CN113196155B - 阵列基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板、显示装置。该阵列基板包括基底(60)，位于基底(60)上的栅线(10)、一个子像素、两条数据线(30)、触控信号线(31)、功能电极(11)和触控电极单元；触控信号线(31)在基底(60)上的正投影与子像素的开口区在基底(60)上的正投影部分重叠；触控电极单元与触控信号线(31)耦接；功能电极(11)中的第一子功能电极部(110)和第二子功能电极部(111)的延伸方向均与数据线(30)的延伸方向相同，第一子功能电极部(110)位于子像素开口区的第一侧，第二子功能电极部(111)位于子像素开口区的第二侧；沿栅线(10)延伸方向且在同一直线上，第一子功能电极部(110)与触控信号线(31)之间的距离(d1)小于位于第一侧的数据线(10)与触控信号线(31)之间的距离(d2)；第二子功能电极部(111)与触控信号线(31)之间的距离(d3)小于位于第二侧的数据线(30)与触控信号线(31)之间的距离(d4)。

Description

阵列基板、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，液晶显示面板已经成功应用于笔记本电脑、电视机等显示设备中。液晶显示面板主要包括相对设置的阵列基板和对置基板，以及设置在该阵列基板和对置基板之间的液晶层，液晶显示面板在工作时，在阵列基板和对置基板之间产生驱动电场，液晶层中的液晶分子在驱动电场的驱动作用下发生偏转，从而实现液晶显示面板的显示功能。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板、显示装置。
本公开的第一方面提供一种阵列基板，包括：
基底；
相邻的两条数据线，所述相邻的两条数据线位于所述基底；
栅线，所述栅线位于所述基底，且与所述两条数据线交叉；
一个子像素，所述子像素位于所述栅线和所述两条数据线围成的区域内；
触控信号线，所述触控信号线位于所述基底，且与所述数据线的延伸方向相同，所述触控信号线在所述基底上的正投影与所述子像素的开口区在所述基底上的正投影部分重叠；
功能电极，所述功能电极位于所述基底，所述功能电极包括第一子功能电极部和第二子功能电极部，所述第一子功能电极部的延伸方向，以及所述第二子功能电极部的延伸方向均与所述数据线的延伸方向相同，所述第一子功能电极部位于所述子像素的开口区的第一侧，所述第二子功能电极部位于所述子像素的开口区的第二侧，所述第一侧和所述第二侧沿垂直于所述数据线的延伸方向相对；沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离，小于位于所述第一侧的数据线在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离；沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离，小于位于所述第二侧的数据线在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离；
触控电极单元，位于所述基底，与所述触控信号线耦接。
在一些实施例中，沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离，大于所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离。
在一些实施例中，所述阵列基板包括：
多条所述栅线、多条所述数据线和多个所述子像素；
多条所述栅线和多条所述数据线围成多个子像素区域，多个所述子像素一一对应位于所述多个子像素区域内；
所述多个子像素包括多个子像素列，所述子像素列中包括沿所述数据线的延伸方向排列的多个所述子像素；
所述阵列基板还包括：
设置在所述阵列基板的触控区域的触控电极层，所述触控区域包括多个触控子区域，所述触控电极层包括多个所述触控电极单元，所述触控电极单元一一对应位于所述触控子区域；以及，
与多个所述触控电极单元一一对应耦接的多条所述触控信号线，所述触控信号线与所述多个子像素列中的目标子像素列一一对应，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与对应的所述目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底上的正投影均部分重叠；
所述阵列基板还包括：与所述多个子像素一一对应的多个所述功能电极，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各目标子像素对应的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述触控信号线通过设置在至少部分所述第一重叠区域中的第一过孔，与至少部分所述目标子像素对应的所述第二子功能电极部耦接；所述触控信号线对应的所述目标子像素列中包括的目标子像素位于该触控信号线对应的触控子区域中。
在一些实施例中，所述功能电极还包括第三子功能电极部，所述第三子功能电极部的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同，所述第三子功能电极部与所述第一子功能电极部电连接。
在一些实施例中，每个所述子像素还包括公共电极；所述公共电极位于对应的所述功能电极与所述基底之间，且与对应的所述功能电极中的所述第一子功能电极部和所述第三子功能电极部直接接触。
在一些实施例中，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影均存在所述第一重叠区域，所述触控信号线通过设置在各所述第一重叠区域中的所述第一过孔，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部分别耦接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：第一导电连接部和第二导电连接部；
各所述目标子像素对应的所述功能电极中，所述第三子功能电极部通过所述第一导电连接部与所述第二子功能电极部耦接；
位于同一个所述触控子区域中的各子像素对应的所述功能电极中，在沿所述栅线的延伸方向上，相邻的所述第三子功能电极部之间通过所述第二导电连接部相耦接；
位于同一个所述触控子区域中的公共电极复用为该触控子区域中的触控电极单元。
在一些实施例中，所述第一导电连接部和所述第二导电连接部与所述功能电极同层同材料设置。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条补偿信号线，所述补偿信号线与所述多个子像素列中的非目标子像素列一一对应，所述补偿信号线在所述基底上的正投影，与对应的所述非目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底上的正投影均重叠；
所述补偿信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述非目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影均存在第二重叠区域，所述补偿信号线通过设置在各所述第二重叠区域中的第二过孔，与其对应的所述非目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部分别耦接。
在一些实施例中，所述第三子功能电极部与所述第二子功能电极部电连接；
所述阵列基板还包括：第三导电连接部，所述第三导电连接部与位于同一个所述触控子区域中沿所述栅线的延伸方向相邻的两个所述第三子功能电极部分别耦接；
位于同一个所述触控子区域中的公共电极复用为该触控子区域中的触控电极单元。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：
多个补偿图形，所述多个补偿图形与多个所述触控子区域中包括的非目标子像素列一一对应，每个所述补偿图形与对应的所述非目标子像素列中各所述非目标子像素对应的所述第二子功能电极部耦接；
每个所述补偿图形在所述基底上的正投影，与对应的所述非目标子像素的开口区在所述基底上的正投影部分重叠；每个所述补偿图形与所述触控信号线同层同材料设置，且与所述触控信号线具有相同的延伸方向。
在一些实施例中，所述触控信号线与所述数据线同层同材料设置。
在一些实施例中，每个所述子像素均包括位于所述基底的像素电极；所述像素电极具有多个狭缝，所述狭缝的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。
在一些实施例中，所述触控信号线在所述基底上的正投影，覆盖其对应的所述目标子像素列中各像素电极包括的至少一个所述狭缝在所述基底上的正投影。
在一些实施例中，所述触控信号线在垂直于其自身延伸方向上的宽度为4μm～8μm。
在一些实施例中，所述狭缝在垂直于其自身延伸方向上的宽度为2μm～4μm。
在一些实施例中，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各所述子像素的开口区在所述基底上的正投影均存在第三重叠区域，所述第三重叠区域的面积与所述子像素的开口区的面积之比为4％～8％。
在一些实施例中，所述触控电极层与所述像素电极层叠设置，且位于所述基底和所述像素电极之间。
在一些实施例中，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第三子功能电极部在所述基底上的正投影均位于对应的所述子像素中的像素电极在所述基底的正投影的周边。
在一些实施例中，所述多个子像素包括多个子像素行，每个所述子像素行中均包括沿所述栅线的延伸方向排列的多个所述子像素；
所述栅线与所述子像素行一一对应，且所述栅线与其对应的子像素行中的各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接；
所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第三子功能电极部在所述基底上的正投影，与对应的所述栅线在所述基底上的正投影，共同包围对应的所述子像素的开口区。
在一些实施例中，所述第一子功能电极部、所述第二子功能电极部、以及所述第三子功能电极部均与所述栅线同层同材料设置。
在一些实施例中，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于所述第一侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠；和/或，
