CN113046824A - 单晶硅提拉用坩埚系统 - Google Patents
单晶硅提拉用坩埚系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113046824A CN113046824A CN202110308848.0A CN202110308848A CN113046824A CN 113046824 A CN113046824 A CN 113046824A CN 202110308848 A CN202110308848 A CN 202110308848A CN 113046824 A CN113046824 A CN 113046824A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- carbon
- pulling
- crystal silicon
- reserved
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 85
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
- C30B15/12—Double crucible methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种单晶硅提拉用坩埚系统，旨在不破坏碳基坩埚的情况下，实现与石英坩埚的分离。该单晶硅提拉用坩埚系统包括用于盛装多晶硅的石英坩埚以及匹配套在所述石英坩埚外的碳基坩埚，所述碳基坩埚上设有若干预留通孔，每个所述预留通孔中均匹配设有所述缓冲堵塞，每个所述缓冲堵塞的外侧均设有刚性锥头，所述刚性锥头的锥尖插入所述缓冲堵塞中，所述刚性锥头在外力作用下能够刺穿所述缓冲堵塞对所述石英坩埚施加载荷。
Description
技术领域
本发明属于单晶硅制备技术领域，尤其涉及一种单晶硅提拉用坩埚系统。
背景技术
随着单晶硅片成本的快速下降以及PERC技术渗透率提升大幅提高了单晶硅太阳能电池转换率，单晶硅太阳能电池的市场份额已超过50％，其中2019年单晶硅太阳能电池市场占有率接近70％，2020年单晶硅太阳能电池市场占有率约90％。单晶硅太阳能电池市场份额的急剧增加，拉动了对单晶硅(棒)的需求量以及其生产原辅材料需求量。作为生产单晶硅(棒)的重要辅(耗)材：石英坩埚及碳基坩埚的需求量激增。
目前，单晶硅提拉用坩埚系统包括用于盛装多晶硅的石英坩埚以及支撑石英坩埚的碳基坩埚，单晶硅棒拉制过程中，单晶硅炉内温度高达1500℃左右，石英坩埚将变软，由石英坩埚外部的碳基坩埚承力。此工况下，高温下硅蒸汽及含硅气体均可进入碳基坩埚表面的孔隙中，并与碳基坩埚发生反应，导致石英坩埚与碳基坩埚粘结，冷却后难以分离。
此外，由于石英坩埚的寿命远比碳基坩埚短，为了重复利用碳基坩埚，当石英坩埚无法再次使用时，绝大部分厂家通过击打石英坩埚内壁，以此去除粘结在碳基坩埚内壁的石英坩埚，但该方法常会损坏碳基坩埚而导致不能再次使用，由于碳基坩埚的成本高，碳基坩埚的损坏造成生产成本的大大提升。如何有效解决石英坩埚和碳基坩埚之间的分离以延长碳碳复合材料坩埚的使用寿命，是进一步降低单晶硅太阳能电池的成本亟需解决得问题。
综上，有必要对现有的单晶硅提拉用坩埚系统进行改进。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种单晶硅提拉用坩埚系统，旨在不破坏碳基坩埚的情况下，实现与石英坩埚的分离。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
单晶硅提拉用坩埚系统，包括用于盛装多晶硅的石英坩埚以及匹配套在所述石英坩埚外的碳基坩埚，所述碳基坩埚上设有若干预留通孔，每个所述预留通孔中均匹配设有缓冲堵塞，每个所述缓冲堵塞的外侧均设有刚性锥头，所述刚性锥头的锥尖插入所述缓冲堵塞中，所述刚性锥头在外力作用下能够刺穿所述缓冲堵塞对所述石英坩埚施加载荷。
具体的，所述预留通孔通过所述缓冲堵塞密封，所述缓冲堵塞的内侧壁上设有释放沉孔，所述释放沉孔中设有带有泄压阀的压力容器，所述压力容器内设有惰性气体。
具体的，所述缓冲堵塞为外侧小内侧大的圆台体。
具体的，所述碳基坩埚为石墨坩埚、碳/碳复合材料坩埚、碳/碳化硅复合材料坩埚或碳/氮化硅复合材料坩埚。
具体的，所述预留通孔之间的间距控制在300-500mm。
具体的，所述预留通孔设置在所述碳基坩埚的埚身与埚底的交接处。
具体的，所述预留通孔在所述交接处均匀分布。
具体的，所述刚性锥头的材料为钨合金或钨莱合金。
具体的，所述缓冲堵塞的制作材质为碳材料，且所述缓冲堵塞的密度小于所述碳基坩埚的密度。
具体的，所述刚性锥头的锥角为30°-110°。
与现有技术相比，本发明至少一个实施例具有的有益效果在于：碳基坩埚与石英坩埚分离时，通过敲击位于碳基坩埚外侧面的刚性锥头，使刚性锥头刺破缓冲堵塞，对石英坩埚施加冲击载荷，并产生缺陷点，从而分离石英坩埚，不仅能够实现碳基坩埚与石英坩埚的快速安全分离，避免了常规分离方法对碳基坩埚的损伤，延长了碳基坩埚的使用寿命，而且坩埚分离的劳动强度低，可以实现坩埚的低成本分离；此外，刚性锥头还可以重复利用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的坩埚系统示意图；
