CN113130805A - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示面板及其制造方法、显示装置。显示面板包括：阳极层，包括位于第一和第二子像素中的第一和第二阳极；空穴传输层，包括位于第一和第二子像素中的第一和第二空穴传输层；缓冲层，包括位于第一和第二子像素中的第一和第二缓冲层中的至少一个；发光层，包括位于第一和第二子像素中的第一和第二发光层，第一发光层和第一空穴传输层间的HOMO能级差为大于0的第一差值，第二发光层和第二空穴传输层间的HOMO能级差的绝对值大于0且小于第一差值；阴极。在第一空穴传输层到第一发光层的方向上，第一缓冲层的多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。第二发光层与第二缓冲层间的HOMO能级差或第二缓冲层与第二空穴传输层间的HOMO能级差大于或等于0.3eV。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
近年来，基于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的显示技术逐渐受到更多的关注。
由于OLED具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，基于OLED的显示技术有可能代替液晶显示技术成为下一代显示技术。
发明内容
根据本公开实施例的一方面，提供一种显示面板，包括位于衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素。所述显示面板包括：阳极层，包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极；空穴传输层，位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层；缓冲层，位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个；发光层，位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层，所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值，所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值；和阴极，位于所述发光层远离所述阳极层的一侧。所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层，每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间，并且，在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上，所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间，所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值，所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值，所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
在一些实施例中，所述多个子像素还包括第三子像素，其中：所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极；所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层；所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层；并且所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层，所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值，其中，所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间，所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值，所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值，所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
在一些实施例中，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素和绿色子像素中的一个。
在一些实施例中，所述多个第一缓冲子层中的至少一个的厚度范围为2纳米至10纳米。
在一些实施例中，所述多个第一缓冲子层中的至少一个的第一迁移率大于或等于10-6cm2/V·s。
在一些实施例中，所述第一迁移率小于或等于10-2cm2/V·s。
在一些实施例中，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的厚度范围为30纳米至100纳米。
在一些实施例中，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的第二迁移率大于或等于10-4cm2/V·s。
在一些实施例中，所述第二迁移率小于或等于10-2cm2/V·s。
在一些实施例中，所述多个第一缓冲子层中的每一个的支链含有第一给电子基团，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的每一个的支链含有第二给电子基团和吸电子基团中的一个，所述第二给电子基团的给电子能力大于所述第一给电子基团的给电子能力。
在一些实施例中，所述第三差值和所述第四差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
在一些实施例中，所述第六差值和所述第七差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
在一些实施例中，所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层是连续的。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：空穴注入层，包括位于所述第一子像素中的第一空穴注入层和位于所述第二子像素中的第二空穴注入层。
在一些实施例中，所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层是连续的。
根据本公开实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括：上述任意一个实施例所述的显示面板。