所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于所述第二侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠。
在一些实施例中，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于所述第一侧的数据线在所述基底上的正投影之间；和/或，
所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于所述第二侧的数据线在所述基底上的正投影之间。
基于上述阵列基板的技术方案，本公开的第二方面提供一种显示装置，包括上述阵列基板。
在一些实施例中，所述阵列基板中功能电极的第一子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于第一侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠；所述阵列基板中功能电极的第二子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于第二侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠；
所述显示装置还包括：
与所述阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有与所述数据线一一对应的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，与对应的所述数据线的第一部分在所述基底上的正投影重合，所述数据线的第一部分在所述基底上的正投影，与所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影不重叠，且与所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影不重叠。
在一些实施例中，所述阵列基板中功能电极的第一子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述阵列基板中子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于第一侧的数据线在所述基底上的正投影之间；所述阵列基板中功能电极的第二子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于第二侧的数据线在所述基底上的正投影之间；
所述显示装置还包括：
与所述阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有与所述数据线一一对应的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，覆盖对应的所述数据线在所述基底上的正投影；
所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，和该对应的所述数据线相邻的所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影部分重叠；和/或，
所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，和该对应的所述数据线相邻的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影部分重叠。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本公开的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
图1为本公开实施例提供的阵列基板的第一布局示意图；
图2为本公开实施例提供的阵列基板的第二布局示意图；
图3～6为图2中的布局方式对应的各个膜层的示意图；
图7为图2中沿A1A2方向的截面示意图；
图8为图2中沿B1B2方向的截面示意图；
图9为本公开实施例提供的同一个触控子区域中各子功能电极部相耦接的第一示意图；
图10为本公开实施例提供的同一个触控子区域中各子功能电极部相耦接的第二示意图；
图11为本公开实施例提供的同一个触控子区域中设置的补偿图形的示意图。
具体实施方式
为了进一步说明本公开实施例提供的阵列基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
本公开公开了一种阵列基板，将触控电极层和触控信号线均集成在阵列基板的内部，从而使得在利用该阵列基板制作液晶显示面板时，该液晶显示面板能够将用于实现触控功能的触控电极层和触控信号线集成在所述液晶显示面板的内部，以实现内嵌式触控(Full In Cell Touch)结构的液晶触控显示面板。Full In Cell Touch结构的液晶触控显示面板，将触控功能和显示功能整合在一起，不仅能够实现一站式无缝生产，而且具有集成化、轻薄、低成本、低功耗、高画质、可以实现多类触控(即Multi-Touch)等优势。
在将触控电极层和触控信号线均集成在阵列基板的内部时，一般将触控信号线与阵列基板中的数据线并排设置在相邻子像素列之间的非开口区，而由于触控信号线与数据线同层同材料设置，因此需要加宽位于相同非开口区中的数据线与触控信号线之间的距离(目前位于相同非开口区中的数据线与触控信号线之间的距离一般在6.5um以上)，以避免发生数据线与触控信号线短路的情况，但是这种方式会降低液晶显示面板的开口率，不利于液晶显示面板显示质量的提升。
基于上述问题的存在，请参阅图1～图7，本公开实施例提供了一种阵列基板，包括：基底60、相邻的两条数据线30、栅线10、一个子像素、触控信号线31、功能电极11和触控电极单元；所述相邻的两条数据线30位于所述基底60；所述栅线10位于所述基底60，且与所述两条数据线30交叉；所述子像素位于所述栅线10和所述两条数据线30围成的区域内；所述触控信号线31位于所述基底60，且与所述数据线30的延伸方向相同，所述触控信号线31在所述基底60上的正投影与所述子像素的开口区在所述基底60上的正投影部分重叠；触控电极单元位于所述基底60，与所述触控信号线31耦接；
所述功能电极11位于所述基底60，所述功能电极11包括第一子功能电极部110和第二子功能电极部111，所述第一子功能电极部110的延伸方向，以及所述第二子功能电极部111的延伸方向均与所述数据线30的延伸方向相同，所述第一子功能电极部110位于所述子像素的开口区的第一侧，所述第二子功能电极部111位于所述子像素的开口区的第二侧，所述第一侧和所述第二侧沿垂直于所述数据线30的延伸方向相对；沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离，小于位于所述第一侧的数据线30在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离；沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离，小于位于所述第二侧的数据线30在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离。
具体地，所述阵列基板中，基底60的材质可根据实际需要进行选择，示例性的，可选用玻璃基底，但不仅限于此。所述数据线30与所述栅线10交叉设置，示例性的，所述数据线30沿Y方向延伸，所述栅线10沿X方向延伸。
所述栅线10与所述两条数据线30能够围成子像素区域，所述子像素位于该子像素区域内，所述阵列基板中还包括与所述子像素对应的子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括驱动晶体管。
所述子像素对应的开口区为该子像素实际的透光区域，所述子像素对应的非开口区为该子像素对应的非透光区域，相同尺寸的液晶显示面板中具有的开口区的面积越大，液晶显示面板的开口率越高，液晶显示面板的显示品质越好；所述非开口区位于所述开口区的周边，所述阵列基板中，子像素对应的子像素驱动电路均位于该子像素对应的非开口区，而且阵列基板中包括的栅线10和数据线30也均位于所述非开口区。
所述触控信号线31的一端与所述触控电极单元耦接，所述触控信号线31的另一端可与后续绑定在所述阵列基板上的芯片耦接。在将所述阵列基板与对置基板对盒形成液晶显示面板后，当在所述液晶显示面板的触控区域发生触控操作时，触控操作能够改变所述阵列基板中的触控电极单元上形成的触控信号，同时所述触控信号线31用于将所述触控单元上采集到的触控信号传输至所述芯片，所述芯片根据从各所述触控信号线31接收到的触控信号，判断触控的具体位置。
在设置所述触控信号线31时，可设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与所述子像素的开口区在所述基底60上的正投影重叠；这种设置方式使得所述触控信号线31位于子像素的开口区内，使得所述触控信号线31与所述数据线30之间相距较远，不需要考虑所述触控信号线31与所述数据线30之间的短路问题，因此这种设置方式下，可有效缩小子像素周边的非开口区的面积，从而可将所述阵列基板形成的液晶显示面板的像素开口率提升2％左右。
而且，在将所述触控信号线31设置在非开口区的情况下，在将所述阵列基板与所述对置基板对盒时，还需要从所述触控信号线31考虑对盒精度，因此，还需要增加对置基板上的黑矩阵图形的面积。而本公开实施例提供的阵列基板中，通过设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与子像素的开口区在所述基底60上的正投影均部分重叠，使得在将所述阵列基板与所述对置基板对盒时，不需要从所述触控信号线31考虑对盒精度，从而有效缩小了对置基板上的黑矩阵图形的面积。
所述功能电极11的结构、材料和具体设置位置均可以根据实际需要进行选择，示例性的，所述功能电极11包括第一子功能电极部110和第二子功能电极部111，所述第一子功能电极部110的延伸方向，以及所述第二子功能电极部111的延伸方向均与所述数据线30的延伸方向相同；所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111均可以采用具有遮光性能的材料制作，如：金属材料，但不仅限于此。
