CN116799013A - 显示基板、显示装置、及显示基板制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供的一种显示基板、显示装置、及显示基板制备方法，涉及显示技术领域。该显示基板包括：基底层；金属屏蔽层，设置于基底层的一侧；驱动器件，设置于金属屏蔽层远离基底层的一侧，驱动器件包括半导体层和绝缘层，半导体层在基底层上的正投影落入金属屏蔽层在基底层上的正投影内。发光器件，设置于驱动器件远离基底层的一侧，发光器件与驱动器件电连接；绝缘层，设置于半导体层与发光器件之间；绝缘层的至少一个光学结构在基底层上的正投影，至少与金属屏蔽层在基底层、发光器件的阳极的正投影之一无交叠，光学结构的斜面与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角，避免了具有该显示基板的显示装置，出现显示画面偏粉偏红的情况。

Description

显示基板、显示装置、及显示基板制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置、及显示基板制备方法。
背景技术
随着科技的进步，显示技术也在飞速发展，显示装置被点亮后的显示画面的画质的质量，是评估显示装置的品质的指标之一。具体地，可以通过对显示装置进行环境光测试，以评估显示装置的品质。
如图1所示，具体的环境光测试方式可以为：当使用环境光L照射输入显示装置的封装层107后，显示装置的金属屏蔽层102可以将大部分光线反射到显示装置的驱动器件的半导体层104。这时，半导体层104会产生大量的光生载流子，使得半导体层104的漏电的电流较大，进而显示装置的RGB像素的亮度均有所衰减。如图2所示，R像素、G像素、B像素的亮度衰减的幅度是不同的。其中，G像素的亮度的衰减幅度大于R像素的亮度的衰减幅度，R像素的亮度的衰减幅度大于B像素的亮度的衰减幅度，从而导致显示装置的显示画面偏粉偏红，导致评估的显示装置的品质低。
发明内容
本申请提供一种显示基板、显示装置、及显示基板制备方法，用于解决现有技术中在改善显示装置的显示画面偏粉偏红的问题时，造成显示装置的分辨率低，且功耗高的问题。
第一方面，本申请提供了一种显示基板，包括：
基底层；
金属屏蔽层，设置于基底层的一侧；
驱动器件，设置于金属屏蔽层远离基底层的一侧，驱动器件包括半导体层和绝缘层，半导体层在基底层上的正投影落入金属屏蔽层在基底层上的正投影内。
发光器件，设置于驱动器件远离基底层的一侧，发光器件与驱动器件电连接；
绝缘层，设置于半导体层与发光器件之间；
绝缘层包括至少一个光学结构，至少一个光学结构在基底层上的正投影，至少与金属屏蔽层在所述基底层、发光器件的阳极的正投影之一无交叠，光学结构包括斜面，斜面与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角。
在一种可能的实施方式中，光学结构为包括斜面的沟槽，沟槽内填充有介质。
在一种可能的实施方式中，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，沟槽的与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角的一面为斜面，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向基底层。
在一种可能的实施方式中，绝缘层的折射率高于或等于沟槽内填充的介质的折射率。
在一种可能的实施方式中，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面是三角形，沟槽的与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角的一面为斜面，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离基底层。
在一种可能的实施方式中，绝缘层的折射率低于或等于沟槽内填充的介质的折射率。
在一种可能的实施方式中，驱动器件还包括源漏极和栅极，栅极位于源漏极与半导体层之间，半导体层位于栅极朝向金属屏蔽层的一侧，源漏极位于栅极远离金属屏蔽层的一侧，绝缘层包括：
设置于栅极与源漏极之间，且覆盖栅极的第一栅极隔离层；
设置于第一栅极隔离层与源漏极之间，且覆盖第一栅极隔离层的层间介电层；
设置于发光器件与源漏极之间，且覆盖源漏极的平坦层；
光学结构位于第一栅极隔离层、层间介电层和平坦层中的至少一者。
在一种可能的实施方式中，若光学结构位于第一栅极隔离层，则光学结构的介质类型与层间介电层的介质相同；
若光学结构位于层间介电层，则光学结构的介质类型与平坦层的介质相同；
显示基板，还包括：封装层，封装层设置于发光器件远离层间介电层的一侧，若光学结构位于平坦层，则光学结构的介质类型与封装层的介质相同。
在一种可能的实施方式中，平坦层的折射率大于层间介电层的折射率，层间介电层的折射率大于第一栅极隔离层的折射率。
在一种可能的实施方式中，光学结构的数量多个，多个光学结构之间依次连接。
在一种可能的实施方式中，光学结构在基底层上的正投影，与金属屏蔽层在基底层上的正投影的之间距离小于10um。
第二方面，本申请还提供了一种显示装置，包括多个第一方面提供的显示基板，且多个显示基板之间并列设置。
在一种可能的实施方式中，每个显示基板为一个像素单元，光学结构处于对应的两个像素单元之间，其中，光学结构对应的两个像素单元为：光学结构所属的像素单元及与所属的像素单元相邻的像素单元。
在一种可能的实施方式中，光学结构为沟槽，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，沟槽的与绝缘层的延伸方向构成锐角的一面为斜面，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向基底层，或者沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离基底层。
