CN113036054B - Oled显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Oled显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本公开提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,OLED显示基板,包括:驱动基板,所述驱动基板上设置有发光单元;覆盖所述发光单元的封装结构;所述封装结构包括沿远离所述驱动基板的方向依次设置的第一无机结构、有机层和第二无机结构;所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm。本公开的技术方案能够改善OLED显示基板的显示效果。

Description

OLED显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管,简称OLED)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点,已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
发明内容
本公开要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,能够改善OLED显示基板的显示效果。
为解决上述技术问题,本公开的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种OLED显示基板,包括:
驱动基板,所述驱动基板上设置有发光单元;
覆盖所述发光单元的封装结构;
所述封装结构包括沿远离所述驱动基板的方向依次设置的第一无机结构、有机层和第二无机结构;
所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm。
一些实施例中,沿远离所述驱动基板的方向,所述第一无机结构包括层叠设置的第一无机层和第二无机层,所述第一无机层的折射率小于所述第二无机层的折射率,所述第一无机层的厚度不大于500nm。
一些实施例中,所述第一无机层的厚度不大于100nm,所述第二无机层的厚度不大于500nm。
一些实施例中,所述第二无机层与所述有机层的折射率的差值小于预设阈值。
一些实施例中,所述预设阈值为0.15。
一些实施例中,所述有机层的厚度大于6000nm。
一些实施例中,所述第二无机层的厚度为10-50000nm。
一些实施例中,所述第二无机层的厚度大于1500nm。
一些实施例中,所述第一无机结构仅包括第一无机层,所述第一无机层的厚度小于500nm。
本公开的实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的OLED显示基板。
本公开的实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法,包括:
提供一驱动基板;
在所述驱动基板上形成发光单元;
形成覆盖所述发光单元的封装结构;
形成所述封装结构包括:
依次形成第一无机结构、有机层和第二无机结构,所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm。
一些实施例中,形成所述第一无机结构包括:
形成层叠设置的第一无机层和第二无机层,所述第一无机层的折射率小于所述第二无机层的折射率,所述第一无机层的厚度不大于500nm。
一些实施例中,形成所述第一无机结构包括:
形成第一无机层,所述第一无机层的厚度小于500nm。
一些实施例中,形成所述第一无机层包括:
采用原子层沉积ALD方式形成所述第一无机层
本公开的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,所述封装结构包括沿远离所述驱动基板的方向依次设置的第一无机结构、有机层和第二无机结构,所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm,通过上述设计可以避免在第一无机结构中横向传播的光线掺入显示基板正常的出射光中,改善显示基板的色偏现象。
附图说明
图1为现有OLED显示基板的示意图;
图2为现有OLED显示基板光传播的示意图;
图3为本公开实施例OLED显示基板的示意图;
图4、图5和图7为本公开实施例显示基板光传播的示意图;
图6为本公开实施例OLED显示基板显示效果改善的示意图。
附图标记
1 驱动基板
2 发光单元
3 偏光片
4 保护层
5 第一无机层
6 有机层
7 第三无机层
8 像素界定层
9 第二无机层
10 阳极
具体实施方式
为使本公开的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图1所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。柔性OLED显示基板一般采用薄膜封装,其封装结构为多层无机薄膜层叠的封装结构。无机薄膜通常很致密,在沉积过程中由于无机薄膜中存在薄膜应力,使得无机薄膜的弯折性较差,容易产生破裂(crack)和剥离(peeling)。而且,为了防止水氧渗入到OLED显示基板内部,需要无机薄膜具有一定的厚度,以达到阻水阻氧的作用,而无机膜层厚度的增加,又会进一步加剧了产生破裂和剥离问题产生的可能性。特别是OLED柔性显示基板,当OLED柔性显示基板进行弯曲或折叠的过程中,很容易在无机薄膜处发生薄膜破裂或剥离的问题,从而导致柔性OLED显示基板中的器件大面积失效,因此,为了降低应力,封装结构采用多层无机薄膜和有机薄膜交替沉积的结构,如图1所示,封装结构包括第一无机层5、有机层6和第三无机层7。其中,第一无机层5的厚度可以为1um左右,有机层6的厚度可以为10um左右,第三无机层7的厚度可以为0.8um左右。