在设置所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111的位置时，可将所述第一子功能电极部110设置在所述子像素的开口区的第一侧，所述第二子功能电极部111设置在所述子像素的开口区的第二侧，所述第一侧和所述第二侧沿垂直于所述数据线30的延伸方向相对，这种设置方式使得所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111，在垂直于所述基底的方向上不会与子像素的开口区交叠，保证了开口区的出光效率。
进一步地，如图1所示，可设置沿所述栅线10延伸方向且在同一直线上(如图1中的C1C2方向)，所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离d1，小于位于所述第一侧的数据线30在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离d2，这样就使得所述第一子功能电极部110的至少部分能够位于子像素的开口区与所述数据线之间；同样的，所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离d3，小于位于所述第二侧的数据线30在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离d4，这样就使得所述第二子功能电极部111的至少部分能够位于子像素的开口区与所述数据线之间；在所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111采用上述设置方式的情况下，当所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111采用遮光材料制作时，所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111能够对所述子像素的非开口进行遮挡，这样在将所述阵列基板与对置基板对盒形成液晶显示面板时，可有效减小对置基板上黑矩阵图形的面积。
如图1所示，在一些实施例中，沿所述栅线10延伸方向且在同一直线上，所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离，大于所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离。
具体地，在保证所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与所述子像素的开口区在所述基底60上的正投影交叠的情况下，可设置沿所述栅线10延伸方向且在同一直线上(如图1中的C1C2方向)，所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离d1，大于所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影与所述触控信号线31在所述基底60上的正投影之间的距离d3，这样当沿所述栅线10延伸方向且在同一直线上，所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111与所述开口区的距离大致相同时，可避免所述触控信号线31刚好位于所述开口区的正中间位置，从而更好的保证所述子像素的出光效果。
如图2和图9所示，在一些实施例中，所述阵列基板包括：多条所述栅线10、多条所述数据线30和多个所述子像素；多条所述栅线10和多条所述数据线30围成多个子像素区域，多个所述子像素一一对应位于所述多个子像素区域内；所述多个子像素包括多个子像素列，所述子像素列中包括沿所述数据线30的延伸方向排列的多个所述子像素。
所述阵列基板还包括：触控电极层和多条所述触控信号线31；所述触控电极层设置在所述阵列基板的触控区域，所述触控区域包括多个触控子区域80，所述触控电极层包括多个所述触控电极单元，所述触控电极单元一一对应位于所述触控子区域80；多条所述触控信号线31与多个所述触控电极单元一一对应耦接；所述触控信号线31与所述多个子像素列中的目标子像素列一一对应，所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与对应的所述目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底60上的正投影均部分重叠；
所述阵列基板还包括：与所述多个子像素一一对应的多个所述功能电极11，所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各目标子像素对应的所述第二子功能电极部111在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述触控信号线31通过设置在至少部分所述第一重叠区域中的第一过孔，与至少部分所述目标子像素对应的所述第二子功能电极部111耦接；所述触控信号线31对应的所述目标子像素列中包括的目标子像素位于该触控信号线31对应的触控子区域中。
具体地，所述阵列基板可包括多条所述栅线10和多条所述数据线30，多条栅线10和多条数据线30交叉设置，在基底60上围成呈阵列分布的多个子像素区域，多个所述子像素一一对应位于所述多个子像素区域内。
所述阵列基板包括的触控电极层可位于所述阵列基板的触控区域，所述触控电极层包括多个相互独立的触控电极单元，多个所述触控电极单元可呈阵列分布，但不仅限于此。所述触控区域可划分为多个触控子区域80，所述触控电极单元一一对应位于所述触控子区域80中。值得注意，所述触控区域的具体位置可根据实际需要设置，示例性的，所述触控区域与所述阵列基板在形成液晶显示面板后，该液晶显示面板的整个显示区域重合；或者设置所述触控区域位于所述显示区域内，且仅与所述显示区域中的指定区域重合。
每个所述触控电极单元与对应一条触控信号线31耦接，所述触控信号线31远离所述触控电极单元的一端可与后续绑定在所述阵列基板上的芯片耦接。在将所述阵列基板与对置基板对盒形成液晶显示面板后，当在所述液晶显示面板的触控区域发生触控操作时，触控操作能够改变所述阵列基板中的触控电极单元上形成的触控信号，同时所述触控信号线31用于将所述触控单元上采集到的触控信号传输至所述芯片，所述芯片根据从各所述触控信号线31接收到的触控信号，判断触控的具体位置。
在设置所述触控信号线31时，可设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与对应的所述目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底60上的正投影均重叠；这种设置方式使得所述触控信号线31位于部分子像素对应的开口区内，使得所述触控信号线31与所述数据线30之间相距较远，不需要考虑所述触控信号线31与所述数据线30之间的短路问题，因此这种设置方式下，可有效缩小各子像素周边的非开口区的面积，从而可将所述阵列基板形成的液晶显示面板的像素开口率提升2％左右。
而且，上述实施例提供的阵列基板中，通过设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与对应的所述目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底60上的正投影均部分重叠，使得在将所述阵列基板与所述对置基板对盒时，不需要从所述触控信号线31考虑对盒精度，从而有效缩小了对置基板上的黑矩阵图形的面积。
上述设置所述阵列基板还包括：与所述多个子像素一一对应的多个具有遮光作用的功能电极11，并设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各目标子像素对应的所述所述第二子功能电极部111在所述基底上的正投影均存在第一重叠区域，使得所述触控信号线31可以通过设置在至少部分所述第一重叠区域中的第一过孔，与至少部分所述目标子像素对应的所述第二子功能电极部111耦接。
所述所述第二子功能电极部111可选用导电材料制作，具体可作为阵列基板中的屏蔽条(shiled bar)，上述将所述触控信号线31与对应的至少部分所述目标子像素对应的所述第二子功能电极部111耦接，使得所述触控信号线31具有更小的电阻，从而更有利于降低所述触控信号线31在传输信号时产生的损耗。
如图2所示，在一些实施例中，所述功能电极11还包括第三子功能电极部112，所述第三子功能电极部112的延伸方向与所述栅线10的延伸方向相同，所述第三子功能电极部112与所述第一子功能电极部110电连接。
具体地，所述功能电极11还包括第三子功能电极部112，所述第三子功能电极部112也可采用具有遮光性能的金属材料制作，在实际布局所述第三子功能电极部112时，可设置所述第三子功能电极部112的延伸方向与所述栅线10的延伸方向相同，所述第三子功能电极部112靠近所述第一子功能电极部110的一端与所述第一子功能电极部110电连接，同时使得所述所述第一子功能电极部110在所述基底上的正投影，所述第二子功能电极部111在所述基底上的正投影，以及所述第三子功能电极部112在所述基底上的正投影均位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影的周边；这样可通过所述第三子功能电极部112对子像素的非开口区进一步遮挡，从而进一步减小所述对置基板上设置的黑矩阵图形的面积。
如图2和图9所示，在一些实施例中，每个所述子像素还包括公共电极20；所述公共电极20位于对应的所述功能电极11与所述基底60之间，且与对应的所述功能电极11中的第一子功能电极部110和第三子功能电极部113直接接触。
具体地，上述实施例提供的子像素还可以包括公共电极20，该公共电极20的具体位置可根据实际需要设置，示例性的，所述公共电极20设置在对应的所述功能电极11与所述基底60之间，这种设置方式更有利于提升所述液晶显示面板的透过率。
另外，当所述功能电极11包括的第一子功能电极部110和第三子功能电极部113均采用导电材料制作时，将所述公共电极20与对应的所述功能电极11中的第一子功能电极部110和第三子功能电极部113直接接触，能够有效降低公共电极20的电阻，减小公共电极20产生的损耗。
如图2所示，在一些实施例中，所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影均存在第一重叠区域，所述触控信号线31通过设置在各所述第一重叠区域中的第一过孔via0，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111分别耦接。
