CN113056844B

CN113056844B - 各向异性导电膜、连接构造体、连接构造体的制造方法

Info

Publication number: CN113056844B
Application number: CN201980079141.8A
Authority: CN
Inventors: 塚尾怜司
Original assignee: Dexerials Corp
Current assignee: Dexerials Corp
Priority date: 2018-12-14
Filing date: 2019-11-22
Publication date: 2023-04-28
Anticipated expiration: 2039-11-22
Also published as: CN113056844A; TW202029223A; WO2020121787A1; TWI814953B; JP2020095922A; KR20210082230A

Abstract

导电粒子P保持于绝缘性树脂层2的各向异性导电膜10A具有沿其短边方向排列有导电粒子P的第一排列轴A1和与第一排列轴A1并列地排列有导电粒子P的第二排列轴A2，它们以既定重复间距b并列。在将导电粒子P的平均粒径作为D的情况下，第一排列轴A1与第二排列轴A2的距离a为0.7D‑8D，第一排列轴A1和第二排列轴A2的重复间距b比1.5D更大。位于第一排列轴A1的导电粒子P1与位于第二排列轴A2的导电粒子P2的最接近的粒子的中心间距离d比2D更大，将使前述中心间距离d投影到各向异性导电膜的短边方向的情况下的投影图像的长度作为f时，第一排列轴A1中的导电粒子P的排列间距c1为2f以上，在相邻的第一排列轴A1和第二排列轴A2中，第一排列轴A1中的导电粒子P和第二排列轴A2中的导电粒子P在各向异性导电膜10A的长边方向上不重叠。

Description

各向异性导电膜、连接构造体、连接构造体的制造方法

技术领域

本发明涉及各向异性导电膜。

背景技术

在将IC芯片等电子部件封装于布线基板等时，广泛地使用使导电粒子分散至绝缘性树脂层的各向异性导电膜。在各向异性导电膜中，由于电子部件的高密度封装所伴随的端子的微小间距化，强烈要求提高端子中的导电粒子的捕获性且避免相邻的端子间的短路。

针对这样的要求而提出了如下的方案：将各向异性导电膜中的导电粒子的配置作为格子状排列，而且使该导电粒子的排列方向相对于各向异性导电膜的长边方向和短边方向双方倾斜（专利文献1）。

另外，已知：封装电子部件时的压接温度会变动，为了即使端子的位置由于该温度变动而偏移也可以可靠地进行电子部件的连接，使电子部件的端子以放射状并列（所谓的扇出布线）（专利文献2）。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利6119718号公报；

专利文献2：日本特开2015-232660号公报。

发明内容

发明要解决的课题

近年来，根据进一步微小间距化的要求，存在若具有连接的端子彼此的对准偏移则实际端子间间隔成为不到5μm的情况、或成为对各向异性导电膜所包含的导电粒子的粒径仅仅相加极小的余量（例如对于3μm左右的粒径而言1μm）的宽度的情况，但即使在那样的情况下各向异性导电膜也被要求不引起短路。作为抑制短路的发生的方法，考虑到当在各向异性导电膜中以格子状配置导电粒子时，扩大导电粒子彼此的中心间距离，但仅仅只是扩大导电粒子的中心间距离的情况下变得难以对应微小间距。

另外，在使用各向异性导电膜来连接扇出型端子列的情况下，各向异性导电膜的导电粒子只是以格子状配置时，在扇出型端子列中端子的排列方向与端子的长边方向构成的角度依次不同，因而即使该格子轴相对于膜长边方向倾斜，端子彼此中的导电粒子的捕获数的差也会变大，另外被端子捕获的导电粒子的配置状态在端子彼此间变得不同。因此，产生难以判定连接好坏等问题。

因此，本发明以提供如下的各向异性导电膜为课题：即使端子的排列图案成为放射状，另外即使在端子间间隔不到5μm或成为对各向异性导电膜所包含的导电粒径仅仅相加极小的余量（例如，对于3μm左右的粒径而言1μm）的宽度的情况下，也能够良好地进行各向异性导电连接。