在一种可能的实施方式中，多个像素单元包括R像素单元、G像素单元、以及B像素单元，R像素单元与B像素单元间隔设置，R像素单元和B像素单元分别周围间隔设置有多个G像素单元，其中，
处于B像素单元与R像素单元之间的沟槽，到B像素单元的距离小于到R像素单元之间的距离；
处于B像素单元与G像素单元之间的沟槽，到G像素单元的距离小于到B像素单元之间的距离；
处于R像素单元与G像素单元之间的沟槽，到G像素单元的距离小于到R像素单元之间的距离。
在一种可能的实施方式中，相邻两个沟槽的几何中心的连线，与R像素单元或B像素单元的对角线连线，在基底层上的正投影重叠。
在一种可能的实施方式中，显示装置的分辨率大于400。
第三方面，本申请还提供了一种显示基板制备方法，包括：
在基底层的一侧形成金属屏蔽层；
在金属屏蔽层远离基底层的一侧形成驱动器件，其中，驱动器件包括半导体层、绝缘层，半导体层在基底层上的正投影落入金属屏蔽层在基底层上的正投影内，绝缘层包括至少一个光学结构，光学结构包括斜面，斜面与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角；
在驱动器件远离基底层的一侧形成发光器件，至少一个光学结构在基底层上的正投影，至少与金属屏蔽层在所述基底层、发光器件的阳极的正投影之一无交叠。
在一种可能的实施方式中，驱动器件还包括源漏极和栅极，绝缘层包括第一栅极隔离层、第二栅极隔离层、层间介电层以及平坦层，在金属屏蔽层远离基底层的一侧形成驱动器件，包括：
在所述金属屏蔽层远离所述基底层的一侧，形成半导体层；
在所述半导体层远离所述基底层的一侧，形成所述第二栅极隔离层，并对所述第二栅极隔离层打第一金属走线孔；
在所述第二栅极隔离层远离所述基底层的一侧，形成所述栅极；
在所述栅极远离所述基底层的一侧，形成所述第一栅极隔离层，并对所述第一栅极隔离层打所述第一金属走线孔；
在所述第一栅极隔离层远离所述基底层的一侧，形成所述层间介电层，并对所述层间介电层打所述第一金属走线孔；
在所述层间介电层远离所述基底层的一侧，形成源漏极，并将所述源漏极刻蚀成走线经所述第一金属走线孔连接至所述半导体层；
在所述源漏极远离所述基底层的一侧，形成所述平坦层，并对所述平坦层打第二金属走线孔；
在所述平坦层远离所述基底层的一侧，形成所述发光器件，并对发光器件刻蚀走线通过所述第二金属走线孔连接至所述源漏极；
其中，在对所述第一栅极隔离层或所述层间介电层打所述第一金属走线孔、或在所述平坦层打所述第二金属走线孔的同时，形成所述光学结构。
本申请提供一种显示基板、显示装置、及显示基板制备方法，由于包括至少一个光学结构的绝缘层，设置于半导体层与发光器件之间；且金属屏蔽层位于基底层的一侧，且至少一个光学结构在基底层上的正投影与金属屏蔽层、发光器件在基底层上的正投影无交叠。这样一来，可以使得入射显示装置后的环境光能够照射到光学结构。
又由于光学结构包括斜面，斜面与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角。这样一来，当环境光照射到光学结构的斜面时，相当于减小了环境光的入射角。根据折射原理n1sinθ1＝n2sinθ2可知，如此，在斜面的光入射侧的折射率n1和斜面的光入射侧的折射率n2不变的情况下，若环境光的入射角θ1减小，则环境光的折射角θ2也会减小。可以理解地，由于金属屏蔽层位于基底层的一侧，且至少一个光学结构在基底层上的正投影与金属屏蔽层、发光器件中的至少一个在基底层上的正投影无交叠，当环境光的折射角θ2减小时，环境光也不容易照射到金属屏蔽层上。这样一来，大大减少了反射到半导体层上的光线。这时，半导体层产生的光生载流子小，使得半导体层的漏电的电流也较小。如此，包括有多个显示基板的显示装置的RGB像素的亮度的衰减幅度小，从而避免了具有该显示基板的显示装置出现显示画面偏粉偏红的情况，不会影响显示装置的分辨率，且也不会增大显示装置的电容，则显示装置的功耗也低。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为显示基板的结构示意图之一；
图2为显示基板的半导体层发生漏电时，R像素、G像素、B像素分别的亮度衰减的幅度的示意图；
图3为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图之一；
图4为本申请实施例提供的光学结构对环境光的光路进行改变的光路示意图；
图5为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图之二；
图6为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图之三；
图7为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图之四；
图8为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的显示装置的各个像素单元的俯视图；
图10为本申请实施例提供的显示基板制备方法的流程图；
图11为图10中的S1002的具体流程图示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
目前，在使用环境光照射输入显示装置的封装层后，显示装置的金属屏蔽层可以将大部分光线反射到显示装置的驱动器件的半导体层。这时，半导体层会产生大量的光生载流子，使得半导体层的漏电的电流较大，从而导致显示装置的显示画面偏粉偏红。
基于上述技术问题，本申请的发明构思在于：通过在显示装置的驱动器件的绝缘层设置光学结构，以减小环境光的折射角，以使得环境光也不容易照射到金属屏蔽层上。这样一来，大大减少了反射到半导体层上的光线。如此，半导体层产生的光生载流子小，使得半导体层的漏电的电流也较小，进而显示装置的RGB像素的亮度的衰减幅度小，从而避免了具有该显示基板的显示装置出现显示画面偏粉偏红的情况。
下面，以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。
请参阅图3，本申请实施例提供了一种显示基板，包括：
基底层101，其中，基底层101可以是但不限于柔性基底层，柔性基底层可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，PEN)衬底或无色聚酰亚胺(Colorless Polyimide，CPI)等。可以理解地，基底层101用于对整个显示基板起到支撑和保护的作用。
需要说明的是，基底层101可以为一层结构，也可以为多层结构。例如，基底层101可以包括玻璃基板，或者，基底层101也可以包括至少一个柔性衬底和至少一个缓冲层，柔性衬底和缓冲层交替层叠设置，本实施例对此不做限制。
金属屏蔽层102，设置于基底层101的一侧。其中，金属屏蔽层102用于屏蔽电场，以避免电场对显示基板的驱动器件103的功能造成影响。示例性地，金属屏蔽层102可以采用背面金属化(backsidemetallization，BSM)层，BSM层具有反射光线的功能。
驱动器件103，设置于金属屏蔽层102远离基底层101的一侧，驱动器件103包括半导体层104和绝缘层105。
其中，半导体层104可以是但不限于P-Si层，半导体层104为驱动器件103的沟道，可以用于通过控制沟道的宽度来控制发光器件106的亮度，以及通过控制沟道的导通或关断，来控制发光器件106的开关。其中，半导体层104在基底层101上的正投影落入金属屏蔽层102在基底层101上的正投影内，绝缘层105用于隔离驱动器件103的各个电极(如栅极、源漏极)和半导体层104，以免相互之间串扰。
其中，驱动器件103可以包括但不限于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。示例性地，本申请实施例对薄膜晶体管的类型不做过多限制。例如，薄膜晶体管可以包括氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)、和/或低温多晶硅薄膜晶体管等。
发光器件106，设置于驱动器件103远离基底层101的一侧，发光器件106与驱动器件103电连接。
发光器件106包括：
阳极、发光功能层以及阴极，阳极相比于阴极更靠近基底层101。其中，阳极为反射电极，阴极为透明电极。在一些示例中，发光器件106可以为OLED发光器件106，发光功能层可以包括：有机发光材料层、以及设置在阴极和有机发光材料层之间的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一者，设置在阳极和有机发光材料层之间的电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一者，具体根据实际需要设置，本申请实施例对此不做限制。当然，在其他示例中，发光器件106也可以为LED发光器件如Mini LED或者Micro LED，还可以量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)发光器件，本实施例对此不做限制。
例如，阴极可以采用透明导电氧化物薄膜；阳极可以采用金属膜层，或者，透明导电氧化物薄膜/金属薄膜/透明导电氧化物薄膜依次层叠构成的复合结构。上述透明导电氧化物薄膜的材料例如为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)和氧化铟锌(Indium zincoxide，IZO)中的任意一种；上述金属薄膜的材料例如为金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)和铂(Pt)中的任意一种。例如，在一些应用场景中，阴极可以采用ITO薄膜，阳极可以银电极，为了使得银电极有较高的发射率，银电极层的厚度通常在100nm。
需要说明的是，发光器件106的阳极在基底层101上的正投影，落入金属屏蔽层102在基底层101上的正投影内。这样一来，使得发光器件106的阳极的面积较小。进而发光器件106的阳极不会挤压用于设置显示装置的金属走线的面积，可以使得显示装置的保持高分辨率(如显示装置的分辨率大于400)，且发光器件106的阳极与显示装置的驱动器件103的各个电极(如栅极、源漏极)等金属的交叠面积小，会使得显示装置的电容小。进而，使得显示装置的功耗也低，节能环保。
另外，仍如图3所示，驱动器件103的绝缘层105包括至少一个光学结构107，至少一个光学结构107在基底层101上的正投影，至少与金属屏蔽层102在基底层101、发光器件106的阳极的正投影之一无交叠。光学结构107包括斜面108，斜面108与绝缘层105的延伸方向构成朝向发光器件106的锐角。
示例性地，光学结构107的数量可以是1个、2个、3个甚至更多，在此不做限定。可以理解地，当光学结构107的数量越多时，光学结构107改变入射的环境光L的光路的光量也越多。如此，减少的入射到金属屏蔽层102的环境光L的光量也越多，如此，可以使得显示装置出现显示画面偏粉偏红的概率进一步减小。
另外，至少一个光学结构107在基底层101上的正投影，至少与金属屏蔽层102在基底层101、发光器件106的阳极中至少之一的正投影无交叠的情况下，至少一个光学结构107才能将大部分入射的环境光L的光路改变到从基底层101输出，从而减少入射到金属屏蔽层102的环境光L的光量。
再者，由于发光器件106位于光学结构107的远离基底层101的一侧，则在至少一个光学结构107在基底层101上的正投影与发光器件106的阳极在基底层101上的正投影之一无交叠的情况下，发光器件106的阳极才不会对光学结构107造成遮挡。进而，入射的环境光L才能照射到光学结构107，光学结构107才能将大部分入射的环境光L的光路改变到从基底层101输出，以减少入射到金属屏蔽层102的环境光L的光量。
