CN113161256B - 水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法。一种水蒸气处理装置，具有：上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，其中，所述上腔室具备第一开口，所述下腔室具备第二开口，所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口，所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通，所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通，所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部，在所述第四开口的周围具备第二温度调节部。

Description

水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法
技术领域
本公开涉及一种水蒸气处理装置及水蒸气处理方法、基板处理系统以及干蚀刻方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种具备高温水蒸气供给装置的大气搬送室，该高温水蒸气供给装置与利用卤系气体的等离子体对被处理体实施处理的被处理体处理室连接，对内部的被处理体供给高温水蒸气。根据专利文献1公开的大气搬送室，能够促进反应生成物中的卤的还原，从而促进反应生成物的分解。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-261456号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够在高的生产率下对被处理气体实施处理后的基板进行水蒸气处理的水蒸气处理装置及水蒸气处理方法、基板处理系统以及干蚀刻方法。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的水蒸气处理装置利用水蒸气对被处理气体实施处理后的基板进行处理，并且经由搬送装置具有的第一闸门来与所述搬送装置之间进行所述基板的交接，所述水蒸气处理装置具备：上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与所述第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，其中，所述上腔室具备第一开口，所述下腔室具备第二开口，所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口，所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通，所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通，所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部，在所述第四开口的周围具备第二温度调节部。
发明的效果
根据本公开，能够在高的生产率下对被处理气体实施处理后的基板进行水蒸气处理。
附图说明
图1是表示被应用由实施方式所涉及的水蒸气处理装置进行的后处置处理的薄膜晶体管的一例的纵剖截面图。
图2是表示蚀刻处理后的电极附近的状态的示意图。
图3是表示后处置处理后的电极附近的状态的示意图。
图4是表示实施方式所涉及的基板处理系统的一例的俯视图。
图5是实施方式所涉及的水蒸气处理装置的一例的纵剖截面图。
图6是图5的VI-VI向视图，是上腔室和下腔室的纵剖截面图。
图7是图5的VII-VII向视图，是实施方式所涉及的水蒸气处理装置的一例的横剖截面图。
图8是图5的VIII-VIII向视图，是隔离件的纵剖截面图。
图9是表示实施方式所涉及的水蒸气处理装置的处理流程的一例的流程图。
图10是表示气化器和内侧腔室的压力控制方法的一例的图。
附图标记说明
20：搬送装置(搬送腔室)；22A：第一闸门；23：第五开口；24：第六开口；100：水蒸气处理装置；110：上腔室；116：第一开口；130：下腔室；136：第二开口；160：隔离件；164：第三开口；166：第一温度调节部；165：第四开口；167：第二温度调节部；211：气化器(水蒸气的气化器)；241：气化器(水蒸气的气化器)；G：基板。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式所涉及的水蒸气处理装置及水蒸气处理方法以及基板处理系统。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的构成要素标注相同的标记，由此有时省略重复的说明。
[实施方式]
<被应用后处置(After treatment)处理的薄膜晶体管的一例>
首先，参照图1至图3来说明被应用由本公开的实施方式所涉及的水蒸气处理装置进行的后处置处理的薄膜晶体管的一例。在此，图1是表示被应用由实施方式所涉及的水蒸气处理装置进行的后处置处理的薄膜晶体管的一例的纵剖截面图。另外，图2是表示蚀刻处理后的电极附近的状态的示意图，图3是表示后处置处理后的电极附近的状态的示意图。
液晶显示装置(Liquid Crystal Display：LCD)等平板显示器(Flat PanelDisplay：FPD)中使用的例如薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)形成在玻璃基板等基板G上。具体地说，在基板G上图案形成栅极电极、栅极绝缘膜、半导体层等并将它们依次层叠，由此形成TFT。此外，FPD用基板的平面尺寸随着世代的推移而大规模化，由基板处理系统500(参照图4)处理的基板G的平面尺寸例如至少包括从第6代的1500mm×1800mm左右的尺寸到第10.5代的3000mm×3400mm左右的尺寸的尺寸。另外，基板G的厚度为0.2mm至数mm左右。
图1示出沟道蚀刻型的底栅型构造的TFT。图示的TFT在玻璃基板G(基板的一例)上形成栅极电极P1，在该栅极电极P1上形成由SiN膜等形成的栅极绝缘膜F1，在该栅极绝缘膜F1的上层进一步层叠有表面进行了n+掺杂的a-Si、氧化物半导体的半导体层F2。在半导体层F2的上层侧形成金属膜，通过对该金属膜进行蚀刻，来形成源极电极P2(电极的一例)和漏极电极P3(电极的一例)。