用于解决课题的方案

本发明者发现如下内容而完成本发明：关于各向异性导电膜中的导电粒子的配置，在以端子间距划分各向异性导电膜的长边方向的情况下，在一个端子间距的范围内作为导电粒子的排列轴重复配置沿端子的长边方向伸展的第一排列轴A1和第二排列轴A2，在此情况下，使第一排列轴A1上的导电粒子P1与最接近该导电粒子的第二排列轴A2上的导电粒子P2的中心间距离d比导电粒子的平均粒径D的2倍更大，但如果使将该距离d投影到各向异性导电膜的短边方向的长度相对于第一排列轴A1中的导电粒子的排列间距c1而言足够小，使该导电粒子P1和导电粒子P2在各向异性导电膜的长边方向上不重叠，使由这些导电粒子形成的第三排列轴A3相对于第一排列轴A1倾斜，使第一排列轴A1与第二排列轴A2的重复间距b相对于导电粒子的平均粒径而言足够大，则在连接微小间距的端子列的情况下使重复间距b成为1/2端子间距以下，从而即使第一排列轴A1和第二排列轴A2的至少一方上的导电粒子被端子捕获也能够抑制短路的发生，另外，即使端子的排列图案是扇出型，也能够防止产生导电粒子的捕获数急剧地下降的端子。

即，本发明提供了一种各向异性导电膜，其是导电粒子保持于绝缘性树脂层的各向异性导电膜，其中，

具有沿各向异性导电膜的短边方向排列有导电粒子的第一排列轴和与第一排列轴并列地排列有导电粒子的第二排列轴以既定重复间距排列的粒子配置，

在将导电粒子的平均粒径作为D的情况下，

第一排列轴与第二排列轴的距离a为0.7D-8D，

第一排列轴和第二排列轴的重复间距b比1.5D更大，

位于第一排列轴的导电粒子P1与位于第二排列轴的导电粒子中的最接近前述导电粒子P1的导电粒子P2的中心间距离d比2D更大，

将使前述中心间距离d投影到各向异性导电膜的短边方向的情况下的投影图像的长度作为f时，第一排列轴中的导电粒子的排列间距c1为2f以上，

在相邻的第一排列轴和第二排列轴中，第一排列轴中的导电粒子和第二排列轴中的导电粒子在各向异性导电膜的长边方向上不重叠。

发明的效果

依据本发明，第一排列轴和第二排列轴都沿各向异性导电膜的短边方向以既定重复间距排列有导电粒子，而且在相邻的第一排列轴和第二排列轴中，第一排列轴中的导电粒子和第二排列轴中的导电粒子在各向异性导电膜的长边方向上不重叠，因而将第一排列轴和第二排列轴的重复间距b设定成在由各向异性导电膜连接的端子图案的端子宽度内优选存在第一排列轴和第二排列轴的至少一方，更优选存在双方，使第一排列轴中的导电粒子的排列方向与端子的长边方向一致，在一个端子内存在由第一排列轴所包含的导电粒子和第二排列轴所包含的导电粒子形成的与第一排列轴斜交的排列轴。由此，即使连接的端子图案是扇出型，也能够防止产生导电粒子的捕获数急剧地下降的端子。

另外，如果如上述地设定重复间距b，则即使端子图案是微小间距，也能够可靠地连接，在此情况下，由于第一排列轴的导电粒子和第二排列轴的导电粒子在各向异性导电膜的长边方向上不重叠，因而能够抑制短路的发生。

附图说明

图1A是说明实施例的各向异性导电膜10A中的导电粒子的配置的俯视图。

图1B是说明不同的实施例的各向异性导电膜中的导电粒子的配置的俯视图。

图1C是说明不同的实施例的各向异性导电膜中的导电粒子的配置的俯视图。

图2是实施例的各向异性导电膜10A的截面图。

图3是实施例的各向异性导电膜10B的截面图。

具体实施方式

以下，边参照附图边详细地说明本发明的各向异性导电膜。此外，在各图中，相同标号表示相同或同等的构成要素。

<各向异性导电膜的整体构成>

图1A是示出实施例的各向异性导电膜10A的导电粒子的配置的俯视图，图2是其X-X截面图。该各向异性导电膜10A具有如下的层结构：导电粒子P在绝缘性树脂层2的表面或其附近以单层配置，在其上层叠有低粘度树脂层3。此外，在本发明中，根据需要而设置低粘度树脂层3，也可以作为如图3所示的各向异性导电膜10B的截面图那样省略低粘度树脂层3的层结构。该各向异性导电膜10B的导电粒子P的平面配置能够设为与具有低粘度树脂层3的各向异性导电膜10A同样。也可以设置多个低粘度树脂层3，对于低粘度树脂层的层数或层结构没有特别限制。

