CN113093939A - 一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法 - Google Patents

一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法,所述抗摩尔纹触摸屏包括一层PET膜及分别镀覆于所述PET膜上下两侧的金属铜网格,所述金属铜网格的线宽在1~10μm之间,所述制作方法包括:提供一层PET膜;对所述PET膜老化处理;在所述PET膜的上下两侧分别镀一层金属铜膜;分别在所述金属铜膜的表面旋涂一层光刻胶,烘烤固化;曝光;显影;蚀刻;得到超细线宽的金属网格线,其中,所述PET膜的上表面的菱形金属网格线为感应电极层,所述PET膜的下表面的菱形金属网格线为驱动电极层,且所述感应电极层和驱动电极层呈预设角度错开设置,消除摩尔纹现象,不需要根据液晶显示模组RGB阵列分布来特定设计菱形金属网格pattern阵列。

Description

一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法
技术领域
本发明实施例涉及触摸屏技术领域,尤其涉及一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法。
背景技术
以Cu或者AgBr作为导电材料的金属网格触摸屏与液晶显示屏贴合后容易会产生摩尔纹现象,这是由于液晶显示屏的RGB像素阵列排布(如图1)与正方形金属网格pattern阵列结构(如图2)相近,当两种相近的阵列重叠后,可见光依次通过正方形金属网格pattern阵列和液晶显示屏的RGB阵列时,人眼观察时会在视觉上产生不同颜色的叠加条纹,这种条纹会影响视觉效果,也就是摩尔纹现象。
一般解决摩尔纹现象的方式是将正方形金属网格pattern阵列旋转一定的角度成为菱形金属网格pattern阵列(如图3),旋转的角度大小取决于液晶显示模组RGB像素的阵列分布,这样就可以减弱金属网格pattern阵列和液晶显示屏的RGB阵列重叠而产生摩尔纹现象,这是一种普遍减弱摩尔纹现象的设计。
菱形金属网格pattern阵列可以减弱摩尔纹现象的产生,但是不可以完全消除摩尔纹现象的存在,而且寻找菱形金属网格pattern阵列的角度,与液晶显示模组RGB阵列进行匹配,也是一项复杂研究。需要根据液晶显示模组RGB阵列特定来设计菱形金属网格pattern阵列角度,相当于一种定制设计,也就是特定的菱形金属网格pattern阵列必须匹配特定的液晶显示模组RGB阵列,不具备广泛的普遍性,无法做到不同的菱形金属网格pattern阵列匹配同一液晶显示模组RGB阵列,也无法做到同一菱形金属网格pattern阵列匹配不同的液晶显示模组RGB阵列。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的目的在于克服上述现有不足,提供一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法,消除摩尔纹现象,不需要根据液晶显示模组RGB阵列分布来特定设计菱形金属网格pattern阵列。
本发明实施例提供了一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其中,所述抗摩尔纹触摸屏包括一层PET膜及分别镀覆于所述PET膜上下两侧的金属铜网格,所述金属铜网格的线宽在1~10μm之间,所述制作方法包括:
提供一层PET膜;
对所述PET膜老化处理;
在所述PET膜的上下两侧分别镀一层金属铜膜;
分别在所述金属铜膜的表面旋涂一层光刻胶,烘烤固化;
曝光,使所述光刻胶光刻成图案;
显影,去除所述光刻胶未固化的部分;
蚀刻,用来除去部分金属铜并在所述金属铜上形成于所述光刻胶一致的图案的菱形金属网格线;其中,
所述PET膜的上表面的菱形金属网格线为感应电极层,所述PET膜的下表面的菱形金属网格线为驱动电极层,且所述感应电极层和驱动电极层呈预设角度错开设置。
优选的,在所述PET膜的上下两侧分别镀一层金属铜膜,所述金属铜膜的厚度为400nm。
优选的,所述光刻胶的厚度为8~12μm。
优选的,所述光刻胶经烘烤固化后厚度为1μm~3μm。
优选的,所述曝光步骤、所述显影步骤和所述蚀刻步骤中,先单独在所述PET膜的两侧进行曝光步骤,然后分别在所述PET膜的两侧同时进行所述显影步骤和所述蚀刻步骤。
优选的,所述金属铜网格的线宽为0.1μm ~2μm。
优选的,所述感应电极层包括沿第一方向的多条第一金属线和沿第二方向的多条第二金属线,所述第一金属线和第二金属线之间相互交错形成菱形网格状;以及,
所述驱动电极层包括沿第一方向的多条第三金属线和沿第二方向的多条第四金属线,所述第三金属线和第四金属线之间相互交错形成菱形网格状。
优选的,所述预设角度为5°~10°。
优选的,相邻所述第一金属线之间的间距、相邻所述第二金属线之间的间距、相邻所述第三金属线之间的间距以及相邻所述第四金属线之间的间距相等,且均为100μm ~300μm。
