CN113087497A - 一种细晶强化氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种细晶强化氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及氧化铝陶瓷材料技术领域。所述氧化铝陶瓷材料由复合粉体制备得到，其中，所述复合粉体包括A l2O3以及稀土氧化物，所述稀土氧化物的含量少于1mo l％。本发明实施例中，通过在氧化铝中添加小于0.1mo l％稀土氧化物，烧结过程生成ReA l O3和Re3A l 5O12，抑制晶粒长大，使氧化铝平均晶粒尺寸不大于4μm。再通过热等静压提高其致密度，从而提高其力学性能，弯曲强度不低于600Mpa，热导率不低于25W/(mK)，满足目前电子产品对氧化铝基板的要求。

Description

一种细晶强化氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及氧化铝陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种细晶强化氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用。
背景技术
基板作为电子元器件的重要组成部分，承担着各类电子元器件散热、绝缘保护、结构封装支撑的核心维护作用。氧化铝基板具有原材料丰富，强度、硬度、化学稳定性和耐热冲击性能高，绝缘性和与金属附着性良好的特点，是目前电子行业中综合性能较好、应用最成熟的陶瓷材料，占电子元器件陶瓷基板总量的90％。目前，电子产品向小型化、便携化、多功能化方向发展已成为趋势，随着电子元器件越做越小，基板的相对负载也越来越大。
然而，氧化铝自身强度不高，通常弯曲强度为280-350MPa，因此为满足当今电子产品发展趋势，如何提升氧化铝封装构件的安全性与可靠性，延长氧化铝封装元器件的使用寿命，提高氧化铝基板强度成为本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在解决现有氧化铝陶瓷材料强度低的问题。
为了解决上述问题，本发明提出以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种细晶强化氧化铝陶瓷材料，所述氧化铝陶瓷材料由复合粉体制备得到，其中，所述复合粉体包括Al2O3以及稀土氧化物，所述稀土氧化物的含量少于1mol％。
其进一步的技术方案为，所述复合粉体还包括添加物，所述添加物为碱金属氧化物、Si氧化物以及Ti氧化物中的至少一种；所述添加物与稀土氧化物的总含量少于1mol％。
其进一步的技术方案为，所述稀土氧化物中的稀土元素为Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er以及Yb中的至少一种。
其进一步的技术方案为，复合粉体通过烧结过程生成ReAlO3和Re3Al5O12细化氧化铝晶粒，Re为Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er以及Yb中的至少一种。
其进一步的技术方案为，所述细晶强化氧化铝陶瓷材料的氧化铝晶粒的平均尺寸为1.4-4.0μm。
第二方面，本发明提供一种如第一方面所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料的制备方法，包括：
S1，对复合粉体依次进行球磨处理、旋蒸处理以及过筛处理；
S2，依次通过干压成型工艺以及冷等静压工艺将复合粉体制成胚体；
S3，依次通过烧结工艺以及热等静压工艺将胚体制成陶瓷。
其进一步的技术方案为，球磨处理的工艺参数包括：球磨时间为6-10h，球磨机的转速为250-350r/min；旋蒸处理的工艺参数包括：旋蒸温度为50-60℃；过筛处理的工艺参数包括：筛网目数为100-120目。
其进一步的技术方案为，干压成型工艺的工艺参数包括：加压压力为4-6MPa，保压时间为60-120s；冷等静压工艺中，加压压力以30-40MPa/min的升压速率升至100-200MPa，然后保压3-5min，最后以30-40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
其进一步的技术方案为，烧结工艺的工艺参数包括：烧结温度为1200-1400℃，保温时间为0.5-2h；热等静压工艺的工艺参数包括：热等静压温度为1200-1450℃，保温时间1-3h。
第三方面，本发明提供如第一方面所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料在电子器件基板中的应用。
与现有技术相比，本发明所能达到的技术效果包括：
本发明实施例中，通过在氧化铝中添加小于0.1mol％稀土氧化物，烧结过程生成ReAlO3和Re3Al5O12，抑制晶粒长大，使氧化铝平均晶粒尺寸不大于4μm。再通过热等静压提高其致密度，从而提高其力学性能，弯曲强度不低于600Mpa，热导率不低于25W/(mK)，满足目前电子产品对氧化铝基板的要求。
具体实施方式
下面将对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，以下将描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明实施例说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明实施例。如在本发明实施例说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
本发明实施例提出一种细晶强化氧化铝陶瓷材料，所述氧化铝陶瓷材料由复合粉体制备得到，其中，所述复合粉体包括Al2O3以及稀土氧化物，稀土氧化物的含量少于1mol％。
进一步地，所述复合粉体还包括添加物，所述添加物为碱金属氧化物、Si氧化物以及Ti氧化物中的至少一种；所述添加物与稀土氧化物的总含量少于1mol％。