关于本发明的各向异性导电膜10A、10B中的导电粒子P的平面配置，如后述那样，沿各向异性导电膜10A的短边方向排列有导电粒子P的第一排列轴A1和与第一排列轴A1并列地排列有导电粒子P的第二排列轴A2以重复间距b重复排列，位于第一排列轴A1的导电粒子P1与位于第二排列轴A2的导电粒子中的最接近前述导电粒子P1的导电粒子P2的中心间距离d比导电粒子P的平均粒径D的2倍更大，比重复间距b更小。另外，将使该中心间距离d投影到各向异性导电膜10A、10B的短边方向的情况下的投影图像的长度作为f时，第一排列轴A1中的导电粒子P1的排列间距c1是2f以上。导电粒子P1和导电粒子P2的各向异性导电膜10A、10B的长边方向的投影图像不重叠，由导电粒子P1和导电粒子P2形成的第三排列轴A3的方向相对于第一排列轴A1或第二排列轴A2倾斜。

<导电粒子>

･粒子材料

作为导电粒子P，列举镍、钴、银、铜、金、钯等金属粒子、焊锡等合金粒子、金属包覆树脂粒子、在表面附着有绝缘性微粒的金属包覆树脂粒子等。还能够并用2种以上。其中金属包覆树脂粒子被连接之后，树脂粒子反弹而变得容易维持与端子的接触，从导通性能稳定的方面来看是优选的。另外，对于导电粒子的表面，利用公知的技术以不给导通特性带来障碍的方式可以附着有绝缘性微粒，也可以以绝缘树脂涂覆。即，可以使用预先对导电粒子实施不给导通特性带来障碍的绝缘处理的导电粒子。

･平均粒径

为了抑制导通电阻的上升且抑制短路的发生，导电粒子P的平均粒径优选为1μm以上且30μm以下，更优选为2.5μm以上且不到10μm。分散至绝缘性树脂层之前的导电粒子的粒径能够由一般的粒度分布测定装置测定，另外，也能够使用粒度分布测定装置来求出平均粒径。作为测定装置，能够作为一个示例而列举FPIA-3000（马尔文（Malvern）公司）。各向异性导电膜中的导电粒子的粒径能够根据SEM等电子显微镜观察而求出。在此情况下，理想的是将测定导电粒径的样本数作为200以上，优选作为1000以上。

此外，作为导电粒子，在对导电粒子的表面实施绝缘处理的情况下，本发明中的导电粒子的粒径意味着除了该绝缘处理所导致的厚度以外的粒径。

<导电粒子的平面配置>

如图1A所示，导电粒子的平面配置成为第一排列轴A1和第二排列轴A2以重复间距b重复的配置。在本实施例中，第一排列轴A1和第二排列轴A2分别沿各向异性导电膜的短边方向以既定间距排列有导电粒子，但在本发明中，导电粒子沿各向异性导电膜的短边方向排列不限于导电粒子沿相对于各向异性导电膜的长边方向严格垂直的方向排列，而是指沿相对于各向异性导电膜的长边方向垂直的方向在±5°的范围内排列。

另外，在图1A所示的各向异性导电膜10A中，第一排列轴A1和第二排列轴A2的重复方向是各向异性导电膜10A的长边方向，但在本发明中，该重复方向不限于各向异性导电膜的长边方向。例如，如图1B所示，也可以使重复方向（A4的排列轴方向）相对于各向异性导电膜的长边方向倾斜。

另外，本发明的各向异性导电膜在将导电粒子P的平均粒径作为D的情况下具有以下的粒子配置。

首先，第一排列轴A1与第二排列轴A2的距离（轴间距离）a是0.7D-8D。将距离a作为8D以下，优选作为4D以下，从而能够将各向异性导电膜10A使用于微小间距的端子图案的连接。例如，在应当连接的端子20a、20b的排列图案的端子宽度L/端子间间隔S为10μm/10μm的情况下，应当连接的端子20a、20b存在5μm的对准偏移，由此即使这些端子20a、20b彼此重合的有效连接宽度L0是5μm，实际端子间间隔S0是5μm，也能够使用平均粒径D为4μm以下的导电粒子P来可靠地连接端子20a、20b。另一方面，从容易避免在连接时产生的树脂流动所导致的导电粒子的连结的方面来看，距离a优选作为0.7D以上。