在形成源极电极P2和漏极电极P3之后，对进行了n+掺杂的半导体层F2的表面进行蚀刻，由此形成TFT的沟道部。接着，形成例如由SiN膜形成的钝化膜(未图示)，以保护表面。然后，经由形成于钝化膜的表面的接触孔来使源极电极P2、漏极电极P3与ITO(Indium TinOxide)等未图示的透明电极连接，并使该透明电极与驱动电路、驱动电极连接，由此形成FPD。此外，除了图示例的底栅型构造的TFT以外，还存在顶栅型构造的TFT等。
在图示的TFT中，作为用于形成源极电极P2和漏极电极P3的金属膜，例如应用包含Al层的多层构造的金属膜(多层金属膜)。更具体地说，应用从下层侧起依次层叠钛膜、铝膜、钛膜而得到的Ti/Al/Ti构造的金属膜、从下层侧起依次层叠钼膜、铝膜、钼膜而得到的Mo/Al/Mo构造的金属膜等。如图1所示，例如在Ti/Al/Ti构造的金属膜的表面图案形成抗蚀膜F3。应用氯气(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、四氯化碳(CCl4)之类的氯系的蚀刻气体(卤系的蚀刻气体)中的任一种气体或者将它们中的至少两种以上气体混合而得到的混合气体，来针对该金属膜进行干蚀刻处理。通过该干蚀刻处理来形成源极电极P2和漏极电极P3。另外，在应用Mo/Al/Mo构造的金属膜的情况下，除了能够应用上述的氯系的蚀刻气体以外，还能够使用六氟化硫(SF6)等氟系的蚀刻气体来针对钼膜进行干蚀刻处理。
当像这样应用氯系的蚀刻气体来图案形成源极电极P2、漏极电极P3时，如图2所示，可能会在抗蚀膜F3附着有氯(Cl)。并且，可能也会在蚀刻后的金属膜即电极P2(P3)附着有氯、氯与铝的化合物即氯化铝(氯系化合物)。当将像这样附着有氯的状态的TFT进行大气搬送以进行之后的抗蚀膜F3的剥离时，附着于抗蚀膜F3、电极P2(P3)的氯与大气中的水分发生反应而生成盐酸，可能成为引起电极P2(P3)的腐蚀的主要原因。因此，作为后处理，能够应用利用四氟化碳(CF4)与氧(O2)的混合气体生成等离子体对基板G进行处理、来去除氯的方法，但在应用SiN膜作为金属膜的基底膜的情况下，在进行该后处理时SiN膜有可能被削减。并且，在金属膜由Mo/Al/Mo构成的情况下，在进行该后处理时钼膜也有可能被削减，从而在钼膜产生底切(undercut)。
因此，在本实施方式中，针对通过应用氯系的蚀刻气体进行蚀刻处理来形成电极P2(P3)之后的基板G进行提供水蒸气(H2O水蒸气、非等离子体水蒸气)的水蒸气处理(下面也称作“后处置”)。通过该水蒸气处理来去除附着于电极P2(P3)的氯。即，如图3所示，H2O水蒸气与附着于电极P2(P3)的氯、氯系化合物发生反应而生成氯化氢(HCl)，氯化氢从电极P2(P3)脱离，由此去除氯、氯系化合物。在该情况下，与大气中的氯与水分之间的反应不同，由于是在稀薄的环境下，因此不会凝结而成为盐酸，而是迅速地作为氯化氢脱离至空间。
<实施方式所涉及的基板处理系统>
接着，参照图4来说明实施方式所涉及的基板处理系统的一例。在此，图4是表示实施方式所涉及的基板处理系统的一例的俯视图。
基板处理系统500是模块化组合设备(Cluster tool)，构成为多腔室型且能够在真空气氛下执行串行处理的系统。在基板处理系统500中，在配设于中央的俯视时呈六边形的搬送装置20(具有搬送腔室，也称作传递模块)的一边，经由闸阀12安装有加载互锁腔室10。另外，在搬送装置20的其它四边，分别经由第二闸门22B(闸阀)安装有四台工艺腔室30A、30B、30C、30D(也称作工艺模块)。并且，在搬送装置20的剩余的一边，经由第一闸门22A(闸阀)安装有本实施方式所涉及的水蒸气处理装置100(后处置腔室)。
各腔室均被控制为相同程度的真空气氛，来被调整为在将第一闸门22A和第二闸门22B打开来进行搬送装置20与各腔室之间的基板G的交接时，不产生腔室间的压力变动。
加载互锁腔室10经由闸阀11来与承载件(未图示)连接，在承载件收容有被载置在承载件载置部(未图示)上的大量的基板G。加载互锁腔室10构成为能够在常压气氛与真空气氛之间切换内部的压力气氛，与承载件之间进行基板G的交接。
加载互锁腔室10例如被层叠为两层，在各个加载互锁腔室10内设置有用于保持基板G的架14、用于对基板G进行位置调节的定位器13。在将加载互锁腔室10控制为真空气氛后，打开闸阀12来使该加载互锁腔室10与同样被控制为真空气氛的搬送装置20连通，从加载互锁腔室10向搬送装置20在X2方向上进行基板G的交接。
在搬送装置20内搭载有搬送机构21，该搬送机构21沿周向即X1方向旋转自如，且向各腔室侧滑动自如。搬送机构21将从加载互锁腔室10交接来的基板G搬送至期望的腔室，第一闸门22A和第二闸门22B打开，由此搬送机构21进行基板G向被调整为与加载互锁腔室10相同程度的真空气氛的各腔室的交接。
在图示例中，工艺腔室30A、30B、30C、30D均为等离子体处理装置，在各腔室中均进行应用卤系的蚀刻气体(氯系的蚀刻气体)的干蚀刻处理。作为基板处理系统500中的基板G的处理的一系列的流程，首先，由搬送装置20将基板G交接到工艺腔室30A，在工艺腔室30A中实施干蚀刻处理。被实施干蚀刻处理后的基板G被交接到搬送装置20(以上，基板G在X3方向上移动)。
如参照图2已经说明的那样，在被交接至搬送装置20的基板G中，在形成于基板G的表面的源极电极P2和漏极电极P3附着有氯、氯系化合物。因此，从搬送装置20将基板G交接到水蒸气处理装置100，在水蒸气处理装置100中通过水蒸气处理进行后处置。通过后处置来从电极P2(P3)去除氯、氯系化合物，并将被去除氯等后的基板G交接到搬送装置20(以上，基板G在X7方向上移动)。
下面，同样，进行搬送装置20与工艺腔室30B之间的在X4方向上的基板G的交接，并进行搬送装置20与水蒸气处理装置100之间的在X7方向上的基板G的交接。另外，进行搬送装置20与工艺腔室30C之间的在X5方向上的基板G的交接，并进行搬送装置20与水蒸气处理装置100之间的在X7方向上的基板G的交接。并且，进行搬送装置20与工艺腔室30D之间的在X6方向上的基板G的交接，并进行搬送装置20与水蒸气处理装置100之间的在X7方向上的基板G的交接。
像这样，基板处理系统500具有应用氯系的蚀刻气体进行干蚀刻处理(等离子体蚀刻处理)的多个蚀刻腔室、以及通过水蒸气处理进行后处置的水蒸气处理装置100。而且，是按照将各蚀刻腔室中的基板G的蚀刻处理和水蒸气处理装置100中的通过水蒸气处理进行的后处置设为一系列的时序的工艺制程、来针对每个蚀刻腔室进行该时序的模块化组合设备。在基板处理系统500中，将下面详细说明的水蒸气处理装置100设为上下两层配置，由此形成生产率更高的模块化组合设备。
