CN113135946A - 多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、包含其的化合物、交联体、材料及装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种式(1)所表示的多环芳香族化合物或具有多个下述式(1)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体、包含其的化合物、交联体、材料及装置。本发明的化合物或多聚体有效用作有机EL元件等的有机器件用材料。

Description

多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、包含其的 化合物、交联体、材料及装置

技术领域

本发明涉及一种多环芳香族化合物、与使用其的有机电致发光元件、有机场效晶体管及有机薄膜太阳电池、以及显示装置及照明装置。此外，本说明书中有时将“有机电致发光元件”表述为“有机EL(Electroluminescence)元件”或仅表述为“元件”，尤其涉及一种多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、包含其的化合物、交联体、材料及装置。

背景技术

从前，使用进行电致发光的发光元件的显示装置因可实现小电力化或薄型化而得到各种研究，进而，包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。特别是，关于具有作为光的三原色之一的蓝色等的发光特性的有机材料的开发，以及关于包括空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发，迄今为止，不论是高分子化合物还是低分子化合物均得到积极研究。

有机EL元件具有如下结构，所述结构包括：包含阳极及阴极的一对电极，以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中，有发光层，或者传输或注入空穴、电子等的电荷的电荷传输/注入层等，且开发有对于这些层而言适当的各种有机材料。

其中，近年来，开发有一种包含硼的多环芳香族化合物作为发光层用材料，并报告有一种使用所述多环芳香族化合物的有机EL元件(专利文献1)。进而，开发有一种在所述化合物的芳香环中导入环烷基而成的多环芳香族化合物，并报告有一种使用所述多环芳香族化合物的有机EL元件(专利文献2及专利文献3)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第2015/102118号

[专利文献2]国际公开第2018/216990号

[专利文献3]国际公开第2019/198699号

发明内容

[发明所要解决的问题]

如上所述，作为有机EL元件中所使用的材料，开发有各种材料，但为了增加有机EL元件用材料的选择项，期望开发一种包含与从前不同的化合物的材料。

本发明的问题在于提供一种有效用作有机EL元件等的有机器件用材料的新颖化合物。

[解决问题的技术手段]

本发明人们为了解决所述问题而进行了努力研究，结果发现，通过将含有在专利文献2或专利文献3中记载的化合物的芳香环与环烷基之间导入连结基而成的多环芳香族化合物的层配置于一对电极间来构成例如有机EL元件，可获得优异的有机EL元件，从而完成了本发明。即，本发明提供一种具有环烷基以如下方式经由连结基而与芳香环键结而成的结构的多环芳香族化合物或其多聚体、以及包含此种多环芳香族化合物或其多聚体的有机EL元件用材料等有机器件用材料。

＜1＞一种多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，所述多环芳香族化合物由下述式(1)表示，所述多环芳香族化合物的多聚体具有多个下述式(1)所表示的结构。

(式(1)中，

A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可经取代，B环及C环可经由单键或连结基键结，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基或烷基，

X¹及X²分别独立地为＞O、＞N-R、＞C(-R)₂、＞S或＞Se，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，所述＞C(-R)₂的R为氢、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，另外，所述＞N-R的R和/或所述＞C(-R)₂的R可通过连结基或单键而与所述A环、B环和/或C环键结，

式(1)所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者可由至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个-CH₂-可由-O-取代，

式(1)所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者由至少一个L-Cy取代，L为碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基、碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基中至少一个-CH₂-由-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代的连结基、或者碳数2～6的直链亚烷基中至少一个-(CH₂)₂-由-CH＝CH-或-C≡C-取代的连结基，Cy为环烷基，

式(1)所表示的化合物或其多聚体中的至少一个氢可由氘、氰基或卤素取代)

＜2＞根据＜1＞所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其中，Cy为碳数3～20的环烷基。

＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其中，L为-CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)₂CH₂-或-C(CH₃)₂CH₂CH₂-。

＜4＞根据＜1＞至＜3＞中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其为下述式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物或具有多个下述式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

(式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，

R¹～R¹¹分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基或取代硅烷基，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基、环烷基或取代硅烷基取代，R¹～R¹¹中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基或取代硅烷基取代，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基、环烷基或取代硅烷基取代，其中，在式(1-a)中，R⁷及R⁸可相互键结而成为单键或连结基，

X_X分别独立地为＞O、＞S、＞N-R或＞C(-R)₂，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，另外，所述＞C(-R)₂的R分别独立地为氢、可由烷基或环烷基取代的芳基、可由烷基或环烷基取代的杂芳基、烷基或环烷基，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基或烷基，

X¹及X²分别独立地为＞O、＞C(-R)₂或＞N-R，所述＞N-R的R为碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，所述＞N-R的R中的碳数6～12的芳基及碳数2～15的杂芳基均可由碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基或取代硅烷基取代，所述＞N-R的R可通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键而与a环、b环及c环的至少一个键结，

所述＞C(-R)₂的R分别独立地为氢、碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，所述＞C(-R)₂的R中的碳数6～12的芳基及碳数2～15的杂芳基均可由碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基或取代硅烷基取代，所述＞C(-R)₂中的两个R可相互键结而形成环，

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)各自所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者可由至少一个碳数3～24的环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可由碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、碳数1～24的烷基或碳数3～24的环烷基取代，所述环烷烃中的至少一个-CH₂-可由-O-取代，

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)各自所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者由至少一个L-Cy取代，L为碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基、碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基中至少一个-CH₂-由-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代的连结基、或者碳数2～6的直链亚烷基中至少一个-(CH₂)₂-由-CH＝CH-或-C≡C-取代的连结基，Cy为环烷基，

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)各自所表示的化合物或其多聚体中的至少一个氢可由氰基、卤素或氘取代，而且，

在多聚体的情况下，为具有2个或3个式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的结构的二聚体或三聚体)

＜5＞根据＜4＞所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其为式(1-a)所表示的多环芳香族化合物或具有多个式(1-a)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

＜6＞根据＜5＞所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其由下述结构式的任一者表示。

(所述各结构式中的“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基)

＜7＞根据＜4＞所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其为式(1-b)所表示的多环芳香族化合物或具有多个式(1-b)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

＜8＞根据＜7＞所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其由下述结构式表示。

(所述结构式中的“Me”表示甲基)

＜9＞一种反应性化合物，其是在根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体中取代有反应性取代基而成。

＜10＞一种高分子化合物或高分子交联体，所述高分子化合物是使根据＜9＞所述的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述高分子交联体是使所述高分子化合物进一步交联而成。

＜11＞一种悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体，所述悬挂型高分子化合物是在主链型高分子中使根据＜9＞所述的反应性化合物进行取代而成，所述悬挂型高分子交联体是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成。

＜12＞一种有机器件用材料，含有根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、根据＜9＞所述的反应性化合物、根据＜10＞所述的高分子化合物或高分子交联体、或者根据＜11＞所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

＜13＞根据＜12＞所述的有机器件用材料，其中，所述有机器件用材料为有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料。

＜14＞根据＜13＞所述的有机器件用材料，其中，所述有机电致发光元件用材料为发光层用材料。

＜15＞一种组合物，包含根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、根据＜9＞所述的反应性化合物、根据＜10＞所述的高分子化合物或高分子交联体、或者根据＜11＞所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体以及有机溶媒。

＜16＞一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及有机层，配置于所述一对电极间，且含有根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、根据＜9＞所述的反应性化合物、根据＜10＞所述的高分子化合物或高分子交联体、或者根据＜11＞所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

＜17＞一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及发光层，配置于所述一对电极间，且含有根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、根据＜9＞所述的反应性化合物、根据＜10＞所述的高分子化合物或高分子交联体、或者根据＜11＞所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

＜18＞根据＜17＞所述的有机电致发光元件，其中，所述发光层包含主体、以及作为掺杂剂的所述多环芳香族化合物或所述多环芳香族化合物的多聚体、所述反应性化合物、所述高分子化合物或高分子交联体、或者所述悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

＜19＞根据＜18＞所述的有机电致发光元件，其中，所述主体为蒽系化合物、芴系化合物或二苯并

系化合物。

＜20＞根据＜16＞至＜19＞中任一项所述的有机电致发光元件，其具有配置于所述阴极与所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层，所述电子传输层及电子注入层的至少一层含有选自由硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、芳基腈衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物、羟基喹啉系金属络合物、噻唑衍生物、苯并噻唑衍生物、噻咯衍生物及唑啉衍生物所组成的群组中的至少一种。

＜21＞根据＜20＞所述的有机电致发光元件，其中，所述电子传输层和/或电子注入层还含有选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一种。

＜22＞根据＜16＞至＜21＞中任一项所述的有机电致发光元件，其中，配置于所述一对电极间的有机层的至少一层包含使能够形成各层的低分子化合物作为单体进行高分子化而成的高分子化合物或使所述高分子化合物进一步交联而成的高分子交联体、或者使能够形成各层的低分子化合物与主链型高分子反应而成的悬挂型高分子化合物或使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成的悬挂型高分子交联体。

＜23＞一种显示装置或照明装置，包括根据＜16＞至＜22＞中任一项所述的有机电致发光元件。

[发明的效果]

通过本发明，可提供一种新颖的多环芳香族化合物。本发明的多环芳香族化合物可用作例如有机EL元件用材料等有机器件用材料。

附图说明

图1是表示本实施方式的有机EL元件的概略剖面图。

符号的说明

100：有机电致发光元件

101：基板

102：阳极

103：空穴注入层

104：空穴传输层

105：发光层

106：电子传输层

107：电子注入层

108：阴极

具体实施方式

以下，对本发明进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时基于具有代表性的实施方式或具体例而成，但本发明并不限定于此种实施方式。此外，在本说明书中，使用“～”所表示的数值范围是指包含“～”前后所记载的数值作为下限值及上限值的范围。另外，在本说明书中，结构式的说明中的“氢”是指“氢原子(H)”。

此外，在本说明书中，有时由碳数来表示化学结构或取代基，但在化学结构中取代有取代基时、或者在取代基上进一步取代有取代基时等的碳数是指化学结构或取代基各自的碳数，并非指化学结构与取代基的合计碳数、或取代基与取代基的合计碳数。例如，所谓“由碳数X的取代基A取代的碳数Y的取代基B”，是指“碳数X的取代基A”在“碳数Y的取代基B”上进行取代，碳数Y并非取代基A及取代基B的合计碳数。另外，例如所谓“由取代基A取代的碳数Y的取代基B”，是指“(不限定碳数的)取代基A”在“碳数Y的取代基B”上进行取代，碳数Y并非取代基A及取代基B的合计碳数。

1.多环芳香族化合物及其多聚体

本发明涉及一种下述式(1)所表示的多环芳香族化合物或具有多个下述式(1)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

式(1)所表示的多环芳香族化合物为具有利用硼、磷、氧、氮、硫等异质元素将芳香环连结而成的基本骨架部分的多环芳香族化合物，具有此种基本骨架部分的化合物具有大的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)-最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)间隙(薄膜的带隙Eg)与高的三重态激发能量(E_T)。认为其原因在于：含有异质元素的6元环的芳香族性低，因此伴随共轭系的扩张的HOMO-LUMO间隙的减少得到抑制，且因异质元素的电子扰动而使三重态激发状态(T1)的单占分子轨道(Singly Occupied Molecular Orbital，SOMO)1及SOMO2局部存在化。另外，具有所述基本骨架部分的多环芳香族化合物通过三重态激发状态(T1)下的SOMO1及SOMO2的局部存在化，而两轨道间的交换相互作用变小，因此三重态激发状态(T1)与单重态激发状态(S1)的能量差(ΔE_S1T1)小，并显示出热活性型延迟荧光，因此也有效用作有机EL元件的荧光材料。另外，具有高的三重态激发能量(E_T)的材料也有效用作磷光有机EL元件或利用了热活性型延迟荧光的有机EL元件的电子传输层或空穴传输层。进而，这些多环芳香族化合物(基本骨架部分)通过取代基的导入，而可任意地变动HOMO与LUMO的能量，因此可对应于周边材料而使电离电位(ionization potential)或电子亲和力最优化。

除此种基本骨架部分的特性以外，本发明的化合物通过导入环烷基，可期待熔点或升华温度的降低。所述情况是指，在作为要求高纯度的有机EL元件等有机器件用的材料的精制法而几乎不可缺少的升华精制中，可在比较低的温度下进行精制，因此可避免材料的热分解等。另外，所述情况对于作为制作有机EL元件等有机器件时的有力手段的真空蒸镀工艺而言也相同，可在比较低的温度下实施工艺，因此可避免材料的热分解，结果可获得高性能的有机器件用材料。另外，关于多环芳香族化合物的多聚体，多为因分子量高或平面性高等而升华温度高的化合物，因此由导入环烷基引起的升华温度的降低变得更有效。另外，通过环烷基的导入而在有机溶媒中的溶解性提高，因此也能够应用于利用涂布工艺的元件制作。进而，在本发明的化合物中，环烷基经由连结基而与多环芳香族化合物的基本骨架部分键结，由此环烷基进行直接键结，因此在有机溶媒中的溶解性提高，在涂布工艺中膜缺陷更少，可提供平滑性优异的涂布膜。另外，通过将此种结构的本发明的化合物用于元件材料中，可提供效率更高且寿命长的元件。

式(1)所表示的多环芳香族化合物或具有多个下述式(1)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体优选为下述式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物或其多聚体。

此外，在各结构式中，“A”～“C”及“a”～“c”分别为表示由环(ring)、苯环或5元环示出的环结构的符号，其他符号与上文所述的定义相同。

式(1)所表示的多环芳香族化合物或具有多个式(1)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体或结构中的芳基环或杂芳基环的至少一个经由连结基而与环烷基键结。具体而言，所述芳基环或杂芳基环的至少一者由至少一个L-Cy取代。此处，L为连结基，Cy为环烷基。

连结基L为碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基、碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基中至少一个-CH₂-由-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代的连结基、或者碳数2～6的直链亚烷基中至少一个-(CH₂)₂-由-CH＝CH-或-C≡C-取代的连结基。

作为环烷基，优选为碳数3～24的环烷基，更优选为碳数3～20的环烷基，进而优选为碳数3～16的环烷基，特别优选为碳数3～14的环烷基。环烷基也可为碳数5～10的环烷基、碳数5～8的环烷基、碳数5～6的环烷基、碳数5的环烷基等。此外，在本说明书中，“环烷基”不仅包含环己基之类的单环式的环烷基，还包含金刚烷基之类的多环式的环烷基。

作为具体的环烷基，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、以及它们的碳数1～5的烷基(特别是甲基)取代物、或降冰片烷(norbornane)、双环[1.0.1]丁基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、双金刚烷基、十氢萘基(decahydronaphthalenyl)、十氢薁基(decahydroazulenyl)等。其中，优选为环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、以及它们的碳数1～5的烷基(特别是甲基)取代物、或降冰片烷、双环[1.0.1]丁基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基，特别优选为环己基、降冰片烷、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基及双金刚烷基。

连结基L为碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基、碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基中至少一个-CH₂-由-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代的连结基、或者碳数2～6的直链亚烷基中至少一个-(CH₂)₂-由-CH＝CH-或-C≡C-取代的连结基。其中，优选为碳数1～6的直链亚烷基、碳数3～6的支链亚烷基或-O-，特别优选为碳数1～3的直链亚烷基或碳数3～5的支链亚烷基。具体而言，优选为-CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)₂CH₂-或-C(CH₃)₂CH₂CH₂-。此外，-C(CH₃)₂CH₂-及-C(CH₃)₂CH₂CH₂-优选为朝向右侧与Cy键结，即，分别为作为L-Cy的-C(CH₃)₂CH₂-Cy及-C(CH₃)₂CH₂CH₂-Cy。另外，连结基L更优选为-CH₂-、-C(CH₃)₂-或-C(CH₃)₂CH₂CH₂-。通过此种连结基的结构，可进一步提高在有机溶媒中的溶解性，通过将具有此种结构的化合物用于元件材料中，可提供效率更高且寿命长的元件。

另外，优选为与式(1)所表示的多环芳香族化合物或具有多个式(1)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体中的芳香环(芳基环或杂芳基环)键结的直链亚烷基中，具有与芳香环的碳邻接的位置处的碳所结合的氢中的至少一个经取代的结构的连结基，更优选为两个氢经取代的连结基。作为所述取代基，可列举：碳数1～5的烷基(特别是甲基)、卤素(特别是氟)及氘等。

式(1)中的A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环。这些环中的至少一个氢可经取代。

优选为A环、B环及C环的至少任一者为具有至少一个取代基的芳基环或具有至少一个取代基的杂芳基环，更优选为A环、B环及C环均为具有至少一个取代基的芳基环或具有至少一个取代基的杂芳基环，进而优选为A环、B环及C环分别为具有一个取代基的芳基环或具有一个取代基的杂芳基环。

作为此时的取代基，优选为L-Cy以及经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基(具有芳基与杂芳基的氨基)、经取代或未经取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、或者取代硅烷基。作为这些基具有取代基时的取代基，可列举：L-Cy、芳基、杂芳基、烷基、环烷基、二芳基氨基、取代硅烷基。

作为L-Cy以外的取代基，特别优选为经取代或未经取代的烷基(特别是新戊基)、金刚烷基之类的环烷基。另外，优选为叔烷基(tR)。原因在于：通过此种大体积的取代基而使分子间距离增加，因此发光量子产率(photoluminescence quantum yield，PLQY)提高。

所述叔烷基由下述式(tR)表示。

式(tR)中，R^a、R^b及R^c分别独立地为碳数1～24的烷基，所述烷基中的任意的-CH₂-可由-O-取代，式(tR)所表示的基在*处与式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢进行取代。

R^a、R^b及R^c的“碳数1～24的烷基”可为直链及支链的任一种，例如可列举：碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基、碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)、碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)、碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)、碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。

式(1)的式(tR)中的R^a、R^b及R^c的碳数的合计优选为碳数3～20，特别优选为碳数3～10。

作为R^a、R^b及R^c的具体的烷基，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。

作为式(tR)所表示的基，例如可列举：叔丁基、叔戊基、1-乙基-1-甲基丙基、1,1-二乙基丙基、1,1-二甲基丁基、1-乙基-1-甲基丁基、1,1,3,3-四甲基丁基、1,1,4-三甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1,1-二甲基辛基、1,1-二甲基戊基、1,1-二甲基庚基、1,1,5-三甲基己基、1-乙基-1-甲基己基、1-乙基-1,3-二甲基丁基、1,1,2,2-四甲基丙基、1-丁基-1-甲基戊基、1,1-二乙基丁基、1-乙基-1-甲基戊基、1,1,3-三甲基丁基、1-丙基-1-甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1-乙基-1,2,2-三甲基丙基、1-丙基-1-甲基丁基、1,1-二甲基己基等。这些中，优选为叔丁基及叔戊基。

另外，作为取代基，也优选为经取代或未经取代的二芳基氨基。原因在于：通过此种大体积的取代基而使分子间距离增加，因此发光量子产率(PLQY)提高。作为例子，可列举式(1-a)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体中的R²为经取代或未经取代的二芳基氨基(优选为未经取代的二芳基氨基)的化合物。

作为A环、B环及C环中的取代基的其他的优选例，例如可列举由式(tR)的基取代的二芳基氨基、由式(tR)的基取代的咔唑基或由式(tR)的基取代的苯并咔唑基。关于“二芳基氨基”，可列举作为下述“第一取代基”而说明的基。作为针对二芳基氨基、咔唑基及苯并咔唑基的式(tR)的基的取代形态，可列举这些基中的芳基环或苯环的一部分或全部的氢由式(tR)的基取代的例子。

A环、B环及C环中的芳基环或杂芳基环可具有与包含Y¹、X¹及X²的式(1)中央的缩合二环结构共有键结的5元环或6元环。

此处，所谓“缩合二环结构”，是指式(1)的中央所示的包含Y¹、X¹及X²而构成的两个饱和烃环缩合而成的结构。另外，所谓“与缩合二环结构共有键结的6元环”，是指在所述缩合二环结构中缩合的6元环(例如苯环)。另外，所谓“(作为A环的)芳基环或杂芳基环具有所述6元环”，是指仅由所述6元环形成A环、或以包含所述6元环的方式在所述6元环中进而缩合其他环等来形成A环。换句话说，所谓此处所述的“具有6元环的(作为A环的)芳基环或杂芳基环”，是指构成A环的全部或一部分的6元环在所述缩合二环结构中缩合。关于“B环”、“C环”及“5元环”，相同的说明也适用。

式(1)中的A环对应于式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中的a环与其取代基R¹～取代基R³。式(1)中的B环对应于式(1-a)、式(1-b)及式(1-c)中的b环与其取代基R⁸～取代基R¹¹、式(1-d)中的b环与其取代基R¹⁰及取代基R¹¹、以及式(1-e)及式(1-f)中的b环与其取代基R⁸及取代基R⁹。式(1)中的C环对应于式(1-a)中的c环与其取代基R⁴～取代基R⁷、式(1-b)、式(1-d)及式(1-f)中的c环与其取代基R⁴及取代基R⁵、以及式(1-c)及式(1-e)中的c环与其取代基R⁶及取代基R⁷。即，式(1-a)对应于选择至少具有6元环结构的环作为式(1)的A环～C环的结构，式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)分别对应于选择至少具有6元环结构的环及至少具有5元环结构的环作为式(1)的A环～C环的结构。以所述含义，由小写字母a～c来表示式(1-a)的各环。

式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中的X_X分别独立地为＞O、＞S、＞N-R或＞C(-R)₂。此处，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，优选为可经取代的芳基，更优选为未经取代的芳基。另外，所述＞C(-R)₂的R分别独立地为氢、可由烷基或环烷基取代的芳基、可由烷基或环烷基取代的杂芳基、烷基或环烷基，优选为烷基，更优选为甲基。＞C(-R)₂中的两个R优选为相同。另外，＞C(-R)₂中的两个R也优选为相互键结而形成环。

在式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，R¹～R¹¹分别独立地为L-Cy、氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基或取代硅烷基。它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基、环烷基或取代硅烷基取代。这些基中的芳基及杂芳基可由L-Cy取代。

R¹～R¹¹分别独立地优选为L-Cy、氢、烷基(特别是所述叔烷基(tR)、新戊基等)、环烷基(例如金刚烷基等)、经取代或未经取代的二芳基氨基、或者取代硅烷基(三苯基硅烷基、三甲基硅烷基等)。

优选为：式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中的R¹～R³中，0个～1个为氢以外的基(特别是所述优选的取代基)且其他为氢，R⁴～R⁷中，0个～1个为氢以外的基(特别是所述优选的取代基)且其他为氢，R⁸～R¹¹中，0个～1个为氢以外的基(特别是所述优选的取代基)且其他为氢，

更优选为：R¹～R³中，1个为氢以外的基(特别是所述优选的取代基)且其他为氢，R⁴～R⁷中，1个为氢以外的基(特别是所述优选的取代基)且其他为氢，R⁸～R¹¹中，1个为氢以外的基(特别是所述优选的取代基)且其他为氢。

在式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，a环、b环及c环的取代基R¹～取代基R¹¹中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由L-Cy、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基或烷基二环烷基硅烷基取代。另外，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。这些基中的芳基及杂芳基可由L-Cy取代。

因此，关于式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)所表示的多环芳香族化合物，根据a环、b环及c环中的取代基的相互的键结形态，构成化合物的环结构发生变化。例如，关于式(1-a)所表示的多环芳香族化合物，例如如下述式(1-a-1)及式(1-a-2)所示，构成化合物的环结构发生变化。各式中的A'环、B'环及C'环分别对应于式(1)中的A环、B环及C环。

若以式(1-a)进行说明，则所述式(1-a-1)及式(1-a-2)中的A'环、B'环及C'环表示取代基R¹～取代基R¹¹中的邻接的基彼此键结并分别与a环、b环及c环一起形成的芳基环或杂芳基环(也可称为其他环结构在a环、b环或c环中缩合而成的稠环)。此外，虽然式中未示出，但也存在a环、b环及c环全部变化成A'环、B'环及C'环的化合物。另外，如根据所述式(1-a-1)及式(1-a-2)而可知，例如式(1-a)中的b环的R⁸与c环的R⁷、b环的R¹¹与a环的R¹、c环的R⁴与a环的R³等并不符合“邻接的基彼此”，只要无特别说明，则它们不会进行键结。即，所谓“邻接的基”，是指在同一环上邻接的基。

所述式(1-a-1)或式(1-a-2)所表示的化合物例如为具有苯环、吲哚环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、环戊二烯环或茚环对于作为式(1-a)中的a环(或b环或c环)的苯环进行缩合而形成的A'环(或B'环或C'环)的化合物，所形成的稠环A'(或稠环B'或稠环C')分别为萘环、咔唑环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、茚环或芴环。

另外，在式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，也可分别同样地形成其他环结构在a环、b环或c环中进行缩合而成的稠环。例如，作为a环或b环的苯环可与所述式(1-a)中的苯环同样地与其他环结构进行缩合而形成稠环。

在式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，特别优选为在作为b环或c环的5元环中，R⁴～R¹¹中的邻接的基彼此键结而形成环从而形成稠环。例如，在式(1-b)及式(1-c)的c环以及式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)的b环及c环中，R³～R¹¹中的邻接的基彼此键结而形成环，由此可形成作为稠环的B'环或C'环。作为所形成的环为苯环时的稠环的例子，可列举：吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环。

例如，在式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，例如，当X_X为＞O时，b环或c环成为呋喃环，但与苯环对于所述呋喃环进行缩合而形成的式(1-a-1)的B'环或C'环相对应的环为苯并呋喃环。

另外，例如，在式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，例如，当X_X为＞S时，b环或c环成为噻吩环，但与苯环对于所述噻吩环进行缩合而形成的式(1-a-1)的B'环或C'环相对应的环为苯并噻吩环。

作为一例，以下示出在作为式(1-b)的c环的5元环中，R⁴及R⁵彼此键结而形成苯环从而形成稠环的例子。

式(1-b-1)中，R¹、R²、R³、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹、X_X、Y¹、X¹及X²的含义与式(1-b)中的各个相同，优选范围也相同。R^4b、R^5b、R^6b、R^7b为L-Cy、氢或选自由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基及取代硅烷基所组成的群组中的取代基，这些取代基中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基、环烷基或取代硅烷基取代。另外，这些基中的芳基及杂芳基可由L-Cy取代。R^4b、R^5b、R^6b、R^7b中，优选为0个～2个为氢以外的取代基且其他为氢，更优选为1个为氢以外的取代基且其他为氢。关于氢以外的取代基，优选范围可参照作为第一取代基(可具有第二取代基)而之后叙述的取代基的记载。作为氢以外的取代基，特别优选为烷基(特别是所述叔烷基(tR)、新戊基等)、环烷基(例如金刚烷基等)、或者经取代或未经取代的二芳基氨基。

式(1)中的Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R。Y¹中的Si-R及Ge-R的R分别独立地为芳基或烷基。在Y¹为P＝O、P＝S、Si-R或Ge-R的情况下，与A环、B环或C环键结的原子为P、Si或Ge。Y¹优选为B、P、P＝O、P＝S或Si-R，更优选为B、P或P＝O，特别优选为B。所述说明也同样适用于式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)、式(1-f)、式(1-a-3-1)～式(1-a-3-3)、式(1-a-7-1)、式(1-a-7-2)、式(1-a-4)、式(1-a-4-1)、式(1-a-4-2)、式(1-a-5-1)、式(1-a-5-2)、式(1-a-5-3)、式(1-a-5-4)、式(1-a-6)中的Y¹。

式(1)中的X¹及X²分别独立地为＞O、＞N-R、＞C(-R)₂、＞S或＞Se，优选为＞O、＞C(-R)₂或＞N-R。式(1)中的X¹及X²优选为至少任一者为＞N-R，更优选为均为＞N-R或X¹及X²的任意其中一者为＞N-R且另一者为＞C(-R)₂，最优选为均为＞N-R。

X¹及X²中的＞C(-R)₂的R分别独立地为氢、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，优选为可由L-Cy、烷基或环烷基取代的芳基；可由L-Cy、烷基或环烷基取代的杂芳基、烷基或环烷基。此处，作为芳基，特别优选为碳数6～10的芳基(例如苯基、萘基等)；作为杂芳基，特别优选为碳数2～15的杂芳基(例如咔唑基等)；作为烷基，特别优选为碳数1～5的烷基(例如甲基、乙基等)；作为环烷基，特别优选为碳数5～10的环烷基(优选为环己基或金刚烷基)。＞C(-R)₂中的两个R优选为相同，而且，两个R可键结而形成环。＞C(-R)₂中的两个R特别优选为均为甲基。作为两个R键结而形成环的化合物，可列举下述化合物(1-303)之类的化合物。

X¹及X²中的＞N-R的R为可经取代的芳基(其中，作为取代基，优选为氨基除外)、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基。作为所述芳基、杂芳基、烷基或环烷基，可列举之后叙述的基，特别是，作为芳基，优选为碳数6～10的芳基(例如苯基、萘基等)；作为杂芳基，优选为碳数2～15的杂芳基(例如咔唑基等)；作为烷基，优选为碳数1～5的烷基(例如甲基、乙基等)；作为环烷基，优选为碳数5～10的环烷基(优选为环己基或金刚烷基)。另外，作为此时的第二取代基，例如优选为L-Cy、甲基、叔丁基及戊基等烷基、对叔丁基苯基、三甲基硅烷基等取代硅烷基等。烷基的取代位置优选为相对于所述N的取代位置而为对位。

具体而言，X¹及X²中的＞N-R的R优选为可由L-Cy、碳数1～5的烷基或碳数5～10的环烷基取代的碳数6～12的芳基或者碳数1～6的烷基，优选为可由L-Cy或碳数1～5的烷基取代的碳数6～12的芳基，进而优选为可由L-Cy或碳数1～5的烷基取代的苯基，进而优选为可由L-Cy或碳数1～5的烷基取代的邻联苯基(相对于N在邻位具有苯基的苯基、2-联苯基)。特别优选为X¹及X²中的＞N-R仅任意一个为邻联苯基。作为例子，可列举下述式(1-221)所表示的化合物。

X¹及X²中的＞N-R中的R可通过连结基或单键而与所述A环、B环及C环的至少一个环键结。作为连结基，优选为-O-、-S-或-C(-R)₂-。此外，所述“-C(-R)₂-”的R为氢、烷基或环烷基。所述规定例如可由如下的化合物来表现，所述化合物由下述式(1-a-3-1)表示、且具有X¹或X²被导入至稠环B'及稠环C'中的环结构。即，例如为具有其他环以导入X¹(或X²)的方式对于作为式(1-a)中的b环(或c环)的苯环进行缩合而形成的B'环(或C'环)的化合物。所形成的稠环B'(或稠环C')例如为咔唑环、吩恶嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。

另外，所述规定也可由如下的化合物来表现，所述化合物由下述式(1-a-3-2)或式(1-a-3-3)表示、且具有X¹和/或X²被导入至稠环A'中的环结构。即，例如为具有其他环以导入X¹(和/或X²)的方式对于作为式(1-a)中的a环的苯环进行缩合而形成的A'环的化合物。所形成的稠环A'例如为咔唑环、吩恶嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中的X¹及X²分别独立地为＞O、＞C(-R)₂或＞N-R，关于优选范围或R的具体例等，与所述式(1)的X¹及X²相同。

式(1)的B环及C环或者式(1-a)的b环及c环可利用单键或连结基进行键结。此种形态由式(1-a-7-1)或式(1-a-7-2)表示。在式(1-a-7-1)及式(1-a-7-2)中，由Xz来表示单键或连结基。作为连结基，优选为-O-、-S-或-C(-R)₂-。此外，所述“-C(-R)₂-”的R为氢、烷基或环烷基，两个R可形成环。

作为式(1)的A环、B环及C环的“芳基环”例如可列举碳数6～30的芳基环，优选为碳数6～16的芳基环，更优选为碳数6～12的芳基环，特别优选为碳数6～10的芳基环。

作为具体的“芳基环”，可列举：作为单环系的苯环，作为二环系的联苯环，作为缩合二环系的萘环、茚环，作为三环系的三联苯环(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)，作为缩合三环系的苊环、芴环、非那烯环、菲环，作为缩合四环系的三亚苯环、芘环、并四苯环，作为缩合五环系的苝环、并五苯环等。

作为式(1)的A环、B环及C环的“杂芳基环”例如可列举碳数2～30的杂芳基环，优选为碳数2～25的杂芳基环，更优选为碳数2～20的杂芳基环，进而优选为碳数2～15的杂芳基环，特别优选为碳数2～10的杂芳基环。另外，作为“杂芳基环”，例如可列举除碳以外含有1个至5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。此外，所述“杂芳基环”对应于式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中的包含X_X的5元环或者式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中所规定的“R¹～R¹¹中的邻接的基彼此键结并与a环、b环或c环一起形成的杂芳基环”。

作为具体的“杂芳基环”，例如可列举：吡咯环、恶唑环、异恶唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、恶二唑环、噻二唑环、三唑环、四唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、1H-吲唑环、苯并咪唑环、苯并恶唑环、苯并噻唑环、1H-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹唑啉环、喹恶啉环、酞嗪环、萘啶环、嘌呤环、蝶啶环、咔唑环、吖啶环、吩恶噻环、吩恶嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、吩吖硅(phenazasiline)环、吲嗪环、呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋咱环、噻蒽环、吲哚并咔唑环、苯并吲哚并咔唑环、苯并苯并吲哚并咔唑环、萘并苯并呋喃环等。

所述“芳基环”或“杂芳基环”中的至少一个氢可由作为第一取代基的、经取代或未经取代的“芳基”、经取代或未经取代的“杂芳基”、经取代或未经取代的“二芳基氨基”、经取代或未经取代的“二杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“芳基杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)”、经取代或未经取代的“烷基”、经取代或未经取代的“环烷基”、经取代或未经取代的“烷氧基”、经取代或未经取代的“芳氧基”、或者经取代的“硅烷基”取代，但作为所述第一取代基的“芳基”或“杂芳基”、“二芳基氨基”的芳基、“二杂芳基氨基”的杂芳基、“芳基杂芳基氨基”的芳基与杂芳基、“二芳基硼基”的芳基以及“芳氧基”的芳基可列举所述“芳基环”或“杂芳基环”的一价基。

另外，作为第一取代基的“烷基”可为直链及支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基。优选为碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)，更优选为碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)，进而优选为碳数1～8的烷基(碳数3～8的支链烷基)，特别优选为碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)，最优选为碳数1～5的烷基(碳数3～5的支链烷基)。

作为具体的烷基，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基(t-pentyl)(t-amyl)、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基(1,1,3,3-四甲基丁基)、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。

另外，例如还可列举：1-乙基-1-甲基丙基、1,1-二乙基丙基、1,1-二甲基丁基、1-乙基-1-甲基丁基、1,1,4-三甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1,1-二甲基辛基、1,1-二甲基戊基、1,1-二甲基庚基、1,1,5-三甲基己基、1-乙基-1-甲基己基、1-乙基-1,3-二甲基丁基、1,1,2,2-四甲基丙基、1-丁基-1-甲基戊基、1,1-二乙基丁基、1-乙基-1-甲基戊基、1,1,3-三甲基丁基、1-丙基-1-甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1-乙基-1,2,2-三甲基丙基、1-丙基-1-甲基丁基、1,1-二甲基己基等。

另外，作为第一取代基的“环烷基”可列举碳数3～24的环烷基、碳数3～20的环烷基、碳数3～16的环烷基、碳数3～14的环烷基、碳数5～10的环烷基、碳数5～8的环烷基、碳数5～6的环烷基、碳数5的环烷基等。

作为具体的环烷基，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基及它们的碳数1～5的烷基(特别是甲基)取代物、或降冰片烷、双环[1.0.1]丁基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、双金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。

另外，作为第一取代基的“烷氧基”例如可列举碳数1～24的直链烷氧基或碳数3～24的支链烷氧基。优选为碳数1～18的烷氧基(碳数3～18的支链烷氧基)，更优选为碳数1～12的烷氧基(碳数3～12的支链烷氧基)，进而优选为碳数1～6的烷氧基(碳数3～6的支链烷氧基)，特别优选为碳数1～5的烷氧基(碳数3～5的支链烷氧基)。

作为具体的烷氧基，可列举：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、叔戊氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。

另外，作为第一取代基的“取代硅烷基”例如可列举由选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群组中的三个取代基取代的硅烷基。例如可列举：三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、烷基二环烷基硅烷基、三芳基硅烷基、二烷基芳基硅烷基及烷基二芳基硅烷基。

作为“三烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地由烷基取代的基，所述烷基可引用作为所述第一取代基中的“烷基”而说明的基。对于取代而言优选的烷基为碳数1～5的烷基，具体而言，可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基等。

作为具体的三烷基硅烷基，可列举：三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、三丙基硅烷基、三异丙基硅烷基、三丁基硅烷基、三仲丁基硅烷基、三叔丁基硅烷基、三叔戊基硅烷基、乙基二甲基硅烷基、丙基二甲基硅烷基、异丙基二甲基硅烷基、丁基二甲基硅烷基、仲丁基二甲基硅烷基、叔丁基二甲基硅烷基、叔戊基二甲基硅烷基、甲基二乙基硅烷基、丙基二乙基硅烷基、异丙基二乙基硅烷基、丁基二乙基硅烷基、仲丁基二乙基硅烷基、叔丁基二乙基硅烷基、叔戊基二乙基硅烷基、甲基二丙基硅烷基、乙基二丙基硅烷基、丁基二丙基硅烷基、仲丁基二丙基硅烷基、叔丁基二丙基硅烷基、叔戊基二丙基硅烷基、甲基二异丙基硅烷基、乙基二异丙基硅烷基、丁基二异丙基硅烷基、仲丁基二异丙基硅烷基、叔丁基二异丙基硅烷基、叔戊基二异丙基硅烷基等。

作为“三环烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地由环烷基取代的基，所述环烷基可引用作为所述第一取代基中的“环烷基”而说明的基。对于取代而言优选的环烷基为碳数5～10的环烷基，具体而言，可列举：环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.1.2]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。

作为具体的三环烷基硅烷基，可列举三环戊基硅烷基、三环己基硅烷基等。

作为取代有两个烷基与一个环烷基的二烷基环烷基硅烷基、及取代有一个烷基与两个环烷基的烷基二环烷基硅烷基的具体例，可列举取代有选自所述具体的烷基及环烷基中的基的硅烷基。

作为取代有两个烷基与一个芳基的二烷基芳基硅烷基、取代有一个烷基与两个芳基的烷基二芳基硅烷基、以及取代有三个芳基的三芳基硅烷基的具体例，可列举取代有选自所述具体的烷基及芳基中的基的硅烷基。作为三芳基硅烷基的具体例，可特别列举三苯基硅烷基。

另外，第一取代基的“二芳基硼基”中的“芳基”可引用所述芳基的说明。另外，所述两个芳基可经由单键或连结基(例如＞C(-R)₂、＞O、＞S或＞N-R)键结。此处，＞C(-R)₂及＞N-R的R为芳基、杂芳基、二芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基(以上为第一取代基)，在所述第一取代基中可进一步取代有芳基、杂芳基、烷基或环烷基(以上为第二取代基)，作为这些基的具体例，可引用作为所述第一取代基的芳基、杂芳基、二芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基的说明。

作为第一取代基的、经取代或未经取代的“芳基”、经取代或未经取代的“杂芳基”、经取代或未经取代的“二芳基氨基”、经取代或未经取代的“二杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“芳基杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)”、经取代或未经取代的“烷基”、经取代或未经取代的“环烷基”、经取代或未经取代的“烷氧基”、经取代或未经取代的“芳氧基”、或者经取代的“硅烷基”如说明为经取代或未经取代那样，它们中的至少一个氢可由第二取代基取代。作为所述第二取代基，例如可列举芳基、杂芳基、烷基、环烷基或取代硅烷基，它们的具体例可参照所述“芳基环”或“杂芳基环”的一价基、及作为第一取代基的“烷基”或“环烷基”的说明。另外，在作为第二取代基的芳基或杂芳基中，它们中的至少一个氢由苯基等芳基(具体例为以上所述的基)、甲基、叔丁基等烷基(具体例为以上所述的基)或环己基等环烷基(具体例为以上所述的基)取代的结构也包含于作为第二取代基的芳基或杂芳基中。作为其一例，当第二取代基为咔唑基时，9位上的至少一个氢由苯基等芳基、甲基等烷基或环己基等环烷基取代的咔唑基也包含于作为第二取代基的杂芳基中。

可通过第一取代基的结构的位阻性、供电子性及吸电子性来调整发光波长。优选为以下结构式所表示的基，更优选为甲基、叔丁基、叔戊基、叔辛基、新戊基、环己基、金刚烷基、苯基、邻甲苯基、对甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、2,4,6-均三甲苯基、二苯基氨基、二-对甲苯基氨基、双(对(叔丁基)苯基)氨基、咔唑基、3,6-二甲基咔唑基、3,6-二-叔丁基咔唑基及苯氧基，进而优选为甲基、叔丁基、叔戊基、叔辛基、新戊基、金刚烷基、苯基、邻甲苯基、2,6-二甲苯基、2,4,6-均三甲苯基、二苯基氨基、二-对甲苯基氨基、双(对(叔丁基)苯基)氨基、咔唑基、3,6-二甲基咔唑基及3,6-二-叔丁基咔唑基。就合成容易性的观点而言，位阻大的基由于进行选择性合成而优选，具体而言，优选为叔丁基、叔戊基、叔辛基、金刚烷基、邻甲苯基、对甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、2,4,6-均三甲苯基、二-对甲苯基氨基、双(对(叔丁基)苯基)氨基、3,6-二甲基咔唑基及3,6-二-叔丁基咔唑基。

在下述结构式中，“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基，“tAm”表示叔戊基，“tOct”表示叔辛基，*表示键结位置。

*-Me *-tBu *-tAm *-tOct

另外，本发明涉及一种具有多个式(1)所表示的单元结构的多环芳香族化合物的多聚体、优选为具有多个式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的单元结构的多环芳香族化合物的多聚体。多聚体优选为二聚体～六聚体，更优选为二聚体～三聚体，特别优选为二聚体。多聚体只要是在一个化合物中具有多个所述单元结构的形态即可，例如除多个所述单元结构利用单键、碳数1～3的亚烷基、亚苯基、亚萘基等连结基进行键结的形态(连结型多聚体)以外，也可为以在多个单元结构中共有所述单元结构中所含的任意环(A环、B环或C环或者a环、b环或c环等)的方式进行键结的形态(环共有型多聚体)，另外，还可为以所述单元结构中所含的任意环(A环、B环或C环或者a环、b环或c环)彼此缩合的方式进行键结的形态(环缩合型多聚体)，优选为环共有型多聚体及环缩合型多聚体，更优选为环共有型多聚体。

关于此种多聚体，例如作为具有多个式(1-a)所表示的单元结构的多环芳香族化合物的多聚体，可列举下述式(1-a-4)、式(1-a-4-1)、式(1-a-4-2)、式(1-a-5-1)～式(1-a-5-4)或式(1-a-6)所表示的多聚体化合物。这些式中的各符号的含义与式(1-a)中的各个相同，优选范围也相同。下述式(1-a-4)所表示的多聚体化合物为以共有作为式(1-a)中的a环的苯环的方式在一个化合物中具有多个式(1-a)所表示的单元结构的多聚体化合物。下述式(1-a-4-1)所表示的多聚体化合物为以共有作为式(1-a)中的a环的苯环的方式在一个化合物中具有两个式(1-a)所表示的单元结构的多聚体化合物。下述式(1-a-4-2)所表示的多聚体化合物为以共有作为式(1-a)中的a环的苯环的方式在一个化合物中具有三个式(1-a)所表示的单元结构的多聚体化合物。下述式(1-a-5-1)～式(1-a-5-4)所表示的多聚体化合物为以共有作为式(1-a)中的b环(或c环)的苯环的方式在一个化合物中具有多个式(1-a)所表示的单元结构的多聚体化合物。若以式(1-a)进行说明，则下述式(1-a-6)所表示的多聚体化合物为以例如作为某一单元结构的b环(或a环、c环)的苯环与作为某一单元结构的b环(或a环、c环)的苯环进行缩合的方式在一个化合物中具有多个式(1-a)所表示的单元结构的多聚体化合物。另外，若以式(1-a)进行说明，则下述式(1-a-7)所表示的多聚体化合物为以作为某一单元结构的b环的苯环与作为c环的苯环分别和作为另一单元结构的c环(或b环)的苯环进行缩合的方式在一个化合物中具有多个式(1-a)所表示的单元结构的多聚体化合物。

多聚体化合物可为将式(1-a-4)、式(1-a-4-1)或式(1-a-4-2)所表现的多聚化形态与式(1-a-5-1)～式(1-a-5-4)的任一者或式(1-a-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体，也可为将式(1-a-5-1)～式(1-a-5-4)的任一者所表现的多聚化形态与式(1-a-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体，也可为将式(1-a-4)、式(1-a-4-1)或式(1-a-4-2)所表现的多聚化形态与式(1-a-5-1)～式(1-a-5-4)的任一者所表现的多聚化形态及式(1-a-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体。

另外，式(1)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体的化学结构中的氢的全部或一部分也可为氘、氰基或卤素。例如，在式(1)中，A环、B环、C环(A环～C环为芳基环或杂芳基环)、针对A环～C环的取代基、以及X¹及X²为＞N-R或＞C(-R)₂时的R(＝烷基、环烷基、芳基)中的氢可由氘、氰基或卤素取代，这些中，可列举芳基或杂芳基中的全部或一部分氢由氘、氰基或卤素取代的形态。卤素为氟、氯、溴或碘，优选为氟、氯或溴，更优选为氟或氯，最优选为氟。

例如，如上所述，优选为位于L-Cy的L上的氢的至少一个(优选为全部)由卤素(优选为氟)取代。

另外，式(1)或者式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体的化学结构中的芳基环或杂芳基环的至少一者可由至少一个环烷烃缩合。此外，在本说明书中，当在由环烷烃缩合的芳基环及由环烷烃缩合的杂芳基环各自的所述环烷烃环上的任一碳上键结有L-Cy的情形时，也设为L-Cy与芳基环或杂芳基环键结。

例如，作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环及杂芳基环中的芳基环及杂芳基环；作为A环～C环中的第一取代基及第二取代基的芳基(芳基、二芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基或芳氧基中的芳基部分)及杂芳基(杂芳基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基中的杂芳基部分)；作为针对a环、b环、c环的第一取代基及第二取代基的芳基(与上述相同)及杂芳基(与上述相同)；以及作为(作为X¹、X²的)＞N-R及＞C(-R)₂的R的芳基(与上述相同)及杂芳基(与上述相同)中的至少一者可由至少一个环烷烃缩合。

优选为：作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环及杂芳基环；作为A环～C环中的第一取代基的芳基(芳基、二芳基氨基、二芳基硼基或芳氧基中的芳基部分)及杂芳基(杂芳基或二杂芳基氨基中的杂芳基部分)；作为针对a环～c环的第一取代基的芳基(与上述相同)及杂芳基(与上述相同)；以及作为(作为X¹、X²的)＞N-R及＞C(-R)₂的R的芳基(与上述相同)及杂芳基(与上述相同)中的至少一者可由至少一个环烷烃缩合。

更优选为：作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环；作为A环～C环中的第一取代基的芳基(芳基或二芳基氨基中的芳基部分)及杂芳基(杂芳基中的杂芳基部分)；作为针对a环、b环、c环的第一取代基的芳基(与上述相同)及杂芳基(与上述相同)；以及作为(作为X¹、X²的)＞N-R及＞C(-R)₂的R的芳基(与上述相同)中的至少一者可由至少一个环烷烃缩合。

进而优选为：作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环；作为A环～C环中的第一取代基的芳基(芳基或二芳基氨基中的芳基部分)；作为针对a环、b环、c环的第一取代基的芳基(与上述相同)；以及作为(作为X¹、X²的)＞N-R及＞C(-R)₂的R的芳基(与上述相同)中的至少一者可由至少一个环烷烃缩合。

作为“环烷烃”，可列举：碳数3～24的环烷烃、碳数3～20的环烷烃、碳数3～16的环烷烃、碳数3～14的环烷烃、碳数5～10的环烷烃、碳数5～8的环烷烃、碳数5～6的环烷烃、碳数5的环烷烃等。