进一步地，在光学结构107包括斜面108，斜面108与绝缘层105的延伸方向构成朝向发光器件106的锐角的情况下，如图4所示，相当于将环境光L的入射界面的延伸方向，从绝缘层105的延伸方向更改为斜面108的延伸方向。假设环境光L的入射界面的延伸方向为绝缘层105的延伸方向时，则环境光L的入射角为环境光L的入射方向与绝缘层105的延伸方向的法线的夹角θ1，折射角为环境光L的出射方向与绝缘层105的延伸方向的法线的夹角θ2。当将环境光L的入射界面的延伸方向，从绝缘层105的延伸方向更改为斜面108的延伸方向时，若斜面108的延伸方向与绝缘层105的延伸方向的夹角为θ3，则环境光L的入射界面(斜面108)的法线相对于环境光L的入射方向也偏移了θ3，相当于环境光L的入射角减小了θ3，则环境光L的入射角θ1减小后的入射角θ11＝θ1-θ3，根据折射原理n1sinθ1＝n2sinθ2可知，如此，在斜面108的光入射侧的折射率n1和斜面108的光入射侧的折射率n2不变的情况下，若环境光L的入射角θ1减小为θ11＝θ1-θ3，则环境光L的折射角θ2也会减小。如图4所示，环境光L的减小后的折射角为θ22。
仍如图3所示，环境光L的折射角减小后，入射的环境光L的光路可以被光学结构107改变到从基底层101输出，从而减少入射到金属屏蔽层102的环境光L的光量。
可选地，光学结构107的数量多个，多个光学结构107之间依次连接。例如，光学结构107可以是两个、三个、四个等等，在此不做限定。这样一来，由于多个光学结构107之间没有间隙，入射的大部分环境光L的光路可以被光学结构107改变到从基底层101输出，从而减少入射到金属屏蔽层102的环境光L的光量。如此，显示装置出现显示画面偏粉偏红的概率进一步减小。
光学结构107在基底层101上的正投影，与金属屏蔽层102在基底层101上的正投影的之间距离小于10um。例如，光学结构107在基底层101上的正投影，与金属屏蔽层102在基底层101上的正投影的之间距离可以为但不限于5um、8um、或者10um，在此不作限定。可以理解地，当入射的环境光L在基底层101上的正投影，与金属屏蔽层102在基底层101上的正投影的之间距离越近时，入射的环境光L越容易照射到金属屏蔽层102，因而，在基底层101上的正投影，与金属屏蔽层102在基底层101上的正投影的之间距离小于10um的位置设置光学结构107，可以精准地将容易照射到金属屏蔽层102的环境光L的光路改变到从基底层101输出，使得设置的光学结构107的可靠性高。
另外，仍如图3所示，显示基板还可以包括：封装层109，封装层109设置于发光器件106远离驱动器件103的一侧。封装层109可以用于隔绝空气、和水分进入显示基板内，避免了显示基板内的器件被侵蚀。
需要说明的是，封装层109可以采用氮化物、氧化物、氮氧化物、硝酸盐、碳化物或其任何组合的无机材料制作而成，制备工艺可以采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)工艺，如采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，PECVD)工艺。例如，封装层109可以采用腈纶、六甲基二硅氧皖、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等材料制作而成，制备工艺可以采用喷墨打印(Ink JetPrinting，IJP)工艺。其中，封装层109的透光率大于90％。
综上所述，本申请实施例提供的一种显示基板，由于包括至少一个光学结构107的绝缘层105，设置于半导体层104与发光器件106之间；且金属屏蔽层102位于基底层101的一侧，且至少一个光学结构107在基底层101上的正投影与金属屏蔽层102、发光器件106在基底层101上的正投影无交叠。这样一来，可以使得入射显示装置后的环境光L能够照射到光学结构107。
又由于光学结构107包括斜面108，斜面108与绝缘层105的延伸方向构成朝向发光器件106的锐角。这样一来，当环境光L照射到光学结构107的斜面108时，相当于减小了环境光L的入射角。根据折射原理n1sinθ1＝n2sinθ2可知，如此，在斜面108的光入射侧的折射率n1和斜面108的光入射侧的折射率n2不变的情况下，若环境光L的入射角θ1减小，则环境光L的折射角θ2也会减小。可以理解地，由于金属屏蔽层102位于基底层101的一侧，且至少一个光学结构107在基底层101上的正投影与金属屏蔽层102、发光器件106的阳极中的至少一个在基底层101上的正投影无交叠，当环境光L的折射角θ2减小时，环境光L也不容易照射到金属屏蔽层102上。这样一来，大大减少了反射到半导体层104上的光线。这时，半导体层104产生的光生载流子小，使得半导体层104的漏电的电流也较小。如此，包括有多个显示基板的显示装置的RGB像素的亮度的衰减幅度小，从而避免了具有该显示基板的显示装置出现显示画面偏粉偏红的情况。
另外，目前可以通过增加显示基板的发光器件106的阳极的长度，以对入射的环境光进行遮挡，从而减少入射到金属屏蔽层102光线，则也减少了反射到显示基板的驱动器件103的半导体层的光线。然而，增加了发光器件106的阳极的长度后，会挤压用于设置显示基板的金属走线的面积，造成显示基板的分辨率低，且发光器件106的阳极与显示基板的驱动器件103的栅极、源漏极等金属的交叠面积增加，会使得显示基板的电容增大，造成包含该显示基板的显示装置的功耗也高。
而本申请实施例通过设置光学结构107的方式，兼顾了避免具有该显示基板的显示装置出现显示画面偏粉偏红的情况，且不会影响显示装置的分辨率、也不会增大显示装置的电容，使得显示装置的功耗也低。
进一步地，如图5所示，驱动器件103还包括源漏极206和栅极205，栅极205位于源漏极206与半导体层104之间，半导体层104位于栅极205朝向金属屏蔽层102的一侧，源漏极206位于栅极205远离金属屏蔽层102的一侧。