具体地，上述设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111在所述基底上的正投影均存在第一重叠区域，使得能够通过在该第一重叠区域形成第一过孔via0，来实现所述触控信号线31通过设置在各所述重叠区域中的过孔via0，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111分别耦接。上述将所述触控信号线31与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111分别耦接，使得所述触控信号线31具有更小的电阻，从而更有利于降低所述触控信号线31在传输信号时产生的损耗。
如图2和图9所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括：第一导电连接部90和第二导电连接部91；各所述目标子像素对应的所述功能电极11中，所述第三子功能电极部112通过所述第一导电连接部90与所述第二子功能电极部111耦接；位于同一个所述触控子区域80中的各子像素对应的所述功能电极11中，在沿所述栅线10的延伸方向上，相邻的所述第三子功能电极部112之间通过所述第二导电连接部91相耦接；位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20复用为该触控子区域中的触控电极单元。
具体地，设置所述触控信号线31对应的所述目标子像素列中包括的目标子像素，位于该触控信号线对应的触控子区域80；以及设置各所述目标子像素对应的所述功能电极11中，所述第三子功能电极部112与所述第二子功能电极部111通过所述第一导电连接部90相耦接；以及设置位于同一个所述触控子区域80中的各子像素对应的所述功能电极11中，在沿所述栅线10的延伸方向上，相邻的所述第三子功能电极部112之间通过所述第二导电连接部91相耦接；使得位于同一个所述触控子区域80中的全部第一子功能电极部110和第三子功能电极部112均耦接在一起，同时使得位于同一个所述触控子区域80中的全部第一子功能电极部110和第三子功能电极部112，能够通过该所述触控子区域80中的各所述目标子像素对应的第二子功能电极部111，实现与对应的触控信号线31耦接在一起；又由于所述第一子功能电极部110和第三子功能电极部112均与对应的公共电极20耦接，因此使得位于同一个所述触控子区域80中的全部公共电极20均耦接在一起。
上述结构的阵列基板中，可将位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20复用为该触控子区域80中的触控电极单元，避免了在所述阵列基板中额外制作所述触控电极单元；而且，由于所述公共电极20均与对应的第一子功能电极部和第三子功能电极部110耦接，且位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20均耦接在一起，使得所述公共电极20的电阻较低，产生的损耗较小，因此，在将位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20复用为该触控子区域80中的触控电极单元时，使得该触控电极单元的电阻较低，从而有效降低了触控信号线31上的损耗，提升了触控灵敏度，整体上提升产品竞争力及附加价值(即触控功能)。
在将位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20复用为该触控子区域80中的触控电极单元的情况下，在利用所述阵列基板形成液晶显示面板后，利用该液晶显示面板实现触控显示功能的具体过程如下：
在触控阶段，所述触控信号线31提供触控信号，当在所述液晶显示面板的触控区域发生触控操作时，触控操作发生位置处的触控电极单元对应的触控信号会发生变化，触控电极单元将该变化的触控信号通过对应的触控信号线31传输至芯片，该芯片基于该变化的触控信号判断触控操作发生的具体位置。
在显示阶段，所述触控信号线31提供显示需要的公共电极信号，同时阵列基板中的子像素驱动电路为对应的像素电极40提供驱动信号，从而使得在所述像素电极40和所述公共电极20之间产生驱动液晶偏转的电场，使得所述液晶显示面板实现显示功能。
在一些实施例中，所述第一导电连接部90采用导电材料制作，示例性的，可将所述第一导电连接部90与所述数据线30同层同材料设置，当设置所述第一导电连接部90与所述数据线30同层同材料设置时，能够实现通过一次构图工艺同时形成所述第一导电连接部90和所述数据线30，从而很好的简化了所述阵列基板的制作流程，节约了生产成本。
在一些实施例中，可将所述第一导电连接部90和所述第二导电连接部91与所述功能电极11同层同材料设置。
具体地，由于所述第二导电连接部91用于将位于同一个所述触控子区域80中沿所述栅线10的延伸方向相邻的两个第三子功能电极部112耦接在一起，因此，所述第二导电连接部91不需要跨越所述栅线10，这样在将所述第二导电连接部91与所述功能电极11(包括所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111和第三子功能电极部112)同层同材料设置时，能够保证所述第二导电连接部91与所述栅线10之间不会发生短路。
另外，将所述第一导电连接部90、所述第二导电连接部91与所述功能电极11同层同材料设置，使得能够通过一次构图工艺，同时制作所述第一导电连接部90、所述第二导电连接部91和所述功能电极11，避免为了制作所述第一导电连接部90和所述第二导电连接部91，而增加额外的专门用于制作所述第一导电连接部90和所述第二导电连接部91的构图工艺，从而很好的简化了所述阵列基板的制作流程，节约了生产成本。
如图9所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条补偿信号线34，所述补偿信号线34与所述多个子像素列中的非目标子像素列一一对应，所述补偿信号线34在所述基底上的正投影，与对应的所述非目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底上的正投影均重叠；
所述补偿信号线34在所述基底上的正投影，与其对应的所述非目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111在所述基底上的正投影均存在第二重叠区域，所述补偿信号线34通过设置在各所述第二重叠区域中的第二过孔via1，与其对应的所述非目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111分别耦接。
具体地，所述阵列基板中还可设置多条补偿信号线34，所述补偿信号线34可与所述触控信号线31具有相同的结构，且所述补偿信号线能够通过第二过孔via1与其对应的所述非目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111分别耦接；上述设置多条补偿信号线34的结构，使得所述触控信号线31和所述补偿信号线34能够均匀的分布在整个阵列基板上，在将这种结构的阵列基板应用于显示面板中时，更有利于提升显示面板的显示均一性。
值得注意，所述非目标子像素列中，各子像素对应的所述第二子功能电极部111与所述第一子功能电极部110和第三子功能电极部112之间均断开连接，即各子像素对应的所述第二子功能电极部111与所述第一子功能电极部110和第三子功能电极部112之间彼此绝缘。
另外，可将所述补偿信号线34与所述触控信号线31同层同材料设置，这样所述补偿信号线34就能够与所述触控信号线31在同一次构图工艺中形成，避免为了制作所述补偿信号线34而增加额外的专门用于制作所述补偿信号线34的构图工艺，从而有效简化了所述阵列基板的制作流程，节约了生产成本。
如图10所示，在一些实施例中，所述第三子功能电极部112与所述第二子功能电极部111电连接；所述阵列基板还包括：第三导电连接部92，所述第三导电连接部92与位于同一个所述触控子区域80中沿所述栅线10的延伸方向相邻的两个所述第三子功能电极部112分别耦接；位于同一个所述触控子区域中的公共电极20复用为该触控子区域80中的触控电极单元。
具体地，可设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111在所述基底上的正投影均存在第一重叠区域，这样就可以通过在该第一重叠区域形成第一过孔via0，来实现所述触控信号线31通过设置在各所述第一重叠区域中的第一过孔via0，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111分别耦接。上述将所述触控信号线31与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部111分别耦接，使得所述触控信号线31具有更小的电阻，从而更有利于降低所述触控信号线31在传输信号时产生的损耗。
上述进一步设置所述触控信号线31对应的所述目标子像素列中包括的目标子像素，位于该触控信号线对应的触控子区域80；以及设置所述第三导电连接部92位于同一个所述触控子区域80中沿所述栅线10的延伸方向相邻的两个所述第三子功能电极部112分别耦接；使得位于同一个所述触控子区域80中的全部功能电极11(包括所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111和第三子功能电极部112)均耦接在一起，同时使得位于同一个所述触控子区域80中的全部功能电极11，能够与对应的触控信号线31耦接在一起；又由于所述功能电极11均与对应的公共电极20耦接，因此使得位于同一个所述触控子区域80中的全部公共电极20均耦接在一起。
可见上述结构的阵列基板中，可将位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20复用为该触控子区域80中的触控电极单元，避免了在所述阵列基板中额外制作所述触控电极单元；而且，由于所述公共电极20均与对应的功能电极11耦接，且位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20均耦接在一起，使得所述公共电极20的电阻较低，产生的损耗较小，因此，在将位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20复用为该触控子区域80中的触控电极单元时，使得该触控电极单元的电阻较低，从而有效降低了触控信号线31上的损耗，提升了触控灵敏度，整体上提升产品竞争力及附加价值(即触控功能)。
