JP2023134917A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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毅 伊藤
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Takanori Wakabayashi
淳志 安友
Atsushi Yasutomo
久 松井
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國男 宮内
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Abstract

Figure 2023134917000001
【課題】本開示は、基板に付着した物質を効率よく除去する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属膜を有し、前記金属膜が塩素を含有するエッチングプラズマによりエッチング処理を施された基板の後処理を行う基板処理方法であって、ａ）前記後処理を行うための後処理チャンバに前記基板を搬入し、前記後処理チャンバの内部に配置される載置台に載置する工程と、ｂ）前記後処理チャンバに水蒸気を供給し前記基板に前記水蒸気による処理を施す工程と、ｃ）前記後処理チャンバに、前記後処理チャンバの外部に設けられる後処理プラズマ源から後処理プラズマを供給し、前記基板に前記後処理プラズマによる処理を施す工程と、を含む基板処理方法。
【選択図】図９

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
特許文献１には、処理ガスによる処理が施された基板に対して水蒸気処理を行う水蒸気処理方法及び水蒸気処理装置が開示されている。
特開２０２１－１１１７７３号公報
本開示は、基板に付着した物質を効率よく除去する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
本開示の一の態様によれば、金属膜を有し、前記金属膜が塩素を含有するエッチングプラズマによりエッチング処理を施された基板の後処理を行う基板処理方法であって、ａ）前記後処理を行うための後処理チャンバに前記基板を搬入し、前記後処理チャンバの内部に配置される載置台に載置する工程と、ｂ）前記後処理チャンバに水蒸気を供給し前記基板に前記水蒸気による処理を施す工程と、ｃ）前記後処理チャンバに、前記後処理チャンバの外部に設けられる後処理プラズマ源から後処理プラズマを供給し、前記基板に前記後処理プラズマによる処理を施す工程と、を含む基板処理方法が提供される。
本開示は、基板に付着した物質を効率よく除去する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
図１は、本実施形態に係る基板処理装置による後処理が適用される薄膜トランジスタの一例を示す縦断面図である。 図２は、エッチング処理後の電極近傍の状態を示す模式図である。 図３は、後処理後の電極近傍の状態を示す模式図である。 図４は、本実施形態に係る基板処理システムの一例を示す平面図である。 図５は、本実施形態に係る基板処理装置の一例の縦断面図である。 図６は、図５のＶＩ－ＶＩ矢視図であって、上チャンバ及び下チャンバの縦断面図である。 図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ矢視図であって、本実施形態に係る基板処理装置の一例の横断面図である。 図８は、図５のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ矢視図であって、間座の縦断面図である。 図９は、本実施形態に係る基板処理装置による処理フローの一例を示すフローチャートである。 図１０は、本実施形態に係る基板処理装置を用いて基板を洗浄したときの塩素残留量について評価を行った結果を示す図である。 図１１は、基板を洗浄したときの基板に対する影響について説明する図である。 図１２は、基板を洗浄したときの基板に対する影響について説明する図である。 図１３は、基板を洗浄したときの基板に対する影響について説明する図である。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直が含まれてもよい。
［実施形態］
＜後処理が適用される薄膜トランジスタの一例＞
はじめに、図１から図３を参照して、本実施形態に係る基板処理装置により後処理が適用される薄膜トランジスタの一例について説明する。ここで、図１は、本実施形態に係る基板処理装置による後処理が適用される薄膜トランジスタの一例を示す縦断面図である。また、図２は、エッチング処理後の電極近傍の状態を示す模式図であり、図３は、後処理後の電極近傍の状態を示す模式図である。
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が使用される。フラットパネルディスプレイに使用される薄膜トランジスタは、ガラス基板などの基板Ｇの上に形成される。具体的には、基板Ｇの上に、ゲート電極やゲート絶縁膜、半導体層などをパターニングしながら順次積層していくことにより、ＴＦＴが形成される。
なお、フラットパネルディスプレイ用基板の平面寸法は世代の推移と共に大規模化している。基板処理システム５００（図４参照）によって処理される基板Ｇの平面寸法は、例えば、第６世代の１５００ミリメートル×１８００ミリメートル程度の寸法から、第１０．５世代の３０００ミリメートル×３４００ミリメートル程度の寸法までを少なくとも含む。また、基板Ｇの厚みは０．２ミリメートルから数ミリメートル程度である。
図１には、チャネルエッチ型のボトムゲート型構造のＴＦＴを示している。図１に図示するＴＦＴは、ガラス基板である基板Ｇ上にゲート電極Ｐ１が形成される。そして、ゲート電極Ｐ１が形成された基板Ｇの上に窒化シリコン膜などからなるゲート絶縁膜Ｆ１が形成される。さらに、ゲート絶縁膜Ｆ１が形成された基板Ｇの上に表面がｎ＋ドープされたアモルファスシリコンや酸化物半導体により形成される半導体層Ｆ２が積層される。半導体層Ｆ２の上層側には金属膜が成膜され、成膜された金属膜がエッチングされることにより、ソース電極Ｐ２（電極の一例）とドレイン電極Ｐ３（電極の一例）が形成される。
ソース電極Ｐ２とドレイン電極Ｐ３が形成された後、ｎ＋ドープされた半導体層Ｆ２の表面をエッチングすることにより、ＴＦＴにおけるチャネル部が形成される。次いで、表面を保護するために、例えば、窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜が形成される（図示せず）。そして、パッシベーション膜の表面に形成されたコンタクトホールを介してソース電極Ｐ２やドレイン電極Ｐ３が酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）などの不図示の透明電極に接続される。この透明電極が駆動回路や駆動電極に接続されることにより、フラットパネルディスプレイが形成される。
なお、図示例のボトムゲート型構造のＴＦＴ以外にも、トップゲート型構造のＴＦＴなどもある。
図示するＴＦＴにおいて、ソース電極Ｐ２とドレイン電極Ｐ３を形成するための金属膜としては、例えばＡｌを含む多層構造の金属膜（多層金属膜）が適用される。より具体的には、下層側から順に、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜が積層されたＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の金属膜や、下層側から順に、モリブデン膜、アルミニウム膜、モリブデン膜が積層されたＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ構造の金属膜などが適用される。
図１に示すように、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の金属膜の表面にはレジスト膜Ｆ３がパターニングされる。この金属膜に対して、塩素ガス（Ｃｌ２）や三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）といった塩素系のエッチングガス（ハロゲン系のエッチングガス）のいずれか一種のガスを適用してドライエッチング処理を行う。また、この金属膜に対して、塩素ガス（Ｃｌ２）や三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）といった塩素系のエッチングガス（ハロゲン系のエッチングガス）の少なくとも二種以上が混合された混合ガスを適用してドライエッチング処理を行ってもよい。このドライエッチング処理により、ソース電極Ｐ２とドレイン電極Ｐ３が形成される。
また、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ構造の金属膜を適用する場合には、上記する塩素系のエッチングガスを適用できることに加えて、モリブデン膜に対しては六フッ化硫黄（ＳＦ６）などのフッ素系のエッチングガスを用いてドライエッチング処理を行うこともできる。
このように、塩素系のエッチングガスを適用してソース電極Ｐ２やドレイン電極Ｐ３をパターニングすると、図２に示すように、レジスト膜Ｆ３に塩素（Ｃｌ）が付着し得る。さらに、エッチングされた金属膜であるソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）にも、塩素や塩素とアルミニウムの化合物である塩化アルミニウム（塩素系化合物）が付着し得る。このように塩素が付着した状態のＴＦＴをその後のレジスト膜Ｆ３の剥離のために大気搬送すると、レジスト膜Ｆ３やソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）に付着している塩素と大気中の水分とが反応して塩酸が生成される。塩酸が生成されると、ソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）のコロージョンを引き起こす要因となり得る。
