CN113066741A - 一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺 - Google Patents

一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN113066741A
CN113066741A CN202110211308.0A CN202110211308A CN113066741A CN 113066741 A CN113066741 A CN 113066741A CN 202110211308 A CN202110211308 A CN 202110211308A CN 113066741 A CN113066741 A CN 113066741A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
driving motor
rotate
sliding block
block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202110211308.0A
Other languages
English (en)
Inventor
葛平平
刘杰
笪宏飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Green Energy Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Anhui Green Energy Technology Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Green Energy Technology Research Institute Co Ltd filed Critical Anhui Green Energy Technology Research Institute Co Ltd
Priority to CN202110211308.0A priority Critical patent/CN113066741A/zh
Publication of CN113066741A publication Critical patent/CN113066741A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08Etching
    • C30B33/10Etching in solutions or melts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺,该上料机构包括固定板,所述固定板上设有滑动块,所述滑动块内开设有第一凹槽,所述固定板与第一凹槽滑动连接,所述滑动块一端转动安装有转动轴,所述转动轴一端固定安装有第一齿轮,所述第一齿轮上固定安装有第二连杆,所述第二连杆的自由端转动安装有连接杆。本发明中,本装置通过自动上料机构完成去损失层、制绒、盐酸酸洗、氢氟酸酸洗和清洗等工艺流程,操作简单,不需要人工手动上料,提高了工作效率,增大了硅片的产量,避免人工手动上料失误导致硅片报废,降低硅片生产的报废率。

Description

一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺
技术领域
本发明涉及上料机构技术领域,尤其涉及一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺。
背景技术
硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗,清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物,并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构,制绒是制造晶硅电池的第一道工艺,又称表面织构化,有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射,增加了光的吸收,降低了反射率,有助于提高电池的性能。
现有的硅片在清洗制绒时是通过人工手动上料,通过将硅片放入清洗花篮内,再将清洗花篮依次放入不同的反应槽达到清洗制绒的目的,然而,首先,人工手动上料操作麻烦,步骤繁琐,降低了工作的效率,其次,人工手动上料步骤繁琐,容易失误跳过一些步骤,提高硅片生产的报废率。
发明内容
为了解决上述背景技术中所提到的技术问题,而提出的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,包括固定板,所述固定板上设有滑动块,所述滑动块内开设有第一凹槽,所述固定板与第一凹槽滑动连接,所述滑动块一端转动安装有转动轴,所述转动轴一端固定安装有第一齿轮,所述第一齿轮上固定安装有第二连杆,所述第二连杆的自由端转动安装有连接杆;