进一步地，所述稀土氧化物中的稀土元素为Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er以及Yb中的至少一种。
进一步地，复合粉体通过烧结过程生成ReAlO3和Re3Al5O12细化氧化铝晶粒，Re为Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er以及Yb中的至少一种。
进一步地，所述细晶强化氧化铝陶瓷材料的氧化铝晶粒的平均尺寸为1.4-4.0μm。
上述细晶强化氧化铝陶瓷材料能够应用在电子器件基板中。
本发明实施例还提供上述细晶强化氧化铝陶瓷材料的制备方法，该方法包括如下步骤：
S1，对复合粉体依次进行球磨处理、旋蒸处理以及过筛处理。
具体实施中，球磨处理的工艺参数包括：球磨时间为6-10h，球磨机的转速为250-350r/min。旋蒸处理的工艺参数包括：旋蒸温度为50-60℃。过筛处理的工艺参数包括：筛网目数为100-120目。
S2，依次通过干压成型工艺以及冷等静压工艺将复合粉体制成胚体。
具体实施中，干压成型工艺的工艺参数包括：加压压力为4-6MPa，保压时间为60-120s。
冷等静压工艺中，加压压力以30-40MPa/min的升压速率升至100-200MPa，然后保压3-5min，最后以30-40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
S3，依次通过烧结工艺以及热等静压工艺将胚体制成陶瓷。
具体实施中，烧结工艺的工艺参数包括：烧结温度为1200-1400℃，保温时间为0.5-2h。
热等静压工艺的工艺参数包括：热等静压温度为1200-1450℃，保温时间0.5-5h。优选地，热等静压温度为1250-1350℃，保温时间1-3h。
为了更好的阐述本发明的技术方案，本发明提供如下实施例1-7。实施例陶瓷材料的各性能测试标准具体如下：
实施例中的测试标准：弯曲强度测试标准为GB/T 6569-86，热导率测试标准为GB/T 22588-2008，致密度测试标准为ASTMC373。
实施例1
复合粉体各成分质量分数：0.5mol％Yb2O3、99.5mol％Al2O3
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比具体为为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1400℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1450℃，压力为1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为700MPa，热导率为30W/(mK)，致密度99.5％。
实施例2
复合粉体各成分质量分数：3mol％Yb2O3、97mol％Al2O3
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1400℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1450℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为450MPa，热导率为19W/(mK)，致密度96.5％。
实施例3
复合粉体各成分质量分数：0.2mol％Yb2O3、99.8mol％Al2O3
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1320℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1350℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为800MPa，热导率为32W/(mK)，致密度100％。
实施例4
复合粉体各成分质量分数：0.2mol％La2O3、99.8mol％Al2O3
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1320℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1400℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为650MPa，热导率为25W/(mK)，致密度100％。
实施例5
复合粉体各成分质量分数：3mol％La2O3、97mol％Al2O3
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1320℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1400℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为550MPa，热导率为22W/(mK)，致密度95.0％。
实施例6
复合粉体各成分质量分数：0.5mol％La2O3、99mol％Al2O3、0.5mol％SiO2
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1400℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1450℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为600MPa，热导率为27.3W/(mK)，致密度99.2％。
实施例7
复合粉体各成分质量分数：0.4mol％La2O3、99mol％Al2O3、0.2mol％CaO、0.4mol％MgO。
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1400℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1450℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为616MPa，热导率为29W/(mK)，致密度99.1％。
