KR20210082230A - 이방성 도전 필름, 접속 구조체, 접속 구조체의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
도전 입자 (P) 가 절연성 수지층 (2) 에 유지되어 있는 이방성 도전 필름 (10A) 은, 그 폭 방향으로 도전 입자 (P) 가 배열된 제 1 배열축 (A1) 과, 제 1 배열축 (A1) 에 병렬하여 도전 입자 (P) 가 배열된 제 2 배열축 (A2) 을 갖고, 그것들이 소정의 반복 피치 (b) 로 병렬되어 있다. 도전 입자 (P) 의 평균 입자경을 D 로 한 경우에, 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 의 거리 (a) 가 0.7D ∼ 8D, 제 1 배열축 (A1) 및 제 2 배열축 (A2) 의 반복 피치 (b) 가 1.5D 보다 크다. 제 1 배열축 (A1) 에 있는 도전 입자 (P1) 와, 제 2 배열축 (A2) 에 있는 도전 입자 (P2) 의 최근접 입자의 중심간 거리 (d) 가 2D 보다 크고, 상기 중심간 거리 (d) 를 이방성 도전 필름의 폭 방향에 투영시킨 경우의 투영 이미지의 길이를 f 로 했을 때에, 제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자 (P) 의 배열 피치 (c1) 가 2f 이상이고, 이웃하는 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 에 있어서, 제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자 (P) 와 제 2 배열축 (A2) 에 있어서의 도전 입자 (P) 가 이방성 도전 필름 (10A) 의 길이 방향에서 중첩되지 않는다.
Description
본 발명은 이방성 도전 필름에 관한 것이다.
절연성 수지층에 도전 입자를 분산시킨 이방성 도전 필름이, IC 칩 등의 전자 부품을 배선 기판 등에 실장할 때에 널리 사용되고 있다. 이방성 도전 필름에 있어서는, 전자 부품의 고밀도 실장에 수반되는 단자의 파인 피치화에 의해, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성을 높이고, 또한 이웃하는 단자 사이의 쇼트를 회피하는 것이 강하게 요구되고 있다.
이와 같은 요청에 대하여, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 배치를 격자상의 배열로 하고, 또한 그 도전 입자의 배열 방향을 이방성 도전 필름의 길이 방향 및 폭 방향의 쌍방에 대하여 경사시키는 것이 제안되어 있다 (특허문헌 1).
또한, 전자 부품의 실장시의 압착 온도가 변동하고, 그 온도 변동에 의해 단자의 위치가 어긋나도 전자 부품의 접속을 확실하게 실시할 수 있도록 하기 위해, 전자 부품의 단자를 방사상으로 병렬시키는 것 (소위, 팬아웃 배선) 이 알려져 있다 (특허문헌 2).
최근, 가일층의 파인 피치화의 요청에 의해, 접속하는 단자끼리의 얼라인먼트 어긋남이 있으면 정미 (正味) 의 단자간 스페이스가 5 ㎛ 미만이 되는 경우나, 이방성 도전 필름에 포함되는 도전 입자의 입자경에 극히 약간의 마진 (예를 들어, 3 ㎛ 정도의 입자경에 대해 1 ㎛) 을 가한 정도의 폭이 되는 경우가 있는데, 그러한 경우에도 쇼트를 일으키지 않도록 하는 것이 이방성 도전 필름에 요구되고 있다. 쇼트의 발생을 억제하는 방법으로는, 이방성 도전 필름에 있어서 도전 입자를 격자상으로 배치함에 있어서, 도전 입자끼리의 중심간 거리를 넓히는 것을 생각할 수 있지만, 단순히 도전 입자의 중심간 거리를 넓히는 것만으로는 파인 피치에 대응하는 것이 곤란해진다.
또, 이방성 도전 필름을 사용하여 팬아웃형의 단자열을 접속하는 경우에, 이방성 도전 필름의 도전 입자가 단순히 격자상으로 배치되어 있을 때에는, 팬아웃형의 단자열에서는, 단자의 배열 방향과 단자의 길이 방향이 이루는 각도가 순차 상이하기 때문에, 그 격자축이 필름 길이 방향에 대해 경사져 있어도, 단자끼리에 있어서의 도전 입자의 포착수의 차가 커지고, 또, 단자에 포착된 도전 입자의 배치 상태가 단자끼리에서 상이하게 된다. 그 때문에, 접속의 양부 판정이 곤란해지는 등의 문제가 발생한다.
그래서 본 발명은, 단자의 배열 패턴이 방사상으로 되어 있어도, 또, 단자간 스페이스가, 5 ㎛ 미만 또는 이방성 도전 필름에 포함되는 도전 입자경에 극히 약간의 마진 (예를 들어, 3 ㎛ 정도의 입자경에 대해 1 ㎛) 을 가한 정도의 폭이 되는 경우도, 이방성 도전 접속을 양호하게 실시하는 것을 가능하게 하는 이방성 도전 필름의 제공을 과제로 한다.
