CN113226639A - 硅晶片的螺旋倒角加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种硅晶片的倒角加工方法，当将完工晶片倾斜角度设为低角度时，能够增加螺旋倒角加工中使用的倒角轮的可加工次数。在以满足硅晶片W边缘部中完工晶片倾斜角度（θ）在目标晶片倾斜角度（θ0）的容许角度范围内的方式进行螺旋倒角加工的硅晶片的倒角加工方法中，包含第1修整工序（S10）、第1倒角加工工序（S20）、求出经过所述第1倒角加工工序后的所述磨石部（10）的沟底直径（φA）的工序（S30）、第2修整工序（S40）及第2倒角工序（S50），并将所述第2修整器倾斜角度（α2）设为比所述第1修整器倾斜角度（α1）小。

Description

硅晶片的螺旋倒角加工方法
技术领域
本发明涉及一种硅晶片的螺旋倒角加工方法，尤其涉及一种将硅晶片边缘部的目标晶片倾斜角度设为低角度时的螺旋倒角加工方法。
背景技术
作为半导体装置的基板，广泛使用硅晶片。硅晶片是通过对切割单晶硅锭而得到的晶片施加研磨加工及镜面抛光加工来得到。并且，为了防止输送硅晶片时的削片等，通常对晶片边缘部施加倒角加工。
已知作为这种倒角加工方法，有为了降低晶片边缘部的倒角部的加工应变，对硅晶片倾斜倒角轮而进行倒角加工的“螺旋倒角加工法”。参考图1A及图1B，说明通常的螺旋倒角加工法。图1A是示意地表示螺旋倒角加工时的硅晶片W与倒角轮10的位置关系的立体图。图1B是倒角轮10的示意剖视图（为了简便，图示了水平设置时的状态）。图1B中，分别图示倒角轮10的沟底直径φA及轮直径φB。在倒角轮10的金属制中心部10A的周缘设置有细磨磨石部10B（也称作树脂磨石或树脂结合磨石）。一边使倒角轮10向垂直方向倾斜规定角度φ（参考图1A。未图示角度记号φ。），一边旋转倒角轮10。然后，一边旋转硅晶片W，一边使其与细磨磨石部10B按压接触，由此进行硅晶片W的边缘部的精倒角加工（以下，简单称为“倒角加工”）。另外，在该倒角加工之前，通过使用粗磨磨石的粗倒角加工，预先作出细磨磨石部10B的形状。
为了将倒角加工后的硅晶片W的边缘部的形状控制为所期望的完工晶片倾斜角度，进行倒角轮10中细磨磨石部10B的沟形状的修整（truing）。修整通常根据以下的顺序进行。首先，考虑最后应得到的硅晶片W边缘部的完工晶片倾斜角度在目标晶片倾斜角度的容许角度范围内，制作具有规定的修整器倾斜角度的修整器。然后，使用该修整器，一边使倒角轮10的加工轴向垂直方向倾斜规定角度φ，一边使两者按压旋转接触，加工倒角轮10的细磨磨石部10B的沟部分。如此，复制修整器缘部形状至细磨磨石部10B的沟部分。
如此，硅晶片W的倒角部形状受到来自修整器倾斜角度的细磨磨石部10B的沟形状及倒角轮的加工轴倾斜（倾斜角度φ）的影响。螺旋倒角加工法中，硅晶片边缘部的完工形状不是单纯地直接复制细磨磨石部10B的沟形状。因此，为了得到所期望的完工形状，需要适当制作修整器的倒角形状，并适当调整细磨磨石部10B的沟形状。
例如，专利文献1中公开了以下的半导体晶片的倒角部的加工方法。即，通过将半导体晶片的被粗磨削的倒角部在使该晶片与第2磨石相对倾斜的状态下进行细磨削来加工的方法中，利用周围形成有上下非对称形状的沟的第1磨石，通过以该第1磨石的沟磨削圆盘状的修整器缘部，将该修整器的缘部成形为所述第1磨石的上下非对称的沟形状，通过在该修整器与第2磨石相对倾斜的状态下磨削该第2磨石，在该第2磨石周围形成沟，通过向在该第2磨石周围形成的沟方向相对倾斜所述半导体晶片，细磨削该晶片的倒角部。
