CN1130828C - 双波段调谐器 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于减少调谐电路中所使用的线圈的数量，使整体尺寸减小，使成本降低。具有包括第一线圈1b、第一变容二极管3和第二变容二极管4的第一调谐电路7，该第一变容二极管3具有大于第二变容二极管4的最大电容值的最大电容值，另外具有大于第二变容二极管4的最小电容值的最小电容值，第一变容二极管3或第二变容二极管4中的一个与第一线圈1b并联。

Description

双波段调谐器

技术领域

本发明涉及下述的双波段调谐器，其以将象AM调谐器中的短波发送频带这样的频带较宽的发送频带分割为两个波段的方式来接收信号。

背景技术

下面参照图6对现有的双波段调谐器的AM调谐器进行说明。采用第一天线线圈41和第二天线线圈42以便对短波发送信号进行解调。第一天线线圈41包括初级线圈41a、次级线圈41b和第三线圈41c，这些线圈41a、41b、41c按照卷绕于磁芯41d上而相互连接的方式构成。

第二天线线圈42也包括初级线圈42a、次级线圈42b和第三线圈42c，这些线圈42a、42b、42c按照卷绕于磁芯42d上而相互连接的方式构成。

另外，两个初级线圈41a、42a相互串联，其中一个初级线圈41a的一端接地，另一初级线圈42a的一端与天线43连接，另外设置有使初级线圈41a的两端短路的NPN型的第一晶体三极管44，其集电极与初级线圈41a、42a之间的共同接点连接，其发射极接地。

两个次级线圈41b、42b也相互串联，其中一个次级线圈41b的一端接地，另一个次级线圈42b的一端与第一变容二极管45的阳极连接。第一变容二极管45的阴极通过直流阻止电容器46以高频的方式接地，并且通过供电电阻器47与控制电压施加端子48连接。此外，设置有使次级线圈41b的两端短路的NPN型的第二晶体三极管49，该第二晶体三极管49的集电极与次级线圈41b、42b之间的共同接点连接，其发射极接地。

再有，第一频率补偿用电容器50与次级线圈41b并联，第二频率补偿用电容器51与次级线圈42b并联。

另外，天线调谐电路52由串联的初级线圈41b、42b、第一变容二极管45、第一和第二频率补偿用电容器50、51构成，天线调谐电路52的调谐频率根据施加于控制电压施加端子48上的控制电压发生变化。

此外，第三线圈41c、42c之间相互串联，其中一个第三线圈41c的一端接地。另外，解调到天线调谐电路52的调谐频率的短波发送信号从第三线圈42c的一端输出。

采用第一振荡线圈61和第二振荡线圈62以便确定局部振荡频率。第一振荡线圈61具有初级线圈61a和次级线圈61b，该初级线圈61a、次级线圈61b以相互连接的方式卷绕于磁芯61c上。同样，第二振荡线圈62也具有初级线圈62a和次级线圈62b，该初级线圈62a、次级线圈62b以相互连接的方式卷绕于磁芯62c上。

还有，两个初级线圈61a、62a相互串联，其中一个初级线圈61a的一端通过直流阻止电容器63接地，另一初级线圈62a的一端通过第三频率补偿用电容器64与第二变容二极管65的阳极连接。第二变容二极管65的阴极与阻止直流用电容器46和供电电阻器47之间的共同接点连接。另外，第二变容二极管65的阳极通过第四频率补偿用电容器66接地。其结果是，振荡调谐电路67由串联的初级线圈61a、62a、第二变容二极管65、第三和第四频率补偿用电容器64、66构成。

此外，振荡调谐电路67的调谐频率可通过施加于控制电压施加端子48上的控制电压改变。

另外，第二变容二极管65的阳极通过电阻器68接地。

还有，NPN型的第三晶体三极管69的集电极与初级线圈61a和62a之间的接点连接。第三晶体三极管69的发射极接地。

再有，第一振荡线圈61中的次级线圈61b与第二振荡线圈62中的次级线圈62b串联，其中一个次级线圈61b的一端与PNP型的第四晶体三极管70的发射极连接，另一次级线圈62b的一端与NPN型的第五晶体三极管71的集电极连接。第四晶体三极管70的集电极与第五晶体三极管71的发射极相互连接。