본 발명자는, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 배치에 관하여, 이방성 도전 필름의 길이 방향을 단자 피치로 구획한 경우에, 하나의 단자 피치의 범위에, 도전 입자의 배열축으로서, 단자의 길이 방향으로 신장된 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 을 반복 배치하고, 이 경우에, 제 1 배열축 (A1) 상의 도전 입자 (P1) 와, 그 도전 입자에 가장 근접한 제 2 배열축 (A2) 상의 도전 입자 (P2) 의 중심간 거리 (d) 를, 도전 입자의 평균 입자경 (D) 의 2 배보다 크게 하지만, 이 거리 (d) 를 이방성 도전 필름의 폭 방향에 투영시킨 길이를 제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자의 배열 피치 (c1) 에 대해 충분히 작게 하여, 이 도전 입자 (P1) 와 도전 입자 (P2) 를 이방성 도전 필름의 길이 방향에서 중첩시키지 않고, 이들에 의해 형성되는 제 3 배열축 (A3) 을 제 1 배열축 (A1) 에 대해 경사시키고, 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 의 반복 피치 (b) 를, 도전 입자의 평균 입자경에 대해 충분히 크게 하면, 파인 피치의 단자열을 접속하는 경우에 반복 피치 (b) 를 단자 피치의 1/2 이하로 함으로써 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 의 적어도 일방의 위의 도전 입자가 단자에서 포착되도록 해도 쇼트의 발생을 억제할 수 있고, 또, 단자의 배열 패턴이 팬아웃형이어도, 도전 입자의 포착수가 급격하게 저하된 단자가 발생하는 것을 방지할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 도전 입자가 절연성 수지층에 유지되어 있는 이방성 도전 필름으로서,
이방성 도전 필름의 폭 방향으로 도전 입자가 배열된 제 1 배열축과, 제 1 배열축에 병렬하여 도전 입자가 배열된 제 2 배열축이 소정의 반복 피치로 배열된 입자 배치를 갖고,
도전 입자의 평균 입자경을 D 로 한 경우에,
제 1 배열축과 제 2 배열축의 거리 (a) 가 0.7D ∼ 8D,
제 1 배열축 및 제 2 배열축의 반복 피치 (b) 가 1.5D 보다 크고,
제 1 배열축에 있는 도전 입자 (P1) 와, 제 2 배열축에 있는 도전 입자 중 상기 도전 입자 (P1) 에 가장 근접한 도전 입자 (P2) 의 중심간 거리 (d) 가 2D 보다 크고,
상기 중심간 거리 (d) 를 이방성 도전 필름의 폭 방향에 투영시킨 경우의 투영 이미지의 길이를 f 로 했을 때에, 제 1 배열축에 있어서의 도전 입자의 배열 피치 (c1) 가 2f 이상이고,
이웃하는 제 1 배열축과 제 2 배열축에 있어서, 제 1 배열축에 있어서의 도전 입자와 제 2 배열축에 있어서의 도전 입자가 이방성 도전 필름의 길이 방향에서 중첩되지 않는 이방성 도전 필름을 제공한다.
본 발명에 의하면, 제 1 배열축도 제 2 배열축도 이방성 도전 필름의 폭 방향으로 도전 입자가 소정의 반복 피치로 배열되어 있고, 또한, 이웃하는 제 1 배열축과 제 2 배열축에 있어서 제 1 배열축에 있어서의 도전 입자와 제 2 배열축에 있어서의 도전 입자가 이방성 도전 필름의 길이 방향에서 중첩되지 않기 때문에, 이방성 도전 필름에 의해 접속하는 단자 패턴의 단자 폭 내에 바람직하게는 제 1 배열축과 제 2 배열축의 적어도 일방, 보다 바람직하게는 쌍방이 존재하도록 제 1 배열축과 제 2 배열축의 반복 피치 (b) 를 정하고, 단자의 길이 방향으로, 제 1 배열축에 있어서의 도전 입자의 배열 방향을 맞추어, 하나의 단자 내에 제 1 배열축에 포함되는 도전 입자와, 제 2 배열축에 포함되는 도전 입자로 형성되는, 제 1 배열축에 비스듬하게 교차하는 배열축이 존재하도록 한다. 이로써, 접속하는 단자 패턴이 팬아웃형이라도, 도전 입자의 포착수가 급격하게 저하된 단자가 생기는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 서술한 바와 같이 반복 피치 (b) 를 정하면, 단자 패턴이 파인 피치여도 확실하게 접속할 수 있고, 이 경우에, 제 1 배열축의 도전 입자와 제 2 배열축의 도전 입자가 이방성 도전 필름의 길이 방향에서 중첩되지 않으므로, 쇼트의 발생을 억제할 수 있다.
도 1a 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 1b 는, 다른 실시예의 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 1c 는, 다른 실시예의 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 2 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 3 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 1b 는, 다른 실시예의 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 1c 는, 다른 실시예의 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 2 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 3 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
이하, 본 발명의 이방성 도전 필름을, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면 중, 동일 부호는 동일 또는 동등한 구성 요소를 나타내고 있다.
<이방성 도전 필름의 전체 구성>
도 1a 는 실시예의 이방성 도전 필름 (10A) 의 도전 입자의 배치를 나타내는 평면도이고, 도 2 는 그 X-X 단면도이다. 이 이방성 도전 필름 (10A) 은, 도전 입자 (P) 가 절연성 수지층 (2) 의 표면 또는 그 근방에 단층으로 배치되고, 그 위에 저점도 수지층 (3) 이 적층된 층 구성을 가지고 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 저점도 수지층 (3) 은 필요에 따라 형성되며, 도 3 에 나타내는 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도와 같이, 저점도 수지층 (3) 을 생략한 층 구성으로 해도 된다. 이 이방성 도전 필름 (10B) 의 도전 입자 (P) 의 평면 배치는, 저점도 수지층 (3) 을 갖는 이방성 도전 필름 (10A) 과 동일하게 할 수 있다. 저점도 수지층 (3) 은, 복수 형성되어 있어도 되고, 저점도 수지층의 층수나 층 구성에 대해서는 특별히 제한은 없다.