此外，也可以是除各工艺腔室均进行干蚀刻处理的方式以外的方式。例如，也可以是各工艺腔室顺序地进行CVD(Chemical Vaper Deposition：化学气相沉积)处理、PVD(Physical Vaper Deposition：物理气相沉积)处理等成膜处理、以及蚀刻处理的方式的模块化组合设备。另外，构成模块化组合设备的搬送装置的平面形状并不限定于图示例的六边形状，应用与所连接的工艺腔室的台数相应的多边形状的搬送装置。
<实施方式所涉及的水蒸气处理装置>
接着，参照图5至图8来说明实施方式所涉及的水蒸气处理装置的一例。在此，图5是实施方式所涉及的水蒸气处理装置的一例的纵剖截面图。另外，图6是图5的VI-VI向视图，是上腔室和下腔室的纵剖截面图，图7是图5的VII-VII向视图，是实施方式所涉及的水蒸气处理装置的一例的横剖截面图。并且，图8是图5的VIII-VIII向视图，是隔离件的纵剖截面图。
水蒸气处理装置100为利用水蒸气对被氯系的蚀刻气体(处理气体的一例)实施处理后的基板G进行处理的装置。水蒸气处理装置100具有上下分离的上腔室110和下腔室130。
上腔室110具有壳体111和上盖112，具备对基板G进行水蒸气处理的处理空间S1。壳体111和上盖112均由铝或铝合金形成。壳体111具有俯视时呈矩形的底板111b和四个侧壁111a。上盖112与壳体111尺寸相同且俯视时呈矩形，在上盖112的下表面的外周设置有框状的卡合凹部112a。
四个侧壁111a的卡合端部111c与框状的卡合凹部112a卡合，并通过固定单元(未图示)来固定双方。此外，上盖112的一边可以经由转动部(未图示)转动自如地安装于壳体111的侧壁111a的一边。例如，在对上腔室110进行维护时等，将上盖112从壳体111拆卸下来，由此能够对上腔室110的内部进行维护。而且，在对上腔室110进行维护后，将上盖112安装到壳体111，由此形成处理空间S1，能够使上腔室110恢复为能够对基板G进行处理的状态。
另一方面，下腔室130具有壳体131和下盖132，具备针对基板G进行水蒸气处理的处理空间S2。壳体131和下盖132均由铝或铝合金形成。壳体131具有俯视时呈矩形的顶板131b和四个侧壁131a。下盖132与壳体131尺寸相同且俯视时呈矩形，在下盖132的上表面的外周设置有框状的卡合凹部132a。
四个侧壁131a的卡合端部131c与框状的卡合凹部132a卡合，并通过固定单元(未图示)来固定双方。此外，下盖132的一边可以经由转动部(未图示)转动自如地安装于壳体131的侧壁131a的一边。例如，在对下腔室130进行维护时等，将下盖132从壳体131拆卸下来，由此能够对下腔室130的内部进行维护。而且，在对下腔室130进行维护后，将下盖132安装到壳体131，由此形成处理空间S2，能够使下腔室130恢复为能够对基板G进行处理的状态。
在下腔室130的顶板131b的上表面载置有多个(在图5中为两个)隔热构件150，在多个隔热构件150上载置有上腔室110。隔热构件150具有隔热性，由特氟龙(注册商标)、氧化铝(Al2O3)等陶瓷、热传导率低的不锈钢等形成。下腔室130和上腔室110经由隔热构件150上下层叠，由此如下面说明的那样，能够抑制被进行了温度调节控制的上腔室110或下腔室130的热传热至另一方的腔室。
铝或铝合金制的上腔室110和下腔室130均具有足够的热容量。因此，在收容基板处理系统500的洁净室等环境下，即使不采取特别的隔热措施，例如也能够始终保持120℃左右以下的温度。而且，在对水蒸气处理装置100进行维护时等，将上腔室110、下腔室130控制为小于60℃的温度，由此作业员能够触碰上腔室110、下腔室130地进行维护等作业。
上腔室110在处于搬送装置20侧的侧壁具备第一开口116，具备第一开口116的侧壁的端面为第一端面115。另一方面，下腔室130在处于搬送装置20侧的侧壁具备第二开口136，具备第二开口136的侧壁的端面为第二端面135。
在搬送装置20具有的第一闸门22A中，在与第一开口116对应的位置处开设有第五开口23，在与第二开口136对应的位置处开设有第六开口24。而且，在第一闸门22A中，例如以沿水平方向或垂直方向滑动自如的方式设置有用于打开关闭第五开口23的第一开闭门25，例如以沿水平方向或垂直方向滑动自如的方式设置有用于打开关闭第六开口24的第二开闭门26。此外，第五开口和第六开口也可以为共用的一个开口(为图示例的第五开口23和第六开口24连续的开口)。即，在本说明书中，除了包括第五开口23和第六开口24如图示例那样为单独的开口的方式以外，还包括第五开口23和第六开口24为共用的开口的方式。
在上腔室110及下腔室130与第一闸门22A之间设有隔离件160，上腔室110及下腔室130与第一闸门22A经由隔离件160彼此相连。
隔离件160为板状构件161，由铝或铝合金形成。在板状构件161开设有与上腔室110的第一开口116及下腔室130的第二开口136分别连通的第三开口164及第四开口165。而且，第三开口164及第四开口165分别与第一闸门22A具备的第五开口23及第六开口24连通。
因而，当第一开闭门25打开时，第一开口116、第三开口164以及第五开口23连通，能够在搬送装置20与上腔室110之间进行基板G的交接。另一方面，当第二开闭门26打开时，第二开口136、第四开口165以及第六开口24连通，能够在搬送装置20与下腔室130之间进行基板G的交接。
在上腔室110的地板面配设有用于载置基板G的第一载置台120。第一载置台120为具备壳体111的内侧的平面尺寸的板状构件，由铝或铝合金形成。此外，第一载置台120也可以由多个长条的块状构件形成，例如能够通过隔开间隙地配设多个块状构件来形成。而且，也可以在该间隙收容构成载置有基板的搬送构件的基板支承部的轴构件(均未图示)。
同样，在下腔室130的地板面配设有用于载置基板G的第二载置台140。第二载置台140为具备壳体131的内侧的平面尺寸的板状构件，由铝或铝合金形成。此外，与第一载置台120同样，第二载置台140也可以由隔开间隙地配设的多个长条的块状构件形成。
在第一载置台120的上表面隔开间隔地配设有多个突起124，在突起124上载置基板G。同样，在第二载置台140的上表面隔开间隔地配设有多个突起144，在突起144上载置基板G。
