装置存储器控制器155)可识别存储器装置110的所指示温度与主机装置305的所指示温度之间的差，且主机装置305或存储器装置110可基于所识别的差而执行所描述的操作或所交换的命令或信令。举例来说，主机装置305可识别由主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器350指示的温度与由存储器装置温度传感器320指示的温度之间的差(例如，偏移)，且主机装置305基于可能基于所识别的差(偏移)调整的主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器350的指示来执行操作。
在一些情况下，一个装置的温度与另一装置的温度之间(例如，主机装置305的温度与存储器装置110的温度之间、耦合组件310的温度与存储器装置110的温度之间)的偏移可在主机装置305或存储器装置110处预先配置(例如，存储在一或多个熔丝或反熔丝中)，且主机装置305或存储器装置110可使用如本文中所描述识别的此预先配置的偏移。
在一些实例中，耦合组件310可将存储器装置110和主机装置305中的一或两者耦合到冷却组件340。冷却组件340可从存储器装置110的温度传感器320和主机装置305的温度传感器330中的一或两者接收温度或温度的指示。冷却组件340可基于存储器装置110和主机装置305的所接收温度而降低存储器装置110和主机装置305中的一或两者的温度。
存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器350可包含提供温度的指示的不同类型的组件，且此些指示可在数字域或模拟域中输送、传信、比较或以其它方式处理。举例来说，存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330或耦合组件温度传感器350中的任何一或多个可包含热电偶、热敏电阻器、半导体温度传感器、电阻温度检测器(RTD)或某一其它类型的传感器。
尽管示出为单个组件，但存储器装置温度传感器320、主机装置温度传感器330中的任何一或多个可在系统300中重复。举例来说，存储器装置110可包含跨多个存储器裸片160分布或以其它方式跨存储器装置110的不同位置分布的一组存储器装置温度传感器320。另外或替代地，主机装置305可包含跨主机装置305的各种组件分布或以其它方式跨主机装置305的不同位置分布的一组主机装置温度传感器330。另外或替代地，耦合组件310可包含跨耦合组件310的各种组件分布或以其它方式跨耦合组件310的不同位置分布的一组耦合组件温度传感器350。
在一些实例中，系统300的特定组件的一组温度传感器可为同一类型的传感器。举例来说，存储器装置110的一组存储器装置温度传感器320中的每一个可为半导体温度传感器。在一些实例中，系统300的组件可具有多种类型的温度传感器，其可支持不同温度范围、不同操作条件(例如，不同操作模式、不同功率消耗、被激励的组件的不同部分)、冗余或合理性检测。举例来说，存储器装置110的存储器装置温度传感器320可包含一组热电偶及一或多个RTD。
在各种实例中，系统300的组件可使用相同或不同类型的温度传感器。举例来说，存储器装置温度传感器320存储器装置110可包含热电偶，且主机装置305的主机装置温度传感器330可包含热电偶或RTD或这两者。根据所描述的技术，可在存储器装置温度传感器320或主机装置温度传感器330中使用温度传感器类型的各种其它组合。
系统300还可包含存储器装置110与主机装置305(例如，主机装置305的外部存储器控制器105)之间的各种信令，其可支持存储器装置110及主机装置305的各种操作或其间的各种操作。举例来说，系统300可支持命令信令380、温度信令385、参数信令390或其各种组合。所描述的信令中的每一个可经由信道115(例如参考图1的系统100描述的那些信道)输送。
命令信令380可包含主机装置305存储器装置110之间交换的命令。命令信令380可例如经由如参考图1的系统100所描述的CA信道186或存储器装置110和主机装置305之间的某一其它操作信道115或线路来输送。在一些实例中，主机装置305和存储器装置110之间交换的一或多个命令的时间或电压或其它特性可基于定时参数的值。在一些实例中，绝对发射时间可基于定时参数的值。在一些实例中，发射之间的时间间隔可基于定时参数的值。
温度信令385可包含在存储器装置110或主机装置305之间传送的温度的各种指示，且可经由数据信道190或与另一信道192相关联的EDC引脚或联合测试行动小组(JTAG)信号(例如参考图1的系统100描述的那些)或某一其它温度反馈信道或线路来输送。举例来说，存储器装置110及主机装置305可交换温度的显式指示(例如，传达以华氏度或摄氏度为单位的温度的数字值)或温度的隐式指示(例如，热电偶的电压，或跨以其它方式与以华氏度或摄氏度为单位的特定温度相关联的RTD的电压或电流)。举例来说，存储器装置110可经由温度信令385将存储器装置110的温度的指示(例如，来自存储器装置温度传感器320)提供到主机装置305。此温度信令可用于支持用于存储器装置的受控和模式相依加热的所描述的技术的各种实例。
参数信令390可包含由存储器装置110执行的操作或触发的各种指示，且可经由数据信道190或与另一信道192(例如，功率信道)相关联的EDC引脚或JTAG信号(如参考图1的系统100所描述)或某一其它初始化反馈信道或线路来输送。参数信令390可从主机装置305输送，且可包含可基于存储器装置110的温度的参数调整。在一些实例中，一或多个定时参数、频率参数或电压参数或其任何组合可基于存储器装置110的温度变化。在一些实例中，主机装置305可发射参数信令390，所述参数信令可传送基于存储器装置110的温度调整的参数值。在一些实例中，经调整的参数值可更新存储器装置110处的一或多个模式寄存器的值。经更新值可存储在存储器装置110处的所述一或多个模式寄存器上直至存储器装置110的温度可改变并跨过阈值(例如，如本文所描述的阈值温度或边界温度)，此时所述一或多个模式寄存器可用另一经调整的参数值更新。
图4示出与如本文所公开的针对存储器装置110的基于温度的存储器管理相关联的温度分布曲线400的实例。温度分布曲线400可示出参考图3所描述的系统300中的存储器装置110的温度405的实例。在各种实例中，所指示温度405可说明在存储器装置110处指示的温度(例如，图3中的T1，如由一或多个存储器装置温度传感器320指示)、在主机装置305处指示的温度(例如，图3中的T2，如由一或多个主机装置温度传感器330指示)、在耦合组件310处指示的温度(例如，T3，如由一或多个耦合组件温度传感器350指示)，或其某一组合。在一些实例中，所指示温度405可说明一组温度传感器的平均所指示温度、一组温度传感器的最小所指示温度、一组传感器的最大所指示温度，或应用于一组温度传感器的某一其它组合或操作。
在一些实例中，主机装置305可确定存储器装置110的温度(例如，基于相对于主机装置305或耦合组件310的温度的偏移(零或非零))，或可从存储器装置110接收温度的指示。主机装置305可接着基于存储器装置110的温度确定参数(或参数集合)的值或调整参数(或参数集合)的值。主机装置305可基于所确定的参数的值(或所确定的参数集合的值)发射信令。
在某些情况下，例如信令的定时(例如，调度、绝对定时或相对于其它信令的定时)或电压等信令的一或多个特性可基于所述参数。因此，主机装置305可基于所确定的参数的值(或所确定的参数集合的值)操作或控制存储器装置110的操作的一或多个方面。另外或替代地，信令可指示所确定的参数的值(或所确定的参数集合的值)。举例来说，主机装置305可将所述一或多个参数的所确定值的一或多个指示(例如，经由信令)发射到存储器装置110，且存储器装置110可随后据此操作。举例来说，信令可致使将参数值存储于存储器装置110的一或多个模式寄存器中，且存储器装置110可随后据此操作。作为另一实例，主机装置305可将所述一或多个参数的所确定值的一或多个指示(例如，经由信令)发射到系统100的另一方面，或以其它方式基于所确定的参数的值(或所确定的参数集合的值)调整系统100的另一方面的操作以便相应地调整存储器装置110的操作。举例来说，主机装置305可调整存储器装置110的电力供应的操作以调整针对存储器装置110的供应电压。
在一些实例中，存储器装置110的运行特性(例如，存储器装置110内的材料的传播速度或电阻、存储器装置110内的存储器单元205的泄漏速率)可随存储器装置110的温度变化。在图4中，随着温度405升高或降低，可调整不同操作参数(例如，可选择或改变一或多个操作参数的值)来改进或维持存储器装置110的一或多个所要性能特性，且借此补偿、利用或缓解温度405的改变的影响。
T1和T2可以是阈值温度的实例。T1和T2可各自表示温度范围的边界(上限或下限)。举例来说，第一温度范围可为低于T1，第二温度范围可在T1和T2之间，且第三温度范围可高于T2。应理解，可存在任何数量的温度范围和相关联边界，但可能未示出以免使本公开模糊不清。在某些情况下，主机装置305可基于温度405达到(跨过)T1或T2中的任一个(例如，在此时或响应于此)而确定存储器装置110的一或多个操作参数的值。也就是说，在某些情况下，T1和T2可以是一或多个操作参数的值可改变(被确定)的过渡点(阈值)。
在某些情况下，可由主机装置305引入滞后作用，其可有利地避免参数值的非所要数量(频率)的改变，例如当温度405保持在T1或T2处或附近达某一持续时间(例如，延长的持续时间)时。举例来说，温度T1A和T1B及温度T2A和T2B可分别是高于及低于温度T1和T2的边界温度。举例来说，主机装置305可使用边界温度T1A和T2A作为温度405正升高时一或多个操作参数的值可改变(被确定)的过渡点(阈值)，且主机装置305可使用边界温度T1B和T2B作为温度405正降低时一或多个操作参数的值可改变(被确定)的过渡点(阈值)。因此，由主机装置305使用的过渡点(阈值)温度可取决于存储器装置110的温度405的改变方向，主机装置305可基于温度405的值大于还是小于温度405的先前值来识别(例如，确定)过渡点(阈值)。在一些实例中，T1和T2可不存储，或可以其它方式不由主机装置305利用。举例来说，边界温度T1A和T2A可为(例如，可被存储和利用作为)温度405正升高时相应温度范围的边界(下限和上限)，且边界温度T1B和T2B可为(例如，可被存储和利用作为)温度405正降低时相应温度范围的边界(下限和上限)。
在某些情况下，主机装置305可存储与相应温度范围相关联的参数值的集合。举例来说，主机装置305可存储使存储器装置110的操作参数的值关联(链接)到存储器装置110的温度405的范围的查找表或其它数据结构。因此，在某些情况下，主机装置305可通过以下操作来确定用于操作存储器装置110的参数的值：确定对应于(例如，包含)存储器装置110的最近感测、指示或以其它方式确定的温度405的温度范围并确定所述值等于与所识别温度范围相关联的值。在某些情况下，确定温度405在温度范围内可包含将温度405与一或多个操作阈值(过渡点)进行比较。在某些情况下，使存储器装置110的操作参数的值关联(链接)到存储器装置110的温度405的范围的查找表或其它数据结构可存储于BIOS组件125中，所述BIOS组件可在某些情况下是或包含视频基本输入/基本输出(VBIOS)组件。在某些情况下，查找表可存储于高速缓存或主机装置305处的其它相对低延时存储器中。
在一些实例中，随着温度改变，主机装置305可选择经调整的操作参数(例如，定时、电压或频率参数)。举例来说，刷新速率可随着温度升高(例如，归因于泄漏速率增加)而增加且借此改进可靠性或其它性能方面，且可随着温度降低(例如，归因于泄漏速率减小)而减小且借此改进功率消耗或其它性能方面。在某些情况下，可基于选择经调整的定时参数来调整主机装置305和存储器装置110之间的命令或其它信令的定时(例如，由主机装置305发送到存储器装置110的刷新命令的定时可调整为更频繁或不那么频繁)。另外或替代地，主机装置305和存储器装置110之间的信令可指示经调整的定时参数(例如，所述信令可指示待由存储器装置110使用的刷新操作的经调整自刷新调度表或行乘数)。在某些情况下，使刷新速率与温度对准可改进(优化)功率消耗(例如，较少刷新可减少功率消耗，因此在较低温度下降低刷新速率可减少较低温度下的功率消耗)。
作为另一实例，主机装置305和存储器装置110之间的信令可基于定时(例如，核心定时)(例如，在基于所述定时的一或多个时间处发射)或指示经调整的(例如，增加或减小的)定时。举例来说，在某些情况下，主机装置305可基于温度405确定写入恢复时间(tWR)，其可指代针对行的写入命令的发布和针对所述行的预充电命令的发布之间的时钟循环数量。因此，写入命令和预充电命令之间经过的时间或间隔，或者其它命令(例如，由一或多个其它定时参数指定)之间经过的时间或间隔可基于温度405。所属领域的一般技术人员将了解，虽然一些定时参数可在较低温度下增加(例如，tWR)，但其它定时参数可在较低温度下减小(例如，存取时间)。
在一些实例中，随着温度405改变，可调整用于操作存储器装置110的一或多个电压。举例来说，随着温度405升高，针对存储器装置110的供电(例如，外部供电)或其它电压可减小，直至温度充分冷却(例如，冷却到低于如本文所论述的阈值温度或边界温度)。在一些实例中，经调整的电压可为到存储器装置110的一或多个内部电压，例如参考电压、偏置电压或其它电压。
在一些实例中，随着温度405改变，可调整用于操作存储器装置110的一或多个频率(例如，振荡器频率)。举例来说，存储器装置频率可随着温度405升高而减小(例如，在温度405跨过边界温度的情况下)，这可防止存储器装置110过热。
在一些实例中，主机装置305可确定存储器装置温度可在温度范围内。温度范围可与例如主机装置305处的查找表中的参数范围进行比较，以确定是否可调整参数中的一个。在一些实例中，因为存储器装置温度与温度范围进行比较，所以每当存储器装置温度波动某一范围内的某一量时，可以不调整参数。
在图4的实例中，温度405可从低于温度T1升高到高于温度T2。在某些情况下，随着温度405跨过阈值温度T1，可直至温度405跨过边界温度T1A才调整参数值，且随着温度405跨过阈值温度T2，可直至温度405跨过边界温度T2A才调整参数值。一旦温度跨过边界温度T2A，则可调整一或多个操作参数的值。在其它情况下，阈值温度T1和T2可充当过渡点。
遵循温度分布曲线400，在升高超出阈值温度T2和边界温度T2A之后，温度405可随后降低。在某些情况下，可直至温度405跨过边界温度T2B才调整参数值。在其它情况下，可当温度405跨过阈值温度T2时调整参数值。
在一些实例中，温度405可初始在时间t1处跨过边界温度T2B。因为T2B为边界下限且温度405在时间t1处升高，所以可不调整参数值。温度405可接着在时间t2处跨过阈值温度T2。如先前论述，在某些情况下，尽管阈值温度T2可标称地限定温度范围的边界，但在某些情况下其可能不充当过渡点，且实际上可不基于阈值温度T2的上部边界温度T2A调整参数值。在时间t3处，温度405可跨过上部边界温度T2A。此时，主机装置305可确定可调整存储器装置参数。
类似地，随着温度405降低并在时间t4处跨过阈值温度T2，可不调整参数值。
在一些实例中，温度可围绕阈值温度波动，如温度410中所展示。如先前论述，可不调整参数值以防止值快速改变，因为过多改变可能引入额外开销，这继而可能增加时延或以其它方式影响存储器装置操作。尽管温度410跨过阈值温度T2多次，例如在时间t5和t6处，但可不在这些时间处调整用于操作存储器装置110的参数值，因为温度410不能跨过边界温度。在时间t7处，温度410可跨过边界温度T2B，且可调整参数值。
在一些实例中，温度405可继续降低且可在时间t8处跨过边界温度T1A，在时间t9处跨过阈值温度，切换方向以在时间t10处再次跨过阈值温度，且接着升高以在时间t11处跨过边界温度T1A。尽管温度405多次跨过边界温度和阈值温度T1，但主机装置305可确定不改变一或多个存储器装置参数的值。
在参考图3到5描述的技术的各种实例中，可根据各种技术配置、识别或确定所描述的阈值(例如，T1B、T1、T1A、T2B、T2、T2A)中的任何一或多个。举例来说，阈值中的任何一或多个可在装置处配置(例如，作为存储器装置110处的静态值或水平或者静态值或水平的集合、作为主机装置305处的静态值或水平或者静态值或水平的集合)，其可存储在相应装置的模式寄存器、微调参数或者一或多个非易失性存储元件(例如，熔丝、反熔丝)中，所述非易失性存储元件被配置成存储相应装置的一或多个配置或阈值的指示。在各种实例中，存储器装置110或主机装置305可通过存取这些非易失性存储元件来识别配置(例如，所配置阈值)。
另外或替代地，可在装置处确定或识别特定针对装置的一或多个操作参数(例如，电压、频率、定时)的阈值中的任何一或多个。在一些实例中，可至少部分地基于装置的操作条件在装置处确定或识别阈值中的任何一或多个。举例来说，当所指示温度405经历快速波动时，边界温度T2A可设定为相对较高(例如，较宽滞环)，或边界温度T2B可设定为相对较低，或这两者。
所描述的具有各种阈值的所指示温度(例如，所指示温度405或505)的比较或评估可根据各种技术由存储器装置110或主机装置305中的一个或两者执行，所述技术可包含在装置存储器控制器155或外部存储器控制器105处执行的操作。举例来说，当在存储器装置110或主机装置305处在数字域中表示所指示温度时，可在处理器或数字比较器处在数字域中执行这些比较(例如，作为二进制值的比较、作为整数值的比较、作为浮点值的比较)。当在存储器装置110或主机装置305处在模拟域中表示所指示温度(例如，作为热电偶的电压、作为跨RTD的电压或电流)时，可在处理器、比较器、晶体管(例如，在栅极与源极或漏极节点之间)或其它电路系统处在模拟域中执行此些比较(例如，作为电压与指示阈值的参考电压的比较、作为电流与指示阈值的参考电流的比较)。此外，虽然图4的实例可示出滞后作用的使用，但一般技术人员将可理解，不必在所有情况中或针对所有参数使用滞后作用。