所述固定板的一侧固定安装有固定块,所述固定块一端固定安装有固定轴,所述固定轴上转动安装有第一连杆,所述第一连杆的自由端与连接杆的自由端转动安装,所述滑动块上设有驱动第一齿轮转动的第一驱动机构;
所述滑动块上方设有在竖直方向上运动的运动块,所述运动块内开设有第二凹槽,所述滑动块上方转动安装有转动盘,所述转动盘上固定连接有在第二凹槽中滑动的偏心杆,所述运动块底部固定连接有穿过滑动块的升降杆,所述升降杆的底部固定连接有安装块,所述安装块的底部安装有清洗花篮,所述滑动块上设有驱动转动盘转动的第二驱动机构;
所述第一凹槽内固定安装有光发射器,所述固定板上固定安装有第一光接收器、第二光接收器、第三光接收器、第四光接收器和第五光接收器。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述偏心杆焊接在转动盘上。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述第一驱动机构包括第一驱动电机,所述滑动块一侧固定安装有第一驱动电机,所述第一驱动电机的输出轴上传动连接有第二齿轮,所述第二齿轮与第一齿轮啮合连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述第二驱动机构包括第二驱动电机,所述滑动块上固定安装有第二驱动电机,所述第二驱动电机的输出轴与转动盘传动连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述清洗花篮的顶部固定安装有安装架,所述安装架内开设有安装槽和定位孔,所述安装块插入安装槽,所述安装块内开设有运动槽,所述运动槽内滑动连接有插入定位孔的定位杆,所述定位杆的一端为斜形,所述安装块内设有驱动定位杆插入定位孔的第三驱动机构。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述第二驱动电机通过螺栓固定安装在滑动块上。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述第三驱动机构包括螺杆,所述安装块上螺纹旋合连接有螺杆,所述螺杆的底部转动安装有锥形块,所述螺杆转动不驱动锥形块转动,所述锥形块的两侧与定位杆的斜型面滑动连接,所述定位杆上固定连接有限位块,所述限位块与运动槽一端通过弹簧弹性连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述螺杆的一端固定连接有凸台。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述凸台的外表壁加工有防滑纹。
作为上述技术方案的进一步描述:
一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的生产工艺,包括以下步骤:
S1、将硅片放入清洗花篮内,手动移动清洗花篮使安装块插入安装槽,顺时针转动凸台,带动螺杆顺时针转动,根据螺纹传动原理,驱动锥形块运动挤压定位杆插入定位孔,将清洗花篮固定在安装块上;
S2、启动第一驱动电机转动,带动第二齿轮转动,根据卡齿的啮合传动原理,驱动第一齿轮转动,带动第二连杆转动,通过第二连杆、连接杆和第一连杆之间的联动,驱动滑动块在固定板上作往复运动,当滑动块上的光发射器移动至第一光接收器处时,第一驱动电机停止转动,滑动块被限制移动,清洗花篮在清洗槽的正上方;
S3、启动第二驱动电机正转,带动转动盘正转,偏心杆在第二凹槽内滑动,驱动运动块和升降杆向下运动,清洗花篮落入清洗槽中,清洗槽内喷出清水将清洗花篮内的硅片清洗干净,启动第二驱动电机反转,清洗花篮向上运动离开清洗槽;
S4、启动第一驱动电机转动,当滑动块上的光发射器移动至第二光接收器处时,第一驱动电机停止转动,滑动块被限制移动,清洗花篮在第一反应槽的正上方;
S5、启动第二驱动电机正转,驱动清洗花篮向下运动落入第一反应槽中,清洗花篮内的硅片与第一反应槽内温度为80℃的KOH溶液反应3分钟,去除硅片表面的机械损伤,反应3分钟后,启动第二驱动电机反转,清洗花篮向上运动离开第一反应槽,执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S6;
S6、启动第一驱动电机转动,当滑动块上的光发射器移动至第三光接收器处时,第一驱动电机停止转动,滑动块被限制移动,清洗花篮在第二反应槽的正上方;
S7、启动第二驱动电机正转,驱动清洗花篮向下运动落入第二反应槽中,清洗花篮内的硅片与第二反应槽内温度为80℃的制绒液反应23分钟,在硅片表面形成金字塔陷光结构,完成绒面织构化,反应23分钟后,启动第二驱动电机反转,清洗花篮向上运动离开第二反应槽,执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S8;