第一排列轴A1和第二排列轴A2的重复间距b比1.5D更大，优选比2.5D更大。重复间距b的优选数值根据并列的第一排列轴A1中的相邻的第一排列轴A1彼此的导电粒子在各向异性导电膜的长边方向上有无重叠或重叠程度而不同，但例如应当连接的端子20a、20b为微小间距、且它们的实际端子间间隔成为不到5μm的情况下或在实际端子间间隔为对导电粒子P的平均粒径D相加1μm的程度的情况下（例如，导电粒子的平均粒径为3μm的情况下，端子间间隔为4μm左右的情况下），也能够通过使重复间距b比1.5D更大、优选比2.5D更大而防止在连接之后引起短路。另一方面，从导电粒子在应当连接的端子处可靠地被捕获的方面来看，重复间距b优选为20D以下、更优选为15D以下、进一步优选为10D以下。另外，在第一排列轴A1与第二排列轴A2的距离a比D更大的情况下，从同样地进行导电粒子的捕获的方面来看，优选将重复间距b作为2a±0.5D。

在具体地假设应当连接的端子间距的情况下，从可以可靠地进行连接的方面来看，将各向异性导电膜设计成在相当于1/2端子间距的膜长边方向的范围内优选包括相邻的2个排列轴A1、A2的至少一方，更优选包括相邻的2个排列轴A1、A2双方。另一方面，从抑制短路的方面来看，优选将重复间距b设定成在相当于1/2端子间距的膜长边方向的范围内不包括相邻的3个排列轴A1、A2、A1’或A2、A1’、A2’。也可以在相当于连接后的实际端子间间隔S0的宽度的膜长边方向的范围内包括1个排列轴A1或A2。

位于第一排列轴A1的导电粒子P1与位于第二排列轴A2的导电粒子中的最接近前述导电粒子P1的导电粒子P2的中心间距离d，比第一排列轴A1与第二排列轴A2的距离a更大、且比2D更大。如果使由第一排列轴A1和第二排列轴A2的导电粒子形成的第三排列轴A3和由与这些第一排列轴A1、第二排列轴A2邻接的第一排列轴A1’和第二排列轴A2’的导电粒子形成的第三排列轴A3位于相同直线上，则导电粒子的配置的设计变得容易，因而优选。在此情况下，中心间距离d能够视为第三排列轴A3中的粒子间距。将使中心间距离d投影到各向异性导电膜的短边方向情况下的投影图像的长度作为f时，f为第一排列轴A1中的导电粒子的排列间距c1的1/2以下（换而言之，间距c1为2f以上），第三排列轴A3相对于第一排列轴A1倾斜，由此即使应当由各向异性导电膜连接的端子的有效连接宽度窄至4μm左右，而且应当连接的端子图案是扇出型，也能够通过端子的倾斜角来防止产生导电粒子的捕获数极端地下降的端子。在此，优选将第三排列轴A3与第一排列轴A1构成的角度α作为0<α≦45°。

另外，通过使距离d比2D更大，变得难以在连接时引起在端子间间隔产生的树脂流动而导致的导电粒子彼此的不需要的接触。此外，距离d更优选比重复间距b更小。因为，预料到这样的情况：由于重复间距b成为端子排列方向的粒子中心间距离，因而通过使距离d比端子排列方向的粒子中心间距离更短，变得容易在各向异性导电连接时捕获导电粒子。由此，也变得更容易适合于扇出型端子图案。

第一排列轴A1中的导电粒子P的排列间距c1作为上述的长度f的2倍以上。由此，由于在端子间间隔的长边方向上得到足够的粒子间距离，因而由此也变得难以引起由于上述的树脂流动而导致的粒子彼此的接触。

另一方面，第二排列轴A2中的导电粒子P2的排列间距c2可以与第一排列轴A1中的导电粒子P1的排列间距c1相同，也可以不同，例如，如图1C所示，能够将排列间距c2作为排列间距c1的2倍。在使排列间距c2与排列间距c1不同的情况下，优选将排列间距c2作为排列间距c1的整数倍。