图5示出与如本文所公开的基于温度的存储器管理相关联的通信方案500的实例。通信方案500可示出识别存储器装置110的温度并基于存储器装置温度确定参数值(如参考图3和4所描述)的实例。
通信方案500包含由主机装置505和存储器装置510执行的功能以及在主机装置505和存储器装置510之间交换的通信。主机装置505和存储器装置510可以是如参考图3和4所论述的主机装置305和存储器装置110的实例。
在框515处，可识别存储器装置510的温度。存储器装置温度可由主机装置505基于主机装置温度确定，或主机装置505可向存储器装置510请求并从存储器装置510接收温度的指示。在一些实例中，主机装置505可使用主机装置温度和存储器装置温度之间的偏移来识别存储器装置温度。在一些实例中，主机装置505可向存储器装置510请求存储器装置温度(例如，基于主机装置检测到主机装置温度的改变)，且存储器装置510可将存储器装置温度发射到主机装置505。
在框520处，可确定用于存储器装置操作的参数值，且参数值可基于存储器装置温度。如先前论述，主机装置505可从存储器装置温度确定用于操作存储器装置的参数的值，例如定时参数、电压参数、频率参数等或其任何组合。在一些实例中，主机装置505可确定存储器装置温度落在温度范围内，且接着选择对应于所述温度范围的一或多个参数值。
在确定用于操作存储器装置的参数值之后，在框525处，主机装置505可基于参数值将信令发射到存储器装置510。在一些实例中，如从主机装置505传送到存储器装置510的信令525的时间、电压或其它特性可基于520处确定的一或多个参数。在一些实例中，信令525的绝对发射时间可基于520处确定的一或多个定时参数。在一些实例中，信令525中包含的发射之间的时间间隔可基于520处确定的一或多个定时参数。举例来说，一或多个刷新命令或者一或多个存取命令(例如，写入命令或读取命令)的定时可基于520处确定的一或多个定时参数。在某些情况下，525处的信令可向存储器装置510指示参数的经更新值。存储器装置510可存储参数的经更新值(例如，在存储器装置510处的模式寄存器中)。
图6示出与如本文所公开的基于温度的存储器管理相关联的通信方案600的实例。通信方案600可示出识别存储器装置110的温度并基于存储器装置温度调整电压值(如参考图3和4所描述)的实例。
通信方案600包含由主机装置605和存储器装置电力供应610执行的功能以及在主机装置605和存储器装置电力供应610之间交换的通信。主机装置605可以是如参考图3和4所论述的主机装置的实例。
在框615处，可识别存储器装置110(图6中未图示)的温度。存储器装置温度可由主机装置605基于主机装置温度确定，或主机装置605可向存储器装置110请求并从存储器装置110接收温度的指示。在一些实例中，主机装置605可使用主机装置温度和存储器装置温度之间的偏移来识别存储器装置温度。在一些实例中，主机装置605可向存储器装置110请求存储器装置温度(例如，基于主机装置605检测到主机装置温度的改变)，且存储器装置110可将存储器装置温度发射到主机装置605。
在框620处，可基于温度确定用于操作存储器装置110的电压值。在一些实例中，随着存储器装置110的温度改变，可调整电压以考虑存储器装置的操作速度。举例来说，随着存储器装置的温度升高，可调整电压(例如，减小)以防止存储器装置过热。在确定电压值之后，在框625处，主机装置605可将信令发射到存储器装置电力供应610或以其它方式发射信令以调整由存储器装置电力供应610提供到存储器装置110的供应电压。
图7展示根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的系统705的框图700。系统705可以是如参考图1到6所描述的装置(例如，主机装置)的方面的实例。系统705可包含温度组件710、参数组件715、信令组件720、偏移温度组件725和比较组件730。这些组件中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如经由一或多个总线)。
温度组件710可识别存储器装置的温度。在一些实例中，温度组件710可从存储器装置接收存储器装置的温度的指示，其中识别存储器装置的温度是基于所述指示。在一些实例中，温度组件710可确定主机装置或与存储器装置耦合的其它装置(例如，冷却组件)的温度的改变，且基于温度的改变向存储器装置请求温度指示。在一些实例中，温度组件710可感测主机装置或与存储器装置耦合的其它装置(例如，冷却组件)的温度，其中识别存储器装置的温度是基于感测主机装置或其它装置的温度。在一些实例中，温度范围具有上限和下限，且上限或下限中的至少一个具有用于存储器装置的温度改变的第一方向的第一值和用于存储器装置的温度改变的第二方向的第二值。在一些实例中，温度组件710可确定存储器装置的温度在温度范围内。在一些实例中，温度组件710可确定存储器装置的第二温度。
参数组件715可基于如由主机装置识别的存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的参数的值。在一些实例中，参数组件715可基于将存储器装置的第二温度与第二阈值进行比较来确定用于操作存储器装置的参数的第二值。在一些实例中，参数组件715可将参数的值存储在存储器装置处。参数组件715可存储参数的值的集合，其中值的每一集合与相应温度范围相关联。在一些实例中，参数组件715可将参数的值的集合存储在BIOS中。在一些实例中，参数组件715可将参数的值的集合存储在查找表中。
参数组件715可基于包含存储器装置的温度的温度范围确定用于操作存储器装置的参数的值。在一些实例中，基于温度范围确定用于操作存储器装置的相应参数集合的值的集合，其中所述值的集合包含参数的值。参数组件715可从集合选择对于其相应温度范围对应于存储器装置的温度的值的集合，其中所确定的参数的值包含选定的值集合。
在某些情况下，参数包含存储器装置的定时、频率或电压参数。在一些实例中，参数组件715可基于温度确定用于操作存储器装置的电压的值。在某些情况下，参数包含刷新速率，且命令包含刷新命令。在某些情况下，参数包含写入恢复时间(tWR)，且命令包含预充电命令。在某些情况下，参数包含用于操作存储器装置的电压，且信令包含电压的指示。在某些情况下，参数包含用于操作存储器装置的频率，且信令包含频率的指示。主机装置可因此根据存储器装置的温度调整存储器装置的频率。
信令组件720可基于参数的值将信令发射到存储器装置。在一些实例中，信令组件720可基于所确定的参数的值将信令发射到存储器装置。在一些实例中，信令组件720可基于参数的第二值将信令发射到存储器装置。
信令组件720可在基于参数的值的时间处将命令发射到存储器装置，其中基于参数的值的信令包含所述命令。在一些实例中，信令组件720可在基于存储器装置的温度确定的时间处将命令发射到存储器装置。信令组件720可将第一命令和第二命令发射到存储器装置，其中第一命令第二命令之间的时间量是基于参数的值，且其中信令包含第一命令和第二命令。
在一些实例中，信令组件720可基于主机装置的温度的改变向存储器装置发射针对存储器装置的温度的指示的请求。
在一些实例中，信令组件720可基于电压的值将信令发射到针对存储器装置的电力供应。在一些实例中，到电力供应的信令可指示电压的值。
偏移温度组件725可识别主机装置的温度和存储器装置的温度之间的偏移，其中识别存储器装置的温度是基于所述偏移。
比较组件730可将存储器装置的温度与阈值进行比较，其中确定用于操作存储器装置的参数的值是基于所述比较(例如，基于确定存储器装置的温度低于阈值)。在一些实例中，比较组件730可基于存储器装置的第二温度高于还是低于所述温度来识别第二阈值。
在某些情况下，存储器装置包含具有电容性存储元件(例如，电容器)的单元。
图8展示根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的系统805的框图800。系统805可以是如参考图1到6所描述的装置(例如，存储器装置)的方面的实例。系统805可包含温度组件810、参数组件815、信令组件820和发射组件825。这些模块中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
在一些实例中，温度组件810可在存储器装置处从主机装置接收针对存储器装置的温度的指示的请求。温度组件810可包含温度传感器，其在某些情况下可包含在存储器装置内的裸片中(例如，嵌入或制造于裸片中)。在一些实例中，温度组件810可基于存储器装置内部的传感器确定存储器装置的温度。
发射组件825可从存储器装置向主机装置发射存储器装置的温度的指示。