본 발명의 이방성 도전 필름 (10A, 10B) 에 있어서의 도전 입자 (P) 의 평면 배치는, 후술하는 바와 같이, 이방성 도전 필름 (10A) 의 폭 방향으로 도전 입자 (P) 가 배열된 제 1 배열축 (A1) 과, 제 1 배열축 (A1) 에 병렬하여 도전 입자 (P) 가 배열된 제 2 배열축 (A2) 이 반복 피치 (b) 로 반복 배열되어 있고, 제 1 배열축 (A1) 에 있는 도전 입자 (P1) 와, 제 2 배열축 (A2) 에 있는 도전 입자 중 상기 도전 입자 (P1) 에 가장 근접한 도전 입자 (P2) 의 중심간 거리 (d) 가, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 의 2 배보다 크고, 반복 피치 (b) 보다 작다. 또, 이 중심간 거리 (d) 를 이방성 도전 필름 (10A, 10B) 의 폭 방향에 투영시킨 경우의 투영 이미지의 길이를 f 로 했을 때, 제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자 (P1) 의 배열 피치 (c1) 는 2f 이상이다. 도전 입자 (P1) 와 도전 입자 (P2) 의 이방성 도전 필름 (10A, 10B) 의 길이 방향의 투영 이미지는 중첩되어 있지 않고, 도전 입자 (P1) 와 도전 입자 (P2) 로 형성되는 제 3 배열축 (A3) 의 방향이, 제 1 배열축 (A1) 이나 제 2 배열축 (A2) 에 대하여 경사져 있다.
<도전 입자>
·입자 재료
도전 입자 (P) 로는, 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 땜납 등의 합금 입자, 금속 피복 수지 입자, 표면에 절연성 미립자가 부착되어 있는 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 2 종 이상을 병용할 수도 있다. 그 중에서도, 금속 피복 수지 입자가, 접속된 후에 수지 입자가 반발함으로써 단자와의 접촉이 유지되기 쉬워져, 도통 성능이 안정되는 점에서 바람직하다. 또한, 도전 입자의 표면에는 공지의 기술에 의해 도통 특성에 지장을 초래하지 않도록, 절연성 미립자가 부착되어 있어도 되고, 절연 수지로 코팅되어 있어도 된다. 즉, 도전 입자에는 미리, 도통 특성에 지장을 초래하지 않는 절연 처리가 실시된 것을 사용해도 된다.
·평균 입자경
도전 입자 (P) 의 평균 입자경은, 도통 저항의 상승을 억제하고, 또한 쇼트의 발생을 억제하기 위해서, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.5 ㎛ 이상 10 ㎛ 미만이다. 절연성 수지층에 분산시키기 전의 도전 입자의 입자경은, 일반적인 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있고, 또, 평균 입자경도 입도 분포 측정 장치를 사용하여 구할 수 있다. 측정 장치로는, 일례로서 FPIA-3000 (말번사) 을 들 수 있다. 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 입자경은, SEM 등의 전자 현미경 관찰로부터 구할 수 있다. 이 경우, 도전 입자경을 측정하는 샘플수를 200 이상, 바람직하게는 1000 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 도전 입자로서, 그 표면에 절연 처리가 실시되어 있는 경우, 본 발명에 있어서의 도전 입자의 입자경은, 그 절연 처리에 의한 두께를 제외한 입자경을 의미한다.
<도전 입자의 평면 배치>
도전 입자의 평면 배치는, 도 1a 에 나타낸 바와 같이, 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 이 반복 피치 (b) 로 반복된 배치로 되어 있다. 본 실시예에 있어서 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 은, 각각 이방성 도전 필름의 폭 방향으로 도전 입자가 소정의 피치로 배열된 것인데, 본 발명에 있어서, 도전 입자가 이방성 도전 필름의 폭 방향으로 배열된다는 것은, 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 엄밀하게 수직인 방향으로 도전 입자가 배열되는 것에 한정되지 않고, 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 수직 방향으로 ±5°의 범위 내에서 배열되어 있는 것을 말한다.
또, 도 1a 에 나타낸 이방성 도전 필름 (10A) 에서는, 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 의 반복 방향이 이방성 도전 필름 (10A) 의 길이 방향이지만, 본 발명에 있어서 이 반복 방향은 이방성 도전 필름의 길이 방향에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 반복 방향 (A4 의 배열축 방향) 을 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 경사시켜도 된다.
또, 본 발명의 이방성 도전 필름은, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경을 D 로 한 경우에, 다음의 입자 배치를 가지고 있다.
먼저, 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 의 거리 (축간 거리) (a) 가 0.7D ∼ 8D 이다. 거리 (a) 를 8D 이하로 함으로써, 바람직하게는 4D 이하로 함으로써, 이방성 도전 필름 (10A) 을 파인 피치의 단자 패턴의 접속에 사용하는 것이 가능해진다. 예를 들면, 접속해야 할 단자 (20a, 20b) 의 배열 패턴의 단자 폭 (L)/단자간 스페이스 (S) 가 10 ㎛/10 ㎛ 인 경우에, 접속해야 할 단자 (20a, 20b) 의 얼라인먼트 어긋남이 5 ㎛ 있음으로써, 이들 단자 (20a, 20b) 끼리가 서로 중첩되는 유효 접속폭 (L0) 이 5 ㎛, 정미의 단자간 스페이스 (S0) 가 5 ㎛ 이어도, 평균 입자경 (D) 이 4 ㎛ 이하인 도전 입자 (P) 를 사용하여 단자 (20a, 20b) 를 확실하게 접속하는 것이 가능해진다. 한편, 접속시에 발생하는 수지 유동에 의한 도전 입자의 연결을 회피하기 쉽게 하는 점에서, 거리 (a) 는 0.7D 이상으로 하는 것이 바람직하다.