S8、启动第一驱动电机转动,当滑动块上的光发射器移动至第四光接收器处时,第一驱动电机停止转动,滑动块被限制移动,清洗花篮在第三反应槽的正上方;
S9、启动第二驱动电机正转,驱动清洗花篮向下运动落入第三反应槽中,清洗花篮内的硅片与第三反应槽内的稀盐酸溶液反应10分钟,去除硅片表面的金属杂质,反应10分钟后,启动第二驱动电机反转,清洗花篮向上运动离开第三反应槽,执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S10;
S10、启动第一驱动电机转动,当滑动块上的光发射器移动至第五光接收器处时,第一驱动电机停止转动,滑动块被限制移动,清洗花篮在第四反应槽的正上方;
S11、启动第二驱动电机正转,驱动清洗花篮向下运动落入第四反应槽中,清洗花篮内的硅片与第四反应槽内的氢氟酸溶液反应2分钟,去除硅片表面的磷硅玻璃,将硅片表面特性由亲水改为疏水,提高硅片表面的抗沾污能力,反应2分钟后,启动第二驱动电机反转,清洗花篮向上运动离开第四反应槽,执行步骤S2和S3对硅片清洗。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
1、本发明中,本装置通过自动上料机构完成去损失层、制绒、盐酸酸洗、氢氟酸酸洗和清洗等工艺流程,操作简单,不需要人工手动上料,提高了工作效率,增大了硅片的产量。
2、本发明中,本装置通过自动上料机构完成去损失层、制绒、盐酸酸洗、氢氟酸酸洗和清洗等工艺流程,操作简单,不需要人工手动上料,避免人工手动上料失误导致硅片报废,降低硅片生产的报废率。
3、本发明中,顺时针转动凸台,带动螺杆顺时针转动,根据螺纹传动原理,驱动锥形块运动挤压定位杆插入定位孔,将清洗花篮固定在安装块上,同理,逆时针转动凸台,驱动定位杆离开定位孔,将清洗花篮从安装块上拆下,操作简单,便于清洗花篮的拆卸。
附图说明
图1示出了根据本发明实施例提供的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的第一轴侧示意图;
图2示出了根据本发明实施例提供的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的第二轴侧示意图;
图3示出了根据本发明实施例提供的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的清洗花篮结构示意图;
图4示出了根据本发明实施例提供的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的局部剖视示意图;
图5示出了根据本发明实施例提供的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的工作台俯视示意图。
图例说明:
1、固定块;2、固定轴;3、第一连杆;4、连接杆;5、第二连杆;6、转动轴;7、第一齿轮;8、第二齿轮;9、第一驱动电机;10、滑动块;1001、第一凹槽;11、固定板;12、第二驱动电机;13、转动盘;14、偏心杆;15、运动块;1501、第二凹槽;16、升降杆;17、光发射器;18、第一光接收器;19、第二光接收器;20、第三光接收器;21、第四光接收器;22、第五光接收器;23、安装块;2301、运动槽;24、清洗花篮;25、安装架;2501、安装槽;2502、定位孔;26、凸台;27、螺杆;28、锥形块;29、定位杆;30、弹簧;31、限位块;32、工作台;33、清洗槽;34、第一反应槽;35、第二反应槽;36、第三反应槽;37、第四反应槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例
请参阅图1-5,本发明提供一种技术方案:一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,包括固定板11,固定板11上设有滑动块10,滑动块10内开设有第一凹槽1001,固定板11与第一凹槽1001滑动连接,滑动块10一端转动安装有转动轴6,转动轴6一端固定安装有第一齿轮7,第一齿轮7上固定安装有第二连杆5,第二连杆5的自由端转动安装有连接杆4;固定板11的一侧固定安装有固定块1,固定块1一端固定安装有固定轴2,固定轴2上转动安装有第一连杆3,第一连杆3的自由端与连接杆4的自由端转动安装,滑动块10上设有驱动第一齿轮7转动的第一驱动机构;滑动块10上方设有在竖直方向上运动的运动块15,运动块15内开设有第二凹槽1501,滑动块10上方转动安装有转动盘13,转动盘13上固定连接有在第二凹槽1501中滑动的偏心杆14,运动块15底部固定连接有穿过滑动块10的升降杆16,升降杆16的底部固定连接有安装块23,安装块23的底部安装有清洗花篮24,滑动