根据本公开实施例的又一方面，提供一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括位于衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素。所述方法包括：提供背板，所述背板包括位于所述衬底基板上的阳极层，所述阳极层包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极；在所述阳极层远离所述衬底基板的一侧形成空穴传输层，所述空穴传输层包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层；在所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧形成缓冲层，所述缓冲层包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个；在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成发光层，所述发光层包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层，所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值，所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值；和在所述发光层远离所述阳极层的一侧形成阴极。所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层，每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间，并且，在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上，所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间，所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值，所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值，所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
在一些实施例中，所述多个子像素包括还包括第三子像素，其中：所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极；所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层；所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层；并且所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层，所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值，其中，所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间，所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值，所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值，所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
在一些实施例中，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素和绿色子像素中的一个。
在一些实施例中，所述第三差值和所述第四差值中的所述一个小于或等于0.7eV；所述第六差值和所述第七差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。
附图说明
附图构成本说明书的一部分，其描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，在附图中：
图1是示出根据本公开一个实施例的显示面板的结构示意图；
图2是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的结构示意图；
图3A-图3C是示出根据本公开一些实施例的显示面板的一些层的HOMO能级的示意图；
图4是示出根据本公开一些实施例的第一缓冲子层、第二缓冲层和第三缓冲层的主体的示意图；
图5是示出根据本公开又一个实施例的显示面板的结构示意图；
图6是示出根据本公开一个实施例的显示面板的制造方法的流程示意图；
图7A是示出例1的电流密度随着电压变化的曲线的示意图；
图7B是示出例2的电流密度随着电压变化的曲线的示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不必然是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时，在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件，也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时，该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件，也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
相关技术中，显示面板中不同种类的子像素的开启电压(也称为起亮电压)不同。例如，蓝色子像素的开启电压、绿色子像素的开启电压以及红色子像素的开启电压逐渐减小。
发明人注意到，显示面板在低灰阶显示某一种颜色的情况下，显示面板的某些区域会同时显示其他颜色。例如，在点亮蓝色子像素时，绿色子像素和红色子像素也会被点亮。又例如，在点亮绿色子像素时，红色子像素也会被点亮。
发明人通过研究发现：在给开启电压较大的一类子像素施加开启电压时，大部分电流会流向这类子像素的发光层，以驱动这类子像素发光。但是，有一部分电流会流向开启电压较小的其他类子像素中的发光层，以驱动这类子像素同时发光，从而导致串扰现象，影响了显示面板的显示效果。
为了解决上述问题，本公开实施例提供了如下技术方案，以提高显示面板的显示效果。
图1是示出根据本公开一个实施例的显示面板的结构示意图。
如图1所示，显示面板包括位于衬底基板10上的多个子像素，多个子像素包括第一子像素01和第二子像素02。应理解，多个子像素还包括其他子像素，例如第三子像素03。还应理解，多个子像素可以由像素界定层来限定。
另外，图1还示出了位于衬底基板10上的驱动电路层20。例如，驱动电路层20可以包括像素驱动电路和覆盖像素驱动电路的平坦化层。后文将结合图5给出驱动电路层20的一些实现方式。
下面介绍显示面板中各层的结构。
如图1所示，显示面板包括阳极层11、空穴传输层12、缓冲层13、发光层14和阴极15。
阳极层11包括位于第一子像素01中的第一阳极111和位于第二子像素02中的第二阳极112。例如，阳极层11可以包括叠层，叠层例如可以是氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/ITO。应理解，阳极层11中属于不同子像素的不同阳极是彼此间隔开的。