图2是图1中A处局部放大示意图；
图3为本发明实施例涉及的碳基坩埚结构示意图；
其中：1、石英坩埚；2、碳基坩埚；3、预留通孔；4、缓冲堵塞；5、刚性锥头；6、释放沉孔；7、压力容器；8、间隙。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
参加图1-图3，一种单晶硅提拉用坩埚系统，包括用于盛装多晶硅的石英坩埚1以及匹配套在石英坩埚1外的碳基坩埚2，在碳基坩埚2上设有若干预留通孔3，每个预留通孔3中均匹配设有缓冲堵塞4，每个缓冲堵塞4的外侧均设有刚性锥头5，刚性锥头5的锥尖插入缓冲堵塞4中，刚性锥头5在外力作用下能够刺穿缓冲堵塞4对石英坩埚1施加载荷。
本实施例中，碳基坩埚2与石英坩埚1分离时，通过敲击刚性锥头5，使刚性锥头5刺破缓冲堵塞4，对石英坩埚1施加冲击载荷，并产生缺陷点，从而分离石英坩埚1，不仅能够实现碳基坩埚2与石英坩埚1的快速安全分离，避免了常规分离方法对碳基坩埚2的损伤，延长了碳基坩埚2的使用寿命，而且坩埚分离的劳动强度低，可以实现坩埚的低成本分离；此外，刚性锥头5还可以重复利用。
参见图1，在一些实施例中，预留通孔3在碳基坩埚2的埚身与埚底的交接处，并在该交接处是均匀分布的。这样设计的目的在于，该交界处为石英坩埚1的应力集中点，为石英坩埚1的薄弱部位，在较小冲击载荷作用下，刚性锥头5即可将该部分石英坩埚1刺破产生破裂源头，而一旦石英坩埚1有了破裂源头，其余部分就好比较好分离了。当然，对于本领域技术人员来说，还可以在碳基坩埚2的埚身与埚底上设置预留通孔3，但是这样的设计碳基坩埚2上开孔会比较多，不仅会降低碳基坩埚2的强度，而且碳基坩埚2的制作成本也会增加。
在实际设计中，碳基坩埚2包括碳坩埚及碳坩埚的衍生坩埚，碳基坩埚2可以为碳/碳复合材料坩埚、石墨坩埚，碳坩埚的衍生坩埚可以为碳/碳化硅复合材料坩埚以及碳/氮化硅复合材料坩埚等。
具体的，预留通孔3为锥形孔，预留通孔3的大端端面积及小端端面积控制在4-28cm2比较合适，但大端面面积大于小端面面积，缓冲堵塞4则为外侧小内侧大的圆台体，该缓冲堵塞4与预留通孔3尺寸相近，以紧密配合安装入预留通孔3，碳基坩埚2的密度可以控制在1.2-2.4g/cm3，预留通孔3之间的间距可以控制在300-500mm。
参见图2，在另一些实施例中，预留通孔3通过缓冲堵塞4密封，缓冲堵塞4的内侧壁上设有释放沉孔6，释放沉孔6中设有带有泄压阀的压力容器7，压力容器7内设有惰性气体。上述设计的优点在于：石英坩埚1内的熔融态多晶硅的热量将传导至对压力容器7，使得压力容器7内惰性气体受热膨胀，当压力容器7内气压大于泄压阀的泄压值时，惰性气体将从泄压阀排出，并充填在石英坩埚1与碳基坩埚2之间的微小间隙8中，同时进入碳基坩埚2表面的孔隙中，形成隔离保护层，起到阻隔硅蒸汽及含硅气体的目的，可以有效防止碳基坩埚2与硅蒸汽及含硅气体发生反应产生粘埚。其中，惰性气体优选为氮气，当然也可以为氩气等其他惰性其他。
需要解释的是，在另一些实施例中，缓冲堵塞4可以采用低密度的碳材料制作，其密度控制在0.6-1.4g/cm3，且缓冲堵塞4密度小于碳基坩埚2的密度。该缓冲堵塞4与碳基坩埚2具有大端和小端，与碳基坩埚2组合安装时形成大端朝内，小端朝外，缓冲堵塞4的作用是防止拉制单晶硅棒过程中硅液的外漏至碳基坩埚2外引起安全及质量问题；同时，起到在施加载荷时对碳基坩埚2提高保护的目的。本实施例中由于缓冲堵塞4的密度和强度比碳基坩埚2低，分离碳基坩埚2和石英坩埚1时不会导致碳基坩埚2通孔边缘的材料损伤。其中，碳材料可以为石墨、焦炭等。
具体的，刚性锥头5的材料可以采用钨合金或钨莱合金，上述材质选择的原因在于:钨合金及钨莱合金具有耐高温的特点，能在温度1700℃以上不软化，并保持力学性能，可以保证其在单晶硅拉制高温过程中不软化，与缓冲堵塞4填充于预留通孔3，避免了硅液外漏导致的安全事故。
需要解释的是，刚性锥头5的锥角优选为30°-110°，这是因为过小的锥角将导致锥头钝化，无法有效地破环石英坩埚1；过大的锥角，同样会导致石英坩埚1的破坏困难。此外，锥头尾端部的面积控制在2-20cm2比较适宜，这是因为过小的锥头尾端部面积将影响分离力施加的便捷性；过大的锥头尾端部面积将使得缓冲堵塞4尾部变的细小，由于锥头材料和碳基材料在高温下热膨胀系数不一致产生体积的变化，可导致碳基坩埚2破裂失效。
参见图1和图2，本实施例中，当坩埚系统冷却出炉后，作用于刚性锥头5尾端部的外力可轻易刺破缓冲堵塞4并刺破石英坩埚1，使石英坩埚1破裂。然后使用简易的工具沿破裂后坩埚的破裂处敲击可将石英坩埚1与碳基坩埚2分离，分离后的碳基坩埚2可继续重复使用，与现有技术相比具有以下优点：1)碳基坩埚2结构简单，操作方面，锥头可重复使用；2)碳基坩埚2能够有效分离粘附于碳基坩埚2内壁的石英坩埚1，避免分离时对碳基坩埚2的损伤而失效，延长了碳基坩埚2的使用寿命，降低了单晶硅棒拉制的生产成本。
上述本发明所公开的任一技术方案除另有声明外，如果其公开了数值范围，那么公开的数值范围均为优选的数值范围，任何本领域的技术人员应该理解：优选的数值范围仅仅是诸多可实施的数值中技术效果比较明显或具有代表性的数值。由于数值较多，无法穷举，所以本发明才公开部分数值以举例说明本发明的技术方案，并且，上述列举的数值不应构成对本发明创造保护范围的限制。