そこで、後処理として、四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガスによるプラズマを生成して基板Ｇを処理し、塩素を除去する方法が適用され得る。しかしながら、金属膜の下地膜として窒化シリコン膜や有機膜が適用されている場合は、この後処理の際に窒化シリコン膜や有機膜が削られてしまうおそれがある。さらに、金属膜がＭｏ／Ａｌ／Ｍｏで構成されている場合は、この後処理の際にモリブデン膜が削られ、モリブデン膜にアンダーカットが生じる恐れもある。
そこで、本実施形態では、塩素系のエッチングガスを適用してエッチング処理を行うことによりソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）が形成された後の基板Ｇに対して、水蒸気洗浄処理とプラズマ洗浄処理を組み合わせた処理を行う。水蒸気洗浄処理は、水蒸気（Ｈ２Ｏ水蒸気、非プラズマ水蒸気）により基板Ｇを洗浄する処理である。プラズマ洗浄処理は、外部から後処理プラズマを導入して、後処理プラズマにより基板Ｇを洗浄する処理である。なお、水蒸気洗浄処理とプラズマ洗浄処理を組み合わせた処理を後処理という場合がある。本実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置では、水蒸気洗浄処理及びプラズマ洗浄処理を組み合わせることにより、ソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）に付着している塩素を除去する。
すなわち、図３に示すように、Ｈ２Ｏ水蒸気は、ソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）に付着している塩素や塩素系化合物と反応して塩化水素（ＨＣｌ）を生成する。そして、ソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）から塩化水素が離脱することにより塩素や塩素系化合物を除去する。この場合、大気中での塩素と水分との反応とは異なり、希薄な環境下であるために凝縮して塩酸となることなく、速やかに塩化水素として空間に離脱する。
＜本実施形態に係る基板処理システム＞
次に、図４を参照して、本実施形態に係る基板処理システムの一例について説明する。ここで、図４は、本実施形態に係る基板処理システムの一例である基板処理システム５００を示す平面図である。
基板処理システム５００は、いわゆる、クラスターツールである。基板処理システム５００は、マルチチャンバ型で、真空雰囲気下においてシリアル処理が実行可能なシステムとして構成される。
基板処理システム５００は、ロードロックチャンバ１０と、搬送装置２０と、プロセスチャンバ３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ及び３０Ｄと、後処理装置１００（基板処理装置の一例）と、を備える。搬送装置２０は、基板処理システム５００の中央に配設される。搬送装置２０は、搬送チャンバを備える。搬送装置２０は、トランスファーモジュールとも称する。
搬送装置２０は、平面視六角形の形状を有する。搬送装置２０の一辺には、ゲートバルブ１２を介してロードロックチャンバ１０が取り付けられる。また、搬送装置２０の他の四辺には、それぞれ第２ゲート２２Ｂ（ゲートバルブ）を介して四基のプロセスチャンバ３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ及び３０Ｄ（プロセスモジュールともいう）が取り付けられる。さらに、搬送装置２０の残りの一辺には、第１ゲート２２Ａ（ゲートバルブ）を介して本実施形態に係る後処理装置１００（後処理チャンバ）が取り付けられる。
各チャンバはいずれも同程度の真空雰囲気となるように制御される。同程度の真空雰囲気となるように制御されることにより、第１ゲート２２Ａ及び第２ゲート２２Ｂが開いて搬送装置２０と各チャンバとの間の基板Ｇの受け渡しが行われる際に、チャンバ間の圧力変動が生じないように調整される。
ロードロックチャンバ１０には、ゲートバルブ１１を介して、キャリア（図示せず）に接続され大気搬送ロボット（図示せず）を備えた大気搬送モジュール（図示せず）が接続される。キャリアには、キャリア載置部（図示せず）上に載置されている多数の基板Ｇが収容される。ロードロックチャンバ１０は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で内部の圧力雰囲気を切り替えできるように構成される。ロードロックチャンバ１０は、大気搬送モジュールとの間でキャリアから大気搬送ロボットにより引き出された基板Ｇの受け渡しを行う。
ロードロックチャンバ１０は、例えば二段に積層される。ロードロックチャンバ１０のそれぞれの内部には、基板Ｇを保持するラック１４や基板Ｇの位置調節を行うポジショナー１３が設けられる。ロードロックチャンバ１０が真空雰囲気に制御された後、ゲートバルブ１２が開いて同様に真空雰囲気に制御されている搬送装置２０と連通する。そして、ロードロックチャンバ１０から搬送装置２０に対してＸ２方向に基板Ｇの受け渡しを行う。
搬送装置２０内には周方向であるＸ１方向に回転自在であって、かつ、各チャンバ側へスライド自在な搬送機構２１が搭載されている。搬送機構２１は、ロードロックチャンバ１０から受け渡された基板Ｇを所望のチャンバまで搬送する。第１ゲート２２Ａと第２ゲート２２Ｂが開くことにより、ロードロックチャンバ１０と同程度の真空雰囲気に調整されている各チャンバへの基板Ｇの受け渡しを行う。
図示例では、プロセスチャンバ３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ及び３０Ｄがいずれもプラズマ処理装置である。プロセスチャンバ３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ及び３０Ｄのそれぞれでは、いずれもハロゲン系のエッチングガス（例えば、塩素系のエッチングガス）を適用したドライエッチング処理が行われる。基板処理システム５００における基板Ｇの処理の一連の流れとしては、まず、搬送装置２０からプロセスチャンバ３０Ａへ基板Ｇが受け渡される。そして、プロセスチャンバ３０Ａにて、基板Ｇにドライエッチング処理が施される。ドライエッチング処理が施された基板Ｇは、搬送装置２０へ受け渡される（以上、基板ＧはＸ３方向に移動）。
搬送装置２０へ受け渡された基板Ｇには、図２を参照して既に説明したように、基板Ｇの表面に形成されるソース電極Ｐ２とドレイン電極Ｐ３に塩素や塩素系化合物が付着している。搬送装置２０から後処理装置１００に基板Ｇが受け渡される。そして、後処理装置１００にて水蒸気洗浄処理及びプラズマ洗浄処理による後処理が基板Ｇに対して行われる。後処理により、ソース電極Ｐ２（ドレイン電極Ｐ３）から塩素や塩素系化合物が除去される。塩素等が除去された基板Ｇは搬送装置２０に受け渡される（以上、基板ＧはＸ７方向に移動）。
以下、同様に、搬送装置２０とプロセスチャンバ３０Ｂとの間のＸ４方向の基板Ｇの受け渡しが行われ、搬送装置２０と後処理装置１００との間のＸ７方向の基板Ｇの受け渡しが行われる。また、搬送装置２０とプロセスチャンバ３０Ｃとの間のＸ５方向の基板Ｇの受け渡しが行われ、搬送装置２０と後処理装置１００との間のＸ７方向の基板Ｇの受け渡しが行われる。さらに、搬送装置２０とプロセスチャンバ３０Ｄとの間のＸ６方向の基板Ｇの受け渡しが行われ、搬送装置２０と後処理装置１００との間のＸ７方向の基板Ｇの受け渡しが行われる。
基板処理システム５００は、塩素系のエッチングガスを適用したドライエッチング処理（プラズマエッチング処理）を行う複数のエッチングチャンバと、水蒸気洗浄処理及びプラズマ洗浄処理による後処理を行う後処理装置１００と、を備える。そして、基板処理システム５００は、各エッチングチャンバにおける基板Ｇのエッチング処理と、後処理装置１００における水蒸気洗浄処理及びプラズマ洗浄処理による後処理と、を一連のシーケンスとするプロセスレシピに従い処理を行う。基板処理システム５００は、エッチング処理と後処理との一連のシーケンスをエッチングチャンバごとに行うクラスターツールである。基板処理システム５００では、以下で詳説する後処理装置１００を上下二段配置とすることにより、より一層生産性の高いクラスターツールが形成される。
なお、各プロセスチャンバがいずれもドライエッチング処理を行う形態以外の形態であってもよい。例えば、各プロセスチャンバが、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理やＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理等の成膜処理と、エッチング処理とをシーケンシャルに行ってもよい。すなわち、各プロセスチャンバが、成膜処理とエッチング処理とをシーケンシャルに行う形態のクラスターツールであってもよい。また、クラスターツールを構成する搬送装置の平面形状は図示例の六角形状に限定されるものでなく、接続されるプロセスチャンバの基数に応じた多角形状の搬送装置が適用される。
＜本実施形態に係る基板処理装置＞