作为具体的环烷烃，可列举：环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环辛烷、环壬烷、环癸烷、降冰片烯、双环[1.0.1]丁烷、双环[1.1.1]戊烷、双环[2.0.1]戊烷、双环[1.2.1]己烷、双环[3.0.1]己烷、双环[2.1.2]庚烷、双环[2.2.2]辛烷、金刚烷、双金刚烷、十氢萘及十氢薁以及它们的碳数1～5的烷基(特别是甲基)取代物、卤素(特别是氟)取代物及氘取代物等。

这些中，优选为环烷烃的α位的碳(在缩合于芳基环或杂芳基环中的环烷烃中，与缩合部位的碳邻接的位置的碳)上的至少一个氢经取代的结构，更优选为α位的碳上的两个氢经取代的结构，进而优选为两个α位的碳上的合计四个氢经取代的结构。作为所述取代基，可列举碳数1～5的烷基(特别是甲基)取代物、卤素(特别是氟)取代物及氘取代物等。

特别优选为在芳基环或杂芳基环中邻接的碳原子上键结有下述式(B10)或式(B11)所表示的部分结构的结构。

式(B10)及式(B11)中，Me表示甲基。*表示键结位置，式(B10)或式(B11)所表示的基在所键结的芳基环或杂芳基环的环上分别与邻接的两个元素键结。

作为具有此种结构的化合物的例子，可列举以下化合物。

缩合于一个芳基环或杂芳基环中的环烷烃的数量优选为1个～3个，更优选为1个或2个，进而优选为1个。例如，以下示出在一个苯环(苯基)中缩合有1个或多个环烷烃的例子。如式(Cy-1-4)及式(Cy-2-4)那样进行缩合的环烷烃彼此也可进行缩合。不论是所缩合的环(基)为苯环(苯基)以外的其他芳基环或杂芳基环的情况，还是进行缩合的环烷烃为环戊烷或环己烷以外的其他环烷烃的情况，均相同。

环烷烃中的至少一个-CH₂-可由-O-取代。例如，以下示出缩合于一个苯环(苯基)的环烷烃中的1个或多个-CH₂-由-O-取代的例子。不论是所缩合的环(基)为苯环(苯基)以外的其他芳基环或杂芳基环的情况，还是进行缩合的环烷烃为环戊烷或环己烷以外的其他环烷烃的情况，均相同。

环烷烃中的至少一个氢可经取代，作为所述取代基，例如可列举L-Cy、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、取代硅烷基、氘、氰基或卤素，它们的详细情况可引用所述第一取代基的说明。这些取代基中，优选为烷基(例如碳数1～6的烷基)、环烷基(例如碳数3～14的环烷基)、卤素(例如氟)及氘等。另外，在环烷基进行取代时，可为形成螺环结构的取代形态，以下示出所述例。

作为环烷烃缩合的其他形态，可列举：式(1)或者式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体具有例如R为由环烷烃缩合的芳基的＞N-R、由环烷烃缩合的二芳基氨基(缩合至其芳基部分)、由环烷烃缩合的咔唑基(缩合至其苯环部分)或由环烷烃缩合的苯并咔唑基(缩合至其苯环部分)的例子。关于“二芳基氨基”，可列举作为所述“第一取代基”而说明的基。

另外，作为更具体的例子，可列举：式(1)或者式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体中的R²为由环烷烃缩合的二芳基氨基(缩合至其芳基部分)或由环烷烃缩合的咔唑基(缩合至其苯环部分)的例子。

在将式(1)或者式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体用作有机电致发光元件的发光层的掺杂剂材料的情况下，优选为Y¹为B、X¹及X²为＞N-R的化合物；Y¹为B、X¹为＞O、X²为＞N-R的化合物；Y¹为B、X¹及X²为＞O的化合物，在用作发光层的主体材料的情况下，优选为Y¹为B、X¹为＞O、X²为＞N-R的化合物；Y¹为B、X¹及X²为＞O的化合物，作为电子传输材料，可优选地使用Y¹为B、X¹及X²为＞O的化合物；Y¹为P＝O、X¹及X²为＞O的化合物。

如上所述，式(1)、式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体的化学结构中的芳基环或杂芳基环的至少一者由至少一个L-Cy取代。可为全部的芳基环及杂芳基环分别由至少一个L-Cy取代，也可为芳基环及杂芳基环中的一部分分别由至少一个L-Cy取代，还可为多个芳基环或杂芳基环中的一者由至少一个L-Cy取代。

作为由L-Cy取代的芳基环或杂芳基环，可列举作为式(1)中的A环、B环或C环的芳基环或杂芳基环、以及X¹及X²为＞N-R时的R中所含的芳基环或杂芳基环作为优选例。例如，优选为：在式(1-a)及式(1-b)中，选自由R²及R⁹所组成的群组中的至少一个为L-Cy，选自由X¹及X²所组成的群组中的至少一个是R为由L-Cy取代的苯基的＞N-R；或者选自由R²及R⁹所组成的群组中的至少一个为L-Cy，且选自由X¹及X²所组成的群组中的至少一个是R为由L-Cy取代的苯基的＞N-R。

作为由L-Cy取代的形态的其他例，可列举式(1)、式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体例如由经至少一个L-Cy取代的二芳基氨基、经至少一个L-Cy取代的咔唑基或经至少一个L-Cy取代的苯并咔唑基取代的例子。关于“二芳基氨基”，可列举作为所述“第一取代基”而说明的基。作为针对二芳基氨基、咔唑基及苯并咔唑基的环烷基的取代形态，可列举这些基中的芳基环或苯环的一部分或全部的氢由L-Cy取代的例子。

另外，作为更具体的例子，可列举式(1-a)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体中的R²为由至少一个L-Cy取代的二芳基氨基或由至少一个L-Cy取代的咔唑基的例子。

作为其一例，可列举下述式(2-A)所表示的多环芳香族化合物或具有多个下述式(2-A)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。n分别独立地为1～5(优选为1)的整数，结构式中的各符号的定义与式(1-a)中的各符号的定义相同。

另外，作为本发明的多环芳香族化合物及其多聚体的具体例，可列举化合物中的1个或多个芳香环由例如1个～2个L-Cy取代的化合物。

具体而言，可列举以下任一式所表示的化合物。下述式中的n分别独立地为0～2(其中，n不会全部成为0)，优选为1。此外，下述结构式中的“L”表示连结基，“Cy”表示环烷基，“OPh”表示苯氧基，“Me”表示甲基，“L-Cy”中，将L设为键结位置。

作为本发明的进行了环烷基取代的多环芳香族化合物的更具体的例子，可列举以下结构式所表示的化合物。此外，下述结构式中的“D”表示氘，“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基，“Ph”表示苯基，“Mes”表示均三甲苯基。

本发明的式(1)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体也可作为如下的高分子化合物(用于获得所述高分子化合物的所述单体具有聚合性取代基)或高分子交联体(用于获得所述高分子交联体的所述高分子化合物具有交联性取代基)、或者如下的悬挂型高分子化合物(用于获得所述悬挂型高分子化合物的所述反应性化合物具有反应性取代基)或悬挂型高分子交联体(用于获得所述悬挂型高分子交联体的所述悬挂型高分子化合物具有交联性取代基)而用于有机器件用材料、例如有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料中，所述高分子化合物是使在所述式(1)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体中取代有反应性取代基而成的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述高分子交联体是使所述高分子化合物进一步交联而成，所述悬挂型高分子化合物是使主链型高分子与所述反应性化合物反应而成，所述悬挂型高分子交联体是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成。

作为所述反应性取代基(包含所述聚合性取代基、所述交联性取代基、及用于获得悬挂型高分子的反应性取代基，以下，也简称为“反应性取代基”)，只要是可使所述多环芳香族化合物或其多聚体进行高分子量化的取代基、可使以此种方式获得的高分子化合物进一步交联化的取代基、以及可在主链型高分子中进行悬挂反应的取代基，则并无特别限定，但优选为以下结构的取代基。各结构式中的*表示键结位置。

L^X分别独立地为单键、-O-、-S-、＞C＝O、-O-C(＝O)-、碳数1～12的亚烷基、碳数1～12的氧亚烷基及碳数1～12的聚氧亚烷基。所述取代基中，优选为式(XLS-1)、式(XLS-2)、式(XLS-3)、式(XLS-9)、式(XLS-10)或式(XLS-17)所表示的基，更优选为式(XLS-1)、式(XLS-3)或式(XLS-17)所表示的基。

关于此种高分子化合物、高分子交联体、悬挂型高分子化合物及悬挂型高分子交联体(以下，也简称为“高分子化合物及高分子交联体”)的用途的详细情况，将在之后叙述。

2.多环芳香族化合物及其多聚体的制造方法

关于式(1)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体、优选为式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体，基本而言首先利用键结基(包含X¹或X²的基)使A环(a环)与B环(b环)及C环(c环)键结，由此制造中间物(第一反应)，然后，利用键结基(包含Y¹的基)使A环(a环)、B环(b环)及C环(c环)键结，由此可制造最终生成物(第二反应)。第一反应中，例如若为醚化反应，则可利用亲核取代反应、乌尔曼反应(Ullmann Reaction)等通常的反应，若为氨基化反应，则可利用布赫瓦尔德-哈特维希反应(Buchwald-Hartwig Reaction)等通常的反应。另外，第二反应中，可利用串联式杂弗里德-克拉夫茨反应(Tandem Hetero-Friedel-Crafts Reaction)(连续的芳香族亲电子取代反应，以下相同)。另外，通过在这些反应工序的某处使用由L-Cy取代的原料、或者追加导入L-Cy的工序，可制造所期望的位置进行了环烷基取代的本发明的化合物。

如下述流程(1)或流程(2)所示，第二反应为导入将A环(a环)、B环(b环)及C环(c环)键结的Y¹的反应，作为例子，以下表示Y¹为硼原子、X¹及X²为氧原子的情况。首先，利用正丁基锂、仲丁基锂或叔丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子进行邻位金属化。继而，加入三氯化硼或三溴化硼等，进行锂-硼的金属交换后，加入N,N-二异丙基乙胺等布忍斯特碱(Bronsted base)，由此进行串联式硼杂弗里德-克拉夫茨反应(Tandem Bora-Friedel-Crafts Reaction)，从而可获得目标物。在第二反应中，为了促进反应，也可加入三氯化铝等路易斯酸(Lewis acid)。此外，下述流程(1)及流程(2)中、以及其后的流程(3)～流程(28)中的各结构式的符号的定义与上文所述的定义相同。

流程(1)

流程(2)

此外，所述流程(1)或流程(2)主要示出了式(1)或式(1-a)所表示的多环芳香族化合物的制造方法，但关于其多聚体，可通过使用具有多个A环(a环)、B环(b环)及C环(c环)的中间物来制造。详细而言，通过下述流程(3)～流程(5)进行说明。所述情况下，通过将所使用的丁基锂等试剂的量设为2倍量、3倍量，可获得目标物。

流程(3)

流程(4)

在所述流程中，通过邻位金属化而朝所期望的位置上导入了锂，但可如下述流程(6)及流程(7)所示在欲导入锂的位置上导入溴原子等，并通过卤素-金属交换而也朝所期望的位置上导入锂。

流程(6)

流程(7)

另外，关于流程(3)中说明的多聚体的制造方法，也可如所述流程(6)及流程(7)所示在欲导入锂的位置上导入溴原子或氯原子等卤素，并通过卤素-金属交换而也朝所期望的位置上导入锂(下述流程(8)、流程(9)及流程(10))。

流程(8)

流程(9)

流程(10)

根据所述方法，即便在因取代基的影响而无法进行邻位金属化的情况下也可合成目标物，从而有用。

通过适当选择所述合成法，且也适当选择所使用的原料，可合成所期望的位置进行了环烷基取代、在所期望的位置上具有取代基、且Y¹为硼原子、X¹及X²为氧原子的多环芳香族化合物及其多聚体。

继而，将Y¹为硼原子、X¹及X²为氮原子的情况作为例子而示于下述流程(11)及流程(12)中。与X¹及X²为氧原子的情况同样地，首先，利用正丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子进行邻位金属化。继而，加入三溴化硼等，进行锂-硼的金属交换后，加入N,N-二异丙基乙胺等布忍斯特碱，由此进行串联式硼杂弗里德-克拉夫茨反应，从而可获得目标物。此处，为了促进反应，也可加入三氯化铝等路易斯酸。另外，通过在这些反应工序的某处使用由L-Cy取代的原料、或者追加导入L-Cy的工序，可制造所期望的位置进行了环烷基取代的本发明的化合物。

流程(11)

流程(12)

另外，关于Y¹为硼原子、X¹及X²为氮原子时的多聚体，也可如所述流程(6)及流程(7)所示在欲导入锂的位置上导入溴原子或氯原子等卤素，并通过卤素-金属交换而也朝所期望的位置上导入锂(下述流程(13)、流程(14)及流程(15))。

流程(13)

流程(14)

流程(15)

继而，将Y¹为硫化磷、氧化磷或磷原子且X¹及X²为氧原子的情况作为例子而示于下述流程(16)～流程(19)中。与此前同样地，首先利用正丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子进行邻位金属化。继而，依次添加三氯化磷、硫，最后加入三氯化铝等路易斯酸及N,N-二异丙基乙胺等布忍斯特碱，由此进行串联式磷杂弗里德-克拉夫茨反应，从而可获得Y¹为硫化磷的化合物。另外，通过利用间氯过苯甲酸(m-chloroperbenzoic acid，m-CPBA)对所获得的硫化磷化合物进行处理而可获得Y¹为氧化磷的化合物，通过利用三乙基膦进行处理而可获得Y¹为磷原子的化合物。另外，通过在这些反应工序的某处使用由L-Cy取代的原料、或者追加导入L-Cy的工序，可制造所期望的位置进行了环烷基取代的本发明的化合物。

流程(16)

流程(17)

流程(18)

流程(19)

另外，关于Y¹为硫化磷、X¹及X²为氧原子时的多聚体，也可如所述流程(6)及流程(7)所示在欲导入锂的位置上导入溴原子或氯原子等卤素，并通过卤素-金属交换而也朝所期望的位置上导入锂(下述流程(20)、流程(21)及流程(22))。另外，关于以所述方式形成的Y¹为硫化磷、X¹及X²为氧原子时的多聚体，也如所述流程(18)及流程(19)所示，通过利用间氯过苯甲酸(m-CPBA)进行处理而可获得Y¹为氧化磷的化合物，通过利用三乙基膦进行处理而可获得Y¹为磷原子的化合物。

流程(20)

流程(21)

流程(22)

此处，记载了Y¹为B、P、P＝O或P＝S且X¹及X²为O或NR的例子，但通过适当变更原料，也可合成Y¹为Al、Ga、As、Si-R或Ge-R的化合物或者X¹及X²为S的化合物。

以上的反应中所使用的溶媒的具体例为叔丁基苯或二甲苯等。

另外，式(1-a)中，a环、b环及c环的取代基R¹～R¹¹中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基或杂芳基取代。因此，式(1-a)所表示的多环芳香族化合物根据a环、b环及c环中的取代基的相互的键结形态，如下述流程(23)及流程(24)的式(1-a-1)及式(1-a-2)所示，构成化合物的环结构发生变化。这些化合物可通过将所述流程(1)～流程(19)中示出的合成法应用于下述流程(23)及流程(24)中所示的中间物来合成。另外，通过在这些反应工序的某处使用由L-Cy取代的原料、或者追加导入L-Cy的工序，可制造所期望的位置进行了环烷基取代的本发明的化合物。

流程(23)

流程(24)

所述式(1-a-1)及式(1-a-2)中的A'环、B'环及C'环表示取代基R¹～取代基R¹¹中的邻接的基彼此键结并分别与a环、b环及c环一起形成的芳基环或杂芳基环(也可称为其他环结构在a环、b环或c环中缩合而成的稠环)。此外，虽然式中未表示，但也存在a环、b环及c环全部变化成A'环、B'环及C'环的化合物。

另外，式(1-a)中的“＞N-R的R和/或所述＞-C(-R)₂-的R通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键而与所述a环、b环和/或c环键结”的规定可由如下的化合物来表现，所述化合物由下述流程(25)的式(1-a-3-1)表示、且具有X¹或X²被导入至稠环B'及稠环C'的环结构；或者由式(1-a-3-2)或式(1-a-3-3)表示、且具有X¹或X²被导入至稠环A'的环结构。这些化合物可通过将所述流程(1)～流程(19)中示出的合成法应用于下述流程(25)中示出的中间物来合成。另外，通过在这些反应工序的某处使用由L-Cy取代的原料、或者追加导入L-Cy的工序，可制造所期望的位置进行了环烷基取代的本发明的化合物。

流程(25)

另外，在所述流程(1)～流程(17)及流程(20)～流程(25)的合成法中，示出了在加入三氯化硼或三溴化硼等之前，利用丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子(或卤素原子)进行邻位金属化，由此进行串联式杂弗里德-克拉夫茨反应的例子，但也可不进行利用丁基锂等的邻位金属化，而通过添加三氯化硼或三溴化硼等来进行反应。

另外，在Y¹为磷系的情况下，如下述流程(26)或流程(27)所示，利用正丁基锂、仲丁基锂或叔丁基锂等对X¹与X²(下述式中为O)之间的氢原子进行邻位金属化，继而加入双(二乙氨基)氯膦，进行锂-磷的金属交换后，加入三氯化铝等路易斯酸，由此进行串联式磷杂弗里德-克拉夫茨反应，从而可获得目标物。所述反应方法在国际公开第2010/104047号公报(例如27页)中也有记载。另外，通过在这些反应工序的某处使用由L-Cy取代的原料、或者追加导入L-Cy的工序，可制造所期望的位置进行了环烷基取代的本发明的化合物。

流程(26)

流程(27)

此外，在所述流程(26)或流程(27)中，使用相对于中间物1的摩尔量而为2倍、3倍的摩尔量的丁基锂等邻位金属化试剂，由此也可合成多聚体化合物。另外，在欲导入锂等金属的位置上事先导入溴原子或氯原子等卤素，并进行卤素-金属交换，由此可朝所期望的位置上导入金属。

此外，关于式(2-A)所表示的多环芳香族化合物，如下述流程(28)所示，可通过合成由L-Cy取代的中间物并使其环化，来合成所期望的位置由L-Cy取代的多环芳香族化合物。流程(28)中，Hal¹、Hal²、Hal³及Hal⁴均表示卤素，X表示卤素或氢，其他符号的定义与式(1-a)中的符号的定义相同。

导入L-Cy的方法如下所述。以连结基L为亚烷基的化合物为例进行说明。

首先，使具有A环、B环、C环的化合物与具有相对应的环烷基的羧酸氯化物反应，例如在路易斯酸的存在下，使用弗里德-克拉夫茨反应而衍生为酮(第一反应)。继而，若通过还原而将羰基加以还原，则可导入具有作为连结基的亚烷基的环烷基，若使2等量以上的甲基卤化镁或甲基锂作用于羰基，则可形成具有二甲基亚甲基的连结基，若使二甲基氨基氟化硫(Dimethylamino sulfur fluoride，DAST)等氟化剂作用于羰基，则可将氟亚烷基设为连结基(第二反应)。另外，只要使具有A环、B环、C环的化合物与具有相对应的环烷基的烷基卤化物反应，并在路易斯酸的存在下进行弗里德-克拉夫茨反应，则可直接合成具有作为连结基的亚烷基的化合物。

继而，以连结基L为醚基的化合物为例进行说明。

首先，使具有A环、B环、C环的酚化合物与具有相对应的环烷基的烷基卤化物在碳酸钾或氢化钠等碱的存在下反应，由此可衍生为在连结基上具有醚键的化合物。

继而，以连结基L为酯基的化合物为例进行说明。

首先，针对具有A环、B环、C环的酚化合物或羧酸与具有相对应的环烷基的羧酸或醇，在二甲基氨基吡啶(Dimethylaminopyridine，DMAP)等催化剂的存在下，并使用N,N-二环己基碳二酰亚胺(N,N-Dicyclohexylcarbodiimide，DCC)等脱水剂，由此可衍生为在连结基上具有酯键的化合物。

流程(28)

流程(28)中的环化前的中间物也可利用流程(1)等中所示的方法来合成。即，可通过将布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应或铃木偶合反应、或者利用亲核取代反应或乌尔曼(Ullmann)反应等的醚化反应等适当组合来合成具有所期望的取代基的中间物。在这些反应中，成为进行了环烷基取代的前体的原料也可利用市售品。

具有由L-Cy取代的二苯基氨基的式(2-A)的化合物例如也可利用如下方法来合成。即，针对由L-Cy取代的溴苯与三卤化苯胺，通过布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应之类的氨基化反应而导入由L-Cy取代的二苯基氨基后，在X¹、X²为N-R的情况下，利用布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应之类的氨基化反应而衍生为中间物(M-3)，在X¹、X²为O的情况下，通过使用苯酚进行的醚化而衍生为中间物(M-3)，然后，例如通过使丁基锂之类的金属化试剂发挥作用来进行反式金属化、之后使三溴化硼之类的卤化硼发挥作用、之后使二乙基异丙基胺之类的布忍斯特碱发挥作用而进行的串联式硼杂弗里德-克拉夫茨反应，可合成式(2-A)的化合物。这些反应也可应用于其他由L-Cy取代的化合物。

此外，作为所述流程(1)～流程(28)中使用的邻位金属化试剂，可列举：甲基锂、正丁基锂、仲丁基锂、叔丁基锂等烷基锂，二异丙基酰胺锂、四甲基哌啶化锂、六甲基二硅胺化锂、六甲基二硅胺化钾等有机碱性化合物。

此外，作为所述流程(1)～流程(28)中所使用的金属-Y¹的金属交换试剂，可列举：Y¹的三氟化物、Y¹的三氯化物、Y¹的三溴化物、Y¹的三碘化物等Y¹的卤化物，CIPN(NEt₂)₂等Y¹的氨基化卤化物，Y¹的烷氧基化物，Y¹的芳氧基化物等。

此外，作为所述流程(1)～流程(28)中所使用的布忍斯特碱，可列举：N,N-二异丙基乙胺、三乙胺、2,2,6,6-四甲基哌啶、1,2,2,6,6-五甲基哌啶、N,N-二甲基苯胺、N,N-二甲基甲苯胺、2,6-二甲基吡啶、四苯基硼酸钠、四苯基硼酸钾、三苯基硼烷、四苯基硅烷、Ar₄BNa、Ar₄BK、Ar₃B、Ar₄Si(此外，Ar为苯基等芳基)等。

作为所述流程(1)～流程(28)中所使用的路易斯酸，可列举：AlCl₃、AlBr₃、AlF₃、BF₃·OEt₂、BCl₃、BBr₃、GaCl₃、GaBr₃、InCl₃、InBr₃、In(OTf)₃、SnCl₄、SnBr₄、AgOTf、ScCl₃、Sc(OTf)₃、ZnCl₂、ZnBr₂、Zn(OTf)₂、MgCl₂、MgBr₂、Mg(OTf)₂、LiOTf、NaOTf、KOTf、Me₃SiOTf、Cu(OTf)₂、CuCl₂、YCl₃、Y(OTf)₃、TiCl₄、TiBr₄、ZrCl₄、ZrBr₄、FeCl₃、FeBr₃、CoCl₃、CoBr₃等。

在所述流程(1)～流程(28)中，为了促进串联式杂弗里德-克拉夫茨反应，也可使用布忍斯特碱或路易斯酸。其中，在使用Y¹的三氟化物、Y¹的三氯化物、Y¹的三溴化物、Y¹的三碘化物等Y¹的卤化物的情况下，随着芳香族亲电子取代反应的进行而生成氟化氢、氯化氢、溴化氢、碘化氢等酸，因此有效的是使用捕捉酸的布忍斯特碱。另一方面，在使用Y¹的氨基化卤化物、Y¹的烷氧基化物的情况下，随着芳香族亲电子取代反应的进行而生成胺、醇，因此在多数情况下，无需使用布忍斯特碱，但因氨基或烷氧基的脱离能力低，因此有效的是使用促进其脱离的路易斯酸。

另外，本发明的多环芳香族化合物或其多聚体中也包含至少一部分氢原子由氘或氰基取代的化合物或者由氟或氯等卤素取代的化合物，此种化合物等可通过使用所期望的位置经氘化、氰化、氟化或氯化的原料而与上述同样地合成。

3.有机器件

本发明的化合物(式(1)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体、在所述任一者中取代有反应性取代基而成的反应性化合物、使所述任一者进行高分子化而成的高分子化合物、高分子交联体、悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体)可用作有机器件用材料。作为有机器件，例如可列举：有机电致发光元件、有机场效晶体管或有机薄膜太阳电池等。

3-1.有机电致发光元件

本发明的化合物例如可用作有机电致发光元件的材料。以下，基于附图对本实施方式的有机EL元件进行详细说明。图1是表示本实施方式的有机EL元件的概略剖面图。

3-1-1.有机电致发光元件的结构

图1所示的有机EL元件100包括：基板101、设置于基板101上的阳极102、设置于阳极102上的空穴注入层103、设置于空穴注入层103上的空穴传输层104、设置于空穴传输层104上的发光层105、设置于发光层105上的电子传输层106、设置于电子传输层106上的电子注入层107、以及设置于电子注入层107上的阴极108。

此外，有机EL元件100也可使制作顺序相反而形成例如以下的结构，所述结构包括：基板101、设置于基板101上的阴极108、设置于阴极108上的电子注入层107、设置于电子注入层107上的电子传输层106、设置于电子传输层106上的发光层105、设置于发光层105上的空穴传输层104、设置于空穴传输层104上的空穴注入层103、以及设置于空穴注入层103上的阳极102。

所述各层并非全部是不可或缺的层，将最小结构单元设为包含阳极102、发光层105及阴极108的结构，空穴注入层103、空穴传输层104、电子传输层106、电子注入层107是可任意设置的层。另外，所述各层可分别包含单一层，也可包含多层。

此外，在本说明书中，有时将有机EL元件中的发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层等包含有机化合物的层总称为有机层。

作为构成有机EL元件的层的形态，除所述“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”的结构形态以外，也可为“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子注入层/阴极”的结构形态。

3-1-2.有机电致发光元件中的基板

基板101是有机EL元件100的支撑体，通常可使用石英、玻璃、金属、塑料等。基板101根据目的而形成为板状、膜状或片状，例如可使用玻璃板、金属板、金属箔、塑料膜、塑料片等。其中，优选为玻璃板及聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明的合成树脂制的板。若为玻璃基板，则可使用钠钙玻璃或无碱玻璃等，另外，厚度也只要是足以保持机械强度的厚度即可，因此例如只要有0.2mm以上即可。厚度的上限值例如为2mm以下，优选为1mm以下。关于玻璃的材质，由于来自玻璃的溶出离子以少为宜，因此优选为无碱玻璃，由于施加了SiO₂等的隔离涂层(barrier coat)的钠钙玻璃也有市售，因此可使用所述钠钙玻璃。另外，为了提高阻气性，也可在基板101的至少一面上设置细密的氧化硅膜等阻气膜，在将阻气性低的合成树脂制的板、膜或片用作基板101的情况下，特别优选为设置阻气膜。

3-1-3.有机电致发光元件中的阳极

阳极102发挥朝发光层105中注入空穴的作用。此外，当在阳极102与发光层105之间设置有空穴注入层103和/或空穴传输层104时，经由这些层朝发光层105中注入空穴。

作为形成阳极102的材料，可列举无机化合物及有机化合物。作为无机化合物，例如可列举：金属(铝、金、银、镍、钯、铬等)、金属氧化物(铟的氧化物、锡的氧化物、铟-锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟-锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)等)、卤化金属(碘化铜等)、硫化铜、碳黑、ITO玻璃或奈塞(NESA)玻璃等。作为有机化合物，例如可列举：聚(3-甲基噻吩)等聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等导电性聚合物等。此外，可自用作有机EL元件的阳极的物质中适当选择来使用。

透明电极的电阻只要可供给对于发光元件的发光而言充分的电流即可，因此并无限定，但就发光元件的消耗电力的观点而言，理想的是低电阻。例如，若为300Ω/Υ以下的ITO基板，则作为元件电极而发挥功能，但现在也可供给10Ω/Υ左右的基板，因此特别理想的是使用例如100Ω/Υ～5Ω/Υ、优选为50Ω/Υ～5Ω/Υ的低电阻品。ITO的厚度可配合电阻值而任意地选择，但通常多在50nm～300nm之间使用。

3-1-4.有机电致发光元件中的空穴注入层、空穴传输层

空穴注入层103发挥将自阳极102迁移而来的空穴高效地注入发光层105内或空穴传输层104内的作用。空穴传输层104发挥将自阳极102所注入的空穴、或自阳极102经由空穴注入层103所注入的空穴高效地传输至发光层105的作用。空穴注入层103及空穴传输层104分别将空穴注入/传输材料的一种或两种以上加以层叠、混合而形成，或者由空穴注入/传输材料与高分子粘结剂的混合物形成。另外，也可向空穴注入/传输材料中添加氯化铁(III)之类的无机盐来形成层。

作为空穴注入/传输性物质，需要在施加有电场的电极间高效地注入/传输来自正极的空穴，理想的是空穴注入效率高、且高效地传输所注入的空穴。因此，优选为电离电位小、且空穴迁移率大、进而稳定性优异、在制造时及使用时不易产生成为陷阱的杂质的物质。

作为形成空穴注入层103及空穴传输层104的材料，可自从前以来在光导电材料中作为空穴的电荷传输材料所惯用的化合物、p型半导体、有机EL元件的空穴注入层及空穴传输层中所使用的公知的化合物中选择使用任意的化合物。这些化合物的具体例为咔唑衍生物(N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等)、双(N-芳基咔唑)或双(N-烷基咔唑)等双咔唑衍生物、三芳基胺衍生物(在主链或侧链上具有芳香族三级氨基的聚合物、1,1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二氨基联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二萘基-4,4'-二氨基联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N,N'-二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N⁴,N⁴'-二苯基-N⁴,N⁴'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺、N⁴,N⁴,N⁴',N⁴'-四[1,1'-联苯]-4-基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺、4,4',4”-三(3-甲基苯基(苯基)氨基)三苯基胺等三苯基胺衍生物、星爆状胺衍生物等)、二苯乙烯衍生物、酞菁衍生物(无金属、铜酞菁等)、吡唑啉衍生物、腙系化合物、苯并呋喃衍生物或噻吩衍生物、恶二唑衍生物、喹恶啉衍生物(例如1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯-2,3,6,7,10,11-六碳腈等)、卟啉衍生物等杂环化合物、聚硅烷等。在聚合物系中，优选为在侧链上具有所述单量体的聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚乙烯咔唑及聚硅烷等，但只要是形成发光元件的制作所需的薄膜且可自阳极注入空穴、进而可传输空穴的化合物，则并无特别限定。

另外，有机半导体的导电性因其掺杂而受到强烈影响这一点也为人所知。此种有机半导体基质物质包含供电子性良好的化合物或电子接受性良好的化合物。为了掺杂供电子物质，已知有四氰基醌二甲烷(Tetracyanoquinodimethane，TCNQ)或2,3,5,6-四氟四氰基-1,4-苯醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinodimethane，F4TCNQ)等强电子接受体(例如参照文献“M.法伊弗、A.拜尔、T.弗里茨、K.利奥(M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo),《应用物理学快报(Appl.Phys.Lett.)》,73(22),3202-3204(1998)”及文献“J.布洛赫维茨、M.法伊弗、T.弗里茨、K.利奥(J.Blochwitz,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo),《应用物理学快报(Appl.Phys.Lett.)》,73(6),729-731(1998)”)。它们通过供电子型基础物质(空穴传输物质)中的电子迁移过程而生成所谓的空穴。基础物质的传导性根据空穴的数量及迁移率而发生相当大的变化。作为具有空穴传输特性的基质物质，已知有例如联苯胺衍生物(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine，TPD)等)或星爆状胺衍生物(4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(4,4',4”-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine，TDATA)等)、或者特定金属酞菁(特别是锌酞菁(ZnPc)等)(日本专利特开2005-167175号公报)。

所述空穴注入层用材料及空穴传输层用材料也可作为如下的高分子化合物或其高分子交联体、或者如下的悬挂型高分子化合物或其悬挂型高分子交联体而用于空穴层用材料中，所述高分子化合物是使在所述空穴注入层用材料及空穴传输层用材料中取代有反应性取代基而成的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述悬挂型高分子化合物是使主链型高分子与所述反应性化合物反应而成。作为所述情况下的反应性取代基，可引用式(1)所表示的多环芳香族化合物中的说明。

关于此种高分子化合物及高分子交联体的用途的详细情况，将在之后叙述。

3-1-5.有机电致发光元件中的发光层

发光层105是通过在施加有电场的电极间，使自阳极102所注入的空穴与自阴极108所注入的电子再结合而发光的层。作为形成发光层105的材料，只要是由空穴与电子的再结合而得到激发来发光的化合物(发光性化合物)即可，优选为可形成稳定的薄膜形状、且在固体状态下显示出强的发光(荧光)效率的化合物。

发光层可为单一层，也可包含多层，任一者均可，且分别由发光层用材料(主体材料、掺杂剂材料)形成。主体材料与掺杂剂材料分别可为一种，也可为多种的组合，任一者均可。掺杂剂材料可包含于主体材料整体内，也可包含于部分主体材料内，任一者均可。作为掺杂方法，可通过与主体材料的共蒸镀法来形成，也可事先与主体材料混合后同时蒸镀。

本发明的化合物优选为用作发光层用材料，特别优选为用作掺杂剂材料。

主体材料的使用量根据主体材料的种类而不同，只要配合所述主体材料的特性来决定即可。主体材料的使用量的基准优选为发光层用材料整体的50质量％～99.999质量％，更优选为80质量％～99.95质量％，进而优选为90质量％～99.9质量％。

掺杂剂材料的使用量根据掺杂剂材料的种类而不同，只要配合所述掺杂剂材料的特性来决定即可。掺杂剂的使用量的基准优选为发光层用材料整体的0.001质量％～50质量％，更优选为0.05质量％～20质量％，进而优选为0.1质量％～10质量％。若为所述范围，则例如就可防止浓度淬灭现象的方面而言优选。

作为主体材料，可列举自以前作为发光体已知的蒽、芘、二苯并

或芴等的稠环衍生物、双苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等双苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、环戊二烯衍生物等。特别优选为蒽系化合物、芴系化合物或二苯并

系化合物。

＜蒽系化合物＞

作为主体的蒽系化合物例如为下述式(3)所表示的化合物。

式(3)中，

X及Ar⁴分别独立地为氢、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的二芳基氨基、可经取代的二杂芳基氨基、可经取代的芳基杂芳基氨基、可经取代的烷基、可经取代的环烷基、可经取代的烯基、可经取代的烷氧基、可经取代的芳氧基、可经取代的芳硫基或可经取代的硅烷基，X及Ar⁴不会全部同时成为氢，

式(3)所表示的化合物中的至少一个氢可由卤素、氰基、氘或可经取代的杂芳基取代。

另外，也可将式(3)所表示的结构作为单元结构来形成多聚体(优选为二聚体)。所述情况下，例如可列举式(3)所表示的单元结构彼此经由X键结的形态，作为所述X，可列举：单键、亚芳基(亚苯基、亚联苯基及亚萘基等)及亚杂芳基(吡啶环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环、苯并咔唑环及苯基取代咔唑环等具有二价成键价的基)等。

所述芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基、芳氧基、芳硫基或硅烷基的详细情况将在以下的优选形态一栏中进行说明。另外，作为针对它们的取代基，可列举芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基、芳氧基、芳硫基或硅烷基等，它们的详细情况也将在以下的优选形态一栏中进行说明。

以下对所述蒽系化合物的优选形态进行说明。下述结构中的符号的定义与上文所述的定义相同。

式(3)中，X分别独立地为所述式(3-X1)、式(3-X2)或式(3-X3)所表示的基，式(3-X1)、式(3-X2)或式(3-X3)所表示的基在*处与式(3)的蒽环键结。优选为两个X不会同时成为式(3-X3)所表示的基。更优选为两个X也不会同时成为式(3-X2)所表示的基。

另外，也可将式(3)所表示的结构作为单元结构来形成多聚体(优选为二聚体)。所述情况下，例如可列举式(3)所表示的单元结构彼此经由X键结的形态，作为所述X，可列举：单键、亚芳基(亚苯基、亚联苯基及亚萘基等)及亚杂芳基(吡啶环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环、苯并咔唑环及苯基取代咔唑环等具有二价成键价的基)等。

式(3-X1)及式(3-X2)中的亚萘基部位可由一个苯环缩合。以所述方式缩合而成的结构如下所示。

Ar¹及Ar²分别独立地为氢、苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、芴基、苯并芴基、

基、三亚苯基、芘基或所述式(A)所表示的基(也包含咔唑基、苯并咔唑基及苯基取代咔唑基)。此外，在Ar¹或Ar²为式(A)所表示的基的情况下，式(A)所表示的基在其*处与式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环键结。

Ar³为苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、芴基、苯并芴基、

基、三亚苯基、芘基或所述式(A)所表示的基(也包含咔唑基、苯并咔唑基及苯基取代咔唑基)。此外，在Ar³为式(A)所表示的基的情况下，式(A)所表示的基在其*处与式(3-X3)中的直线所表示的单键键结。即，式(3)的蒽环与式(A)所表示的基直接键结。

另外，Ar³也可具有取代基，Ar³中的至少一个氢可进一步由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、芴基、

基、三亚苯基、芘基或所述式(A)所表示的基(也包含咔唑基及苯基取代咔唑基)取代。此外，在Ar³所具有的取代基为式(A)所表示的基的情况下，式(A)所表示的基在其*处与式(3-X3)中的Ar³键结。

Ar⁴分别独立地为氢、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、或者由碳数1～4的烷基(甲基、乙基、叔丁基等)和/或碳数5～10的环烷基取代的硅烷基。

在硅烷基中进行取代的碳数1～4的烷基可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基等，硅烷基中的三个氢分别独立地由这些烷基取代。

作为具体的“由碳数1～4的烷基取代的硅烷基”，可列举：三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、三丙基硅烷基、三异丙基硅烷基、三丁基硅烷基、三仲丁基硅烷基、三叔丁基硅烷基、乙基二甲基硅烷基、丙基二甲基硅烷基、异丙基二甲基硅烷基、丁基二甲基硅烷基、仲丁基二甲基硅烷基、叔丁基二甲基硅烷基、甲基二乙基硅烷基、丙基二乙基硅烷基、异丙基二乙基硅烷基、丁基二乙基硅烷基、仲丁基二乙基硅烷基、叔丁基二乙基硅烷基、甲基二丙基硅烷基、乙基二丙基硅烷基、丁基二丙基硅烷基、仲丁基二丙基硅烷基、叔丁基二丙基硅烷基、甲基二异丙基硅烷基、乙基二异丙基硅烷基、丁基二异丙基硅烷基、仲丁基二异丙基硅烷基、叔丁基二异丙基硅烷基等。

在硅烷基中进行取代的碳数5～10的环烷基可列举环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、降冰片烷、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等，硅烷基中的三个氢分别独立地由这些环烷基取代。

作为具体的“由碳数5～10的环烷基取代的硅烷基”，可列举三环戊基硅烷基、三环己基硅烷基等。

作为经取代的硅烷基，也有取代有两个烷基与一个环烷基的二烷基环烷基硅烷基、及取代有一个烷基与两个环烷基的烷基二环烷基硅烷基，作为进行取代的烷基及环烷基的具体例，可列举上文所述的基。

另外，式(3)所表示的蒽系化合物的化学结构中的氢也可由所述式(A)所表示的基取代。在由式(A)所表示的基取代的情况下，式(A)所表示的基在其*处与式(3)所表示的化合物中的至少一个氢进行取代。

式(A)所表示的基为式(3)所表示的蒽系化合物可具有的取代基之一。

所述式(A)中，Y为-O-、-S-或＞N-R²⁹，R²¹～R²⁸分别独立地为氢、可经取代的烷基、可经取代的环烷基、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷氧基、可经取代的芳氧基、可经取代的芳硫基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、烷基二环烷基硅烷基、可经取代的氨基、卤素、羟基或氰基，R²¹～R²⁸中的邻接的基可相互键结而形成烃环、芳基环或杂芳基环，R²⁹为氢或可经取代的芳基。

作为R²¹～R²⁸中的“可经取代的烷基”的“烷基”，可为直链及支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基。优选为碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)，更优选为碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)，进而优选为碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)，特别优选为碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。

作为具体的“烷基”，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可经取代的环烷基”的“环烷基”，可列举：碳数3～24的环烷基、碳数3～20的环烷基、碳数3～16的环烷基、碳数3～14的环烷基、碳数5～10的环烷基、碳数5～8的环烷基、碳数5～6的环烷基、碳数5的环烷基等。

作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、以及它们的碳数1～4的烷基(特别是甲基)取代物、或降冰片烷、双环[1.0.1]丁基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、双金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可经取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。

作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系的苯基，作为二环系的联苯基，作为缩合二环系的萘基，作为三环系的三联苯基(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)，作为缩合三环系的苊基、芴基、非那烯基、菲基，作为缩合四环系的三亚苯基、芘基、并四苯基，作为缩合五环系的苝基、并五苯基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可经取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有1个～5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。

作为具体的“杂芳基”，例如可列举：吡咯基、恶唑基、异恶唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、恶二唑基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹恶啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩恶噻基、吩恶嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吲嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并[b]噻吩基、二苯并噻吩基、呋咱基、恶二唑基、噻蒽基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可经取代的烷氧基”的“烷氧基”，例如可列举碳数1～24的直链烷氧基或碳数3～24的支链烷氧基。优选为碳数1～18的烷氧基(碳数3～18的支链烷氧基)，更优选为碳数1～12的烷氧基(碳数3～12的支链烷氧基)，进而优选为碳数1～6的烷氧基(碳数3～6的支链烷氧基)，特别优选为碳数1～4的烷氧基(碳数3～4的支链烷氧基)。

作为具体的“烷氧基”，可列举：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。

R²¹～R²⁸中的“可经取代的芳氧基”的“芳氧基”为-OH基的氢由芳基取代的基，所述芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”而说明的基。

R²¹～R²⁸中的“可经取代的芳硫基”的“芳硫基”为-SH基的氢由芳基取代的基，所述芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”而说明的基。

作为R²¹～R²⁸中的“三烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地由烷基取代的基，所述烷基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“烷基”而说明的基。对于取代而言优选的烷基为碳数1～4的烷基，具体而言，可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基等。

作为具体的“三烷基硅烷基”，可列举：三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、三丙基硅烷基、三异丙基硅烷基、三丁基硅烷基、三仲丁基硅烷基、三叔丁基硅烷基、乙基二甲基硅烷基、丙基二甲基硅烷基、异丙基二甲基硅烷基、丁基二甲基硅烷基、仲丁基二甲基硅烷基、叔丁基二甲基硅烷基、甲基二乙基硅烷基、丙基二乙基硅烷基、异丙基二乙基硅烷基、丁基二乙基硅烷基、仲丁基二乙基硅烷基、叔丁基二乙基硅烷基、甲基二丙基硅烷基、乙基二丙基硅烷基、丁基二丙基硅烷基、仲丁基二丙基硅烷基、叔丁基二丙基硅烷基、甲基二异丙基硅烷基、乙基二异丙基硅烷基、丁基二异丙基硅烷基、仲丁基二异丙基硅烷基、叔丁基二异丙基硅烷基等。

作为R²¹～R²⁸中的“三环烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地由环烷基取代的基，所述环烷基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“环烷基”而说明的基。对于取代而言优选的环烷基为碳数5～10的环烷基，具体而言，可列举：环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.1.2]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。

作为具体的“三环烷基硅烷基”，可列举三环戊基硅烷基、三环己基硅烷基等。

作为取代有两个烷基与一个环烷基的二烷基环烷基硅烷基、及取代有一个烷基与两个环烷基的烷基二环烷基硅烷基的具体例，可列举取代有选自所述具体的烷基及环烷基中的基的硅烷基。

作为R²¹～R²⁸中的“可经取代的氨基”的“经取代的氨基”，例如可列举两个氢由芳基或杂芳基取代的氨基。两个氢由芳基取代的氨基为二芳基取代氨基，两个氢由杂芳基取代的氨基为二杂芳基取代氨基，两个氢由芳基与杂芳基取代的氨基为芳基杂芳基取代氨基。所述芳基或杂芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”或“杂芳基”而说明的基。

作为具体的“经取代的氨基”，可列举：二苯基氨基、二萘基氨基、苯基萘基氨基、二吡啶基氨基、苯基吡啶基氨基、萘基吡啶基氨基等。

作为R²¹～R²⁸中的“卤素”，可列举：氟、氯、溴、碘。

作为R²¹～R²⁸而说明的基中，若干基也可以上述方式经取代，作为所述情况下的取代基，可列举：烷基、环烷基、芳基或杂芳基。所述烷基、环烷基、芳基或杂芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“烷基”、“环烷基”、“芳基”或“杂芳基”而说明的基。

作为Y的“＞N-R²⁹”中的R²⁹为氢或可经取代的芳基，作为所述芳基，可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”而说明的基，另外，作为所述取代基，可引用作为针对R²¹～R²⁸的取代基而说明的基。

R²¹～R²⁸中的邻接的基可相互键结而形成烃环、芳基环或杂芳基环。未形成环的情况为下述式(A-1)所表示的基，作为形成环的情况，例如可列举下述式(A-2)～式(A-14)所表示的基。此外，式(A-1)～式(A-14)的任一者所表示的基中的至少一个氢可由烷基、环烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基、芳硫基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、烷基二环烷基硅烷基、二芳基取代氨基、二杂芳基取代氨基、芳基杂芳基取代氨基、卤素、羟基或氰基取代。

作为邻接的基相互键结而成的环，若为烃环，则例如可列举环己烷环，作为芳基环或杂芳基环，可列举所述R²¹～R²⁸中的“芳基”或“杂芳基”中所说明的环结构，这些环以与所述式(A-1)中的一个或两个苯环进行缩合的方式形成。

作为式(A)所表示的基，例如可列举所述式(A-1)～式(A-14)的任一者所表示的基，优选为所述式(A-1)～式(A-5)及式(A-12)～式(A-14)的任一者所表示的基，更优选为所述式(A-1)～式(A-4)的任一者所表示的基，进而优选为所述式(A-1)、式(A-3)及式(A-4)的任一者所表示的基，特别优选为所述式(A-1)所表示的基。

如上所述，式(A)所表示的基在式(A)中的*处与式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环、式(3-X3)中的单键、式(3-X3)中的Ar³键结，另外，与式(3)所表示的化合物中的至少一个氢进行取代，但这些键结形态中，优选为与式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环、式(3-X3)中的单键和/或式(3-X3)中的Ar³键结的形态。

另外，关于式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环、式(3-X3)中的单键、式(3-X3)中的Ar³在式(A)所表示的基的结构中进行键结的位置及在式(A)所表示的基的结构中与式(3)所表示的化合物中的至少一个氢进行取代的位置，可为式(A)的结构中的任意位置，例如可在式(A)的结构中的两个苯环的任一个苯环上、或式(A)的结构中的R²¹～R²⁸中的邻接的基相互键结而形成的任一环上、或作为式(A)的结构中的Y的“＞N-R²⁹”的R²⁹中的任一位置进行键结。

作为式(A)所表示的基，例如可列举以下的基。式中的Y及*的定义与上述相同。

另外，式(3)所表示的蒽系化合物的化学结构中的全部或一部分氢可为氘。

作为蒽系化合物的具体例，例如可列举下述式(3-1)～式(3-72)所表示的化合物。

此外，下述结构式中的“Me”表示甲基，“D”表示氘，“tBu”表示叔丁基。

式(3)所表示的蒽系化合物可将在蒽骨架的所期望的位置上具有反应性基的化合物、以及在X、Ar⁴及式(A)的结构等部分结构上具有反应性基的化合物作为起始原料，并应用铃木偶合、根岸偶合、其他公知的偶合反应来制造。作为这些反应性化合物的反应性基，可列举卤素或硼酸等。作为具体的制造方法，例如可参考国际公开第2014/141725号公报的段落[0089]～段落[0175]的合成法。

＜芴系化合物＞

式(4)所表示的化合物基本上作为主体而发挥功能。

所述式(4)中，

R¹至R¹⁰分别独立地为氢、芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述式(4)中的芴骨架键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，

另外，R¹与R²、R²与R³、R³与R⁴、R⁵与R⁶、R⁶与R⁷、R⁷与R⁸或R⁹与R¹⁰可分别独立地键结而形成稠环或螺环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述所形成的环键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基取代，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，而且，

式(4)所表示的化合物中的至少一个氢可由卤素、氰基或氘取代。

所述式(4)的定义中的各基的详细情况可引用上文所述的式(1)的多环芳香族化合物的说明。

作为R¹至R¹⁰中的烯基，例如可列举碳数2～30的烯基，优选为碳数2～20的烯基，更优选为碳数2～10的烯基，进而优选为碳数2～6的烯基，特别优选为碳数2～4的烯基。优选的烯基为乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基或5-己烯基。

此外，作为杂芳基的具体例，也可列举自下述式(4-Ar1)、式(4-Ar2)、式(4-Ar3)、式(4-Ar4)或式(4-Ar5)的化合物中去除任意一个氢原子而表示的一价基。

式(4-Ar1)至式(4-Ar5)中，Y¹分别独立地为O、S或N-R，R为苯基、联苯基、萘基、蒽基或氢，

所述式(4-Ar1)至式(4-Ar5)的结构中的至少一个氢可由苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、甲基、乙基、丙基或丁基取代。

这些杂芳基可经由连结基而与所述式(4)中的芴骨架键结。即，式(4)中的芴骨架与所述杂芳基不仅可直接键结，而且也可在它们之间经由连结基而键结。作为所述连结基，可列举：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-等。

另外，式(4)中的R¹与R²、R²与R³、R³与R⁴、R⁵与R⁶、R⁶与R⁷或R⁷与R⁸可分别独立地键结而形成稠环，R⁹与R¹⁰可键结而形成螺环。由R¹至R⁸形成的稠环为与式(4)中的苯环缩合的环且为脂肪族环或芳香族环。优选为芳香族环，作为包含式(4)中的苯环的结构，可列举萘环或菲环等。由R⁹与R¹⁰形成的螺环为与式(4)中的5元环进行螺键结的环且为脂肪族环或芳香族环。优选为芳香族环，可列举芴环等。

式(4)所表示的化合物优选为下述式(4-1)、式(4-2)或式(4-3)所表示的化合物，且分别为在式(4)中R¹与R²键结而形成的苯环缩合而成的化合物、在式(4)中R³与R⁴键结而形成的苯环缩合而成的化合物、在式(4)中R¹至R⁸的任一者均未键结的化合物。

式(4-1)、式(4-2)及式(4-3)中的R¹至R¹⁰的定义与式(4)中相对应的R¹至R¹⁰相同，且式(4-1)及式(4-2)中的R¹¹至R¹⁴的定义也与式(4)中的R¹至R¹⁰相同。

式(4)所表示的化合物进而优选为下述式(4-1A)、式(4-2A)或式(4-3A)所表示的化合物，且分别为在式(4-1)、式(4-2)或式(4-3)中R⁹与R¹⁰键结而形成螺-芴环的化合物。

式(4-1A)、式(4-2A)及式(4-3A)中的R²至R⁷的定义与式(4-1)、式(4-2)及式(4-3)中相对应的R²至R⁷相同，且式(4-1A)及式(4-2A)中的R¹¹至R¹⁴的定义也与式(4-1)及式(4-2)中的R¹¹至R¹⁴相同。

另外，式(4)所表示的化合物中的全部或一部分氢可由卤素、氰基或氘取代。

＜二苯并

系化合物＞

作为主体的二苯并

系化合物例如为下述式(5)所表示的化合物。

所述式(5)中，

R¹至R¹⁶分别独立地为氢、芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述式(5)中的二苯并

骨架键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，

另外，R¹至R¹⁶中的邻接的基彼此可键结而形成稠环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述所形成的环键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基取代，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，而且，

式(5)所表示的化合物中的至少一个氢可由卤素、氰基或氘取代。

所述式(5)的定义中的各基的详细情况可引用上文所述的式(1)的多环芳香族化合物的说明。

作为所述式(5)的定义中的烯基，例如可列举碳数2～30的烯基，优选为碳数2～20的烯基，更优选为碳数2～10的烯基，进而优选为碳数2～6的烯基，特别优选为碳数2～4的烯基。优选的烯基为乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基或5-己烯基。

此外，作为杂芳基的具体例，也可列举自下述式(5-Ar1)、式(5-Ar2)、式(5-Ar3)、式(5-Ar4)或式(5-Ar5)的化合物中去除任意一个氢原子而表示的一价基。

式(5-Ar1)至式(5-Ar5)中，Y¹分别独立地为O、S或N-R，R为苯基、联苯基、萘基、蒽基或氢，

所述式(5-Ar1)至式(5-Ar5)的结构中的至少一个氢可由苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、甲基、乙基、丙基或丁基取代。

这些杂芳基可经由连结基而与所述式(5)中的二苯并

骨架键结。即，式(5)中的二苯并

骨架与所述杂芳基不仅可直接键结，而且也可在它们之间经由连结基而键结。作为所述连结基，可列举：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-等。

式(5)所表示的化合物优选为R¹、R⁴、R⁵、R⁸、R⁹、R¹²、R¹³及R¹⁶为氢。所述情况下，式(5)中的R²、R³、R⁶、R⁷、R¹⁰、R¹¹、R¹⁴及R¹⁵优选为分别独立地为氢、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、具有所述式(5-Ar1)、式(5-Ar2)、式(5-Ar3)、式(5-Ar4)或式(5-Ar5)的结构的一价基(具有所述结构的一价基可经由亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-而与所述式(5)中的二苯并

骨架键结)、甲基、乙基、丙基或丁基。

式(5)所表示的化合物更优选为R¹、R²、R⁴、R⁵、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹²、R¹³、R¹⁵及R¹⁶为氢。所述情况下，式(5)中的R³、R⁶、R¹¹及R¹⁴的至少一个(优选为一个或两个，更优选为一个)为具有介隔有单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-的所述式(5-Ar1)、式(5-Ar2)、式(5-Ar3)、式(5-Ar4)或式(5-Ar5)的结构的一价基，

所述至少一个以外(即，具有所述结构的一价基所取代的位置以外)为氢、苯基、联苯基、萘基、蒽基、甲基、乙基、丙基或丁基，它们中的至少一个氢可由苯基、联苯基、萘基、蒽基、甲基、乙基、丙基或丁基取代。

另外，在选择具有所述式(5-Ar1)至式(5-Ar5)所表示的结构的一价基作为式(5)中的R²、R³、R⁶、R⁷、R¹⁰、R¹¹、R¹⁴及R¹⁵的情况下，所述结构中的至少一个氢可与式(5)中的R¹至R¹⁶的任一者键结而形成单键。

所述发光层用材料(主体材料及掺杂剂材料)也可作为如下的高分子化合物或其高分子交联体、或者如下的悬挂型高分子化合物或其悬挂型高分子交联体而用于发光层用材料中，所述高分子化合物是使在所述发光层用材料(主体材料及掺杂剂材料)中取代有反应性取代基而成的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述悬挂型高分子化合物是使主链型高分子与所述反应性化合物反应而成。作为所述情况下的反应性取代基，可引用式(1)所表示的多环芳香族化合物中的说明。

关于此种高分子化合物及高分子交联体的用途的详细情况，将在之后叙述。

＜高分子主体材料的一例＞

在式(SPH-1)中，

MU分别独立地为二价的芳香族化合物，EC分别独立地为一价的芳香族化合物，MU中的两个氢与EC或MU进行取代，k为2～50000的整数。

更具体而言，

MU分别独立地为亚芳基、亚杂芳基、二亚芳基芳基氨基、二亚芳基芳基硼基、氧杂硼烷-二基、氮杂硼烷-二基，

EC分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基，

MU及EC中的至少一个氢可进一步由芳基、杂芳基、二芳基氨基、烷基及环烷基取代，k为2～50000的整数。

k优选为20～50000的整数，更优选为100～50000的整数。

式(SPH-1)中的MU及EC中的至少一个氢可由碳数1～24的烷基、碳数3～24的环烷基、卤素或氘取代，进而，所述烷基中的任意的-CH₂-可由-O-或-Si(CH₃)₂-取代，所述烷基中的除与式(SPH-1)中的EC直接键结的-CH₂-以外的任意-CH₂-可由碳数6～24的亚芳基取代，所述烷基中的任意的氢可由氟取代。

作为MU，例如可列举自以下的任一化合物中去除任意两个氢原子而表示的二价基。

更具体而言，可列举以下的任一结构所表示的二价基。这些中，MU在*处与其他MU或EC键结。

另外，作为EC，例如可列举以下的任一结构所表示的一价基。这些中，EC在*处与MU键结。

就溶解性及涂布成膜性的观点而言，式(SPH-1)所表示的化合物优选为分子中的MU总数(k)的10％～100％的MU具有碳数1～24的烷基，更优选为分子中的MU总数(k)的30％～100％的MU具有碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)，进而优选为分子中的MU总数(k)的50％～100％的MU具有碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)。另一方面，就面内取向性及电荷传输的观点而言，优选为分子中的MU总数(k)的10％～100％的MU具有碳数7～24的烷基，更优选为分子中的MU总数(k)的30％～100％的MU具有碳数7～24的烷基(碳数7～24的支链烷基)。

关于此种高分子化合物及高分子交联体的用途的详细情况，将在之后叙述。

3-1-6.有机电致发光元件中的电子注入层、电子传输层

电子注入层107发挥将自阴极108迁移而来的电子高效地注入发光层105内或电子传输层106内的作用。电子传输层106发挥将自阴极108所注入的电子、或自阴极108经由电子注入层107所注入的电子高效地传输至发光层105的作用。电子传输层106及电子注入层107分别将电子传输/注入材料的一种或两种以上加以层叠、混合而形成，或者由电子传输/注入材料与高分子粘结剂的混合物形成。

所谓电子注入/传输层是担负自阴极注入电子、进而传输电子的层，理想的是电子注入效率高、且高效地传输所注入的电子。因此，优选为电子亲和力大、且电子迁移率大、进而稳定性优异、在制造时及使用时不易产生成为陷阱的杂质的物质。然而，在考虑了空穴与电子的传输平衡的情况下，当主要发挥可高效地阻止来自阳极的空穴未再结合而流向阴极侧的作用时，即便电子传输能力并不那么高，也与电子传输能力高的材料同等地具有提高发光效率的效果。因此，本实施方式中的电子注入/传输层也可包含能够高效地阻止空穴迁移的层的功能。

作为形成电子传输层106或电子注入层107的材料(电子传输材料)，可自从前以来在光导电材料中作为电子传递化合物所惯用的化合物、有机EL元件的电子注入层及电子传输层中所使用的公知的化合物中任意地选择来使用。

作为电子传输层或电子注入层中所使用的材料，优选为含有选自如下化合物中的至少一种：含有包含选自碳、氢、氧、硫、硅及磷中的一种以上的原子的芳香族环或杂芳香族环的化合物；吡咯衍生物及其稠环衍生物；以及具有电子接受性氮的金属络合物。具体而言，可列举：萘、蒽等稠环系芳香族环衍生物，以4,4'-双(二苯基乙烯基)联苯为代表的苯乙烯基系芳香族环衍生物，紫环酮衍生物，香豆素衍生物，萘二甲酰亚胺衍生物，蒽醌或联苯醌等醌衍生物，氧化磷衍生物，芳基腈衍生物及吲哚衍生物等。作为具有电子接受性氮的金属络合物，例如可列举：羟基苯基恶唑络合物等羟基唑络合物、甲亚胺络合物、环庚三烯酚酮金属络合物、黄酮醇金属络合物及苯并喹啉金属络合物等。这些材料可单独使用，也可与不同的材料混合使用。

另外，作为其他电子传递化合物的具体例，可列举：吡啶衍生物、萘衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、菲咯啉衍生物、紫环酮衍生物、香豆素衍生物、萘二甲酰亚胺衍生物、蒽醌衍生物、联苯醌衍生物、二苯基醌衍生物、苝衍生物、恶二唑衍生物(1,3-双[(4-叔丁基苯基)1,3,4-恶二唑基]亚苯等)、噻吩衍生物、三唑衍生物(N-萘基-2,5-二苯基-1,3,4-三唑等)、噻二唑衍生物、8-羟基喹啉(oxine)衍生物的金属络合物、羟基喹啉系金属络合物、喹恶啉衍生物、喹恶啉衍生物的聚合物、吲哚(benzazole)类化合物、镓络合物、吡唑衍生物、全氟化亚苯基衍生物、三嗪衍生物、吡嗪衍生物、苯并喹啉衍生物(2,2'-双(苯并[h]喹啉-2-基)-9,9'-螺二芴等)、咪唑并吡啶衍生物、硼烷衍生物、苯并咪唑衍生物(三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等)、苯并恶唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、三联吡啶等寡聚吡啶衍生物、联吡啶衍生物、三联吡啶衍生物(1,3-双(4'-(2,2'：6'2”-三联吡啶基))苯等)、萘啶衍生物(双(1-萘基)-4-(1,8-萘啶-2-基)苯基氧化膦等)、醛连氮衍生物、芳基腈衍生物、吲哚衍生物、氧化膦衍生物、双苯乙烯基衍生物等。

另外，也可使用具有电子接受性氮的金属络合物，例如可列举：羟基喹啉系金属络合物或羟基苯基恶唑络合物等羟基唑络合物、甲亚胺络合物、环庚三烯酚酮金属络合物、黄酮醇金属络合物及苯并喹啉金属络合物等。

所述材料可单独使用，也可与不同的材料混合使用。

所述材料中，优选为硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、芳基腈衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物及羟基喹啉系金属络合物。

＜硼烷衍生物＞

硼烷衍生物例如为下述式(ETM-1)所表示的化合物，详细而言在日本专利特开2007-27587号公报中进行了公开。

式(ETM-1)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环或氰基的至少一者，R¹³～R¹⁶分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的环烷基或可经取代的芳基，X为可经取代的亚芳基，Y为可经取代的碳数16以下的芳基、经取代的硼基或可经取代的咔唑基，而且，n分别独立地为0～3的整数。另外，作为“可经取代”或“经取代”时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

式(ETM-1)所表示的化合物中，优选为下述式(ETM-1-1)所表示的化合物或下述式(ETM-1-2)所表示的化合物。

式(ETM-1-1)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环或氰基的至少一者，R¹³～R¹⁶分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的环烷基或可经取代的芳基，R²¹及R²²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环或氰基的至少一者，X¹为可经取代的碳数20以下的亚芳基，n分别独立地为0～3的整数，而且，m分别独立地为0～4的整数。另外，作为“可经取代”或“经取代”时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

式(ETM-1-2)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环或氰基的至少一者，R¹³～R¹⁶分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的环烷基或可经取代的芳基，X¹为可经取代的碳数20以下的亚芳基，而且，n分别独立地为0～3的整数。另外，作为“可经取代”或“经取代”时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

作为X¹的具体例，可列举下述式(X-1)～式(X-9)的任一者所表示的二价基。

(各式中，R^a分别独立地为烷基、环烷基或可经取代的苯基，*表示键结位置)

作为所述硼烷衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述硼烷衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜吡啶衍生物＞

吡啶衍生物例如为下述式(ETM-2)所表示的化合物，优选为式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)所表示的化合物。

φ-(吡啶系取代基)n(ETM-2)

φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数。

在式(ETM-2-1)中，R¹¹～R¹⁸分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)。

在式(ETM-2-2)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)，R¹¹及R¹²可键结而形成环。

在各式中，“吡啶系取代基”为下述式(Py-1)～式(Py-15)的任一者(式中的*表示键结位置)，吡啶系取代基可分别独立地由碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基取代。作为具体例，可列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基等，优选为甲基。另外，吡啶系取代基可经由亚苯基或亚萘基而与各式中的φ、蒽环或芴环键结。

吡啶系取代基为式(Py-1)～式(Py-15)的任一者(式中的*表示键结位置)，这些中，优选为下述式(Py-21)～式(Py-44)的任一者。

各吡啶衍生物中的至少一个氢可由氘取代，另外，式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)中的两个“吡啶系取代基”中的其中一者可由芳基取代。

R¹¹～R¹⁸中的“烷基”可为直链及支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基。优选的“烷基”为碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)。更优选的“烷基”为碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)。进而优选的“烷基”为碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)。特别优选的“烷基”为碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。

作为具体的“烷基”，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。

作为在吡啶系取代基中进行取代的碳数1～4的烷基，可引用所述烷基的说明。

作为R¹¹～R¹⁸中的“环烷基”，例如可列举碳数3～12的环烷基。优选的“环烷基”为碳数3～10的环烷基。更优选的“环烷基”为碳数3～8的环烷基。进而优选的“环烷基”为碳数3～6的环烷基。

作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。

作为R¹¹～R¹⁸中的“芳基”，优选的芳基为碳数6～30的芳基，更优选的芳基为碳数6～18的芳基，进而优选为碳数6～14的芳基，特别优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“碳数6～30的芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

优选的“碳数6～30的芳基”可列举苯基、萘基、菲基、

基或三亚苯基等，进而优选为可列举苯基、1-萘基、2-萘基或菲基，特别优选为可列举苯基、1-萘基或2-萘基。

式(ETM-2-2)中的R¹¹及R¹²可键结而形成环，其结果，可在芴骨架的5元环上螺键结环丁烷、环戊烷、环戊烯、环戊二烯、环己烷、芴或茚等。

作为所述吡啶衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述吡啶衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜荧蒽衍生物＞

荧蒽衍生物例如为下述式(ETM-3)所表示的化合物，详细而言在国际公开第2010/134352号中进行了公开。

式(ETM-3)中，X¹²～X²¹表示氢、卤素、直链、支链或环状的烷基、直链、支链或环状的烷氧基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。此处，作为经取代时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

作为所述荧蒽衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

＜BO系衍生物＞

BO系衍生物例如为下述式(ETM-4)所表示的多环芳香族化合物、或具有多个下述式(ETM-4)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

R¹～R¹¹分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。

另外，R¹～R¹¹中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基取代，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。

另外，式(ETM-4)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可由卤素或氘取代。

关于式(ETM-4)中的取代基或环形成的形态的说明，可引用式(1)或式(1-a)等所表示的多环芳香族化合物的说明。

作为所述BO系衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述BO系衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜蒽衍生物＞

蒽衍生物之一例如为下述式(ETM-5)所表示的化合物。

Ar¹分别独立地为单键、二价的苯、萘、蒽、芴或非那烯。

Ar²分别独立地为碳数6～20的芳基，优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为“碳数6～20的芳基”的具体例，可列举：作为单环系芳基的苯基、(邻、间、对)甲苯基、(2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-、3,5-)二甲苯基、均三甲苯基(2,4,6-三甲基苯基)、(邻、间、对)枯烯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的蒽-(1-、2-、9-)基、苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基等。作为“碳数6～10的芳基”的具体例，可列举：苯基、联苯基、萘基、三联苯基、蒽基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基等。

R¹～R⁴分别独立地为氢、碳数1～6的烷基、碳数3～6的环烷基或碳数6～20的芳基。

R¹～R⁴中的碳数1～6的烷基可为直链及支链的任一种。即，为碳数1～6的直链烷基或碳数3～6的支链烷基。更优选为碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。作为具体例，可列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基或2-乙基丁基等，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基，更优选为甲基、乙基或叔丁基。

作为R¹～R⁴中的碳数3～6的环烷基的具体例，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。

关于R¹～R⁴中的碳数6～20的芳基，优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为“碳数6～20的芳基”的具体例，可引用Ar²中的“碳数6～20的芳基”的具体例。优选的“碳数6～20的芳基”为苯基、联苯基、三联苯基或萘基，更优选为苯基、联苯基、1-萘基、2-萘基或间三联苯-5'-基，进而优选为苯基、联苯基、1-萘基或2-萘基，最优选为苯基。

作为这些蒽衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

这些蒽衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜苯并芴衍生物＞

苯并芴衍生物例如为下述式(ETM-6)所表示的化合物。

Ar¹分别独立地为碳数6～20的芳基，可引用与式(ETM-5)的Ar²中的“碳数6～20的芳基”相同的说明。优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为具体例，可列举：苯基、联苯基、萘基、三联苯基、蒽基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基等。

Ar²分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)，两个Ar²可键结而形成环。

Ar²中的“烷基”可为直链及支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基。优选的“烷基”为碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)。更优选的“烷基”为碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)。进而优选的“烷基”为碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)。特别优选的“烷基”为碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。作为具体的“烷基”，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基等。

作为Ar²中的“环烷基”，例如可列举碳数3～12的环烷基。优选的“环烷基”为碳数3～10的环烷基。更优选的“环烷基”为碳数3～8的环烷基。进而优选的“环烷基”为碳数3～6的环烷基。作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。

作为Ar²中的“芳基”，优选的芳基为碳数6～30的芳基，更优选的芳基为碳数6～18的芳基，进而优选为碳数6～14的芳基，特别优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“碳数6～30的芳基”，可列举：苯基、萘基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基、并五苯基等。

两个Ar²可键结而形成环，其结果，可在芴骨架的5元环上螺键结环丁烷、环戊烷、环戊烯、环戊二烯、环己烷、芴或茚等。

作为所述苯并芴衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述苯并芴衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜氧化膦衍生物＞

氧化膦衍生物例如为下述式(ETM-7-1)所表示的化合物。详细情况也在国际公开第2013/079217号及国际公开第2013/079678号中进行了记载。

R⁵为经取代或未经取代的碳数1～20的烷基、碳数3～16的环烷基、碳数6～20的芳基或碳数5～20的杂芳基，

R⁶为CN、经取代或未经取代的碳数1～20的烷基、碳数3～16的环烷基、碳数1～20的杂烷基、碳数6～20的芳基、碳数5～20的杂芳基、碳数1～20的烷氧基或碳数6～20的芳氧基，

R⁷及R⁸分别独立地为经取代或未经取代的碳数6～20的芳基或碳数5～20的杂芳基，R⁹为氧或硫，

j为0或1，k为0或1，r为0～4的整数，q为1～3的整数。

此处，作为经取代时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

氧化膦衍生物例如可为下述式(ETM-7-2)所表示的化合物。

R¹～R³可相同也可不同，选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、环烷硫基、芳基醚(芳基醚基)、芳硫基醚(芳硫基醚基)、芳基、杂环基、卤素、氰基、甲酰基、羰基、羧基、氨基、硝基、硅烷基及在与邻接取代基之间所形成的稠环中。

Ar¹可相同也可不同，且为亚芳基或亚杂芳基。Ar²可相同也可不同，且为芳基或杂芳基。其中，Ar¹及Ar²中的至少一者具有取代基，或在与邻接取代基之间形成稠环。n为0～3的整数，当n为0时，不存在不饱和结构部分，当n为3时，不存在R¹。

这些取代基内，所谓烷基，例如表示甲基、乙基、丙基、丁基等饱和脂肪族烃基，所述烷基可未经取代也可经取代。经取代时的取代基并无特别限制，例如可列举烷基、芳基、杂环基等，此方面在以下的记载中也共通。另外，烷基的碳数并无特别限定，就获取的容易性或成本的方面而言，通常为1～20的范围。

另外，所谓环烷基，例如表示环丙基、环己基、降冰片基、金刚烷基等饱和脂环式烃基，所述环烷基可未经取代也可经取代。烷基部分的碳数并无特别限定，通常为3～20的范围。

另外，所谓芳烷基，例如表示苄基、苯基乙基等介隔有脂肪族烃的芳香族烃基，脂肪族烃与芳香族烃均可未经取代也可经取代。脂肪族部分的碳数并无特别限定，通常为1～20的范围。

另外，所谓烯基，例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含双键的不饱和脂肪族烃基，所述烯基可未经取代也可经取代。烯基的碳数并无特别限定，通常为2～20的范围。

另外，所谓环烯基，例如表示环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基等包含双键的不饱和脂环式烃基，所述环烯基可未经取代也可经取代。

另外，所谓炔基，例如表示乙炔基等包含三键的不饱和脂肪族烃基，所述炔基可未经取代也可经取代。炔基的碳数并无特别限定，通常为2～20的范围。

另外，所谓烷氧基，例如表示甲氧基等介隔有醚键的脂肪族烃基，脂肪族烃基可未经取代也可经取代。烷氧基的碳数并无特别限定，通常为1～20的范围。

另外，所谓烷硫基为烷氧基的醚键的氧原子被取代为硫原子的基。

另外，所谓环烷硫基为环烷氧基的醚键的氧原子被取代为硫原子的基。

另外，所谓芳基醚，例如表示苯氧基等介隔有醚键的芳香族烃基，芳香族烃基可未经取代也可经取代。芳基醚的碳数并无特别限定，通常为6～40的范围。

另外，所谓芳硫基醚为芳基醚的醚键的氧原子被取代为硫原子的基。

另外，所谓芳基，例如表示苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基、芘基等芳香族烃基。芳基可未经取代也可经取代。芳基的碳数并无特别限定，通常为6～40的范围。

另外，所谓杂环基，例如表示呋喃基、噻吩基、恶唑基、吡啶基、喹啉基、咔唑基等具有碳以外的原子的环状结构基，所述杂环基可未经取代也可经取代。杂环基的碳数并无特别限定，通常为2～30的范围。

所谓卤素，表示氟、氯、溴、碘。

在甲酰基、羰基、氨基中也可包含由脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃、杂环等取代的基。

另外，脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃、杂环可未经取代也可经取代。

所谓硅烷基，例如表示三甲基硅烷基等硅化合物基，所述硅烷基可未经取代也可经取代。硅烷基的碳数并无特别限定，通常为3～20的范围。另外，硅数通常为1～6。

所谓在与邻接取代基之间所形成的稠环例如为在Ar¹与R²、Ar¹与R³、Ar²与R²、Ar²与R³、R²与R³、Ar¹与Ar²等之间所形成的共轭或非共轭的稠环。此处，当n为1时，两个R¹彼此可形成共轭或非共轭的稠环。这些稠环可在环内结构中包含氮原子、氧原子、硫原子，也可进一步与其他环缩合。

作为所述氧化膦衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述氧化膦衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜嘧啶衍生物＞

嘧啶衍生物例如为下述式(ETM-8)所表示的化合物，优选为下述式(ETM-8-1)所表示的化合物。详细情况也在国际公开第2011/021689号中进行了记载。

Ar分别独立地为可经取代的芳基或可经取代的杂芳基。n为1～4的整数，优选为1～3的整数，更优选为2或3。

作为“可经取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～20的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为四环系芳基的四联苯基(5'-苯基-间三联苯-2-基、5'-苯基-间三联苯-3-基、5'-苯基-间三联苯-4-基、间四联苯基)，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

作为“可经取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有1个至5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。

作为具体的杂芳基，例如可列举：呋喃基、噻吩基、吡咯基、恶唑基、异恶唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、吡唑基、恶二唑基、呋咱基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹恶啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩恶嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩恶噻基、噻蒽基、吲嗪基等。

另外，所述芳基及杂芳基可经取代，可分别由例如所述芳基或杂芳基取代。

作为所述嘧啶衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述嘧啶衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜芳基腈衍生物＞

芳基腈衍生物例如为下述式(ETM-9)所表示的化合物、或多个其利用单键等进行键结而得的多聚体。详情情况在美国申请公开第2014/0197386号说明书中进行了记载。

就快速的电子传输性的观点而言，Ar_ni优选为碳数多，就高T1的观点而言，Ar_ni优选为碳数少。具体而言，在用于与发光层邻接的层时，优选为T1高，从而Ar_ni为碳数6～20的芳基，优选为碳数6～14的芳基，更优选为碳数6～10的芳基。另外，关于腈基的取代个数n，就高T1的观点而言，以多为宜，就高S1的观点而言，以少为宜。具体而言，腈基的取代个数n为1～4的整数，优选为1～3的整数，更优选为1～2的整数，进而优选为1。

Ar分别独立地为可经取代的芳基或可经取代的杂芳基。就高S1及高T1的观点而言，优选为施体性的杂芳基，由于用作电子传输层，因此施体性的杂芳基以少为宜。就电荷传输性的观点而言，优选为碳数多的芳基或杂芳基，优选为具有大量取代基。具体而言，Ar的取代个数m为1～4的整数，优选为1～3的整数，更优选为1～2。

作为“可经取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～20的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为四环系芳基的四联苯基(5'-苯基-间三联苯-2-基、5'-苯基-间三联苯-3-基、5'-苯基-间三联苯-4-基、间四联苯基)，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

作为“可经取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有1个至5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。

作为具体的杂芳基，例如可列举：呋喃基、噻吩基、吡咯基、恶唑基、异恶唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、吡唑基、恶二唑基、呋咱基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹恶啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩恶嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩恶噻基、噻蒽基、吲嗪基等。

另外，所述芳基及杂芳基可经取代，可分别由例如所述芳基或杂芳基取代。

芳基腈衍生物可为多个式(ETM-9)所表示的化合物利用单键等进行键结而得的多聚体。所述情况下，除单键以外，也可利用芳基环(优选为多价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)进行键结。

作为所述芳基腈衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述芳基腈衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜三嗪衍生物＞

三嗪衍生物例如为下述式(ETM-10)所表示的化合物，优选为下述式(ETM-10-1)所表示的化合物。详细情况在美国专利申请公开第2011/0156013号说明书中进行了记载。

Ar分别独立地为可经取代的芳基或可经取代的杂芳基。n为1～3的整数，优选为2或3。

作为“可经取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～20的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为四环系芳基的四联苯基(5'-苯基-间三联苯-2-基、5'-苯基-间三联苯-3-基、5'-苯基-间三联苯-4-基、间四联苯基)，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

作为“可经取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有1个至5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。

作为具体的杂芳基，例如可列举：呋喃基、噻吩基、吡咯基、恶唑基、异恶唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、吡唑基、恶二唑基、呋咱基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹恶啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩恶嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩恶噻基、噻蒽基、吲嗪基等。

另外，所述芳基及杂芳基可经取代，可分别由例如所述芳基或杂芳基取代。

作为所述三嗪衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

所述三嗪衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜苯并咪唑衍生物＞

苯并咪唑衍生物例如为下述式(ETM-11)所表示的化合物。

φ-(苯并咪唑系取代基)n (ETM-11)

φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数，“苯并咪唑系取代基”是式(ETM-2)、式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)的“吡啶系取代基”中的吡啶基取代为苯并咪唑基而成的取代基，苯并咪唑衍生物中的至少一个氢可由氘取代。

*表示键结位置。

所述苯并咪唑基中的R¹¹为氢、碳数1～24的烷基、碳数3～12的环烷基或碳数6～30的芳基，可引用式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)中的R¹¹的说明。

φ进而优选为蒽环或芴环，所述情况下的结构可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明，各式中的R¹¹～R¹⁸可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明。另外，在式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中以键结有两个吡啶系取代基的形态进行了说明，但在将它们取代为苯并咪唑系取代基时，可由苯并咪唑系取代基取代两个吡啶系取代基(即n＝2)，也可由苯并咪唑系取代基取代任意一个吡啶系取代基并由R¹¹～R¹⁸取代另一个吡啶系取代基(即n＝1)。进而，例如可由苯并咪唑系取代基取代式(ETM-2-1)中的R¹¹～R¹⁸的至少一个并由R¹¹～R¹⁸取代“吡啶系取代基”。

作为所述苯并咪唑衍生物的具体例，例如可列举：1-苯基-2-(4-(10-苯基蒽-9-基)苯基)-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(3-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、5-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、5-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑等。

所述苯并咪唑衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜菲咯啉衍生物＞

菲咯啉衍生物例如为下述式(ETM-12)或式(ETM-12-1)所表示的化合物。详细情况在国际公开第2006/021982号中进行了记载。

φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数。

各式的R¹¹～R¹⁸分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)。另外，在式(ETM-12-1)中，R¹¹～R¹⁸的任一者成为与作为芳基环的φ的键结键。

各菲咯啉衍生物中的至少一个氢可由氘取代。

作为R¹¹～R¹⁸中的烷基、环烷基及芳基，可引用式(ETM-2)中的R¹¹～R¹⁸的说明。另外，关于φ，除所述例子以外，例如也可列举以下的结构式。此外，下述结构式中的R分别独立地为氢、甲基、乙基、异丙基、环己基、苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基或三联苯基，*表示键结位置。

作为所述菲咯啉衍生物的具体例，例如可列举：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、9,10-二(1,10-菲咯啉-2-基)蒽、2,6-二(1,10-菲咯啉-5-基)吡啶、1,3,5-三(1,10-菲咯啉-5-基)苯、9,9'-二氟-双(1,10-菲咯啉-5-基)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(bathocuproine)、1,3-双(2-苯基-1,10-菲咯啉-9-基)苯或下述结构式所表示的化合物等。

所述菲咯啉衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜羟基喹啉系金属络合物＞

羟基喹啉系金属络合物例如为下述式(ETM-13)所表示的化合物。

式中，R¹～R⁶分别独立地为氢、氟、烷基、环烷基、芳烷基、烯基、氰基、烷氧基或芳基，M为Li、Al、Ga、Be或Zn，n为1～3的整数。

作为羟基喹啉系金属络合物的具体例，可列举：8-羟基喹啉锂、三(8-羟基喹啉)铝、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(3,4-二甲基-8-羟基喹啉)铝、三(4,5-二甲基-8-羟基喹啉)铝、三(4,6-二甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,3-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,6-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3,4-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二-叔丁基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,6-二苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,4,6-三苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,4,6-三甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,4,5,6-四甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-萘酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(2-苯基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(3-苯基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二甲基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二-叔丁基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-4-乙基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-4-乙基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-4-甲氧基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-4-甲氧基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-5-氰基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-5-氰基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-5-三氟甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-5-三氟甲基-8-羟基喹啉)铝、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍等。

所述羟基喹啉系金属络合物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物＞

噻唑衍生物例如为下述式(ETM-14-1)所表示的化合物。

φ-(噻唑系取代基)n (ETM-14-1)

苯并噻唑衍生物例如为下述式(ETM-14-2)所表示的化合物。

φ-(苯并噻唑取代基)n (ETM-14-2)

各式的φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数，“噻唑系取代基”或“苯并噻唑系取代基”是式(ETM-2)、式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)的“吡啶系取代基”中的吡啶基取代为下述的噻唑基或苯并噻唑基而成的取代基，噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物中的至少一个氢可由氘取代。

*表示键结位置。

φ进而优选为蒽环或芴环，所述情况下的结构可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明，各式中的R¹¹～R¹⁸可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明。另外，在式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中以键结有两个吡啶系取代基的形态进行了说明，但在将它们取代为噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)时，可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代两个吡啶系取代基(即n＝2)，也可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代任意一个吡啶系取代基并由R¹¹～R¹⁸取代另一个吡啶系取代基(即n＝1)。进而，例如可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代式(ETM-2-1)中的R¹¹～R¹⁸的至少一个并由R¹¹～R¹⁸取代“吡啶系取代基”。

这些噻唑衍生物或苯并噻唑衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜噻咯衍生物＞

噻咯衍生物例如为下述式(ETM-15)所表示的化合物。详细情况在日本专利特开平9-194487号公报中进行了记载。

X及Y分别独立地为烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、芳基、杂芳基，它们可经取代。关于这些基的详细情况，可引用式(1)及式(1-a)等中的说明以及式(ETM-7-2)中的说明。另外，烯氧基及炔氧基分别为烷氧基中的烷基部分取代为烯基或炔基而成的基，关于这些烯基及炔基的详细情况，可引用式(ETM-7-2)中的说明。

另外，X与Y可键结而形成环烷基环(及其一部分变得不饱和的环)，所述环烷基环的详细情况可参照式(1)及式(1-a)等中的环烷基的说明。

R¹～R⁴分别独立地为氢、卤素、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、亚磺酰基(sulfinyl)、磺酰基(sulfonyl)、巯基(sulfanyl)、硅烷基、氨甲酰基、芳基、杂芳基、烯基、炔基、硝基、甲酰基、亚硝基、甲酰氧基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫代氰酸酯基、异硫代氰酸酯基或氰基，它们可由烷基、环烷基、芳基或卤素取代，也可在与邻接取代基之间形成稠环。

关于R¹～R⁴中的卤素、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、芳基、杂芳基、烯基及炔基的详细情况，可引用式(1)及式(1-a)等中的说明。

关于R¹～R⁴中的烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧基羰氧基及芳氧基羰氧基中的烷基、芳基及烷氧基的详细情况，也可引用式(1)及式(1-a)等中的说明。

作为硅烷基，可列举硅烷基、以及硅烷基的三个氢中的至少一个分别独立地由芳基、烷基或环烷基取代的基，优选为三元取代硅烷基，可列举：三芳基硅烷基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基及烷基二环烷基硅烷基等。关于它们中的芳基、烷基及环烷基的详细情况，可引用式(1)及式(1-a)等中的说明。

所谓在与邻接取代基之间所形成的稠环例如为在R¹与R²、R²与R³、R³与R⁴等之间所形成的共轭或非共轭的稠环。这些稠环可在环内结构中包含氮原子、氧原子、硫原子，也可进一步与其他环缩合。

其中，优选为当R¹及R⁴为苯基时，X及Y不为烷基或苯基。另外，优选为不同时满足当R¹及R⁴为噻吩基时，X及Y为烷基且R²及R³为烷基、芳基、烯基或R²与R³键结而形成环的环烷基的结构。另外，优选为当R¹及R⁴为硅烷基时，R²、R³、X及Y分别独立地不为氢或碳数1～6的烷基。另外，优选为当为在R¹及R²中缩合有苯环的结构时，X及Y不为烷基及苯基。

这些噻咯衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜唑啉衍生物＞

唑啉衍生物例如为下述式(ETM-16)所表示的化合物。详细情况在国际公开第2017/014226号中进行了记载。

式(ETM-16)中，

φ为源自碳数6～40的芳香族烃的m价基或源自碳数2～40的芳香族杂环的m价基，φ的至少一个氢可由碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～18的芳基或碳数2～18的杂芳基取代，

Y分别独立地为-O-、-S-或＞N-Ar，Ar为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，Ar的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基取代，R¹～R⁵分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，所述＞N-Ar中的Ar及所述R¹～R⁵中的任意一个为与L键结的部位，

L分别独立地选自由下述式(L-1)所表示的二价基及下述式(L-2)所表示的二价基所组成的群组中，

式(L-1)中，X¹～X⁶分别独立地为＝CR⁶-或＝N-，X¹～X⁶中的至少两个为＝CR⁶-，X¹～X⁶中的两个＝CR⁶-中的R⁶为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR⁶-中的R⁶为氢，

式(L-2)中，X⁷～X¹⁴分别独立地为＝CR⁶-或＝N-，X⁷～X¹⁴中的至少两个为＝CR⁶-，X⁷～X¹⁴中的两个＝CR⁶-中的R⁶为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR⁶-中的R⁶为氢，

L的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～10的杂芳基取代，

m为1～4的整数，当m为2～4时，由唑啉环与L形成的基可相同也可不同，而且，

式(ETM-16)所表示的化合物中的至少一个氢可由氘取代。

具体的唑啉衍生物为下述式(ETM-16-1)或式(ETM-16-2)所表示的化合物。

式(ETM-16-1)及式(ETM-16-2)中，

φ为源自碳数6～40的芳香族烃的m价基或源自碳数2～40的芳香族杂环的m价基，φ的至少一个氢可由碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～18的芳基或碳数2～18的杂芳基取代，

式(ETM-16-1)中，Y分别独立地为-O-、-S-或＞N-Ar，Ar为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，Ar的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基取代，

式(ETM-16-1)中，R¹～R⁴分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R¹与R²相同，且R³与R⁴相同，

式(ETM-16-2)中，R¹～R⁵分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R¹与R²相同，且R³与R⁴相同，

式(ETM-16-1)及式(ETM-16-2)中，

L分别独立地选自由下述式(L-1)所表示的二价基及下述式(L-2)所表示的二价基所组成的群组中，

式(L-1)中，X¹～X⁶分别独立地为＝CR⁶-或＝N-，X¹～X⁶中的至少两个为＝CR⁶-，X¹～X⁶中的两个＝CR⁶-中的R⁶为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR⁶-中的R⁶为氢，

式(L-2)中，X⁷～X¹⁴分别独立地为＝CR⁶-或＝N-，X⁷～X¹⁴中的至少两个为＝CR⁶-，X⁷～X¹⁴中的两个＝CR⁶-中的R⁶为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR⁶-中的R⁶为氢，

L的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～10的杂芳基取代，

m为1～4的整数，当m为2～4时，由唑啉环与L形成的基可相同也可不同，而且，

式(ETM-16-1)或式(ETM-16-2)所表示的化合物中的至少一个氢可由氘取代。

优选为：φ选自由下述式(φ1-1)～式(φ1-18)所表示的一价基、下述式(φ2-1)～式(φ2-34)所表示的二价基、下述式(φ3-1)～式(φ3-3)所表示的三价基及下述式(φ4-1)～式(φ4-2)所表示的四价基所组成的群组中，φ的至少一个氢可由碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～18的芳基或碳数2～18的杂芳基取代。

式中的Z为＞CR₂、＞N-Ar、＞N-L、-O-或-S-，＞CR₂中的R分别独立地为碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，R可相互键结而形成环，＞N-Ar中的Ar为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，＞N-L中的L为式(ETM-16)、式(ETM-16-1)或式(ETM-16-2)中的L。式中的*表示键结位置。

优选为：L为选自由苯、萘、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、喹啉、异喹啉、萘啶、酞嗪、喹恶啉、喹唑啉、噌啉及蝶啶所组成的群组中的环的二价基，L的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～10的杂芳基取代。

优选为：作为Y或Z的＞N-Ar中的Ar选自由苯基、萘基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、酞嗪基、喹恶啉基、喹唑啉基、噌啉基及蝶啶基所组成的群组中，作为Y的＞N-Ar中的Ar的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基或碳数6～10的芳基取代。

优选为：R¹～R⁴分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R¹与R²相同，R³与R⁴相同，且R¹～R⁴不会全部同时成为氢，而且，m为1或2，当m为2时，由唑啉环与L形成的基相同。

作为唑啉衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。此外，结构式中的“Me”表示甲基。

更优选为：φ选自由下述式(φ2-1)、式(φ2-31)、式(φ2-32)、式(φ2-33)及式(φ2-34)所表示的二价基所组成的群组中，φ的至少一个氢可由碳数6～18的芳基取代，

(*表示键结位置)

L为选自由苯、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪及三嗪所组成的群组中的环的二价基，L的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～14的杂芳基取代，

作为Y的＞N-Ar中的Ar选自由苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基及三嗪基所组成的群组中，所述Ar的至少一个氢可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基或碳数6～10的芳基取代，

R¹～R⁴分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R¹与R²相同，R³与R⁴相同，且R¹～R⁴不会全部同时成为氢，而且，

m为2，由唑啉环与L形成的基相同。

作为唑啉衍生物的其他具体例，例如可列举以下的化合物。此外，结构式中的“Me”表示甲基。

关于规定所述唑啉衍生物的所述各式中的烷基、环烷基、芳基或杂芳基的详细情况，可引用式(1)及式(1-a)等中的说明。

所述唑啉衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜还原性物质＞

也可在电子传输层或电子注入层中还包含能够将形成电子传输层或电子注入层的材料还原的物质。所述还原性物质只要是具有一定的还原性的物质，则可使用各种物质，例如可优选地使用选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一种。

作为优选的还原性物质，可列举Na(功函数2.36eV)、K(功函数2.28eV)、Rb(功函数2.16eV)或Cs(功函数1.95eV)等碱金属，或者Ca(功函数2.9eV)、Sr(功函数2.0eV～2.5eV)或Ba(功函数2.52eV)等碱土金属，特别优选为功函数为2.9eV以下的物质。这些中，更优选的还原性物质是作为碱金属的K、Rb或Cs，进而优选为Rb或Cs，最优选为Cs。这些碱金属的还原能力特别高，通过向形成电子传输层或电子注入层的材料中添加比较少量的所述碱金属，可实现有机EL元件中的发光亮度的提高或长寿命化。另外，作为功函数为2.9eV以下的还原性物质，两种以上的这些碱金属的组合也优选，特别优选为包含Cs的组合，例如Cs与Na、Cs与K、Cs与Rb或Cs与Na及K的组合。通过包含Cs，可有效率地发挥还原能力，通过添加至形成电子传输层或电子注入层的材料中，可实现有机EL元件中的发光亮度的提高或长寿命化。

＜其他＞

所述电子注入层用材料及电子传输层用材料也可作为如下的高分子化合物或其高分子交联体、或者如下的悬挂型高分子化合物或其悬挂型高分子交联体而用于电子层用材料中，所述高分子化合物是使在所述电子注入层用材料及电子传输层用材料中取代有反应性取代基而成的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述悬挂型高分子化合物是使主链型高分子与所述反应性化合物反应而成。作为所述情况下的反应性取代基，可引用式(1)所表示的多环芳香族化合物中的说明。

关于此种高分子化合物及高分子交联体的用途的详细情况，将在之后叙述。

3-1-7.有机电致发光元件中的阴极

阴极108发挥经由电子注入层107及电子传输层106而将电子注入发光层105的作用。

作为形成阴极108的材料，若为可将电子高效地注入有机层的物质，则并无特别限定，可使用与形成阳极102的材料相同的材料。其中，优选为锡、铟、钙、铝、银、铜、镍、铬、金、铂、铁、锌、锂、钠、钾、铯及镁等金属或它们的合金(镁-银合金、镁-铟合金、氟化锂/铝等铝-锂合金等)等。为了提高电子注入效率来提高元件特性，有效的是锂、钠、钾、铯、钙、镁或包含这些低功函数金属的合金。然而，通常而言，这些低功函数金属多数情况下在大气中不稳定。为了改善此点，已知有例如向有机层中掺杂微量的锂、铯或镁，并使用稳定性高的电极的方法。作为其他掺杂剂，也可使用氟化锂、氟化铯、氧化锂及氧化铯之类的无机盐。但是，并不限定于这些。

进而，可列举如下作为优选例：为了保护电极而将铂、金、银、铜、铁、锡、铝及铟等金属或使用这些金属的合金，及二氧化硅、二氧化钛及氮化硅等无机物，聚乙烯醇，氯乙烯，烃系高分子化合物等进行层叠。这些电极的制作方法只要为电阻加热、电子束蒸镀、溅镀、离子镀及涂布等可取得导通的方法，则也无特别限制。

3-1-8.各层中可使用的粘结剂

以上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层中所使用的材料可单独地形成各层，也可分散于作为高分子粘结剂的聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚(N-乙烯咔唑)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚丁二烯、烃树脂、酮树脂、苯氧基树脂、聚酰胺、乙基纤维素、乙酸乙烯酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)树脂、聚氨基甲酸酯树脂等溶剂可溶性树脂，或者酚树脂、二甲苯树脂、石油树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂等硬化性树脂等中来使用。

3-1-9.有机电致发光元件的制作方法

构成有机EL元件的各层可通过利用蒸镀法、电阻加热蒸镀、电子束蒸镀、溅镀、分子层叠法、印刷法、旋涂法或浇铸法、涂布法等方法将应构成各层的材料制成薄膜来形成。以所述方式形成的各层的膜厚并无特别限定，可根据材料的性质来适当设定，但通常为2nm～5000nm的范围。膜厚通常可利用晶体振荡式膜厚测定装置等来测定。在使用蒸镀法进行薄膜化的情况下，其蒸镀条件根据材料的种类、膜的目标结晶结构及缔合结构等而不同。蒸镀条件通常优选为在舟皿加热温度+50℃～+400℃、真空度10^-6Pa～10^-3Pa、蒸镀速度0.01nm/sec～50nm/sec、基板温度-150℃～+300℃、膜厚2nm～5μm的范围内适当设定。

在对以所述方式获得的有机EL元件施加直流电压的情况下，只要将阳极作为+的极性，将阴极作为-的极性来施加即可，若施加2V～40V左右的电压，则可自透明或半透明的电极侧(阳极或阴极、及两者)观测到发光。另外，所述有机EL元件在施加有脉冲电流或交流电流的情况下也发光。此外，所施加的交流的波形可为任意。

继而，作为制作有机EL元件的方法的一例，对包括阳极/空穴注入层/空穴传输层/包含主体材料与掺杂剂材料的发光层/电子传输层/电子注入层/阴极的有机EL元件的制作方法进行说明。

＜蒸镀法＞

在适当的基板上，利用蒸镀法等形成阳极材料的薄膜来制作阳极，然后在所述阳极上形成空穴注入层及空穴传输层的薄膜。在所述薄膜上对主体材料与掺杂剂材料进行共蒸镀而形成薄膜来作为发光层，在所述发光层上形成电子传输层、电子注入层，进而利用蒸镀法等形成包含阴极用物质的薄膜来作为阴极，由此获得目标有机EL元件。此外，在所述有机EL元件的制作中，也可使制作顺序相反，而以阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极的顺序制作。