제 1 배열축 (A1) 및 제 2 배열축 (A2) 의 반복 피치 (b) 는 1.5D 보다 크고, 바람직하게는 2.5D 보다 크다. 반복 피치 (b) 의 바람직한 수치는, 병렬한 제 1 배열축 (A1) 중, 이웃하는 제 1 배열축 (A1) 끼리의 도전 입자의 이방성 도전 필름의 길이 방향에 있어서의 중첩의 유무 또는 중첩의 정도에 따라 상이하지만, 예를 들어, 접속해야 할 단자 (20a, 20b) 가 파인 피치이고, 그들의 정미의 단자간 스페이스가 5 ㎛ 미만이 되는 경우, 또는 정미의 단자간 스페이스가 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 에 1 ㎛ 를 더한 정도인 경우 (예를 들어, 도전 입자의 평균 입자경이 3 ㎛ 인 경우에 단자간 스페이스가 4 ㎛ 정도인 경우) 라도, 반복 피치 (b) 를 1.5D 보다 크게, 바람직하게는 2.5D 보다 크게 함으로써 접속 후에 쇼트가 일어나는 것을 방지할 수 있다. 한편, 접속해야 할 단자에서 도전 입자가 확실하게 포착되도록 하는 점에서, 반복 피치 (b) 는, 20D 이하인 것이 바람직하고, 15D 이하인 것이 보다 바람직하고, 10D 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또, 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 의 거리 (a) 가 D 보다 큰 경우, 도전 입자의 포착이 균일하게 실시되도록 하는 점에서는, 반복 피치 (b) 를 2a ± 0.5D 로 하는 것이 바람직하다.
접속해야 할 단자 피치가 구체적으로 상정되는 경우에는, 접속을 확실하게 실시할 수 있도록 하는 점에서, 단자 피치의 1/2 에 상당하는 필름 길이 방향의 범위 내에, 바람직하게는 이웃하는 2 개의 배열축 (A1, A2) 의 적어도 일방이 포함되도록, 보다 바람직하게는 이웃하는 2 개의 배열축 (A1, A2) 의 쌍방이 포함되도록 이방성 도전 필름을 설계한다. 한편, 쇼트의 억제라는 점에서 단자 피치의 1/2 에 상당하는 필름 길이 방향의 범위 내에, 이웃하는 3 개의 배열축 (A1, A2, A1' 또는 A2, A1', A2') 이 포함되지 않도록 반복 피치 (b) 를 정하는 것이 바람직하다. 접속 후의 정미의 단자간 스페이스 (S0) 의 폭에 상당하는 필름 길이 방향의 범위에 하나의 배열축 (A1 또는 A2) 은 포함되어 있어도 된다.
제 1 배열축 (A1) 에 있는 도전 입자 (P1) 와, 제 2 배열축 (A2) 에 있는 도전 입자 중 상기 도전 입자 (P1) 에 가장 근접한 도전 입자 (P2) 의 중심간 거리 (d) 는, 제 1 배열축 (A1) 과 제 2 배열축 (A2) 의 거리 (a) 보다 크고, 2D 보다도 크다. 제 1 배열축 (A1) 및 제 2 배열축 (A2) 의 도전 입자에 의해 형성되는 제 3 배열축 (A3) 과, 이들 제 1 배열축 (A1), 제 2 배열축 (A2) 에 인접하는 제 1 배열축 (A1') 및 제 2 배열축 (A2') 의 도전 입자에 의해 형성되는 제 3 배열축 (A3) 을 동일 직선 상에 위치시키면, 도전 입자의 배치의 설계가 용이해지므로 바람직하다. 이 경우, 중심간 거리 (d) 는, 제 3 배열축 (A3) 에 있어서의 입자 피치로 볼 수 있다. 중심간 거리 (d) 를 이방성 도전 필름의 폭 방향에 투영시킨 경우의 투영 이미지의 길이를 f 로 했을 때에, f 가, 제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자의 배열 피치 (c1) 의 1/2 이하이고 (바꿔 말하면, 피치 (c1) 가 2f 이상이고), 제 3 배열축 (A3) 이 제 1 배열축 (A1) 에 대하여 경사져 있는 것에 의해, 이방성 도전 필름으로 접속해야 할 단자의 유효 접속폭이 4 ㎛ 정도로 좁고, 또한, 접속해야 할 단자 패턴이 팬아웃형이라도, 단자의 경사각에 의해, 도전 입자의 포착수가 극단적으로 저하되는 단자가 생기는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 제 3 배열축 (A3) 과 제 1 배열축 (A1) 이 이루는 각도 (α) 를 0 ＜ α ≤ 45°로 하는 것이 바람직하다.
또한, 거리 (d) 를 2D 보다 크게 함으로써 접속시에 단자간 스페이스에서 발생하는 수지 유동에 의한 도전 입자끼리의 불필요한 접촉이 일어나기 어려워진다. 또한, 거리 (d) 는 반복 피치 (b) 보다 작게 하는 것이 보다 바람직하다. 반복 피치 (b) 는 단자 배열 방향의 입자 중심간 거리가 되므로, 거리 (d) 를 단자 배열 방향의 입자 중심간 거리보다 짧게 함으로써, 이방성 도전 접속시에 도전 입자가 포착되기 쉬워지는 것이 예상되기 때문이다. 이로써, 팬 아웃형의 단자 패턴에도 보다 적합하게 하기 쉬워진다.
제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자 (P) 의 배열 피치 (c1) 는, 상기 서술한 길이 (f) 의 2 배 이상으로 한다. 이로써 단자간 스페이스의 길이 방향에서 충분한 입자간 거리가 얻어지는 점에서, 이것에 의해서도 상기한 수지 유동에 의한 입자끼리의 접촉이 일어나기 어려워진다.
한편, 제 2 배열축 (A2) 에 있어서의 도전 입자 (P2) 의 배열 피치 (c2) 는, 제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자 (P1) 의 배열 피치 (c1) 와 동일해도 되고, 상이해도 되며, 예를 들어, 도 1c 에 나타낸 바와 같이, 배열 피치 (c2) 를 배열 피치 (c1) 의 2 배로 할 수 있다. 배열 피치 (c2) 를 배열 피치 (c1) 과 다르게 하는 경우, 배열 피치 (c2) 를 배열 피치 (c1) 의 정수 배로 하는 것이 바람직하다.