次に、図５乃至図８を参照して、本実施形態に係る基板処理装置の一例について説明する。ここで、図５は、本実施形態に係る基板処理装置の一例の縦断面図である。また、図６は、図５のＶＩ－ＶＩ矢視図であって、上チャンバ及び下チャンバの縦断面図であり、図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ矢視図であって、本実施形態に係る基板処理装置の一例の横断面図である。さらに、図８は、図５のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ矢視図であって、間座の縦断面図である。
後処理装置１００は、塩素系のエッチングガス（処理ガスの一例）による処理が施された基板Ｇを水蒸気及びリモートプラズマにより処理する装置である。後処理装置１００は、上下に分離された上チャンバ１１０と下チャンバ１３０とを備える。
上チャンバ１１０は、筐体１１１と、上蓋１１２と、を備える。上チャンバ１１０は、基板Ｇに対して後処理が行われる処理空間Ｓ１を有する。筐体１１１及び上蓋１１２のそれぞれはいずれも、アルミニウム又はアルミニウム合金により形成される。筐体１１１は、平面視矩形の底板１１１ｂと、四つの側壁１１１ａとを有する。上蓋１１２は、筐体１１１と同寸法で平面視矩形を呈する。上蓋１１２の下面の外周には、枠状の係合凹部１１２ａが設けられる。
枠状の係合凹部１１２ａに対して、四つの側壁１１１ａの係合端部１１１ｃが係合される。係合凹部１１２ａは、四つの側壁１１１ａの係合端部１１１ｃに、固定手段（図示せず）により固定される。なお、上蓋１１２の一辺が筐体１１１の側壁１１１ａの一辺に回動部（図示せず）を介して回動自在に取り付けられていてもよい。
例えば、上チャンバ１１０をメンテナンス等する際には、筐体１１１から上蓋１１２を取り外すことにより、上チャンバ１１０の内部をメンテナンスできる。そして、上チャンバ１１０のメンテナンスが行われた後、筐体１１１に対して上蓋１１２を取り付けることにより、処理空間Ｓ１が形成されて、上チャンバ１１０を基板Ｇの処理が可能な状態に復元できる。
一方、下チャンバ１３０は、筐体１３１と、下蓋１３２と、を備える。下チャンバ１３０は、基板Ｇに対して後処理が行われる処理空間Ｓ２を有する。筐体１３１及び下蓋１３２のそれぞれはいずれも、アルミニウム又はアルミニウム合金により形成される。筐体１３１は、平面視矩形の天板１３１ｂと、四つの側壁１３１ａとを有する。下蓋１３２は、筐体１３１と同寸法で平面視矩形を呈する。下蓋１３２の上面の外周には枠状の係合凹部１３２ａが設けられる。
枠状の係合凹部１３２ａに対して、四つの側壁１３１ａの係合端部１３１ｃが係合される。係合凹部１３２ａは、四つの側壁１３１ａの係合端部１３１ｃに、固定手段（図示せず）により固定される。なお、下蓋１３２の一辺が筐体１３１の側壁１３１ａの一辺に回動部（図示せず）を介して回動自在に取り付けられていてもよい。
例えば、下チャンバ１３０をメンテナンス等する際には、筐体１３１から下蓋１３２を取り外すことにより、下チャンバ１３０の内部をメンテナンスできる。そして、下チャンバ１３０のメンテナンスが行われた後、筐体１３１に対して下蓋１３２を取り付けることにより、処理空間Ｓ２が形成されて、下チャンバ１３０を基板Ｇの処理が可能な状態に復元できる。
下チャンバ１３０の天板１３１ｂの上面には、複数（図５では二つ）の断熱部材１５０が載置される。また、複数の断熱部材１５０の上には、上チャンバ１１０が載置される。断熱部材１５０は断熱性を有する。断熱部材１５０は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンやアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス、熱伝導率の低いステンレス等により形成される。下チャンバ１３０と上チャンバ１１０が断熱部材１５０を介して上下に積層していることにより、以下で説明するように、温調制御された上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のいずれか一方の熱が他方のチャンバに伝熱されることを抑制できる。
アルミニウムもしくはアルミニウム合金製の上チャンバ１１０と下チャンバ１３０はいずれも、十分な熱容量を有している。上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれはいずれも、十分な熱容量を有しているため、基板処理システム５００が収容されるクリーンルーム等の環境下においては、特別な断熱措置を講じなくても、例えば常時１２０℃程度以下の温度を保持できる。そして、後処理装置１００をメンテナンス等する際には、上チャンバ１１０や下チャンバ１３０を６０℃未満の温度に制御することにより、作業員が上チャンバ１１０や下チャンバ１３０に触れてメンテナンス等の作業をできる。
上チャンバ１１０は、搬送装置２０側の側壁に第１開口１１６を有する。第１開口１１６を有する側壁の端面が第１端面１１５となる。一方、下チャンバ１３０は、搬送装置２０側の側壁に第２開口１３６を有する。第２開口１３６を有する側壁の端面が第２端面１３５となる。
搬送装置２０の有する第１ゲート２２Ａにおいて、第１開口１１６に対応する位置には第５開口２３が開設される。そして、第１ゲート２２Ａにおいて、第５開口２３を開閉する第１開閉扉２５が例えば水平方向もしくは垂直方向にスライド自在に設けられる。また、搬送装置２０の有する第１ゲート２２Ａにおいて、第２開口１３６に対応する位置には第６開口２４が開設される。そして、第１ゲート２２Ａにおいて、第６開口２４を開閉する第２開閉扉２６が例えば水平方向もしくは垂直方向にスライド自在に設けられる。
なお、第５開口２３と第６開口２４が共通の一つの開口（図示例の第５開口２３と第６開口２４が連続した開口）であってもよい。すなわち、本明細書においては、第５開口２３と第６開口２４が図示例のように個別の開口である形態の他、共通の開口である形態を含んでいる。
基板処理システム５００は、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれと第１ゲート２２Ａとの間に介在する間座１６０を備える。上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれは、間座１６０を介して第１ゲート２２Ａと相互に繋がれる。
間座１６０は、板状部材１６１である。間座１６０は、アルミニウム又はアルミニウム合金により形成される。板状部材１６１には、上チャンバ１１０の第１開口１１６に連通する第３開口１６４が開設される。また、板状部材１６１には、下チャンバ１３０の第２開口１３６に連通すると第４開口１６５が開設される。そして、第３開口１６４及び第４開口１６５は、それぞれ第１ゲート２２Ａの備える第５開口２３及び第６開口２４に連通している。
したがって、第１開閉扉２５が開くと、第１開口１１６と第３開口１６４と第５開口２３が連通する。第１開口１１６と第３開口１６４と第５開口２３が連通すると、搬送装置２０と上チャンバ１１０の間において基板Ｇの受け渡しが可能になる。一方、第２開閉扉２６が開くと、第２開口１３６と第４開口１６５と第６開口２４が連通する。第２開口１３６と第４開口１６５と第６開口２４が連通すると、搬送装置２０と下チャンバ１３０の間において基板Ｇの受け渡しが可能になる。
上チャンバ１１０は、床面に、基板Ｇを載置する第１載置台１２０を備える。第１載置台１２０は、筐体１１１の内側の平面寸法を有する板状部材である。第１載置台１２０は、アルミニウム又はアルミニウム合金により形成される。
なお、第１載置台１２０は、複数の長尺のブロック状部材により形成されてもよく、例えば、複数のブロック状部材が隙間を置いて配設されることにより形成できる。そして、この隙間に対して、基板が載置された搬送部材の基板支持部を構成する軸部材（いずれも図示せず）が収容されるようになっていてもよい。
同様に、下チャンバ１３０は、床面に、基板Ｇを載置する第２載置台１４０を備える。第２載置台１４０は、筐体１３１の内側の平面寸法を有する板状部材である。第２載置台１４０は、アルミニウム又はアルミニウム合金により形成される。
なお、第２載置台１４０も第１載置台１２０と同様、隙間をおいて配設された複数の長尺のブロック状部材により形成されてもよい。
第１載置台１２０の上面には、複数の突起１２４が間隔を置いて配設される。突起１２４の上に基板Ｇが載置される。同様に、第２載置台１４０の上面には、複数の突起１４４が間隔を置いて配設される。突起１４４の上に基板Ｇが載置される。
上チャンバ１１０は、処理空間Ｓ１内の圧力を計測する圧力計１１８を備える。下チャンバ１３０は、処理空間Ｓ２内の圧力を計測する圧力計１３８を備える。圧力計１１８及び圧力計１３８のそれぞれによるモニター情報は、制御部４００に送信される。
上チャンバ１１０には、水蒸気供給部２１０を構成する水蒸気の水蒸気源２１１に通じる供給配管２１５が接続される。水蒸気源２１１に通じる供給配管２１５には供給弁２１２が介在している。供給配管２１５を介して水蒸気源２１１から上チャンバ１１０までの経路を水蒸気供給路ＰＶ１という。また、上チャンバ１１０には、排気部２２０を構成するターボ分子ポンプ等の真空ポンプ２２１に通じる排気配管２２５が接続される。真空ポンプ２２１に通じる排気配管２２５には排気弁２２２が介在している。排気配管２２５を介して上チャンバ１１０から真空ポンプ２２１までの経路を排気路ＰＥ１という。
さらに、上チャンバ１１０には、窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスを供給する、不活性ガス供給部２３０を構成する供給源２３１に通じる供給配管２３５が接続される。供給源２３１に通じる供給配管２３５には供給弁２３２が介在している。供給配管２３５を介して供給源２３１から上チャンバ１１０までの経路をガス供給路ＰＧ１という。さらにまた、上チャンバ１１０には、後処理プラズマを供給する、後処理プラズマ供給部６１０を構成する後処理プラズマ源６１１に通じるプラズマ供給配管６１５が接続される。後処理プラズマ源６１１に通じるプラズマ供給配管６１５には供給弁６１２が介在している。プラズマ供給配管６１５を介して後処理プラズマ源６１１から上チャンバ１１０までの経路を後処理プラズマ供給路ＰＰ１という。