空穴传输层12位于阳极层11远离衬底基板10的一侧。空穴传输层12包括位于第一子像素01中的第一空穴传输层121和位于第二子像素02中的第二空穴传输层122。
缓冲层13位于空穴传输层12远离衬底基板10的一侧。这里，缓冲层13包括位于第一子像素01中的第一缓冲层131和位于第二子像素02中的第二缓冲层132中的至少一个。
发光层14位于缓冲层13远离衬底基板10的一侧。发光层14包括位于第一子像素01中的第一发光层141和位于第二子像素02中的第二发光层142。这里，第一发光层141和第一空穴传输层121之间的最高占据分子轨道(HOMO)能级差为大于0的第一差值，第二发光层142和第二空穴传输层122之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于第一差值的第二差值。例如，第一差值为0.51eV，第二差值为0.11eV或0.14eV。例如，第二发光层142和第二空穴传输层122之间的HOMO能级差为0.11eV或-0.14eV。发光层14例如可以是有机发光层。
阴极15位于发光层14远离阳极层111的一侧。例如，阴极15是面阴极。
下面将对第一子像素01中的第一缓冲层131和第二子像素02中的第二缓冲层132进行说明。
第一缓冲层131包括多个第一缓冲子层131a。图1示意性地示出了两个第一缓冲子层131a。应理解，第一缓冲层131可以包括更多数量的第一缓冲子层131a。
每个第一缓冲子层131a的HOMO能级位于第一发光层141的HOMO能级和第一空穴传输层121的HOMO能级之间。换言之，每个第一缓冲子层131a的HOMO能级小于第一发光层141的HOMO能级，并且大于第一空穴传输层121的HOMO能级。另外，在第一空穴传输层121到第一发光层141的方向上，多个第一缓冲子层131a的HOMO能级逐渐增大。
由于第一子像素01中的多个第一缓冲子层131a的HOMO能级逐渐增大，故有利于空穴从第一空穴传输层121跳跃式跃迁到第一发光层141，从而可以减小第一子像素01的开启电压。
第二缓冲层132的HOMO能级位于第二发光层142的HOMO能级和第二空穴传输层122的HOMO能级之间。换言之，第二缓冲层132的HOMO能级小于第二发光层142的HOMO能级，并且大于第二空穴传输层122的HOMO能级。
这里，第二发光层142与第二缓冲层132之间的HOMO能级差为第三差值，第二缓冲层132与第二空穴传输层122之间的HOMO能级差为第四差值。第三差值和第四差值中的一个大于或等于0.3eV。例如，第三差值大于或等于0.3eV；又例如，第四差值大于或等于0.3eV。可以理解的是，在第三差值和第四差值中的一个大于或等于0.3eV的情况下，另一个小于0eV。
通过在第二发光层142和第二空穴传输层122之间设置大于或等于0.3eV的能级势垒，空穴从第二空穴传输层122注入到第二发光层142更困难，从而可以增大第二子像素02的开启电压。
在一些实施例中，显示面板的缓冲层13仅包括第一缓冲层131。如此，可以减小第一子像素01的开启电压，从而使得第一子像素01的开启电压和第二子像素02的开启电压更接近。
在另一些实施例中，显示面板的缓冲层13仅包括第二缓冲层132。如此，可以增大第二子像素02的开启电压，从而也可以使得第一子像素01的开启电压和第二子像素02的开启电压更接近。
在又一些实施例中，显示面板的缓冲层13包括第一缓冲层131和第二缓冲层。如此，既可以减小第一子像素01的开启电压，又可以增大第二子像素02的开启电压，从而进一步使得第一子像素01的开启电压和第二子像素02的开启电压更接近。
上述实施例中，显示面板的缓冲层13包括第一缓冲层131和位于第二子像素02中的第二缓冲层132中的至少一个，故可以实现减小第一子像素01的开启电压和增大第二子像素02的开启电压中的至少一个，从而使得第一子像素01的开启电压和第二子像素02的开启电压更接近。这样的方式下，可以减小第一子像素01被点亮时第二子像素02同时被点亮的可能性，从而改善显示面板的串扰现象，提高显示面板的显示效果。
例如，第一子像素01为蓝色子像素，第二子像素02为红色子像素和绿色子像素中的一个。如此，可以减小蓝色子像素被点亮时红色子像素或绿色子像素同时被点亮的可能性，从而改善显示面板的串扰现象，提高显示面板的显示效果。
又例如，第一子像素01为绿色子像素，第二子像素02为红色子像素。如此，可以减小绿色子像素被点亮时红色子像素同时被点亮的可能性，从而改善显示面板的串扰现象，提高显示面板的显示效果。
在一些实施例中，第三差值和第四差值中的一个大于或等于0.3eV，并且小于或等于0.7eV。例如，第三差值大于或等于0.3eV，并且小于或等于0.7eV，例如为0.4eV、0.5eV、0.6eV。又例如，第四差值大于或等于0.3eV，并且小于或等于0.7eV，例如为0.4eV、0.5eV、0.6eV。第三差值或第四差值在上述范围内时，可以有效提高第二子像素02的开启电压，同时使得第二子像素02的工作电压也不会过高，如此可以兼顾第二子像素02的开启电压和工作电压。
在一些实施例中，第一空穴传输层121和第二空穴传输层122是连续的。例如，空穴传输层12是一个整体，不同子像素共用该空穴传输层12。发明人注意到，在第一空穴传输层121和第二空穴传输层122是连续的情况下，显示面板的串扰现象尤为明显。故，利用本公开实施例的方案可以更明显地改善显示面板的串扰现象，以提高显示面板的显示效果。
在一些实施例中，参见图1，多个子像素还包括第三子像素03。相应地，阳极层11、空穴传输层12、缓冲层13和发光层14中的每一个均包括位于第三子像素03中的部分。下面结合图1分别进行详细说明。
阳极层11还包括位于第三子像素03中的第三阳极113。应理解，第三阳极113与第一阳极111和第二阳极112是彼此间隔开的。
空穴传输层12还包括位于第三子像素03中的第三空穴传输层123。在一些实施例中，第三空穴传输层123、第一空穴传输层121和第二空穴传输层122是连续的。
缓冲层13还包括位于第三子像素03中的第三缓冲层133。
发光层14还包括位于第三子像素03中的第三发光层143。第三发光层143与第三空穴传输层123之间的HOMO能级差为大于0且小于第一差值的第五差值。
第三缓冲层133的HOMO能级位于第三发光层143的HOMO能级和第三空穴传输层123的HOMO能级之间。第三发光层143与第三缓冲层133之间的HOMO能级差为第六差值，第三缓冲层133与第三空穴传输层123之间的HOMO能级差为第七差值。这里，第六差值和第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
例如，第六差值大于或等于0.3eV；又例如，第七差值大于或等于0.3eV。可以理解的是，在第六差值和第七差值中的一个大于或等于0.3eV的情况下，另一个小于0eV。
通过在第三发光层143和第三空穴传输层123之间设置大于或等于0.3eV的能级势垒，空穴从第三空穴传输层123注入到第三发光层143更困难，从而可以增大第三子像素03的开启电压。
上述实施例中，显示面板的缓冲层13还包括第三缓冲层133，故不仅可以实现减小第一子像素01的开启电压和增大第二子像素02的开启电压中的至少一个，还可以增大第三子像素03的开启电压，从而使得第一子像素01的开启电压、第二子像素02的开启电压和第三子像素03的开启电压彼此更接近。这样的方式下，可以减小第一子像素01被点亮时第二子像素02和第三子像素03同时被点亮的可能性，从而进一步改善显示面板的串扰现象，进一步提高显示面板的显示效果。
作为一些实现方式，第一子像素01为蓝色子像素，第二子像素02为红色子像素和绿色子像素中的一个，第三子像素03为红色子像素和绿色子像素中的另一个。例如，第二子像素02为红色子像素，第三子像素03为绿色子像素；反之亦可。如此，可以减小蓝色子像素被点亮时红色子像素和绿色子像素同时被点亮的可能性。
在一些实施例中，第六差值和第七差值中的一个大于或等于0.3eV，并且小于或等于0.7eV。例如，第六差值大于或等于0.3eV，并且小于或等于0.7eV，例如为0.4eV、0.5eV、0.6eV。又例如，第七差值大于或等于0.3eV，并且小于或等于0.7eV，例如为0.4eV、0.5eV、0.6eV。第六差值或第七差值在上述范围内时，可以有效提高第三子像素03的开启电压，同时使得第三子像素03的工作电压也不会过高，如此可以兼顾第三子像素03的开启电压和工作电压。
图2是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的结构示意图。
下面仅重点介绍与图1所示实施例的不同之处，其他类似之处可以参照以上图1的相关描述。
如图2所示，在一些实施例中，显示面板还包括空穴注入层21、空穴阻挡层22、电子传输层23、电子注入层24中的一层或多层。应理解，空穴注入层21、空穴阻挡层22、电子传输层23和电子注入层24中的每一个均包括位于不同子像素中的部分。
空穴注入层21位于阳极层11与空穴传输层12之间。例如，空穴注入层21包括位于第一子像素01中的第一空穴注入层211和位于第二子像素02中的第二空穴注入层212。在一些实施例中，空穴注入层21还包括位于第三子像素01中的第三空穴注入层213。在一些实施例中，第一空穴注入层211和第二空穴注入层212是连续的。在一些实施例中，第一空穴注入层211、第二空穴注入层212和第三空穴注入层213是连续的。例如，空穴注入层21是一个整体。
空穴阻挡层22位于发光层14远离衬底基板10的一侧，电子传输层23位于空穴阻挡层22远离衬底基板10的一侧，电子注入层24位于电子传输层23与阴极15之间。
例如，显示面板中的空穴阻挡层22、电子传输层23、电子注入层24均被显示面板中的多个子像素共用。
在一些实施例中，显示面板还包括位于阴极15远离衬底基板10一侧的盖层25。在一些实施例中，显示面板还包括位于盖层25远离衬底基板10一侧的封装层(图2未示出)。封装层例如可以包括第一无机层、第二无机层、以及位于第一无机层和第二无机层之间的有机层。在另一些实施例中，封装层还可以包括更多层，例如，可以包括位于第二无机层远离衬底基板10一侧的另一有机层、以及位于该另一有机层远离衬底基板10一侧的第三无机层。
图3A-图3C是示出根据本公开一些实施例的显示面板的一些层的HOMO能级的示意图。
如图3A中的圈所示，第一缓冲层131中的多个第一缓冲子层131a的HOMO能级逐渐增大，减小了空穴从第一空穴传输层112注入第一发光层141的难度。
如图3B中的圈所示，第二发光层142与第二空穴传输层122之间的HOMO能级差大于或等于3eV。这种情况下，在第二发光层142和第二空穴传输层122之间插入了HOMO能级较深的第二缓冲层132，增大了空穴从第二空穴传输层122注入第二发光层142的难度。
如图3C所示，第三发光层143与第三缓冲层133之间的HOMO能级差大于或等于3eV。这种情况下，在第三发光层143和第三空穴传输层123之间插入了HOMO能级较浅的第三缓冲层133，增大了空穴从第三空穴传输层123注入第三发光层143的难度。
下面以第一子像素01为蓝色子像素，第二子像素02为红色子像素和绿色子像素中的一个为例，说明第一缓冲层131的一些实现方式。
在第一缓冲层131中，多个第一缓冲子层131a中的至少一个的厚度范围为2纳米至10纳米，例如5纳米、7纳米、9纳米等。例如，每个第一缓冲子层131a的厚度范围均为2纳米至10纳米。
在一些实施例中，多个第一缓冲子层131a中的至少一个的第一迁移率大于或等于10-6cm2/V·s。例如，每个第一缓冲子层131a的第一迁移率均大于或等于10-6cm2/V·s。这样的第一缓冲子层131a更有利于提高显示面板的发光效率。
在一些实施例中，第一迁移率大于或等于10-6cm2/V·s，并且小于或等于10-2cm2/V·s。例如，第一迁移率是10-4cm2/V·s、10-3cm2/V·s等。
下面以第一子像素01为蓝色子像素，第二子像素02为红色子像素和绿色子像素中的一个为例，说明第二缓冲层132和第三缓冲层133的一些实现方式。
作为一些实现方式，第二缓冲层132和第三缓冲层133中的至少一个的厚度范围为30纳米至100纳米，例如为40纳米、60纳米、80纳米等。
作为一些实现方式，第二缓冲层132和第三缓冲层133中的至少一个的第二迁移率大于或等于10-4cm2/V·s。这样的第二缓冲层132有利于空穴快速迁移到第二发光层142，实现快速高效的空穴电子复合，有利于提升显示面板的发光效率。
另外，在第二迁移率大于或等于10-4cm2/V·s的情况下，有利于在增大第二子像素02和第三子像素03的开启电压的情况下，同时使得第二子像素02和第三子像素03的工作电压不增大或增大的幅度较小。
在一些实施例中，第二迁移率大于或等于10-4cm2/V·s，并且小于或等于10-2cm2/V·s。例如，第二迁移率为10-3cm2/V·s等。
在一些实施例中，显示面板中的每个子像素包括微腔结构。应理解，通过调整每个子像素中微腔结构的厚度(也可以称为光学长度)，可以使得特定波长的光干涉增强，从而使得每个子像素发射出高亮度的光，例如，红色子像素R可以发射出高亮度的红光，绿色子像素G可以发射出高亮度的绿光，蓝色子像素B可以发射出高亮度的蓝光。
在一些实施例中，第一缓冲层131、第二缓冲层132和第三缓冲层133的厚度彼此不同，以使得第一子像素01、第二子像素02和第三子像素03中的微腔结构的厚度彼此不同。例如，不同子像素的微腔结构中除各自的缓冲层之外的其他层的厚度可以彼此相同。换言之，不同子像素的微腔结构中的缓冲层的厚度的不同使得不同子像素的微腔结构的厚度不同。
下面介绍第一缓冲层131、第二缓冲层132和第三缓冲层133的材料的一些实现方式。
在一些实施例中，在第一缓冲层131中，多个第一缓冲子层131a中的每一个的支链含有第一给电子基团，第二缓冲层132和第三缓冲层133中的每一个的支链含有第二给电子基团和吸电子基团中的一个。这里，第二给电子基团的给电子能力大于第一给电子基团的给电子能力。
根据一些实现方式，第一缓冲子层131a的支链含有弱的给电子基团，例如，H、取代或者未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或者未取代的碳原子数为3至15的环烷基、或取代或者未取代的碳原子数为6至18的芳基。只含C和H元素的官能团相对含其他元素(如N、O、S、卤素等)的官能团的给电子能力弱，从而可以保证第一缓冲子层131a的HOMO能级位于第一空穴传输层121和第一发光层141之间，例如，位于约5.37eV至约5.88eV之间。
根据另一些实现方式，第二缓冲层132和第三缓冲层133的支链含有强的给电子基团，例如，取代或者未取代的碳原子数为5至30的烷基、取代或者未取代的碳原子数为3至30的环烷基、取代或者未取代的碳原子数为6至36的芳基或含有较长的共轭链的结构(例如共轭单元的数量≥3)。强的给电子基团和长的共轭链有利于加深HOMO的能量，使HOMO能级变大，如图3B所示。
根据又一些实现方式，第二缓冲层132和第三缓冲层133的支链含有弱的吸电子基团，例如，含有卤素、N、O、S、P等元素的官能团。吸电子基团有利于降低HOMO的能量，使HOMO能级变小，如图3C所示。
图4是示出根据本公开一些实施例的第一缓冲子层、第二缓冲层和第三缓冲层的主体的示意图。
作为一些实现方式，如图4所示，第一缓冲子层131a、第二缓冲层132和第三缓冲层133的主体为含有大π共轭轨道或p-π共轭轨道的化合物，例如，芴类化合物、咔唑类化合物。
作为另一些实现方式，如图4所示，第一缓冲子层131a、第二缓冲层132和第三缓冲层133的主体为含有能提供p电子的原子的化合物，例如，芳胺类化合物。
图5是示出根据本公开又一个实施例的显示面板的结构示意图。需要说明的是，图5重点示出了驱动电路层20的结构，而省略了其他的一些层的结构。
如图5所示，驱动电路层20中的像素驱动电路可以包括薄膜晶体管T和电容器C。应理解，像素驱动电路还可以包括其他薄膜晶体管。例如，像素驱动电路可以包括6个薄膜晶体管和一个电容器C(6T1C)；又例如，像素驱动电路可以包括7个薄膜晶体管和一个电容器C(7T1C)。
薄膜晶体管T包括位于衬底基板10一侧的有源层AT、位于有源层AT远离衬底基板10一侧的第一绝缘层IL1、位于第一绝缘层IL1远离衬底基板10一侧的栅极GT、贯穿第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3的第一电极ED1和第二电极ED2。这里，第二绝缘层IL2位于栅极GT远离衬底基板10一侧，第三绝缘层IL3位于第二绝缘层IL2远离衬底基板10的一侧。例如，有源层AT的材料可以包括非晶态氧化铟镓锌(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩和聚噻吩中的一种或多种。例如，第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4的材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物和硅的氮氧化物中的一种或更多种。作为一些实现方式，第一电极ED1和第二电极ED1中的至少一个的材料可以包括金属或合金。作为金属的例子可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的一种或多种。作为合金的例子可以包括铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)。例如，第一电极ED1和第二电极ED1可以是单层结构或者多层结构，如Ti/Al/Ti等。
电容器C包括位于第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2之间的第一电极板C1、位于第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3之间的第二电极板C2。应理解，电容器C还包括位于第一电极板C1和第二电极板C2之间的第二绝缘层IL2。平坦化层PLN覆盖第一电极ED1和第二电极ED2。例如，第一电极板C1和栅极GT可以位于同一层，即，通过对同一材料层进行图案化而形成。作为一些实现方式，第一电极板C1和第二电极板C2中的至少一个的材料可以包括上述金属或上述合金。
第一阳极111、第二阳极112、第三阳极113位于平坦化层PLN远离衬底基板10的一侧，并且分别通过贯穿平坦化层PLN的过孔与对应的像素驱动电路中的薄膜晶体管T的第二电极ED2连接。
图5还示出了位于像素界定层PDL和位于像素界定层PDL远离衬底基板10一侧的隔垫柱PS。隔垫柱PS被配置为支撑掩模版，例如高精度金属掩膜版(FMM)。
在一些实施例中，参见图5，显示面板还可以包括位于衬底基板10与有源层AT之间的缓冲层BF。缓冲层BF用于提高衬底基板10的抗水氧能力。例如，缓冲层BF可以阻挡水汽和氧气进入有源层AT。
图6是示出根据本公开一个实施例的显示面板的制造方法的流程示意图。
这里，显示面板包括位于衬底基板上的多个子像素，多个子像素包括第一子像素和第二子像素。在一些实施例中，多个子像素包括还包括第三子像素。
首先，在步骤602，提供背板。
这里，背板包括位于衬底基板上阳极层。阳极层包括位于第一子像素中的第一阳极和位于第二子像素中的第二阳极。在一些实施例中，阳极层还包括位于第三子像素中的第三阳极。
背板例如可以包括图5所示的显示面板中除空穴传输层12和空穴注入层21之外的其他层。
然后，在步骤604，在阳极层远离衬底基板的一侧形成空穴传输层。
这里，空穴传输层包括位于第一子像素中的第一空穴传输层和位于第二子像素中的第二空穴传输层。在一些实施例中，空穴传输层还包括位于第三子像素中的第三空穴传输层。
例如，可以利用开口掩模板(open mask)，通过蒸镀工艺形成第一空穴传输层。作为一些实现方式，开口掩模板可以包括金属掩模板。
在一些实施例中，可以先形成空穴注入层，然后在空穴注入层远离衬底基板的一侧形成空穴传输层。例如，可以利用开口掩模板，通过蒸镀工艺形成空穴注入层。
接下来，在步骤606，在空穴传输层远离衬底基板的一侧形成缓冲层。
这里，缓冲层包括位于第一子像素中的第一缓冲层和位于第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个。在一些实施例中，缓冲层还包括位于第三子像素中的第三缓冲层。
例如，可以通过FMM分别形成第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层。
接下来，在步骤608，在缓冲层远离衬底基板的一侧形成发光层。
这里，发光层包括位于第一子像素中的第一发光层和位于第二子像素中的第二发光层。
例如，可以通过FMM分别形成第一发光层和第二发光层。
第一发光层和第一空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0的第一差值，第二发光层和第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为第二差值。第二差值大于0且小于第一差值。
第一缓冲层包括多个第一缓冲子层。每个第一缓冲子层的HOMO能级位于第一发光层的HOMO能级和第一空穴传输层的HOMO能级之间。另外，在第一空穴传输层到第一发光层的方向上，多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。