另外，需要说明，在将位于同一个所述触控子区域80中的公共电极20复用为该触控子区域80中的触控电极单元时，所述触控信号线31可通过多种方式实现与所述触控电极单元耦接；示例性的，由于所述公共电极20均与对应的功能电极11耦接，因此，可通过将所述触控信号线31与对应的触控子区域80中的所述第二子功能电极部111耦接，来实现所述触控信号线31与对应的触控电极单元耦接。更详细地说，当设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与一列子像素列的开口区在所述基底60上的正投影重叠，且该一列子像素列中包括至少部分目标子像素位于该触控信号线31对应的触控子区域80时，可设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与位于其对应的所述触控子区域80中的至少一个目标子像素对应的所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影存在第一重叠区域，并通过在该第一重叠区域设置第一过孔via0，使得所述触控信号线31通过设置在该第一重叠区域中的第一过孔via0，与所述至少一个目标子像素对应的所述第二子功能电极部111实现耦接。
上述实施例提供的阵列基板中，通过设置所述触控信号线31与对应的所述第二子功能电极部111耦接，来实现所述触控信号线31与对应的触控电极单元耦接，使得所述触控信号线31能够在非开口区实现与对应的触控电极单元耦接，从而避免了在开口区制作用于耦接所述触控信号线31和所述触控电极单元的过孔，这样在将所述阵列基板应用在液晶显示面板中时，有效提升了液晶显示面板的显示质量。
如图11所示，在一些实施例中，所述阵列基板还包括：
多个补偿图形93，所述多个补偿图形93与多个所述触控子区域80中包括的非目标子像素列一一对应，每个所述补偿图形93与对应的所述非目标子像素列中各所述非目标子像素对应的所述第二子功能电极部111耦接；
每个所述补偿图形93在所述基底60上的正投影，与对应的所述非目标子像素的开口区在所述基底上的正投影部分重叠；每个所述补偿图形93与所述触控信号线31同层同材料设置，且与所述触控信号线31具有相同的延伸方向。
具体地，在所述阵列基板中设置具有导电性能的多个补偿图形93，并将每个所述补偿图形93与对应的所述非目标子像素列中各所述非目标子像素对应的所述第二子功能电极部111耦接，能够进一步降低所述公共电极20的电阻，减小公共电极20产生的损耗。
另外，设置每个所述补偿图形93在所述基底60上的正投影，与对应的所述非目标子像素的开口区在所述基底60上的正投影部分重叠，以及设置每个所述补偿图形93与所述触控信号线31具有相同的延伸方向，使得所述触控信号线31和所述补偿图形93能够均匀的分布在整个阵列基板上，在将这种结构的阵列基板应用于显示面板中时，更有利于提升显示面板的显示均一性。
此外，可将所述补偿图形93与所述触控信号线31同层同材料设置，这样所述补偿图形93就能够与所述触控信号线31在同一次构图工艺中形成，避免为了制作所述补偿图形93而增加额外的专门用于制作所述补偿图形93的构图工艺，从而有效简化了所述阵列基板的制作流程，节约了生产成本。
在利用上述实施例提供的阵列基板制作液晶显示面板时，一般包括如下过程：
先制作阵列基板和对置基板，其中阵列基板上形成有驱动电路层、公共电极层、像素电极层和第一配向膜，所述驱动电路层包括与所述液晶显示面板中包括的子像素一一对应的子像素驱动电路，以及用于为子像素驱动电路提供各种信号的信号线，这些信号线包括多条栅线和多条数据线，所述栅线和所述数据线交叉设置，限定出多个所述子像素；所述像素电极层包括与所述子像素一一对应的像素电极，每一个所述像素电极均与对应的子像素驱动电路中的驱动晶体管的输出电极电连接；所述第一配向膜覆盖所述驱动电路层、所述公共电极层和所述像素电极层，利用摩擦布对该第一配向膜进行配向，以形成具有固定方向沟槽的第一配向层；对置基板上形成有与所述子像素一一对应的色阻单元，位于各色阻单元周边的黑矩阵图形，以及覆盖所述色阻单元和所述黑矩阵图形的第二配向膜，利用摩擦布对该第二配向膜进行配向，以形成具有固定方向沟槽的第二配向层。
在制作完所述第一配向层和所述第二配向层之后，将所述阵列基板和所述对置基板对盒，对盒后所述第一配向层和所述第二配向层均位于盒内，且在垂直于所述阵列基板的基底的方向上，色阻单元与对应的子像素的开口区正对，黑矩阵图形能够遮挡各子像素周边的非开口区。
最后在由阵列基板和对置基板形成的液晶盒内注入液晶分子，液晶分子能够按照所述第一配向层和所述第二配向层中的沟槽方向有序排列。
为了提升液晶显示面板的透过率，本公开中在制作液晶显示面板时，会将液晶显示面板采用不同的显示模式，常用的显示模式包括高级超维场转换技术(英文：AdvancedSuper Dimension Switch，以下简称ADS)显示模式，在一示例中，该ADS显示模式中，将液晶显示面板包括的各像素电极采用狭缝设计，并设置狭缝的延伸方向与数据线的延伸方向垂直。
在上述ADS显示模式中，为了保证液晶显示面板正常的显示功能，需要设置配向层中沟槽的延伸方向与所述狭缝的延伸方向相同，即在配向的过程中，摩擦布需要沿着与数据线的延伸方向垂直的方向对配向膜进行摩擦，这样摩擦布在数据线附近进行摩擦时，在数据线处需要爬坡，容易导致在数据线附近出现较大的配向阴影(即Rubbing Shadow)区域，而由于该区域容易产生漏光现象，因此该区域需要在对盒后，需要由对置基板上的黑矩阵图形进行遮挡，从而导致增加了黑矩阵图形在垂直于数据线延伸方向上的宽度，降低液晶显示面板的开口率。
基于上述问题的存在，本公开的发明人经研究发现，可通过改变狭缝的延伸的方向，使狭缝的延伸方向与数据线的延伸方向相同，并使配向层配向后的沟槽方向与数据线的延伸方向相同，这样在配向的过程中，就能够避免在数据线附近形成配向阴影区域，从而减小了用于遮挡数据线的黑矩阵图形在垂直于数据线延伸方向上的宽度，有效提升了液晶显示面板的开口率。
请参阅图2～图7，上述实施例提供的阵列基板中，每个所述子像素均包括位于所述基底60的像素电极40；所述像素电极40具有多个狭缝41，所述狭缝41的延伸方向与所述数据线30的延伸方向相同。
具体地，每个所述子像素均包括像素电极40，该像素电极40可具体采用氧化铟锡材料制作，且在制作过程中，可通过构图工艺形成多个狭缝41，并使得所述狭缝41的延伸方向与所述数据线30的延伸方向相同。每个所述像素电极40均与对应的子像素驱动电路中的驱动晶体管的输出电极电连接，接收由所述驱动晶体管提供的驱动信号。
在所述阵列基板上形成配向层的过程包括：
先在所述阵列基板设置有所述像素电极40的一侧制作配向材料薄膜，然后利用摩擦布沿所述像素电极40中狭缝41的延伸方向(即所述数据线30的延伸方向)进行摩擦配向，形成具有沟槽的配向层，该沟槽的延伸方向与所述狭缝41的延伸方向相同。
根据上述阵列基板的具体结构可知，本公开实施例提供的阵列基板中，通过设置每个像素电极40中狭缝41的延伸方向与所述数据线30的延伸方向相同，使得在阵列基板上对配向材料薄膜配向的过程中，不会在数据线30的附近形成较大的Rubbing Shadow区域，这样在将上述实施例提供的阵列基板与对置基板对盒形成液晶显示面板时，能够减小对置基板中用于遮挡数据线30的黑矩阵图形在垂直于数据线30延伸方向上的宽度，从而有效提升了液晶显示面板的开口率。
更详细地说，当所述数据线产生Rubbing Shadow区域，以及在将所述触控信号线31与对应的数据线30并排设置在非开口区时，所述数据线处需要遮挡的区域在垂直于所述数据线的延伸方向上的宽度能够达到8.5um左右，从而导致开口率会损失3％左右。因此，上述实施例提供的阵列基板中，通过设置像素电极中的狭缝的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同，以及将所述触控信号线31与开口区重叠，同时避免了Rubbing Shadow区域的产生，以及从所述触控信号线31考虑对盒精度和短路情况的需要，从而缩小了所述数据线处需要遮挡的区域在垂直于所述数据线的延伸方向上的宽度，使得在将所述阵列基板形成液晶显示面板时，该液晶显示面板的像素开口率能够提升3％左右。
在一些实施例中，所述触控信号线31与所述数据线30的延伸方向相同。
具体地，所述触控信号线31的延伸方向可根据实际需要设置，示例性的，可设置所述触控信号线31与所述数据线30的延伸方向相同，即使得所述触控信号线31的延伸方向与所述像素电极40中的狭缝41的延伸方向相同，这样当在所述阵列基板上制作配向层时，摩擦布的摩擦方向就与所述触控信号线31的延伸方向相同，从而避免了在所述触控信号线31的附近形成较大的Rubbing Shadow区域，保证了在将所述阵列基板应用于液晶显示面板中时，液晶显示面板的显示质量。
在一些实施例中，可将所述触控信号线31与所述数据线30同层同材料设置。
具体的，所述触控信号线31所选用的材料和具体设置在阵列基板的哪一层均可根据实际需要设置，示例性的，可将所述触控信号线31与所述数据线30同层同材料设置，这种设置方式使得所述触控信号线31能够与所述数据线30在同一次构图工艺中同时形成，从而避免了增加额外的专门用于制作所述触控信号线31的构图工艺，很好的简化了阵列基板的制作流程，节约了阵列基板的生产成本。
在一些实施例中，所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，覆盖其对应的所述目标子像素列中各像素电极40包括的至少一个所述狭缝41在所述基底60上的正投影。
具体地，在设置所述触控信号线31与子像素的开口区交叠时，可具体设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，覆盖其对应的所述目标子像素列中各像素电极40包括的至少一个所述狭缝41在所述基底60上的正投影，这种布局方式，使得所述触控信号线31能够尽量与所述狭缝41交叠，从而减小所述触控信号线31与所述像素电极40之间产生的电容。
在一些实施例中，可设置所述触控信号线31在垂直于其自身延伸方向上的宽度为4μm～8μm，例如，宽度为4μm、5μm、6μm、7μm或8μm。
在一些实施例中，可设置所述狭缝41在垂直于其自身延伸方向上的宽度为2μm～4μm，例如，宽度为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm或4μm。
将所述触控信号线31和所述狭缝41设置为上述尺寸，既保证了所述触控信号线31的信号传输性能，也使得所述触控信号线31和所述狭缝41之间在垂直于所述基底的方向上的交叠区域不会太大，从而使得在将所述阵列基板应用于显示面板时，显示面板具有良好的显示品质。