도 1a 에 나타낸 이방성 도전 필름에서는, 이웃하는 제 1 및 제 2 배열축 (A1, A2) 에 있어서의 도전 입자 (P1, P2) 는, 이방성 도전 필름 (10A) 의 길이 방향에서 중첩되지 않는다. 바꾸어 말하면, 이들 도전 입자를 이방성 도전 필름의 길이 방향에 투영시킨 경우에, 이들의 투영 이미지 (P1x, P2x) 은 겹치지 않는다. 이로써, 접속하는 단자 패턴이 파인 피치인 경우에, 제 1 배열축 및 제 2 배열축의 반복 피치 (b) 를 단자 피치에 따라서 좁혀, 접속시에 제 1 배열축 (A1) 및 제 2 배열축 (A2) 이 단자간 스페이스에 위치하는 경우가 있어도, 도전 입자 (P1, P2) 의 연결을 억제할 수 있으므로, 쇼트의 발생을 억제할 수 있다. 보다 확실하게 쇼트의 발생을 방지하기 위해서는, 도 1b 에 나타낸 바와 같이, 이웃하는 3 개의 배열축 (A1A2A1', 또는 A2A1'A2') 에 있어서, 어느 도전 입자 (P) 도 이방성 도전 필름 (10A) 의 길이 방향에서 중첩되지 않도록 하는 것이 특히 바람직하다.
한편, 접속 후의 정미의 단자간 스페이스에 있어서, 2 개의 도전 입자가 서로 접촉해도, 그들 도전 입자와, 그것들을 단자 폭 방향에서 사이에 두는 단자의 사이에 스페이스가 잔존하고 있으면 쇼트는 발생하지 않는다. 이와 같은 스페이스의 잔존을 확보할 수 있는 한, 이웃하는 3 개 이상의 배열축의 도전 입자가, 이방성 도전 필름의 길이 방향에서 중첩되지 않도록 하는 것은 반드시 필요하지는 않다.
또한, 상기 서술한 거리 (a), 반복 피치 (b), 거리 (d), 배열 피치 (c1) 에 관한 요건이나, 제 1 배열축 (A1) 에 있어서의 도전 입자 (P1) 와 제 2 배열축 (A2) 에 있어서의 도전 입자 (P2) 가, 이방성 도전 필름 (10A) 의 길이 방향에서 중첩되지 않는다는 요건은, 정방 격자 또는 장방 격자의 격자축을 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 경사지게 함으로써도 얻을 수 있다. 이 경우, 정방 격자의 격자간 거리와, 도전 입자의 평균 입자경을 상기 서술한 요건이 만족되도록 조정한다.
·개수 밀도
도 1a ∼ 도 1c 의 모든 입자 배치에 있어서, 본 발명의 이방성 도전 필름에서는 도전 입자의 개수 밀도를 접속하는 전자 부품의 단자의 형상, 크기, 배열 피치 등에 따라서 정할 수 있다. 통상, 도전 입자의 개수 밀도는 30 개/mm2 이상이면 되고, 150 ∼ 70000 개/mm2 가 바람직하다. 특히 파인 피치 용도의 경우에는, 바람직하게는 6000 ∼ 42000 개/mm2, 보다 바람직하게는 10000 ∼ 40000 개/mm2, 보다 더 바람직하게는 15000 ∼ 35000 개/mm2 이다. 또, 도전 입자의 입자경이 10 ㎛ 이상인 경우, 도전 입자의 개수 밀도는 30 ∼ 6000 개/mm2 가 바람직하다.
또, 도전 입자의 개수 밀도에 관하여, 다음 식에서 산출되는 도전 입자의 면적 점유율을, 도통 저항을 낮추는 점에서 0.3 ％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 접속시에 압압 지그에 필요하게 되는 추력을 억제하는 점에서는 이 면적 점유율을 35 ％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 30 ％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
도전 입자의 면적 점유율 (％) = [평면에서 보았을 때의 도전 입자의 개수 밀도 (개/mm2) × [도전 입자 1 개의 평면에서 보았을 때의 면적의 평균 (㎛2) × 10-6] × 100
도전 입자의 개수 밀도는, 금속 현미경을 사용하여 관찰해서 구하는 것 외에, 화상 해석 소프트 (예를 들어, WinROOF, 미타니 상사 주식회사 등) 에 의해 관찰 화상을 계측하여 구해도 된다.
<도전 입자의 필름 두께 방향의 위치>
도전 입자 (P) 의 필름 두께 방향의 위치는 가지런하게 되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 도전 입자 (P) 의 필름 두께 방향의 매립량 (Lb) 을 일정하게 할 수 있다. 이로써, 단자에 있어서의 도전 입자 (P) 의 포착성이 안정되기 쉽다. 또한, 본 발명에 있어서, 도전 입자 (P) 는, 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있어도 되고, 완전히 매립되어 있어도 된다.
여기서, 매립량 (Lb) 은, 도전 입자 (P) 가 매립되어 있는 절연성 수지층 (2) 의 표면 (절연성 수지층 (2) 의 표리의 면 중, 도전 입자 (P) 가 노출되어 있는 측의 표면, 또는 도전 입자 (P) 가 절연성 수지층 (2) 에 완전히 매립되어 있는 경우에는, 도전 입자 (P) 와의 거리가 가까운 표면) 으로서, 인접하는 도전 입자간의 중앙부에 있어서의 접평면 (2p) 과, 도전 입자 (P) 의 최심부와의 거리를 말한다.
·매립률
도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 에 대한 매립량 (Lb) 의 비율을 매립률 (Lb/D) 로 한 경우에 (도 3), 매립률은 30 ％ 이상 105 ％ 이하가 바람직하다. 매립률 (Lb/D) 을 30 ％ 이상으로 함으로써, 도전 입자 (P) 를 절연성 수지층 (2) 에 의해 소정의 위치로 유지하고, 또, 105 ％ 이하로 함으로써, 이방성 도전 접속시에 단자간의 도전 입자를 불필요하게 유동시키도록 작용하는 절연성 수지층의 수지량을 저감시킬 수 있다.
<절연성 수지층>
본 발명에 있어서, 절연성 수지층 (2) 은, 일본 특허 제6187665호 공보에 기재된 이방성 도전 필름의 절연성 수지층과 마찬가지로, 중합성 화합물과 중합 개시제로 형성되는 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 이 경우, 중합 개시제로는 열중합 개시제를 사용해도 되고, 광중합 개시제를 사용해도 되며, 그들을 병용해도 된다. 예를 들어, 열중합 개시제로서 카이온계 중합 개시제, 열중합성 화합물로서 에폭시 수지를 사용하고, 광중합 개시제로서 광 라디칼 중합 개시제, 광중합성 화합물로서 아크릴레이트 화합물을 사용한다. 열 중합 개시제로서, 열 아니온 중합 개시제를 사용해도 된다. 열 아니온 중합 개시제로는, 이미다졸 변성체를 핵으로 하고 그 표면을 폴리우레탄으로 피복하여 이루어지는 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하다.
<절연성 수지층의 최저 용융 점도>
절연성 수지층 (2) 의 최저 용융 점도는, 특별히 제한은 없지만, 이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품의 접속에서의 열 압착에 있어서, 도전 입자 (P) 의 불필요한 유동을 억제하기 위해, 바람직하게는 1500 Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 2000 Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 3000 ∼ 15000 Pa·s, 특히 바람직하게는 3000 ∼ 10000 Pa·s 이다. 이 최저 용융 점도는, 일례로서 회전식 레오미터 (TA instruments 사 제조) 를 사용하여, 측정 압력 5 g 으로 일정하게 유지하고, 직경 8 mm 의 측정 플레이트를 사용하여 구할 수 있고, 보다 구체적으로는, 온도 범위 30 ∼ 200 ℃ 에 있어서, 승온 속도 10 ℃/분, 측정 주파수 10 Hz, 상기 측정 플레이트에 대한 하중 변동 5 g 으로 함으로써 구할 수 있다. 또한, 최저 용융 점도의 조정은, 용융 점도 조정제로서 함유시키는 미소 고형물의 종류나 배합량, 수지 조성물의 조정 조건의 변경 등에 의해 실시할 수 있다.
<저점도 수지층>
저점도 수지층 (3) 은, 30 ∼ 200 ℃ 의 범위의 최저 용융 점도가 절연성 수지층 (2) 보다 낮은 수지층이다. 본 발명에 있어서, 저점도 수지층 (3) 은 필요에 따라서 형성되지만, 저점도 수지층 (3) 을 절연성 수지층 (2) 에 적층함으로써, 이방성 도전 필름 (10A) 을 개재하여 대치하는 전자 부품을 열압착하는 경우에, 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간을 저점도 수지층 (3) 으로 충전하여, 전자 부품끼리의 접착성을 향상시킬 수 있다.
또, 절연성 수지층 (2) 의 최저 용융 점도와 저점도 수지층 (3) 의 최저 용융 점도의 차가 있을수록 이방성 도전 필름 (10A) 을 개재하여 접속하는 전자 부품 사이의 공간이 저점도 수지층 (3) 으로 충전되어, 전자 부품끼리의 접착성이 향상되기 쉬워진다. 또, 이 차이가 있을수록 도전 입자 (P) 를 유지하고 있는 절연성 수지층 (2) 의 열압착시의 이동량이 저점도 수지층 (3) 에 대해 상대적으로 작아지기 때문에, 단자에 있어서의 도전 입자 (P) 의 포착성이 향상되기 쉬워진다.
<절연성 수지층과 저점도 수지층의 층두께>
절연성 수지층 (2) 의 층두께는, 후술하는 이방성 도전 필름의 제조 공정에 있어서, 절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (P) 를 안정적으로 압입하도록 하기 위해, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 에 대해, 바람직하게는 0.3 배 이상, 보다 바람직하게는 0.6 배 이상, 더욱 바람직하게는 0.8 배 이상, 특히 바람직하게는 1 배 이상이다. 또, 절연성 수지층 (2) 의 층두께의 상한에 대해서는 접속하는 전자 부품의 단자 형상, 단자 두께, 배열 피치 등에 따라 정할 수 있지만, 층두께가 지나치게 두꺼워지면 접속시에 도전 입자 (P) 가 수지 유동의 영향을 불필요하게 받기 쉬워지기 때문에, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 의 바람직하게는 20 배 이하, 보다 바람직하게는 15 배 이하이다.
저점도 수지층 (3) 은, 본 발명에 있어서 필요에 따라 형성되지만, 저점도 수지층을 형성하는 경우에는, 그 층두께의 하한으로는, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 의 바람직하게는 0.2 배 이상, 보다 바람직하게는 1 배 이상이다. 또, 저점도 수지층 (3) 의 층두께의 상한에 대해서는, 지나치게 두꺼워지면 절연성 수지층 (2) 과의 적층의 곤란성이 증가하는 점에서, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 의 바람직하게는 50 배 이하, 보다 바람직하게는 15 배 이하, 더욱 바람직하게는 8 배 이하이다.
