CN113126456A - 一种光罩曝光显影工艺 - Google Patents

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张衡
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Abstract

本发明公开了一种光罩曝光显影工艺，包括以下步骤：A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥，本发明采用的工艺操作简单，能够实现对光罩的均匀曝光和均匀显影，提高了光罩加工质量。

Description

一种光罩曝光显影工艺
技术领域
本发明涉及光罩加工技术领域，具体为一种光罩曝光显影工艺。
背景技术
光罩(英文:Reticle, Mask):在制作IC的过程中，利用光蚀刻技术，在半导体上形成图型，为将图型复制於晶圆上，必须透过光罩作用的原理，类似于冲洗照片时，利用底片将影像复制至相片上。
光罩在制作过程中需要曝光，曝光之后进行显影，而现有的曝光工艺曝光均匀性差，显影均匀性差，影响光罩加工质量，因此，有必要进行改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光罩曝光显影工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种光罩曝光显影工艺,包括以下步骤：
A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；
B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；
C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；
D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；
E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥。
优选的，所述步骤C中还包括光束结合器，所述曝光系统的光源通过光束结合器结合射出后在经过聚光透镜进一步聚光后射出至光罩。
优选的，所述步骤D中显影液组分按重量份数包括碳酸钠4-10份、碳酸钾4-10份、丙酮3-12份、酚醛甲醛树脂14-24份、硼酸2-5份、偏硼酸钾1-3份。
优选的，所述步骤D中光罩载显影过程中不断振荡显影液，同时控制显影液温度为35-40℃。
优选的，所述步骤E中冲洗时先采用喷淋的方式冲洗光罩表面，冲洗干净后再将光罩放入流动的去离子水槽内冲洗，冲洗时间为50min-60min。
优选的，所述步骤E中采用低温干燥，干燥温度为60-70℃，时间为6min-10min。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用的工艺操作简单，能够实现对光罩的均匀曝光和均匀显影，提高了光罩加工质量；其中，采用的显影液能在光罩表面形成一层均匀的液膜，在显影过程中能有效保证光罩各处的光刻胶均能和显影液充分均匀反应，显影均匀性更好。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
本发明提供如下技术方案：一种光罩曝光显影工艺,包括以下步骤：
A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；
B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；
C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；
D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；
E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥。
本实施例中，步骤C中还包括光束结合器，所述曝光系统的光源通过光束结合器结合射出后在经过聚光透镜进一步聚光后射出至光罩。
本实施例中，步骤D中显影液组分按重量份数包括碳酸钠4份、碳酸钾4份、丙酮3份、酚醛甲醛树脂14份、硼酸2份、偏硼酸钾1份。
本实施例中，步骤D中光罩载显影过程中不断振荡显影液，同时控制显影液温度为35℃。
本实施例中，步骤E中冲洗时先采用喷淋的方式冲洗光罩表面，冲洗干净后再将光罩放入流动的去离子水槽内冲洗，冲洗时间为50min。
本实施例中，步骤E中采用低温干燥，干燥温度为60℃，时间为6min。
实施例二：
一种光罩曝光显影工艺,包括以下步骤：
A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；
B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；
C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；
D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；
E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥。
本实施例中，步骤C中还包括光束结合器，所述曝光系统的光源通过光束结合器结合射出后在经过聚光透镜进一步聚光后射出至光罩。
本实施例中，步骤D中显影液组分按重量份数包括碳酸钠10份、碳酸钾10份、丙酮12份、酚醛甲醛树脂24份、硼酸5份、偏硼酸钾3份。
本实施例中，步骤D中光罩载显影过程中不断振荡显影液，同时控制显影液温度为40℃。
本实施例中，步骤E中冲洗时先采用喷淋的方式冲洗光罩表面，冲洗干净后再将光罩放入流动的去离子水槽内冲洗，冲洗时间为60min。