专利文献1的加工方法是如下加工方法：在进行螺旋倒角加工时，由于晶片倒角部的上下对称性崩坏，因此为了防止这种现象，采用上下非对称沟形状的粗磨磨石（第1磨石），并将起源于此的沟形状形成于细磨磨石（第2磨石）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-165712号公报。
发明内容
发明所要解决的技术问题
不过近年来，对硅晶片边缘部的倒角形状要求各种规格。也有将硅晶片边缘部中的完工晶片倾斜角度设为比以往低的角度（接近水平的倾斜）的要求。本发明人首先专心研究了是否能够实现如此低角度的完工晶片倾斜角度。
本发明人为了将硅晶片边缘部的完工晶片倾斜角度设为比以往低的角度（以下，有时简称为“低倾斜角”），首先尝试使用形成为低倾斜角的修整器倾斜角度的倒角形状的修整器。然后，假设量产使用该修整器修整倒角轮的细磨磨石部，利用修整后的细磨磨石部重复进行了硅晶片的螺旋倒角加工。于是，本发明人确认到存在能够实现所期望的低角度的完工晶片倾斜角度的情况及无法实现的情况。进行更详细的研究的结果，当使用某修整器时，虽然在开始使用细磨磨石的初期未能实现所期望的完工晶片倾斜角度，但有在细磨磨石的使用末期能够实现所期望的完工晶片倾斜角度的情况。并且，当使用具有另外的修整器倾斜角度的修整器时，虽然在开始使用细磨磨石的初期能够实现所期望的完工晶片倾斜角度，但有渐渐地无法实现所期望的完工晶片倾斜角度的情况。进行更详细的分析的结果，实现所期望的完工晶片倾斜角度是在倒角轮的沟底直径φA（参考图1B）在规定范围内时。根据该实验事实，本发明人发现，为了得到低倾斜角的完工晶片倾斜角度，只使用具有特定的修整器倾斜角度的修整器是不够的，需要耗减倒角轮的沟底直径φA直到成为规定范围。因此，当使用具有特定的修整器倾斜角度的修整器时，若没耗减倒角轮的沟底直径直到成为规定范围则无法得到所期望的低倾斜角，并且重复进行倒角加工而耗减沟底直径而导致脱离上述规定范围的话，还是无法得到所期望的低倾斜角。如此，当将完工晶片倾斜角度设为低倾斜角时，产生频繁进行倒角轮的更换的需要。
并且，当得到以前的完工晶片倾斜角度时，倒角轮的沟底直径φA几乎不影响完工晶片倾斜角度。因此，若要得到以前的完工晶片倾斜角度，则能够从细磨磨石的使用初期到末期始终利用1个倒角轮。
如上所述，为了得到完工晶片倾斜角度是低倾斜角的硅晶片，当只使用具有特定的修整器倾斜角度的修整器时，利用1个磨削轮可加工的加工数（轮使用期）比以往技术锐减。若磨削轮的更换频度增加，则对量产加工时的生产成本的影响非常大，本发明人将该情况理解为新课题。
因此，本发明的目的在于提供一种硅晶片的倒角加工方法，当将完工晶片倾斜角度设为低角度时，能够增加螺旋倒角加工中使用的倒角轮的可加工次数。
用于解决技术问题的方案
为了解决上述诸课题，本发明人专心研究。于是，本发明人发现，为了使完工晶片倾斜角度在目标晶片倾斜角度的容许角度范围内，若根据倒角轮的沟底直径分别使用修整器倾斜角度，则能够增加倒角轮的可加工次数。本发明是以上述见解为基础，其主旨方案如下。
（1）硅晶片的螺旋倒角加工方法，其是向垂直方向倾斜旋转具有细磨磨石部的倒角轮的同时，一边旋转1片硅晶片，一边使其与所述细磨磨石部按压接触，由此进行螺旋倒角加工，以满足所述1片硅晶片的边缘部中的完工晶片倾斜角度在目标晶片倾斜角度的容许角度范围内，并对多片硅晶片依次进行该螺旋倒角加工的硅晶片的倒角加工方法，所述硅晶片的螺旋倒角加工方法的特征在于包括：
第1修整工序，使用具有第1修整器倾斜角度的修整器，修整所述倒角轮的所述细磨磨石部；
第1倒角加工工序，使用经过所述第1修整工序后的所述细磨磨石部螺旋倒角加工第1硅晶片，并将该加工后的所述第1硅晶片的完工晶片倾斜角度加工成使其在所述目标晶片倾斜角度的容许角度范围内；