一方、下チャンバ１３０には、水蒸気供給部２４０を構成する水蒸気の水蒸気源２４１に通じる供給配管２４５が接続される。水蒸気源２４１に通じる供給配管２４５には供給弁２４２が介在している。供給配管２４５を介して水蒸気源２４１から下チャンバ１３０までの経路を水蒸気供給路ＰＶ２という。また、下チャンバ１３０には、排気部２５０を構成するターボ分子ポンプ等の真空ポンプ２５１に通じる排気配管２５５が接続される。真空ポンプ２５１に通じる排気配管２５５には排気弁２５２が介在している。排気配管２５５を介して下チャンバ１３０から真空ポンプ２５１までの経路を排気路ＰＥ２という。
さらに、下チャンバ１３０には、窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスを供給する、不活性ガス供給部２６０を構成する供給源２６１に通じる供給配管２６５が接続される。供給源２６１に通じる供給配管２６５には供給弁２６２が介在している。供給配管２６５を介して供給源２６１から下チャンバ１３０までの経路をガス供給路ＰＧ２という。さらにまた、下チャンバ１３０には、後処理プラズマを供給する、後処理プラズマ供給部６２０を構成する後処理プラズマ源６２１に通じるプラズマ供給配管６２５が接続される。後処理プラズマ源６２１に通じるプラズマ供給配管６２５には供給弁６２２が介在している。プラズマ供給配管６２５を介して後処理プラズマ源６２１から下チャンバ１３０までの経路を後処理プラズマ供給路ＰＰ２という。
後処理プラズマ源６１１は、上チャンバ１１０の外部に設けられる。また、後処理プラズマ源６２１は、下チャンバ１３０の外部に設けられる。後処理プラズマ源６１１及び後処理プラズマ源６２１のそれぞれは、例えば、酸素ガスから後処理プラズマを生成する。
真空ポンプ２２１を作動させることにより、処理空間Ｓ１が真空雰囲気に調整される。また、真空ポンプ２５１を作動させることにより、処理空間Ｓ２が真空雰囲気に調整される。処理空間Ｓ１及び処理空間Ｓ２のそれぞれが真空雰囲気に調整されることにより、同様に真空雰囲気に調整されている搬送装置２０との間の圧力差が可及的に少なくなるように差圧制御が行われる。
また、上チャンバ１１０においては、排気部２２０を作動させることにより、処理空間Ｓ１を真空雰囲気に調整し、水蒸気供給部２１０を作動させて処理空間Ｓ１内に水蒸気を供給する。処理空間Ｓ１内に水蒸気を供給することにより、処理空間Ｓ１内に載置されている基板Ｇに対して水蒸気洗浄処理ができる。また、処理空間Ｓ１内を真空引きしながら不活性ガス供給部２３０から不活性ガスを供給する。不活性ガスを供給することにより、処理空間Ｓ１内に残存する水蒸気や塩化水素等をパージできる。
一方、下チャンバ１３０においては、排気部２５０を作動させることにより、処理空間Ｓ２を真空雰囲気に調整し、水蒸気供給部２４０を作動させて処理空間Ｓ２内に水蒸気を供給する。処理空間Ｓ２内に水蒸気を供給することにより、処理空間Ｓ２内に載置されている基板Ｇに対して水蒸気洗浄処理ができる。また、処理空間Ｓ２内を真空引きしながら不活性ガス供給部２６０から不活性ガスを供給する。不活性ガスを供給することにより、処理空間Ｓ２内に残存する水蒸気や塩化水素等をパージできる。
第１載置台１２０には、温調媒体が流通する温調媒体流路１２２が設けられる。図示例の温調媒体流路１２２では、例えば温調媒体流路１２２の一端が温調媒体の流入部であり、他端が温調媒体の流出部となる。温調媒体としては、例えば、基本構造がパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、パーフルオロカーボン（ＰＦＣ）又はハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）であるフッ素系不活性液体等が適用される。
なお、温調媒体流路１２２に代わり、第１載置台１２０にヒータ等が内蔵されていてもよく、この場合は、抵抗体であるヒータが、タングステンやモリブデン又はこれらの金属のいずれか一種とアルミナやチタン等との化合物から形成され得る。
一方、第２載置台１４０には、温調媒体が流通する温調媒体流路１４２が設けられる。図示例の温調媒体流路１４２では、例えば温調媒体流路１４２の一端が温調媒体の流入部であり、他端が温調媒体の流出部となる。温調媒体としては、例えば、基本構造がパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、パーフルオロカーボン（ＰＦＣ）又はハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）であるフッ素系不活性液体等が適用される。
チラーにより形成される温調源３１１は、温調媒体の温度や吐出流量を制御する本体部と、温調媒体を圧送するポンプとを有する（いずれも図示せず）。
温調源３１１と温調媒体流路１２２は、温調源３１１から温調媒体が供給される送り流路３１２と、温調媒体流路１２２を流通した温調媒体が温調源３１１に戻される戻り流路３１３とにより接続される。また、温調源３１１と温調媒体流路１４２は、温調源３１１から温調媒体が供給される送り流路３１４と、温調媒体流路１４２を流通した温調媒体が温調源３１１に戻される戻り流路３１５とにより接続される。
そして、温調源３１１、送り流路３１２、戻り流路３１３、送り流路３１４及び戻り流路３１５により、載置台温調部３１０が形成される。
なお、図示例のように温調媒体流路１２２及び温調媒体流路１４２のそれぞれが共通の温調源３１１に接続される形態の他、温調媒体流路１２２及び温調媒体流路１４２がそれぞれ固有の温調源を有する形態であってもよい。いずれの形態であっても、温調媒体流路１２２及び温調媒体流路１４２のそれぞれが個別に制御されるようになっている。
上記において説明したように、温調媒体流路１２２及び温調媒体流路１４２のそれぞれが個別に制御されることにより、例えば、下チャンバ１３０をメンテナンスする際に、上チャンバ１１０のみを稼働させて基板Ｇの後処理をできる。上チャンバ１１０は、固有の水蒸気供給部２１０と排気部２２０等を備える。また、下チャンバ１３０は、固有の水蒸気供給部２４０と排気部２５０等を備える。したがって、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれは、各構成部を個別制御できるように構成される。
上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれを構成する各構成部がそれぞれ個別制御されることにより、一方のチャンバがメンテナンス等で稼働停止している場合であっても、他方のチャンバの稼働を継続できる。そのため、後処理装置１００の稼働が完全に停止することが解消され、高い生産性の下で後処理をできる。
また、後処理装置１００では、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０内にて後処理が実行される。そのため、実際に後処理が実行されるチャンバの容量を可及的に低容量化できる。そして、可及的に低容量な上チャンバ１１０と下チャンバ１３０の内部の表面処理補修（耐食コート処理等）を行うことで補修が足りることから、メンテナンスも容易に行うことができる。
また、図示例の水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１や真空ポンプ２２１及び真空ポンプ２５１は、それぞれ個別の水蒸気源や真空ポンプが適用されているが、共通の水蒸気源と共通の真空ポンプを適用する形態であってもよい。この形態では、一つの水蒸気源から二系統の供給配管が上チャンバ１１０と下チャンバ１３０に接続され、各供給配管に固有の供給弁が介在し、各供給弁の開閉制御を個別に実行する。同様に、一つの真空ポンプから二系統の排気配管が上チャンバ１１０と下チャンバ１３０に接続され、各排気配管に固有の排気弁が介在し、各排気弁の開閉制御を個別に実行する。この形態では、水蒸気源と真空ポンプの基数を低減することができ、装置の製造コストを削減できる。
図７を参照して、上チャンバ１１０における水蒸気の供給形態と排気形態及び後処理プラズマの供給形態について説明する。なお、下チャンバ１３０においても同様の水蒸気の供給形態と排気形態及び後処理プラズマの供給形態が適用できる。図７に示すように、供給配管２１５は、主管２１３と、主管２１３から分岐する複数（図示例は４本）の枝管２１４と、により形成される。枝管２１４のそれぞれは、上チャンバ１１０の側壁に接続される。供給配管２１５は、図５に示す水蒸気源２１１に通じている。
また、排気配管２２５は、主管２２６と、主管２２６から分岐する複数（図示例は３本）の枝管２２７と、により形成される。枝管２２７のそれぞれは、上チャンバ１１０の側壁（枝管２１４が貫通する側壁と対向する反対側の側壁）に接続される。排気配管２２５は、図５に示す真空ポンプ２２１に通じている。
さらに、プラズマ供給配管６１５は、上チャンバ１１０の側壁（図示例では、枝管２１４が接続されるのと同じ側壁）に接続される。プラズマ供給配管６１５は、図５に示す後処理プラズマ源６２１に通じている。プラズマ供給配管６１５から矢印付き線Ｐの方向に後処理プラズマが供給される。
図７に示すように、上チャンバ１１０内において、供給配管２１５の備える複数本の枝管２１４から層状にＹ方向に水蒸気が供給される。この供給態様により、上チャンバ１１０内に載置されている基板Ｇの全域に、効率的に水蒸気を供給できる。また、排気配管２２５の備える複数本の枝管２２７により、上チャンバ１１０内の水蒸気や後処理により生成された塩化水素（ＨＣｌ）等を、効率的に排気できる。なお、枝管２１４及び枝管２２７のそれぞれの本数は、図示例以外の数（１本、５本等）であってもよい。