同时，上述本发明如果公开或涉及了互相固定连接的零部件或结构件，那么，除另有声明外，固定连接可以理解为：能够拆卸地固定连接(例如使用螺栓或螺钉连接)，也可以理解为：不可拆卸的固定连接(例如铆接、焊接)，当然，互相固定连接也可以为一体式结构(例如使用铸造工艺一体成形制造出来)所取代(明显无法采用一体成形工艺除外)。
另外，上述本发明公开的任一技术方案中所应用的用于表示位置关系或形状的术语除另有声明外其含义包括与其近似、类似或接近的状态或形状。本发明提供的任一部件既可以是由多个单独的组成部分组装而成，也可以为一体成形工艺制造出来的单独部件。
上述实施例仅仅是清楚地说明本发明所作的举例，而非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里也无需也无法对所有的实施例予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (10)
1.单晶硅提拉用坩埚系统，包括用于盛装多晶硅的石英坩埚(1)以及匹配套在所述石英坩埚(1)外的碳基坩埚(2)，其特征在于：所述碳基坩埚(2)上设有若干预留通孔(3)，每个所述预留通孔(3)中均匹配设有缓冲堵塞(4)；
每个所述缓冲堵塞(4)的外侧均设有刚性锥头(5)，所述刚性锥头(5)的锥尖插入所述缓冲堵塞(4)中，所述刚性锥头(5)在外力作用下能够刺穿所述缓冲堵塞(4)对所述石英坩埚(1)施加载荷。
2.根据权利要求1所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述预留通孔(3)通过所述缓冲堵塞(4)密封，所述缓冲堵塞(4)的内侧壁上设有释放沉孔(6)，所述释放沉孔(6)中设有带有泄压阀的压力容器(7)，所述压力容器(7)内设有惰性气体。
3.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述缓冲堵塞(4)为外侧小内侧大的圆台体。
4.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述碳基坩埚(2)为石墨坩埚、碳/碳复合材料坩埚、碳/碳化硅复合材料坩埚或碳/氮化硅复合材料坩埚。
5.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述预留通孔(3)之间的间距控制在300-500mm。
6.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述预留通孔(3)设置在所述碳基坩埚(2)的埚身与埚底的交接处。
7.根据权利要求6所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述预留通孔(3)在所述交接处均匀分布。
8.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述刚性锥头(5)的材料为钨合金或钨莱合金。
9.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述缓冲堵塞(4)的制作材质为碳材料，且所述缓冲堵塞(4)的密度小于所述碳基坩埚(2)的密度。
10.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用坩埚系统，其特征在于：所述刚性锥头(5)的锥角为30°-110°。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110308848.0A CN113046824B (zh) | 2021-03-23 | 2021-03-23 | 单晶硅提拉用坩埚系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110308848.0A CN113046824B (zh) | 2021-03-23 | 2021-03-23 | 单晶硅提拉用坩埚系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113046824A true CN113046824A (zh) | 2021-06-29 |
| CN113046824B CN113046824B (zh) | 2022-01-07 |
Family
ID=76514598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110308848.0A Active CN113046824B (zh) | 2021-03-23 | 2021-03-23 | 单晶硅提拉用坩埚系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113046824B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101319353A (zh) * | 2008-05-20 | 2008-12-10 | 湖南金博复合材料科技有限公司 | 炭/炭复合材料坩埚及其生产工艺 |
| CN102041550A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 上海杰姆斯电子材料有限公司 | 一种提高单晶炉热场坩埚使用寿命的方法及直拉单晶炉 |