在图1A所示的各向异性导电膜中，相邻的第一和第二排列轴A1、A2中的导电粒子P1、P2在各向异性导电膜10A的长边方向上不重叠。换而言之，在将这些导电粒子沿各向异性导电膜的长边方向投影的情况下，这些投影图像P1_x、P2_x不重叠。由此，即使在所连接的端子图案为微小间距的情况下，根据端子间距而缩窄第一排列轴和第二排列轴的重复间距b，在连接时第一排列轴A1和第二排列轴A2有时位于端子间间隔，也能够抑制导电粒子P1、P2的连结，因而能够抑制短路的发生。为了更可靠地防止短路的发生，如图1B所示，在相邻的3个排列轴（A1A2A1’，或A2A1’A2’）中，特别优选任意导电粒子P在各向异性导电膜10A的长边方向上都不重叠。

另一方面，即使在连接之后的实际端子间间隔中2个导电粒子互相接触，只要间隔残存于那些导电粒子与在端子宽度方向上夹着那些导电粒子的端子之间，也不发生短路。只要能够确保这样的间隔的残存，相邻的3个以上的排列轴的导电粒子就不一定必须在各向异性导电膜的长边方向上不重叠。

此外，与上述的距离a、重复间距b、距离d、排列间距c1有关的必要条件或第一排列轴A1中的导电粒子P1和第二排列轴A2中的导电粒子P2在各向异性导电膜10A的长边方向上不重叠这一必要条件也能够通过使正方格子或长方格子的格子轴相对于各向异性导电膜的长边方向倾斜而得到。在此情况下，将正方格子的格子间距离和导电粒子的平均粒径调整成满足上述的必要条件。

･个数密度

在图1A-图1C的任一个粒子配置中，在本发明的各向异性导电膜中，也能够根据所连接的电子部件的端子的形状、大小、排列间距等而设定导电粒子的个数密度。通常，导电粒子的个数密度为30个/mm²以上即可，优选为150-70000个/mm²。特别在微小间距用途的情况下，优选为6000-42000个/mm²，更优选为10000-40000个/mm²，进一步更优选为15000-35000个/mm²。另外，在导电粒子的粒径为10μm以上的情况下，导电粒子的个数密度优选为30-6000个/mm²。

另外，关于导电粒子的个数密度，从降低导通电阻的方面来看，优选将利用下式算出的导电粒子的面积占有率作为0.3%以上。另一方面，从抑制在连接时推压夹具所必需的推力的方面来看，优选将该面积占有率作为35%以下，更优选作为30%以下。

导电粒子的面积占有率(%)=[俯视下的导电粒子的个数密度(个/mm²)]×[1个导电粒子的俯视面积的平均(μm²)×10^-6]×100

导电粒子的个数密度除了使用金属显微镜观察而求出以外，也可以通过图像分析软件（例如，WinROOF、三谷商事株式会社等）计量观察图像而求出。

<导电粒子的膜厚方向的位置>

导电粒子P的膜厚方向的位置优选对齐。例如，如图2所示，能够使导电粒子P的膜厚方向的埋入量Lb对齐。由此，端子中的导电粒子P的捕获性容易稳定。此外，在本发明中，即使导电粒子P从绝缘性树脂层2露出，也可以完全地被埋入。

在此，埋入量Lb是指邻接的导电粒子间的中央部中的切平面2p与导电粒子P的最深部的距离，邻接的导电粒子间的中央部中的切平面2p是埋入有导电粒子P的绝缘性树脂层2的表面（绝缘性树脂层2的表面和背面中的、导电粒子P露出的一侧的表面或在导电粒子P完全地被埋入至绝缘性树脂层2的情况下与导电粒子P的距离近的表面）。

･埋入率

在将埋入量Lb相对于导电粒子P的平均粒径D的比例作为埋入率（Lb/D）的情况下（图3），埋入率优选为30%以上且105%以下。通过将埋入率（Lb/D）作为30%以上，通过绝缘性树脂层将导电粒子P维持于既定位置，另外，通过作为105%以下，能够减少以各向异性导电连接时使端子间的导电粒子无用地流动的方式起作用的绝缘性树脂层的树脂量。

