CN114512621A - 一种发光器件、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光器件、显示面板和显示装置，以改善现有技术中发光器件的效率越高，电压也越高的问题。所述发光器件，包括位于衬底基板一侧相对设置的阳极和阴极，位于所述阳极与所述阴极之间的发光层，以及位于所述阳极与所述发光层之间的至少一个功能层；其中，至少一所述功能层包括多个子功能层，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的HOMO能级绝对值逐渐增大。

Description

一种发光器件、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示面板和显示装置。

背景技术

近年来，由于有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)具有高效率、高亮度、低驱动电压、响应速度快以及能实现大面积光电显示等优点，在平板显示和高效照明领域具有极大的应用前景而引起广泛关注。

随着有机发光显示产品的发展，目前对显示产品的功耗要求越来越高，进而对红、绿、蓝三色器件的效率要求越来越高，电压要求越来越低，但是目前器件的电压下降，会导致器件效率下降，所以效率越高，对应的器件电压也会越来越高。

发明内容

本发明提供一种发光器件、显示面板和显示装置，以改善现有技术中发光器件的效率越高，电压也越高的问题。

本发明实施例提供一种发光器件，包括位于衬底基板一侧相对设置的阳极和阴极，位于所述阳极与所述阴极之间的发光层，以及位于所述阳极与所述发光层之间的至少一个功能层；其中，至少一所述功能层包括多个子功能层，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的HOMO能级绝对值逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，所述至少一个功能层包括电子阻挡层，所述电子阻挡层包括多个子电子阻挡层，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子电子阻挡层的HOMO能级绝对值逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，所述至少一个功能层包括空穴传输层，所述空穴传输层包括多个子空穴传输层，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子空穴传输层的HOMO能级绝对值逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的吸电子基团数量依次增大；

和/或，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的给电子基团数量依次降低；

和/或，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的共轭链长度依次降低。

在一种可能的实施方式中，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的空穴迁移率依次降低。

在一种可能的实施方式中，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的膜层厚度依次降低。

在一种可能的实施方式中，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的HOMO能级绝对值在5.2eV～5.6eV范围内依次增大；

在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的空穴迁移率在1*10^{- 3}cm²/Vs～1*10^-7cm²/Vs依次降低。

在一种可能的实施方式中，与所述发光层相邻的所述功能层的HOMO能级绝对值，与所述发光层的HOMO能级绝对值的差值大于等于0且小于等于0.1eV。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括多个发光器件，其中，至少一个所述发光器件为如本发明实施例提供的所述发光器件。

在一种可能的实施方式中，所述发光器件包括红色发光器件和/或绿色发光器件。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述显示面板。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，将阳极与发光层之间的一功能层设置为具有多个子功能层的结构，并使各子功能层的HOMO能级绝对值在由阳极指向发光层的方向逐渐增大，进而靠近阳极的子功能层HOMO能级，与位于该子功能层与阳极之间、且与该子功能层相邻的膜层的HOMO能级接近，空穴较易传输，可以使得发光器件电压降低；而远离阳极的子功能层具有深的HOMO能级，与发光层的HOMO能级接近，可以使更多的空穴注入到发光层中，可以使得发光器件具有较高的效率，实现使发光器件具有较高效率的同时，具有较低的电压，进而改善现有技术的发光器件，为了实现高效率，将功能层(例如，电子阻挡层)的HOMO做的很深，以使得更多的空穴注入到发光层中，但这样会导致该功能层(例如，电子阻挡层)的HOMO能级，与位于该功能层与阳极之间、且与该功能层相邻的膜层(例如，空穴传输层)的HOMO能级间隙(Gap)变的很大，导致器件电压变的很高的问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之一；

图2为本发明实施例提供的发光器件的能级结构示意图之一；

图3为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之二；

图4为本发明实施例提供的发光器件的能级结构示意图之二；

图5为三种器件结构的能级示意图；

图6为三种器件结构的性能参数示意图；

图7为三种器件结构的电压对比示意图；

图8为三种器件结构的效率对比示意图；

图9为三种器件结构的寿命对比示意图；

图10为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的能级对比示意图；

图11为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的J-V对比示意图；

图12为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的C-V对比示意图；

图13为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的性能对比示意图；

图14为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的电压对比示意图；

图15为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的效率对比示意图；

图16为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的寿命对比示意图；

图17为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之三；

图18为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之四。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