第二缓冲层的HOMO能级位于第二发光层的HOMO能级和第二空穴传输层的HOMO能级之间。第二发光层与第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值，第二缓冲层与第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值。第三差值和第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
在一些实施例中，发光层还包括位于第三子像素中的第三缓冲层和第三发光层。第三发光层与第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于第一差值的第五差值。第三缓冲层的HOMO能级位于第三发光层的HOMO能级和第三空穴传输层的HOMO能级之间。第三发光层与第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值，第三缓冲层与第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值。第六差值和第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
然后，在步骤610，在发光层远离阳极层的一侧形成阴极。
例如，阴极的材料可以包括半透半反的材料，例如，镁银合金(MgAg)、氧化铟锌(IZO)等。
在一些实施例中，在形成阴极之前，可以利用开口掩模版先依次形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
在一些实施例中，在形成阴极之后，还可以在阴极远离衬底基板的一侧依次形成盖层和封装层。在一些实施例中，在形成盖层之后，还可以先在盖层远离衬底基板的一侧形成LiF层，然后在LiF层远离衬底基板的一侧形成封装层。
需要说明的是，以上显示面板中各层的具体实现方式可以参照上文的描述，在此不再赘述。
上述实施例中，所形成的显示面板的缓冲层包括第一缓冲层和位于第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个，故可以实现减小第一子像素的开启电压和增大第二子像素的开启电压中的至少一个，从而使得第一子像素的开启电压和第二子像素的开启电压更接近。这样的方式下，可以减小第一子像素被点亮时第二子像素同时被点亮的可能性，从而改善显示面板的串扰现象，提高显示面板的显示效果。
表1示出了对比例(下面简称例1)和本公开实施例的一个例子(下面简称例2)的不同子像素的参数。
表1
Figure BDA0003016376390000191
在例1中，蓝色子像素B中的第一缓冲层131、绿色子像素G中的第二缓冲层132和红色子像素R中的第三缓冲层132均为单层结构，并且，第一缓冲层131、第二缓冲层132和第三缓冲层132的HOMO能级分别为5.61eV、5.55eV和5.49eV。其他各层的参数与例2相同。
在例2中，第一子像素01为蓝色子像素B，第二子像素02为绿色子像素G，第三子像素03为红色子像素R。
在蓝色子像素B中，第一空穴传输层121的HOMO能级为5.37eV，第一发光层141的HOMO能级为5.88eV。第一缓冲层131包括两个第一缓冲子层131a。两个第一缓冲子层131a中更靠近衬底基板10的一个的HOMO能级为5.55eV，另一个的HOMO能级为5.72eV，
在绿色子像素G中，第二空穴传输层122的HOMO能级为5.37eV，第二发光层142的HOMO能级为5.48eV，第二缓冲层132的HOMO能级为5.69eV。
在红色子像素R中，第三空穴传输层123的HOMO能级为5.37eV，第三发光层143的HOMO能级为5.23eV，第三缓冲层132的HOMO能级为5.54eV。
图7A是示出例1的电流密度随着电压变化的曲线的示意图。图7B是示出例2的电流密度随着电压变化的曲线的示意图。
从图7A和图7B示出的不同子像素的J(电流密度)-V(电压)曲线也可以看出，在例1中，蓝色子像素B、绿色子像素G和红色子像素R的开启电压相差较大；而在例2中，蓝色子像素B、绿色子像素G和红色子像素R的开启电压相差较小。
从图7A和表1可以看出，在例1中，蓝色子像素B、绿色子像素G和红色子像素R的开启电压分别为：2.9V、2.2V和2.1V。蓝色子像素B的开启电压远大于绿色子像素G和红色子像素R的开启电压。在单独点亮蓝色子像素B时，绿色子像素G和红色子像素R会同时发光，造成串扰，影响显示面板的低灰阶显示画质。
从图7B和表1可以看出，在例2中，蓝色子像素B、绿色子像素G和红色子像素R的开启电压分别为：2.6V、2.6V和2.5V。三者的开启电压趋于平衡。如此，显示面板低灰阶显示一种子像素时更不容易发生伴随发光现象，低灰阶显示画质有大幅度提升。
另外，例2在平衡不同子像素的开启电压的同时，保证了子像素的其他性能。例如，子像素的发光效率有小幅度的提升。
本公开实施例还提供了一种显示装置，显示装置可以包括上述任意一个实施例的显示面板。在一个实施例中，显示装置例如可以是移动终端、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括位于衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素，所述显示面板包括：
阳极层，包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极；
空穴传输层，位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层；
缓冲层，位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个；
发光层，位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层，所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值，所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值；和
阴极，位于所述发光层远离所述阳极层的一侧，其中：
所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层，每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间，并且，在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上，所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大，并且
所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间，所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值，所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值，所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个子像素还包括第三子像素，其中：