在一些实施例中，所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各所述子像素的开口区在所述基底60上的正投影均存在第三重叠区域，所述第三重叠区域的面积与所述子像素的开口区的面积之比为4％～8％，例如面积之比为4％、5％、6％、7％或8％。
具体地，上述设置所述第三重叠区域的面积与所述子像素的开口区的面积之比为4％～8％，使得所述触控信号线31不会对所述开口区造成过多的遮挡，从而使得在将所述阵列基板应用于显示面板时，显示面板具有良好的显示品质。
在一些实施例中，所述触控电极层与所述像素电极40层叠设置，且位于所述基底60和所述像素电极40之间。
由于上述实施例提供的阵列基板中，将所述触控电极层设置在所述基底60和所述像素电极40之间，在将所述阵列基板与对置基板对盒形成液晶显示面板后，所述触控电极层位于所述液晶显示面板的内部，从而使得形成的液晶显示面板将用于实现触控功能的触控电极层集成在所述液晶显示面板的内部，实现Full In Cell Touch结构的液晶触控显示面板。所述Full In Cell Touch结构的液晶触控显示面板，将触控功能和显示功能整合在一起，不仅能够实现一站式无缝生产，而且具有集成化、轻薄、低成本、低功耗、高画质、可以实现多类触控(即Multi-Touch)等优势。
如图8所示，当所述阵列基板包括所述公共电极20时，以子像素驱动电路中的驱动晶体管的输出电极直接与对应的像素电极40耦接的电路结构为例，制作所述阵列基板的过程包括：
先在基底60上形成公共电极20；然后继续在所述基底60形成有所述公共电极20的一侧制作栅线10、功能电极11(包括所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111和第三子功能电极部112)和栅极12；然后形成覆盖所述栅线10、所述功能电极11和所述栅极12的整层第一绝缘层50；接着在所述第一绝缘层50背向所述基底60的一侧制作有源层70，输入电极32和输出电极33，所述驱动晶体管包括所述栅极12、部分所述第一绝缘层50、所述有源层70，所述输入电极32和所述输出电极33；然后在所述输入电极32和所述输出电极33背向所述基底的一侧制作钝化层51；接着形成贯穿所述第一绝缘层50和钝化层51的通孔，该通孔能够暴露部分所述输出电极33，最后在所述钝化层51背向所述基底60的一侧制作像素电极40，该像素电极40的一部分能够填充在所述通孔内，并能够实现与所述输出电极33耦接，该像素电极40的剩余部分位于所述通孔外。
需要说明，所述公共电极20和所述像素电极40均可采用氧化铟锡制作。
在一些实施例中，每个所述功能电极11(包括所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111和第三子功能电极部112)在所述阵列基板的基底60上的正投影，与对应的所述子像素的非开口区在所述基底60上的正投影至少部分重叠。
上述实施例提供的阵列基板中，通过设置具有遮光作用的功能电极11在所述阵列基板的基底60上的正投影与对应的所述子像素的非开口区在所述基底60上的正投影至少部分重叠，使得在垂直于所述基底60的方向上，所述功能电极11能够对对应的所述子像素的非开口区进行遮挡，这样在将上述实施例提供的阵列基板与对置基板对盒时，对置基板上的黑矩阵图形只需遮挡各所述子像素对应的非开口区中未被所述功能电极11遮挡的区域，即可实现避免在非开口区出现异常的漏光现象，保证形成的液晶显示面板的显示效果，因此，在将上述实施例提供的阵列基板与对置基板进行对盒形成液晶显示面板时，不仅能够有效缩小对置基板中所要设置的黑矩阵的尺寸，节约了对置基板的生产成本；而且，还有效提升了液晶显示面板的开口率。
如图2和图7所示，在一些实施例中，所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影，所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影，所述第三子功能电极部112在所述基底60上的正投影均位于对应的所述子像素中的像素电极40在所述基底60的正投影的周边。
具体地，上述设置方式使得所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111、以及所述第三子功能电极部112既能够实现对子像素对应的非开口区的遮光功能，还不会对子像素对应的开口区产生遮挡，从而更有利于提升开口率。
请继续参阅图2，在一些实施例中，所述多个子像素包括多个子像素行，每个所述子像素行中均包括沿所述栅线10的延伸方向排列的多个所述子像素；
所述栅线10与所述子像素行一一对应，且所述栅线10与其对应的子像素行中的各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接；
所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影，所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影，所述第三子功能电极部112在所述基底60上的正投影，与对应的所述栅线10在所述基底60上的正投影，共同包围对应的所述子像素的开口区。
具体地，所述多个子像素可呈阵列分布，即可划分成多个子像素行和多个子像素列，其中每个所述子像素行中均包括沿所述栅线10的延伸方向排列的多个所述子像素，每个所述子像素列中均包括沿所述数据线30的延伸方向排列的多个所述子像素。所述栅线10与所述子像素行一一对应，且所述栅线10与其对应的子像素行中的各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接，用于为所述各子像素包括的子像素驱动电路提供扫描信号；所述数据线30与所述子像素列一一对应，且所述数据线30与其对应的子像素列中的各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接，用于为所述各子像素包括的子像素驱动电路提供数据信号。
所述功能电极11的具体结构多种多样，示例性的，可设置所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影，所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影，所述第三子功能电极部112在所述基底60上的正投影，与对应的所述栅线10在所述基底60上的正投影，共同包围对应的所述子像素的开口区；当设置所述功能电极11为这种结构时，能够实现通过所述功能电极11对所述子像素对应的非开口区进行大面积的遮挡，从而更有利于缩减对置基板中对应设置的黑矩阵图形的尺寸。
如图2和图4所示，在一些实施例中，可将所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111、以及所述第三子功能电极部112均与所述栅线10同层同材料设置。
具体地，由于所述栅线10与所述数据线30分别位于所述阵列基板的不同层，且彼此之间相互绝缘，因此将所述所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111、以及所述第三子功能电极部112均与所述栅线10同层设置能够避免功能电极11与所述数据线30之间发生短路；而且，将所述所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111、以及所述第三子功能电极部112均与所述栅线10同层同材料设置，还使得所述功能电极11能够与所述栅线10在同一次构图工艺中形成，从而避免了为制作所述功能电极11而增加额外的专门用于制作所述功能电极11的工艺流程，很好的简化了阵列基板的制作流程，降低了生产成本。
在一些实施例中，所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影，与位于所述第一侧的数据线30在所述基底60上的正投影部分重叠；和/或，所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影，与位于所述第二侧的数据线30在所述基底60上的正投影部分重叠。
具体地，由于数据线30位于所述非开口区，因此在利用功能电极11对非开口区遮光时，可设置每一条所述数据线30在所述基底60上的正投影，分别与和其相邻的所述第一子功能电极部110和/或所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影之间部分重叠，这样所述第一子功能电极部110和/或所述第二子功能电极部111就能够实现对数据线30进行部分遮挡，从而可进一步缩小对置基板上对应设置的黑矩阵图形的尺寸。
更详细地说，如图2所示，当所述数据线30在垂直于其自身延伸方向上的两侧分别设置有所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111时，可设置该数据线30在所述基底60上的正投影，与其两侧的所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影均部分重叠；也可以设置该数据线30在所述基底60上的正投影，仅与其一侧的所述第一子功能电极部110或所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影部分重叠。
值得注意，当设置该数据线30在所述基底60上的正投影，与其两侧的所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影均部分重叠时，该两侧的所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111之间可根据实际需要连接在一起，或者彼此绝缘。
如图2和图7所示，在一些实施例中，所述第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底60上的正投影，与位于所述第一侧的数据线30在所述基底60上的正投影之间；和/或，所述第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底60上的正投影，与位于所述第二侧的数据线30在所述基底60上的正投影之间。