绝缘层105可以包括：设置于栅极205与源漏极206之间，且覆盖栅极205的第一栅极隔离层202。设置于第一栅极隔离层202与源漏极206之间，且覆盖第一栅极隔离层202的层间介电层203。设置于发光器件106与源漏极206之间，且覆盖源漏极206的平坦层204。光学结构107可以位于第一栅极隔离层202、层间介电层203和平坦层204中的至少一者。
具体地，第一栅极隔离层202、第二栅极隔离层201、以及层间介电层203均开设有第一金属走线孔。源漏极206的金属走线可以通过第一栅极隔离层202、第二栅极隔离层201、层间介电层203开设的第一金属走线孔连接至半导体层104。这样一来，可以控制半导体层104的沟道的宽度。另外，平坦层204开设有第二金属走线孔，发光器件106的金属走线通过第二金属走线孔连接至源漏极206，这样一来，可以控制发光器件106的亮度。
如图5所示，光学结构107位于层间介电层203中。可替换地，光学结构107还可以位于第一栅极隔离层202、或者平坦层204(附图中未示)，在此不作限定。
可以理解地，当光学结构107位于第一栅极隔离层202、层间介电层203和平坦层204中的至少一者时，使得光学结构107均位于半导体层104远离金属屏蔽层102的一侧，光学结构107才能在改变入射的环境光L的光路后，减少入射到金属屏蔽层102的环境光L，而且光学结构107所处的位置与金属屏蔽层102的距离越远，入射到金属屏蔽层102的环境光L的光越少。如此，显示装置出现显示画面偏粉偏红的概率进一步减小。
可选地，光学结构107为包括斜面108的沟槽601，沟槽601内填充有介质。
进一步地，本申请实施例提供的沟槽601包括但不限于以下两种方式：
第一种：沟槽601的在显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，沟槽601的与绝缘层105的延伸方向构成朝向发光器件106的锐角的一面为斜面108，沟槽601的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向基底层101。
进一步地，上述的三角形可以为等腰三角形，上述的斜面108为等腰三角形的腰，等腰三角形的与朝向基底层101的角尖相对的边为等腰三角形的底边，且等腰三角形的底边的长度大于等腰三角形的长度。如此，可以提高入射到斜面108的环境光L的光线量，以使斜面108对更多的环境光L被改变光路，进一步减小入射到金属屏蔽层102的光线。
进一步地，绝缘层105的折射率高于或等于沟槽601内填充的介质的折射率。
示例性地，在图5对应的实施例的基础上，如图6所示，当沟槽601的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向基底层101时，环境光L是从沟槽601的一侧入射到层间介电层203的一侧。若环境光L的入射界面的延伸方向为层间介电层203的延伸方向，则环境光L的入射角为环境光L的入射方向与层间介电层203的延伸方向的法线的夹角θ1，折射角为环境光L的出射方向与层间介电层203的延伸方向的法线的夹角θ2。当将环境光L的入射界面的延伸方向，从层间介电层203的延伸方向更改为斜面108的延伸方向时，若斜面108的延伸方向与层间介电层203的延伸方向的夹角为θ3，则环境光L的入射界面(斜面108)的法线相对于环境光L的入射方向也偏移了θ3，相当于环境光L的入射角减小了θ3，则环境光L的入射角θ1减小后的入射角θ11＝θ1-θ3。根据折射原理n1sinθ1＝n2sinθ2可知，如此，在斜面108的光入射侧的折射率n1(沟槽601内的介质的斜率)和斜面108的光折射侧(即层间介电层203的斜率)的折射率n2不变的情况下，若环境光L的入射角θ1减小，则环境光L的折射角θ2也会减小。如图4所示，环境光L的减小后的折射角为θ22。当层间介电层203的折射率n2高于或等于沟槽601内填充的介质的折射率n1时，不会降低因将环境光L的入射界面的延伸方向，从层间介电层203的延伸方向更改为斜面108的延伸方向产生的环境光L的折射角θ2的减小幅度。同时，也避免了在层间介电层203n2的折射率小于沟槽601内填充的介质的折射率n1时，造成的折射角θ2增大的情况。
第二种：沟槽601的在显示基板的厚度方向上的截面是三角形，沟槽601的与绝缘层105的延伸方向构成朝向发光器件106的锐角的一面为斜面108，沟槽601的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离基底层101。
进一步地，绝缘层105的折射率低于或等于沟槽601内填充的介质的折射率。
示例性地，在上述的图5对应的实施例的基础上，如图7所示，当沟槽601的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离基底层101时，环境光L是从层间介电层203的一侧入射到沟槽601的一侧。类似地，若环境光L的入射界面的延伸方向为层间介电层203的延伸方向，则环境光L的入射角为环境光L的入射方向与层间介电层203的延伸方向的法线的夹角θ1，折射角为环境光L的出射方向与层间介电层203的延伸方向的法线的夹角θ2。当将环境光L的入射界面的延伸方向，从层间介电层203的延伸方向更改为斜面108的延伸方向时，若斜面108的延伸方向与层间介电层203的延伸方向的夹角为θ3，则环境光L的入射界面(斜面108)的法线相对于环境光L的入射方向也偏移了θ3，相当于环境光L的入射角减小了θ3，则环境光L的入射角θ1减小后的入射角θ11＝θ1-θ3，根据折射原理n1sinθ1＝n2sinθ2可知，如此，在斜面108的光入射侧的折射率n1(即层间介电层203的折射率)和斜面108的光折射侧的折射率n2(即沟槽601的介质的折射率)不变的情况下，若环境光L的入射角θ1减小，则环境光L的折射角θ2也会减小。如图4所示，环境光L的减小后的折射角为θ22。当层间介电层203的折射率n1低于或等于沟槽601内填充的介质的折射率n2时，不会降低因将环境光L的入射界面的延伸方向，从层间介电层203的延伸方向更改为斜面108的延伸方向产生的环境光L的折射角θ2的减小幅度，同时，也避免了在层间介电层203n2的折射率大于沟槽601内填充的介质的折射率n1时，造成的折射角θ2增大的情况。