所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极；
所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层；
所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层；并且
所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层，所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值，
其中，所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间，所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值，所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值，所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其中，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素和绿色子像素中的一个。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多个第一缓冲子层中的至少一个的厚度范围为2纳米至10纳米。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多个第一缓冲子层中的至少一个的第一迁移率大于或等于10-6cm2/V·s。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一迁移率小于或等于10-2cm2/V·s。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的厚度范围为30纳米至100纳米。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的第二迁移率大于或等于10-4cm2/V·s。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第二迁移率小于或等于10-2cm2/V·s。
10.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多个第一缓冲子层中的每一个的支链含有第一给电子基团，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的每一个的支链含有第二给电子基团和吸电子基团中的一个，所述第二给电子基团的给电子能力大于所述第一给电子基团的给电子能力。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第三差值和所述第四差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
12.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第六差值和所述第七差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层是连续的。
14.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：
空穴注入层，包括位于所述第一子像素中的第一空穴注入层和位于所述第二子像素中的第二空穴注入层。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层是连续的。
16.一种显示装置，包括：如权利要求1-15任意一项所述的显示面板。
17.一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括位于衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素，所述方法包括：
提供背板，所述背板包括位于所述衬底基板上的阳极层，所述阳极层包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极；
在所述阳极层远离所述衬底基板的一侧形成空穴传输层，所述空穴传输层包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层；
在所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧形成缓冲层，所述缓冲层包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个；
在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成发光层，所述发光层包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层，所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值，所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值；和
在所述发光层远离所述阳极层的一侧形成阴极，其中：
所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层，每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间，并且，在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上，所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大，并且
所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间，所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值，所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值，所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述多个子像素包括还包括第三子像素，其中：
所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极；
所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层；
所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层；并且
所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层，所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值，