在一些实例中，信令组件820可在存储器装置处基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而接收来自主机装置的信令。信令组件820可在存储器装置处在基于存储器装置的温度的时间处接收来自主机装置的命令，其中所述信令包含所述命令。在一些实例中，信令组件820可在存储器装置处从主机装置接收第一命令和第二命令，其中第一命令第二命令之间经过的时间是基于存储器装置的温度，且其中所述信令包含第一命令和第二命令。
在一些实例中，参数组件815可在存储器装置处接收用于操作存储器装置的参数的值的指示，其中参数的值是基于存储器装置的温度，且其中所述信令包含参数的值的指示。
在某些情况下，存储器装置包含具有电容性存储元件(例如，电容器)的单元。在某些情况下，参数包含存储器装置的定时、频率或电压参数。
图9展示流程图，其示出根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的方法900。方法900的操作可由如参考图1到8所描述的外部存储器控制器105或主机装置305、系统100，或者外部存储器控制器105或系统100的各种组件实施。在一些实例中，外部存储器控制器105或系统100可执行指令集来控制外部存储器控制器105或系统100的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，外部存储器控制器105或系统100可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
在905处，控制器可识别存储器装置(例如，具有包含电容器的存储器单元的存储器装置)的温度。可根据本文中所描述的方法来执行905的操作。在一些实例中，905的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在910处，控制器可基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的参数的值。可根据本文中所描述的方法来执行910的操作。在一些实例中，910的操作的方面可由如参考图7和8所描述的参数组件执行。
在915处，控制器可基于参数的值将信令发射到存储器装置。915的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，915的操作的方面可由如参考图7和8所描述的信令组件执行。
描述一种设备。所述设备可包含：用于识别存储器装置(例如，具有包含电容器的存储器单元的存储器装置)的温度的构件；用于基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的参数的值的构件；以及用于基于参数的值将信令发射到存储器装置的构件。
描述另一种设备。所述设备可包含被配置成致使所述设备进行以下操作的控制器或电路系统：识别存储器装置(例如，包含电容器的存储器装置)的温度；基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的参数的值；以及基于参数的值将信令发射到存储器装置。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：在可基于参数的值的时间处将命令发射到存储器装置，其中基于参数的值的信令包含所述命令。
在方法或设备的一些实例中，参数包含刷新速率，且命令包含刷新命令。
在方法或设备的一些实例中，参数包含写入恢复时间(tWR)，且命令包含预充电命令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：将第一命令和第二命令发射到存储器装置，其中第一命令第二命令之间的时间量可基于参数的值，且其中所述信令包含第一命令和第二命令。
在方法或设备的一些实例中，参数包含用于操作存储器装置的电压，且信令包含电压的指示。
在方法或设备的一些实例中，参数包含用于操作存储器装置的频率，且信令包含频率的指示。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：确定存储器装置的温度可在温度范围内；以及基于温度范围确定用于操作存储器装置的相应参数集合的值的集合，其中值的集合包含参数的值。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：将存储器装置的温度与阈值进行比较，其中确定用于操作存储器装置的参数的值可基于所述比较(例如，基于确定存储器装置的温度低于阈值)。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：确定存储器装置的第二温度；基于将存储器装置的第二温度与第二阈值进行比较来确定用于操作存储器装置的参数的第二值；以及基于参数的第二值将信令发射到存储器装置。
方法或设备一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：基于存储器装置的第二温度可高于还是低于905处识别的温度来识别第二阈值。
图10展示流程图，其示出根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的方法1000。方法1000的操作可由如参考图1到8所描述的外部存储器控制器105或主机装置305、系统100，或者外部存储器控制器105或系统100的各种组件实施。在一些实例中，外部存储器控制器105或系统100可执行指令集来控制外部存储器控制器105或系统100的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，外部存储器控制器105或系统100可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
在1005处，控制器可确定与存储器装置(例如，具有包含电容器的存储器单元的存储器装置)耦合的主机装置的温度的改变。1010的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1005的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1010处，控制器可基于主机装置的温度的改变向存储器装置发射针对存储器装置的温度的指示的请求。针对存储器装置的温度的指示的请求可基于1005处确定温度的改变。1010的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1010的操作的方面可由如参考图7和8所描述的发射组件执行。
在1015处，控制器可从存储器装置接收存储器装置的温度的指示。1015的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1015的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1020处，控制器可识别存储器装置的温度，所述温度可基于1015处接收的指示。1020的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1020的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1025处，控制器可基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的参数的值。1025的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1025的操作的方面可由如参考图7和8所描述的参数组件执行。
在1030处，控制器可基于参数的值将信令发射到存储器装置。1030的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1030的操作的方面可由如参考图7和8所描述的信令组件执行。
图11展示流程图，其示出根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的方法1100。方法1100的操作可由如参考图1到8所描述的外部存储器控制器105或主机装置305、系统100，或者外部存储器控制器105或系统100的各种组件实施。在一些实例中，外部存储器控制器105或系统100可执行指令集来控制外部存储器控制器105或系统100的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，外部存储器控制器105或系统100可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
在1105处，控制器可感测与存储器装置(例如，具有包含电容器的存储器单元的存储器装置)耦合的主机装置的温度。1110的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1110的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1110处，控制器可识别主机装置的温度和存储器装置的温度之间的偏移。1110的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1115的操作的方面可由如参考图7和8所描述的偏移温度组件执行。
在1115处，控制器可基于感测主机装置的温度和所述偏移来识别存储器装置的温度。1115的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1115的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1120处，控制器可基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的参数的值。1120的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1120的操作的方面可由如参考图7和8所描述的参数组件执行。
在1125处，控制器可基于参数的值将信令发射到存储器装置。1125的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1125的操作的方面可由如参考图7和8所描述的信令组件执行。
图12展示流程图，其示出根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的方法1200。方法1200的操作可由如参考图1到8所描述的外部存储器控制器105或主机装置305、系统100，或者外部存储器控制器105或系统100的各种组件实施。在一些实例中，外部存储器控制器105或系统100可执行指令集来控制外部存储器控制器105或系统100的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，外部存储器控制器105或系统100可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
在1205处，控制器可接收存储器装置(例如，具有包含电容器的存储器单元的存储器装置)的温度的指示。1205的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1205的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1210处，控制器可基于包含存储器装置的温度的温度范围(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的参数的值。1210的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1210的操作的方面可由如参考图7和8所描述的确定组件执行。
在1215处，控制器可基于所确定的参数的值将信令发射到存储器装置。1215的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1215的操作的方面可由如参考图7和8所描述的信令组件执行。
描述一种设备。所述设备可包含：用于接收存储器装置的温度的指示的构件；用于基于包含存储器装置的温度的温度范围确定用于操作存储器装置的参数的值的构件；以及用于基于所确定的参数的值将信令发射到存储器装置的构件。
描述另一种设备。所述设备可包含被配置成致使所述设备进行以下操作的控制器或电路系统：接收存储器装置的温度的指示；基于包含存储器装置的温度的温度范围确定用于操作存储器装置的参数的值；以及基于所确定的参数的值将信令发射到存储器装置。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：存储参数的值的集合，其中值的每一集合可与相应温度范围相关联；以及选择对于其相应温度范围对应于存储器装置的温度的值的集合，其中所确定的参数的值包含选定的值的集合。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：将参数的值的集合存储在基本输入-输出系统(BIOS)中。
在方法或设备的一些实例中，温度范围具有上限和下限，且上限或下限中的至少一个具有用于存储器装置的温度改变的第一方向的第一值和用于存储器装置的温度改变的第二方向的第二值。
在方法或设备的一些实例中，存储器装置包含具有电容性存储元件(例如，电容器)的单元。
图13展示流程图，其示出根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的方法1300。方法1300的操作可由如参考图1到8所描述的外部存储器控制器105或主机装置305、系统100，或者外部存储器控制器105或系统100的各种组件实施。在一些实例中，外部存储器控制器105或系统100可执行指令集来控制外部存储器控制器105或系统100的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，外部存储器控制器105或系统100可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
在1305处，控制器可识别存储器装置或与存储器装置耦合的主机装置的温度。1305的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1305的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1310处，控制器可基于温度(例如，基于温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的电压的值。1310的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1310的操作的方面可由如参考图7和8所描述的参数组件执行。
在1315处，控制器可基于电压的值将信令发射到针对存储器装置的电力供应。1315的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1315的操作的方面可由如参考图7和8所描述的信令组件执行。
描述一种设备。所述设备可包含：用于识别存储器装置或与存储器装置耦合的主机装置的温度的构件；用于基于温度(例如，基于温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的电压的值的构件；以及用于基于电压的值将信令发射到针对存储器装置的电力供应的构件。
描述另一种设备。所述设备可包含被配置成致使所述设备进行以下操作的控制器或电路系统：识别存储器装置或与存储器装置耦合的主机装置的温度；基于温度(例如，基于温度下降到低于阈值)而确定用于操作存储器装置的电压的值；以及基于电压的值将信令发射到针对存储器装置的电力供应。
在方法或设备的一些实例中，到电力供应的信令指示电压的值。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：在可基于存储器装置的温度确定的时间处将命令发射到存储器装置。
在方法或设备的一些实例中，存储器装置包含具有电容性存储元件(例如，电容器)的单元。
图14展示流程图，其示出根据本公开的方面支持基于温度的存储器管理的方法1400。方法1300的操作可由如参考图1到8所描述的存储器装置110或者存储器装置110或系统100的各种组件实施。在一些实例中，存储器装置110或系统100可执行指令集来控制存储器装置110或系统100的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置110或系统100可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
在1405处，存储器装置可在存储器装置(例如，具有包含电容器的存储器单元的存储器装置)处从主机装置接收针对存储器装置的温度的指示的请求。1405的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1405的操作的方面可由如参考图7和8所描述的温度组件执行。
在1410处，存储器阵列可从存储器装置向主机装置发射存储器装置的温度的指示。1410的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1410的操作的方面可由如参考图7和8所描述的发射组件执行。
在1415处，存储器阵列可在存储器装置处基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而接收来自主机装置的信令。1415的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1415的操作的方面可由如参考图7和8所描述的信令组件执行。