| JP2011121827A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Siltronic Japan Corp | 黒鉛ルツボ及びシリコン単結晶製造装置 |
| CN201962421U (zh) * | 2010-12-31 | 2011-09-07 | 常州天合光能有限公司 | 一种cfc单晶炉坩埚结构 |
| CN205088333U (zh) * | 2015-11-04 | 2016-03-16 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 用于石墨坩埚的排渣结构 |
-
2021
- 2021-03-23 CN CN202110308848.0A patent/CN113046824B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101319353A (zh) * | 2008-05-20 | 2008-12-10 | 湖南金博复合材料科技有限公司 | 炭/炭复合材料坩埚及其生产工艺 |
| CN102041550A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 上海杰姆斯电子材料有限公司 | 一种提高单晶炉热场坩埚使用寿命的方法及直拉单晶炉 |
| JP2011121827A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Siltronic Japan Corp | 黒鉛ルツボ及びシリコン単結晶製造装置 |
| CN201962421U (zh) * | 2010-12-31 | 2011-09-07 | 常州天合光能有限公司 | 一种cfc单晶炉坩埚结构 |
| CN205088333U (zh) * | 2015-11-04 | 2016-03-16 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 用于石墨坩埚的排渣结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113046824B (zh) | 2022-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109338462B (zh) | 一种直拉单晶用变径籽晶及引晶方法 | |
| EP1348783B1 (en) | a method for regenerating a composite crucible | |
| CN113046824B (zh) | 单晶硅提拉用坩埚系统 | |
| KR100523342B1 (ko) | 단결정인상장치 | |
| WO2011027803A1 (ja) | シード保持部材及びそのシード保持部材を用いた多結晶シリコン製造方法 | |
| CN112195510A (zh) | 一种碳纤维碗形预制体及碳碳碗体及坩埚 | |
| KR20230110348A (ko) | 단결정로용 흑연 도가니 및 이의 제조 방법, 도가니어셈블리 및 단결정로 | |
| CN216074090U (zh) | 一种夹头及上提拉机构、单晶炉 | |
| CN216006085U (zh) | 坩埚组合 | |
| KR100582238B1 (ko) | 실리콘 종결정 및 이를 이용한 실리콘 단결정 제조방법 | |
| CN217600897U (zh) | 一种直拉单晶用防裂吸料装置 | |
| CN201268729Y (zh) | 籽晶夹持装置 | |
| CN214572351U (zh) | 一种碳纤维碗形预制体及碳碳碗体及坩埚 | |
| CN103361716A (zh) | 一种籽晶夹持器 | |
| JP2937120B2 (ja) | 単結晶引き上げ用種結晶保持具 | |
| CN203602749U (zh) | 一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈 | |
| CN101657570A (zh) | 膨胀石墨膜以及使用了该膨胀石墨膜的碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制装置 | |
| CN2578342Y (zh) | 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器 | |
| CN116732601A (zh) | 一种直拉单晶用防裂吸料装置 | |
| JP3206951U (ja) | 多結晶シリコンの連接構造 | |
| CN214572364U (zh) | 一种组合坩埚 | |
| CN210194035U (zh) | 一种单晶炉及其坩埚托杆 | |
| CN217865624U (zh) | 一种用于12mw及以上风力发电机聚载体的固定装置 | |
| JP3206952U (ja) | 多結晶シリコンの接続部 | |
| CN202576642U (zh) | 一种新型籽晶夹持器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |