CN113133324B - 阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板、第一电极、第一绝缘层和第二电极。第一电极位于衬底基板上；第一绝缘层位于第一电极远离衬底基板的一侧；第二电极位于第一绝缘层远离第一电极的一侧。第二电极中设置有第一过孔以及与第一过孔相连通且从第一过孔延伸至第二电极的边缘的狭缝，第一电极在衬底基板上的正投影完全落入第二电极、第一过孔和狭缝在衬底基板上的正投影。此时，第一电极、第二电极、和第一绝缘层可构成电容器(Cst)。该阵列基板可保证在发生对位偏差时该电容器的实际电容值与设计值保持一致，进而可提高采用该阵列基板的显示装置的良率。

Description

阵列基板和显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板因其自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点已经越来越多地被应用于各种电子设备中。
OLED显示面板包括阵列基板，阵列基板包括多个像素驱动电路和多个有机发光结构，多个像素驱动电路用于分别驱动多个有机发光结构进行发光。通常，各像素驱动电路可包括多个薄膜晶体管(TFT)和至少一个电容器。电容器包括上电极、下电极、以及位于上电极和下电极之间的电介质。
发明内容
本公开实施例提供一种阵列基板和显示装置。在该阵列基板中，第二电极上设置有第一过孔和狭缝，并且第二电极、第一过孔和狭缝在衬底基板上的正投影完全覆盖第一电极在衬底基板上的正投影。从而，当衬底基板和掩模板或曝光装置之间出现未对准的情况，并导致形成的第一电极和第二电极发生重叠偏差时，第一电极和第二电极之间的重叠面积不变，从而可保证该电容器的实际电容值与设计值保持一致，进而可提高采用该阵列基板的显示装置的良率。另外，在不改变第一电极和第二电极的形状和尺寸的情况下，通过调节上述的狭缝的尺寸可灵活地调节该电容器的电容值。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底基板；第一电极，位于所述衬底基板上；第一绝缘层，位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧；以及第二电极，位于所述第一绝缘层远离所述第一电极的一侧，所述阵列基板还包括位于所述第二电极之中的第一过孔以及与所述第一过孔相连通且从所述第一过孔延伸至所述第二电极的边缘的狭缝，所述第二电极、所述第一过孔和所述狭缝在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一电极在所述衬底基板上的正投影。
例如，本公开一实施例提供的一种阵列基板还包括：第二绝缘层，位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧；以及连接电极，所述第一绝缘层中设置有暴露所述第一电极的第二过孔，所述第二绝缘层部分位于所述第一过孔并在所述第一过孔中形成与所述第二电极分隔的第三过孔，所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述连接电极位于所述第二过孔和所述第三过孔之中并与所述第一电极相连。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述狭缝具有一延伸方向，所述狭缝在所述延伸方向上的长度范围为1μm-30μm。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述狭缝具有一延伸方向，所述狭缝在与所述延伸方向垂直的方向上的宽度范围为0.01μm-20μm。
例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：有源层，位于所述衬底基板上；栅极绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；第一导电层，位于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧；以及第二导电层，所述第一导电层包括所述第一电极，所述第一绝缘层位于所述第一导电层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述第二导电层位于第一绝缘层远离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层包括所述第二电极。
例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：第三导电层，位于所述第二绝缘层远离所述第二电极的一侧；栅线，位于所述第一导电层且沿第一方向延伸；以及数据线，位于所述第三导电层且沿第二方向延伸，所述狭缝的延伸方向与所述第二方向大致平行。
例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：平坦化层，位于所述第三导电层远离所述第二绝缘层的一侧；以及阳极，位于所述平坦化层远离所述第三导电层的一侧；有机发光层，位于所述阳极远离所述平坦化层的一侧；以及阴极，位于所述有机发光层远离所述阳极的一侧。
