CN113122223A - 纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二极管 - Google Patents

纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、发光层和发光二极管。本发明提供的纳米复合材料包括：量子点以及以配位键连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X‑R‑(CF3)n；其中，R选自烷基，n为正整数。与量子点连接的表面配体含有三氟甲基，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加量子点表面的电子云密度，从而提升电荷迁移率，从而解决了现有量子点的电荷迁移率较低的问题。

Description

纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二 极管
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二极管。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是一种电致发光器件，由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点而成为新一代优秀显示技术。
由于尺寸小、比表面积大，且表面缺陷、悬挂键较多等原因，在量子点的合成和应用时需要在量子点的表面添加配体来提高材料的应用性能。目前，在合成油性量子点时，往往在其表面修饰有长链的表面配体如油酸、油胺等，虽然这些配体可以提高量子点在非极性溶剂中的分散性，但是，这类量子点的电荷迁移率较低，有待进一步改善。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种纳米复合材料，旨在解决现有量子点的电荷迁移率较低的问题。
本发明的另一目的在于提供上述纳米复合材料的制备方法。
本发明的又一目的在于提供一种溶液组合物。
本发明的再一目的在于提供一种发光层和发光二极管。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
一种纳米复合材料，包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
本发明提供的纳米复合材料，包括量子点以及与量子点连接的表面配体，其表面配体为X-R-(CF3)n，含有三氟甲基，一方面，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加量子点表面的电子云密度，从而提升电荷迁移率；另一方面，三氟甲基可增加量子点在溶液中的空间位阻，提高量子点在非极性溶剂中的溶解性，从而提高量子的成膜性能；又一方面，三氟甲基可以与量子点表面的悬挂键结合，减少非辐射跃迁损失，提高量子点的发光效率。
相应的，一种纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：
提供量子点和表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n，R选自烷基，n为正整数；
在惰性气体气氛下，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中，使得所述表面配体连接所述量子点，制备所述纳米复合材料。
本发明提供的纳米复合材料的制备方法，通过将量子点和表面配体在惰性气体气氛下分散在非配位溶剂中，在分散过程中可同步实现表面配体与量子点间连接，无需严格的反应条件或采用特殊的化学试剂，方法简单，操作简便，易于控制，适用于纳米复合材料的规模化量产。
相应的，一种溶液组合物，包括：溶剂和分散在所述溶剂中的量子点，所述量子点的表面连接有表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
本发明提供的溶液组合物，包括：表面连接有表面配体的量子点，表面配体为X-R-(CF3)n，含有三氟甲基，具有良好的分散性能和成膜性能，由其制得的发光层具有较高的电荷迁移率，促进了截流子在传输膜层中的传输，并使得发光层具有较高的发光效率，可应用于制备发光性能优异的发光器件。
相应的，一种发光层，所述发光层的材料包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
本发明提供的发光层，其材料包括：量子点以及与量子点连接的表面配体，其表面配体为X-R-(CF3)n，具有良好的分散性能、成膜性能以及较高的电荷迁移率，促进了截流子在传输膜层中的传输，并使得所述发光层具有较高的发光效率，可应用于制备发光性能优异的发光器件。
相应的，一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层，所述发光层的材料包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
本发明提供的发光二极管，其发光层的材料包括：量子点以及与量子点连接的表面配体，其表面配体为X-R-(CF3)n，具有良好的发光性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种纳米复合材料的制备方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的一种发光二极管的剖面图。