なお、図示例以外の水蒸気の供給形態と排気形態が適用されてもよい。例えば、上チャンバの上蓋や下チャンバの天板に水蒸気が供給される流入空間を設け、流入空間の下方にシャワーヘッド供給部を設け、シャワーヘッド供給部を介して、シャワーヘッド供給部の下方の基板に水蒸気をシャワー状に供給する。鉛直方向にシャワー状に供給された水蒸気は、基板の全域に拡散しながら供給される。また、シャワーヘッド供給部に代わり、上チャンバの上蓋や下チャンバの天板に一本もしくは複数本の供給配管を接続し、供給配管を介して水蒸気を天井から供給する形態であってもよい。
後処理装置１００においては、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０を積層させた構成を有することにより、後処理装置１００のフットプリントの削減と高スループットを実現できる。ここで、仮に、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０を搬送装置２０の第１ゲート２２Ａに直接接続すると、上チャンバ１１０における第１開口１１６及び下チャンバ１３０における第２開口１３６のそれぞれの周囲の強度不良のおそれがある。そこで、後処理装置１００においては、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０を間座１６０に接続する。そして、間座１６０を搬送装置２０の第１ゲート２２Ａに接続する構成を適用している。この構成により、上チャンバ１１０における第１開口１１６及び下チャンバ１３０における第２開口１３６のそれぞれの周囲の強度を高めることができる。
上チャンバ１１０の第１端面１１５における第１開口１１６の周囲と、これに対応する間座１６０の第３端面１６２における第３開口１６４の周囲との間にはシール構造が設けられている。シール構造は、例えば、第１端面１１５における第１開口１１６の周囲と第３端面１６２における第３開口１６４の周囲のいずれか一方若しくは両方に矩形枠状のシール溝（図示しない）が設けられ、シール溝に矩形枠状のＯリング（図示しない）が嵌め込まれている。同様に、下チャンバ１３０の第２端面１３５における第２開口１３６の周囲と、これに対応する間座１６０の第３端面１６２における第４開口１６５の周囲との間にもシール構造が設けられている。シール構造は、例えば、第２端面１３５における第２開口１３６の周囲と第３端面１６２における第４開口１６５の周囲のいずれか一方若しくは両方に矩形枠状のシール溝（図示しない）が設けられ、シール溝に矩形枠状のＯリングが嵌め込まれている。このことにより、Ｏリングを介して、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０と間座１６０が気密に接続される。
また、第１ゲート２２Ａのうち、第５開口２３の周囲と、これに対応する間座１６０の第４端面１６３における第３開口１６４の周囲との間にはシール構造が設けられている。シール構造は、例えば、第５開口２３の周囲と第４端面１６３における第３開口１６４の周囲のいずれか一方若しくは両方に矩形枠状のシール溝（図示しない）が設けられ、シール溝に矩形枠状のＯリング（図示しない）が嵌め込まれている。同様に、第１ゲート２２Ａのうち、第６開口２４の周囲と、これに対応する間座１６０の第４端面１６３における第４開口１６５の周囲のいずれか一方若しくは両方に矩形枠状のシール溝（図示しない）が設けられ、シール溝に矩形枠状のＯリング（図示しない）が嵌め込まれている。このことにより、Ｏリングを介して、間座１６０と第１ゲート２２Ａとが気密に接続される。
以上、本実施形態における第１ゲート２２Ａは、筐体の開口である第５開口２３及び第６開口２４を、弁体である第１開閉扉２５及び第２開閉扉２６によりそれぞれ開閉する構造のゲートバルブとして説明した。なお、ゲートバルブの筐体の開口ではなく、間座１６０の第３開口１６４及び第４開口１６５をそれぞれ個別の弁体で直接開閉する形態であってもよい。この形態では、第５開口２３と第６開口２４のそれぞれに個別のシール溝及びＯリングを設ける必要はなく、第５開口２３と第６開口２４の両方を取り囲む一つのシール溝及びＯリングを設けることができ、構造の簡素化が可能になる。
上チャンバ１１０と間座１６０の間、下チャンバ１３０と間座１６０の間には不図示の断熱構造が設けられており、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０は独立して温度制御が可能な構成となっている。また、第１ゲート２２Ａと間座１６０の間にも断熱構造が設けられている。断熱構造は、例えば、上チャンバ１１０、下チャンバ１３０及び第１ゲート２２Ａと、間座１６０との間にスペーサを介在させるようにしてもよい。スペーサは、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０と間座１６０の形成材料よりも熱伝導率の低い材料により形成されているのが好ましい。例えば、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０と間座１６０が、アルミニウム又はアルミニウム合金により形成されている場合に、ステンレス等の金属やアルミナ等のセラミックスにより形成されるのが好ましい。
また、図５及び図８に示すように、間座１６０において、第３開口１６４の周囲には温調媒体が流通する温調媒体流路１６６（第１温調部の一例）が設けられる。また、間座１６０において、第４開口１６５の周囲には温調媒体が流通する温調媒体流路１６７（第２温調部の一例）が設けられる。
図示例の温調媒体流路１６６では、例えば温調媒体流路１６６の一端が温調媒体の流入部であり、他端が温調媒体の流出部となる。また、温調媒体流路１６７では、例えば温調媒体流路１６７の一端が温調媒体の流入部であり、他端が温調媒体の流出部となる。温調媒体としては、例えば、基本構造がパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、パーフルオロカーボン（ＰＦＣ）又はハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）であるフッ素系不活性液体等が適用される。
なお、温調媒体流路１６６及び温調媒体流路１６７に換えて、間座１６０にヒータ等が内蔵されていてもよく、この場合は、抵抗体であるヒータが、タングステンやモリブデン又はこれらの金属のいずれか一種とアルミナやチタン等との化合物から形成され得る。
チラーにより形成される温調源３２１及び温調源３３１のそれぞれは、温調媒体の温度や吐出流量を制御する本体部と、温調媒体を圧送するポンプとを有する（いずれも図示せず）。
温調源３２１と温調媒体流路１６６は、温調源３２１から温調媒体が供給される送り流路３２２と、温調媒体流路１６６を流通した温調媒体が温調源３２１に戻される戻り流路３２３とにより接続される。また、温調源３３１と温調媒体流路１６７は、温調源３３１から温調媒体が供給される送り流路３３２と、温調媒体流路１６７を流通した温調媒体が温調源３３１に戻される戻り流路３３３とにより接続される。
そして、温調源３２１、送り流路３２２及び戻り流路３２３により、第３開口周囲温調部３２０が形成され、温調源３３１、送り流路３３２及び戻り流路３３３により、第４開口周囲温調部３３０が形成される。
なお、図示例のように温調媒体流路１６６及び温調媒体流路１６７のそれぞれが個別の温調源３２１及び温調源３３１に接続される形態の他、温調媒体流路１６６及び温調媒体流路１６７が共通の温調源を有する形態であってもよい。いずれの形態であっても、温調媒体流路１６６及び温調媒体流路１６７のそれぞれは個別に制御されるようになっている。
このように、温調媒体流路１６６及び温調媒体流路１６７のそれぞれが個別に制御されることにより、例えば、下チャンバ１３０をメンテナンスする際に、第２開口１３６に連通する間座１６０の第４開口１６５の周囲を個別に温調できる。第２開口１３６に連通する間座１６０の第４開口１６５の周囲を個別に温調することにより、下チャンバ１３０と同様に作業員が触れても危険のない温度に温調できる。さらに、第１開口１１６に連通する間座１６０の第３開口１６４の周囲を、上チャンバ１１０と同様に後処理を行うのに適した温度に温調して、基板Ｇの後処理をできる。
後処理装置１００では、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０を間座１６０に接続し、間座１６０を搬送装置２０の第１ゲート２２Ａに接続する構成を適用している。この構成により、上記するように、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれの第１開口１１６及び第２開口１３６の周囲の強度を高めることができる。
ところで、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０と搬送装置２０の第１ゲート２２Ａの間に間座１６０を配設したことにより、間座１６０の有する第３開口１６４や第４開口１６５も後処理空間（プロセス空間）となる。
しかしながら、例えば温調源３１１のみにより、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０内の処理温度と間座１６０の温度を同程度に調整するのは難しく、間座１６０が相対的な低温領域（所謂、コールドスポット）となり得る。この場合、相対的に低温な間座１６０が上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０内の処理温度に影響を与え、水蒸気処理性能の低下の要因となり得る。また、間座１６０の第３開口１６４や第４開口１６５にデポが付着し易くなり、パーティクルの発生原因ともなり得る。