求出经过所述第1倒角加工工序后的所述磨石部的沟底直径的工序；
第2修整工序，当所述沟底直径低于预先求出的阈值时，使用具有第2修整器倾斜角度的修整器，修整所述倒角轮的所述细磨磨石部；及
第2倒角工序，使用经过所述第2修整工序后的所述细磨磨石部螺旋倒角加工第2硅晶片，并将该加工后的所述第2硅晶片的完工晶片倾斜角度加工成使其在所述目标晶片倾斜角度的容许角度范围内；
所述第2修整器倾斜角度比所述第1修整器倾斜角度大。
在此，一边参考图2A及图2B，一边说明本说明书中的硅晶片W的边缘部的晶片倾斜角度θ。图2A中分别示出晶片周缘部的厚度t、上倒角角度θ1、下倒角角度θ2、倒角宽度A。尺寸B1及B2分别是上倒角厚度及下倒角厚度。BC是端面在晶片厚度方向的长度，在图2A所示的倒角形状中端面的晶片厚度方向长度BC是零。图2B中示出了晶片厚度方向长度BC不是零时的晶片周缘部形状。无论是图2A及图2B中的哪一边缘部形状，上倒角角度θ1及下倒角角度θ2分别对应晶片倾斜角度θ。以下，当晶片倾斜角度θ中标有下标时，也按照相同的定义。关于上面及下面各自的晶片倾斜角度，只要没有特别说明，则是指上面及下面两者的晶片倾斜角度。
并且，一边参考图3，一边说明本说明书中的修整器倾斜角度α。修整器3的边缘部由倒角斜面（倾斜面）3A与曲面（通常，抛物面）的端部3B构成。然后，定义修整器3的倒角斜面3A与修整器的主面所形成的角度为修整器倾斜角度α。并且，当修整器倾斜角度α中标有下标时，也按照相同的定义。另外，修整器3中，在曲面端部3B中存在磨粒，沿着该曲面进行加工。
（2）在所述（1）中记载的硅晶片的螺旋倒角加工方法中，
所述目标晶片倾斜角度θ在23°以下。
（3）在所述（1）或（2）中记载的硅晶片的螺旋倒角加工方法中，
所述第1修整器倾斜角度与所述第2修整器倾斜角度之差在1°以上。
（4）在所述（1）～（3）中任一个记载的硅晶片的螺旋倒角加工方法中，
还包括调整工序，通过耗减所述细磨磨石部，调整所述沟底直径。
发明效果
根据本发明，能够提供一种硅晶片的倒角加工方法，即使将完工晶片倾斜角度设为低角度时，也能够增加螺旋倒角加工中使用的倒角轮的可加工次数。
附图说明
图1A是说明通常的螺旋倒角加工方法的立体图。
图1B是图1A中的倒角轮的示意剖视图。
图2A是说明本说明书中硅晶片的晶片倾斜角度θ的示意剖视图的一例。
图2B是说明本说明书中硅晶片的晶片倾斜角度θ的示意剖视图的另一例。
图3是说明本说明书中修整器的修整器倾斜角度α的示意剖视图。
图4是表示根据本发明人的实验的细磨磨石的沟底直径及修整器倾斜角度与硅晶片的完成倾斜角度的关系的图表。
图5是根据本发明的一实施方式的硅晶片的倒角加工方法的流程图。
图6是说明第1修整工序的示意剖视图。
图7是表示第1倒角加工工序后的硅晶片的晶片倾斜角度的示意剖视图。
图8是说明第2修整工序中使用的修整器32的示意剖视图。
图9是表示第2倒角加工工序后的硅晶片的晶片倾斜角度的示意剖视图。
具体实施方式
在详细说明实施方式之前，首先对达到完成本发明的实验进行说明。为了方便说明，参考图6及图7的附图标记，说明本实验。
（实验）
<实验1>