可选地，在图6对应的实施例的基础上，若光学结构107位于第一栅极隔离层202，则光学结构107的介质类型与层间介电层203的介质相同。例如，层间介电层203的介质类型为SiO层时，光学结构107的介质类型也为SiO层。
可以理解地，在形成层间介电层203的同时，可以同步形成光学结构107的介质，节省了工艺步骤，也节省了时间。
若光学结构107位于层间介电层203，则光学结构107的介质类型与平坦层204的介质相同。例如，平坦层204的介质类型为SiN层时，光学结构107的介质类型也为SiN层。
可以理解地，在形成平坦层204的同时，可以同步形成光学结构107的介质，节省了工艺步骤，也节省了时间。
显示基板，还包括：封装层109，封装层109设置于发光器件106远离层间介电层203的一侧，若光学结构107位于平坦层204，则光学结构107的介质类型与封装层109的介质相同。
可以理解地，在形成封装层109的同时，可以同步形成光学结构107的介质，节省了工艺步骤，也节省了时间。
进一步地，平坦层204的折射率大于层间介电层203的折射率，层间介电层203的折射率大于第一栅极隔离层202的折射率。与上述的图6对应的实施例和图7对应的实施例的原理类似地，在平坦层204的折射率大于层间介电层203的折射率，层间介电层203的折射率大于第一栅极隔离层202的折射率时，不会降低因将环境光L的入射界面的延伸方向，从层间介电层203的延伸方向更改为斜面108的延伸方向产生的环境光L的折射角θ2的减小幅度，同时，也避免了平坦层204的折射率小于层间介电层203的折射率，和/或层间介电层203的折射率小于第一栅极隔离层202的折射率时，造成的折射角θ2增大的情况。
如图8所示，本申请实施例还提供了一种显示装置，需要说明的是，本申请实施例所提供的显示装置，其基本原理及产生的技术效果和上述的任一实施例相同，为简要描述，本申请实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。
该显示装置包括多个上述实施例提供的显示基板，且多个显示基板之间并列设置。需要说明的是，本申请实施例中的每个显示基板可以理解成一个像素单元801。光学结构107处于对应的两个像素单元801之间，其中，光学结构107对应的两个像素单元801为：光学结构107所属的像素单元801及与所属的像素单元801相邻的像素单元801。
具体地，仍如图8所示，光学结构107位于对应的两个像素单元801的阳极之间，光学结构107到所属的像素单元801阳极的第二金属走线孔的距离，大于到相邻的另一像素单元901的阳极的距离，如此有利避开第二金属走线孔形成光学结构107，同时又能避免光线通过第二金属走线孔斜射到光学结构107，产生不规则反射光线，影响光学结构107的功能。
更进一步地，多个像素单元801可以包括多个R像素单元、多个G像素单元、以及多个B像素单元。位于任意两个像素单元之间设置有上述实施例提供的光学结构107。进一步地，光学结构107的斜面与B像素形成一定角度，其中，形成的角度的范围为(20°，50°)，例如，形成的角度可以是20°、30°、或者50°，在此不作限定。
可选地，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，沟槽的与绝缘层的延伸方向构成锐角的一面为斜面，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向基底层，或者沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离基底层。
进一步地，如图9所示，在多个像素单元801包括R像素1203单元、G像素1202单元、以及B像素1201单元的情况下，R像素1203单元与B像素1201单元间隔设置，R像素1203单元和B像素1201单元分别周围间隔设置有多个G像素1202单元。其中，
处于B像素1201单元与R像素1203单元之间的沟槽601，到B像素1201单元的距离小于到R像素1203单元之间的距离。可以理解地，如图2所示，由于B像素1201的亮度的衰减幅度大于R像素1203的衰减幅度，沟槽601到B像素1201单元的距离小于到R像素1203单元之间的距离；若入射的环境光包括多个方向的光线，截面图形包括三角形的沟槽601，则可以使得减少的反射到B像素1201的半导体层上的光线，大于减少的反射到R像素1203的半导体层上的光线。如此，可以使得B像素1201单元与R像素1203单元发出的光线的亮度更加均衡。
另外，处于B像素1201单元与G像素1202单元之间的沟槽601，到G像素1202单元的距离小于到B像素1201单元之间的距离。类似地，如图2所示，由于G像素1202的亮度的衰减幅度大于B像素1201的衰减幅度，沟槽601到G像素1202单元的距离小于到B像素1201单元之间的距离；若入射的环境光包括多个方向的光线，截面图形包括三角形的沟槽601，则可以使得减少的反射到G像素1202的半导体层上的光线，大于减少的反射到B像素1201的半导体层上的光线。如此，可以使得G像素1202单元与B像素1201单元发出的光线的亮度更加均衡。
另外，处于R像素1203单元与G像素1202单元之间的沟槽601，到G像素1202单元的距离小于到R像素1203单元之间的距离。似地，如图2所示，由于G像素1202的亮度的衰减幅度大于R像素1203的衰减幅度，沟槽601到G像素1202单元的距离小于到R像素1203单元之间的距离；若入射的环境光包括多个方向的光线，截面图形包括三角形的沟槽601，则可以使得减少的反射到G像素1202的半导体层上的光线，大于减少的反射到R像素1203的半导体层上的光线。如此，可以使得G像素1202单元与R像素1203单元发出的光线的亮度更加均衡。