还有，次级线圈61b、62b之间的共同接点、第四晶体三极管70的集电极与第五晶体三极管71的发射极之间的接点与图中未示出的振荡晶体管连接。

此外，第一至第五晶体三极管44、49、69、70、71中的相应基极相互连接，用于使这些晶体三极管导通或截止的切换电压施加于相应基极上。

另外，在接收短波发送信号中，频率较低的3.5～8MHz的发送信号的情况下，低电平的切换电压施加于第一至第五晶体三极管44、49、69、70、71中的相应基极上。其结果是，第四晶体三极管70处于导通状态，第一、第二、第三和第五晶体三极管44、49、69和71分别处于截止状态。于是，通过天线接收到的短波发送信号通过串联的初级线圈41a和42a，同时对次级线圈41b、42b产生感应。天线调谐电路52的调谐频率可通过串联的次级线圈41b和42b、第一变容二极管45、第一和第二频率补偿用电容器50、51，在3.5～8MHz的范围内变化。

于是，解调到调谐频率的短波发送信号对第三线圈41c与42c产生感应，经叠加后，从第三线圈42c的一端，输入图中未示出的放大器中。

还有，振荡调谐电路67的调谐频率可通过串联的次级线圈61a、62a、第二变容二极管65、第三和第四频率补偿用电容器64、66，基本在4～8.5MHz的范围内变化。

由于第四晶体三极管70处于导通状态，第五晶体三极管71处于截止状态，这样振荡调谐电路67仅仅与第一振荡线圈61中的次级线圈61b连接，通过该次级线圈61b，与振荡晶体管(图中未示出)连接，从而按照振荡调谐电路67的调谐频率，实现振荡。从振荡晶体管输出的振荡信号输入图中未示出的混频器。

在接收短波发送信号中，频率较高的8～21MHz范围内的发送信号的情况下，低电平的切换电压施加到第一至第五晶体三极管44、49、69、70、71中的相应基极上。其结果是，第四晶体三极管70处于截止状态，第一、第二、第三和第五晶体三极管44、49、69和71分别处于导通状态。于是，第一天线线圈41中的初级线圈41a的两端、次级线圈41b的两端发生短路。因此，通过天线43接收的短波发送信号仅仅通过第二天线线圈42中的初级线圈42a。另外，天线调谐电路52由第二天线线圈42中的次级线圈42b、第一变容二极管45与第二频率补偿用电容器51构成，其调谐频率可基本在8～21MHz的范围内变化。

另外，在第三线圈42c中感应的短波发送信号从第三线圈42c的一端，输入到图中未示出的放大器中。

再有，在振荡调谐电路67中，由于第一振荡线圈61中的初级线圈61a的两端短路，这样通过第二振荡线圈62的初级线圈62a、第二变容二极管65、第三和第四频率补偿用电容器64、66，上述电路67的调谐频率可基本在8.5～21.5MHz的范围内变化。

此外，由于第四晶体三极管70处于截止状态，第五晶体三极管71处于导通状态，这样振荡调谐电路67仅仅与第二振荡线圈62的次级线圈62b连接，通过该次级线圈62b与振荡晶体管(图中未示出)连接，从而按照振荡调谐电路67的调谐频率，实现振荡。

对于上面说明的现有双波段调谐器，在按照将发送信号频带分割为两个波段的方式来接收信号的调谐电路中，具有两个天线线圈41、42和两个振荡线圈51、52。另外，由于这些线圈的尺寸较大，成本较高，从而难于使整体的尺寸减小，使成本降低。

发明内容

本发明的目的在于减少调谐电路中所使用的线圈的数量，使整体尺寸减小，使成本降低。

为了解决前述问题，本发明的双波段调谐器具有包括第一线圈、第一变容二极管和第二变容二极管的第一调谐电路，前述第一变容二极管和第二变容二极管的电容值分别从最大电容值变化到最小电容值，第一变容二极管具有大于第二变容二极管的最大电容值的最大电容值，并且具有大于第二变容二极管的最小电容值的最小电容值，前述第一变容二极管与前述第二变容二极管串联再与前述第一线圈并联，根据接收信号频率范围的不同和电压的改变，使前述第一变容二极管或前述第二变容二极管的两端短路，第一变容二极管或第二变容二极管中的一个与第一线圈并联，至少前述第一变容二极管与第一线圈的最高调谐频率小于前述第二变容二极管与前述第一线圈的最高调谐频率，至少前述第一变容二极管与第一线圈的最小调谐频率小于第二变容二极管与第一线圈的最小调谐频率。