＜湿式成膜法＞

通过准备可形成有机EL元件的各有机层的低分子化合物作为液状的有机层形成用组合物，并使用其来实施湿式成膜法。在不存在将所述低分子化合物溶解的适当的有机溶媒的情况下，也可由如下的高分子化合物等来准备有机层形成用组合物，所述高分子化合物是与作为在所述低分子化合物中取代有反应性取代基而成的反应性化合物而具有溶解性功能的其他单体或主链型高分子一起进行高分子化而成。

湿式成膜法通常通过经由如下工序而形成涂膜，所述工序为在基板上涂布有机层形成用组合物的涂布工序以及自经涂布的有机层形成用组合物中去除溶媒的干燥工序。在所述高分子化合物具有交联性取代基的情况(也将其称为交联性高分子化合物)下，通过所述干燥工序来进一步进行交联而形成高分子交联体。根据涂布工序的不同，将使用旋涂机的方法称为旋涂法，将使用狭缝涂布机的方法称为狭缝涂布法，将使用版的方法称为凹版、平版、反向平版、柔版印刷法，将使用喷墨印刷机的方法称为喷墨法，将以雾状吹附的方法称为喷雾法。干燥工序中有风干、加热、减压干燥等方法。干燥工序可仅进行一次，也可使用不同的方法或条件而进行多次。另外，例如可如在减压下的煅烧那样并用不同的方法。

所谓湿式成膜法是使用溶液的成膜法，例如为一部分印刷法(喷墨法)、旋涂法或浇铸法、涂敷法等。湿式成膜法与真空蒸镀法不同，无需使用昂贵的真空蒸镀装置，可在大气压下进行成膜。除此以外，湿式成膜法可大面积化或连续生产，从而带来制造成本的减低。

另一方面，当与真空蒸镀法比较时，存在湿式成膜法难以层叠化的情况。在使用湿式成膜法来制作层叠膜的情况下，需要防止由上层的组合物引起的下层的溶解，且运用控制了溶解性的组合物、下层的交联及正交溶媒(Orthogonal solvent，相互不溶解的溶媒)等。然而，存在即便使用这些技术也难以将湿式成膜法用于所有的膜的涂布的情况。

因此，通常可采用如下方法：使用湿式成膜法仅制成若干层，利用真空蒸镀法制成剩余层，从而制作有机EL元件。

例如，以下示出一部分应用湿式成膜法而制作有机EL元件的程序。

(程序1)阳极的利用真空蒸镀法进行的成膜

(程序2)包含空穴注入层用材料的空穴注入层形成用组合物的利用湿式成膜法进行的成膜

(程序3)包含空穴传输层用材料的空穴传输层形成用组合物的利用湿式成膜法进行的成膜

(程序4)包含主体材料与掺杂剂材料的发光层形成用组合物的利用湿式成膜法进行的成膜

(程序5)电子传输层的利用真空蒸镀法进行的成膜

(程序6)电子注入层的利用真空蒸镀法进行的成膜

(程序7)阴极的利用真空蒸镀法进行的成膜

通过经由所述程序，可获得包括阳极/空穴注入层/空穴传输层/包含主体材料与掺杂剂材料的发光层/电子传输层/电子注入层/阴极的有机EL元件。

当然，关于电子传输层及电子注入层，也可分别使用包含电子传输层用材料及电子注入层用材料的层形成用组合物，并通过湿式成膜法来进行成膜。此时，优选为使用防止下层的发光层溶解的手段，或者与所述程序相反地自阴极侧进行成膜的手段。

＜其他成膜法＞

在有机层形成用组合物的成膜化中可使用激光加热描绘法(激光感应热成像(Laser Induced Thermal Imaging，LITI))。所谓LITI为利用激光对附着于基材的化合物进行加热蒸镀的方法，且可将有机层形成用组合物用于涂布在基材上的材料中。

＜任意的工序＞

在成膜的各工序的前后，也可适宜加入适当的处理工序、清洗工序及干燥工序。作为处理工序，例如可列举：曝光处理、等离子体表面处理、超声波处理、臭氧处理、使用适当的溶媒的清洗处理及加热处理等。进而也可列举制作堤部(bank)的一系列的工序。

在堤部的制作中可使用光刻技术。作为可利用光刻的堤部材，可使用正型抗蚀剂材料及负型抗蚀剂材料。另外，也可使用喷墨法、凹版平版印刷、反向平版印刷、网版印刷等可制成图案的印刷法。此时，也可使用永久抗蚀剂材料。

作为用于堤部的材料，可列举多糖类及其衍生物、具有羟基的乙烯性单体的均聚物及共聚物、生物高分子化合物、聚丙烯酰基化合物、聚酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚硫醚、聚砜、聚苯(polyphenylene)、聚苯醚、聚氨基甲酸酯、(甲基)丙烯酸环氧酯、(甲基)丙烯酸三聚氰胺酯、聚烯烃、环状聚烯烃、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚聚合物(ABS)、硅酮树脂、聚氯乙烯、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚乙酸酯、聚降冰片烯、合成橡胶、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、聚六氟丙烯等氟化聚合物、氟烯烃-碳氢烯烃的共聚聚合物、氟碳聚合物，但并不仅限定于此。

＜湿式成膜法中所使用的有机层形成用组合物＞

有机层形成用组合物是使可形成有机EL元件的各有机层的低分子化合物、或将所述低分子化合物加以高分子化而成的高分子化合物溶解于有机溶媒中而获得。例如，发光层形成用组合物含有作为第一成分的至少一种掺杂剂材料即多环芳香族化合物(或其高分子化合物)、作为第二成分的至少一种主体材料、以及作为第三成分的至少一种有机溶媒。第一成分作为由所述组合物获得的发光层的掺杂剂成分而发挥功能，第二成分作为发光层的主体成分而发挥功能。第三成分作为使组合物中的第一成分与第二成分溶解的溶媒而发挥功能，并在涂布时通过第三成分自身的经控制的蒸发速度而获得平滑且均匀的表面形状。

＜有机溶媒＞

有机层形成用组合物包含至少一种有机溶媒。通过在成膜时控制有机溶媒的蒸发速度，可控制及改善成膜性及涂膜的缺陷的有无、表面粗糙度、平滑性。另外，在使用喷墨法来进行成膜时，可控制喷墨头的针孔处的弯液面(meniscus)稳定性，并可控制/改善喷出性。除此以外，通过控制膜的干燥速度及衍生物分子的取向，可改善具有由所述有机层形成用组合物获得的有机层的有机EL元件的电特性、发光特性、效率及寿命。

(1)有机溶媒的物性

至少一种有机溶媒的沸点为130℃～300℃，更优选为140℃～270℃，进而优选为150℃～250℃。就喷墨的喷出性的观点而言，优选为沸点高于130℃的情况。另外，就涂膜的缺陷、表面粗糙度、残留溶媒及平滑性的观点而言，优选为沸点低于300℃的情况。就良好的喷墨喷出性、成膜性、平滑性及残留溶媒少的观点而言，有机溶媒更优选为包含两种以上的有机溶媒的构成。另一方面，视情况，考虑到搬运性等，也可为通过自有机层形成用组合物中去除溶媒而制成为固体状态的组合物。

进而，有机溶媒包含对于溶质的至少一种而言的良溶媒(good solvent，GS)与不良溶媒(poor solvent，PS)，特别优选为良溶媒(GS)的沸点(BP_GS)低于不良溶媒(PS)的沸点(BP_PS)的构成。

通过加入高沸点的不良溶媒，而在成膜时低沸点的良溶媒先挥发，组合物中的含有物的浓度与不良溶媒的浓度增加并促进快速成膜。由此，可获得缺陷少、表面粗糙度小且平滑性高的涂膜。

溶解度的差(S_GS-S_PS)优选为1％以上，更优选为3％以上，进而优选为5％以上。沸点的差(BP_PS-BP_GS)优选为10℃以上，更优选为30℃以上，进而优选为50℃以上。

有机溶媒在成膜后通过真空、减压、加热等干燥工序而自涂膜中去除。在进行加热的情况下，就改善涂布成膜性的观点而言，优选为以溶质的至少一种的玻璃化转变温度(Tg)+30℃以下进行。另外，就削减残留溶媒的观点而言，优选为以溶质的至少一种的玻璃化转变温度(Tg)-30℃以上进行加热。即便加热温度低于有机溶媒的沸点，由于膜薄，因此有机溶媒也充分地被去除。另外，可在不同的温度下进行多次干燥，也可并用多种干燥方法。

(2)有机溶媒的具体例

作为有机层形成用组合物中所使用的有机溶媒，可列举烷基苯系溶媒、苯基醚系溶媒、烷基醚系溶媒、环状酮系溶媒、脂肪族酮系溶媒、单环性酮系溶媒、具有二酯骨架的溶媒及含氟系溶媒等，作为具体例，可列举戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇、十二醇、十四醇、己烷-2-醇、庚烷-2-醇、辛烷-2-醇、癸烷-2-醇、十二烷-2-醇、环己醇、α-松油醇(α-terpineol)、β-松油醇、γ-松油醇、δ-松油醇、松油醇(混合物)、乙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇异丙基甲基醚、二丙二醇单甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇丁基甲基醚、三丙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、二乙二醇单丁醚、乙二醇单苯基醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇丁基甲基醚、聚乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯、2,6-二甲基吡啶、2-氟-间二甲苯、3-氟-邻二甲苯、2-氯苯并三氟化物、枯烯、甲苯、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、溴苯、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟甲基苯甲醚、均三甲苯、1,2,4-三甲基苯、叔丁基苯、2-甲基苯甲醚、苯乙醚、苯并二恶茂(benzodioxole)、4-甲基苯甲醚、仲丁基苯、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、异丙基甲苯(cymene)、1,2,3-三甲基苯、1,2-二氯苯、2-氟苯甲腈、4-氟邻二甲氧苯(4-fluoroveratrole)、2,6-二甲基苯甲醚、正丁基苯、3-氟苯甲腈、萘烷(decalin)(十氢萘(decahydronaphthalene))、新戊基苯、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、苯甲腈、3,5-二甲基苯甲醚、二苯基醚、1-氟-3,5-二甲氧基苯、苯甲酸甲酯、异戊基苯、3,4-二甲基苯甲醚、邻甲苯甲腈(o-tolunitrile)、正戊基苯、邻二甲氧苯(veratrole)、1,2,3,4-四氢萘、苯甲酸乙酯、正己基苯、苯甲酸丙酯、环己基苯、1-甲基萘、苯甲酸丁酯、2-甲基联苯、3-苯氧基甲苯、2,2'-二甲基联苯(2,2'-bitolyl)、十二基苯、二戊基苯、四甲基苯、三甲氧基苯、三甲氧基甲苯、2,3-二氢苯并呋喃、1-甲基-4-(丙氧基甲基)苯、1-甲基-4-(丁氧基甲基)苯、1-甲基-4-(戊氧基甲基)苯、1-甲基-4-(己氧基甲基)苯、1-甲基-4-(庚氧基甲基)苯、苄基丁基醚、苄基戊基醚、苄基己基醚、苄基庚基醚、苄基辛基醚等，但并不仅限定于此。另外，溶媒可单独使用，也可进行混合。

＜任意成分＞

有机层形成用组合物也可在不损及其性质的范围内含有任意成分。作为任意成分，可列举粘合剂及表面活性剂等。

(1)粘合剂

有机层形成用组合物也可含有粘合剂。关于粘合剂，在成膜时，在形成膜的同时将所获得的膜与基板接合。另外，在所述有机层形成用组合物中发挥使其他成分溶解及分散以及粘结的作用。

作为有机层形成用组合物中所使用的粘合剂，例如可列举丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯基醇共聚物、丙烯腈-乙烯-苯乙烯共聚物(Acrylonitrile-Ethylene-Styrene，AES)树脂、离聚物(ionomer)、氯化聚醚、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、不饱和聚酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride)、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、铁氟龙(Teflon)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物(Acrylonitrile-Styrene，AS)树脂、酚树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、醇酸树脂、聚氨基甲酸酯、以及所述树脂及聚合物的共聚物，但并不仅限定于此。

有机层形成用组合物中所使用的粘合剂可仅为一种，也可混合使用多种。

(2)表面活性剂

例如为了控制有机层形成用组合物的膜面均匀性、膜表面的亲溶媒性及拨液性，有机层形成用组合物也可含有表面活性剂。表面活性剂根据亲水性基的结构被分类为离子性及非离子性，进而根据疏水性基的结构被分类为烷基系及硅系以及氟系。另外，根据分子的结构被分类为分子量比较小的具有单纯结构的单分子系及分子量大的具有侧链或分支的高分子系。另外，根据组成被分类为单一系、混合有两种以上的表面活性剂及基材的混合系。作为可用于所述有机层形成用组合物的表面活性剂，可使用所有种类的表面活性剂。

作为表面活性剂，例如可列举：珀利弗洛(Polyflow)No.45、珀利弗洛(Polyflow)KL-245、珀利弗洛(Polyflow)No.75、珀利弗洛(Polyflow)No.90、珀利弗洛(Polyflow)No.95(商品名，共荣社化学工业(股)制造)；迪斯帕毕克(Disperbyk)161、迪斯帕毕克(Disperbyk)162、迪斯帕毕克(Disperbyk)163、迪斯帕毕克(Disperbyk)164、迪斯帕毕克(Disperbyk)166、迪斯帕毕克(Disperbyk)170、迪斯帕毕克(Disperbyk)180、迪斯帕毕克(Disperbyk)181、迪斯帕毕克(Disperbyk)182、毕克(BYK)300、毕克(BYK)306、毕克(BYK)310、毕克(BYK)320、毕克(BYK)330、毕克(BYK)342、毕克(BYK)344、毕克(BYK)346(商品名，日本毕克化学(BYK-Chemie Japan)(股)制造)；KP-341、KP-358、KP-368、KF-96-50CS、KF-50-100CS(商品名，信越化学工业(股)制造)；沙福隆(Surflon)SC-101、沙福隆(Surflon)KH-40(商品名，清美化学(Seimi Chemical)(股)制造)；福杰特(Ftergent)222F、福杰特(Ftergent)251、FTX-218(商品名，尼欧斯(NEOS)(股)制造)；艾福拓(EFTOP)EF-351、艾福拓(EFTOP)EF-352、艾福拓(EFTOP)EF-601、艾福拓(EFTOP)EF-801、艾福拓(EFTOP)EF-802(商品名，三菱材料(Mitsubishi Material)(股)制造)；美佳法(Megafac)F-470、美佳法(Megafac)F-471、美佳法(Megafac)F-475、美佳法(Megafac)R-08、美佳法(Megafac)F-477、美佳法(Megafac)F-479、美佳法(Megafac)F-553、美佳法(Megafac)F-554(商品名，迪爱生(DIC)(股)制造)；氟烷基苯磺酸盐、氟烷基羧酸盐、氟烷基聚氧乙烯醚、氟烷基碘化铵、氟烷基甜菜碱、氟烷基磺酸盐、二甘油四(氟烷基聚氧乙烯醚)、氟烷基三甲基铵盐、氟烷基氨基磺酸盐、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯月桂酸酯、聚氧乙烯油酸酯、聚氧乙烯硬脂酸酯、聚氧乙烯月桂基胺、脱水山梨糖醇月桂酸酯、脱水山梨糖醇棕榈酸酯、脱水山梨糖醇硬脂酸酯、脱水山梨糖醇油酸酯、脱水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇月桂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇棕榈酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇油酸酯、聚氧乙烯萘基醚、烷基苯磺酸盐及烷基二苯基醚二磺酸盐。

另外，表面活性剂可使用一种，也可并用两种以上。

＜有机层形成用组合物的组成及物性＞

考虑有机层形成用组合物中的各成分的良好的溶解性、保存稳定性及成膜性以及由所述有机层形成用组合物获得的涂膜的优质膜质、和使用喷墨法时的良好喷出性、具有使用所述组合物而制作的有机层的有机EL元件的良好的电特性、发光特性、效率、寿命的观点来决定有机层形成用组合物中的各成分的含量。例如，在发光层形成用组合物的情况下，优选为：第一成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.0001质量％～2.0质量％，第二成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.0999质量％～8.0质量％，第三成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为90.0质量％～99.9质量％。

更优选为：第一成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.005质量％～1.0质量％，第二成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.095质量％～4.0质量％，第三成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为95.0质量％～99.9质量％。进而优选为：第一成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.05质量％～0.5质量％，第二成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.25质量％～2.5质量％，第三成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为97.0质量％～99.7质量％。

有机层形成用组合物可通过利用公知的方法对所述成分适当选择进行搅拌、混合、加热、冷却、溶解、分散等而制造。另外，也可在制备后适当选择进行过滤、脱气(也称为除气(degas))、离子交换处理及惰性气体置换/封入处理等。

关于有机层形成用组合物的粘度，高粘度的情况下可获得良好的成膜性与使用喷墨法时的良好的喷出性。另一方面，低粘度的情况下容易制作薄膜。因此，所述有机层形成用组合物的粘度优选为在25℃下的粘度为0.3mPa·s～3mPa·s，更优选为1mPa·s～3mPa·s。在本发明中，粘度是使用圆锥平板型旋转粘度计(cone-plate type)而测定的值。

关于有机层形成用组合物的表面张力，表面张力低的情况下可获得良好的成膜性及无缺陷的涂膜。另一方面，表面张力高的情况下可获得良好的喷墨喷出性。因此，所述有机层形成用组合物的表面张力优选为25℃下的表面张力为20mN/m～40mN/m，更优选为20mN/m～30mN/m。在本发明中，表面张力是使用悬滴法而测定的值。

＜交联性高分子化合物：式(XLP-1)所表示的化合物＞

继而，对所述高分子化合物具有交联性取代基的情况进行说明。此种交联性高分子化合物例如为下述式(XLP-1)所表示的化合物。

在式(XLP-1)中，

MUx、ECx及k的定义与所述式(SPH-1)中的MU、EC及k相同，其中，式(XLP-1)所表示的化合物具有至少一个交联性取代基(XLS)，优选为具有交联性取代基的一价或二价的芳香族化合物的含量在分子中为0.1质量％～80质量％。

具有交联性取代基的一价或二价的芳香族化合物的含量优选为0.5质量％～50质量％，更优选为1质量％～20质量％。

作为交联性取代基(XLS)，若为可使所述高分子化合物进一步交联化的基，则并无特别限定，优选为以下结构的取代基。各结构式中的*表示键结位置。

L^Y分别独立地为单键、-O-、-S-、＞C＝O、-O-C(＝O)-、碳数1～12的亚烷基、碳数1～12的氧亚烷基及碳数1～12的聚氧亚烷基。所述取代基中，优选为式(XLS-1)、式(XLS-2)、式(XLS-3)、式(XLS-9)、式(XLS-10)或式(XLS-17)所表示的基，更优选为式(XLS-1)、式(XLS-3)或式(XLS-17)所表示的基。

作为具有交联性取代基的二价的芳香族化合物，例如可列举具有下述部分结构的化合物。

＜高分子化合物及交联性高分子化合物的制造方法＞

关于高分子化合物及交联性高分子化合物的制造方法，以所述式(SPH-1)所表示的化合物及式(XLP-1)所表示的化合物为例进行说明。这些化合物可将公知的制造方法适当组合而合成。

作为反应中所使用的溶媒，可列举芳香族溶媒、饱和/不饱和烃溶媒、醇溶媒、醚系溶媒等，例如可列举：二甲氧基乙烷、2-(2-甲氧基乙氧基)乙烷、2-(2-乙氧基乙氧基)乙烷等。

另外，反应也可以两相系统进行。在以两相系统进行反应的情况下，视需要也可加入四级铵盐等相间转移催化剂。

当制造式(SPH-1)的化合物及式(XLP-1)的化合物时，可以一阶段来制造，也可经由多阶段来制造。另外，可通过将原料全部放入反应容器后开始反应的总括聚合法来进行，也可通过将原料滴加至反应容器的滴加聚合法来进行，还可通过产物随着反应的进行而沉淀的沉淀聚合法来进行，可适当组合这些方法来进行合成。例如，当以一阶段来合成式(SPH-1)所表示的化合物时，通过在将单体单元(MU)中键结有聚合性基的单体及封端单元(EC)中键结有聚合性基的单体加入反应容器的状态下进行反应而获得目标物。另外，当以多阶段来合成式(SPH-1)所表示的化合物时，通过在使单体单元(MU)中键结有聚合性基的单体聚合至目标分子量后，加入封端单元(EC)中键结有聚合性基的单体并加以反应而获得目标物。若以多阶段加入不同种类的单体单元(MU)中键结有聚合性基的单体来进行反应，则可制作对于单体单元的结构而言具有浓度梯度的聚合物。另外，制备前体聚合物后，可通过后续反应而获得作为目标物的聚合物。

另外，若选择单体的聚合性基，则可控制聚合物的一次结构。例如，如合成流程的1～3所示，能够合成具有无规的一次结构的聚合物(合成流程的1)、具有规则的一次结构的聚合物(合成流程的2及3)等，且可根据目标物进行适当组合来使用。进而，若使用具有三个以上的聚合性基的单体，则可合成超支化聚合物(hyperbranched polymer)或树枝状聚合物(dendrimer)。

a、b＝MU或MUx

聚合性基＝x、y(分别为x与y键结)

1)使用两种单体(x-a-y)及单体(x-b-y)合成的聚合物

2)使用两种单体(x-a-x)及单体(y-b-y)合成的聚合物

3)使用两种单体(x-a-y)及单体(y-b-y)合成的聚合物

作为本发明中可使用的单体，可依据日本专利特开2010-189630号公报、国际公报第2012/086671号、国际公开第2013/191088号、国际公开第2002/045184号、国际公开第2011/049241号、国际公开第2013/146806号、国际公开第2005/049546号、国际公开第2015/145871号、日本专利特开2010-215886号、日本专利特开2008-106241号公报、日本专利特开2010-215886号公报、国际公开第2016/031639号、日本专利特开2011-174062号公报、国际公开第2016/031639号、国际公开第2016/031639号、国际公开第2002/045184号中记载的方法来合成。

另外，关于具体的聚合物合成程序，可依据日本专利特开2012-036388号公报、国际公开第2015/008851号、日本专利特开2012-36381号公报、日本专利特开2012-144722号公报、国际公开第2015/194448号、国际公开第2013/146806号、国际公开第2015/145871号、国际公开第2016/031639号、国际公开第2016/125560号、国际公开第2016/031639号、国际公开第2016/031639号、国际公开第2016/125560号、国际公开第2015/145871号、国际公开第2011/049241号、日本专利特开2012-144722号公报中记载的方法来合成。

3-1-10.有机电致发光元件的应用例

有机EL元件也可应用于包括有机EL元件的显示装置或包括有机EL元件的照明装置等。

包括有机EL元件的显示装置或照明装置可通过将本实施方式的有机EL元件与公知的驱动装置加以连接等公知的方法来制造，且可适当使用直流驱动、脉冲驱动、交流驱动等公知的驱动方法来进行驱动。

作为显示装置，例如可列举：彩色平板显示器等面板显示器、挠性彩色有机电致发光(EL)显示器等挠性显示器等(例如参照日本专利特开平10-335066号公报、日本专利特开2003-321546号公报、日本专利特开2004-281086号公报等)。另外，作为显示器的显示方式，例如可列举矩阵和/或分段方式等。此外，矩阵显示与分段显示可在同一面板(panel)中共存。

在矩阵中，将用于显示的像素二维地配置成格子状或马赛克状等，从而由像素的集合来显示文字或图像。像素的形状或尺寸是根据用途来决定。例如在个人计算机、监视器、电视机的图像及文字显示中，通常使用一边为300μm以下的四边形的像素，另外，在显示面板之类的大型显示器的情况下，使用一边为mm级的像素。在单色显示的情况下，只要排列相同颜色的像素即可，在彩色显示的情况下，使红、绿、蓝的像素并列来进行显示。所述情况下，典型的有三角型与条纹型。而且，作为所述矩阵的驱动方法，可为线序(line-sequential)驱动方法或有源矩阵的任一者。线序驱动有结构简单这一优点，但在考虑了运行特性的情况下，有时有源矩阵更优异，因此驱动方法也需要根据用途而区分使用。

在分段方式(类型)中，以显示事先所决定的信息的方式形成图案，并使所决定的区域发光。例如可列举：数字时钟或温度计中的时刻或温度显示、声频设备或电磁炉等的运行状态显示及汽车的面板显示等。