또, 절연성 수지층 (2) 과 저점도 수지층 (3) 의 총 두께는, 전자 부품의 접속시에 도전 입자 (P) 의 불필요한 유동을 억제하는 점, 이방성 도전 필름을 권장체 (捲裝體) 로 하는 경우의 수지의 밀려 나옴이나 블로킹을 억제하는 점, 이방성 도전 필름의 단위 중량당의 필름 길이를 길게 하는 점 등에서는, 얇은 편이 바람직하다. 그러나, 지나치게 얇아지면 이방성 도전 필름의 취급성이 떨어진다. 또, 이방성 도전 필름을 전자 부품에 첩착하기 어려워져, 전자 부품을 접속할 때의 가압착에 있어서 필요한 점착력을 얻을 수 없을 우려가 있고, 본 압착에 있어서도 수지량의 부족에 의해 필요한 접착력을 얻을 수 없을 우려가 있다. 그 때문에, 총 두께는, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 에 대해 바람직하게는 0.6 배 이상, 보다 바람직하게는 0.8 배 이상, 더욱 바람직하게는 1 배 이상, 특히 바람직하게는 1.2 배 이상이다.
한편, 절연성 수지층과 저점도 수지층의 총 두께의 상한에 대해서는, 총 두께가 지나치게 두꺼워지면 이방성 도전 필름을 전자 부품에 열압착할 때에 도전 입자 (P) 가 수지 유동의 영향을 불필요하게 받기 쉬워지고, 또, 이들 수지층에 점도 조정 등의 점에서 필러가 함유되어 있는 경우에는, 필러의 절대량이 많아짐으로써 전자 부품의 열압착이 저해될 우려가 있는 점에서, 수지층의 총 두께는 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 의 바람직하게는 50 배 이하, 보다 바람직하게는 15 배 이하, 더욱 바람직하게는 8 배 이하이다. 특히, 접속하는 전자 부품에 있어서의 범프의 저배화 (低背化) 에 대응시키는 점에서는, 수지층의 총 두께를 얇게 하는 것이 바람직하다. 그 때문에, 수지층의 총 두께의 하한에 대해서는, 도전 입자경의 바람직하게는 0.6 배 이상, 보다 바람직하게는 0.8 배 이상, 더욱 바람직하게는 1 배 이상이다. 또한, 상한에 대해서는, 열압착시에 압입 툴에 필요한 추력이 지나치게 높아지기 때문에, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 의 바람직하게는 4 배 이하, 보다 바람직하게는 3 배 이하, 더욱 바람직하게는 2 배 이하, 보다 더 바람직하게는 1.8 배 이하, 특히 1.5 배 이하이다. 절연성 수지층 (2) 과 저점도 수지층 (3) 의 두께의 비율에 대해서는, 도전 입자 (P) 의 평균 입자경 (D) 과 범프 높이나 요구되는 접착력 등의 관계로부터 적절히 조정할 수 있다.
<이방성 도전 필름의 권장체>
본 발명의 이방성 도전 필름은, 그 제품 형태에 있어서 권장체로 할 수 있다. 권장체의 길이에 대해 특별히 제한은 없지만, 출하물의 취급성의 점에서 바람직하게는 5000 m 이하, 보다 바람직하게는 1000 m 이하, 더욱 바람직하게는 500 m 이하이다. 한편, 권장체의 양산성의 점에서는 5 m 이상이 바람직하다.
권장체는, 그 전체 길이보다 짧은 이방성 도전 필름을 연결한 것이어도 된다. 연결 지점은, 규칙적으로 또는 랜덤하게, 복수 지점에 존재시킬 수 있다.
권장체에 있어서의 필름 폭에 대해 특별히 제한은 없지만, 폭이 넓은 이방성 도전 필름을 슬릿하여 권장체를 제조하는 경우의 슬릿 폭의 하한의 점에서 필름 폭을 0.3 mm 이상으로 하는 것이 바람직하고, 슬릿 폭을 안정시키는 점에서 0.5 mm 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 필름폭의 상한에는 특별히 제한은 없지만, 운반이나 취급의 관점에서, 700 mm 이하가 바람직하고, 600 mm 이하가 보다 바람직하다. 이방성 도전 필름의 실용적인 취급성의 점에서는, 필름 폭을 0.3 ∼ 400 mm 사이에서 선택하는 것이 바람직하다. 즉, 이방성 도전 필름이, 접속하는 전자 부품의 단 (端) 에 사용되는 경우에는, 필름 폭은 수 mm 정도 이하로 되는 경우가 많고, 비교적 큰 전자 부품 (전극 배선과 실장부가 일면에 형성된 기판이나 절삭 전의 웨이퍼 등) 에 그대로 첩부하여 사용되는 경우에는, 400 mm 정도의 필름 폭이 필요하게 되는 경우가 있다. 일반적으로는, 이방성 도전 필름의 필름 폭은 0.5 ∼ 5 mm 로 사용되는 경우가 많다.
<이방성 도전 필름의 제조 방법>
본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 방법 자체에는 특별히 한정은 없지만, 예를 들어, 도전 입자를 소정의 배열로 배치하기 위한 전사형을 제조하고, 전사형의 오목부에 도전 입자를 충전하고, 그 위에, 박리 필름 상에 형성한 절연성 수지층을 씌우고 압력을 가하여, 절연성 수지층에 도전 입자를 압입함으로써, 절연성 수지층에 도전 입자를 전착시키거나, 혹은 추가로 그 도전 입자 상에 저점도 수지층을 적층함으로써, 이방성 도전 필름을 제조한다.
또한, 전사형의 오목부에 도전 입자를 충전한 후, 그 위에 절연성 수지층을 씌우고, 전사형으로부터 절연성 수지층의 표면에 도전 입자를 전사시키고, 절연성 수지층 상의 도전 입자를 절연성 수지층 내에 압입함으로써 이방성 도전 필름을 제조해도 된다.
또한, 전사형으로는, 오목부에 도전 입자를 충전하는 것 외에, 볼록부의 천장면에 미점착제 (微粘着劑) 를 부여하여 그 천장면에 도전 입자가 부착되도록 한 것을 사용해도 된다. 이들 전사형은 기계 가공, 포토리소그래피, 인쇄법 등의 공지된 기술을 사용하여 제조할 수 있다.