其中，所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间，所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值，所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值，所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
19.根据权利要求17或18所述的方法，其中，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素和绿色子像素中的一个。
20.根据权利要求18所述的方法，其中：
所述第三差值和所述第四差值中的所述一个小于或等于0.7eV；
所述第六差值和所述第七差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113690377A (zh) * 2021-08-24 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN114512621A (zh) * 2022-02-18 2022-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
WO2022217881A1 (zh) * 2021-04-12 2022-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
WO2024046281A1 (zh) * 2022-08-30 2024-03-07 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制作方法和显示面板
WO2024113221A1 (zh) * 2022-11-30 2024-06-06 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、显示基板和显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115117268A (zh) * 2021-03-19 2022-09-27 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106960862A (zh) * 2017-03-15 2017-07-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及显示装置
CN107644940A (zh) * 2016-07-22 2018-01-30 上海和辉光电有限公司 有机发光元件、显示面板及显示装置
CN109473559A (zh) * 2018-10-19 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN109599413A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 上海和辉光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111816690A (zh) * 2020-08-28 2020-10-23 云谷（固安）科技有限公司 显示器件及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101079471B (zh) * 2006-05-25 2010-06-09 清华大学 一种有机电致发光器件
KR101980758B1 (ko) * 2012-12-14 2019-08-28 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102605375B1 (ko) * 2016-06-29 2023-11-22 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
JP2019009331A (ja) * 2017-06-27 2019-01-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、および、有機ｅｌ素子を用いた有機ｅｌ表示パネル
KR102577044B1 (ko) * 2018-11-21 2023-09-08 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광다이오드 및 양자점 발광표시장치
CN113130805B (zh) * 2021-04-12 2023-06-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107644940A (zh) * 2016-07-22 2018-01-30 上海和辉光电有限公司 有机发光元件、显示面板及显示装置
CN106960862A (zh) * 2017-03-15 2017-07-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及显示装置
CN109599413A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 上海和辉光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109473559A (zh) * 2018-10-19 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN111816690A (zh) * 2020-08-28 2020-10-23 云谷（固安）科技有限公司 显示器件及显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022217881A1 (zh) * 2021-04-12 2022-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN113690377A (zh) * 2021-08-24 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN114512621A (zh) * 2022-02-18 2022-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
WO2024046281A1 (zh) * 2022-08-30 2024-03-07 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制作方法和显示面板
WO2024113221A1 (zh) * 2022-11-30 2024-06-06 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、显示基板和显示装置

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