具体地，上述设置方式使得每一条所述数据线30在所述基底60上的正投影，与全部所述功能电极11(所述第一子功能电极部110、所述第二子功能电极部111、以及所述第三子功能电极部112)在所述基底60上的正投影之间均不重叠，且使得在垂直于所述数据线30的延伸方向上，位于所述数据线30两侧的所述第一子功能电极部110和所述第二子功能电极部111之间具有预设距离，该预设距离大于或等于所述数据线30在垂直于其自身的延伸方向上的宽度。
值得注意，上述在设置每一条所述数据线30在所述基底60上的正投影，与全部所述功能电极11在所述基底60上的正投影之间均不重叠时，在将所述阵列基板与所述对置基板对盒后，可通过对置基板上的黑矩阵图形对所述数据线30进行遮挡。
上述实施例提供的阵列基板中，设置每一条所述数据线30在所述基底60上的正投影，与全部所述功能电极11在所述基底60上的正投影之间均不重叠，更有利于数据线30稳定的传输数据信号，从而更好的保证了阵列基板具有稳定的工作性能。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的阵列基板。
由于上述实施例提供的阵列基板中，通过设置所述触控信号线31在所述基底60上的正投影，与对应的所述目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底60上的正投影均重叠，以及设置每个像素电极40中狭缝41的延伸方向与所述数据线30的延伸方向相同，实现了有效缩小各子像素周边的非开口区的面积，并使得在阵列基板上对配向膜配向的过程中，不会在数据线30的附近形成较大的Rubbing Shadow区域，因此，在利用上述实施例提供的阵列基板与对置基板对盒形成本公开实施例提供的显示装置时，能够减小对置基板中用于遮挡数据线30的黑矩阵图形在垂直于数据线30延伸方向上的宽度，从而有效提升了显示装置的开口率。
另外，由于上述实施例提供的阵列基板还具有制作流程简单，生产成本较低，可集成触控电极层等优点，因此，本公开实施例提供的显示装置在包括上述阵列基板时，同样具有所述阵列基板具有的全部优点，此处不再赘述。
在一些实施例中，所述阵列基板中功能电极11的第一子功能电极部110在所述基底60上的正投影，与位于第一侧的数据线30在所述基底60上的正投影部分重叠；所述阵列基板中功能电极11的第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影，与位于第二侧的数据线30在所述基底60上的正投影部分重叠；
所述显示装置还包括：与所述阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有与所述数据线30一一对应的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述基底60上的正投影，与对应的所述数据线30的第一部分在所述基底60上的正投影重合，所述数据线30的第一部分在所述基底60上的正投影，与所述第一子功能电极部110在所述基底上的正投影不重叠，且与所述第二子功能电极部111在所述基底上的正投影不重叠。
具体地，在所述阵列基板中的每条数据线30在所述阵列基板的基底60上的正投影，分别与和其相邻的所述第一子功能电极部110和第二子功能电极部111在所述基底上的正投影部分重叠的情况下，所述数据线30中的第一部分在所述基底60上的正投影，与所述所述第一子功能电极部110和第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影均不重叠，所述数据线30中除所述第一部分之外的第二部分在所述基底60上的正投影，被所述第一子功能电极部110和第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影覆盖；因此当所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的对置基板时，可通过对置基板上的黑矩阵图形对所述数据线30中的第一部分进行遮挡，即设置所述黑矩阵图形在所述阵列基板的基底60上的正投影，与对应的所述数据线30的第一部分在所述基底60上的正投影重合，从而避免了在所述数据线30处发生漏光现象，从而更好的提升了显示装置的显示质量。
在一些实施例中，所述阵列基板中功能电极的第一子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述阵列基板中子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于第一侧的数据线在所述基底上的正投影之间；所述阵列基板中功能电极的第二子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于第二侧的数据线在所述基底上的正投影之间；
所述显示装置还包括：与所述阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有与所述数据线一一对应的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，覆盖对应的所述数据线在所述基底上的正投影；
所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，和该对应的所述数据线相邻的所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影部分重叠；和/或，所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，和该对应的所述数据线相邻的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影部分重叠。
具体地，当上述实施例提供的阵列基板中，每一条所述数据线30在所述基底60上的正投影，与全部所述第一子功能电极部110和第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影之间均不重叠时，使得在垂直于所述数据线30的延伸方向上，位于所述数据线30两侧的所述第一子功能电极部110和第二子功能电极部111之间具有预设距离，该预设距离大于或等于所述数据线30在垂直于其自身的延伸方向上的宽度。
当所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的对置基板时，可设置对置基板中的所述黑矩阵图形在所述基底60上的正投影，覆盖对应的所述数据线30在所述基底上的正投影，并设置对置基板中的所述黑矩阵图形在所述基底60上的正投影，与该黑矩阵对应的数据线30相邻的所述第一子功能电极部110和第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影均部分重叠，这样就可以通过所述黑矩阵图形遮挡所述数据线30，位于该数据线30和所述第一子功能电极部110之间的间隙，以及位于该数据线30和所述第二子功能电极部111之间的间隙，从而避免了在所述数据线30处发生漏光现象，更好的提升了显示装置的显示质量。
上述结构的显示装置中，设置每一条所述数据线30在所述基底60上的正投影，与全部所述第一子功能电极部110和第二子功能电极部111在所述基底60上的正投影之间均不重叠，更有利于数据线30稳定的传输数据信号，从而更好的保证了显示装置具有稳定的工作性能。
值得注意，所述对置基板上除了设置有黑矩阵图形外，还可以设置色阻单元；当然，所述色阻单元也可以根据实际需要设置在所述阵列基板上。
需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件等。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (25)

1.一种阵列基板，包括：
基底；
相邻的两条数据线，所述相邻的两条数据线位于所述基底；
栅线，所述栅线位于所述基底，且与所述两条数据线交叉；
一个子像素，所述子像素位于所述栅线和所述两条数据线围成的区域内；
触控信号线，所述触控信号线位于所述基底，且与所述数据线的延伸方向相同，所述触控信号线在所述基底上的正投影与所述子像素的开口区在所述基底上的正投影部分重叠；
功能电极，所述功能电极位于所述基底，所述功能电极包括第一子功能电极部和第二子功能电极部，所述第一子功能电极部的延伸方向，以及所述第二子功能电极部的延伸方向均与所述数据线的延伸方向相同，所述第一子功能电极部位于所述子像素的开口区的第一侧，所述第二子功能电极部位于所述子像素的开口区的第二侧，所述第一侧和所述第二侧沿垂直于所述数据线的延伸方向相对；沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离，小于位于所述第一侧的数据线在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离；沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离，小于位于所述第二侧的数据线在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离；
触控电极单元，位于所述基底，与所述触控信号线耦接；
所述阵列基板包括：
多条所述栅线、多条所述数据线和多个所述子像素；
多条所述栅线和多条所述数据线围成多个子像素区域，多个所述子像素一一对应位于所述多个子像素区域内；
所述多个子像素包括多个子像素列，所述子像素列中包括沿所述数据线的延伸方向排列的多个所述子像素；
所述阵列基板还包括：
设置在所述阵列基板的触控区域的触控电极层，所述触控区域包括多个触控子区域，所述触控电极层包括多个所述触控电极单元，所述触控电极单元一一对应位于所述触控子区域；以及，
与多个所述触控电极单元一一对应耦接的多条所述触控信号线，所述触控信号线与所述多个子像素列中的目标子像素列一一对应，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与对应的所述目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底上的正投影均部分重叠；