此外，本发明的双波段调谐器按照下述方式构成，该方式为：第一变容二极管的阴极与第二变容二极管的阴极之间相互连接，并且以高频的方式接地，设置有第一晶体三极管和第二晶体三极管，该第一晶体三极管的集电极与第一变容二极管的阳极连接，其发射极接地，该第二晶体三极管的集电极与第二变容二极管的阳极连接，其发射极接地，前述第一晶体三极管的基极与第一切换电压施加端子连接，前述第二晶体三极管的基极与第二切换电压施加端子连接，通过分别向前述第一切换电压施加端子和前述第二切换电压施加端子施加切换电压，从而使第一晶体三极管或第二晶体三极管处于导通状态。

还有，本发明的双波段调谐器按照下述方式构成，该方式为：其具有包括局部振荡器、第二线圈、第三变容二极管与第四变容二极管的第二调谐电路，前述第三变容二极管和第四变容二极管的电容值分别从最大电容值变化到最小电容值，前述第三变容二极管具有大于第四变容二极管的最大电容值的最大电容值，并且具有大于第四变容二极管的最小电容值的最小电容值，前述第三变容二极管的阴极与第四变容二极管的阴极之间相互连接，并且以高频的方式接地，设置有第三晶体三极管和第四晶体三极管，该第三晶体三极管的集电极与第三变容二极管的阳极连接，其发射极接地，该第四晶体三极管的集电极与第四变容二极管的阳极连接，其发射极接地，前述第三晶体三极管的基极与前述第一切换电压施加端子连接，前述第四晶体三极管的基极与前述第二切换电压施加端子连接，通过将前述第一变容二极管与第二变容二极管的接点，以及前述第三变容二极管与第四变容二极管的接点，与控制电压施加端子连接，向控制电压施加端子施加控制电压，使前述第一调谐电路由接受信号解调，并且按照第二调谐电路的调谐频率确定局部振荡器的振荡频率，通过分别向前述第一切换电压施加端子和前述第二切换电压施加端子施加切换电压，从而以选择其一的方式使第一晶体三极管和第三晶体三极管，或第二晶体三极管和第四晶体三极管导通。

再有，本发明的双波段调谐器按照下述方式构成，该方式为：其形成下述第一双二极管和第二双二极管，该第一双二极管收纳于同一组件中，并且具有下述特性，该特性指第一变容二极管与第三变容二极管相对施加于它们中的阳极和阴极之间的电压的电容量的变化基本相同，前述第二双二极管收纳于同一组件中，并且具有下述特性，该特性指第二变容二极管与第四变容二极管相对施加于它们中的阳极和阴极之间的电压的电容量的变化基本相同。

附图说明

图1为表示本发明的双波段调谐器的结构的电路图；

图2为本发明的双波段调谐器中的天线调谐电路的等效电路图；

图3为本发明的双波段调谐器中的振荡调谐电路的等效电路图；

图4为本发明的双波段调谐器中的天线调谐电路的等效电路图；

图5为本发明的双波段调谐器中的振荡调谐电路的等效电路图；

图6为现有的双波段调谐器的结构的电路图；

具体实施方式

首先，在图1中，采用天线线圈1以便对短波发送信号进行调谐，其包括作为第一线圈的初级线圈1a、与该初级线圈1a连接的次级线圈1b和第三线圈1c，初级线圈至第三线圈1a、1b、1c因卷绕于磁芯1d上而具有较大的电感。初级线圈1a的一端接地，其另一端与接收短波发送信号的天线2连接。此外，串联的第一变容二极管3和第二变容二极管4与次级线圈1b并联。第一变容二极管3和第二变容二极管4中的相应阴极相互连接，第一变容二极管3的阳极与次级线圈1b的一端连接，第二变容二极管4的阳极与次级线圈1b的另一端连接。

第一变容二极管3的电容量变化范围在50～700pF(picofarad)内，第二变容二极管4的电容量变化范围在10～60pF内，第一变容二极管3的最大电容值(700pF)大于第二变容二极管4的最大电容值(60pF)，另外，第一变容二极管3的最小电容值(50pF)大于第二变容二极管4的最小电容值(10pF)。

第一频率补偿用电容器5与第一变容二极管3并联，第二频率补偿用电容器6与第二变容二极管4并联。其结果是，作为第一调谐电路的天线调谐电路7由次级线圈1b、第一和第二变容二极管3、4、第一和第二频率补偿用电容器5、6构成。