描述一种设备。所述设备可包含：用于在存储器装置处从主机装置接收针对存储器装置的温度的指示的请求的构件；用于从存储器装置向主机装置发射存储器装置的温度的指示的构件；以及用于在存储器装置处基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而接收来自主机装置的信令的构件。
描述另一种设备。所述设备可包含被配置成致使所述设备进行以下操作的控制器或其它电路系统：在存储器装置处从主机装置接收针对存储器装置的温度的指示的请求；从存储器装置向主机装置发射存储器装置的温度的指示；以及在存储器装置处基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)而接收来自主机装置的信令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：在存储器装置处在基于存储器装置的温度(例如，基于存储器装置的温度下降到低于阈值)的时间处接收来自主机装置的命令，其中所述信令包含所述命令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：在存储器装置处从主机装置接收第一命令和第二命令，其中第一命令第二命令之间经过的时间可基于存储器装置的温度，且其中所述信令包含第一命令和第二命令。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：在存储器装置处接收用于操作存储器装置的参数的值的指示，其中参数的值可基于存储器装置的温度，且其中所述信令包含参数的值的指示；以及将参数的值存储在存储器装置处。
在方法或设备的一些实例中，所述参数包含存储器装置的定时、频率或电压参数。
方法或设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、构件或指令：基于存储器装置内部的传感器确定存储器装置的温度。
在方法或设备的一些实例中，存储器装置包含具有电容性存储元件(例如，电容器)的单元。
应注意，本文中所描述的方法、系统和设备描述可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法或其它技术中的两种或更多种的方面。
本文中的描述提供实例且并不限制权利要求书中阐述的范围、适用性或实例。在不脱离本公开的范围的情况下，可对元件的功能和布置作出改变。一些实例可按需要省略、取代或添加各种操作、程序或组件。而且，可以在其它实例中组合关于一些实例描述的特征。
尽管本文中可相对于电容性存储器技术(例如，DRAM技术)或在电容性存储器技术的上下文中描述某些特征或技术，但此类描述出于说明性目的，且所属领域的一般技术人员将了解，本文中的教示可应用于任何类型的存储器装置。举例来说，本文中的教示可应用于易失性或非易失性存储器装置，例如磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。
可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令示出为单个信号。然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指代支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流动的任何导电路径，则认为所述组件彼此成电子连通(或导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此成电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件的间接导电路径。在某些情况下，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件将所连接组件之间的信号流动中断一段时间。
短语“耦合于…之间”可指组件相对于彼此的次序并且可指电耦合。在一个实例中，电耦合于组件“A”与组件“C”之间的组件“B”可指在电学意义上的组件次序“A-B-C”或“C-B-A”。换句话说，电信号(例如，电压、电荷、电流)可借助于组件B从组件A传送到组件C。
组件B“耦合于组件A与组件C之间”的描述不应一定解释为在所描述的次序中排除其它中间组件。举例来说，组件“D”可耦合于所描述的组件A与组件B之间(例如，作为实例，涉及组件次序“A-D-B-C”或“C-B-D-A”)，同时仍支持组件B电耦合于组件A与组件C之间。换句话说，使用短语“耦合在…之间”不应被理解为一定涉及排它性的循序次序。
另外，组件B“耦合在组件A与组件C之间”的描述不排除组件A与组件C之间的第二不同耦合。举例来说，组件A和组件C可在与经由组件B的耦合电平行的单独耦合中与彼此耦合。在另一实例中，组件A和组件C可经由另一组件“E”耦合(例如，组件B耦合于组件A与组件C之间且组件E耦合于组件A与组件C之间)。换句话说，使用短语“耦合于…之间”不应被理解为组件之间的排它性耦合。
术语“耦合”可指代从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前不能够经由导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够经由导电路径在组件之间传送。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
术语“隔离”可指信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则所述组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的所述组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
如本文中所使用，术语“电极”可指代电导体，且在一些情况下可用作到存储器单元或存储器阵列的其它组件的电接触件。电极可包含迹线、电线、导电线、导电层或提供存储器阵列的元件或组件之间的导电路径的其它特征。
本文中论述的装置(包含存储器阵列)可形成于例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在某些情况下，所述衬底是半导体晶片。在其它情况下，衬底可以是绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)衬底，例如玻璃上硅(silicon-on-glass，SOG)或蓝宝石上硅(silicon-on-sapphire，SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包含(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂手段执行掺杂。
本文所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。端子可经由例如金属等导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括重度掺杂(例如简并)的半导体区。源极与漏极可通过轻度掺杂的半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(例如，多数载流子为信号)，则FET可称为n型FET。如果沟道是p型(例如，多数载流子为电穴)，则FET可被称作p型FET。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电率。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可使沟道具有导电性。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“停用”。
本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。具体实施方式包含提供对所描述技术的理解的特定细节。然而，可在没有这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图的形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述的实例的概念。
在附图中，类似组件或特征可以具有相同参考标记。此外，可通过在参考标签之后跟着划线及在类似组件之间进行区分的第二标记来区分为相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，则描述适用于具有相同的第一参考标记的类似组件中的任一个，而无关于第二参考标记。
可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
结合本文的公开内容描述的各种说明性块和模块可利用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或经设计以执行本文中所描述的功能的其任何组合实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一或多个微处理器结合DSP核心，或任何其它此配置)。