其中,第一无机层5和第三无机层7的折射率均大于有机层6的折射率,折射率差值一般可达0.4以上,第一无机层5和有机层6之间界面处的折射率差异比较大,这样导致发光单元发出的光线入射第一无机层5后,第一无机层5在平面结构中形成了一个类光纤结构,如图2中箭头所示,部分光限于第一无机层5形成波导光进行横向传播;在像素界定层8区域,由于第一无机层5具有一定的厚度(1um左右),导致该区域第一无机层5的平行性变差,部分波导光不再在第一无机层5内全反射传播,而会被第一无机层5位于像素界定层8处的坡面反射,出射第一无机层5,掺入正常出射光中,OLED显示基板的大视角光强度较低,导致掺入波导光后,色偏情况较为严重。
本公开的实施例提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,能够改善OLED显示基板的显示效果。
本公开的实施例提供一种OLED显示基板,包括:
驱动基板,所述驱动基板上设置有发光单元;
覆盖所述发光单元的封装结构;
所述封装结构包括沿远离所述驱动基板的方向依次设置的第一无机结构、有机层和第二无机结构;
所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm。
本实施例中,所述封装结构包括沿远离所述驱动基板的方向依次设置的第一无机结构、有机层和第二无机结构,所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm,通过上述设计可以改善该无机层上下表面的平行性,使其光纤效果更强,降低波导光出射的概率,改善显示基板的色偏现象。
其中,第一无机结构可以包括多个无机层,多个无机层中的一个无机层的厚度比较小,不大于500nm;或者,第一无机结构仅包括一个无机层,该无机层的厚度比较小,不大于500nm。
如果第一无机结构中该无机层的厚度较小,不大于500nm,会改善该无机层上下表面的平行性,使其光纤效果更强,降低波导光出射的概率,改善OLED显示基板的显示效果。
一具体实施例中,如图3所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。封装结构包括依次层叠的第一无机层5、第二无机层9、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5、第二无机层9和第三无机层7具有良好的阻水阻氧特性,能够保证封装信赖性。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装的可靠性。第一无机层5可以采用CVD(化学气相沉积)工艺或ALD(原子层沉积)工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
第二无机层9可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌等多种材质,第二无机层9可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第二无机层9的致密性更好。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层6的厚度大于6000nm,可以在6000-10000nm之间。第二无机层9的折射率大于有机层6的折射率,折射率差值可以在0.4以上。
本实施例中,第一无机层5的厚度比较小,不大于100nm,具体可以在10-100nm之间,为了保证封装信赖性,可以采用ALD工艺制备第一无机层5,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性较好,但ALD工艺制备的第一无机层5的折射率一般比较低,小于1.6,因为还需要制备第二无机层9,第二无机层9的折射率大于第一无机层5的折射率,一般不小于1.7,这样第二无机层9可以形成类光纤结构,另外,通过第二无机层9和第一无机层5叠加还能够保证封装信赖性。
第一无机层5的折射率可以为1.4-1.75,第二无机层9的折射率大于第一无机层5的折射率。由于第一无机层5的折射率小于第二无机层9的折射率,如图4所示,发光单元出射的光线将经过第一无机层5进入第二无机层9,由于第二无机层9的折射率大于有机层6的折射率,且与有机层6之间的折射率差值比较大,发光单元出射的光线进入第二无机层9后将全反射传播,第二无机层9在平面结构中形成了一个类光纤结构,如图4中箭头所示,部分光限于第二无机层9形成波导光进行横向传播。本实施例中,第二无机层9的厚度不大于500nm,优选10-200nm,相比1um的厚度,第二无机层9的厚度大大减小,可以使得第二无机层9的上行表面具有较高的平行性,使其光纤效果更强,降低波导光出射的概率;在像素界定层8区域,也能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。其中,10为OLED显示基板发光单元的阳极。
模拟效果如图6所示,其中曲线A为图1所示OLED显示基板的大视角白光JNCD曲线,曲线B为图3所示OLED显示基板的大视角白光JNCD曲线,横坐标为角度(deg),纵坐标为大视角白光JNCD值,曲线为不同视角下的JNCD值,可以看出,采用如图3所示的设计后,大视角白光JNCD显著下降。其中,JNCD是衡量屏幕色彩准确度的标准,它的数值越小,代表屏幕显示的色彩就越准确,肉眼看到的效果也越逼真。