所述阵列基板还包括：与所述多个子像素一一对应的多个所述功能电极，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各目标子像素对应的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述触控信号线通过设置在至少部分所述第一重叠区域中的第一过孔，与至少部分所述目标子像素对应的所述第二子功能电极部耦接；所述触控信号线对应的所述目标子像素列中包括的目标子像素位于该触控信号线对应的触控子区域中。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，沿所述栅线延伸方向且在同一直线上，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离，大于所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影与所述触控信号线在所述基底上的正投影之间的距离。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述功能电极还包括第三子功能电极部，所述第三子功能电极部的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同，所述第三子功能电极部与所述第一子功能电极部电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，每个所述子像素还包括公共电极；所述公共电极位于对应的所述功能电极与所述基底之间，且与对应的所述功能电极中的所述第一子功能电极部和所述第三子功能电极部直接接触。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影均存在所述第一重叠区域，所述触控信号线通过设置在各所述第一重叠区域中的所述第一过孔，与其对应的所述目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部分别耦接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，
所述阵列基板还包括：第一导电连接部和第二导电连接部；
各所述目标子像素对应的所述功能电极中，所述第三子功能电极部通过所述第一导电连接部与所述第二子功能电极部耦接；
位于同一个所述触控子区域中的各子像素对应的所述功能电极中，在沿所述栅线的延伸方向上，相邻的所述第三子功能电极部之间通过所述第二导电连接部相耦接；
位于同一个所述触控子区域中的公共电极复用为该触控子区域中的触控电极单元。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一导电连接部和所述第二导电连接部与所述功能电极同层同材料设置。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条补偿信号线，所述补偿信号线与所述多个子像素列中的非目标子像素列一一对应，所述补偿信号线在所述基底上的正投影，与对应的所述非目标子像素列中各子像素的开口区在所述基底上的正投影均重叠；
所述补偿信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述非目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影均存在第二重叠区域，所述补偿信号线通过设置在各所述第二重叠区域中的第二过孔，与其对应的所述非目标子像素列中各子像素对应的所述第二子功能电极部分别耦接。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，
所述第三子功能电极部与所述第二子功能电极部电连接；
所述阵列基板还包括：第三导电连接部，所述第三导电连接部与位于同一个所述触控子区域中沿所述栅线的延伸方向相邻的两个所述第三子功能电极部分别耦接；
位于同一个所述触控子区域中的公共电极复用为该触控子区域中的触控电极单元。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括：
多个补偿图形，所述多个补偿图形与多个所述触控子区域中包括的非目标子像素列一一对应，每个所述补偿图形与对应的所述非目标子像素列中各所述非目标子像素对应的所述第二子功能电极部耦接；
每个所述补偿图形在所述基底上的正投影，与对应的所述非目标子像素的开口区在所述基底上的正投影部分重叠；每个所述补偿图形与所述触控信号线同层同材料设置，且与所述触控信号线具有相同的延伸方向。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述触控信号线与所述数据线同层同材料设置。
12.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，每个所述子像素均包括位于所述基底的像素电极；所述像素电极具有多个狭缝，所述狭缝的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述触控信号线在所述基底上的正投影，覆盖其对应的所述目标子像素列中各像素电极包括的至少一个所述狭缝在所述基底上的正投影。
14.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述触控信号线在垂直于其自身延伸方向上的宽度为4μm～8μm。
15.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述狭缝在垂直于其自身延伸方向上的宽度为2μm～4μm。
16.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述触控信号线在所述基底上的正投影，与其对应的所述目标子像素列中各所述子像素的开口区在所述基底上的正投影均存在第三重叠区域，所述第三重叠区域的面积与所述子像素的开口区的面积之比为4％～8％。
17.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述触控电极层与所述像素电极层叠设置，且位于所述基底和所述像素电极之间。
18.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第三子功能电极部在所述基底上的正投影均位于对应的所述子像素中的像素电极在所述基底的正投影的周边。
19.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述多个子像素包括多个子像素行，每个所述子像素行中均包括沿所述栅线的延伸方向排列的多个所述子像素；
所述栅线与所述子像素行一一对应，且所述栅线与其对应的子像素行中的各子像素包括的子像素驱动电路分别耦接；
所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，所述第三子功能电极部在所述基底上的正投影，与对应的所述栅线在所述基底上的正投影，共同包围对应的所述子像素的开口区。
20.根据权利要求19所述的阵列基板，其中，所述第一子功能电极部、所述第二子功能电极部、以及所述第三子功能电极部均与所述栅线同层同材料设置。
21.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于所述第一侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠；和/或，
所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于所述第二侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠。
22.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于所述第一侧的数据线在所述基底上的正投影之间；和/或，
所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于所述第二侧的数据线在所述基底上的正投影之间。
23.一种显示装置，包括如权利要求1～22中任一项所述的阵列基板。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述阵列基板中功能电极的第一子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于第一侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠；所述阵列基板中功能电极的第二子功能电极部在所述基底上的正投影，与位于第二侧的数据线在所述基底上的正投影部分重叠；
所述显示装置还包括：
与所述阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有与所述数据线一一对应的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，与对应的所述数据线的第一部分在所述基底上的正投影重合，所述数据线的第一部分在所述基底上的正投影，与所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影不重叠，且与所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影不重叠。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述阵列基板中功能电极的第一子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述阵列基板中子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于第一侧的数据线在所述基底上的正投影之间；所述阵列基板中功能电极的第二子功能电极部在所述基底上的正投影，位于所述子像素的开口区在所述基底上的正投影，与位于第二侧的数据线在所述基底上的正投影之间；
所述显示装置还包括：
与所述阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有与所述数据线一一对应的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，覆盖对应的所述数据线在所述基底上的正投影；
所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，和该对应的所述数据线相邻的所述第一子功能电极部在所述基底上的正投影部分重叠；和/或，
所述黑矩阵图形在所述基底上的正投影，和该对应的所述数据线相邻的所述第二子功能电极部在所述基底上的正投影部分重叠。
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