优选的,相邻所述第一金属线之间的间距、相邻所述第二金属线之间的间距、相邻所述第三金属线之间的间距以及相邻所述第四金属线之间的间距相等,且均为100μm ~150μm。
本发明提供了一种抗摩尔纹设计的触摸屏,其关键技术是将金属网格的线宽由常规的在9~10um降低至2um以下,超细的金属网格线宽阵列会导致人眼在视觉上看不到金属网格的存在,当可见光依次通过金属网格pattern阵列和液晶显示屏的RGB阵列,实质上肉眼观察到的可见光仅通过了液晶显示屏的RGB阵列,金属网格pattern阵列在视觉上被隐藏起来,因此视觉上不会出现金属网格pattern阵列和液晶显示屏的RGB阵列的叠加现象,也就不会出现摩尔纹现象,如图4所示。将金属网格线宽降低至2um以下的方式是在PET基材Cu膜的两面旋涂一层光刻胶,将光刻胶烘烤固化后,再将光刻胶进行曝光、显影、蚀刻,得到超细线宽的金属网格阵列。常规ITO是再20nm~30nm ITO表面压膜50um厚度的干膜,再进行曝光、显影、蚀刻,这种干法曝光的方式得到的面内pattern线宽一般都较大,大约60um左右;常规Cu膜是在2um的Cu膜的表面压膜10um左右的干膜,在同一速度下再进行曝光、显影、蚀刻,得到面向金属网格,这种干膜经过曝光后金属网格的线宽一般在9~10um;本发明是在厚度400nm的Cu膜的两面旋涂一层10um左右的光刻胶,光刻胶经过烘烤固化后,厚度降低至2um左右,再单独进行曝光,然后再进行显影、蚀刻,得到面向金属网格,由于Cu膜厚度由2um降低至400nm,10um干膜转变为2um的光刻胶,同一速度进行曝光、显影、蚀刻调整为先曝光再显影、蚀刻的两段速度,同时采用高精密曝光机,可以达到蚀刻后面内金属网格线宽2um以下,如此便可以制备出超细线宽的金属网格阵列。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明现有技术中RGB阵列结构示意图;
图2是本发明现有技术中正方形金属网格pattern阵列结构示意图;
图3是本发明现有技术中菱形金属网格pattern阵列结构示意图;
图4是本发明实施例提供的触摸屏中抗摩尔纹设计方法的原理示意图;
图5是本发明实施例提供的一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将结合本发明实施例中的附图,通过具体实施方式,完整地描述本发明的技术方案。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例,均落入本发明的保护范围之内。
如图4和图5所示,为一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其中,所述抗摩尔纹触摸屏包括一层PET膜及分别镀覆于所述PET膜上下两侧的金属铜网格,所述金属铜网格的线宽在1~10μm之间,所述制作方法包括:
S1、提供一层PET膜;
S2、对所述PET膜老化处理;
S3、在所述PET膜的上下两侧分别镀一层金属铜膜;
S4、分别在所述金属铜膜的表面旋涂一层光刻胶,烘烤固化;
S5、曝光,使所述光刻胶光刻成图案;
S6、显影,去除所述光刻胶未固化的部分;
S7、蚀刻,用来除去部分金属铜并在所述金属铜上形成于所述光刻胶一致的图案的菱形金属网格线;其中,
所述PET膜的上表面的菱形金属网格线为感应电极层,所述PET膜的下表面的菱形金属网格线为驱动电极层,且所述感应电极层和驱动电极层呈预设角度错开设置。
具体来讲,在所述PET膜的上下两侧分别镀一层金属铜膜,所述金属铜膜的厚度为400nm;
以及,S8、脱膜,使得被蚀刻的金属铜更好的脱落。
具体来讲,所述光刻胶的厚度为8~12μm。
更具体来讲,所述光刻胶经烘烤固化后厚度为1μm~3μm。
具体地,所述曝光步骤、所述显影步骤和所述蚀刻步骤中,先单独在所述PET膜的两侧进行曝光步骤,然后分别在所述PET膜的两侧同时进行所述显影步骤和所述蚀刻步骤。
其中,所述曝光采用高精密曝光机,可以达到蚀刻后面内金属网格线宽2um以下。
进一步地,所述金属铜网格的线宽为0.1μm ~2μm。
具体来讲,所述感应电极层包括沿第一方向的多条第一金属线和沿第二方向的多条第二金属线,所述第一金属线和第二金属线之间相互交错形成菱形网格状;以及,
所述驱动电极层包括沿第一方向的多条第三金属线和沿第二方向的多条第四金属线,所述第三金属线和第四金属线之间相互交错形成菱形网格状。
具体来讲,所述预设角度为5°~10°。
具体来讲,相邻所述第一金属线之间的间距、相邻所述第二金属线之间的间距、相邻所述第三金属线之间的间距以及相邻所述第四金属线之间的间距相等,且均为100μm ~300μm。
具体来讲,相邻所述第一金属线之间的间距、相邻所述第二金属线之间的间距、相邻所述第三金属线之间的间距以及相邻所述第四金属线之间的间距相等,且均为100μm ~150μm。