そこで、後処理装置１００においては、間座１６０の第３開口１６４と第４開口１６５の周囲にそれぞれ、個別の第１温調部と第２温調部、すなわち、温調媒体流路１６６と温調媒体流路１６７、を設けることとした。この構成により、一方のチャンバのメンテナンス時において他方のチャンバで後処理する際に、個別の温度制御を実現することが可能になる。そして、上チャンバ１１０又は下チャンバ１３０における後処理において、間座１６０がコールドスポットとなることを解消できる。
制御部４００は、後処理装置１００の各構成部、例えば、水蒸気供給部２１０、２４０や排気部２２０、２５０、後処理プラズマ供給部６１０、６２０、不活性ガス供給部２３０、２６０、温調源３１１、３２１、３３１等の動作を制御する。制御部４００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を備える。ＣＰＵは、ＲＡＭ等の記憶領域に格納されたレシピ（プロセスレシピ）に従い、所定の処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する後処理装置１００の制御情報が設定されている。
制御情報には、例えば、水蒸気源２１１、２４１の圧力や上チャンバ１１０と下チャンバ１３０の圧力、水蒸気源２１１、２４１から供給される水蒸気の温度や流量、水蒸気供給プロセスと各チャンバからの排気プロセスのプロセス時間やタイミング等が含まれる。また、制御情報には、例えば、後処理プラズマを供給する後処理プラズマ源６１１、６２１の圧力等が含まれる。
レシピ及び制御部４００が適用するプログラムは、例えば、ハードディスクやコンパクトディスク、光磁気ディスク等に記憶されてもよい。また、レシピ等は、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、メモリカード等の可搬性のコンピュータによる読み取りが可能な記憶媒体に収容された状態で制御部４００にセットされ、読み出される形態であってもよい。制御部４００はその他、コマンドの入力操作等を行うキーボードやマウス等の入力装置、後処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等の表示装置及びプリンタ等の出力装置といったユーザーインターフェイスを有している。
＜本実施形態に係る基板処理方法＞
次に、図９を参照して、本実施形態に係る基板処理方法の一例について説明する。ここで、図９は、本実施形態に係る基板処理装置による処理フローの一例を示すフローチャートである。
本実施形態に係る基板処理方法では、まず、図５から図８に示す後処理装置１００を備えた基板処理システム５００を用意する（基板処理装置を用意する工程）。そして、本実施形態に係る基板処理方法では、プロセスチャンバ３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ及び３０Ｄのいずれかにおいて、基板Ｇに対してドライエッチング処理を実行する。なお、基板Ｇは、金属膜を有する基板であるとする。そして、基板Ｇの金属膜を、塩素を含有するエッチングプラズマによりドライエッチング処理を行う。
ドライエッチング処理が施された基板Ｇは、ドライエッチング処理を行ったプロセスチャンバ３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ及び３０Ｄのいずれかから搬送装置２０へ受け渡される。また、基板Ｇは、搬送装置２０から後処理装置１００の上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のいずれかに受け渡される。なお、２枚の基板Ｇを、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれに受け渡してもよい。
いいかえると、ドライエッチング処理が施された基板Ｇを、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のいずれかに配置する（ステップＳ１０）。具体的には、ドライエッチング処理が施された基板Ｇを、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のいずれかに搬入する。そして、基板Ｇが上チャンバ１１０に搬入される場合は、上チャンバ１１０の内部に配置される第１載置台１２０に基板Ｇが載置される。また、基板Ｇが下チャンバ１３０に搬入される場合は、下チャンバ１３０の内部に配置される第２載置台１４０に基板Ｇが載置される。以下の説明においては、２枚の基板Ｇが、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれに配置されて、同時に後処理を行う場合について説明する。
次に、上チャンバ１１０の処理空間Ｓ１及び下チャンバ１３０の処理空間Ｓ２のそれぞれに水蒸気を供給することにより、基板Ｇに対する水蒸気洗浄処理を実行する（ステップＳ２０、水蒸気洗浄処理工程）。
ステップＳ２０についてより具体的に説明する。ステップＳ２０において、図９に示すように、水蒸気源２１１の供給弁２１２及び水蒸気源２４１の供給弁２４２のそれぞれを開制御する（ステップＳ２２）。次いで、水蒸気源２１１から上チャンバ１１０に対して水蒸気を供給する。また、水蒸気源２４１から下チャンバ１３０に対して水蒸気を供給する。そして、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれに水蒸気を供給した状態で、所定時間保持することにより、所定時間の水蒸気洗浄処理を実行する（ステップＳ２４）。
水蒸気洗浄処理に際し、第１載置台１２０及び第２載置台１４０を載置台温調部３１０にて温調制御するとともに、間座１６０の第３開口１６４の周囲と第４開口１６５の周囲をそれぞれ、第３開口周囲温調部３２０と第４開口周囲温調部３３０にて温調制御する。
この温調制御により、上チャンバ１１０の処理空間Ｓ１及び下チャンバ１３０の処理空間Ｓ２のそれぞれにおける温度が、常に水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれの温度を下回らないように調整する。この調整により、供給された水蒸気の液化を抑制できる。
例えば、提供される水蒸気の温度が例えば２０℃から５０℃程度の場合には、上チャンバ１１０の処理空間Ｓ１や下チャンバ１３０の処理空間Ｓ２における温度（第１温度の一例）を６０℃から１２０℃に調整する。この処理空間Ｓ１及び処理空間Ｓ２のそれぞれにおける第１温度が、水蒸気処理の際の処理空間Ｓ１及び処理空間Ｓ２それぞれにおける温度の閾値となる。
そして、水蒸気洗浄処理においては、間座１６０の第３開口１６４の周囲と第４開口１６５の周囲も、処理空間Ｓ１及び処理空間Ｓ２のそれぞれにおける第１温度と同じか同程度の温度に調整する。
一方、例えば上チャンバ１１０を稼働させた状態で下チャンバ１３０をメンテナンスする際には、上チャンバ１１０の処理空間Ｓ１と間座１６０の第３開口１６４の周囲を、第１温度である６０℃から１２０℃に調整する。これに対して、メンテナンス対象の下チャンバ１３０の処理空間Ｓ２と間座１６０の第４開口１６５の周囲は、６０℃未満に調整する。このことにより、一方のチャンバにおける水蒸気処理と、他方のチャンバのメンテナンスを同時に行うことが可能になる。
上チャンバ１１０に水蒸気を供給するにあたり、水蒸気源２１１の圧力と上チャンバ１１０の圧力の圧力差（差圧）を可及的に大きくすることにより、上チャンバ１１０に対して水蒸気を効率的に供給できる。同様に、下チャンバ１３０に水蒸気を供給するにあたり、水蒸気源２４１の圧力と下チャンバ１３０の圧力の圧力差（差圧）を可及的に大きくすることにより、下チャンバ１３０に対して水蒸気を効率的に供給できる。したがって、水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれは可及的に圧力が高く、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれは可及的に圧力が低いのが好ましい。
ところで、水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれの制御容易性の観点で言えば、水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれは可及的に低い温度で運転制御されるのが好ましい。そこで、例えば、上記するように２０℃から５０℃程度の温度の水蒸気を内側チャンバに供給する。なお、２０℃の水蒸気の圧力は２．６７キロパスカル（２０トル（Ｔｏｒｒ））程度であり、５０℃の水蒸気の圧力は２０．０キロパスカル（９０トル（Ｔｏｒｒ））程度である。
このように、水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれの運転制御の観点から可及的に低温の水蒸気を供給するのが好ましい。一方で、水蒸気の温度が低いと、今度は水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれの圧力が低くなり、水蒸気源２１１と上チャンバ１１０との差圧及び水蒸気源２４１と下チャンバ１３０との差圧を大きくし難くなる。そのため、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれに対して水蒸気を効率的に供給し難くなり、水蒸気処理時間が長くなる恐れがある。
しかしながら、図５等に示す後処理装置１００においては、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれの容量が可及的に低容量である。そのため、提供される水蒸気の温度が低い場合でも、可及的に短時間で水蒸気源２１１と上チャンバ１１０との差圧及び水蒸気源２４１下チャンバ１３０との差圧のそれぞれを大きくできる。