另一具体实施例中,如图3所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。封装结构包括依次层叠的第一无机层5、第二无机层9、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5、第二无机层9和第三无机层7具有良好的阻水阻氧特性,能够保证封装信赖性。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第一无机层5可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
第二无机层9可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌等多种材质,第二无机层9可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第二无机层9的致密性更好。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层的厚度大于6000nm,可以在6000-100000nm之间。
本实施例中,第一无机层5的厚度比较小,具体可以在10-100nm之间,不足以保证封装信赖性,因此在第一无机层5之上还设置有第二无机层9,通过第二无机层9和第一无机层5叠加能够保证封装信赖性。
本实施例中,可以通过调整第二无机层9的材料或者有机层6的材料来降低第二无机层9的折射率或提高有机层6的折射率,缩小第二无机层9与有机层6之间的折射率差值,使得第二无机层9与有机层6之间的折射率差值低于预设阈值,预设阈值可以为0.15,这样能够改善光线在第二无机层9与有机层6之间界面的全反射现象,减少波导光的产生。
如图5所示,由于第一无机层5的折射率与第二无机层9相差不大,发光单元出射的光线将经过第一无机层5进入第二无机层9,在进入第二无机层9后,由于第二无机层9与有机层6之间的折射率差值小于0.15,光线将经第二无机层9进入有机层6。由于有机层6与第三无机层7之间的折射率差值比较大(有机层6的折射率大于第三无机层7的折射率),光线将在第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构中横向传播,由于有机层6的厚度比较大,可达10um左右,第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构的厚度也会比较大,较像素界定层8的厚度(一般在2-4um)大出许多,这样在像素界定层8区域,第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构也近似于平坦的,能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。
为了提高第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构的平坦度,第二无机层9的厚度可以设置的比较大,大于1500nm,比如50000nm;当然由于有机层6的厚度比较大,已经可以保证第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构的平坦度,第二无机层9也可以设置为比较小,比如10nm。因此,第二无机层9的厚度可以为10-50000nm。
又一具体实施例中,如图3所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。封装结构包括依次层叠的第一无机层5、第二无机层9、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5、第二无机层9和第三无机层7具有良好的阻水阻氧特性,能够保证封装信赖性。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第一无机层5可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
第二无机层9可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌等多种材质,第二无机层9可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第二无机层9的致密性更好。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层的厚度大于6000nm,可以在6000nm-1000nm之间。第二无机层9的折射率大于有机层6的折射率,折射率差值可以在0.4以上。
其中,第一无机层5的厚度比较小,小于500nm,具体可以在10-100nm之间,不足以保证封装信赖性,因此在第一无机层5之上还设置有第二无机层9,通过第二无机层9和第一无机层5叠加能够保证封装信赖性。第二无机层9的厚度可以设置的比较大,大于1.5um。
如图5所示,由于第一无机层5的折射率与第二无机层9的折射率相差不大,发光单元出射的光线将经过第一无机层5进入第二无机层9,由于有机层6与第二无机层9之间的折射率差值比较大,光线将在第二无机层9中横向传播,由于第二无机层9的厚度比较大,可达1.5um左右,会减少波导光在像素界定层处反射的比例,如图7所示,大部分光线如图中箭头所示会直接传播到像素界定层8上方,而不会被像素界定层8的坡面反射,类似于平面传播,能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。
再一具体实施例中,如图1所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。封装结构包括依次层叠的第一无机层5、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5的厚度比较小,小于500nm,优选小于100nm,为了保证封装信赖性,第一无机层5可以采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层的厚度大于6000nm,可以在6000nm-1000nm之间。第一无机层5的折射率大于有机层6的折射率,折射率差值可以在0.4以上。
由于第一无机层5的折射率远大于有机层6的折射率,第一无机层5和有机层6之间界面处的折射率差异比较大,这样导致发光单元发出的光线入射第一无机层5后,第一无机层5在平面结构中形成了一个类光纤结构,部分光限于第一无机层5形成波导光进行横向传播;由于第一无机层5的厚度较小,这样在像素界定层8区域,第一无机层5的上下表面具有较高的平行性,使其光纤效果更强,降低波导光出射的概率;在像素界定层8区域,也能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。
本公开的实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的OLED显示基板。
该显示装置包括但不限于:射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解,上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定,显示装置可以包括上述更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。在本公开实施例中,显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本公开的实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法,包括:
提供一驱动基板;
在所述驱动基板上形成发光单元;
形成覆盖所述发光单元的封装结构;
形成所述封装结构包括:
依次形成第一无机结构、有机层和第二无机结构,所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm。
本实施例中,所述封装结构包括沿远离所述驱动基板的方向依次设置的第一无机结构、有机层和第二无机结构,所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm,通过上述设计可以避免在第一无机结构中横向传播的光线掺入显示基板正常的出射光中,改善显示基板的色偏现象。
其中,第一无机结构可以包括多个无机层,多个无机层中的一个无机层的厚度比较小,不大于500nm;或者,第一无机结构仅包括一个无机层,该无机层的厚度比较小,不大于500nm。
如果第一无机结构中该无机层的厚度较小,不大于500nm,会改善该无机层上下表面的平行性,使其光纤效果更强,降低波导光出射的概率,改善OLED显示基板的显示效果。
一些实施例中,形成所述第一无机结构包括:
形成层叠设置的第一无机层和第二无机层,所述第一无机层的折射率小于所述第二无机层的折射率,所述第一无机层的厚度不大于500nm。
一具体实施例中,如图3所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。形成所述封装结构包括:形成依次层叠的第一无机层5、第二无机层9、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5、第二无机层9和第三无机层7具有良好的阻水阻氧特性,能够保证封装信赖性。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装的可靠性。第一无机层5可以采用CVD(化学气相沉积)工艺或ALD(原子层沉积)工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
第二无机层9可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌等多种材质,第二无机层9可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第二无机层9的致密性更好。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层6的厚度大于6000nm,可以在6000-10000nm之间。第二无机层9的折射率大于有机层6的折射率,折射率差值可以在0.4以上。
本实施例中,第一无机层5的厚度比较小,不大于100nm,具体可以在10-100nm之间,为了保证封装信赖性,可以采用ALD工艺制备第一无机层5,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性较好,但ALD工艺制备的第一无机层5的折射率一般比较低,小于1.6,因为还需要制备第二无机层9,第二无机层9的折射率大于第一无机层5的折射率,一般不小于1.7,这样第二无机层9可以形成类光纤结构,另外,通过第二无机层9和第一无机层5叠加还能够保证封装信赖性。
第一无机层5的折射率可以为1.4-1.75,第二无机层9的折射率大于第一无机层5的折射率。由于第一无机层5的折射率小于第二无机层9的折射率,如图4所示,发光单元出射的光线将经过第一无机层5进入第二无机层9,由于第二无机层9的折射率大于有机层6的折射率,且与有机层6之间的折射率差值比较大,发光单元出射的光线进入第二无机层9后将全反射传播,第二无机层9在平面结构中形成了一个类光纤结构,如图4中箭头所示,部分光限于第二无机层9形成波导光进行横向传播。本实施例中,第二无机层9的厚度不大于500nm,优选10-200nm,相比1um的厚度,第二无机层9的厚度大大减小,可以使得第二无机层9的上行表面具有较高的平行性,使其光纤效果更强,降低波导光出射的概率;在像素界定层8区域,也能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。其中,10为OLED显示基板发光单元的阳极。