本实施例中，步骤E中采用低温干燥，干燥温度为70℃，时间为10min。
实施例三：
一种光罩曝光显影工艺,包括以下步骤：
A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；
B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；
C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；
D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；
E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥。
本实施例中，步骤C中还包括光束结合器，所述曝光系统的光源通过光束结合器结合射出后在经过聚光透镜进一步聚光后射出至光罩。
本实施例中，步骤D中显影液组分按重量份数包括碳酸钠5份、碳酸钾5份、丙酮5份、酚醛甲醛树脂15份、硼酸3份、偏硼酸钾2份。
本实施例中，步骤D中光罩载显影过程中不断振荡显影液，同时控制显影液温度为36℃。
本实施例中，步骤E中冲洗时先采用喷淋的方式冲洗光罩表面，冲洗干净后再将光罩放入流动的去离子水槽内冲洗，冲洗时间为52min。
本实施例中，步骤E中采用低温干燥，干燥温度为62℃，时间为10min。
实施例四：
一种光罩曝光显影工艺,包括以下步骤：
A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；
B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；
C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；
D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；
E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥。
本实施例中，步骤C中还包括光束结合器，所述曝光系统的光源通过光束结合器结合射出后在经过聚光透镜进一步聚光后射出至光罩。
本实施例中，步骤D中显影液组分按重量份数包括碳酸钠9份、碳酸钾8份、丙酮10份、酚醛甲醛树脂22份、硼酸4份、偏硼酸钾2份。
本实施例中，步骤D中光罩载显影过程中不断振荡显影液，同时控制显影液温度为39℃。
本实施例中，步骤E中冲洗时先采用喷淋的方式冲洗光罩表面，冲洗干净后再将光罩放入流动的去离子水槽内冲洗，冲洗时间为58min。
本实施例中，步骤E中采用低温干燥，干燥温度为68℃，时间为9min。
实施例五：
一种光罩曝光显影工艺,包括以下步骤：
A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；
B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；
C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；
D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；
E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥。
本实施例中，步骤C中还包括光束结合器，所述曝光系统的光源通过光束结合器结合射出后在经过聚光透镜进一步聚光后射出至光罩。
本实施例中，步骤D中显影液组分按重量份数包括碳酸钠7份、碳酸钾7份、丙酮8份、酚醛甲醛树脂20份、硼酸6份、偏硼酸钾2份。
本实施例中，步骤D中光罩载显影过程中不断振荡显影液，同时控制显影液温度为38℃。
本实施例中，步骤E中冲洗时先采用喷淋的方式冲洗光罩表面，冲洗干净后再将光罩放入流动的去离子水槽内冲洗，冲洗时间为55min。
本实施例中，步骤E中采用低温干燥，干燥温度为65℃，时间为8min。
本发明采用的工艺操作简单，能够实现对光罩的均匀曝光和均匀显影，提高了光罩加工质量；其中，采用的显影液能在光罩表面形成一层均匀的液膜，在显影过程中能有效保证光罩各处的光刻胶均能和显影液充分均匀反应，显影均匀性更好。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种光罩曝光显影工艺,其特征在于：包括以下步骤：
A、首先将光罩置于光罩载台上，并通过负压将光罩吸附固定于光罩载台上；
B、将光罩载台通过多个气缸顶紧；
C、将曝光系统的光源通过聚光透镜照射至光罩上且光源完全遮盖光罩，对光罩进行曝光；
D、将曝光后光罩放置于显影液中进行显影；
E、将显影后的光罩倾斜放置于光罩放置架上，并冲洗光罩，最后进行干燥。
2.根据权利要求1所述的一种光罩曝光显影工艺,其特征在于：所述步骤C中还包括光束结合器，所述曝光系统的光源通过光束结合器结合射出后在经过聚光透镜进一步聚光后射出至光罩。
3.根据权利要求1所述的一种光罩曝光显影工艺,其特征在于：所述步骤D中显影液组分按重量份数包括碳酸钠4-10份、碳酸钾4-10份、丙酮3-12份、酚醛甲醛树脂14-24份、硼酸2-5份、偏硼酸钾1-3份。
4.根据权利要求1所述的一种光罩曝光显影工艺,其特征在于：所述步骤D中光罩载显影过程中不断振荡显影液，同时控制显影液温度为35-40℃。
5.根据权利要求1所述的一种光罩曝光显影工艺,其特征在于：所述步骤E中冲洗时先采用喷淋的方式冲洗光罩表面，冲洗干净后再将光罩放入流动的去离子水槽内冲洗，冲洗时间为50min-60min。
6.根据权利要求1所述的一种光罩曝光显影工艺,其特征在于：所述步骤E中采用低温干燥，干燥温度为60-70℃，时间为6min-10min。
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