在上腔室110安装有用于测量处理空间S1内的压力的压力计118，在下腔室130安装有用于测量处理空间S2内的压力的压力计138。通过这些压力计118、138得到的监视信息被发送至控制部400。
上腔室110与同构成水蒸气供给部210的水蒸气的气化器211相通的供给配管连接，在供给配管设有供给阀212。另外，上腔室110与同构成排气部220的涡轮分子泵等真空泵221相通的排气配管连接，在排气配管设有排气阀222。并且，上腔室110与同用于供给氮气(N2)等非活性气体的、构成非活性气体供给部230的供给源231相通的供给配管连接，在供给配管设有供给阀232。
另一方面，下腔室130与同构成水蒸气供给部240的水蒸气的气化器241相通的供给配管连接，在供给配管设有供给阀242。另外，下腔室130与同构成排气部250的涡轮分子泵等真空泵251相通的排气配管连接，在排气配管设有排气阀252。并且，下腔室130与同用于供给氮气(N2)等非活性气体的、构成非活性气体供给部260的供给源261相通的供给配管连接，在供给配管设有供给阀262。
通过使真空泵221、251工作，将处理空间S1、S2调整为真空气氛，并进行差压控制，以使该处理空间S1、S2与同样被调整为真空气氛的搬送装置20之间的压力差尽可能变小。
另外，在上腔室110中，能够通过使排气部220工作来将处理空间S1调整为真空气氛，能够通过使水蒸气供给部210工作向处理空间S1内供给水蒸气，来针对被载置于处理空间S1内的基板G进行水蒸气处理。另外，能够通过一边对处理空间S1内进行抽真空一边从非活性气体供给部230供给非活性气体，来对残留于处理空间S1内的水蒸气、氯化氢等进行吹扫。
另一方面，在下腔室130，能够通过使排气部250工作来将处理空间S2调整为真空气氛，能够通过使水蒸气供给部240工作向处理空间S2内供给水蒸气，来针对被载置于处理空间S2内的基板G进行水蒸气处理。另外，能够通过一边对处理空间S2内进行抽真空一边从非活性气体供给部260供给非活性气体，来对残留于处理空间S2内的水蒸气、氯化氢等进行吹扫。
在第一载置台120设置有供温度调节介质流通的温度调节介质流路122。在图示例的温度调节介质流路122中，例如温度调节介质流路122的一端为温度调节介质的流入部，另一端为温度调节介质的流出部。应用载热体来作为温度调节介质，该载热体应用Galden(注册商标)、Fluorinert(注册商标)等。
此外，也可以在第一载置台120内置加热器等来代替温度调节介质流路122，在该情况下，作为电阻体的加热器能够由钨、钼、或这些金属中的任一种金属与氧化铝、钛等的化合物形成。
另一方面，在第二载置台140设置有供温度调节介质流通的温度调节介质流路142。在图示例的温度调节介质流路142中，例如温度调节介质流路142的一端为温度调节介质的流入部，另一端为温度调节介质的流出部。
由冷却器形成的温度调节源311具有控制温度调节介质的温度、喷出流量的主体部、以及加压输送温度调节介质的泵(均未图示)。
温度调节源311与温度调节介质流路122通过被温度调节源311供给温度调节介质的输送流路312和供流过温度调节介质流路122的温度调节介质返回温度调节源311的返回流路313连接。另外，温度调节源311与温度调节介质流路142通过被温度调节源311供给温度调节介质的输送流路314和供流过温度调节介质流路142的温度调节介质返回温度调节源311的返回流路315连接。
而且，由温度调节源311、输送流路312、返回流路313、输送流路314、以及返回流路315形成载置台温度调节部310。
此外，除了为图示例那样、温度调节介质流路122、142与共用的温度调节源311连接的方式以外，还可以为温度调节介质流路122、142分别具有固有的温度调节源的方式。无论是哪种方式，均分别单独地控制温度调节介质流路122、142。
通过像这样单独地控制温度调节介质流路122、142，例如在对下腔室130进行维护时，能够仅使上腔室110运行来对基板G进行水蒸气处理。在此，如上所述，上腔室110和下腔室130构成为分别具有固有的水蒸气供给部210、240、排气部220、250等，这些各结构部也同样单独地被控制。
构成上腔室110和下腔室130的各结构部分别单独地被控制，由此即使是一方的腔室由于被维护等而停止运行的情况，也能够使另一方的腔室继续运行。因此，能够消除水蒸气处理装置100的运行完全停止，从而在高的生产率下进行水蒸气处理。
另外，在水蒸气处理装置100中，在上腔室110和下腔室130内执行水蒸气处理。因此，能够使实际执行水蒸气处理的腔室的容量尽可能地低容量化。而且，通过对尽可能低的容量的上腔室110和下腔室130的内部进行表面处理修补(耐腐蚀涂布处理等)即可修补，因此也能够容易地进行维护。
另外，图示例的气化器211、241、真空泵221、251分别应用单独的气化器、真空泵，但也可以为应用共用的气化器和共用的真空泵的方式。在该方式中，来自一个气化器的两个系统的供给管与上腔室110及下腔室130连接，在各供给管设有固有的供给阀，单独地执行各供给阀的开闭控制。同样，来自一个真空泵的两个系统的排气管与上腔室110及下腔室130连接，在各排气管设有固有的排气阀，单独地执行各排气阀的开闭控制。在该方式中，能够减少气化器和真空泵的台数，从而能够削减装置的制造成本。
参照图7来说明上腔室110中的水蒸气的供给方式和排气方式。此外，在下腔室130中也能够应用同样的水蒸气的供给方式和排气方式。如图7所示，由主管213和从主管213分支出的多个(图示例为三个)支管214形成供给管215，各支管214与上腔室110的侧壁连接。供给管215与图5所示的气化器211相通。另外，由主管216和从主管216分支出的多个(图示例为三个)支管217形成排气管218。各支管217与上腔室110的侧壁(与支管214贯通的侧壁相向的相反侧的侧壁)连接。排气管218与图5所示的真空泵221相通。
如图7所示，从供给管215具备的多个支管214呈层状地沿Y方向向上腔室110内供给水蒸气。通过该供给方式，能够高效地向被载置在上腔室110内的基板G的整个区域供给水蒸气。另外，通过排气管218具备的多个支管217，能够高效地对上腔室110内的水蒸气、由于后处置而生成的氯化氢(HCl)等进行排气。此外，支管214、217也可以为除图示例的三个以外的数量(一个、五个等)。
此外，也可以应用除图示例以外的水蒸气的供给方式和排气方式。例如，在上腔室的上盖、下腔室的顶板设置供水蒸气供给的流入空间，并在流入空间的下方设置喷淋头供给部，经由喷淋头供给部向处于喷淋头供给部的下方的基板呈喷淋状地供给水蒸气。沿铅垂方向呈喷淋状地被供给来的水蒸气以扩散的方式被供给至基板的整个区域。另外，也可以为在上腔室的上盖、下腔室的顶板连接一个或多个供给配管并经由供给配管来从顶部供给水蒸气的方式，来代替喷淋头供给部。