块10上设有驱动转动盘13转动的第二驱动机构;第一凹槽1001内固定安装有光发射器17,固定板11上固定安装有第一光接收器18、第二光接收器19、第三光接收器20、第四光接收器21和第五光接收器22,偏心杆14焊接在转动盘13上,第一驱动机构包括第一驱动电机9,滑动块10一侧固定安装有第一驱动电机9,第一驱动电机9的输出轴上传动连接有第二齿轮8,第二齿轮8与第一齿轮7啮合连接,第二驱动机构包括第二驱动电机12,滑动块10上固定安装有第二驱动电机12,第二驱动电机12的输出轴与转动盘13传动连接,清洗花篮24的顶部固定安装有安装架25,安装架25内开设有安装槽2501和定位孔2502,安装块23插入安装槽2501,安装块23内开设有运动槽2301,运动槽2301内滑动连接有插入定位孔2502的定位杆29,定位杆29的一端为斜形,安装块23内设有驱动定位杆29插入定位孔2502的第三驱动机构,第二驱动电机12通过螺栓固定安装在滑动块10上,第三驱动机构包括螺杆27,安装块23上螺纹旋合连接有螺杆27,螺杆27的底部转动安装有锥形块28,螺杆27转动不驱动锥形块28转动,锥形块28的两侧与定位杆29的斜型面滑动连接,定位杆29上固定连接有限位块31,限位块31与运动槽2301一端通过弹簧30弹性连接,螺杆27的一端固定连接有凸台26,凸台26的外表壁加工有防滑纹,顺时针转动凸台26,带动螺杆27顺时针转动,根据螺纹传动原理,驱动锥形块28运动挤压定位杆29插入定位孔2502,将清洗花篮24固定在安装块23上,同理,逆时针转动凸台26,驱动定位杆29离开定位孔2502,将清洗花篮24从安装块23上拆下,操作简单,便于清洗花篮24的拆卸,本装置通过自动上料机构完成去损失层、制绒、盐酸酸洗、氢氟酸酸洗和清洗等工艺流程,操作简单,不需要人工手动上料,提高了工作效率,增大了硅片的产量,避免人工手动上料失误导致硅片报废,降低硅片生产的报废率,节约了人力成本。
请参阅图1-5,一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的生产工艺,包括以下步骤:
S1、将硅片放入清洗花篮24内,手动移动清洗花篮24使安装块23插入安装槽2501,顺时针转动凸台26,带动螺杆27顺时针转动,根据螺纹传动原理,驱动锥形块28运动挤压定位杆29插入定位孔2502,将清洗花篮24固定在安装块23上;
S2、启动第一驱动电机9转动,带动第二齿轮8转动,根据卡齿的啮合传动原理,驱动第一齿轮7转动,带动第二连杆5转动,通过第二连杆5、连接杆4和第一连杆3之间的联动,驱动滑动块10在固定板11上作往复运动,当滑动块10上的光发射器17移动至第一光接收器18处时,第一驱动电机9停止转动,滑动块10被限制移动,清洗花篮24在清洗槽33的正上方;
S3、启动第二驱动电机12正转,带动转动盘13正转,偏心杆14在第二凹槽1501内滑动,驱动运动块15和升降杆16向下运动,清洗花篮24落入清洗槽33中,清洗槽33内喷出清水将清洗花篮24内的硅片清洗干净,启动第二驱动电机12反转,清洗花篮24向上运动离开清洗槽33;
S4、启动第一驱动电机9转动,当滑动块10上的光发射器17移动至第二光接收器19处时,第一驱动电机9停止转动,滑动块10被限制移动,清洗花篮24在第一反应槽34的正上方;
S5、启动第二驱动电机12正转,驱动清洗花篮24向下运动落入第一反应槽34中,清洗花篮24内的硅片与第一反应槽34内温度为80℃的KOH溶液反应3分钟,去除硅片表面的机械损伤,反应3分钟后,启动第二驱动电机12反转,清洗花篮24向上运动离开第一反应槽34,执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S6;
S6、启动第一驱动电机9转动,当滑动块10上的光发射器17移动至第三光接收器20处时,第一驱动电机9停止转动,滑动块10被限制移动,清洗花篮24在第二反应槽35的正上方;
S7、启动第二驱动电机12正转,驱动清洗花篮24向下运动落入第二反应槽35中,清洗花篮24内的硅片与第二反应槽35内温度为80℃的制绒液反应23分钟,在硅片表面形成金字塔陷光结构,完成绒面织构化,反应23分钟后,启动第二驱动电机12反转,清洗花篮24向上运动离开第二反应槽35,执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S8;
S8、启动第一驱动电机9转动,当滑动块10上的光发射器17移动至第四光接收器21处时,第一驱动电机9停止转动,滑动块10被限制移动,清洗花篮24在第三反应槽36的正上方;
S9、启动第二驱动电机12正转,驱动清洗花篮24向下运动落入第三反应槽36中,清洗花篮24内的硅片与第三反应槽36内的稀盐酸溶液反应10分钟,去除硅片表面的金属杂质,反应10分钟后,启动第二驱动电机12反转,清洗花篮24向上运动离开第三反应槽36,执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S10;