なお、水蒸気源２１１の供給弁２１２及び水蒸気源２４１の供給弁２４２のそれぞれを開制御する（ステップＳ２２）にあたり、上チャンバ１１０の排気弁２２２及び下チャンバ１３０の排気弁２５２のそれぞれは、閉制御されてもよいし、開制御されてもよい。
図９に戻り、水蒸気洗浄処理が終了した後、水蒸気源２１１の供給弁２１２及び水蒸気源２４１の供給弁２４２のそれぞれを閉制御する（ステップＳ２６）。次いで、上チャンバ１１０の排気弁２２２及び下チャンバ１３０の排気弁２５２のそれぞれを開制御することにより（ステップＳ２８）、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０内の水蒸気や水蒸気洗浄処理により生成された塩化水素（ＨＣｌ）等を排気する。
水蒸気源２１１の供給弁２１２及び水蒸気源２４１の供給弁２４２の閉制御と、水蒸気や塩化水素（ＨＣｌ）等の排気により、水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれの圧力が漸増する。一方、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれの圧力は急減する。なお、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０からの排気に加えて、不活性ガスによるパージを適宜行ってもよい。
次に、上チャンバ１１０の処理空間Ｓ１及び下チャンバ１３０の処理空間Ｓ２のそれぞれにプラズマを供給することにより、基板Ｇに対するプラズマ洗浄処理を実行する（ステップＳ３０、プラズマ洗浄処理工程）。
ステップＳ３０についてより具体的に説明する。ステップＳ３０において、図９に示すように、後処理プラズマ源６１１の供給弁６１２及び後処理プラズマ源６２１の供給弁６２２のそれぞれを開制御する（ステップＳ３２）。次いで、後処理プラズマ源６１１から上チャンバ１１０に対して後処理プラズマを供給する。また、後処理プラズマ源６２１から下チャンバ１３０に対して後処理プラズマを供給する。そして、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれに後処理プラズマを供給した状態で、所定時間保持することにより、所定時間のプラズマ洗浄処理を実行する（ステップＳ３４）。
プラズマ洗浄処理に際し、第１載置台１２０及び第２載置台１４０を載置台温調部３１０にて温調制御するとともに、間座１６０の第３開口１６４の周囲と第４開口１６５の周囲をそれぞれ、第３開口周囲温調部３２０と第４開口周囲温調部３３０にて温調制御する。
なお、供給弁６１２及び供給弁６２２のそれぞれを開制御する（ステップＳ３２）にあたり、上チャンバ１１０の排気弁２２２及び下チャンバ１３０の排気弁２５２のそれぞれは、閉制御されてもよいし、開制御されてもよい。
図９に戻り、プラズマ洗浄処理が終了した後、後処理プラズマ源６１１の供給弁６１２及び後処理プラズマ源６２１の供給弁６４２のそれぞれを閉制御する（ステップＳ３６）。次いで、上チャンバ１１０の排気弁２２２及び下チャンバ１３０の排気弁２５２のそれぞれを開制御することにより（ステップＳ３８）、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０内のプラズマ洗浄処理により生成された塩化物等を排気する。
後処理プラズマ源６１１の供給弁６１２及び後処理プラズマ源６２１の供給弁６２２の閉制御と、水蒸気や塩化物等の排気により、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれの圧力は急減する。そして、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれにおいて、新たな基板に対する基板処理が可能な状態が形成される。なお、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０からの排気に加えて、不活性ガスによるパージを適宜行ってもよい。
図示する基板処理方法によれば、後処理装置１００を適用することにより、高い生産性の下で基板処理をできる。
また、上チャンバ１１０と下チャンバ１３０のいずれか一方をメンテナンスする際には、いずれか他方のみを使用して基板に対して水蒸気処理及びプラズマ洗浄処理をできる。したがって、後処理装置１００の稼働が完全に停止することが解消され、このことによっても高い生産性の下で後処理を行うことが可能になる。
なお、図９においては、ステップＳ２０の水蒸気洗浄処理の後に、ステップＳ３０のプラズマ洗浄処理を行っているが、洗浄処理の順番は上記に限らない。例えば、先にステップＳ３０のプラズマ洗浄処理を行って、プラズマ洗浄処理の後にステップＳ２０の水蒸気洗浄処理を行ってもよい。
また、ステップＳ２０の水蒸気洗浄処理とステップＳ３０のプラズマ洗浄処理とを同時に行ってもよい。すなわち、水蒸気源の供給弁の開制御と後処理プラズマ源の供給弁の開制御を同時に行い、所定時間保持して基板Ｇの洗浄を行ってもよい。
＜本実施形態に係るドライエッチング方法＞
次に、本実施形態に係るドライエッチング方法の一例について説明する。ここで、処理対象の金属膜は多層構造の金属膜（多層金属膜）であり、この多層金属膜は、塩素によりエッチングが行われる、例えばアルミニウムにより形成される金属膜を備え、当該金属膜が他の金属膜と多層構造を形成している。多層金属膜の一例として、下層側から順に、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜が積層されたＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の金属膜が挙げられる。また、多層金属膜の他の例として、下層側から順に、モリブデン膜、アルミニウム膜、モリブデン膜が積層されたＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ構造の金属膜が挙げられる。
本実施形態に係るドライエッチング方法では、まず、図５乃至図８に示す後処理装置１００を備えた基板処理システム５００を用意する（基板処理装置を用意する工程）。
次に、基板処理システム５００を構成するプロセスチャンバ３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ及び３０Ｄのいずれかにおいて、基板Ｇの表面に設けられている上記多層金属膜に対してドライエッチング処理を行う。多層金属膜を構成する上記いずれの金属膜のドライエッチング処理においても、塩素を含むガス、例えば、塩素ガスや三塩化ホウ素ガス、四塩化炭素ガスといった塩素系のエッチングガスのいずれか一種のガスが適用される。また、塩素を含むガス、例えば、塩素ガスや三塩化ホウ素ガス、四塩化炭素ガスといった塩素系のエッチングガスのこれらのうちの少なくとも二種以上が混合された混合ガスが適用されてもよい。
より詳細には、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の金属膜に対するドライエッチング処理においては、塩素ガス又は塩素ガスと三塩化ホウ素ガスの混合ガスが処理ガスとして適用される。また、形状制御のために、各金属膜に対して流量などの処理条件を変化させながら多段階のエッチング処理を行う。
また、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ構造の金属膜に対するドライエッチング処理において、上層のモリブデン膜に対しては、六フッ化硫黄などフッ素系のガスを含む処理ガスが適用される。一方、アルミニウム膜に対しては、塩素ガスと三塩化ホウ素ガスの混合ガスが処理ガスとして適用され、下層のモリブデン膜に対しては、塩素ガスなどの塩素系のガスを含む処理ガスが適用される（以上、基板をエッチング処理する工程）。
次に、多層金属膜に対して塩素を含む処理ガスによるドライエッチング処理が施された基板Ｇを、後処理装置１００の上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のいずれかに収容する。そして、上チャンバ１１０の処理空間Ｓ１や下チャンバ１３０の処理空間Ｓ２に水蒸気及びプラズマを供給することにより、基板Ｇに対して上記する基板洗浄処理を行う。この基板洗浄処理により、多層金属膜の表面にパターニングされているレジスト膜等に付着している塩素が除去される（以上、基板を洗浄する工程）。
本実施形態に係るドライエッチング方法においても、後処理においては、第１載置台１２０や第２載置台１４０を載置台温調部３１０にて温調制御する。さらに、間座１６０の第３開口１６４の周囲と第４開口１６５の周囲をそれぞれ、第３開口周囲温調部３２０と第４開口周囲温調部３３０にて温調制御する。この温調制御により、上チャンバ１１０の処理空間Ｓ１及び下チャンバ１３０の処理空間Ｓ２のそれぞれにおける温度（第１温度）が、常に水蒸気源２１１及び水蒸気源２４１のそれぞれの温度を下回らないように調整され、供給された水蒸気の液化を抑制できる。
＜本実施形態に係る基板処理方法により基板Ｇを洗浄する効果＞
本実施形態に係る基板処理方法の効果、すなわち、本実施形態に係る基板処理装置を用いて基板を洗浄したときの効果について説明する。図１０は、本実施形態に係る後処理装置１００を用いて基板Ｇを洗浄したときの塩素残留量について評価を行った結果を示す図である。
基板Ｇは、金属膜が形成された基板である。そして、基板Ｇは、塩素を含有するエッチングプラズマ、例えば、塩素ガスによるエッチングプラズマ、によりドライエッチング処理が施される。基板Ｇには、塩素及び塩素系化合物等が付着している。図１０に示す評価においては、塩素を含有するエッチングプラズマによりドライエッチング処理を行った基板について洗浄能力の評価を行った。