作为修整器31，准备了东精工程公司制GC修整器#320（修整器倾斜角度24°，直径301mm）。使将树脂磨石作为细磨磨石部10B的倒角轮10（轮直径φB：50.0mm，初期的沟底直径φA：47.0mm）向垂直方向倾斜8°，使用上述修整器31修整加工了细磨磨石部10B的沟部。然后，在将倒角轮10向垂直方向持续倾斜8°的状态下，令直径约300mm的硅晶片WA及倒角轮10一边分别旋转一边在细磨磨石部10B的沟部中按压接触，螺旋倒角加工了硅晶片WA的边缘部。然后，利用Kobelco公司制的边缘轮廓监视器（LEP-2200）测量了螺旋倒角加工后的硅晶片WA的晶片倾斜角度θA。并且，利用东精工程公司制W-GM-5200测量了螺旋倒角加工后的倒角轮10的沟底直径φA。依次重复上述修整加工、螺旋倒角加工及测量，求出了沟底直径φA与晶片倾斜角度θA的关系。将结果示于图4的图表中。另外，在该图表中，示出了硅晶片的表面（正面）侧的完工晶片倾斜角度及背面侧的完工晶片倾斜角度。以下的实验2～6也相同。
<实验2～6>
将上述实验1中的修整器倾斜角度24°分别换成22°（实验2）、20°（实验3）、18°（实验4）、16°（实验5）、14°（实验6）的修整器，除此之外，与实验1同样地依次重复修整加工、螺旋倒角加工及测量，求出了沟底直径φA与晶片倾斜角度θA的关系。将结果示于图4的图表中。
<考察>
根据以上的实验1～6的实验结果，判断出以下内容。首先，若目标晶片倾斜角度θ0超过23°，则为了使完工晶片倾斜角度θ在该目标晶片倾斜角度θ0的容许角度范围内，只要连修整器倾斜角度也适当化即可。例如，当目标晶片倾斜角度θ0为24°、容许角度范围±0.5°时，只要使用修整器倾斜角度是22°的修整器31即可。这是因为，在该情况下，几乎看不到沟底直径φA的影响。该实验事实，在以往技术中，与可在轮的整个使用期使用倒角轮10的事实匹配。
另一方面，当将目标晶片倾斜角度θ0设为23°以下的规定角度时（例如20°或18°等），随着耗减沟底直径φA，加工后的实际的完工晶片倾斜角度θ变小，可观察其变动慢慢饱和的倾向。若固定修整器倾斜角度并重复进行修整加工及螺旋倒角加工，则当沟底直径φA不在适当范围内时，导致完工晶片倾斜角度θ会脱离该目标晶片倾斜角度θ0的容许角度范围。即，若固定修整器倾斜角度，则与目标晶片倾斜角度θ0超过23°的情况不同，无法在轮的整个使用期范围使用倒角轮。
若在耗减沟底直径φA而目标晶片倾斜角度θ0与完工晶片倾斜角度θ间的差异变动饱和后，螺旋倒角加工，则能够稳定地得到所期望的完工晶片倾斜角度θ。例如，当目标晶片倾斜角度θ0为18°、容许角度范围为±0.5°时，若在耗减沟底直径φA至大约45.2mm为止后，以修整器倾斜角度16°的条件进行加工，则加工后的完工晶片倾斜角度θ满足18°±0.5°。但是在该情况下，由于相当于倒角轮的使用期末期，因此产生马上更换倒角轮的需要。于是，为了广阔使用倒角轮的轮使用期，本发明人通过上述实验构思为使完工晶片倾斜角度θ在目标晶片倾斜角度θ0的容许范围，根据沟底直径φA分别使用修整器倾斜角度。就上述一具体例而言，若最初采用修整器倾斜角度14°的修整器，在耗减沟底直径φA后，采用修整器倾斜角度16°的修整器，则与仅使用具有特定的修整器倾斜角度的修整器的情况相比，能够更有效地利用轮使用期范围。
然后，本发明人构思对倒角轮10的沟底直径φA设置阈值，根据该沟底直径φA分别使用修整器倾斜角度。以下，参考图5～图9，说明本发明的实施方式。另外，图5～图9中图示了本发明的要部，关于用于旋转各结构的支承台、旋转机构等，为了方便说明而进行省略。
（硅晶片的倒角加工方法）