一种抗摩尔纹设计的触摸屏,其关键技术是将金属网格的线宽由常规的在9~10um降低至2um以下,超细的金属网格线宽阵列会导致人眼在视觉上看不到金属网格的存在,当可见光依次通过金属网格pattern阵列和液晶显示屏的RGB阵列,实质上肉眼观察到的可见光仅通过了液晶显示屏的RGB阵列,金属网格pattern阵列在视觉上被隐藏起来,因此视觉上不会出现金属网格pattern阵列和液晶显示屏的RGB阵列的叠加现象,也就不会出现摩尔纹现象,如图4所示。将金属网格线宽降低至2um以下的方式是在PET基材Cu膜的两面旋涂一层光刻胶,将光刻胶烘烤固化后,再将光刻胶进行曝光、显影、蚀刻,得到超细线宽的金属网格阵列。常规ITO是再20nm~30nm ITO表面压膜50um厚度的干膜,再进行曝光、显影、蚀刻,这种干法曝光的方式得到的面内pattern线宽一般都较大,大约60um左右;常规Cu膜是在2um的Cu膜的表面压膜10um左右的干膜,在同一速度下再进行曝光、显影、蚀刻,得到面向金属网格,这种干膜经过曝光后金属网格的线宽一般在9~10um;本发明是在厚度400nm的Cu膜的两面旋涂一层10um左右的光刻胶,光刻胶经过烘烤固化后,厚度降低至2um左右,再单独进行曝光,然后再进行显影、蚀刻,得到面向金属网格,由于Cu膜厚度由2um降低至400nm,10um干膜转变为2um的光刻胶,同一速度进行曝光、显影、蚀刻调整为先曝光再显影、蚀刻的两段速度,同时采用高精密曝光机,可以达到蚀刻后面内金属网格线宽2um以下,如此便可以制备出超细线宽的金属网格阵列。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,本发明的各个实施方式的特征可以部分地或者全部地彼此耦合或组合,并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其中,所述抗摩尔纹触摸屏包括一层PET膜及分别镀覆于所述PET膜上下两侧的金属铜网格,所述金属铜网格的线宽在1~10μm之间,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一层PET膜;
对所述PET膜老化处理;
在所述PET膜的上下两侧分别镀一层金属铜膜;
分别在所述金属铜膜的表面旋涂一层光刻胶,烘烤固化;
曝光,使所述光刻胶光刻成图案;
显影,去除所述光刻胶未固化的部分;
蚀刻,用来除去部分金属铜并在所述金属铜上形成于所述光刻胶一致的图案的菱形金属网格线;其中,
所述PET膜的上表面的菱形金属网格线为感应电极层,所述PET膜的下表面的菱形金属网格线为驱动电极层,且所述感应电极层和驱动电极层呈预设角度错开设置。
2.根据权利要求1所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,在所述PET膜的上下两侧分别镀一层金属铜膜,所述金属铜膜的厚度为400nm。
3.根据权利要求1所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,所述光刻胶的厚度为8~12μm。
4.根据权利要求1所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,所述光刻胶经烘烤固化后厚度为1μm~3μm。
5.根据权利要求1所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,所述曝光步骤、所述显影步骤和所述蚀刻步骤中,先单独在所述PET膜的两侧进行曝光步骤,然后分别在所述PET膜的两侧同时进行所述显影步骤和所述蚀刻步骤。
6.根据权利要求1所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,所述金属铜网格的线宽为0.1μm ~2μm。
7.根据权利要求1所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,所述感应电极层包括沿第一方向的多条第一金属线和沿第二方向的多条第二金属线,所述第一金属线和第二金属线之间相互交错形成菱形网格状;以及,
所述驱动电极层包括沿第一方向的多条第三金属线和沿第二方向的多条第四金属线,所述第三金属线和第四金属线之间相互交错形成菱形网格状。
8.根据权利要求1所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,所述预设角度为5°~10°。
9.根据权利要求7所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,相邻所述第一金属线之间的间距、相邻所述第二金属线之间的间距、相邻所述第三金属线之间的间距以及相邻所述第四金属线之间的间距相等,且均为100μm ~300μm。
10.根据权利要求9所述的抗摩尔纹触摸屏的制作方法,其特征在于,相邻所述第一金属线之间的间距、相邻所述第二金属线之间的间距、相邻所述第三金属线之间的间距以及相邻所述第四金属线之间的间距相等,且均为100μm ~150μm。
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