目前绿光器件的电压下降，会导致器件效率下降，所以效率越高对应的器件电压也会越来越高，原因是为了实现绿光高效率，我们器件中的电子阻挡层(EBL)的HOMO需要做的很深，这样才能使得更多的空穴注入到绿色发光层中，这样会导致空穴传输层(HTL)的HOMO与电子阻挡层(EBL)的HOMO Gap变的很大，导致绿光发光器件电压变的很高。

目前我们的红、绿、蓝发光器件结构中，红光发光器件起亮电压(Turn onVoltage)最低，大概在2.0～2.2V之间，低灰阶下很容易发生像素间的串扰现象(Crosstalk，即，在点亮其它出光颜色的发光器件过程中，红光发光器件也很容易被点亮)，而且，器件效率越高，低灰阶串扰越明显。目前对手机的功耗要求越来越高，进而对红、绿、蓝发光器件的效率要求越来越高，电压要求越来越低，但是目前红光器件的效率上升，会导致器件电压上升，原因是为了实现红光高效率以及高的启亮电压(turn on voltage)，我们器件中的电子阻挡层(EBL)的HOMO需要做的很深，这样才能使得更多的空穴注入到红色发光层中，这样会导致空穴传输层(HTL)的HOMO与电子阻挡层(EBL)的HOMO Gap变的很大，启亮电压升高，但导致器件电压也会变的很高，同时在HTL与EBL之间堆积过多的空穴，使得器件寿命下降。

有鉴于此，参见图1-图4所示，本发明实施例提供一种发光器件，包括位于衬底基板1一侧相对设置的阳极21和阴极22，位于阳极21与阴极22之间的发光层3，以及位于阳极21与发光层3之间的至少一个功能层4；其中，至少一功能层4包括多个子功能层40，在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层40的HOMO能级绝对值逐渐增大。

本发明实施例中，将阳极21与发光层3之间的一功能层4设置为具有多个子功能层40的结构，并使各子功能层40的HOMO能级绝对值在由阳极21指向发光层3的方向逐渐增大，进而靠近阳极21的子功能层40(如图1中的第一子电子阻挡层431)HOMO能级，与位于该子功能层40(如图1中的第一子电子阻挡层431)与阳极21之间、且与该子功能层40(如图1中的第一子电子阻挡层431)相邻的膜层(例如，如图1中的空穴传输层42)的HOMO能级接近，空穴较易传输，可以使得发光器件电压降低；而远离阳极21的子功能层40(如图1中的第二子电子阻挡层432)具有深的HOMO能级，与发光层3的HOMO能级接近，可以使更多的空穴注入到发光层3中，可以使得发光器件具有较高的效率，实现使发光器件具有较高效率的同时，具有较低的电压，进而改善现有技术的发光器件，为了实现高效率，将功能层(例如，电子阻挡层)的HOMO做的很深，以使得更多的空穴注入到发光层中，但这样会导致该功能层(例如，电子阻挡层)的HOMO能级，与位于该功能层与阳极21之间、且与该功能层相邻的膜层(例如，空穴传输层)的HOMO能级间隙(Gap)变的很大，导致器件电压变的很高的问题。

在具体实施时，结合图1或图3所示，发光器件为正置结构，具体可以包括依次位于衬底基板1一侧的阳极21、空穴注入层41、空穴传输层42、电子阻挡层43、发光层3、空穴阻挡层53、电子传输层52、电子注入层51、阴极22；当然，在具体实施时，发光器件也可以为倒置结构，具体可以包括依次位于衬底基板1依次的阴极、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层、阳极。

具体的，发光器件可以为正置型顶发射发光器件，结合图1或图3所示，发光器件在衬底基板1与阳极21之间还可以设置有金属反射层7。具体的，发光器件还可以包括位于阴极22远离发光层3一侧的光取出层6。具体的，发光器件也可以为倒置型发光器件，本发明不以此为限。

需要说明的是，图1与图3中是以功能层4包括有两个子功能层40为例进行的示意图说明，在具体实施时，功能层4也可以包括三个子功能层40、四个子功能层40、五个子功能层40或更多个子功能层40，本发明不以此为限。但考虑到在具有较低电压的同时，兼顾有较简易的制作工艺，在一种可能的实施方式中，功能层4可以仅设置有两个子功能层40。