<绝缘性树脂层>

在本发明中，绝缘性树脂层2与日本专利6187665号公报所记载的各向异性导电膜的绝缘性树脂层同样地能够使用由聚合性化合物和聚合引发剂形成的固化性树脂组合物来形成。在此情况下，作为聚合引发剂，也可以使用热聚合引发剂，也可以使用光聚合引发剂，也可以将它们并用。例如，将阳离子类聚合引发剂用作热聚合引发剂，将环氧树脂用作热聚合性化合物，将光自由基聚合引发剂用作光聚合引发剂，将丙烯酸酯化合物用作光聚合性化合物。也可以将热阴离子聚合引发剂用作热聚合引发剂。作为热阴离子聚合引发剂，优选使用以咪唑改性体为核心来以聚氨酯覆盖其表面而成的微胶囊型潜伏性固化剂。

<绝缘性树脂层的最低溶融粘度>

绝缘性树脂层2的最低溶融粘度无特别限制，但在使用各向异性导电膜的电子部件的连接中的热压接中，为了抑制导电粒子P的无用的流动，优选为1500Pa･s以上，更优选为2000Pa･s以上，进一步优选为3000-15000Pa･s，特别优选为3000-10000Pa･s。该最低溶融粘度作为一个示例而能够使用旋转式流变仪（TA instruments（TA仪器）公司制）以测定压力5g保持恒定并使用直径8mm的测定板来求出，更具体而言，能够通过在温度范围30-200℃内作为升温速度10℃/分钟、测定频率10Hz、对前述测定板的负荷变动5g而求出。此外，能够通过作为溶融粘度调整剂而含有的微小固态物质的种类或配合量、树脂组合物的调整条件的变更等而进行最低溶融粘度的调整。

<低粘度树脂层>

低粘度树脂层3是30-200℃的范围的最低溶融粘度比绝缘性树脂层2更低的树脂层。在本发明中，低粘度树脂层3根据需要而设置，但在通过将低粘度树脂层3层叠于绝缘性树脂层2而对经由各向异性导电膜10A对置的电子部件进行热压接的情况下，能够以低粘度树脂层3填充由电子部件的电极或凸块形成的空间而使电子部件彼此的粘接性提高。

另外，越是存在绝缘性树脂层2的最低溶融粘度与低粘度树脂层3的最低溶融粘度的差，越是以低粘度树脂层3填充经由各向异性导电膜10A连接的电子部件之间的空间，电子部件彼此的粘接性容易提高。另外，越是存在该差，在保持导电粒子P的绝缘性树脂层2的热压接时的移动量越是相对于低粘度树脂层3相对地变小，因而端子中的导电粒子P的捕获性容易提高。

<绝缘性树脂层和低粘度树脂层的层厚>

为了在后述的各向异性导电膜的制造工序中将导电粒子P向绝缘性树脂层2稳定地压入，绝缘性树脂层2的层厚相对于导电粒子P的平均粒径D优选为0.3倍以上，更优选为0.6倍以上，进一步优选为0.8倍以上，特别优选为1倍以上。另外，对于绝缘性树脂层2的层厚的上限，能够根据连接的电子部件的端子形状、端子厚度、排列间距等而设定，但如果层厚过度变厚，则在连接时导电粒子P变得容易无用地受到树脂流动的影响，因而优选为导电粒子P的平均粒径D的 20倍以下，更优选为15倍以下。

低粘度树脂层3在本发明中根据需要而设置，但在设置低粘度树脂层的情况下，作为其层厚的下限，导电粒子P的平均粒径D优选为0.2倍以上，更优选为1倍以上。另外，对于低粘度树脂层3的层厚的上限，如果过度变厚则与绝缘性树脂层2的层叠的困难性提高，因而优选为导电粒子P的平均粒径D 的50倍以下，更优选为15倍以下，进一步优选为8倍以下。