S10、启动第一驱动电机9转动,当滑动块10上的光发射器17移动至第五光接收器22处时,第一驱动电机9停止转动,滑动块10被限制移动,清洗花篮24在第四反应槽37的正上方;
S11、启动第二驱动电机12正转,驱动清洗花篮24向下运动落入第四反应槽37中,清洗花篮24内的硅片与第四反应槽37内的氢氟酸溶液反应2分钟,去除硅片表面的磷硅玻璃,将硅片表面特性由亲水改为疏水,提高硅片表面的抗沾污能力,反应2分钟后,启动第二驱动电机12反转,清洗花篮24向上运动离开第四反应槽37,执行步骤S2和S3对硅片清洗。
工作原理:使用时,本装置通过自动上料机构完成去损失层、制绒、盐酸酸洗、氢氟酸酸洗和清洗等工艺流程,操作简单,不需要人工手动上料,提高了工作效率,增大了硅片的产量,避免人工手动上料失误导致硅片报废,降低硅片生产的报废率,节约了人力成本。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,包括固定板(11),其特征在于,所述固定板(11)上设有滑动块(10),所述滑动块(10)内开设有第一凹槽(1001),所述固定板(11)与第一凹槽(1001)滑动连接,所述滑动块(10)一端转动安装有转动轴(6),所述转动轴(6)一端固定安装有第一齿轮(7),所述第一齿轮(7)上固定安装有第二连杆(5),所述第二连杆(5)的自由端转动安装有连接杆(4);
所述固定板(11)的一侧固定安装有固定块(1),所述固定块(1)一端固定安装有固定轴(2),所述固定轴(2)上转动安装有第一连杆(3),所述第一连杆(3)的自由端与连接杆(4)的自由端转动安装,所述滑动块(10)上设有驱动第一齿轮(7)转动的第一驱动机构;
所述滑动块(10)上方设有在竖直方向上运动的运动块(15),所述运动块(15)内开设有第二凹槽(1501),所述滑动块(10)上方转动安装有转动盘(13),所述转动盘(13)上固定连接有在第二凹槽(1501)中滑动的偏心杆(14),所述运动块(15)底部固定连接有穿过滑动块(10)的升降杆(16),所述升降杆(16)的底部固定连接有安装块(23),所述安装块(23)的底部安装有清洗花篮(24),所述滑动块(10)上设有驱动转动盘(13)转动的第二驱动机构;
所述第一凹槽(1001)内固定安装有光发射器(17),所述固定板(11)上固定安装有第一光接收器(18)、第二光接收器(19)、第三光接收器(20)、第四光接收器(21)和第五光接收器(22)。
2.根据权利要求1所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述偏心杆(14)焊接在转动盘(13)上。
3.根据权利要求2所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述第一驱动机构包括第一驱动电机(9),所述滑动块(10)一侧固定安装有第一驱动电机(9),所述第一驱动电机(9)的输出轴上传动连接有第二齿轮(8),所述第二齿轮(8)与第一齿轮(7)啮合连接。
4.根据权利要求3所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述第二驱动机构包括第二驱动电机(12),所述滑动块(10)上固定安装有第二驱动电机(12),所述第二驱动电机(12)的输出轴与转动盘(13)传动连接。
5.根据权利要求4所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述清洗花篮(24)的顶部固定安装有安装架(25),所述安装架(25)内开设有安装槽(2501)和定位孔(2502),所述安装块(23)插入安装槽(2501),所述安装块(23)内开设有运动槽(2301),所述运动槽(2301)内滑动连接有插入定位孔(2502)的定位杆(29),所述定位杆(29)的一端为斜形,所述安装块(23)内设有驱动定位杆(29)插入定位孔(2502)的第三驱动机构。
6.根据权利要求5所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述第二驱动电机(12)通过螺栓固定安装在滑动块(10)上。
7.根据权利要求6所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述第三驱动机构包括螺杆(27),所述安装块(23)上螺纹旋合连接有螺杆(27),所述螺杆(27)的底部转动安装有锥形块(28),所述螺杆(27)转动不驱动锥形块(28)转动,所述锥形块(28)的两侧与定位杆(29)的斜型面滑动连接,所述定位杆(29)上固定连接有限位块(31),所述限位块(31)与运动槽(2301)一端通过弹簧(30)弹性连接。