在一种可能的实施方式中，结合图1和图2所示，至少一个功能层4包括电子阻挡层43，电子阻挡层43包括多个子电子阻挡层，在由阳极21指向发光层3的方向，各子电子阻挡层的HOMO能级绝对值逐渐增大。具体的，例如，电子阻挡层43在远离阳极21的一侧包括第一子电子阻挡层431，第二子电子阻挡层432，在由阳极21指向发光层3的方向，第一子电子阻挡层431的HOMO能级绝对值E431，小于第二子电子阻挡层432的HOMO能级绝对值E432。

本发明实施例中，将电子阻挡层43设置为具有多个子电子阻挡层的结构，并使各子电子阻挡层的HOMO能级绝对值在由阳极21指向发光层3的方向逐渐增大，进而可以使第一子电子阻挡层431的HOMO能级，与空穴传输层42的HOMO能级接近，空穴较易传输，可以使得发光器件电压降低；而第二子电子阻挡层432具有深的HOMO能级，与发光层3的HOMO能级接近，可以使更多的空穴注入到发光层3中，可以使得发光器件具有较高的效率，实现使发光器件具有较高效率的同时，具有较低的电压。

在一种可能的实施方式中，结合图3和图4所示，至少一个功能层4包括空穴传输层42，空穴传输层42包括多个子空穴传输层，在由阳极21指向发光层3的方向，各子空穴传输层的HOMO能级绝对值逐渐增大。具体的，例如，空穴传输层42在远离阳极21的一侧包括第一子空穴传输层421，第二子空穴传输层422，在由阳极21指向发光层3的方向，第一子空穴传输层421的HOMO能级绝对值E431，小于第二子空穴传输层422的HOMO能级绝对值E432。

本发明实施例中，将阳极21与发光层3之间的空穴传输层42设置为具有多个子空穴传输层的结构，并使各子空穴传输层的HOMO能级绝对值在由阳极21指向发光层3的方向逐渐增大，进而可以使第一子空穴传输层421的HOMO能级，与空穴注入层41的HOMO能级接近，空穴较易传输，可以使得发光器件电压降低；而第二子空穴传输层422具有深的HOMO能级，与发光层3的HOMO能级接近，可以使更多的空穴注入到发光层3中，可以使得发光器件具有较高的效率，实现使发光器件具有较高效率的同时，具有较低的电压。

在一种可能的实施方式中，在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层40的吸电子基团数量依次增大；和/或，在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层40的给电子基团数量依次降低；和/或，在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层40的共轭链长度依次降低。具体的，例如，在由阳极21指向发光层3的方向，可以仅是使各子功能层40的吸电子基团数量依次增大来实现使各子功能层40的HOMO能级绝对值逐渐增大；或者，也可以仅是使各子功能层40的给电子基团数量依次降低来实现使各子功能层40的HOMO能级绝对值逐渐增大；或者，也可以仅是使各子功能层40的共轭链长度依次降低来实现使各子功能层40的HOMO能级绝对值逐渐增大；或者，也可以是使各子功能层40的吸电子基团数量依次增大，同时使各子功能层40的给电子基团数量依次降低，并同时使各子功能层40的共轭链长度依次降低，来实现使各子功能层40的HOMO能级绝对值逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层40的空穴迁移率依次降低。本公开实施例中，在使各子功能层40的HOMO能级绝对值逐渐增大的基础上，搭配使各子功能层40的空穴迁移率依次降低，可以进一步使发光器件在具有较高效率的同时，具有较低的电压。

在一种可能的实施方式中，在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层的膜层厚度依次降低。本公开实施例中，在使各子功能层40的HOMO能级绝对值逐渐增大的基础上，搭配使各子功能层40的空穴迁移率依次降低，并进一步搭配使各子功能层40的膜层厚度依次降低，可以进一步使发光器件在具有较高效率的同时，具有较低的电压。

在具体实施时，以将电子阻挡层设置为电子阻挡层43具有多个子电子阻挡层的结构为例，电子阻挡层43(EBL)材料可以为三苯胺类衍生物，如环磷酰胺(melphalan,cyclophosphamide,BCNU,prednisone，mCBP

)、3,6-双(N-苯基咔唑-3-基)-N-苯基咔唑(9,9’-Diphenyl-6-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9H,9’H-3，3’-bicarbazole，Tris-PCz，