另外，从抑制连接电子部件时导电粒子P的无用的流动方面、抑制将各向异性导电膜作为卷绕体的情况下的树脂的挤出或阻塞方面、延长各向异性导电膜的单位重量的膜长方面等来看，绝缘性树脂层2与低粘度树脂层3的总厚度较薄为优选。可是，如果过度变薄，则各向异性导电膜的处理性差。另外，变得难以将各向异性导电膜贴附于电子部件，有可能在连接电子部件时的临时压接中无法得到必需的粘附力，有可能在正式压接中由于树脂量不足也无法得到必需的粘接力。因此，总厚度相对于导电粒子P的平均粒径D优选为0.6倍以上，更优选为0.8倍以上，进一步优选为1倍以上，特别优选为1.2倍以上。

另一方面，对于绝缘性树脂层和低粘度树脂层的总厚度的上限，如果总厚度过度变厚，则将各向异性导电膜热压接于电子部件时导电粒子P变得容易无用地受到树脂流动的影响，另外，在从粘度调整等方面来看而在这些树脂层中包含填料的情况下，填料的绝对量变多，由此电子部件的热压接有可能被阻碍，因而树脂层的总厚度优选为导电粒子P的平均粒径D的 50倍以下，更优选为15倍以下，进一步优选为8倍以下。特别从对应所连接的电子部件中的凸块的低背化方面来看，优选减薄树脂层的总厚度。因此，对于树脂层的总厚度的下限，优选为导电粒径的0.6倍以上，更优选为0.8倍以上，进一步优选为1倍以上。另外，对于上限，在热压接时压入工具所必需的推力会过度变高，因而优选为导电粒子P的平均粒径D的4倍以下，更优选为3倍以下，进一步优选为2倍以下，进一步更优选为1.8倍以下，特别为1.5倍以下。对于绝缘性树脂层2与低粘度树脂层3的厚度的比率，能够根据导电粒子P的平均粒径D与凸块高度或所求出的粘接力等的关系而适当调整。

<各向异性导电膜的卷绕体>

本发明的各向异性导电膜在其制品形态下能够作为卷绕体。对卷绕体的长度无特别限制，但从出货物的处理性方面来看，优选为5000m以下，更优选为1000m以下，进一步优选为500m以下。另一方面，从卷绕体的批量生产性方面来看，优选为5m以上。

卷绕体可以是将比其全长更短的各向异性导电膜进行连结的卷绕体。连结部位能够有规律或随机地存在于多处。

对卷绕体中的膜宽无特别限制，但从使宽度较大的各向异性导电膜具有狭缝而制造卷绕体的情况下的狭缝宽度的下限方面来看，优选将膜宽作为0.3mm以上，从使狭缝宽度稳定方面来看，更优选作为0.5mm以上。对膜宽的上限无特别限制，但从搬运或处理的观点来看，优选为700mm以下，更优选为600mm以下。从各向异性导电膜的实用的处理性方面来看，优选在0.3-400mm之间选择膜宽。即，各向异性导电膜在用于所连接的电子部件的端子的情况下，膜宽大多成为几mm的程度以下，在按其原样贴附于较大的电子部件（共面地设置有电极布线和封装部的基板或切削前的晶圆等）而使用的情况下，有时候必需为400mm左右的膜宽。一般而言，各向异性导电膜的膜宽大多以0.5-5mm使用。

<各向异性导电膜的制造方法>

对本发明的各向异性导电膜的制造方法本身无特别限定，例如制造用于以既定排列配置导电粒子的转印模具，将导电粒子填充至转印模具的凹部，将形成于剥离膜上的绝缘性树脂层覆盖于转印模具上而施加压力，将导电粒子压入至绝缘性树脂层，由此使导电粒子转附至绝缘性树脂层或进一步将低粘度树脂层层叠于该导电粒子上，从而制造各向异性导电膜。

另外，也可以在将导电粒子填充至转印模具的凹部之后，将绝缘性树脂层覆盖于转印模具上，使导电粒子从转印模具转印至绝缘性树脂层的表面，将绝缘性树脂层上的导电粒子压入至绝缘性树脂层内，由此制造各向异性导电膜。

此外，作为转印模具，除了将导电粒子填充至凹部的转印模具以外，也可以使用对凸部的顶面赋予微粘附剂且导电粒子附着于该顶面的转印模具。这些转印模具能够使用机械加工、光刻、印刷法等公知的技术来制造。