附图标记：阳极L01，空穴注入层L02，空穴传输层L03，量子点发光层L04，电子传输层L05和阴极L06。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种纳米复合材料，包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
具体地，所述表面配体为X-R-(CF3)n，其通过X与量子点连接。
作为一种实施方式，所述表面配体通过配位键连接所述量子点的表面，从而有效钝化量子点表面的悬挂键，减少非辐射跃迁损失，从而提高量子点的发光效率。
X选为可以与量子点表面形成配位键的基团，作为一种实施方式，所述X选自巯基、羧基、胺基或含膦基团，这类配位基团在有效钝化量子点表面的悬挂键的同时，可与量子点牢固地结合，不容易受外界环境影响而发生配体脱落，稳定性高，服役寿命长，且具有良好的发光性能。
不同于现有表面配体，本发明实施例纳米复合材料中的表面配体含有三氟甲基，一方面，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加量子点表面的电子云密度，从而提升电荷迁移率；另一方面，三氟甲基可增加量子点在溶液中的空间位阻，提高在非极性溶剂中的溶解性，利于提高量子的成膜性能；又一方面，三氟甲基可以与量子点表面的悬挂键结合，减少非辐射跃迁损失，提高量子点的发光效率。
所述表面配体X-R-(CF3)n中，三氟甲基通过R与X连接，且R选自烷基，n为正整数。其中，所述烷基优选为碳原子个数在18以下的烷基，更优选为碳原子个数在10以下的烷基，在具体实施例中，所述烷基的碳原子个数为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10。R选自碳原子个数在10以下的烷基，相较于现有常规使用的油酸、油胺等长链配体，其促进了成膜后的纳米复合材料间紧凑排列，缩短颗粒间距，利于截流子在传输膜层中的传输，解决了现有长链配体所引起的成膜后颗粒间距大、空间位阻大、成膜性能差等问题。n为1-10以内的正整数，在具体的实施例中，n为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10。
在本申请说明书中，“烷基”指的是一类仅含有碳、氢两种原子的饱和链状烃基，具有直链碳链和/或支链碳链，包括但不限于甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基等。
作为一种实施方式，所述表面配体为X-CH(R')-CF3，所述R'选自碳原子个数在9以下的烷基。该表面配体中的三氟甲基与X仅一个次甲基的距离，进一步减小了纳米复合材料的颗粒尺寸，使得成膜后的纳米复合材料间可更加紧凑地排列，大大缩短颗粒间距，提升了截流子在传输膜层中的传输效率。
在一些实施例中，所述表面配体选自1-三氟甲基-辛硫醇、1,1-二三氟甲基己硫醇和1-三氟甲基-辛胺中的至少一种。这几类表面配体可稳定分散量子点，使得所述纳米复合材料具有优异的稳定性。
所述纳米复合材料中，所述量子点可选为本领域常规的油溶性量子点，其表面修饰有易溶于低极性溶剂的有机配体，例如酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂、聚乙烯基吡啶等。在一些实施例中，所述酸配体为十酸、十一烯酸、十四酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；在一些实施例中，所述硫醇配体为八烷基硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一种；在一些实施例中，所述胺配体包括油胺、十八胺、八胺中的至少一种；在一些实施例中，所述(氧)膦配体为三辛基膦、三辛基氧膦的至少一种。
所述量子点可选自II-VI族量子点、III-V族量子点、II-V族量子点、III-VI量子点、IV-VI族量子点、I-III-VI族量子点、II-IV-VI族量子点或IV族单质量子点中的至少一种，可以为核结构，也可以为核壳结构。在一些实施例中，所述量子点优选为II-VI族量子点、III-V族量子点和IV-VI族量子点中的至少一种。
所述量子点包括但不限于二元相、三元相、四元相量子点等，在一些实施例中，所述量子点为二元相量子点，例如CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS等；在一些实施例中，所述量子点为三元相量子点，例如ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X等；在一些实施例中，所述量子点为四元相量子点，ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS等。
所述纳米复合材料中，所述表面配体连接所述量子点。作为一种实施方式，所述表面配体的重量为所述量子点的重量的1％-10％。
综上，本发明实施例提供的纳米复合材料，包括量子点以及与量子点连接的表面配体，其表面配体为X-R-(CF3)n，一方面，该表面配体含有三氟甲基，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加量子点表面的电子云密度，从而提升电荷迁移率；同时，三氟甲基可增加量子点在溶液中的空间位阻，提高量子点在非极性溶剂中的溶解性，从而提高量子的成膜性能；此外，三氟甲基可以与量子点表面的悬挂键结合，减少非辐射跃迁损失，提高量子点的发光效率；另一方面，该表面配体可促进成膜后的纳米复合材料间紧凑排列，缩短颗粒间距，利于截流子在传输膜层中的传输。
基于上述技术方案，本发明实施例还提供了一种上述纳米复合材料的制备方法，一种溶液组合物，以及发光层和发光二极管。
相应的，一种纳米复合材料的制备方法，如图1所示，包括以下步骤：
S01、提供量子点和表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n，R选自烷基，n为正整数；
S02、在惰性气体气氛下，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中，使得所述表面配体连接所述量子点，制备所述纳米复合材料。
其中，步骤S01中所述量子点和表面配体与上文纳米复合材料的技术方案中所述的量子点和表面配体相同，为了节省篇幅，此处不再一一赘述。
步骤S02中，在惰性气体气氛下，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中，使得所述表面配体连接所述量子点，制备所述纳米复合材料。
通过将量子点和表面配体在惰性气体气氛下分散在非配位溶剂中，在分散过程中可同步实现表面配体与量子点间连接，无需严格的反应条件或采用特殊的化学试剂，方法简单，操作简便，易于控制，适用于纳米复合材料的规模化量产。
将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂的步骤控制在惰性气体气氛下进行，可避免空气对所述量子点与所述表面配体结合存在的影响。所述惰性气体气氛包括但不限于氮气、氦气、氩气等，在一些实施例中，所述惰性气体气氛为氩气气氛。
所述非配位溶剂作为所述表面配体与所述量子点结合的反应溶剂，指的是不含有能与量子点金属配位的孤电子的一类有机溶剂，可参考本领域常规的非配位溶剂，如一些实施方式中，所述非配位溶剂选自烷烃、烯烃、醚和芳香族化合物中的至少一种。在一些实施例中，所述非配位溶剂选自甲苯、苯、二甲苯、四氢呋喃、二氯乙烷、二氯甲烷、正己烷、环己烷、氯仿、四氯化碳和正辛烷中的至少一种，该类非配位有机溶剂能够均匀地分散所述量子点和表面配体，且不影响所述量子点的性能，同时，也不影响所述表面配体与所述量子点配位结合。
作为一种实施方式，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中的步骤包括：将所述量子点溶解在所述非配位溶剂中，然后加入所述表面配体，并于室温下进行搅拌30分钟以上。通过将所述量子点溶解在所述非配位溶剂中以制备量子点溶液，然后再加入表面配体，再在室温下进行搅拌30分钟以上，可使得所述量子点与所述表面配体充分混合接触，有效促进所述表面配体与所述量子点间的结合。
作为一种实施方式，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中的步骤中，按照所述表面配体的重量为所述量子点的重量的1％-10％的比例，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中。当所述表面配体的重量低于量子点重量的1％时，表面配体的浓度过低，无法在动态配体交换平衡中成为优势配体，影响所述配体附着率；当所述表面配体的重量大于量子点重量的10％时，会引起量子点表面的原有配体脱落缺失，可能引起量子点的部分表面功能缺失或能级变化，影响所述纳米复合材料的发光性能。在一些实施例中，所述量子点的工作浓度为10-100mg/mL，所述表面配体的重量为所述量子点的重量的1％-10％。
作为一种实施方式，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中的步骤中，所述量子点的工作浓度为1-200mg/mL，优选为20-50mg/mL，在该浓度范围内，量子点在溶液中的分散性较好，具有良好的加工性能。在一些实施例中，所述量子点的工作浓度为20-30mg/mL。
作为一种实施方式，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中的步骤中，所述表面配体的浓度为2-3mg/mL。在一些实施例中，所述表面配体与所述量子点的重量比为1:(10-20)。
作为一种实施方式，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂的步骤之后，还包括：将所述纳米复合材料与溶液分离的步骤。在一些实施例中，在反应结束后，加入沉淀剂进行衬底纳米复合材料，然后清洗，再重新分散在溶液中，制备纳米复合材料墨水。在进一步实施例中，所述沉淀剂优选为乙酸乙酯、乙醇、丙酮中的至少一种。
综上，本发明实施例提供的纳米复合材料的制备方法，无需严格的反应条件或采用特殊的化学试剂，方法简单，操作简便，易于控制，适用于纳米复合材料的规模化量产。
相应地，一种溶液组合物，包括：溶剂和分散在所述溶剂中的量子点，所述量子点的表面连接有表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
本发明实施例提供的溶液组合物，包括：表面连接有表面配体的量子点，表面配体为X-R-(CF3)n，含有三氟甲基，具有良好的分散性能和成膜性能，由其制得的发光层具有较高的电荷迁移率，促进了截流子在传输膜层中的传输，并使得发光层具有较高的发光效率，可应用于制备发光性能优异的发光器件。
其中，所述量子点与上文制备方法所述的量子点相同，为了节省篇幅此处不再一一赘述。
所述溶剂作为所述量子点的分散介质，可选为本领域常规的非配位溶剂，如一些实施例中，所述非配位溶剂选自烷烃、烯烃、醚和芳香族化合物中的至少一种，包括但不限于甲苯、苯、二甲苯、四氢呋喃、二氯乙烷、二氯甲烷、正己烷、环己烷、氯仿、四氯化碳和正辛烷等。
溶液组合物的量子点的浓度可根据实际产品的需要进行灵活调整，本发明实施例不作特殊限定。可以理解，上述的溶液组合物可以用于喷墨打印。相应的，一种发光层，所述发光层的材料包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
本发明实施例提供的发光层，其材料包括：量子点以及与量子点连接的表面配体，其表面配体为X-R-(CF3)n，具有良好的分散性能、成膜性能以及较高的电荷迁移率，促进了截流子在传输膜层中的传输，并使得所述发光层具有较高的发光效率，可应用于制备发光性能优异的发光器件。
进一步的，所述发光层的材料与上述纳米复合材料基本相同，且可通过上述制备方法制得。
制备所述发光层时，采用磁控溅射法、化学气相沉积法、蒸镀法、旋涂法或喷墨打印法等方法在基板上沉积形成发光层。在一些实施例中，将材料分散在溶液中制备浆料，然后采用旋涂法将所述浆料在基板上旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度(例如调节转速在2000-6000rpm之间)以及调节旋涂时间来控制发光层的厚度，例如为20-60nm，然后在200-250℃下退火成膜。其中，退火可以在空气中退火、亦可以在氮气氛围中退火，具体根据实际需要选择退火氛围。
相应的，一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层，所述发光层的材料包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
本发明实施例提供的发光二极管，其发光层的材料包括：量子点以及与量子点连接的表面配体，其表面配体为X-R-(CF3)n，具有良好的发光性能。
进一步的，所述发光层的材料与上述纳米复合材料基本相同，且可通过上述制备方法制得。
所述发光二极管的结构可参考本领域常规技术，在一些实施例中，所述发光二极管为正置型结构，所述阳极连接衬底作为底电极；在其他的实施例中，所述发光二极管为倒置型结构，所述阴极连接衬底作为底电极。进一步地，除了所述阴极、阳极和发光层等基本结构膜层之外，在阳极和发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和空子阻挡层等空穴功能层，在阴极和发光层之间还可以设置有电子传输层、电子注入层和电子阻挡层等电子功能层。
作为一种实施方式，所述发光二极管的基本结构，如图2所示，包括依次层叠设置的阳极L01、空穴注入层L02、空穴传输层L03、量子点发光层L04、电子传输层L05和阴极L06。在一些实施例中，所述量子点发光层的厚度为20-60nm。在一些实施例中，所述阴极的厚度为15-30。
所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和阴极的材料可参考常规的发光二极管，也可分别选择为特定的材料。在一些实施例中，所述阳极连接衬底，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底，所述阳极的材料选自铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锡掺杂氧化锌(ZTO)中的至少一种。在一些实施例中所述阴极的材料为Cu或Ag，具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。
制备时，采用磁控溅射法、化学气相沉积法、蒸镀法、旋涂法、喷墨打印法等依次在衬底上沉积阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。在一些实施例中，制备了一种反型结构QLED器件，其中包括步骤：
1)将ZnO沉积在ITO基板上，形成电子传输层；
2)将纳米复合材料分散于在正辛烷中，获得发光层浆料；然后，将发光层浆料旋涂在电子传输层上，退火，形成量子点发光层；
3)在量子点发光层上打印空穴传输层，然后蒸镀Ag阳极于空穴传输层上，得到量子点发光二极管。
进一步的，为了得到高质量的QLED器件，ITO基底需要经过预处理过程。基本具体的处理步骤包括：将整片ITO导电玻璃用清洁剂清洗，初步去除表面存在的污渍，随后依次在去离子水、丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20min，以除去表面存在的杂质，最后用高纯氮气吹干，即可得到ITO基板。
进一步的，将得到的QLED进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
为使本发明上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解，以及本发明实施例一种纳米复合材料及其制备方法、发光层和发光二极管的进步性能显著地体现，以下通过实施例对本发明的实施进行举例说明。
实施例1
本实施例提供了一种发光二极管，其制备具体包括以下步骤：
1、制备纳米复合材料A
在氩气气氛中，将绿色核壳型CdSe/ZnS量子点加入正辛烷溶剂中，在室温下搅拌30分钟至量子点完全溶解，制得浓度为20mg/mL的量子点溶液；然后，加入1-三氟甲基-辛硫醇，使得1-三氟甲基-辛硫醇的浓度为2mg/mL，继续搅拌30分钟。反应结束后，用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗，获得纳米复合材料A；
2、制备量子点发光二极管A
1)将ZnO沉积在ITO基板上，形成电子传输层A；
2)将纳米复合材料A分散于在正辛烷中，获得发光层浆料；然后，将发光层浆料旋涂在电子传输层A上，退火，形成量子点发光层A；
3)在量子点发光层A上打印空穴传输层A，然后蒸镀Ag阳极于空穴传输层A上，得到量子点发光二极管A。
实施例2
本实施例提供了一种发光二极管，其制备具体包括以下步骤：
1、制备纳米复合材料B
在氩气气氛中，将绿色核壳型CdSe/ZnS量子点加入正辛烷溶剂中，在室温下搅拌30分钟至量子点完全溶解，制得浓度为30mg/mL的量子点溶液；然后，加入1,1-二三氟甲基己硫醇，使得1,1-二三氟甲基己硫醇的浓度为3mg/mL，继续搅拌30分钟。反应结束后，用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗，获得纳米复合材料B；
2、制备量子点发光二极管B
具体过程与实施例1的基本相同，此处不再一一赘述。
实施例3
本实施例提供了一种发光二极管，其制备具体包括以下步骤：
1、制备纳米复合材料C
在氩气气氛中，将蓝色核壳型CdZnSe/ZnS量子点加入正辛烷溶剂中，在室温下搅拌30分钟至量子点完全溶解，制得浓度为30mg/mL的量子点溶液；然后，加入1-三氟甲基-辛胺，使得1-三氟甲基-辛胺的浓度为3mg/mL，继续搅拌30分钟。反应结束后，用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗，获得纳米复合材料C；
2、制备量子点发光二极管C
具体过程与实施例1的基本相同，此处不再一一赘述。
对比例1
本对比例提供的发光二极管中，发光层材料为绿色核壳型CdSe/ZnS量子点。
对实施例1-3和对比例1提供的发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
(1)电子迁移率：测试量子点发光二极管的电流密度(J)-电压(V)，绘制曲线关系图，对关系图中空间电荷限制电流(SCLC)区的进行拟合，然后根据著名的Child's law公式计算电子迁移率：
J＝(9/8)εrε0μeV2/d3
其中，J表示电流密度，单位mAcm-2；εr表示相对介电常数，ε0表示真空介电常数；μe表示电子迁移率，单位cm2V-1s-1；V表示驱动电压，单位V；d表示膜厚度，单位m。
(2)电阻率：采用同一电阻率测试仪器测定发光二极管中发光层电阻率。
(3)外量子效率(EQE)：采用EQE光学测试仪器测定。
测试结果如下表1所示：
表1
Figure BDA0002345008810000131
从上表1可见，本发明实施例1-3提供的发光二极管的电阻率明显低于对比例1的电阻率，且EQE和电子迁移率明显高于对比例1。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种纳米复合材料，其特征在于，包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
2.根据权利要求1所述的纳米复合材料，其特征在于，所述X选自巯基、羧基、胺基或含膦基团；和/或
n为1-10。
3.根据权利要求1所述的纳米复合材料，其特征在于，所述表面配体为X-CH(R')-CF3，所述R'选自碳原子个数小于或等于9的烷基。
4.根据权利要求1所述的纳米复合材料，其特征在于，所述表面配体通过配位键连接所述量子点的表面。
5.根据权利要求1所述的纳米复合材料，其特征在于，所述表面配体的重量为所述量子点的重量的1％-10％。
6.一种纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供量子点和表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n，R选自烷基，n为正整数；
在惰性气体气氛下，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中，使得所述表面配体连接所述量子点，制备所述纳米复合材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中的步骤包括：将所述量子点分散在所述非配位溶剂中，然后加入所述表面配体，并进行搅拌。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中的步骤中，按照所述表面配体的重量为所述量子点的重量的1％-10％的比例，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中的步骤中，分散在所述非配位溶剂中的所述量子点的浓度为1-200mg/mL。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述X选自巯基、羧基、胺基或含膦基团；和/或
n为1-10。
11.根据权利要求6至9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述表面配体为X-CH(R')-CF3，所述R'选自碳原子个数小于或等于9的烷基。
12.一种溶液组合物，其特征在于，包括：溶剂和分散在所述溶剂中的量子点，所述量子点的表面连接有表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
13.一种发光层，其特征在于，所述发光层为层状结构，所述发光层的材料包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
14.一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层，其特征在于，所述发光层的材料包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF3)n；
其中，R选自烷基，n为正整数。
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