进一步地，位于B像素1201单元与R像素1203单元之间的沟槽601，分别到与沟槽601相邻的两个G像素1202单元之间的距离相同，以使得沟槽601相邻的两个G像素1202单元的发光功能相同。
在一种可能的实施方式中，相邻两个沟槽601的几何中心的连线，与R像素1203单元或B像素1201单元的对角线连线，在基底层上的正投影重叠。这样一来，可以使得R像素1203或B像素1201的阳极相对两侧的沟槽601的作用相同。
进一步地，显示装置的分辨率可以大于400。例如，显示装置的分辨率可以为400、450、或者500等，在此不作限定。可以理解地，在上述实施例中，发光器件106在基底层101上的正投影，落入金属屏蔽层102在基底层101上的正投影内。这样一来，使得发光器件106的面积较小。进而发光器件106不会挤压用于设置显示装置的金属走线的面积，可以使得显示装置的保持高分辨率(如显示装置的分辨率大于400)。
示例性地，该显示装置可以是：显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机、家电、大面积墙壁、手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，数码相机，便携式摄录机和导航仪等中的任一种；还可以是微显示器，或者包含微显示器的产品，例如近眼显示器或可穿戴设备等，具体地可以是AR/VR系统、智能眼镜、头戴式显示器(HeadMounted Display，简称为HMD)和抬头显示器(Head Up Display，简称为HUD)。
请参阅图10，本申请实施例还提供了一种显示基板制备方法，需要说明的是，本申请实施例所提供的显示基板制备方法，其基本原理及产生的技术效果和上述的任一实施例相同，为简要描述，本申请实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。具体地，本申请实施例提供的方法包括：
S1001：在基底层101的一侧形成金属屏蔽层102。
S1002：在金属屏蔽层102远离基底层101的一侧形成驱动器件103。
其中，驱动器件103包括半导体层104、绝缘层105，半导体层104在基底层101上的正投影落入金属屏蔽层102在基底层101上的正投影内，绝缘层105包括至少一个光学结构107。光学结构107包括斜面108，斜面108与绝缘层105的延伸方向构成锐角。
S1003：在驱动器件103远离基底层101的一侧形成发光器件106。
其中，至少一个光学结构107在基底层101上的正投影，至少与金属屏蔽层102在基底层101、发光器件106的阳极的正投影之一无交叠。
具体地，驱动器件103还包括源漏极206和栅极205，绝缘层105包括第一栅极隔离层202、第二栅极隔离层201、层间介电层203以及平坦层204。如图11所示，上述的S1002可以具体实现为：
S1101：在金属屏蔽层102远离基底层101的一侧，形成半导体层104。
S1102：在半导体层104远离基底层101的一侧，形成第二栅极隔离层201，并对第二栅极隔离层201打第一金属走线孔207。
S1103：在所述第二栅极隔离层201远离所述基底层101的一侧，形成栅极205。
S1104：在栅极205远离基底层101的一侧，形成第一栅极隔离层202，并对第一栅极隔离层202打第一金属走线孔207。
S1105：在第一栅极隔离层202远离基底层101的一侧，形成层间介电层203，并对层间介电层203打第一金属走线孔207。
S1106：在层间介电层203远离基底层101的一侧，形成源漏极206，并将源漏极206刻蚀成走线经第一金属走线孔207连接至半导体层104。
S1107：在源漏极206远离基底层101的一侧，形成平坦层204，并对平坦层204打第二金属走线孔208。
S1108：在平坦层204远离基底层101的一侧，形成发光器件106，并对发光器件106刻蚀走线通过第二金属走线孔208连接至源漏极206。
其中，在对第一栅极隔离层202或层间介电层203打第一金属走线孔207、或在平坦层204打第二金属走线孔208的同时，形成光学结构107，无需额外的步骤，节省了时间。而且可以在形成平坦层204的同时，可以同步形成光学结构107的介质，进一步节省了工艺步骤和时间。
在以上的描述中，对于各层的构图等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
基底层；
金属屏蔽层，设置于所述基底层的一侧；
驱动器件，设置于所述金属屏蔽层远离所述基底层的一侧，所述驱动器件包括半导体层和绝缘层，所述半导体层在所述基底层上的正投影落入所述金属屏蔽层在所述基底层上的正投影内；
发光器件，设置于所述驱动器件远离所述基底层的一侧，所述发光器件与所述驱动器件电连接；
所述绝缘层，设置于所述半导体层与所述发光器件之间；
所述绝缘层包括至少一个光学结构，至少一个所述光学结构在所述基底层上的正投影，至少与所述金属屏蔽层在所述基底层、所述发光器件的阳极的正投影之一无交叠，所述光学结构包括斜面，所述斜面与所述绝缘层的朝向设置有所述发光器件的一侧的延伸方向构成锐角。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光学结构为包括所述斜面的沟槽，所述沟槽内填充有介质。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述沟槽的在所述显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，所述沟槽的与所述绝缘层的朝向设置有所述发光器件的一侧的延伸方向构成锐角的一面为所述斜面，所述沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向所述基底层。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层的折射率高于或等于所述沟槽内填充的介质的折射率。