模拟效果如图6所示,其中曲线A为图1所示OLED显示基板的大视角白光JNCD曲线,曲线B为图3所示OLED显示基板的大视角白光JNCD曲线,横坐标为角度(deg),纵坐标为大视角白光JNCD值,曲线为不同视角下的JNCD值,可以看出,采用如图3所示的设计后,大视角白光JNCD显著下降。其中,JNCD是衡量屏幕色彩准确度的标准,它的数值越小,代表屏幕显示的色彩就越准确,肉眼看到的效果也越逼真。
另一具体实施例中,如图3所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。形成封装结构包括:形成依次层叠的第一无机层5、第二无机层9、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5、第二无机层9和第三无机层7具有良好的阻水阻氧特性,能够保证封装信赖性。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第一无机层5可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
第二无机层9可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌等多种材质,第二无机层9可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第二无机层9的致密性更好。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层的厚度大于6000nm,可以在6000-100000nm之间。
本实施例中,第一无机层5的厚度比较小,具体可以在10-100nm之间,不足以保证封装信赖性,因此在第一无机层5之上还设置有第二无机层9,通过第二无机层9和第一无机层5叠加能够保证封装信赖性。
本实施例中,可以通过调整第二无机层9的材料或者有机层6的材料来降低第二无机层9的折射率或提高有机层6的折射率,缩小第二无机层9与有机层6之间的折射率差值,使得第二无机层9与有机层6之间的折射率差值低于预设阈值,预设阈值可以为0.15,这样能够改善光线在第二无机层9与有机层6之间界面的全反射现象,减少波导光的产生。
如图5所示,由于第一无机层5的折射率与第二无机层9相差不大,发光单元出射的光线将经过第一无机层5进入第二无机层9,在进入第二无机层9后,由于第二无机层9与有机层6之间的折射率差值小于0.15,光线将经第二无机层9进入有机层6。由于有机层6与第三无机层7之间的折射率差值比较大(有机层6的折射率大于第三无机层7的折射率),光线将在第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构中横向传播,由于有机层6的厚度比较大,可达10um左右,第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构的厚度也会比较大,较像素界定层8的厚度(一般在2-4um)大出许多,这样在像素界定层8区域,第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构也近似于平坦的,能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。
为了提高第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构的平坦度,第二无机层9的厚度可以设置的比较大,大于1500nm,比如50000nm;当然由于有机层6的厚度比较大,已经可以保证第二无机层9和有机层6共同组成的膜层结构的平坦度,第二无机层9也可以设置为比较小,比如10nm。因此,第二无机层9的厚度可以为10-50000nm。
又一具体实施例中,如图3所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。形成封装结构包括:形成依次层叠的第一无机层5、第二无机层9、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5、第二无机层9和第三无机层7具有良好的阻水阻氧特性,能够保证封装信赖性。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第一无机层5可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
第二无机层9可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锌等多种材质,第二无机层9可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第二无机层9的致密性更好。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层的厚度大于6000nm,可以在6000nm-1000nm之间。第二无机层9的折射率大于有机层6的折射率,折射率差值可以在0.4以上。
其中,第一无机层5的厚度比较小,小于500nm,具体可以在10-100nm之间,不足以保证封装信赖性,因此在第一无机层5之上还设置有第二无机层9,通过第二无机层9和第一无机层5叠加能够保证封装信赖性。第二无机层9的厚度可以设置的比较大,大于1.5um。