8.根据权利要求7所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述螺杆(27)的一端固定连接有凸台(26)。
9.根据权利要求8所述的一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构,其特征在于,所述凸台(26)的外表壁加工有防滑纹。
10.一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将硅片放入清洗花篮(24)内,手动移动清洗花篮(24)使安装块(23)插入安装槽(2501),顺时针转动凸台(26),带动螺杆(27)顺时针转动,根据螺纹传动原理,驱动锥形块(28)运动挤压定位杆(29)插入定位孔(2502),将清洗花篮(24)固定在安装块(23)上;
S2、启动第一驱动电机(9)转动,带动第二齿轮(8)转动,根据卡齿的啮合传动原理,驱动第一齿轮(7)转动,带动第二连杆(5)转动,通过第二连杆(5)、连接杆(4)和第一连杆(3)之间的联动,驱动滑动块(10)在固定板(11)上作往复运动,当滑动块(10)上的光发射器(17)移动至第一光接收器(18)处时,第一驱动电机(9)停止转动,滑动块(10)被限制移动,清洗花篮(24)在清洗槽(33)的正上方;
S3、启动第二驱动电机(12)正转,带动转动盘(13)正转,偏心杆(14)在第二凹槽(1501)内滑动,驱动运动块(15)和升降杆(16)向下运动,清洗花篮(24)落入清洗槽(33)中,清洗槽(33)内喷出清水将清洗花篮(24)内的硅片清洗干净,启动第二驱动电机(12)反转,清洗花篮(24)向上运动离开清洗槽(33);
S4、启动第一驱动电机(9)转动,当滑动块(10)上的光发射器(17)移动至第二光接收器(19)处时,第一驱动电机(9)停止转动,滑动块(10)被限制移动,清洗花篮(24)在第一反应槽(34)的正上方;
S5、启动第二驱动电机(12)正转,驱动清洗花篮(24)向下运动落入第一反应槽(34)中,清洗花篮(24)内的硅片与第一反应槽(34)内温度为80℃的KOH溶液反应3分钟,去除硅片表面的机械损伤,反应3分钟后,启动第二驱动电机(12)反转,清洗花篮(24)向上运动离开第一反应槽(34),执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S6;
S6、启动第一驱动电机(9)转动,当滑动块(10)上的光发射器(17)移动至第三光接收器(20)处时,第一驱动电机(9)停止转动,滑动块(10)被限制移动,清洗花篮(24)在第二反应槽(35)的正上方;
S7、启动第二驱动电机(12)正转,驱动清洗花篮(24)向下运动落入第二反应槽(35)中,清洗花篮(24)内的硅片与第二反应槽(35)内温度为80℃的制绒液反应23分钟,在硅片表面形成金字塔陷光结构,完成绒面织构化,反应23分钟后,启动第二驱动电机(12)反转,清洗花篮(24)向上运动离开第二反应槽(35),执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S8;
S8、启动第一驱动电机(9)转动,当滑动块(10)上的光发射器(17)移动至第四光接收器(21)处时,第一驱动电机(9)停止转动,滑动块(10)被限制移动,清洗花篮(24)在第三反应槽(36)的正上方;
S9、启动第二驱动电机(12)正转,驱动清洗花篮(24)向下运动落入第三反应槽(36)中,清洗花篮(24)内的硅片与第三反应槽(36)内的稀盐酸溶液反应10分钟,去除硅片表面的金属杂质,反应10分钟后,启动第二驱动电机(12)反转,清洗花篮(24)向上运动离开第三反应槽(36),执行步骤S2和S3对硅片清洗,清洗后执行步骤S10;
S10、启动第一驱动电机(9)转动,当滑动块(10)上的光发射器(17)移动至第五光接收器(22)处时,第一驱动电机(9)停止转动,滑动块(10)被限制移动,清洗花篮(24)在第四反应槽(37)的正上方;
S11、启动第二驱动电机(12)正转,驱动清洗花篮(24)向下运动落入第四反应槽(37)中,清洗花篮(24)内的硅片与第四反应槽(37)内的氢氟酸溶液反应2分钟,去除硅片表面的磷硅玻璃,将硅片表面特性由亲水改为疏水,提高硅片表面的抗沾污能力,反应2分钟后,启动第二驱动电机(12)反转,清洗花篮(24)向上运动离开第四反应槽(37),执行步骤S2和S3对硅片清洗。