另外，作为以既定排列配置导电粒子的方法，也可以代替使用转印模具的方法而使用使导电粒子通过以既定配置设置的贯通孔的方法等。

<使用各向异性导电膜的电子部件的连接方法>

作为使用本发明的各向异性导电膜来连接电子部件的方法，例如，将一个电子部件承载于载物台，在该一个电子部件上经由各向异性导电膜承载另一个电子部件，利用压接工具进行加热推压，由此制造连接构造体。在此情况下，将承载于载物台的电子部件作为IC芯片、IC模块、FPC、玻璃基板、塑料基板、刚性基板、陶瓷基板等第二电子部件，将利用压接工具进行加热加压的电子部件作为FPC、IC芯片、IC模块等第一电子部件。作为更详细的方法，将各向异性导电膜临时粘贴于各种基板等第二电子部件并临时压接，将IC芯片等第一电子部件匹配至临时压接的各向异性导电膜，并通过热压接而制造连接构造体。此外，还能够将各向异性导电膜临时粘贴至第一电子部件而非第二电子部件，从而制造连接构造体。另外，连接方法中的压接不限定于热压接，也可以进行利用光固化的压接或将热和光并用的压接等。本发明还包含如此经由本发明的各向异性导电膜对第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接的连接构造体或其制造方法。

关于本发明的各向异性导电膜，（i）连接的端子列为微小间距的情况下，能够有效地抑制端子间的短路，因而意义较大，另外（ii）在将第一电子部件和第二电子部件的至少一方作为FPC或塑料基板等容易热膨胀的材质的电子部件的情况下意义较大。具体而言，在进行FOP、FOG、COG、COP连接的情况下，满足上述的（i）、（ii）的任一方或双方，因而优选。而且，在连接的端子列为扇出型的情况下，本发明的意义更进一步变大。此外，扇出排列不限定于端子列仅存在于部件的任一方的方式，本发明还能够适用于外围排列等公知的排列。

标号说明

2 绝缘性树脂层

3 低粘度树脂层

10A、10B 各向异性导电膜

20、20a、20b 端子

A1 第一排列轴

A2 第二排列轴

A3 第三排列轴

P、P1、P2 导电粒子。

Claims

1.一种各向异性导电膜，其是导电粒子保持于绝缘性树脂层的各向异性导电膜，该各向异性导电膜用于将作为应当连接的端子列而具有扇出型端子列的第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接，其中，

所述各向异性导电膜具有沿各向异性导电膜的短边方向排列有导电粒子的第一排列轴和与第一排列轴并列地排列有导电粒子的第二排列轴以既定重复间距排列的粒子配置，

在将导电粒子的平均粒径作为D的情况下，

第一排列轴与第二排列轴的距离a为0.7D-8D，

第一排列轴和第二排列轴的重复间距b比1.5D更大，

位于第一排列轴的导电粒子P1与位于第二排列轴的导电粒子中的最接近所述导电粒子P1的导电粒子P2的中心间距离d比2D更大，

将使所述中心间距离d投影到各向异性导电膜的短边方向的情况下的投影图像的长度作为f时，第一排列轴中的导电粒子的排列间距c1为2f以上，

在相邻的第一排列轴和第二排列轴中，第一排列轴中的导电粒子和第二排列轴中的导电粒子在各向异性导电膜的长边方向上的投影图像不重叠。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，对于所述重复间距b和距离d，为d<b。

3.根据权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，第一排列轴中的导电粒子的排列间距c1与第二排列轴中的导电粒子的排列间距c2相等。

4.根据权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，第一排列轴与第二排列轴的重复方向相对于各向异性导电膜的长边方向倾斜。

5.根据权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，第一排列轴与第二排列轴的重复方向是各向异性导电膜的长边方向。

6.根据权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，在第一排列轴和第二排列轴的重复排列中，相邻的3个排列轴中的导电粒子在各向异性导电膜的长边方向上的投影图像不重叠。

7.根据权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，距离a为4D以下。

8.根据权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，重复间距b为20D以下。

9.根据权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，距离d比重复间距b更小。

10.一种连接构造体，其中，第一电子部件和第二电子部件经由权利要求1-9中的任一项所述的各向异性导电膜进行各向异性导电连接。

11.一种连接构造体的制造方法，其中，经由权利要求1-9中的任一项所述的各向异性导电膜对第一电子部件和第二电子部件进行压接，由此对第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接。