在水蒸气处理装置100中，通过具有使上腔室110和下腔室130层叠的结构，能够实现水蒸气处理装置100的占用面积的削减和高吞吐量。在此，当假设将上腔室110及下腔室130与搬送装置20的第一闸门22A直接连接时，上腔室110及下腔室130各自的第一开口116和第二开口136的周围有可能强度不良。因此，在水蒸气处理装置100中，应用将上腔室110及下腔室130与隔离件160连接、并将隔离件160与搬送装置20的第一闸门22A连接的结构。通过该结构，能够提高上腔室110及下腔室130各自的第一开口116和第二开口136的周围的强度。
如图5和图6所示，在上腔室110的第一端面115且第一开口116的周围设置有矩形框状的密封槽115a。另外，在下腔室130的第二端面135且第二开口136的周围设置有矩形框状的密封槽135a。
另一方面，在隔离件160的第三端面162且第三开口164的周围的与第一开口116对应的位置设置有矩形框状的密封槽162a，在隔离件160的第三端面162且第四开口165的周围的与第二开口136对应的位置设置有矩形框状的密封槽162b。
矩形框状的O环171嵌入对应的密封槽115a、162a，同样，矩形框状的O环172嵌入对应的密封槽135a、162b。由此，上腔室110及下腔室130与隔离件160经由O环171、172气密地连接。
另外，在第一闸门22A中的第五开口23的周围设置有矩形框状的密封槽22a。另一方面，在隔离件160的第四端面163且与密封槽22a对应的位置设置有密封槽163a，通过矩形框状的O环173嵌入对应的密封槽22a、163a，隔离件160与第一闸门22A经由O环173气密地连接。
另一方面，在第一闸门22A中的第六开口24的周围设置有矩形框状的密封槽22b。另一方面，在隔离件160的第四端面163且与密封槽22b对应的位置设置有密封槽163c。而且，通过矩形框状的O环174嵌入对应的密封槽22b、163c，隔离件160与第一闸门22A经由O环174气密地连接。
在此，作为O环171、172、173的材质，例如能够使用丁腈橡胶(NBR)、氟橡胶(FKM)、硅橡胶(Q)。并且，应用氟硅橡胶(FVMQ)、全氟聚醚系橡胶(FO)、丙烯酸酯橡胶(ACM)、乙丙橡胶(EPM)。
以上，将本实施方式中的第一闸门22A设为如下构造的闸阀进行了说明：分别利用作为阀体的第一开闭门25及第二开闭门26对作为壳体的开口的第五开口23及第六开口24进行打开关闭。此外，也可以为分别利用单独的阀体来直接对隔离件160的第三开口164和第四开口165进行打开关闭、而不是对闸阀的壳体的开口进行打开关闭的方式。在该方式中，无需在第五开口23和第六开口24分别设置单独的密封槽和O环，能够设置包围第五开口23和第六开口24双方的一个密封槽和O环，从而能够使构造简化。
在上腔室110的第一端面115中的矩形框状的密封槽115a的内侧设置有多个螺纹孔115b，螺纹式的间隔物180与各螺纹孔115b螺纹接合。
另外，在下腔室130的第二端面135中的矩形框状的密封槽135a的内侧设置有多个螺纹孔135b，螺纹式的间隔物180与各螺纹孔135b螺纹接合。
并且，在隔离件160的第四端面163中的矩形框状的密封槽163a和密封槽163c的内侧设置有多个螺纹孔163b，螺纹式的间隔物180与各螺纹孔163b螺纹接合。
间隔物180的前端具有尖细的形态或圆尖的形态，各间隔物180的前端与隔离件160的第三端面162、第一闸门22A的端面点接触。
优选间隔物180由热传导率比上腔室110、下腔室130以及隔离件160的形成材料的热传导率低的材料形成。例如，在上腔室110、下腔室130以及隔离件160由铝或铝合金形成的情况下，间隔物180最好由不锈钢等金属、氧化铝等陶瓷形成。
通过像这样、使各端面经由热传导率低的多个点状的间隔物180抵接，能够抑制上腔室110、下腔室130具有的热传递至隔离件160、第一闸门22A。此外，也可以是，除了图示例的结构外，还在隔离件160的第三端面162、第一闸门22A的端面设置螺纹孔，间隔物与这些螺纹孔螺纹接合，还可以是间隔物与设置于第三端面162、第一闸门22A的端面的螺纹孔螺纹接合来代替图示例的结构。
另外，如图5和图8所示，在隔离件160中，在第三开口164的周围设置有供温度调节介质流通的温度调节介质流路166(第一温度调节部的一例)，在第四开口165的周围设置有供温度调节介质流通的温度调节介质流路167(第二温度调节部的一例)。
在图示例的温度调节介质流路166中，例如温度调节介质流路166的一端为温度调节介质的流入部，另一端为温度调节介质的流出部。另外，在温度调节介质流路167中，例如温度调节介质流路167的一端为温度调节介质的流入部，另一端为温度调节介质的流出部。应用载热体来作为温度调节介质，该载热体应用Galden(注册商标)、Fluorinert(注册商标)等。
此外，也可以在隔离件160内置加热器等来代替温度调节介质流路166、167，在该情况下，作为电阻体的加热器能够由钨、钼、或这些金属中的任一种金属与氧化铝、钛等的化合物形成。
由冷却器形成的温度调节源321、331具有控制温度调节介质的温度、喷出流量的主体部、以及加压输送温度调节介质的泵(均未图示)。
温度调节源321与温度调节介质流路166通过被温度调节源321供给温度调节介质的输送流路322和供流过温度调节介质流路166的温度调节介质返回温度调节源321的返回流路323连接。另外，温度调节源331与温度调节介质流路167通过被温度调节源331供给温度调节介质的输送流路332和供流过温度调节介质流路167的温度调节介质返回温度调节源331的返回流路333连接。
而且，由温度调节源321、输送流路322以及返回流路323形成第三开口周围温度调节部320，由温度调节源331、输送流路332以及返回流路333形成第四开口周围温度调节部330。
此外，除了如图示例那样温度调节介质流路166、167与单独的温度调节源321、331连接的方式以外，也可以为温度调节介质流路166、167具有共用的温度调节源的方式。无论哪种方式，均分别单独地控制温度调节介质流路166、167。
通过像这样单独地控制温度调节介质流路166、167，例如在对下腔室130进行维护时，能够将与第二开口136连通的隔离件160的第四开口165的周围与下腔室130同样地调节为即使作业员触碰也没有危险的温度。并且，能够将与第一开口116连通的隔离件160的第三开口164的周围与上腔室110同样地调节为适于进行水蒸气处理的温度，能够对基板G进行水蒸气处理。