例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：第一薄膜晶体管，包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，包括第二栅极、第二源极和第二漏极；第三薄膜晶体管，包括第三栅极、第三源极和第三漏极；第四薄膜晶体管，包括第四栅极、第四源极和第四漏极；
第五薄膜晶体管，包括第五栅极、第五源极和第五漏极；第六薄膜晶体管，包括第六栅极、第六源极和第六漏极；以及第七薄膜晶体管，包括第七栅极、第七源极和第七漏极，所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极连接到所述第三薄膜晶体管的所述第三漏极和所述第四薄膜晶体管的所述第四漏极。所述第一薄膜晶体管的所述第一源极连接到所述第二薄膜晶体管的所述第二漏极和所述第五薄膜晶体管的所述第五漏极，所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极连接到所述第三薄膜晶体管的所述第三源极和所述第六薄膜晶体管的所述第六源极，所述第一电极连接到所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极和所述第三薄膜晶体管的所述第三漏极，所述第二电极被配置为连接到电源线。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极的形状包括矩形。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为根据本公开一实施例提供一种阵列基板上的电容器的平面示意图；
图2为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板上的电容器沿图1中AA方向的剖面示意图；
图3为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图；
图4为根据图3所示的阵列基板上的像素驱动电路的等效示意图；
图5A-5E为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板上的像素驱动电路的各层的示意图；以及
图6为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板沿图3中BB方向的剖面示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
OLED显示面板包括阵列基板，阵列基板包括多个像素驱动电路和多个有机发光结构，多个像素驱动电路用于分别驱动多个有机发光结构进行发光。通常，各像素驱动电路可包括多个薄膜晶体管(TFT)和至少一个电容器。电容器包括上电极、下电极、以及位于上电极和下电极之间的电介质。
通常会采用光刻、蚀刻等图案化工艺在衬底基板上形成上述的多个像素驱动电路。在这种情况下，上述的电容器的形成过程可包括：在衬底基板上形成第一导电层，然后通过图案化工艺图案化第一导电层以形成下电极；在形成有下电极的衬底基板上形成绝缘层；以及在形成有绝缘层的衬底基板上形成第二导电层，然后通过图案化工艺图案化第二导电层以形成上电极。然而，在对上述的两个导电层进行图案化过程中，衬底基板和掩模板或曝光装置之间可能出现未对准的情况，从而导致形成的上电极和下电极发生重叠偏差。因此，上电极和下电极发生重叠偏差容易造成该电容器的实际容值与设计容值会存在偏差，从而导致显示异常。另一方面，由于像素驱动电路的版图设计复杂，当需要对电容器的电容值进行调整时，很可能需要重新设计整个像素驱动电路，从而导致成本上升。
为了解决上述的技术问题，本公开实施例提供一种阵列基板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板、第一电极、第一绝缘层和第二电极。第一电极位于衬底基板上；第一绝缘层位于第一电极远离衬底基板的一侧；第二电极位于第一绝缘层远离第一电极的一侧。第二电极中设置有第一过孔以及与第一过孔相连通且从第一过孔延伸至第二电极的边缘的狭缝，第一电极在衬底基板上的正投影完全落入第二电极、第一过孔和狭缝在衬底基板上的正投影。此时，第一电极、第二电极、和第一电极和第二电极之间的第一绝缘层可构成电容器。由于第二电极、第一过孔和狭缝在衬底基板上的正投影完全覆盖第一电极在衬底基板上的正投影，当衬底基板和掩模板或曝光装置之间出现未对准的情况而导致形成的第一电极和第二电极发生重叠偏差时，第一电极和第二电极之间的重叠面积不变，从而可保证该电容器的实际电容值与设计值保持一致，进而可提高采用该阵列基板的显示装置的良率。另外，在不改变第一电极和第二电极的形状和尺寸的情况下，通过调节上述的狭缝的尺寸可灵活地调节该电容器的电容值。
下面，结合附图对本公开实施例提供的阵列基板和显示装置进行详细的说明。
图1为根据本公开一实施例提供一种阵列基板上的电容器的平面示意图。图2为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板上的电容器沿图1中AA方向的剖面示意图。如图1和图2所示，该阵列基板100包括衬底基板110、第一电极120、第一绝缘层130和第二电极140。第一电极120位于衬底基板110上；第一绝缘层130位于第一电极120远离衬底基板110的一侧；第二电极140位于第一绝缘层130远离第一电极120的一侧。第二电极140中设置有第一过孔141以及与第一过孔141相连通且从第一过孔141延伸至第二电极140的边缘的狭缝142，第一电极120在衬底基板110上的正投影完全落入第二电极140、第一过孔141和狭缝142在衬底基板110上的正投影。此时，第一电极120、第二电极140、和第一电极120和第二电极140之间的第一绝缘层130可构成电容器Cst。
在本公开实施例提供的阵列基板中，由于第一电极在衬底基板上的正投影完全落入第二电极、第一过孔和狭缝在衬底基板上的正投影，当衬底基板和掩模板或曝光装置之间出现未对准的情况而导致形成的第一电极和第二电极发生重叠偏差时，第一电极和第二电极之间的重叠面积改变较小，甚至不变，从而可保证该电容器的实际电容值与设计值保持一致，进而可提高采用该阵列基板的显示装置的良率。另外，在不改变第一电极和第二电极的形状和尺寸的情况下，通过调节上述的狭缝的尺寸可灵活地调节该电容器的电容值。
在一些示例中，如图1所示，狭缝142具有一延伸方向，狭缝142在延伸方向上的长度范围为0μm-30μm。此时，由第一电极120、第二电极140、和第一绝缘层130构成的电容器Cst性能较好。
在一些示例中，如图1所示，狭缝142具有一延伸方向，狭缝142在与延伸方向垂直的方向上的宽度范围为0.01μm-20μm。此时，由第一电极120、第二电极140、和第一绝缘层130构成的电容器Cst性能较好。
在一些示例中，如图1所示，第一电极120的形状包括矩形。需要说明的是，在实际的工艺中，形成的第一电极120具有倒角，即，第一电极120的形状为四个角具有倒角的矩形。
图3为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图；图4为根据图3所示的阵列基板上的像素驱动电路的等效示意图。如图3和图4所示，该阵列基板还包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7。第一薄膜晶体管T1包括第一栅极G1、第一源极S1和第一漏极D1；第二薄膜晶体管T2包括第二栅极G2、第二源极S2和第二漏极D2；第三薄膜晶体管T3包括第三栅极G3、第三源极S3和第三漏极D3；第四薄膜晶体管T4包括第四栅极G4、第四源极S4和第四漏极D4；第五薄膜晶体管T5包括第五栅极G5、第五源极S5和第五漏极D5；第六薄膜晶体管T6包括第六栅极G6、第六源极S6和第六漏极D6；第七薄膜晶体管T7包括第七栅极G7、第七源极S7和第七漏极D7。第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1连接到第三薄膜晶体管T3的第三漏极D3和第四薄膜晶体管T4的第四漏极D4。第一薄膜晶体管T1的第一源极S1连接到第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2和第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5，第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1连接到第三薄膜晶体管T3的第三源极S3和第六薄膜晶体管T6的第六源极S6，第一电极120连接到第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1和第三薄膜晶体管T3的第三漏极D3，第二电极140被配置为连接到电源线。由此，上述的薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7和电容器Cst可构成一个像素驱动电路。
在一些示例中，如图3和图4所示，该阵列基板还包括栅线GL、发射控制线EM、初始化线RL、数据线DL和电源线VDD。栅线GL用于传输栅极信号，并可包括第一栅线GLn和第二栅线GLn-1；发射控制线EM可传输控制信号；初始化线RL可传输初始化信号；数据线DL可传输数据信号；电源线VDD可传输电源信号。
在一些示例中，如图4所示，第二薄膜晶体管T2的第二栅极G2连接到第一栅线GLn，第二薄膜晶体管T2的第二源极S2连接到数据线DL，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2连接到一薄膜晶体管T1的第一源极S1。
在一些示例中，如图4所示，第三薄膜晶体管T3的第三栅极G3连接到第一栅线GLn，第三薄膜晶体管T3的第三源极S3连接到第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1，第三薄膜晶体管T3的第三漏极D3连接到第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1。
例如，如图4所示，第四薄膜晶体管T4的第四栅极G4连接到第二栅线GLn-1，第四薄膜晶体管T4的第四源极S4连接到初始化线RL，第四薄膜晶体管T4的第四漏极D4连接到第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1，通过初始化线RL施加初始化电压Vint。
例如，如图4所示，第五薄膜晶体管T5的第五栅极G5连接到发射控制线EM，第五薄膜晶体管T5的第五源极S5连接到电源线VDD，第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5连接到第一薄膜晶体管T1的第一源极S1。
例如，如图4所示，第六薄膜晶体管T6的第六栅极G6连接到发射控制线EM，第六薄膜晶体管T6的第六源极S6连接到第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1，第六薄膜晶体管T6的第六漏极D6连接到对应的发光结构的阳极。
例如，如图4所示，第七薄膜晶体管T7的第七栅极G7连接到第二栅极线GLn-1，第七薄膜晶体管T7的第七源极S7连接各子像素的阳极，第七薄膜晶体管T7的第七漏极D7连接到第四薄膜晶体管T4的第四源极S4。
下面将对图4所示的像素驱动电路的一种工作方式进行示意性描述。首先，当向第二栅线GLn-1传输复位信号并使得第七薄膜晶体管T7导通时，流经对应发光结构的阳极的剩余电流通过第七薄膜晶体管T7放电到第四薄膜晶体管T4，从而可抑制由于流经对应的发光结构的阳极的剩余电流导致的发光。然后，当向第二栅线GLn-1传输初始化信号并向初始化线RL传输初始化信号时，第四薄膜晶体管T4导通，并且通过第四薄膜晶体管T4向第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1和电容器Cst的第二电极140施加初始化电压Vint，使得第一栅极G1和电容器Cst初始化。第一栅极G1初始化可使得第一薄膜晶体管T1导通。需要说明的是，上述的复位信号和上述的初始化信号可为同一信号。
随后，当向第一栅线GLn传输栅极信号并向数据线DL传输数据信号时，第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3都导通，通过第二薄膜晶体管T2、第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3向第一栅极G1施加数据电压Vd。此时，施加到第一栅极G1的电压是补偿电压Vd+Vth，并且施加到第一栅极G1的补偿电压也被施加到电容器Cst的第一电极120。
随后，电源线VDD向电容器Cst的第二电极140施加驱动电压Vel，向第一电极120施加补偿电压Vd+Vth，使得与分别施加到电容器Cst的两个电极的电压之间的差对应的电荷存储在电容器Cst中，第一薄膜晶体管T1导通达到预定时间。
随后，当向发射控制线EM施加发射控制信号时，第五薄膜晶体管T5和第六薄膜晶体管T6都导通，使得第五薄膜晶体管T5向第一薄膜晶体管T1施加驱动电压Vel。驱动电压Vel穿过由电容器Cst导通的第一薄膜晶体管T1时，对应的驱动电压Vel与通过电容器Cst向第一栅极G1施加的电压之间的差驱动电流Id流经第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1，驱动电流Id通过第六薄膜晶体管T6施加到各个发光结构，使得各个发光结构发光。
图5A-5E为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板上的像素驱动电路的各层的示意图。下面，结合图5A-5E对阵列基板上的像素驱动电路进行说明。
例如，图5A示出了该像素驱动电路的半导体层310。半导体层310可采用半导体材料图案化形成。半导体层310可用于制作上述的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7的有源层，各有源层可包括源极区域、漏极区域和源极区域和漏极区域之间的沟道区。例如，半导体层310可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是，上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。
在本公开实施例提供的阵列基板中，在上述的半导体层上形成有栅极绝缘层(图5A-5E未示出)，用于保护上述的半导体层。图5B示出了该像素驱动电路的第一导电层320，第一导电层320设置在栅极绝缘层上，从而与半导体层310绝缘。第一导电层320可包括电容器Cst的第一电极120、栅线GLn、GLn-1、发射控制线EM、以及第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7的栅极(例如，上述的第一栅极G1、第二栅极G2、第三栅极G3、第四栅极G4、第五栅极G5、第六栅极G6和第七栅极G7)。如图5B所示，第二薄膜晶体管T2、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7的栅极为栅线GLn、GLn-1与半导体层310交叠的部分，第三薄膜晶体管T3可为双栅结构的薄膜晶体管，第三薄膜晶体管T3的一个栅极可为栅线GLn与半导体层310交叠的部分，第三薄膜晶体管T3的另一个栅极可为从栅线GLn突出的突出部；第一薄膜晶体管T1的栅极可为第一电极120。
在本公开实施例提供的阵列基板中，在上述的第一导电层上形成有上述的第一绝缘层(图5A-5E未示出)，用于保护上述的第一导电层。图5C示出了该像素驱动电路的第二导电层330，第二导电层330包括电容器Cst的第二电极140，初始化线RL。
在一些示例中，第二导电层330还可包括第一遮光部331和第二遮光部332；第一遮光部331在衬底基板110上的正投影覆盖第二薄膜晶体管T2的有源层、第三薄膜晶体管T3的漏极和第四薄膜晶体管T4的漏极之间的有源层，从而防止外界光线对第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4的有源层产生影响；第二遮光部332在衬底基板110上的正投影覆盖第三薄膜晶体管T3的两个栅极之间的有源层，从而防止外界光线对第二薄膜晶体管T3的有源层产生影响。
在本公开实施例提供的显示基板中，在上述的第二导电层上形成有第二绝缘层(图5A-5E未示出)，用于保护上述的第二导电层。图5D示出了该像素驱动电路的第三导电层340，第三导电层340包括数据线DL和电源线VDD。图5E为上述的半导体层310、第一导电层320、第二导电层330和第三导电层340的层叠位置关系的示意图。如图5D和5E所示，数据线DL通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔381)与半导体层310中的第二薄膜晶体管T2的源极区域相连。电源线VDD通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔382)与半导体层310中对应第五薄膜晶体管T5的源极区域相连。电源线VDD通过第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔383)与第二导电层330中的第二电极140相连。第三导电层340还包括第一连接部341、第二连接部342和第三连接部343。第一连接部341的一端通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔384)与半导体层310中对应第三薄膜晶体管T3的漏极区域相连，第一连接部341的另一端通过绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔385)与第一导电层320中的第一薄膜晶体管T1的栅极G1相连。第二连接部342的一端通过第二绝缘层中的一个过孔(例如过孔386)与初始化线RL相连，第二连接部342的另一端通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔387)与半导体层310中的第七薄膜晶体管T7的漏极区域相连。第三连接部343通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔388)与半导体层310中的第六薄膜晶体管T6的漏极区域相连。
在一些示例中，如图5E所示，电容器Cst的第一电极120与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1可为同一个结构，此时第一过孔141在衬底基板110上的正投影与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1在衬底基板110上的正投影至少部分交叠。
在一些示例中，如图5E所示，该阵列基板包括上述的第三导电层340、上述的栅线GL和上述的数据线DL。第三导电层340位于第二绝缘层150远离第二电极140的一侧；栅线GL位于第一导电层320且沿第一方向X延伸；数据线DL位于第三导电层340且沿第二方向Y延伸，狭缝142的延伸方向与第二方向大致平行。需要说明的是，上述的大致平行包括狭缝的延伸方向与第二方向完全平行的情况，也包括狭缝的延伸方向与第二方向之间角度小于5度的情况。
图6为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板沿图3中BB方向的剖面示意图。图6示出了上述的第二绝缘层150，如图6所示，第二绝缘层150位于第二电极140远离衬底基板110的一侧，即位于上述的第二导电层上。该阵列基板还包括第二过孔131和连接电极160；第二过孔131位于第一绝缘层130中并暴露第一电极120，第二绝缘层150部分位于第一过孔141并在第一过孔141中形成与第二电极140绝缘的第三过孔143，第三过孔143在衬底基板110上的正投影与第二过孔131在衬底基板110上的正投影至少部分重叠，连接电极160位于第二过孔131和第三过孔143之中并与第一电极120相连。例如，上述的连接电极160可为上述的第一连接部341，上述的第三过孔343可为上述的385。
在一些示例中，如图6所示，该阵列基板包括上述的有源层310、栅极绝缘层190、上述第一导电层320和上述的第二导电层330。有源层310位于衬底基板110上，栅极绝缘层190位于有源层310远离衬底基板110的一侧，第一导电层320位于栅极绝缘层190远离有源层310的一侧。第一电极120位于第一导电层320，第一绝缘层130位于第一导电层320远离栅极绝缘层190的一侧，第二导电层330位于第一绝缘层130远离第一导电层320的一侧，第二电极140位于第二导电层330。
在一些示例中，如图6所示，该阵列基板还包括平坦化层350、阳极360、有机发光层370和阴极380。平坦化层350位于第三导电层340远离第二绝缘层150的一侧；阳极360位于平坦化层350远离第三导电层340的一侧；有机发光层370位于阳极360远离平坦化层350的一侧；阴极360位于有机发光层370远离阳极360的一侧。该阵列基板可为OLED显示基板的阵列基板，即该阵列基板上的发光结构为OLED。
在一些示例中，如图6所示，当衬底基板110为玻璃基板时，该阵列基板还包括聚酰亚胺层112和缓冲层114，聚酰亚胺层112位于衬底基板110上，缓冲层114位于聚酰亚胺层112远离衬底基板110的一侧。聚酰亚胺层112和缓冲层114可避免衬底基板110上的缺陷影响阵列基板的性能。