CN202110211308.0A 2021-02-25 2021-02-25 一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺 Withdrawn CN113066741A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110211308.0A CN113066741A (zh) 2021-02-25 2021-02-25 一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110211308.0A CN113066741A (zh) 2021-02-25 2021-02-25 一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113066741A true CN113066741A (zh) 2021-07-02

Family

ID=76559151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110211308.0A Withdrawn CN113066741A (zh) 2021-02-25 2021-02-25 一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113066741A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113851558A (zh) * 2021-09-18 2021-12-28 江苏龙恒新能源有限公司 低表面反射率电池制绒装置
CN115415230A (zh) * 2022-08-26 2022-12-02 曲靖阳光新能源股份有限公司 一种用于清洗机的倾斜式慢提拉结构
CN117457804A (zh) * 2023-12-21 2024-01-26 阳光中科(福建)能源股份有限公司 一种太阳能电池片的硅片表面清洗装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113851558A (zh) * 2021-09-18 2021-12-28 江苏龙恒新能源有限公司 低表面反射率电池制绒装置
CN113851558B (zh) * 2021-09-18 2024-03-01 江苏龙恒新能源有限公司 低表面反射率电池制绒装置
CN115415230A (zh) * 2022-08-26 2022-12-02 曲靖阳光新能源股份有限公司 一种用于清洗机的倾斜式慢提拉结构
CN117457804A (zh) * 2023-12-21 2024-01-26 阳光中科(福建)能源股份有限公司 一种太阳能电池片的硅片表面清洗装置
CN117457804B (zh) * 2023-12-21 2024-03-22 阳光中科(福建)能源股份有限公司 一种太阳能电池片的硅片表面清洗装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113066741A (zh) 一种制造硅片用清洗制绒自动上料机构及其生产工艺
CN110215155A (zh) 一种玻璃外墙清洁装置
CN218499094U (zh) 一种带有清洁功能的太阳能光伏支架
CN113841257A (zh) 用于生产纹理化太阳能晶片的方法
CN117276132A (zh) 一种半导体晶圆全方位清洗机
CN112128399B (zh) 一种含管道疏通功能的水压监测水龙头
CN210386715U (zh) 一种多晶硅清洗装置
CN202038992U (zh) 石墨件腐蚀清洗机
CN218776295U (zh) 一种发动机罩总成加工打磨机构
CN212190272U (zh) 一种多晶硅片表面淋洗装置
WO2011094127A2 (en) Texturing and damage etch of silicon single crystal (100) substrates
CN214342165U (zh) 一种建筑玻璃幕墙清洁装置
CN114227485A (zh) 一种大尺寸硅片氧化掺杂用石英器件的成型加工及清洗装置
CN113823712A (zh) 电池片链式刻蚀碱背抛光装置
CN209461475U (zh) 一种防贴片的黑硅制绒装置
CN209035461U (zh) 一种自带夹紧装置的五金螺母加工用自动车床
CN218797559U (zh) 一种单晶硅片高效垂直清洗装置
CN212703555U (zh) 一种清洗烧杯的辅助装置
CN213026067U (zh) 一种制绒花篮的结构
CN113290005B (zh) 一种具有循环过滤功能的碱抛清洗设备及其使用方法
CN217451149U (zh) 一种硅片表面抛光用清洁装置
CN221087135U (zh) 一种螺栓体外螺纹自动滚丝机
CN220526664U (zh) 一种单绞机用覆膜装置
CN109841704A (zh) 一种防贴片的黑硅制绒装置
CN116564866B (zh) 一种半导体湿法刻蚀清洁装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20210702