根据本发明的一实施方式的硅晶片的倒角加工方法为如下加工方法：一边向垂直方向倾斜旋转具有细磨磨石部10B的倒角轮10的同时，一边旋转1片硅晶片，一边使其与细磨磨石部10B按压接触，由此进行螺旋倒角加工，以满足该1片硅晶片的边缘部中的完工晶片倾斜角度θ在目标晶片倾斜角度θ0的容许范围内，并对多片硅晶片依次进行该螺旋倒角加工。另外，在此所说的“多片硅晶片”是指提供给本加工方法的一连串倒角加工的相同种类的硅晶片（同一批等，晶片特性对螺旋倒角加工后的加工形状没有实质影响）。后述的第1硅晶片WA及第2硅晶片WB是这种意义下的相同种类的硅晶片。另外，本方法中的目标晶片倾斜角度θ0尤其优选在23°以下。这是因为，如上述实验结果所见，目标晶片倾斜角度θ0在23°以下的倒角加工中，产生沟底直径φA的依赖性。并且，目标晶片倾斜角度θ0及其容许角度范围是根据产品规格适当决定。根据产品规格，完工晶片倾斜角度θ与目标晶片倾斜角度θ0之差即容许角度范围能够以±0.1°～±1.0°等适当决定。
参考图5的流程图。本方法包括：第1修整工序S10，使用具有第1修整器倾斜角度α1的第1修整器31，修整倒角轮10的细磨磨石部10B；第1倒角加工工序S20，使用经过第1修整工序S10后的细磨磨石部10B螺旋倒角加工第1硅晶片WA，并加工该加工后的第1硅晶片WA的完工晶片倾斜角度θA至目标晶片倾斜角度θ0的容许角度范围内；工序S30，求出经过第1倒角加工工序S20后的细磨磨石部10B的沟底直径φA；第2修整工序S40，当沟底直径φA低于预先求出的阈值φ0时，使用具有第2修整器倾斜角度α2的第2修整器32，修整倒角轮10的细磨磨石部10B；及第2倒角工序S50，使用经过第2修整工序S40后的细磨磨石部10B螺旋倒角加工第2硅晶片WB，并加工该加工后的第2硅晶片WB的完工晶片倾斜角度θB至目标晶片倾斜角度θ0的容许角度范围内。然后，本方法中，在第2修整工序中，使用倾斜角度比第1修整工序中使用的第1修整器的倾斜角度α1大的修整器作为第2修整器。以下，依次详细说明各结构及各工序。
<第1修整工序>
参考图6，说明第1修整工序S10。首先，准备具有第1修整器倾斜角度α1的第1修整器31（参考图6的步骤S11）。关于第1修整器倾斜角度α1的大小，只要在其后的第2工序中能够将完工晶片倾斜角度θA加工成使其在目标倾斜角度θ0的容许范围内，则是任意的。只要根据目标晶片倾斜角度θ0与沟底直径φA适当选择即可。通常，将第1修整器倾斜角度α1的大小设为比目标晶片倾斜角度θ0小2.0°以上。
然后，使用该第1修整器31，一边以规定的轮倾斜角度倾斜倒角轮10，一边修整细磨磨石部10B。在形状复制后的细磨磨石部10B中形成起源于第1修整器31的缘部形状的形状。若参考图6的步骤S12及步骤S13，则S13中的虚线部相当于S12中修整前的细磨磨石部10B的沟。另外，作为倒角轮10，能够使用螺旋倒角加工中使用的通常的倒角轮。旋转轴部分10A通常是铝或不锈钢等金属制，其周缘部设置有细磨磨石部10B，这通常是合成树脂制（细磨磨石部10B也称作树脂磨石或树脂结合磨石等）。另外，倒角轮的旋转轴部分10A中设置有用于旋转轴的中空部，但因为附图的简化未图示。
<第1倒角加工工序>
然后，后续于第1修整工序S10的第1倒角加工工序S20中，使用通过第1修整工序S10经由第1修整器31复制的细磨磨石部10B，螺旋倒角加工硅晶片WA。在进行螺旋倒角加工时，与参考图1说明的相同地，一边以轮倾斜角度φ倾斜倒角轮10，一边通过与细磨磨石部10B的按压旋转接触，螺旋倒角加工第1硅晶片WA。如此，以使加工后的第1硅晶片WA的完工晶片倾斜角度θA在目标晶片倾斜角度θ0的容许角度范围内的方式进行螺旋倒角加工。图7中，图示如此形成的第1硅晶片WA的完工晶片倾斜角度θA。另外，以4°～15°的范围适当设定倒角轮10的轮倾斜角度φ。通常，使修整时的轮倾斜角度与倒角加工时的轮倾斜角度一致。
<求出沟底直径φA的工序>