)，或甲基环戊烯醇酮(Methyl Cyclopentenolone，mCP，

)等，在三苯胺的核心结构上可以根据需求调整其能级和迁移率，可以通过引入吸电子基团和减少给电子基团来降低材料的HOMO和LUMO能级，相反可以来增加相应的能级；另外，还可以延长共轭链来增加HOMO和降低LUMO能级。通过改变分子的空间位阻来调整电子阻挡层43(EBL)的材料迁移率，分子平面性越好，空间位阻越小，载流子跳跃距离越短，迁移率越高；另外，引入并延长π共轭长度，可以减小载流子跳跃距离，从而增大迁移率。

具体的，发光层3的主体材料可以为CBP与DCM2混合材料，掺杂材料为Dpvbi，空穴传输层42的材料可以为NPB、TPD、BPD等。

在一种可能的实施方式中，在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层40的HOMO能级绝对值在5.2eV～5.6eV范围内依次增大；在由阳极21指向发光层3的方向，各子功能层40的空穴迁移率在1*10-3cm2/Vs～1*10-7cm2/Vs依次降低。

在一种可能的实施方式中，与发光层3相邻的功能层4的HOMO能级绝对值，与发光层3的HOMO能级绝对值的差值大于等于0且小于等于0.1eV。如此，可以使空穴较易地注入到发光层3中，以具有较高的发光效率。

为了更清楚地理解本发明实施例提供的发光器件，以下进行进一步详细举例说明：

例如，以绿光发光器件为例，依次在衬底基板1上蒸镀空穴注入层41(HIL)→空穴传输层42(HTL)→绿光电子阻挡层431(EBL1)→绿光电子阻挡层432(EBL2)→绿色发光层3(EML)→空穴阻挡层53(HBL)→电子传输层52(ETL)→电子注入层51(EIL)→阴极22(CTD)→覆盖层6(CPL)；

本发明实施例中，将单层的电子阻挡层43改成两层子电子阻挡层(EBL1和EBL2)，其中，第一子电子传输层431(EBL1)的HOMO能级在5.4eV～5.6eV，空穴迁移率在1*10^-4cm²/Vs～1*10^-6cm²/Vs；第二子电子传输层432(EBL2)的HOMO能级在5.6eV～5.8eV，空穴迁移率在1*10^-6cm²/Vs～1*10^-7cm²/Vs。第一子电子传输层431的厚度在30nm～40nm，第二子电子传输层432(EBL2)的厚度在5nm～10nm。第一子电子传输层431(EBL1)具有高的空穴迁移率且HOMO能级与HTL接近，可以使得器件电压降低，第二子电子传输层432(EBL2)具有深的HOMO能级，可以使得器件效率高，且本发明实施例的绿光发光层体系为预混(Premix)体系，即绿光发光主体材料为P型材料和N型材料混合而成的；

结合图1、图5、图6、图7、图8和图9所示，其中，图5为三种器件结构的能级示意图，图6为三种器件结构的性能参数示意图，图7为三种器件结构的电压对比示意图，图8为三种器件结构的效率对比示意图，图9为三种器件结构的寿命对比示意图，常规的绿光器件为Device1和Device2两种能级匹配方式，Device1的电子阻挡层EBL1能级比较浅，且空穴迁移率很高，导致器件电压低，效率也低，Device2的电子阻挡层EBL2能级较深，且迁移率较慢，可以导致空穴较多的注入到发光层，导致器件电压高、效率较高，另外由于空穴迁移率较慢，会使得器件的寿命变好；本发明实施例采用两层子电子阻挡层EBL的Device3结构，其中，第一子电子传输层431(EBL1)的HOMO能级在5.4eV～5.6eV，空穴迁移率在1*10^-4cm²/Vs～1*10^-6cm²/Vs；第二子电子传输层432(EBL2)的HOMO能级在5.6eV～5.8eV，空穴迁移率在1*10^-6cm²/Vs～1*10^-7cm²/Vs。第一子电子传输层431(EBL1)的厚度在30～40nm，第二子电子传输层432(EBL2)的厚度在5～10nm。第一子电子传输层431(EBL1)具有高的空穴迁移率且HOMO能级与空穴传输层42(HTL)接近，可以使得器件电压降低，第二子电子传输层432(EBL2)具有深的HOMO能级，可以使得器件效率高。

又例如，以绿光发光器件为例，依次在衬底基板上蒸镀空穴注入层41(HIL)→空穴传输层42(HTL)→红光第一子电子阻挡层431(EBL1)→红光第二子电子阻挡层432(EBL2)→红色发光层3(EML)→空穴阻挡层53(HBL)→电子传输层52(ETL)→电子注入层51(EIL)→阴极22(CTD)→覆盖层6(CPL)；