另外，第一变容二极管3的阴极与第二变容二极管4的阴极通过直流阻止电容器8接地，并且通过供电电阻器9与控制电压施加端子10连接，天线调谐电路7中的调谐频率通过施加于控制电压施加端子10上的控制电压改变。另外，调谐到调谐频率的短波发送信号从第三线圈1c的输出端11输出，输入图中未示出的放大器。

此外，NPN型的第一晶体三极管12的集电极与第一变容二极管3的阳极和次级线圈1b之间的共同接点连接，第一晶体三极管12的发射级接地。另外，NPN型的第二晶体三极管13的集电极与第二变容二极管4的阳极和次级线圈1b之间的接点连接，该第二晶体三极管13的发射级接地。

采用振荡线圈21以便确定局部振荡频率。该振荡线圈21包括作为第二线圈的初级线圈21a以及与该初级线圈21a连接的次级线圈21b，该初级线圈21a和次级线圈21b因卷绕于磁芯21c上而具有较大的电感。另外，串联的第三变容二极管22与第四变容二极管23与初级线圈21a并联。第三变容二极管22的阴极与第四变容二极管23的阴极相互连接。

第三变容二极管22的电容变化范围基本在50～700pF(picofarad)，第四变容二极管23的电容变化范围基本在10～60pF。因此，第三变容二极管22的最大电容值(700pF)大于第四变容二极管23的最大电容值(60pF)，另外，第三变容二极管22的最小电容值(50pF)大于第四变容二极管23的最小电容值(10pF)。

第三频率补偿用电容器24与第三变容二极管22并联，第四频率补偿用电容器25与第四变容二极管23并联，另外，第三变容二极管22的阳极与初级线圈21a的一端连接，第四变容二极管23的阳极通过第五频率补偿电容器26与初级线圈21a的另一端连接。因此，作为确定振荡频率用的第二调谐电路的振荡调谐电路27由初级线圈21a、第三和第四变容二极管22、23、第三至第五频率补偿用电容器24、25、26构成。由于该第五频率补偿用电容器26的作用，振荡调谐电路27的调谐频率高于天线调谐电路7的调谐频率一定程度。

第三变容二极管22的阴极和第四变容二极管23的阴极，与第一变容二极管3的阴极和第二变容二极管4的阴极连接，并且通过供电电阻器9与控制电压施加端子10连接。这样，振荡调谐电路27的调谐频率通过施加于控制电压施加端子上的控制电压改变。振荡调谐电路27通过次级线圈21b与具有振荡晶体管(图中未示出)的晶体管电路28连接，其与该晶体管28共同构成局部振荡电路。

另外，第三变容二极管22的阳极通过电阻器29接地，第四变容二极管23的阳极也通过电阻器30接地。

再有，第三变容二极管22的阳极与NPN型的第三晶体三极管31的集电极连接，第三晶体三极管31的发射级接地，第四变容二极管23的阳极与NPN型的第四晶体三极管32的集电极连接，第四晶体三极管32的发射级接地。

此外，第三晶体三极管31的基极与第一晶体三极管12的基极相互连接，通过电阻器33与第一切换电压施加端子34连接，第二晶体三极管13的基极与第四晶体三极管32的基极相互连接，通过电阻器35与第二切换电压施加端子36连接。

在前述结构中，在接收短波发送信号中，频率较低的3.5～8MHz的范围内的低波段发送信号的情况下，低电平的切换电压施加于第一切换电压施加端子34上，高电平的切换电压施加于第二切换电压施加端子36上。于是，第一晶体三极管12和第三晶体三极管31处于截止状态，第二晶体三极管13和第四晶体三极管32处于导通状态。

其结果是，第二晶体三极管13使第二变容二极管4的两端发生高频短路，第四晶体三极管32也使第四变容二极管23的两端发生高频短路。

于是，如图2所示，天线调谐电路7由天线线圈1中的初级线圈1b、第一变容二极管3和第一频率补偿用电容器5构成，其调谐频率可借助施加于控制电压施加端子10上的控制电压，在3.5～8MHz的范围内变化。另外，第一变容二极管3的阳极借助导通的第二晶体三极管13，自动地接地。

另外，如图3所示，振荡调谐电路27由振荡线圈21中的初级线圈21a、第三变容二极管22、第三频率补偿用电容器24、第五频率补偿用电容器26构成，其调谐频率可借助施加于控制电压施加端子10上的控制电压，在4～8.5MHz的范围内变化。

在接收短波发送信号中，频率在较高的8～21MHz的范围内的高波段发送信号的情况下，高电平的切换电压施加于第一切换电压施加端子34上，低电平的切换电压施加于第二切换电压施加端子36上。于是，第一晶体三极管12与第三晶体三极管31处于导通状态，第二晶体三极管13和第四晶体三极管32处于截止状态。