本文中所描述的功能可以用硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果在由处理器执行的软件中实施，则可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读介质上或经由计算机可读介质发射。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合执行的软件实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”等短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或者AB或AC或BC或者ABC(例如，A和B和C)。
如本文中所使用，术语“大体上”意指被修饰的特性(例如，被术语“大体上”修饰的动词或形容词)无需是绝对的，而是足够接近以便达成特性的优点，或足够接近使得所涉及的特性在本公开的相关方面的上下文中是真实的。
如本文中所使用，短语“基于”不应被解释为对一组封闭条件的引用。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示例性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式解释。
计算机可读介质包含计算机存储介质与通信介质两者，通信介质包含促进计算机程序从一处传递到另一处的任何介质。非暂时性存储介质可为可由通用或专用计算机存取的任何可用介质。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读介质可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性介质。并且，适当地将任何连接称作计算机可读介质。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件，则所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术包含于介质的定义中。如本文所使用的磁盘及光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软磁盘及蓝光光盘，其中磁盘通常是以磁性方式再现数据，而光盘是用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合也应包含在计算机可读介质的范围内。
提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。对本公开的各种修改将是所属领域的技术人员显而易见的，且本文所定义的一般原理可应用于其它变型，而不脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是应被赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最广范围。

Claims (25)

1.一种方法，其包括：
识别具有包括电容器的存储器单元的存储器装置的温度；
至少部分地基于所述存储器装置的所述温度下降到低于阈值而确定用于操作所述存储器装置的参数的值；以及
至少部分地基于所述参数的所述值将信令发射到所述存储器装置。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
从所述存储器装置接收所述存储器装置的所述温度的指示，其中识别所述存储器装置的所述温度是至少部分地基于所述指示。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
确定与所述存储器装置耦合的主机装置的温度的改变；以及
至少部分地基于所述主机装置的温度的所述改变向所述存储器装置发射针对所述存储器装置的所述温度的所述指示的请求。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
感测与所述存储器装置耦合的主机装置的温度，其中识别所述存储器装置的所述温度是至少部分地基于感测所述主机装置的所述温度。
5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：
识别所述主机装置的所述温度和所述存储器装置的所述温度之间的偏移，其中识别所述存储器装置的所述温度是至少部分地基于所述偏移。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在至少部分地基于所述参数的所述值的时间处将命令发射到所述存储器装置，其中所述信令包括所述命令。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述参数包括刷新速率，且所述命令包括刷新命令。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述参数包括写入恢复时间(tWR)，且所述命令包括预充电命令。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
将第一命令和第二命令发射到所述存储器装置，其中所述第一命令所述第二命令之间的时间量至少部分地基于所述参数的所述值，且其中所述信令包括所述第一命令和所述第二命令。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数包括用于操作所述存储器装置的电压或频率，且所述信令包括所述电压或所述频率的指示。
11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定所述存储器装置的所述温度在温度范围内；以及
至少部分地基于所述温度范围确定用于操作所述存储器装置的相应参数集合的值的集合，其中所述值的集合包括所述参数的所述值。
12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定所述存储器装置的第二温度；
至少部分地基于将所述存储器装置的所述第二温度与第二阈值进行比较来确定用于操作所述存储器装置的所述参数的第二值；以及
至少部分地基于所述参数的所述第二值将信令发射到所述存储器装置。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于所述存储器装置的所述第二温度高于还是低于所述温度来识别所述第二阈值。
14.一种方法，其包括：
接收具有包括电容器的存储器单元的存储器装置的温度的指示；
至少部分地基于包含所述存储器装置的所述温度的温度范围确定用于操作所述存储器装置的参数的值；以及
至少部分地基于所确定的所述参数的值将信令发射到所述存储器装置。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
存储所述参数的值的多个集合，其中所述多个中的值的每一集合与相应温度范围相关联；以及
从所述多个中选择对于其所述相应温度范围对应于所述存储器装置的所述温度的值的集合，其中所述所确定的所述参数的值包括选定的值的集合。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
将所述参数的值的所述多个集合存储在基本输入/输出系统(BIOS)中。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述温度范围具有上限和下限，且所述上限或所述下限中的至少一个具有用于所述存储器装置的温度改变的第一方向的第一值和用于所述存储器装置的温度改变的第二方向的第二值。
18.一种方法，其包括：
识别具有包括电容器的存储器单元的存储器装置或与所述存储器装置耦合的主机装置的温度；
至少部分地基于所述存储器装置的所述温度下降到低于阈值而确定用于操作所述存储器装置的电压的值；以及
至少部分地基于所述电压的所述值将信令发射到针对所述存储器装置的电力供应。
19.根据权利要求18所述的方法，其中到所述电力供应的所述信令指示所述电压的所述值。
20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
在至少部分地基于所述存储器装置的所述温度确定的时间处将命令发射到所述存储器装置。
21.一种方法，其包括：
在具有包括电容器的存储器单元的存储器装置处从主机装置接收针对所述存储器装置的温度的指示的请求；
从所述存储器装置向所述主机装置发射所述存储器装置的所述温度的所述指示；以及
在所述存储器装置处至少部分地基于所述存储器装置的所述温度下降到低于阈值而接收来自所述主机装置的信令。
22.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括：
在所述存储器装置处在至少部分地基于所述存储器装置的所述温度的时间处接收来自所述主机装置的命令，其中所述信令包括所述命令。