在水蒸气处理装置100中，应用将上腔室110及下腔室130与隔离件160连接、并将隔离件160与搬送装置20的第一闸门22A连接的结构。通过该结构，如上所述，能够提高上腔室110和下腔室130各自的第一开口116和第二开口136的周围的强度。
另外，通过在上腔室110及下腔室130与搬送装置20的第一闸门22A之间配设隔离件160，隔离件160具有的第三开口164、第四开口165也成为水蒸气处理空间(工艺空间)。
然而，例如只利用温度调节源311难以相同程度地调整上腔室110及下腔室130内的处理温度与隔离件160的温度，隔离件160可能成为相对的低温区域(所谓的冷点)。在该情况下，相对低温的隔离件160对上腔室110和下腔室130内的处理温度造成影响，可能成为水蒸气处理性能下降的主要原因。另外，容易在隔离件160的第三开口164、第四开口165附着沉积物，还可能成为微粒产生的主要原因。
因此，在水蒸气处理装置100中，设为在隔离件160的第三开口164和第四开口165的周围分别设置单独的第一温度调节部166和第二温度调节部167。通过该结构，在对一方的腔室进行维护时而对另一方的腔室进行水蒸气处理时，能够实现单独的温度控制。而且，能够消除在上腔室110或下腔室130中的水蒸气处理中隔离件160成为冷点。
控制部400控制水蒸气处理装置100的各结构部、例如水蒸气供给部210、240、排气部220、250、非活性气体供给部230、260、温度调节源311、321、331等的动作。控制部400具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)和RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)。CPU按照RAM等存储区域中保存的制程(工艺制程)来执行规定的处理。在制程中设定有与工艺条件相对的水蒸气处理装置100的控制信息。
控制信息例如包括气化器211、241的压力、上腔室110及下腔室130的压力、从气化器211、241供给来的水蒸气的温度或流量、水蒸气供给工艺和从各腔室排气的排气工艺的工艺时间或定时等。
制程和控制部400应用的程序例如可以存储于硬盘、光盘、光磁盘等。另外，可以是制程等在被收容于CD-ROM、DVD、存储卡等可移动且计算机可读取的存储介质的状态下被安装至控制部400来被读取的方式。控制部400此外还具有用于进行命令的输入操作等的键盘、鼠标等输入装置、可视化地显示水蒸气处理装置100的运行状况的显示器等显示装置、以及打印机等输出装置之类的用户接口。
<实施方式所涉及的水蒸气处理方法>
接着，参照图9和图10来说明实施方式所涉及的水蒸气处理方法的一例。在此，图9是表示实施方式所涉及的水蒸气处理装置的处理流程的一例的流程图，图10是表示气化器和上腔室的压力控制方法的一例的图。此外，在下腔室中也执行同样的压力控制。
在实施方式所涉及的水蒸气处理方法中，首先，准备具备图5至图8所示的水蒸气处理装置100的基板处理系统500(准备水蒸气处理装置的工序)，在工艺腔室30A、30B、30C、30D中的任一腔室中对基板G执行干蚀刻处理。
将被实施干蚀刻处理后的基板G从工艺腔室30A等交接至搬送装置20，并从搬送装置20交接至水蒸气处理装置100的上腔室110和下腔室130双方或任一方。然后，通过向上腔室110的处理空间S1、下腔室130的处理空间S2供给水蒸气，来对基板G执行水蒸气处理(供给水蒸气来进行处理的工序)。
更具体地说，如图9所示，对气化器211、241的供给阀212、242进行开启控制(步骤S10)。接着，从气化器211、241向上腔室110或下腔室130供给水蒸气，并保持规定时间，由此执行规定时间的后处置(步骤S12)。
在进行该后处置时，利用载置台温度调节部310对第一载置台120、第二载置台140进行温度调节控制，并且分别利用第三开口周围温度调节部320和第四开口周围温度调节部330对隔离件160的第三开口164的周围和第四开口165的周围进行温度调节控制。
通过该温度调节控制，被调整为上腔室110的处理空间S1、下腔室130的处理空间S2的温度始终不低于气化器211、241的温度。通过该调整，能够抑制被供给来的水蒸气液化。
例如，在提供来的水蒸气的温度例如为20℃至50℃左右的情况下，将上腔室110的处理空间S1、下腔室130的处理空间S2的温度(第一温度的一例)调整为60℃至120℃。该处理空间S1、S2的第一温度为进行水蒸气处理时处理空间S1、S2的温度的阈值。
而且，在水蒸气处理中，将隔离件160的第三开口164的周围和第四开口165的周围也调整为与处理空间S1、S2的第一温度相同或相同程度的温度。
另一方面，例如在使上腔室110运行的状态下对下腔室130进行维护时，将上腔室110的处理空间S1和隔离件160的第三开口164的周围调整为第一温度即60℃至120℃。与此相对，将作为维护对象的下腔室130的处理空间S2和隔离件160的第四开口165的周围调整为小于60℃。由此，能够同时进行一方的腔室中的水蒸气处理和另一方的腔室的维护。
在向上腔室110、下腔室130供给水蒸气时，能够通过尽可能地增大气化器211、241的压力与上腔室110、下腔室130的压力之间的压力差(差压)，来高效地向上腔室110、下腔室130供给水蒸气。因而，优选气化器211、241的压力尽可能地高，上腔室110、下腔室130的压力尽可能地低。
另外，基于气化器211、241的易控制性的观点来说，优选在尽可能低的温度下对气化器211、241进行运转控制。因此，例如，如上所述、向内侧腔室供给20℃至50℃左右的温度的水蒸气。此外，20℃的水蒸气的压力为20Torr(×133.3Pa)左右，50℃的水蒸气的压力为90Torr(×133.3Pa)左右。
像这样，从气化器211、241的运转控制的观点出发，优选供给尽可能低温的水蒸气，另一方面，当水蒸气的温度低时，本次气化器211、241的压力变低，从而难以增大气化器211、241与上腔室110及下腔室130之间的差压。因此，难以高效地向上腔室110、下腔室130供给水蒸气，水蒸气处理时间有可能变长。
然而，在图5等所示的水蒸气处理装置100中，上腔室110、下腔室130的容量尽可能为低容量。因此，即使在提供的水蒸气的温度低的情况下，也能够在尽可能短的时间内增大气化器211、241与上腔室110及下腔室130之间的差压。如图10所示，气化器211、241的压力因水蒸气的供给而逐渐减小，上腔室110和下腔室130的压力因水蒸气的供给而急剧增加。
此外，在对气化器211、241的供给阀212、242进行开启控制(步骤S10)时，可以对上腔室110和下腔室130的排气阀222、252进行闭合控制，也可以对上腔室110和下腔室130的排气阀222、252进行开启控制。
返回图9，在后处置结束后，对气化器211、241的供给阀212、242进行闭合控制(步骤S14)。接着，对上腔室110和下腔室130的排气阀222、252进行开启控制(步骤S16)，由此对上腔室110和下腔室130内的水蒸气以及由于后处置而生成的氯化氢(HCl)等进行排气。
如图10所示，气化器211、241的压力因气化器211、241的供给阀212、242的闭合控制和水蒸气、氯化氢(HCl)等的排气而逐渐增加，上腔室110和下腔室130的压力因气化器211、241的供给阀212、242的闭合控制和水蒸气、氯化氢(HCl)等的排气而急剧减小，形成能够对新的基板进行水蒸气处理的状态。此外，除了从上腔室110和下腔室130进行排气以外，还可以适当地利用非活性气体进行吹扫。
根据图示的水蒸气处理方法，通过应用水蒸气处理装置100，能够在高的生产率下进行水蒸气处理。
另外，在对上腔室110和下腔室130中的任一方进行维护时，能够仅使用另一方来对基板进行水蒸气处理。因而，消除水蒸气处理装置100的运行完全停止，由此也能够在高的生产率下进行水蒸气处理。
<实施方式所涉及的干蚀刻方法>
接着，对实施方式所涉及的干蚀刻方法的一例进行说明。在此，作为处理对象的金属膜是多层构造的金属膜(多层金属膜)，该多层金属膜具备被氯进行蚀刻的、例如由铝形成的金属膜，该金属膜与其它金属膜形成多层构造。作为多层金属膜的一例，能够列举出从下层侧起依次层叠有钛膜、铝膜、钛膜而得到的Ti/Al/Ti构造的金属膜。另外，作为多层金属膜的其它例，能够列举出从下层侧起依次层叠有钼膜、铝膜、钼膜而得到的Mo/Al/Mo构造的金属膜。
在实施方式所涉及的干蚀刻方法中，首先，准备具备图5至图8所示的水蒸气处理装置100的基板处理系统500(准备水蒸气处理装置的工序)。
接着，在构成基板处理系统500的工艺腔室30A、30B、30C、30D中的任一腔室中，对设置于基板G的表面的上述多层金属膜进行干蚀刻处理。在构成多层金属膜的上述任一金属膜的干蚀刻处理中均应用包含氯的气体，例如氯气、三氯化硼气体、四氯化碳气体之类的氯系的蚀刻气体中的任一种气体、或将它们中的至少两种以上气体混合而得到的混合气体。
更详细地说，在针对Ti/Al/Ti构造的金属膜进行的干蚀刻处理中，应用氯气、或氯气与三氯化硼气体的混合气体来作为处理气体。另外，为了形状控制，一边使流量等处理条件变化一边对各金属膜进行多阶段的蚀刻处理。
另外，在针对Mo/Al/Mo构造的金属膜进行的干蚀刻处理中，针对上层的钼膜应用包含六氟化硫等氟系的气体的处理气体。另一方面，针对铝膜，应用氯气与三氯化硼气体的混合气体来作为处理气体，针对下层的钼膜，应用包含氯气等氯系的气体的处理气体(以上为对基板进行蚀刻处理的工序)。
接着，将被包含氯的处理气体针对多层金属膜实施干蚀刻处理后的基板G收容于水蒸气处理装置100的上腔室110和下腔室130双方或任一方。然后，向上腔室110的处理空间S1、下腔室130的处理空间S2供给水蒸气，由此对基板G进行上述的水蒸气处理(后处置)。通过该水蒸气处理来去除附着于图案形成在多层金属膜的表面的抗蚀膜等的氯(以上为供给水蒸气来进行处理的工序)。
在本实施方式所涉及的干蚀刻方法中，在后处置中也利用载置台温度调节部310对第一载置台120、第二载置台140进行温度调节控制。并且，分别利用第三开口周围温度调节部320和第四开口周围温度调节部330对隔离件160的第三开口164的周围和第四开口165的周围进行温度调节控制。通过该温度调节控制，被调整为上腔室110的处理空间S1、下腔室130的处理空间S2的温度(第一温度)始终不低于气化器211、241的温度，能够抑制被供给来的水蒸气液化。
也可以为对在上述实施方式中举出的结构等组合其它的构成要素等而得到的其它实施方式，另外，本公开对在此示出的结构不作任何限定。关于该点，能够在不脱离本公开的主旨的范围内进行变更，能够根据其应用方式适当地决定。

Claims (12)

1.一种水蒸气处理装置，利用水蒸气对被处理气体实施处理后的基板进行处理，并且经由搬送装置具有的第一闸门来与所述搬送装置之间进行所述基板的交接，所述水蒸气处理装置具备：
上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及
隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与所述第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，
其中，所述上腔室具备第一开口，所述下腔室具备第二开口，所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口，所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通，
所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通，
所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部，在所述第四开口的周围具备第二温度调节部，
所述第一温度调节部和所述第二温度调节部能够单独地进行温度调整。
2.根据权利要求1所述的水蒸气处理装置，其特征在于，
所述上腔室和所述下腔室分别具备与所述隔离件相向的第一端面和第二端面，
所述隔离件具备与所述第一端面及所述第二端面相向的第三端面、以及与所述第一闸门相向的第四端面，
在所述第一端面及所述第二端面与所述第三端面中的至少一方、以及所述第四端面设置有多个点状的间隔物，所述第一端面及所述第二端面与所述第三端面经由多个所述间隔物抵接，所述第四端面与所述第一闸门经由多个所述间隔物抵接。
3.根据权利要求2所述的水蒸气处理装置，其特征在于，
在所述第一端面及所述第二端面与所述第三端面中的至少一方、以及所述第四端面设置有多个螺纹孔，螺纹式的所述间隔物与所述螺纹孔螺纹接合。
4.根据权利要求2或3所述的水蒸气处理装置，其特征在于，
所述间隔物由热传导率比所述上腔室、所述下腔室以及所述隔离件的形成材料的热传导率低的材料形成。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的水蒸气处理装置，其特征在于，
所述第一温度调节部和所述第二温度调节部均具备供载热体流通的流路。
6.一种基板处理系统，具有：
利用处理气体对基板进行处理的一个以上的处理装置；
搬送装置，其具备第一闸门和一个以上的第二闸门，所述搬送装置经由所述第二闸门来与所述处理装置之间进行所述基板的交接；以及
水蒸气处理装置，其经由所述第一闸门来与所述搬送装置之间进行所述基板的交接，利用水蒸气对被处理气体实施处理后的所述基板进行处理，
其中，所述水蒸气处理装置具有：
上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及
隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与所述第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，
其中，所述上腔室具备第一开口，所述下腔室具备第二开口，所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口，所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通，
所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通，
所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部，在所述第四开口的周围具备第二温度调节部，
所述第一温度调节部和所述第二温度调节部能够单独地进行温度调整。
7.一种水蒸气处理方法，经由搬送装置具有的第一闸门来与所述搬送装置之间进行基板的交接，利用水蒸气对被处理气体实施处理后的所述基板进行处理，所述水蒸气处理方法包括以下工序：
准备水蒸气处理装置，所述水蒸气处理装置具有：
上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及
隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与所述第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，
其中，所述上腔室具备第一开口，所述下腔室具备第二开口，所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口，所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通，
所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通，
所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部，在所述第四开口的周围具备第二温度调节部，
所述第一温度调节部和所述第二温度调节部能够单独地进行温度调整；以及
在所述上腔室和所述下腔室中的至少一方收容被处理气体实施处理后的所述基板，并供给水蒸气来进行处理，
其中，在供给所述水蒸气来进行处理的工序中，在使所述上腔室和所述下腔室中的至少一方的温度为第一温度以上的温度气氛下进行处理时，将对应的所述第三开口的周围或所述第四开口的周围调整为所述第一温度以上的相同的温度、或者将所述第三开口的周围和所述第四开口的周围这双方均调整为所述第一温度以上的相同的温度。
8.根据权利要求7所述的水蒸气处理方法，其特征在于，
所述第一温度为60℃以上且120℃以下。
9.根据权利要求7或8所述的水蒸气处理方法，其特征在于，
在维护所述上腔室和所述下腔室中的任一方的腔室时，只使用另一方的腔室对所述基板供给水蒸气来进行处理，
将与要被维护的所述一方的腔室对应的所述第三开口的周围或所述第四开口的周围的温度调整为小于所述第一温度的温度。
10.一种干蚀刻方法，在工艺腔室中利用处理气体对基板实施处理之后，经由搬送装置具有的第一闸门来进行所述基板的交接，利用水蒸气对所述基板进行处理，所述干蚀刻方法包括以下工序：
准备水蒸气处理装置，所述水蒸气处理装置具有：
上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及
隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与所述第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，
其中，所述上腔室具备第一开口，所述下腔室具备第二开口，所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口，所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通，
所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通，
所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部，在所述第四开口的周围具备第二温度调节部，
所述第一温度调节部和所述第二温度调节部能够单独地进行温度调整；
在所述工艺腔室中收容具有包含铝的多层构造的金属膜的所述基板，利用含有含氯气体的所述处理气体生成等离子体来对所述基板进行蚀刻处理；以及
在所述上腔室和所述下腔室中的至少一方收容被所述处理气体实施处理后的所述基板，并供给水蒸气来进行处理，
其中，在供给所述水蒸气来进行处理的工序中，在使所述上腔室和所述下腔室中的至少一方的温度为第一温度以上的温度气氛下进行处理时，将对应的所述第三开口的周围或所述第四开口的周围调整为所述第一温度以上的相同的温度、或者将所述第三开口的周围和所述第四开口的周围这双方均调整为所述第一温度以上的相同的温度。
11.根据权利要求10所述的干蚀刻方法，其特征在于，
所述金属膜由铝膜以及处于所述铝膜的上层和下层的钛膜或钼膜形成。
12.根据权利要求10或11所述的干蚀刻方法，其特征在于，
所述含氯气体为氯气、三氯化硼气体、四氯化碳气体中的任一种气体、或者将它们中的至少两种以上气体混合而得到的混合气体。
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