其结果是，第一晶体三极管12使第一变容二极管3的两端发生高频短路，第三晶体三极管31使第三变容二极管22的两端也发生高频短路。另外，第二变容二极管4的阳极通过导通的第一晶体三极管12，自动地接地。

于是，如图4所示，天线调谐电路7由天线线圈1中的初级线圈1b、第二变容二极管4和第二频率补偿用电容器6构成，其调谐频率可通过施加于控制电压施加端子10上的控制电压，在8～21MHz的范围内变化。

另外，如图5所示，振荡调谐电路27由振荡线圈21中的初级线圈1a、第四变容二极管23、第四频率补偿用电容器25、第五频率补偿用电容器26构成，其调谐频率可通过施加于控制电压施加端子11上的控制电压，基本在8.5～21.5MHz的范围内变化。

还有，如果第一变容二极管3的相对施加于其阳极与阴极之间的控制电压的电容变化的特性，与第三变容二极管22的相对施加于其阳极与阴极之间的控制电压的电容变化的特性基本上相等，另外第二变容二极管4的相对施加于其阳极与阴极之间的控制电压的电容变化的特性，与第四变容二极管23的相对施加于阳极与阴极之间的控制电压的电容变化的特性基本相等，则容易获得接受低电平的发送信号或高电平的发送信号时天线调谐电路7的调谐频率与振荡调谐电路27的调谐频率之间的统调。在此情况下，如果按照第一变容二极管3与第三变容二极管22之间的阴极相互连接，作为双二极管，收纳于同一组件内的方式使用，同样，按照第二变容二极管4与第四变容二极管23之间的阴极相互连接，作为双二极管，收纳于同一组件的方式使用，则可使整体尺寸减小或使布线简化。

按照上述方式，由于本发明的双波段调谐器采用最大电容值、最小电容值不同的两个变容二极管，即使在采用共同的线圈的情况下，仍可使调谐频率的范围不同，这样可扩大整体的调谐频率范围。于是，可减少为了使共用的线圈的电感增加而在天线调谐电路等中所使用的天线线圈的数量，使整体尺寸减小，使成本降低。

按照上述方式，由于本发明的双波段调谐器具有包括第一线圈、第一变容二极管和第二变容二极管的第一调谐电路，第一变容二极管具有大于第二变容二极管的最大电容值的最大电容值，并且具有大于第二变容二极管的最小电容值的最小电容值，第一变容二极管或第二变容二极管中的一个与第一线圈并联，这样可扩大整体的调谐频率范围。于是，可减少为了使共用的线圈的电感增加而在天线调谐电路等中所使用的天线线圈的数量，使整体尺寸减小，使成本降低。

还有，由于本发明的双波段调谐器按照下述方式形成，该方式为：第一变容二极管与第二变容二极管串联，相串联的第一变容二极管和第二变容二极管与线圈并联，从而第一变容二极管的两端或第二变容二极管的两端短路，这样可根据波段的不同而很容易使调谐频率不同。

另外，由于本发明的双波段调谐器按照下述方式形成，该方式为：第一变容二极管的阴极与第二变容二极管的阴极之间相互连接，并且以高频的方式接地，设置有第一晶体三极管和第二晶体三极管，该第一晶体三极管的集电极与第一变容二极管的阳极连接，其发射极接地，该第二晶体三极管的集电极与第二变容二极管的阳极连接，其发射极接地，从而使第一晶体三极管或第二晶体三极管导通，这样第一变容二极管的两端通过第一晶体三极管而以高频方式短路，其结果是，第二变容二极管的阳极通过导通的第一晶体三极管，自动地接地。于是，无须将第二变容二极管的阴极接地的电阻器。同样，第二变容二极管的两端通过第二晶体三极管以高频方式短路，其结果是，第一变容二极管的阳极通过导通的第二晶体三极管，自动地接地。于是，无须将第一变容二极管的阴极接地的电阻器。

还有，由于本发明的双波段调谐器按照下述方式构成，该方式为：其包括具有局部振荡器、第二线圈、第三变容二极管与第四变容二极管的第二调谐电路，第一调谐电路由接受信号解调，并且按照第二调谐电路的调谐频率确定局部振荡器的振荡频率，以选择其一的方式使第一晶体三极管和第三晶体三极管，或第二晶体三极管和第四晶体三极管导通，这样可简单地，以同步方式在第一调谐电路的调谐频率与局部振荡器的振荡频率之间进行切换。