由于细磨磨石部10B如前述那样通常是合成树脂制，因此通过经由修整及螺旋倒角加工，逐渐耗减细磨磨石部10B的沟部。然后，求出沟底直径φA的本工序S30中，求出经过第1倒角加工工序S20后的细磨磨石部10B的沟底直径φA。可以在将第1倒角加工工序中的螺旋倒角加工进行多次单位（100次单位或1000次单位等）后测量沟底直径φA，也可以每次进行螺旋加工时都测量沟底直径φA，只要在适当的时机测量沟底直径φA即可。并且，也可以预先求出伴随多次加工的耗减部分，在超过规定次数后，测量沟底直径φA。另外，能够使用组装在倒角加工装置（例如前述的东精工程公司制W-GM-5200）中的轮沟直径测量器或卡尺等测量沟底直径φA。
<第2修整工序>
如参考前面的实验1～实验6说明那样，为了在螺旋倒角加工初期实现目标晶片倾斜角度θ0，若继续使用具有规定的修整器倾斜角度的修整器，则随着耗减细磨磨石部10B的沟底直径φA，完工晶片倾斜角度θ慢慢变小，产生与所期望的完工晶片倾斜角度θ的背离。因此，完工晶片倾斜角度θ与目标晶片倾斜角度θ0的差异慢慢变大，脱离容许角度范围。然后，当工序S30中求出的沟底直径φA低于预先求出的阈值φ0时，以不同于第1修整工序S10的条件进行第2修整工序S40。如图8所示，准备具有第2修整器倾斜角度α2的第2修整器32，在第2修整工序S40中使用该第2修整器32，修整倒角轮10的细磨磨石部10B。只要通过实验性地预先求出沟底直径φA及第1修整器倾斜角度α1与通过加工实际形成的完工晶片倾斜角度θ的对应关系，决定阈值φ0即可。
在此，为了在之后的第2倒角工序S50中得到所期望的完工晶片倾斜角度θB，需要将第2修整器倾斜角度α2设得比第1修整器倾斜角度α1大（第2修整器倾斜角度α2>第1修整器倾斜角度α1）。在这点上，第2修整工序的修整条件与第1修整工序不同。关于其它修整条件，优选在第1修整工序与第2修整工序中设成相同，但也可以在对完工晶片倾斜角度的影响不大的范围内适当变更。
另外，如图4所示的具体的实验结果，若考虑修整器倾斜角度与沟底直径间的依赖性，则优选将第1修整器倾斜角度α1与第2修整器倾斜角度α2之差设为1°以上，优选设为2°以上。不限定上限，但例如可以设为6°以下。
<第2倒角工序>
使用经过第2倒角工序S40后的细磨磨石部10B，与第1倒角加工工序S20相同地，螺旋倒角加工第2硅晶片WB。然后，以使加工后的第2硅晶片WB的完工晶片倾斜角度θB在目标晶片倾斜角度θ0的容许范围内的方式进行螺旋倒角加工。图9中，图示第2硅晶片WB的完工晶片倾斜角度θB。本方法中，倒角轮10在第1修整工序与第2修整工序中，虽然特意使用不同的修整器倾斜角度的修整器来进行修整，但能够将完工晶片倾斜角度θA、θB均设在目标晶片倾斜角度θ0的容许范围内。
如以上说明，本发明中，经过工序S10～工序S50，根据倒角轮10的沟底直径φA分别使用修整器倾斜角度。如此，能够将第1硅晶片WA的完工晶片倾斜角度θA及第2硅晶片WB的完工晶片倾斜角度θB一同控制在目标晶片倾斜角度θ0的容许范围内，而且，能够增加螺旋倒角加工中使用的倒角轮的可加工次数（轮使用期）。
另外，有时根据沟底直径φA与修整器倾斜角度的关系，很难使完工晶片倾斜角度在目标晶片倾斜角度的容许范围内。因此，这种情况下，还优选进一步地进行通过耗减细磨磨石部10B调整沟底直径φA的调整工序。在此所说的耗减，不只包含基于修整的耗减，还包含设定了另外的目标晶片倾斜角度的硅晶片的倒角加工。若如此，则不会浪费倒角轮的使用期。
并且，如图5的流程图所示，本方法中可以进一步设定另外的阈值，使用第3修整器（还有第4修整器），进一步进行第3修整工序及第3倒角加工工序等。通过随着沟底直径φA的耗减而使用修整器倾斜角度大的修整器，能够充分地有效活用轮使用期范围。