如图5所示,由于第一无机层5的折射率与第二无机层9的折射率相差不大,发光单元出射的光线将经过第一无机层5进入第二无机层9,由于有机层6与第二无机层9之间的折射率差值比较大,光线将在第二无机层9中横向传播,由于第二无机层9的厚度比较大,可达1.5um左右,会减少波导光在像素界定层处反射的比例,如图7所示,大部分光线如图中箭头所示会直接传播到像素界定层8上方,而不会被像素界定层8的坡面反射,类似于平面传播,能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。
一些实施例中,形成所述第一无机结构包括:
形成第一无机层,所述第一无机层的厚度小于500nm。
如图1所示,OLED显示基板包括驱动基板1、位于驱动基板1上的发光单元2、偏光片3、保护层4和封装结构。驱动基板1包括衬底基板和位于衬底基板上的驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列和信号走线等。形成封装结构包括:形成依次层叠的第一无机层5、有机层6和第三无机层7。
本实施例中,第一无机层5的厚度比较小,小于500nm,优选小于100nm,为了保证封装信赖性,第一无机层5可以采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第一无机层5的致密性更好。
其中,第一无机层5可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。
第三无机层7可以采用氧化铝、氧化锌、氧化硅、氮氧化硅等多种材质,优选采用氧化硅,氧化硅的致密性比较好,能够保证封装性能。第三无机层7可以采用CVD工艺或ALD工艺制备,优选采用ALD工艺制备,ALD工艺制备的第三无机层7的致密性更好。
有机层6可以通过打印流变性有机材料制备,有机层的厚度大于6000nm,可以在6000nm-1000nm之间。第一无机层5的折射率大于有机层6的折射率,折射率差值可以在0.4以上。
由于第一无机层5的折射率远大于有机层6的折射率,第一无机层5和有机层6之间界面处的折射率差异比较大,这样导致发光单元发出的光线入射第一无机层5后,第一无机层5在平面结构中形成了一个类光纤结构,部分光限于第一无机层5形成波导光进行横向传播;由于第一无机层5的厚度较小,这样在像素界定层8区域,第一无机层5的上下表面具有较高的平行性,使其光纤效果更强,降低波导光出射的概率;在像素界定层8区域,也能够减少出射的波导光,从而改善OLED显示基板的显示效果。
需要说明,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于实施例而言,由于其基本相似于产品实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种OLED显示基板,包括:
驱动基板,所述驱动基板上设置有发光单元;
覆盖所述发光单元的封装结构;
其特征在于,所述封装结构包括沿远离所述驱动基板的方向依次设置的第一无机结构、有机层和第二无机结构;
所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm;
沿远离所述驱动基板的方向,所述第一无机结构包括层叠设置的第一无机层和第二无机层,所述第一无机层的折射率小于所述第二无机层的折射率,所述第二无机层与所述有机层的折射率的差值小于预设阈值,所述有机层的折射率大于所述第二无机结构的折射率。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述第一无机层的厚度不大于500nm。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述第一无机层的厚度不大于100nm,所述第二无机层的厚度不大于500nm。
4.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述预设阈值为0.15。
5.根据权利要求4所述的OLED显示基板,其特征在于,所述有机层的厚度大于6000nm。
6.根据权利要求4所述的OLED显示基板,其特征在于,所述第二无机层的厚度为10-50000nm。
7.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述第二无机层的厚度大于1500nm。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的OLED显示基板。
9.一种OLED显示基板的制作方法,包括:
提供一驱动基板;
在所述驱动基板上形成发光单元;
形成覆盖所述发光单元的封装结构;
其特征在于,形成所述封装结构包括:
依次形成第一无机结构、有机层和第二无机结构,所述第一无机结构的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一无机结构包括至少一层无机层,所述至少一层无机层中一无机层的厚度不大于500nm;
形成所述第一无机结构包括:
形成层叠设置的第一无机层和第二无机层,所述第一无机层的折射率小于所述第二无机层的折射率,所述第二无机层与所述有机层的折射率的差值小于预设阈值,所述有机层的折射率大于所述第二无机结构的折射率。
10.根据权利要求9所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,所述第一无机层的厚度不大于500nm。
11.根据权利要求9或10所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述第一无机层包括:
采用原子层沉积ALD方式形成所述第一无机层
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