図１０は、基板Ｇについて、図７の領域Ｒａ及び領域Ｒｂにおける塩素残留量を測定した結果を示す。領域Ｒａは、後処理プラズマが供給される供給口に近接する基板Ｇの領域である。領域Ｒｂは、基板Ｇの平面視で略中央の領域である。塩素残留量は、領域Ｒａ及び領域Ｒｂのそれぞれを超純水で溶出し、溶出した超純水に含まれる塩素の量をイオンクロマトグラフィにより求めた。
図１０において、洗浄前の基板Ｇを基準例ＮＴ、水蒸気洗浄処理のみを行った基板Ｇを参考例ＳＶ、水洗処理を行った基板Ｇを参考例ＳＷとする。また、図１０において、水蒸気洗浄処理とプラズマ洗浄処理とを同時に行った基板Ｇを実施例ＥＸ１とする。プラズマ洗浄処理（ステップＳ３０）を行った後に、水蒸気洗浄処理（ステップＳ２０）を行った基板Ｇを実施例ＥＸ２とする。水蒸気洗浄処理（ステップＳ２０）を行った後に、プラズマ洗浄処理（ステップＳ３０）を行った基板Ｇを実施例ＥＸ３とする。
各評価対象における左側の棒グラフは、領域Ｒａにおける塩素残留量である。各評価項目における右側の棒グラフは、領域Ｒｂにおける塩素残留量である。縦軸は、任意単位で示す塩素残留量である。
図１０における基準例ＮＴと参考例ＳＶとを比較して明らかなように、水蒸気洗浄処理を行うことにより、基板Ｇ表面の塩素残留量を半分程度に抑えることができる。一方、基板Ｇを水洗した場合（参考例ＳＷ）と参考例ＳＶとを比較すると、水蒸気洗浄処理のみ参考例ＳＶでは、参考例ＳＷに対して塩素残留量が多くなっている。
本実施形態に係る基板処理方法によれば、図１０の実施例ＥＸ１、実施例ＥＸ２及び実施例ＥＸ３に示すように、水蒸気洗浄処理の場合と比較すると、塩素残留量を減らすことをできる。特に、最初に水蒸気洗浄処理を行って、次に、プラズマ洗浄処理を行うこと（実施例ＥＸ３）によって、水洗と同等の洗浄能力で基板Ｇを洗浄することができた。
＜基板を洗浄したときの基板に対する影響＞
基板Ｇを洗浄することによって、基板Ｇが受ける影響について説明する。図１１は、基板Ｇを洗浄したときの基板Ｇに対する影響について説明するために、エッチング処理後の基板Ｇ１を示す図である。図１１は、基板Ｇ１の一部の断面図である。基板Ｇ１は、図１０における基準例ＮＴに相当する。
基板Ｇ１は、下層から順に、有機膜ＰＬと、金属膜ＭＬと、フォトレジストＰＲと、を備える。基板Ｇにおいて、ドライエッチング処理を行うことにより、フォトレジストＰＲに覆われていない金属膜ＭＬは、除去されている。また、除去された金属膜ＭＬの下に位置する有機膜ＰＬの一部が除去されている。
金属膜ＭＬは、第１金属膜ＭＬ１と、第２金属膜ＭＬ２と、第３金属膜ＭＬ３と、により構成される多層金属膜である。例えば、第１金属膜ＭＬ１及び第３金属膜ＭＬ３のそれぞれはチタン膜、第２金属膜ＭＬ２はアルミニウム膜、である。すなわち、金属膜ＭＬは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の金属膜である。また、第１金属膜ＭＬ１及び第３金属膜ＭＬ３のそれぞれはモリブデン膜、第２金属膜ＭＬ２はアルミニウム膜、であってもよい。すなわち、金属膜ＭＬは、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ構造の金属膜であってもよい。
水蒸気洗浄処理のみの場合（参考例ＳＶ）及び水洗による洗浄処理の場合（参考例ＳＷ）は、基板Ｇの形状変化は、ほとんどない。したがって、水蒸気洗浄処理のみ（参考例ＳＶ）を行った後の基板Ｇの形状及び水洗による洗浄処理（参考例ＳＷ）を行った後の基板の形状は、図１１に示す基板Ｇ１の形状となる。
一方、水蒸気洗浄処理とプラズマ洗浄処理を組み合わせた場合（実施例ＥＸ１、実施例ＥＸ２及び実施例ＥＸ３のそれぞれ）について基板の形状について説明する。図１２は、基板Ｇを水蒸気洗浄処理及びプラズマ洗浄処理により洗浄したときの基板に対する影響について説明する図である。図１２は、水蒸気洗浄処理とプラズマ洗浄処理を組み合わせた洗浄処理後の基板Ｇ２を示す図である。
本実施形態に係る基板処理方法においては、プラズマを用いて洗浄処理を行うことからフォトレジストＰＲがエッチングされて、図１２における領域Ｒｃに示すように、金属膜ＭＬの一部が露出される。一方、有機膜ＰＬは、ほぼ影響を受けない。
一方、例えば、プロセスチャンバにおいて、四フッ化炭素及び酸素によりプラズマ処理を行って後処理を行った場合について説明する。図１３は、基板Ｇをプロセスチャンバ内で洗浄したときの基板に対する影響について説明する図である。図１３は、例えば、プロセスチャンバ内でアフタートリーメント後の基板Ｇｚを示す図である。
プロセスチャンバ内でプラズマを発生させて、基板を洗浄すると、図１３の基板Ｇｚのように、フォトレジストＰＲが大きくエッチングされるとともに、有機膜ＰＬも大きくエッチングされる。図１３における領域Ｒｃｚにおいて、金属膜が露出する。有機膜ＰＬがエッチングされると、矢印付き線ｚａで示すように、領域Ｒｄｚにおいてアンダーカットが発生する。このように、プロセスチャンバ内においてプラズマ処理により洗浄を行うと、基板Ｇに形状変化が伴う。また、洗浄の度合いについても、水蒸気洗浄処理のみの場合と比較して、塩素残留量が多く、腐食が発生する場合がある。
上述のように、本実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置によれば、塩素を含有したエッチングプラズマによりエッチング処理が施された基板に対して、水洗と同じレベルの洗浄ができる。また、本実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置によれば、基板Ｇの形状変化を抑えながら、基板の洗浄ができる。特に、金属膜が有機膜の上に形成されている場合は、有機膜の形状変化を抑えながら洗浄できる。
なお、上チャンバ１１０及び下チャンバ１３０のそれぞれが、後処理チャンバの一例である。
今回開示された本実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置のそれぞれは、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
１００ 後処理装置
１１０ 上チャンバ
１２０ 第１載置台
１３０ 下チャンバ
１４０ 第２載置台
２１０、２４０ 水蒸気供給部
２１１、２４１ 水蒸気源
２１５、２４３ 供給配管
５００ 基板処理システム
６１０、６２０ 後処理プラズマ供給部
６１１、６２１ 後処理プラズマ源
６１５、６２５ プラズマ供給配管
ＰＥ１、ＰＥ２ 排気路
ＰＧ１、ＰＧ２ ガス供給路
ＰＰ１、ＰＰ２ 後処理プラズマ供給路
ＰＶ１、ＰＶ２ 水蒸気供給路

Claims (10)

  1. 金属膜を有し、前記金属膜が塩素を含有するエッチングプラズマによりエッチング処理を施された基板の後処理を行う基板処理方法であって、
    ａ）前記後処理を行うための後処理チャンバに前記基板を搬入し、前記後処理チャンバの内部に配置される載置台に載置する工程と、
    ｂ）前記後処理チャンバに水蒸気を供給し前記基板に前記水蒸気による処理を施す工程と、
    ｃ）前記後処理チャンバに、前記後処理チャンバの外部に設けられる後処理プラズマ源から後処理プラズマを供給し、前記基板に前記後処理プラズマによる処理を施す工程と、
    を含む、
    基板処理方法。
  2. 前記金属膜は、有機膜の上に形成される、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記後処理プラズマは酸素ガスから生成される
    請求項１又は請求項２のいずれかに記載の基板処理方法。
  4. 前記ｃ）の工程は、前記ｂ）の工程の後に行われる、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 前記ｃ）の工程は、前記ｂ）の工程の前に行われる、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 金属膜を有し、前記金属膜が塩素を含有するエッチングプラズマによりエッチング処理を施された基板の後処理を行う基板処理装置であって、
    前記後処理を行うための後処理チャンバと、
    前記後処理チャンバに水蒸気供給路を介して接続された水蒸気源と、
    前記後処理チャンバに後処理プラズマ供給路を介して接続された後処理プラズマ源と、
    前記後処理チャンバ内に配置され、前記基板を載置する載置台と、
    前記後処理を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    ａ）前記後処理チャンバに前記基板を搬入し、前記載置台に前記基板を載置する工程と、
    ｂ）前記後処理チャンバに、前記水蒸気源から前記水蒸気供給路を介して水蒸気を供給し前記基板に前記水蒸気による処理を施す工程と、
    ｃ）前記後処理チャンバに、前記後処理プラズマ源から前記後処理プラズマ供給路を介して後処理プラズマを供給し、前記基板に前記後処理プラズマによる処理を施す工程と、
    を制御する、
    基板処理装置。
  7. 前記金属膜は、有機膜の上に形成される、
    請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記後処理プラズマは酸素ガスから生成される
    請求項６又は請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
  9. 前記ｃ）の工程は、前記ｂ）の工程の後に実行される、
    請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 前記ｃ）の工程は、前記ｂ）の工程の前に実行される、
    請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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