또, 도전 입자를 소정의 배열로 배치하는 방법으로는, 전사형을 사용하는 방법 대신에, 소정의 배치로 형성된 관통공에 도전 입자를 통과시키는 방법 등을 사용해도 된다.
<이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품의 접속 방법>
본 발명의 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품을 접속하는 방법으로는, 예를 들어 스테이지에 일방의 전자 부품을 재치하고, 그 위에 이방성 도전 필름을 개재하여 다른 일방의 전자 부품을 재치하고, 압착 툴로 가열 가압함으로써 접속 구조체를 제조한다. 이 경우, 스테이지에 재치하는 전자 부품을 IC 칩, IC 모듈, FPC, 유리 기판, 플라스틱 기판, 리지드 기판, 세라믹 기판 등의 제 2 전자 부품으로 하고, 압착 툴로 가열 가압하는 전자 부품을 FPC, IC 칩, IC 모듈 등의 제 1 전자 부품으로 한다. 보다 상세한 방법으로는, 각종 기판 등의 제 2 전자 부품에 이방성 도전 필름을 가부착하여 가압착하고, 가압착한 이방성 도전 필름에 IC 칩 등의 제 1 전자 부품을 맞추어, 열압착함으로써 접속 구조체를 제조한다. 또한, 제 2 전자 부품이 아니라, 제 1 전자 부품에 이방성 도전 필름을 가부착하여 접속 구조체를 제조할 수도 있다. 또한, 접속 방법에 있어서의 압착은 열압착에 한정되는 것은 아니고, 광 경화를 이용한 압착이나, 열과 광을 병용한 압착 등을 실시해도 된다. 본 발명은, 이와 같이 본 발명의 이방성 도전 필름을 개재하여 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 이방성 도전 접속된 접속 구조체나, 그 제조 방법도 포함한다.
본 발명의 이방성 도전 필름은, (i) 접속하는 단자열이 파인 피치인 경우에 단자간의 쇼트를 효과적으로 억제할 수 있으므로 의의가 높고, 또, (ii) 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품의 적어도 일방을, FPC 나 플라스틱 기판 등의 열팽창하기 쉬운 재질의 것으로 하는 경우에 의의가 높다. 구체적으로는, FOP, FOG, COG, COP 접속하는 경우에 상기 서술한 (i), (ii) 중 어느 하나 혹은 양방을 만족하므로 바람직하다. 또한 접속하는 단자열이 팬아웃형인 경우에는 한층 더 본 발명의 의의가 높아진다. 또한, 팬아웃 배열은 단자열이 부품 중 어느 일방에만 존재하는 양태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명은 퍼리퍼럴 배열 등의 공지된 배열에도 적용할 수 있다.
2 : 절연성 수지층
3 : 저점도 수지층
10A, 10B : 이방성 도전 필름
20, 20a, 20b : 단자
A1 : 제 1 배열축
A2 : 제 2 배열축
A3 : 제 3 배열축
P, P1, P2 : 도전 입자
3 : 저점도 수지층
10A, 10B : 이방성 도전 필름
20, 20a, 20b : 단자
A1 : 제 1 배열축
A2 : 제 2 배열축
A3 : 제 3 배열축
P, P1, P2 : 도전 입자
Claims (11)
- 도전 입자가 절연성 수지층에 유지되어 있는 이방성 도전 필름으로서,
이방성 도전 필름의 폭 방향으로 도전 입자가 배열된 제 1 배열축과, 제 1 배열축에 병렬하여 도전 입자가 배열된 제 2 배열축이 소정의 반복 피치로 배열된 입자 배치를 갖고,
도전 입자의 평균 입자경을 D 로 한 경우에,
제 1 배열축과 제 2 배열축의 거리 (a) 가 0.7D ∼ 8D,
제 1 배열축 및 제 2 배열축의 반복 피치 (b) 가 1.5D 보다 크고,
제 1 배열축에 있는 도전 입자 (P1) 와, 제 2 배열축에 있는 도전 입자 중 상기 도전 입자 (P1) 에 가장 근접한 도전 입자 (P2) 의 중심간 거리 (d) 가 2D 보다 크고,
상기 중심간 거리 (d) 를 이방성 도전 필름의 폭 방향에 투영시킨 경우의 투영 이미지의 길이를 f 로 했을 때에, 제 1 배열축에 있어서의 도전 입자의 배열 피치 (c1) 가 2f 이상이고,
이웃하는 제 1 배열축과 제 2 배열축에 있어서, 제 1 배열축에 있어서의 도전 입자와 제 2 배열축에 있어서의 도전 입자가 이방성 도전 필름의 길이 방향에서 중첩되지 않는, 이방성 도전 필름. - 제 1 항에 있어서,
상기 반복 피치 (b) 와 거리 (d) 에 대해, d < b 인, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
제 1 배열축에 있어서의 도전 입자의 배열 피치 (c1) 와 제 2 배열축에 있어서의 도전 입자의 배열 피치 (c2) 가 같은, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 1 배열축과 제 2 배열축의 반복 방향이 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 경사져 있는, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 1 배열축과 제 2 배열축의 반복 방향이 이방성 도전 필름의 길이 방향인, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 1 배열축과 제 2 배열축의 반복 배열에 있어서, 이웃하는 3 개의 배열축에 있어서의 도전 입자가 이방성 도전 필름의 길이 방향에서 중첩되지 않는, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
거리 (a) 가 4D 이하인, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
반복 피치 (b) 가 20D 이하인, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
거리 (d) 가 반복 피치 (b) 보다 작은, 이방성 도전 필름. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 개재하여 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 이방성 도전 접속되어 있는 접속 구조체.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 개재하여 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 압착함으로써 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 이방성 도전 접속하는 접속 구조체의 제조 방법.
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