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述沟槽的在所述显示基板的厚度方向上的截面是三角形，所述沟槽的与所述绝缘层的朝向设置有所述发光器件的一侧的延伸方向构成锐角的一面为所述斜面，所述沟槽的在所述显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离所述基底层。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层的折射率低于或等于所述沟槽内填充的介质的折射率。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动器件还包括源漏极和栅极，所述栅极位于所述源漏极与所述半导体层之间，所述半导体层位于所述栅极朝向所述金属屏蔽层的一侧，所述源漏极位于所述栅极远离所述金属屏蔽层的一侧，所述绝缘层包括：
设置于所述栅极与所述源漏极之间，且覆盖所述栅极的第一栅极隔离层；
设置于所述第一栅极隔离层与所述源漏极之间，且覆盖所述第一栅极隔离层的层间介电层；
设置于所述发光器件与所述源漏极之间，且覆盖所述源漏极的平坦层；
所述光学结构位于所述第一栅极隔离层、所述层间介电层和所述平坦层中的至少一者。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，
若所述光学结构位于所述第一栅极隔离层，则所述光学结构的介质类型与所述层间介电层的介质相同；
若所述光学结构位于所述层间介电层，则所述光学结构的介质类型与所述平坦层的介质相同；
所述显示基板，还包括：封装层，所述封装层设置于所述发光器件远离所述层间介电层的一侧，若所述光学结构位于所述平坦层，则所述光学结构的介质类型与所述封装层的介质相同。
9.一种显示装置，其特征在于，所述装置包括多个权利要求1所述的显示基板，且多个所述显示基板之间并列设置。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，每个所述显示基板为一个像素单元，所述光学结构处于对应的两个像素单元之间，其中，所述光学结构对应的两个像素单元为：所述光学结构所属的像素单元及与所属的像素单元相邻的像素单元。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述光学结构为沟槽，所述沟槽的在所述显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，所述沟槽的与所述绝缘层的延伸方向构成锐角的一面为所述斜面，所述沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向所述基底层，或者所述沟槽的在所述显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离所述基底层。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，多个所述像素单元包括R像素单元、G像素单元、以及B像素单元，所述R像素单元与所述B像素单元间隔设置，所述R像素单元和所述B像素单元分别周围间隔设置有多个G像素单元，其中，
处于所述B像素单元与所述R像素单元之间的所述沟槽，到所述B像素单元的距离小于到所述R像素单元之间的距离；
处于所述B像素单元与所述G像素单元之间的所述沟槽，到所述G像素单元的距离小于到所述B像素单元之间的距离；
处于所述R像素单元与所述G像素单元之间的所述沟槽，到所述G像素单元的距离小于到所述R像素单元之间的距离。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，相邻两个所述沟槽的几何中心的连线，与所述R像素单元或B像素单元的对角线连线，在所述基底层上的正投影重叠。
14.一种显示基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基底层的一侧形成金属屏蔽层；
在所述金属屏蔽层远离所述基底层的一侧形成驱动器件，其中，所述驱动器件包括半导体层、绝缘层，所述半导体层在所述基底层上的正投影落入所述金属屏蔽层在所述基底层上的正投影内，所述绝缘层包括至少一个光学结构，所述光学结构包括斜面，所述斜面与所述绝缘层的延伸方向构成锐角；
在所述驱动器件远离所述基底层的一侧形成发光器件，至少一个所述光学结构在所述基底层上的正投影，至少与所述金属屏蔽层在所述基底层、所述发光器件的阳极的正投影之一无交叠。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述驱动器件还包括源漏极和栅极，所述绝缘层包括第一栅极隔离层、第二栅极隔离层、层间介电层以及平坦层，所述在所述金属屏蔽层远离所述基底层的一侧形成驱动器件，包括：
在所述金属屏蔽层远离所述基底层的一侧，形成半导体层；
在所述半导体层远离所述基底层的一侧，形成所述第二栅极隔离层，并对所述第二栅极隔离层打第一金属走线孔；
在所述第二栅极隔离层远离所述基底层的一侧，形成所述栅极；
在所述栅极远离所述基底层的一侧，形成所述第一栅极隔离层，并对所述第一栅极隔离层打所述第一金属走线孔；
在所述第一栅极隔离层远离所述基底层的一侧，形成所述层间介电层，并对所述层间介电层打所述第一金属走线孔；
在所述层间介电层远离所述基底层的一侧，形成源漏极，并将所述源漏极刻蚀成走线经所述第一金属走线孔连接至所述半导体层；
在所述源漏极远离所述基底层的一侧，形成所述平坦层，并对所述平坦层打第二金属走线孔；
在所述平坦层远离所述基底层的一侧，形成所述发光器件，并对发光器件刻蚀走线通过所述第二金属走线孔连接至所述源漏极；
其中，在对所述第一栅极隔离层或所述层间介电层打所述第一金属走线孔、或在所述平坦层打所述第二金属走线孔的同时，形成所述光学结构。
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