结合图1、图10-图16所示，其中，图10为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的能级对比示意图，图11为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的J-V对比示意图，图12为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的C-V对比示意图，图13为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的性能对比示意图，图14为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的电压对比示意图，图15为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的效率对比示意图，图16为单层红光电子阻挡层器件和双层红光电子阻挡层器件的寿命对比示意图，本发明实施例中，将单层的红光电子阻挡层改成两层电子阻挡层(EBL1和EBL2)，其中，红光第一子电子阻挡层431(EBL1)的HOMO能级在5.4eV～5.6eV，空穴迁移率在1*10^-3cm²/Vs～1*10^-5cm²/Vs；红光第二子电子阻挡层432的HOMO能级在5.6eV～5.7eV，空穴迁移率在1*10^-5cm²/Vs～1*10^-7cm²/Vs；红光第一子电子阻挡层431(EBL1)的厚度在65～85nm，红光第二子电子阻挡层432的厚度在5～10nm，如图10所示。红光第一子电子阻挡层431(EBL1)具有高的空穴迁移率且HOMO能级与HTL接近，可以使得器件电压降低，红光第二子电子阻挡层432具有深的HOMO能级，可以使得器件效率高，同时器件的启亮电压也较高，如图11的J-V曲线和图13所示。使用双层的EBL之后，使得空穴传输层42(HTL)与电子阻挡层(EBL)之间或者电子阻挡层(EBL)与发光层3(EML)之间堆积的空穴减少，使得器件寿命升高，如图12的CV和图16的寿命曲线所示。

又例如，以绿光发光器件为例，参见图17所示，在衬底基板1上蒸镀空穴注入层41(HIL)→空穴传输层42(HTL)→绿光第一子电子阻挡层431(EBL1)→……→绿光第n子电子阻挡层(EBLn)→绿色发光层3(EML)→空穴阻挡层53(HBL)→电子传输层52(ETL)→电子注入层51(EIL)→阴极22(CTD)→覆盖层6(CPL)；

本发明实施例中，将单层的电子阻挡层改成n层电子阻挡层(EBL1·……EBLn)，其中，EBL1的HOMO能级在5.4eV～5.6eV，空穴迁移率在1*10^-4cm²/Vs～1*10^-6cm²/Vs；EBLn的HOMO能级在5.6eV～5.8eV，空穴迁移率在1*10^-6cm²/Vs～1*10^-7cm²/Vs。EBL1到EBLn的HOMO能级依次降低，空穴迁移率依次降低。EBL的HOMO能级介于HTL的HOMO能级和EMLHOMO能级之间，呈现依次降低的趋势(5.4eV→5.8eV)，可以有效的降低器件电压，EBLn的HOMO值与EML的HOMO能级接近，可以有效的将空穴注入EML中，使得器件具有高效率特性。

又例如，以红光发光器件为例，结合图17所示，依次在衬底基板1上蒸镀空穴注入层41(HIL)→空穴传输层42(HTL)→红光第一子电子阻挡层431(EBL1)→……→红光第n子电子阻挡层(EBLn)→红色发光层3(EML)→空穴阻挡层53(HBL)→电子传输层52(ETL)→电子注入层51(EIL)→阴极22(CTD)→覆盖层6(CPL)；

本发明实施例中，将单层的红光电子阻挡层改成n层红光子电子阻挡层(EBL1……EBLn)，对于各红光子电子阻挡层，HOMO能级的变化为：HTL＜EBL1＜***＜EBLn，迁移率：HTL≈EBL1＞***＞EBLn，其中，EBL1的HOMO能级在5.4eV～5.6eV，空穴迁移率在1*10^-3cm²/Vs～1*10^-5cm²/Vs；EBLn的HOMO能级在5.6eV～5.7eV，空穴迁移率在1*10^-5cm²/Vs～1*10^-7cm²/Vs。EBL1到EBLn的HOMO能级依次降低，空穴迁移率依次降低。EBL的HOMO介于HTL和EML之间，呈现依次降低的趋势(5.4eV→5.7eV)，可以有效的降低器件电压，EBLn的HOMO值与EML接近，可以有效的将空穴注入EML中，使得器件具有高效率特性。