以下，不企图限定，但说明能够适用于本发明的硅晶片的具体方式。
硅晶片的面方位是任意的，可以使用（100）面的晶片，也可以使用（110）面的晶片等。
硅晶片中可以掺杂有硼（B）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb）等掺杂剂，为了得到所期望的特性也可以掺杂有碳（C）或氮（N）等。并且，硅晶片的氧浓度也是任意的。
作为加工对象的硅晶片的直径没有任何限制。能够将本发明应用于通常直径300mm或200mm等的硅晶片。当然，对于直径比直径300mm大的硅晶片或直径比直径300mm小的硅晶片，都能够应用本发明。
另外，本说明书中的“硅晶片”，是指表面上未形成外延层或由氧化硅等构成的绝缘膜等别的层的所谓“块状”硅晶片。但是，可以形成有以数Å左右的膜厚形成的自然氧化膜。并且，对于通过本发明得到的硅晶片，可以另外形成外延层等别的层而制作外延硅晶片，也可以用作贴合晶片的支承基板或活性层用基板而制作SOI（Silicon on Insulator：绝缘体上硅）晶片等。成为这种晶片的基底基板的“块状”硅晶片是本说明书中的硅晶片。
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供一种硅晶片的倒角加工方法，其在将完工晶片倾斜角度设为低角度时，能够增加螺旋倒角加工中使用的倒角轮的可加工次数。
附图标记说明
10-倒角轮，10A-中心部，10B-细磨磨石部，31-第1修整器，32-第2修整器，W-硅晶片，WA-第1硅晶片，WB-第2硅晶片，α1-第1修整器倾斜角度，α2-第2修整器倾斜角度，φA-沟底直径，φB-轮直径，φ0-沟底直径的阈值，θ、θA、θB-完工晶片倾斜角度。

Claims (4)

1.一种硅晶片的螺旋倒角加工方法，其是向垂直方向倾斜旋转具有细磨磨石部的倒角轮的同时，一边旋转1片硅晶片，一边使其与所述细磨磨石部按压接触，由此进行螺旋倒角加工，以满足所述1片硅晶片的边缘部中的完工晶片倾斜角度在目标晶片倾斜角度的容许角度范围内，并且对多片硅晶片依次进行该螺旋倒角加工的硅晶片的倒角加工方法，所述硅晶片的螺旋倒角加工方法的特征在于包括：
第1修整工序，使用具有第1修整器倾斜角度的修整器，修整所述倒角轮的所述细磨磨石部；
第1倒角加工工序，使用经过所述第1修整工序后的所述细磨磨石部螺旋倒角加工第1硅晶片，并将该加工后的所述第1硅晶片的完工晶片倾斜角度加工成使其在所述目标晶片倾斜角度的容许角度范围内；
求出经过所述第1倒角加工工序后的所述磨石部的沟底直径的工序；
第2修整工序，当所述沟底直径低于预先求出的阈值时，使用具有第2修整器倾斜角度的修整器，修整所述倒角轮的所述细磨磨石部；及
第2倒角工序，使用经过所述第2修整工序后的所述细磨磨石部螺旋倒角加工第2硅晶片，并将该加工后的所述第2硅晶片的完工晶片倾斜角度加工成使其在所述目标晶片倾斜角度的容许角度范围内,
所述第2修整器倾斜角度比所述第1修整器倾斜角度大。
2.根据权利要求1所述的硅晶片的螺旋倒角加工方法，其中，
所述目标晶片倾斜角度θ在23°以下。
3.根据权利要求1或2所述的硅晶片的螺旋倒角加工方法，其中，
所述第1修整器倾斜角度与所述第2修整器倾斜角度之差在1°以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅晶片的螺旋倒角加工方法，其还包括：调整工序，通过耗减所述细磨磨石部，调整所述沟底直径。
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