再有，由于本发明的双波段调谐器形成下述第一双二极管和第二双二极管，该第一双二极管收纳于同一组件中，并且具有下述特性，该特性指第一变容二极管与第三变容二极管相对施加于它们中的阳极和阴极之间的电压的电容的变化基本相同，前述第二双二极管收纳于同一组件中，并且具有下述特性，该特性指第二变容二极管与第四变容二极管相对施加于它们中的阳极和阴极之间的电压的电容的变化基本相同，这样容易获得接受低电平的发送信号或高电平的发送信号时天线调谐电路的调谐频率与振荡调谐电路的调谐频率之间的统调。还有，由于第一变容二极管与第三变容二极管收纳于同一组件中，第二变容二极管与第三变容二极管收纳于同一组件中，这样可使整体尺寸减小，使布线简化。

Claims (4)

1.一种双波段调谐器，其特征在于，具有包括第一线圈、第一变容二极管和第二变容二极管的第一调谐电路，前述第一变容二极管和第二变容二极管的电容值分别从最大电容值变化到最小电容值，第一变容二极管具有大于第二变容二极管的最大电容值的最大电容值，并且具有大于第二变容二极管的最小电容值的最小电容值，前述第一变容二极管与前述第二变容二极管串联再与前述第一线圈并联，根据接收信号频率范围的不同和电压的改变，使前述第一变容二极管或前述第二变容二极管的两端短路，第一变容二极管或第二变容二极管中的一个与第一线圈并联，至少前述第一变容二极管与第一线圈的最高调谐频率小于前述第二变容二极管与前述第一线圈的最高调谐频率，至少前述第一变容二极管与第一线圈的最小调谐频率小于第二变容二极管与第一线圈的最小调谐频率。

2.根据权利要求1所述的双波段调谐器，其特征在于，第一变容二极管的阴极与第二变容二极管的阴极之间相互连接，并且以高频的方式接地，设置有第一晶体三极管和第二晶体三极管，该第一晶体三极管的集电极与第一变容二极管的阳极连接，其发射极接地，该第二晶体三极管的集电极与第二变容二极管的阳极连接，其发射极接地，前述第一晶体三极管的基极与第一切换电压施加端子连接，前述第二晶体三极管的基极与第二切换电压施加端子连接，通过分别向前述第一切换电压施加端子和前述第二切换电压施加端子施加切换电压，从而使第一晶体三极管或第二晶体三极管处于导通状态。

3.根据权利要求2所述的双波段调谐器，其特征在于，具有包括局部振荡器、第二线圈、第三变容二极管与第四变容二极管的第二调谐电路，前述第三变容二极管和第四变容二极管的电容值分别从最大电容值变化到最小电容值，前述第三变容二极管具有大于第四变容二极管的最大电容值的最大电容值，具有大于第四变容二极管的最小电容值的最小电容值，前述第三变容二极管的阴极与第四变容二极管的阴极之间相互连接，并且以高频的方式接地，设置有第三晶体三极管和第四晶体三极管，该第三晶体三极管的集电极与第三变容二极管的阳极连接，其发射极接地，该第四晶体三极管的集电极与第四变容二极管的阳极连接，其发射极接地，前述第三晶体三极管的基极与前述第一切换电压施加端子连接，前述第四晶体三极管的基极与前述第二切换电压施加端子连接，通过将前述第一变容二极管与第二变容二极管的接点，以及前述第三变容二极管与第四变容二极管的接点，与控制电压施加端子连接，向控制电压施加端子施加控制电压，使前述第一调谐电路由接受信号解调，并且按照第二调谐电路的调谐频率确定局部振荡器的振荡频率，通过分别向前述第一切换电压施加端子和前述第二切换电压施加端子施加切换电压，从而以选择其一的方式使第一晶体三极管和第三晶体三极管，或第二晶体三极管和第四晶体三极管导通。

4.根据权利要求3所述的双波段调谐器，其特征在于，其形成下述第一双二极管和第二双二极管，该第一双二极管收纳于同一组件中，并且具有下述特性，该特性指第一变容二极管与第三变容二极管相对施加于它们中的阳极和阴极之间的电压的容量的变化基本相同，前述第二双二极管收纳于同一组件中，并且具有下述特性，该特性指第二变容二极管与第四变容二极管相对施加于它们中的阳极和阴极之间的电压的容量的变化基本相同。

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