又例如，参见图18所示，依次在衬底基板1上蒸镀空穴注入层41(HIL)→第一子空穴传输层421(HTL1)→……→第n子空穴传输层n(HTLn)→电子阻挡层43(EBL)→发光层3(EML)→空穴阻挡层53(HBL)→电子传输层52(ETL)→电子注入层51(EIL)→阴极22(CTD)→覆盖层6(CPL)，本发明实施例中，器件可以是R、G、B中的任何一种，但不仅限于一种；HTL可以做成R、G、B共通层，此时HTL为同一种材料；HTL也可以采用精细掩膜板(FMM Mask)做出RGB独立的HTL，此时HTL为RGB相对应的材料；

本发明实施例中，将传统的空穴传输层42(HTL)分为n层(n≥2)，各子空穴传输层(HTL)的HOMO能级从5.2～5.6eV依次变深，其空穴迁移率在1*10^-3cm²/Vs～1*10^-5cm²/Vs依次变慢，电子阻挡层43(EBL)的HOMO能级在5.6～5.8eV，更加靠近发光层的HOMO能级，这样可以使得器件效率更高，电压更低。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板，包括多个发光器件，其中，至少一个发光器件为如本发明实施例提供的发光器件。

在一种可能的实施方式中，发光器件包括红色发光器件和/或绿色发光器件。本发明实施例中，由于蓝光发光器件的电子阻挡层和/或空穴传输层通常较薄，工艺上较难形成多个子层，因此，本发明实施例中，优选将绿光发光器件和/或红光发光器件的电子阻挡层和/或空穴传输层制作为多个子层的结构。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的显示面板。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，将阳极21与发光层3之间的一功能层4设置为具有多个子功能层40的结构，并使各子功能层40的HOMO能级绝对值在由阳极21指向发光层3的方向逐渐增大，进而靠近阳极21的子功能层40(如图1中的第一子电子阻挡层431)HOMO能级，与位于该子功能层40(如图1中的第一子电子阻挡层431)与阳极21之间、且与该子功能层40(如图1中的第一子电子阻挡层431)相邻的膜层(例如，如图1中的空穴传输层42)的HOMO能级接近，空穴较易传输，可以使得发光器件电压降低；而远离阳极21的子功能层40(如图1中的第二子电子阻挡层432)具有深的HOMO能级，与发光层3的HOMO能级接近，可以使更多的空穴注入到发光层3中，可以使得发光器件具有较高的效率，实现使发光器件具有较高效率的同时，具有较低的电压，进而改善现有技术的发光器件，为了实现高效率，将功能层(例如，电子阻挡层)的HOMO做的很深，以使得更多的空穴注入到发光层中，但这样会导致该功能层(例如，电子阻挡层)的HOMO能级，与位于该功能层与阳极21之间、且与该功能层相邻的膜层(例如，空穴传输层)的HOMO能级间隙(Gap)变的很大，导致器件电压变的很高的问题。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种发光器件，其特征在于，包括位于衬底基板一侧相对设置的阳极和阴极，位于所述阳极与所述阴极之间的发光层，以及位于所述阳极与所述发光层之间的至少一个功能层；其中，至少一所述功能层包括多个子功能层，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的HOMO能级绝对值逐渐增大。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述至少一个功能层包括电子阻挡层，所述电子阻挡层包括多个子电子阻挡层，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子电子阻挡层的HOMO能级绝对值逐渐增大。

3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述至少一个功能层包括空穴传输层，所述空穴传输层包括多个子空穴传输层，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子空穴传输层的HOMO能级绝对值逐渐增大。

4.如权利要求1-3任一项所述的发光器件，其特征在于，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的吸电子基团数量依次增大；

和/或，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的给电子基团数量依次降低；

和/或，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的共轭链长度依次降低。

5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的空穴迁移率依次降低。

6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的膜层厚度依次降低。

7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的HOMO能级绝对值在5.2eV～5.6eV范围内依次增大；

在由所述阳极指向所述发光层的方向，各所述子功能层的空穴迁移率在1*10^-3cm²/Vs～1*10^-7cm²/Vs依次降低。

8.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，与所述发光层相邻的所述功能层的HOMO能级绝对值，与所述发光层的HOMO能级绝对值的差值大于等于0且小于等于0.1eV。

9.一种显示面板，其特征在于，包括多个发光器件，其中，至少一个所述发光器件为如权利要求1-8任一项所述的发光器件。

10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括红色发光器件和/或绿色发光器件。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的显示面板。

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