作为照明装置，例如可列举室内照明等照明装置、液晶显示装置的背光源等(例如参照日本专利特开2003-257621号公报、日本专利特开2003-277741号公报、日本专利特开2004-119211号公报等)。背光源主要为了提高不进行自发光的显示装置的视认性而使用，其用于液晶显示装置、时钟、声频装置、汽车面板、显示板及标识等。特别是，作为液晶显示装置中薄型化正成为问题的个人计算机用途的背光源，当考虑到现有方式因包含荧光灯或导光板而难以薄型化时，使用了本实施方式的发光元件的背光源具有薄型、轻量的特征。

3-2.其他有机器件

本发明的化合物除可用于所述有机电致发光元件以外，还可用于有机场效晶体管或有机薄膜太阳电池等的制作。

有机场效晶体管是利用通过电压输入所产生的电场来控制电流的晶体管，除设置有源电极与漏电极以外，还设置有栅电极。有机场效晶体管为如下的晶体管：若对栅电极施加电压，则产生电场，可任意地阻断在源电极与漏电极间流动的电子(或空穴)的流动来控制电流。与单一晶体管(双极晶体管)相比，场效晶体管容易小型化，而常用作构成集成电路等的元件。

关于有机场效晶体管的结构，通常只要与使用本发明的多环芳香族化合物所形成的有机半导体活性层相接地设置源电极及漏电极，进而隔着与有机半导体活性层相接的绝缘层(介电体层)来设置栅电极即可。作为其元件结构，例如可列举以下的结构。

(1)基板/栅电极/绝缘体层/源电极及漏电极/有机半导体活性层

(2)基板/栅电极/绝缘体层/有机半导体活性层/源电极及漏电极

(3)基板/有机半导体活性层/源电极及漏电极/绝缘体层/栅电极

(4)基板/源电极及漏电极/有机半导体活性层/绝缘体层/栅电极

以所述方式构成的有机场效晶体管可用作有源矩阵驱动方式的液晶显示器、或有机电致发光显示器的像素驱动开关元件等。

有机薄膜太阳电池具有在玻璃等透明基板上层叠有ITO等的阳极、空穴传输层、光电转换层、电子传输层、阴极的结构。光电转换层在阳极侧具有p型半导体层，在阴极侧具有n型半导体层。本发明的多环芳香族化合物根据其物性，可用作空穴传输层、p型半导体层、n型半导体层、电子传输层的材料。在有机薄膜太阳电池中，本发明的多环芳香族化合物可作为空穴传输材料或电子传输材料而发挥功能。有机薄膜太阳电池除包括所述层以外，还可适当包括空穴阻挡层、电子阻挡层、电子注入层、空穴注入层、平滑化层等。在有机薄膜太阳电池中，可适当选择有机薄膜太阳电池中所使用的已知的材料来组合使用。

[实施例]

以下，通过实施例来更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。首先，以下对多环芳香族化合物的合成例进行说明。

合成例(1)：化合物(1-25)的合成

在氮气环境下，将化合物(I-A)溶解于乙腈(300ml)中，在冰浴冷却下向其中滴加溴并加以搅拌。在反应后，向反应液中加入水与乙酸乙酯并加以搅拌，然后进而加入甲苯，将有机层分离并加以水洗。然后，将有机层浓缩而获得粗产物。利用硅胶短管柱对粗产物进行精制，由此获得化合物(I-B)。

在氮气环境下，使亚硝酸叔丁基与氯化铜(II)悬浮于乙腈中，在60℃下向其中滴加溶解于乙腈中的中间物(I-B)，并在所述温度下进行搅拌。在反应后，向反应液中加入稀盐酸与乙酸乙酯并加以搅拌，然后将有机层分离并加以水洗。然后，将有机层浓缩而获得粗产物。利用硅胶短管柱对粗产物进行精制，由此获得化合物(I-C)。

在氮气环境下，将中间物(I-C)、N-(3-叔丁基苯基)-3,5-二叔丁基苯胺、作为钯催化剂的二氯双(二-叔丁基(4-二甲基氨基苯基)膦基)钯(Pd-132)、叔丁醇钠(NaOtBu)及二甲苯放入烧瓶中，在100℃下进行加热搅拌。在反应后，向反应液中加入水与乙酸乙酯并加以搅拌，然后将有机层分离并加以水洗。然后，将有机层浓缩而获得粗产物。利用硅胶短管柱对粗产物进行精制，由此获得化合物(I-D)(26.0g)。

在氮气环境下，且在0℃下向放入有化合物(I-D)及叔丁基苯的烧瓶中加入1.56M的叔丁基锂的戊烷溶液。在滴加结束后，升温至60℃并搅拌1小时，然后将沸点低于叔丁基苯的成分减压馏去。冷却至-50℃并加入三溴化硼，升温至室温并搅拌0.5小时。然后，再次冷却至0℃并加入N,N-二异丙基乙胺，在室温下搅拌至发热结束，然后升温至100℃并加热搅拌1小时。将反应液冷却至室温，并依次加入利用冰浴进行了冷却的乙酸钠水溶液、乙酸乙酯来进行分液。将有机层浓缩后，利用硅胶短管柱进行精制。使所获得的粗产物溶解于甲苯中，并利用甲醇进行再沉淀，由此获得化合物(1-25)。

通过质谱分析而确认到所获得的化合物为化合物(1-25)。

电子电离质谱(Electron Ionization Mass Spectrometry，EI-MS)：m/z＝933.

合成例(2)：化合物(1-327)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-327)所表示的化合物。

通过核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance，NMR)测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝1.46(s,9H),1.47(s,9H),1.59～1.76(m,24H),2.00(br,3H),2.01(br,3H),2.52(s,2H),2.53(s,2H),6.12(d,1H),6.13(d,1H),6.67(d,1H),6.73(d,1H),7.18(dd,1H),7.25(t,1H),7.26(d,2H),7.29(d,2H),7.37(d,2H),7.51(dd,1H),7.67(d,2H),8.64(d,1H),8.95(d,1H).

合成例(3)：化合物(1-416)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-416)所表示的化合物。

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝1.60～1.76(m,24H),1.97(br,3H),2.02(br,3H),2.54(s,2H),2.58(s,2H),6.06(d,1H),6.16(d,1H),6.33(d,1H),6.57(d,1H),6.95(t,1H),7.17(dd,1H),7.25～7.30(m,3H),7.32(t,1H),7.39(d,2H),7.53(dd,2H),7.69～7.76(m,3H),8.00(d,1H),8.50(d,1H).

合成例(4)：化合物(1-417)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-417)所表示的化合物。

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝1.15(s,9H),1.31(s,9H),1.35(s,9H),1.44(s,9H),1.53～1.67(m,12H),1.92(br,3H),2.48(m,2H),5.50(s,1H),5.65(s,1H),6.73(d,2H),6.87～6.92(m,6H),6.99～7.15(m,12H),7.38～7.47(m,5H),8.55(d,1H),8.89(d,1H).

合成例(5)：化合物(1-418)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-418)所表示的化合物。

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝1.10(s,9H),1.45(s,18H),1.47(s,9H),1.54～1.69(m,12H),1.93(br,3H),2.49(m,2H),6.08(d,1H),6.25(d,1H),6.72(d,2H),6.97(d,2H),7.05(d,2H),7.13(dd,1H),7.23～7.30(m,4H),7.49(dd,1H),7.60(dd,1H),7.65～7.68(m,3H),8.56(d,1H),8.91(d,1H).

合成例(6)：化合物(1-419)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-419)所表示的化合物。

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝0.73～0.92(m,4H),1.00～1.27(m,12H),1.41(s,6H),1.44(s,6H),1.46(s,9H),1.48(s,9H),1.56～1.74(m,14H),6.12(d,1H),6.13(d,1H),6.73(d,1H),6.75(d,1H),7.24(t,1H),7.29(d,2H),7.30(d,2H),7.43(dd,1H),7.52(dd,1H),7.61(d,2H),7.67(d,2H),8.90(d,1H),8.97(d,1H).

合成例(7)：化合物(1-420)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-420)所表示的化合物。

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝0.78～0.92(m,4H),1.06～1.26(m,12H),1.41(s,6H),1.48(s,6H),1.57～1.74(m,12H),1.76～1.80(m,2H),6.06(d,1H),6.17(d,1H),6.33(d,1H),6.63(d,1H),6.96(t,1H),7.27(t,1H),7.29(d,2H),7.33(t,1H),7.41(dd,1H),7.53～7.55(m,2H),7.62(d,2H),7.69～7.75(m,3H),7.99(d,1H),8.74(d,1H).

合成例(8)：化合物(1-423)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-423)所表示的化合物。

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝0.74～0.90(m,8H),1.00～1.26(m,24H),1.42(s,12H),1.44(s,12H),1.56～1.74(m,28H),2.14(s,3H),5.91(s,2H),6.70(dd,2H),7.29(d,4H),7.41(d,2H),7.61(d,4H),8.88(d,2H).

合成例(9)：化合物(1-424)的合成

使用与所述合成例(1)相同的方法来合成式(1-424)所表示的化合物。

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(CDCl₃)：σ＝0.73～0.91(m,4H),0.98～1.24(m,12H),1.27(s,6H),1.33(s,9H),1.43(s,6H),1.47(s,9H),1.56～1.73(m,14H),5.55(s,1H),5.63(s,3H),6.70(d,1H),6.76(d,1H),6.88(t,2H),6.94(d,4H),7.06(t,4H),7.13(d,2H),7.14(d,2H),7.37(dd,1H),7.39(d,2H),7.44(d,2H),7.45(dd,1H),8.87(d,1H),8.94(d,1H).

比较合成例(1)：化合物(BD-1)的合成

化合物(BD-1)是依据国际公开第2019/198699号中记载的化合物(1-25)的制法来合成。

比较合成例(2)：化合物(BD-2)的合成

化合物(BD-2)是依据国际公开第2019/198699号中记载的化合物(1-327)的制法来合成。

比较合成例(3)：化合物(BD-3)的合成

化合物(BD-3)是依据国际公开第2019/198699号中记载的化合物(1-334)的制法来合成。

比较合成例(4)：化合物(BD-4)的合成

化合物(BD-4)是依据国际公开第2019/198699号中记载的化合物(1-321)的制法来合成。

比较合成例(5)：化合物(BD-5)的合成

化合物(BD-5)是依据国际公开第2015/102118号中记载的化合物(1-401)的制法来合成。

比较合成例(6)：化合物(BD-6)的合成

化合物(BD-6)是依据国际公开第2019/198699号中记载的化合物(1-339)的制法来合成。

比较合成例(7)：化合物(BD-7)的合成

化合物(BD-7)是依据国际公开第2020/054676号中记载的化合物(2-1A-18)的制法来合成。

继而，为了更详细地说明本发明而示出使用了本发明的化合物的有机EL元件的实施例，但本发明并不限定于这些实施例。

＜蒸镀型有机EL元件的评价＞

制作实施例1～实施例13及比较例1～比较例8的有机EL元件，测定作为1000cd/m²发光时的特性的电压(V)、发光波长(nm)、外部量子效率(％)，继而测定以下时间：以10mA/cm²的电流密度进行恒定电流驱动时保持初始亮度的90％以上的亮度的时间。

发光元件的量子效率有内部量子效率与外部量子效率，内部量子效率表示作为电子(或空穴)而注入至发光元件的发光层的外部能量纯粹地转换为光子的比例。另一方面，外部量子效率是基于将所述光子释放至发光元件的外部的量而算出，发光层中所产生的光子的一部分在发光元件的内部持续被吸收或者反射而不释放至发光元件的外部，因此外部量子效率低于内部量子效率。

外部量子效率的测定方法如下所述。使用爱德万测试(Advantest)公司制造的电压/电流产生器R6144，施加元件的亮度成为1000cd/m²的电压而使元件发光。使用拓普康(TOPCON)公司制造的分光放射亮度计SR-3AR，自相对于发光面垂直的方向测定可见光区域的分光放射亮度。假定发光面为完全扩散面，所测定的各波长成分的分光放射亮度的值除以波长能量并乘以π而获得的数值为各波长下的光子数。继而，在所观测的全波长区域累计光子数，并设为自元件释放出的总光子数。将施加电流值除以元电荷(elementary charge)而获得的数值设为注入至元件的载子(carrier)数，自元件释放出的总光子数除以注入至元件的载子数而获得的数值为外部量子效率。

＜实施例1～实施例13及比较例1～比较例8＞

将实施例1～实施例13及比较例1～比较例8的有机EL元件中的各层的材料构成及EL特性数据示于下述表1A及表1B中。

[表1A]

[表1B]

在表1A中，“HI”为N⁴,N⁴'-二苯基-N⁴,N⁴'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺，“HAT-CN”为1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六碳腈，“HT-1”为N-([1,1'-联苯]-4-基-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺，“HT-2”为N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1'：4',1”-三联苯基]-4-胺，“HT-3”为N-([1,1'-联苯]-2-基)-N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9'-螺双[芴]-4-胺，“BH-1”为2-(10-苯基蒽-9-基)萘并[2,3-b]苯并呋喃，“BH-2”为2-(10-苯基蒽-9-基)二苯并[b,d]呋喃，“BH-3”为9-苯基-10-(4-苯基萘-1-基)蒽，“ET-1”为4,6,8,10-四苯基[1,4]苯并氧杂硼杂环己烯并[2,3,4-k1]苯氧硼杂环己烯，“ET-2”为3,3'-((2-苯基蒽-9,10-二基)双(4,1-亚苯基))双(4-甲基吡啶)。以下与“Liq”一起示出化学结构。

＜实施例1＞

以将通过溅镀而成膜为180nm的厚度的ITO研磨至150nm的26mm×28mm×0.7mm的玻璃基板(光科学(Opto Science)(股)制造)作为透明支撑基板。将所述透明支撑基板固定于市售的蒸镀装置(昭和真空(股)制造)的基板固定器上，并装设分别放入有HI、HAT-CN、HT-1、HT-2、BH-1、化合物(1-25)、ET-1及ET-2的钼制蒸镀用舟皿、分别放入有Liq、LiF及铝的氮化铝制蒸镀用舟皿。

在透明支撑基板的ITO膜上依次形成下述各层。将真空槽减压至5×10^-4Pa，首先，对HI进行加热、且以使膜厚成为40nm的方式进行蒸镀，继而，对HAT-CN进行加热、且以使膜厚成为5nm的方式进行蒸镀，继而，对HT-1进行加热、且以使膜厚成为45nm的方式进行蒸镀，继而，对HT-2进行加热、且以使膜厚成为10nm的方式进行蒸镀，来形成包含四层的空穴层。继而，对BH-1与化合物(1-25)同时进行加热、且以使膜厚成为25nm的方式进行蒸镀来形成发光层。以使BH-1与化合物(1-25)的质量比成为大致98对2的方式调节蒸镀速度。进而，对ET-1进行加热、且以使膜厚成为5nm的方式进行蒸镀，继而，对ET-2与Liq同时进行加热、且以使膜厚成为25nm的方式进行蒸镀，来形成包含两层的电子层。以使ET-2与Liq的质量比成为大致50对50的方式调节蒸镀速度。各层的蒸镀速度为0.01nm/sec～1nm/sec。然后，对LiF进行加热且以使膜厚成为1nm的方式、以0.01nm/sec～0.1nm/sec的蒸镀速度进行蒸镀，继而，对铝进行加热且以使膜厚成为100nm的方式进行蒸镀来形成阴极，从而获得有机EL元件。

将ITO电极作为阳极、LiF/铝电极作为阴极来施加直流电压，测定1000cd/m²发光时的特性，结果获得波长458nm的蓝色发光，驱动电压为3.68V，外部量子效率为8.35％。另外，保持初始亮度的90％以上的亮度的时间为365小时。

＜实施例2～实施例13＞

依据实施例1并以表1A中记载的层结构来制造各有机EL元件，测定EL特性数据(表1B)。

＜比较例1～比较例8＞

依据实施例1并以表1A中记载的层结构来制造各有机EL元件，测定EL特性数据(表1B)。

例如，可知：化合物(1-327)除有无与环烷基的连结基以外，具有与化合物(BD-2)相同的结构，但当将分别使用它们的实施例2及比较例3加以比较时，与比较例3相比，实施例2提供了更高的外部量子效率与更长的亮度保持时间。

＜实施例14及比较例9～比较例10＞

为了评价本发明的化合物在有机溶剂中的溶解性，而实施溶解试验。将1.0g的试验化合物放入30mL的甲苯中，在100℃下进行搅拌，然后验证试验化合物是否溶解。将化合物全部溶解于甲苯中且获得均匀的溶液的例子设为“溶解”，将残留有不要物的例子设为“难溶”。将结果示于表2A中。

[表2A]

＜实施例15～实施例17及比较例11～比较例12＞

进行化合物的溶解试验。将0.5g的试验化合物放入30mL的甲苯中，在100℃下进行搅拌，然后验证试验化合物是否溶解。将结果示于表2B中。

[表2B]

＜实施例18～实施例21及比较例13～比较例17＞

进行化合物的溶解试验。将0.5g的试验化合物放入30mL的甲苯中，在60℃下进行搅拌，然后验证试验化合物是否溶解。将结果示于表2C中。

[表2C]

＜实施例22及比较例18＞

进行化合物的溶解试验。将0.3g的试验化合物放入30mL的甲苯中，在80℃下进行搅拌，然后验证试验化合物是否溶解。将结果示于表2D中。

[表2D]

根据所述表2A～表2D中所示的化合物的溶解试验，可知本发明的具有与环烷基的连结基的化合物对于有机溶剂的溶解性高。

[产业上的可利用性]

在本发明中，通过提供新颖的多环芳香族化合物，而可增加例如有机EL元件用材料等有机器件用材料的选择项。另外，通过将新颖的环烷基取代多环芳香族化合物用作有机EL元件用材料，而可提供例如发光效率或元件寿命优异的有机EL元件、包括所述有机EL元件的显示装置及包括所述有机EL元件的照明装置等。

Claims (23)

1.一种多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，所述多环芳香族化合物由下述式(1)表示，所述多环芳香族化合物的多聚体具有多个下述式(1)所表示的结构；

式(1)中，

A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可经取代，B环及C环可经由单键或连结基键结，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基或烷基，

X¹及X²分别独立地为＞O、＞N-R、＞C(-R)₂、＞S或＞Se，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，所述＞C(-R)₂的R为氢、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，另外，所述＞N-R的R和/或所述＞C(-R)₂的R可通过连结基或单键而与所述A环、B环和/或C环键结，

式(1)所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者可由至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个-CH₂-可由-O-取代，

式(1)所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者由至少一个L-Cy取代，L为碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基、碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基中至少一个-CH₂-由-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代的连结基、或者碳数2～6的直链亚烷基中至少一个-(CH₂)₂-由-CH＝CH-或-C≡C-取代的连结基，Cy为环烷基，

式(1)所表示的化合物或其多聚体中的至少一个氢可由氘、氰基或卤素取代。

2.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其中，Cy为碳数3～20的环烷基。

3.根据权利要求1或2所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其中，L为-CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)₂CH₂-或-C(CH₃)₂CH₂CH₂-。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其为下述式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的多环芳香族化合物或具有多个下述式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体；

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)中，

R¹～R¹¹分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基或取代硅烷基，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基、环烷基或取代硅烷基取代，R¹～R¹¹中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基或取代硅烷基取代，它们中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基、环烷基或取代硅烷基取代，其中，所述二芳基硼基的两个芳基可经由单键或连结基键结，且在式(1-a)中，R⁷及R⁸可相互键结而成为单键或连结基，

X_X分别独立地为＞O、＞S、＞N-R或＞C(-R)₂，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基或可经取代的环烷基，另外，所述＞C(-R)₂的R分别独立地为氢、可由烷基或环烷基取代的芳基、可由烷基或环烷基取代的杂芳基、烷基或环烷基，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基或烷基，

X¹及X²分别独立地为＞O、＞C(-R)₂或＞N-R，所述＞N-R的R为碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，所述＞N-R的R中的碳数6～12的芳基及碳数2～15的杂芳基均可由碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基或取代硅烷基取代，所述＞N-R的R可通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键而与a环、b环及c环的至少一个键结，

所述＞C(-R)₂的R分别独立地为氢、碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，所述＞C(-R)₂的R中的碳数6～12的芳基及碳数2～15的杂芳基均可由碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基或取代硅烷基取代，所述＞C(-R)₂中的两个R可相互键结而形成环，

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)各自所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者可由至少一个碳数3～24的环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可由碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、碳数1～24的烷基或碳数3～24的环烷基取代，所述环烷烃中的至少一个-CH₂-可由-O-取代，

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)各自所表示的化合物或其多聚体中的芳基环或杂芳基环的至少一者由至少一个L-Cy取代，L为碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基、碳数1～6的直链亚烷基或碳数2～6的支链亚烷基中至少一个-CH₂-由-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代的连结基、或者碳数2～6的直链亚烷基中至少一个-(CH₂)₂-由-CH＝CH-或-C≡C-取代的连结基，Cy为环烷基，

式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)及式(1-f)各自所表示的化合物或其多聚体中的至少一个氢可由氰基、卤素或氘取代，而且，

在多聚体的情况下，为具有2个或3个式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)、式(1-e)或式(1-f)所表示的结构的二聚体或三聚体。

5.根据权利要求4所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其为式(1-a)所表示的多环芳香族化合物或具有多个式(1-a)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

6.根据权利要求5所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其由下述结构式的任一者表示；

所述各结构式中的“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基。

7.根据权利要求4所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其为式(1-b)所表示的多环芳香族化合物或具有多个式(1-b)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

8.根据权利要求7所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其由下述结构式表示；

所述结构式中的“Me”表示甲基。

9.一种反应性化合物，其是在如权利要求1至8中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体中取代有反应性取代基而成。

10.一种高分子化合物或高分子交联体，所述高分子化合物是使如权利要求9所述的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述高分子交联体是使所述高分子化合物进一步交联而成。

11.一种悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体，所述悬挂型高分子化合物是在主链型高分子中使如权利要求9所述的反应性化合物进行取代而成，所述悬挂型高分子交联体是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成。

12.一种有机器件用材料，含有如权利要求1至8中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、如权利要求9所述的反应性化合物、如权利要求10所述的高分子化合物或高分子交联体、或者如权利要求11所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

13.根据权利要求12所述的有机器件用材料，其中，所述有机器件用材料为有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料。

14.根据权利要求13所述的有机器件用材料，其中，所述有机电致发光元件用材料为发光层用材料。

15.一种组合物，包含如权利要求1至8中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、如权利要求9所述的反应性化合物、如权利要求10所述的高分子化合物或高分子交联体、或者如权利要求11所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体以及有机溶媒。

16.一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及有机层，配置于所述一对电极间，且含有如权利要求1至8中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、如权利要求9所述的反应性化合物、如权利要求10所述的高分子化合物或高分子交联体、或者如权利要求11所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

17.一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及发光层，配置于所述一对电极间，且含有如权利要求1至8中任一项所述的多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体、如权利要求9所述的反应性化合物、如权利要求10所述的高分子化合物或高分子交联体、或者如权利要求11所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

18.根据权利要求17所述的有机电致发光元件，其中，所述发光层包含主体、以及作为掺杂剂的所述多环芳香族化合物或所述多环芳香族化合物的多聚体、所述反应性化合物、所述高分子化合物或高分子交联体、或者所述悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。

19.根据权利要求18所述的有机电致发光元件，其中，所述主体为蒽系化合物、芴系化合物或二苯并

系化合物。

20.根据权利要求16至19中任一项所述的有机电致发光元件，其具有配置于所述阴极与所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层，所述电子传输层及电子注入层的至少一层含有选自由硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、芳基腈衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物、羟基喹啉系金属络合物、噻唑衍生物、苯并噻唑衍生物、噻咯衍生物及唑啉衍生物所组成的群组中的至少一种。

21.根据权利要求20所述的有机电致发光元件，其中，所述电子传输层和/或电子注入层还含有选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一种。

22.根据权利要求16至21中任一项所述的有机电致发光元件，其中，配置于所述一对电极间的有机层的至少一层包含使能够形成各层的低分子化合物作为单体进行高分子化而成的高分子化合物或使所述高分子化合物进一步交联而成的高分子交联体、或者使能够形成各层的低分子化合物与主链型高分子反应而成的悬挂型高分子化合物或使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成的悬挂型高分子交联体。

23.一种显示装置或照明装置，包括如权利要求16至22中任一项所述的有机电致发光元件。

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