本公开一实施例还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。因此，该显示装置也可在当衬底基板和掩模板或曝光装置之间出现未对准的情况，并导致形成的第一电极和第二电极发生重叠偏差时，保证该电容器的实际电容值与设计值保持一致，从而该显示装置的良率。另外，该显示装置可在不改变第一电极和第二电极的形状和尺寸的情况下，通过调节上述的狭缝的尺寸可灵活地调节该电容器的电容值。
例如，在一些示例中，该显示装置可以为智能手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
第一电极，位于所述衬底基板上；
第一绝缘层，位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧；以及
第二电极，位于所述第一绝缘层远离所述第一电极的一侧，
其中，所述第二电极中设置有第一过孔以及与所述第一过孔相连通且从所述第一过孔延伸至所述第二电极的边缘的狭缝，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二电极、所述第一过孔和所述狭缝在所述衬底基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：
第二绝缘层，位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧；以及
连接电极，
其中，所述第一绝缘层中设置有暴露所述第一电极的第二过孔，所述第二绝缘层部分位于所述第一过孔中并在所述第一过孔中形成与所述第二电极分隔的第三过孔，所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述连接电极位于所述第二过孔和所述第三过孔之中并与所述第一电极相连。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述狭缝具有一延伸方向，所述狭缝在所述延伸方向上的长度范围为1 μm - 30 μm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其中，所述狭缝具有一延伸方向，所述狭缝在与所述延伸方向垂直的方向上的宽度范围为0.01 μm - 20 μm。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，还包括：
有源层，位于所述衬底基板上；
栅极绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
第一导电层，位于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧；以及
第二导电层，
其中，所述第一导电层包括所述第一电极，所述第一绝缘层位于所述第一导电层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述第二导电层位于所述第一绝缘层远离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层包括所述第二电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，还包括：
第三导电层，位于所述第二绝缘层远离所述第二电极的一侧；
栅线，位于所述第一导电层且沿第一方向延伸；以及
数据线，位于所述第三导电层且沿第二方向延伸，
其中，所述狭缝的延伸方向与所述第二方向大致平行。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，还包括：
平坦化层，位于所述第三导电层远离所述第二绝缘层的一侧；以及
阳极，位于所述平坦化层远离所述第三导电层的一侧；
有机发光层，位于所述阳极远离所述平坦化层的一侧；以及
阴极，位于所述有机发光层远离所述阳极的一侧。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，还包括：
第一薄膜晶体管，包括第一栅极、第一源极和第一漏极；
第二薄膜晶体管，包括第二栅极、第二源极和第二漏极；
第三薄膜晶体管，包括第三栅极、第三源极和第三漏极；
第四薄膜晶体管，包括第四栅极、第四源极和第四漏极；
第五薄膜晶体管，包括第五栅极、第五源极和第五漏极；
第六薄膜晶体管，包括第六栅极、第六源极和第六漏极；以及
第七薄膜晶体管，包括第七栅极、第七源极和第七漏极，
其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极连接到所述第三薄膜晶体管的所述第三漏极和所述第四薄膜晶体管的所述第四漏极，所述第一薄膜晶体管的所述第一源极连接到所述第二薄膜晶体管的所述第二漏极和所述第五薄膜晶体管的所述第五漏极，所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极连接到所述第三薄膜晶体管的所述第三源极和所述第六薄膜晶体管的所述第六源极，
所述第一电极连接到所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极和所述第三薄膜晶体管的所述第三漏极，所述第二电极被配置为连接到电源线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一电极的形状包括矩形。
11.一种显示装置，包括根据权利要求1-10中任一项所述的阵列基板。
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