实施例8
复合粉体各成分质量分数：0.2mol％La2O3、99mol％Al2O3、0.2mol％SiO2、0.2mol％CaO、0.4mol％TiO2。
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1400℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1450℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为631MPa，热导率为29W/(mK)，致密度99.4％。
实施例9
复合粉体各成分质量分数：0.6mol％La2O3、99mol％Al2O3、0.2mol％SiO2、0.2mol％MgO。
具体步骤如下：
(1)球磨处理：使用电子天平按比例称量复合粉体的各组分倒入到聚四氟乙烯球磨罐中，随后放入氧化锆研磨球和无水乙醇，将装有粉体、研磨球和无水乙醇的聚四氟乙烯球磨罐放入行球磨机中以350r/min的转速运行10小时。
其中，球磨机可具体为星式球磨机。研磨球、无水乙醇以及复合粉体的质量比为2:2:1。
(2)旋蒸处理：将球磨完毕的浆料倒入旋转仪的烧瓶中，使用旋转蒸发仪以60℃的温度进行旋蒸处理，去除无水乙醇。
(3)过筛处理：将去除无水乙醇后的干燥复合粉体进行过筛，筛网目数为100目。
(4)干压成型工艺：称量过筛后的复合粉体放置于压模具中；施加4MPa的压力，保压60s，然后进行脱模，得到样品。
(5)冷等静压工艺：将干压成型的样品放置于密封袋并真空密封，放置于冷等静压机中，控制加压压力以40MPa/min的升压速率升至200MPa，然后保压5min，最后以40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
(6)烧结工艺：将经过冷等静压处理的样品从真空密封袋中取出，放入马弗炉中以1400℃的温度进行烧结，保温时间2小时。
(7)热等静压工艺：将烧结后的样品，在氩气气氛下进行热等静压处理，其中，热等静压温度为1450℃，压力1000kg/cm2，保温时间1h。
所得样品弯曲强度为607MPa，热导率为26.3W/(mK)，致密度100％。
上述实施例中，实施例2、5为对比例。通过以上实验数据可知，通过在氧化铝中添加小于0.1mol％稀土氧化物，烧结过程生成ReAlO3和Re3Al5O12，抑制晶粒长大，使氧化铝平均晶粒尺寸不大于4μm。再通过热等静压提高其致密度，从而提高其力学性能，弯曲强度不低于600Mpa，热导率不低于25W/(mK)，满足目前电子产品对氧化铝基板的要求。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上所述，为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种细晶强化氧化铝陶瓷材料，所述氧化铝陶瓷材料由复合粉体制备得到，其特征在于，所述复合粉体包括Al2O3以及稀土氧化物，所述稀土氧化物的含量少于1mol％。
2.根据权利要求1所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料，其特征在于，所述复合粉体还包括添加物，所述添加物为碱金属氧化物、Si氧化物以及Ti氧化物中的至少一种；所述添加物与稀土氧化物的总含量少于1mol％。
3.根据权利要求1所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料，其特征在于，所述稀土氧化物中的稀土元素为Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er以及Yb中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料，其特征在于，复合粉体通过烧结过程生成ReAlO3和Re3Al5O12细化氧化铝晶粒，Re为Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er以及Yb中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料，其特征在于，所述细晶强化氧化铝陶瓷材料的氧化铝晶粒的平均尺寸为1.4-4.0μm。
6.一种如权利要求1-2任一项所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：
S1，对复合粉体依次进行球磨处理、旋蒸处理以及过筛处理；
S2，依次通过干压成型工艺以及冷等静压工艺将复合粉体制成胚体；
S3，依次通过烧结工艺以及热等静压工艺将胚体制成陶瓷。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，球磨处理的工艺参数包括：球磨时间为6-10h，球磨机的转速为250-350r/min；旋蒸处理的工艺参数包括：旋蒸温度为50-60℃；过筛处理的工艺参数包括：筛网目数为100-120目。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，干压成型工艺的工艺参数包括：加压压力为4-6MPa，保压时间为60-120s；冷等静压工艺中，加压压力以30-40MPa/min的升压速率升至100-200MPa，然后保压3-5min，最后以30-40MPa/min的泄压速率降至0MPa。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，烧结工艺的工艺参数包括：烧结温度为1200-1400℃，保温时间为0.5-2h；热等静压工艺的工艺参数包括：热等静压温度为1200-1450℃，保温时间1-3h。
10.如权利要求1-5任一项所述的细晶强化氧化铝陶瓷材料在电子器件基板中的应用。
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