23.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括：
在所述存储器装置处从所述主机装置接收第一命令和第二命令，其中所述第一命令所述第二命令之间经过的时间至少部分地基于所述存储器装置的所述温度，且其中所述信令包括所述第一命令和所述第二命令。
24.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括：
在所述存储器装置处接收用于操作所述存储器装置的参数的值的指示，其中所述参数的所述值至少部分地基于所述存储器装置的所述温度，且其中所述信令包括所述参数的所述值的所述指示；以及
将所述参数的所述值存储在所述存储器装置处。
25.根据权利要求24所述的方法，其中所述参数包括所述存储器装置的定时、频率或电压参数。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110660425B (zh) * 2019-09-10 2021-07-30 北京航空航天大学 自旋随机存储器及使用方法
US11500559B2 (en) * 2020-06-10 2022-11-15 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for configuring a data storage device
US11200939B1 (en) 2020-07-06 2021-12-14 Micron Technology, Inc. Memory with per die temperature-compensated refresh control
CN114141287B (zh) * 2020-09-04 2024-03-26 长鑫存储技术有限公司 存储装置的读写方法及存储装置
EP4024396B1 (en) 2020-09-04 2023-12-20 Changxin Memory Technologies, Inc. Read/write method for storage device, and storage device
US20220188208A1 (en) * 2020-12-10 2022-06-16 Advanced Micro Devices, Inc. Methods for configuring span of control under varying temperature
US20230106101A1 (en) * 2021-10-02 2023-04-06 Innogrit Technologies Co., Ltd. Adaptive thermal calibration for throttling prevention

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543154A (zh) * 2010-11-18 2012-07-04 美光科技公司 包含影响存储器的操作条件的参数的存储器指令
US20120249218A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 Shoemaker Kenneth D Induced thermal gradients
US20140281311A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Micron Technology, Inc. Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system
US20150279446A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 John B. Halbert Method, apparatus and system for determining a write recovery time of a memory based on temperature

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7453302B2 (en) * 2003-12-23 2008-11-18 Infineon Technologies Ag Temperature compensated delay signals
KR100655076B1 (ko) 2005-01-20 2006-12-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로
US20060236027A1 (en) 2005-03-30 2006-10-19 Sandeep Jain Variable memory array self-refresh rates in suspend and standby modes
DE102005035661A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Speicherbauelement-System, und Verfahren zum Betreiben eines Halbleiter-Speicherbauelement-Systems
US7702935B2 (en) * 2006-01-25 2010-04-20 Apple Inc. Reporting flash memory operating voltages
JP2008071440A (ja) 2006-09-14 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体メモリ装置及びその制御方法
US8028198B2 (en) 2007-07-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Devices, methods, and apparatuses for detection, sensing, and reporting functionality for semiconductor memory
KR101435128B1 (ko) * 2008-07-21 2014-09-01 삼성전자 주식회사 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치
JP2011170943A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Sony Corp 記憶制御装置、記憶装置、記憶装置システム
US8472274B2 (en) * 2011-03-02 2013-06-25 Apple Inc. Using temperature sensors with a memory device
US20190004723A1 (en) * 2015-11-04 2019-01-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Throttling components of a storage device
US10564900B2 (en) 2016-03-04 2020-02-18 Western Digital Technologies, Inc. Temperature variation compensation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543154A (zh) * 2010-11-18 2012-07-04 美光科技公司 包含影响存储器的操作条件的参数的存储器指令
US20120249218A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 Shoemaker Kenneth D Induced thermal gradients
US20140281311A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Micron Technology, Inc. Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system
US20150279446A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 John B. Halbert Method, apparatus and system for determining a write recovery time of a memory based on temperature

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